JP2003041202A - 接着シート、その使用方法及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイシング工程ではダイシングテープとして
作用し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信
頼性に優れる接着シートを提供し、さらに、半導体装置
の製造工程を簡略化できる製造方法を提供する。 【解決手段】 ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂およびエ
ポキシ樹脂硬化剤、一般式（Ｉ） 【化１】 で表されるジアミン及び一般式（ＩＩ） 【化２】 で表されるイソシアネート化合物及び一般式（ＩＩＩ） 【化３】 で表される化合物からなる放射線重合性化合物５〜４０
０質量部を含有してなる粘接着剤層とを有してなる熱重
合性及び放射線重合性接着シート。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接着シート、その
使用方法及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体素子と半導体素子搭載用支
持部材の接合には、銀ペーストが主に使用されていた。
しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、
使用される支持部材にも小型化、細密化が要求されるよ
うになってきている。こうした要求に対して、銀ペース
トでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤ
ボンディング時における不具合の発生、接着剤層の膜厚
の制御困難性、および接着剤層のボイド発生などの種々
の問題があった。これらの問題を解決するために、近
年、フィルム状の接着剤が使用されるようになってき
た。フィルム状接着剤は、個片貼付け方式あるいはウエ
ハ裏面貼付け方式において使用されている。

【０００３】個片貼付け方式は、リール状の接着フィル
ムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切
り出した後、支持部材に接着する。接着フィルム付き支
持部材に、ダイシング工程によって個片化された半導体
素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その
後、ワイヤボンド工程、封止工程などを経て、半導体素
子を完成する。しかし。個片貼付け方式は、接着フィル
ムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必
要であり、組立コストは、銀ペーストを使用する方法に
比べて高くなるという問題があった。

【０００４】一方、ウエハ裏面貼付け方式は、半導体ウ
エハに接着フィルムを貼付け、ダイシングテープに貼り
合わせた後、ダイシング工程によって個片化する。個片
化された接着剤付き半導体素子を支持部材に接合し、そ
の後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経て、半
導体装置を完成する。ウエハ裏面貼付け方式は、接着剤
付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィル
ムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用
の組立装置を、そのまま、あるいは熱盤を付加するなど
の装置の一部を改良することにより使用できるため、フ
ィルム状接着剤を用いた組立方法の中で、組立コストが
比較的安く抑えられる方法として注目されている。

【０００５】このウエハ裏面貼付け方式における半導体
素子の個片化は、フィルム状接着剤側にダイシングテー
プを貼り合わせた後、ダイシング工程にて行われる。そ
の際、用いられるダイシングテープには、感圧型とＵＶ
型とに大別される。感圧型テープは、通常、ポリ塩化ビ
ニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を
塗布したものである。このダイシングテープは、切断時
には、ダイシングソウによる回転で各素子が飛散しない
ような十分な粘着力が必要である。一方、ピックアップ
時には、各素子に接着剤が付着することなく、また素子
を傷つけないようにするために、ピックアップできる程
度の低い粘着力という相反する性能を満たす必要があ
る。そのため、感圧型のダイシングテープの場合は、粘
着力の公差を小さくした、素子のサイズや加工条件にあ
った各種の粘着力を有する多くの品種の接着シートを揃
え、工程毎に切替えていた。このため、多くの品種を在
庫する必要があり、在庫管理を複雑化していた。また工
程毎に、接着シートを切替える作業が必要であった。最
近は、ＵＶ型と呼ばれ、ダイシング時には高粘着力を有
し、ピックアップする前に紫外線（ＵＶ）を照射し低粘
着力にし、相反する要求に応えるダイシングテープも広
く採用されている。

【０００６】近年、半導体素子、特にＣＰＵやメモリ
は、大容量化が進み、その結果、半導体素子が大型化す
る傾向にある。さらに、ＩＣカードあるいはメモリーカ
ードなどの製品では、使用されるメモリの薄型化が進ん
でいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、
感圧型では、ダイシング時の固定力（高粘着力）とピッ
クアップ時の剥離力（低粘着力）という相反する要求を
満足できなくなりつつある。

【０００７】一方、ＵＶ型を使用したウエハ裏面貼付け
方式においては、ダイシング工程までのフィルム貼付工
程を２回行わなければならず、作業が煩雑になるという
問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来技術の問題に鑑み、ダイシング工程ではダイシングテ
ープとして作用し、半導体素子と支持部材との接合工程
では接続信頼性に優れる接着シートを提供することを目
的とする。また、この接着シートは、半導体素子搭載用
支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装す
る場合に要求される耐熱性および耐湿性を有し、かつ作
業性に優れる接着シートである。本発明は、さらに、半
導体装置の製造工程を簡略化できる製造方法を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、次のものに関
する。 １．（Ａ）ポリイミド樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂および
エポキシ樹脂硬化剤（Ｃ）（ａ）一般式（Ｉ）

【００１０】

【化４】

【００１１】（式中、Ｒ₁は炭素原子数が２〜３０の２
価の有機基を示す）で表されるジアミン及び（ｂ）一般
式（ＩＩ）

【００１２】

【化５】

【００１３】（式中、ｎは０〜１の整数であり、Ｒ₂は
炭素原子数が１〜３０の２価あるいは３価の有機性基で
ある）で表されるイソシアネート化合物及び（ｃ）一般
式（ＩＩＩ）

【００１４】

【化６】

【００１５】（式中、ｎは０〜１の整数である）で表さ
れる化合物からなる放射線重合性化合物５〜４００質量
部を含有してなる粘接着剤層とを有してなる熱重合性及
び放射線重合性接着シート。 ２．前記粘接着剤層が、前記（Ａ）ポリイミド樹脂を１
００重量部、前記エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化
剤を１〜２００重量部、および（Ｃ）放射線重合性化合
物を５〜４００重量部含有する、項１記載の接着シー
ト。 ３．放射線を照射して、前記接着剤層と基材との間の接
着力を制御する、項１又は項２記載の接着シート。 ４．（Ｉ）項１〜３のいずれかに記載の接着シートを、
その粘接着剤層を介して半導体ウエハに貼り付ける工
程、（ＩＩ）該接着シートに放射線を照射して該接着層
を硬化させ、基材を剥離する工程、（ＩＩＩ）半導体ウ
エハをダイシングして、粘接着層付き半導体素子を得る
工程、（ＩＶ）粘接着剤層付き半導体素子と半導体素子
搭載用支持部材とを、該接着シートを介して接着する工
程、を含むことを特徴とする接着シートの使用方法。 ５．項１〜３のいずれかに記載の接着シートを用いて又
は項４記載の接着シートの使用方法によって、半導体素
子と支持部材とを接着した構造を含有してなる半導体装
置。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の接着シートは、（Ａ）ポ
リイミド樹脂を１００重量部、前記エポキシ樹脂および
エポキシ樹脂硬化剤を１〜２００重量部、および（Ｃ）
放射線重合性化合物を５〜４００重量部含有する粘接着
剤層とを有する。これにより、熱重合性および放射線重
合性の両方の性質を備える接着シートを得ることができ
る。

【００１７】この接着シートは、ダイシング時には半導
体素子が飛散しない十分な粘着力を有し、ピックアップ
時には各素子を傷つけることがないような低い粘着力を
有する、という相反する要求を満足するものであり、ダ
イボンドおよびダイシングの各工程を、一枚のフィルム
で完了することができる。

【００１８】本発明のポリイミド樹脂は、例えば、テト
ラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法で縮合反
応させて得ることができる。すなわち、有機溶媒中で、
テトラカルボン酸二無水物とジアミンを等モル又はほぼ
等モル用い（各成分の添加順序は任意）、反応温度８０
℃以下、好ましくは０〜６０℃で付加反応させる。反応
が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇し、ポリイ
ミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。上記ポリ
アミド酸は、５０〜８０℃の温度で加熱して解重合させ
ることによって、その分子量を調整することもできる。

【００１９】ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミ
ド酸）を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環
は、加熱処理する熱閉環法と、脱水剤を使用する化学閉
環法で行うことができる。

【００２０】ポリイミド樹脂の原料として用いられるテ
トラカルボン酸二無水物としては特に制限は無く、例え
ば、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート
無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリ
テート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（ト
リメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビ
ス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレ
ン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−
（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，
１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテ
ート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメ
チレン）ビス（トリメリテート無水物）、ピロメリット
酸ニ無水物、３，３’、４，４’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、２，２’、３，３’−ビフェニルテ
トラカルボン酸ニ無水物、２，２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）プロパンニ無水物、２，２−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパンニ無水物、
１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン
ニ無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エタンニ無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェ
ニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリ
レンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，
２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，
３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、３，３，３’，４’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレン
テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレ
ンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタ
レンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフ
タレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナ
フタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テ
トラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロ
ロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無
水物、フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカル
ボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカ
ルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テト
ラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，
３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無
水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフ
ェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス
（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベン
ゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキ
サン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無
水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロ
ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水
物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキ
サヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン
酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラ
カルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テ
トラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタ
ンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビシクロ
〔２，２，１〕ヘプタン−２，３−ジカルボン酸）二無
水物、ビシクロ−〔２，２，２〕−オクト−７−エン−
２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン二無水物、２，２、−ビス〔４−（３，４−ジ
カルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフ
ェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビ
ス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベン
ゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２
−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビ
ス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソ
テトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセ
ン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラ
ン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物等を使
用することができ、これらの１種または２種以上を併用
することもできる。

【００２１】また、ポリイミドの原料として用いられる
ジアミンとしては特に制限は無く、例えば、ｏ−フェニ
レンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレ
ンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、
３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェ
ニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテメタン、ビス（４
−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス
（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタ
ン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、
３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，
４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’
−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノ
ジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニル
スルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，
４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジア
ミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニル
ケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、２，２
−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−
（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−
ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，
２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサ
フルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）
ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチ
ルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−
フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリ
ン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチル
エチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３
−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フェニル）
スルフィド、ビス（４−（４−アミノエノキシ）フェニ
ル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノエノキシ）フ
ェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノエノキ
シ）フェニル）スルフォン、３，５−ジアミノ安息香酸
等の芳香族ジアミン、１，２−ジアミノエタン、１，３
−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５
−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，
７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、
１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、
１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノド
デカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、下記一般式
（ＩＶ）

【００２２】

【化７】

【００２３】（式中、Ｒ₃及びＲ₄は炭素原子数１〜３０
の二価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なって
いてもよく、Ｒ₅及びＲ₆は一価の炭化水素基を示し、そ
れぞれ同一でも異なっていてもよく、ｍは１以上の整数
である）で表されるジアミノポリシロキサン、１，３−
ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、サン テクノケ
ミカル（株）製 ジェファーミン Ｄ−２３０，Ｄ−４
００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−６００，Ｅ
Ｄ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４８等のポリ
オキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミン等を使用
することができ、これらの１種または２種以上を併用す
ることもできる。

【００２４】本発明に使用するエポキシ樹脂は、硬化し
て接着作用を呈するものであれば特に制限は無く、例え
ば、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート８０７，
８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，
１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製 Ｄ
ＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成（株）製ＹＤ
８１２５，ＹＤＦ８１７０等のビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート１
５２，１５４、日本化薬（株）製 ＥＰＰＮ−２０１、
ダウケミカル社製 ＤＥＮ−４３８等のフェノールノボ
ラック型エポキシ樹脂、日本化薬（株）製 ＥＯＣＮ−
１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，
１０２７、東都化成（株）製 ＹＤＣＮ７０１，７０
２，７０３，７０４等のｏ−クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製 Ｅｐｏｎ
１０３１Ｓ、チバスペシャリティーケミカルズ社製 ア
ラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製 デナコール
ＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５
２１，４２１，４１１，３２１等の多官能エポキシ樹
脂、油化シェルエポキシ（株）製 エピコート６０４、
東都化成（株）製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）
製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学
（株）製 ＥＬＭ−１２０等のアミン型エポキシ樹脂、
チバスペシャリティーケミカルズ社製 アラルダイトＰ
Ｔ８１０等の複素環含有エポキシ樹脂、ＵＣＣ社製 Ｅ
ＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６等の脂環
式エポキシ樹脂などを使用することができ、これらの１
種又は２種以上を併用することもできる。

【００２５】エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂の
硬化剤として通常用いられているものを使用でき、アミ
ン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三ふっ化
ほう素、フェノール性水酸基を１分子中に２個以上有す
る化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、
ビスフェノールＳ、多官能フェノール及びフェノールノ
ボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、ナフ
トールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂
等のフェノール樹脂等のフェノール類などが挙げられる
が、特に吸湿時の耐電食性に優れるため、フェノール類
を使用するのが好ましい。

【００２６】また、（Ｃ）放射線重合性化合物を構成す
る一般式（Ｉ）で表される（ａ）ジアミン類としては、
特に制限がなく、例えば、４，４’−（又は３，４’
−、３，３’−、２，４’−、２，２’−）ジアミノジ
フェニルエーテル、４，４’−（又は３，４’−、３，
３’−、２，４’−、２，２’−）ジアミノジフェニル
メタン、４，４’−（又は３，４’−、３，３’−、
２，４’−、２，２’−）ジアミノジフェニルスルホ
ン、４，４’−（又は３，４’−、３，３’−、２，
４’−、２，２’−）ジアミノジフェニルスルフィド、
パラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、ｐ
−キシレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン、ｏ−トリ
ジン、ｏ−トリジンスルホン、４，４’−メチレン−ビ
ス（２，６−ジエチレアニリン）、４，４’−メチレン
−ビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）、２，４−
ジアミノメシチレン、１，５−ジアミノナフタレン、
４，４’−ベンゾフェノンジアミン、ビス〔４−（４’
−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−
アミノフェニル）プロパン、２，２’−ビス〔４−
（４’−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，
３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニルメタ
ン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジ
アミノジフェニルメタン、ビス〔４−（３’−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕スルホン、２，２−ビス（４−ア
ミノフェニル）プロパン、３，５−ジアミノ安息香酸等
の芳香族ジアミン、エチレンジアミン、テトラメチレン
ジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、下記一般
式（Ｖ）

【００２７】

【化８】

【００２８】（式中、Ｒ₇及びＲ₈は炭素原子数１〜３０
の二価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なって
いてもよく、Ｒ₉及びＲ₁₀は一価の炭化水素基を示し、
それぞれ同一でも異なっていてもよく、ｎは１以上の整
数である）で表されるジアミノポリシロキサン、１，３
−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、サン テクノ
ケミカル（株）製 ジェファーミン Ｄ−２３０，Ｄ−
４００，Ｄ−２０００，Ｄ−４０００，ＥＤ−６００，
ＥＤ−９００，ＥＤ−２００１，ＥＤＲ−１４８等のポ
リオキシアルキレンジアミン等の脂肪族ジアミンなどを
使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用
することもできる。

【００２９】また、（Ｃ）放射線重合性化合物を構成す
る一般式（ＩＩ）で表される（ｂ）イソシアネート化合
物としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフ
ェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネ
ート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェ
ニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−
ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシア
ネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレ
ンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、
４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、
２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、
リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネートな
どを使用することができ、これらの１種又は２種以上を
併用することもできる。また、これらのジイソシアネー
トの二量体、三量体を用いても良く、経日変化を避ける
ために適当なブロック剤で安定化したものを使用しても
良い。

【００３０】また、（Ｃ）放射線重合性化合物を構成す
る一般式（ＩＩＩ）で表される（ｃ）化合物としては、
特に制限がなく、例えば、イソシアネートエチルメタク
リレート、メタクリロイルイソシアネートなどを使用す
ることができ、これらの１種又は２種以上を併用するこ
ともできる。

【００３１】本発明の（Ｃ）放射線重合性化合物の合成
は、有機溶媒の存在下で行うことができる。

【００３２】溶媒としては、メチルエチルケトン、メチ
ルイソブチルケトン、アセトン、ジエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチ
ル、γ−ブチロラクトン等のエステル系溶媒、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコー
ルジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン
等のエーテル系溶媒、ブチルセロソルブアセテート、エ
チルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテー
ト等のセロソルブ系溶媒、トルエン、キシレン、ｐ−シ
メン等の芳香族炭化水素系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルホキシド等を
使用することができる。

【００３３】反応温度は、０〜１００℃とすることが好
ましく、１０〜８０℃とすることがより好ましく、２０
〜７０℃とすることが特に好ましい。反応時間は、バッ
チの規模、採用される反応条件等により適宜選択でき
る。

【００３４】本発明の粘接着剤層を構成する組成物に
は、（Ｃ）放射線重合性化合物以外の他の重合性化合物
を併用することもできる。

【００３５】重合性化合物としては特に制限はなく、例
えば、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリ
ル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、
メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシ
ル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、ペンテニルア
クリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テ
トラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリ
コールジアクリレート、トリエチレングリコールジアク
リレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、
ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレン
グリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコー
ルジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ト
リメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロー
ルプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオー
ルジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリ
レート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、
１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエ
リスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトール
テトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタク
リレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレー
ト、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエ
ン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−
ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチル
メタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒ
ドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２
−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアク
リルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシア
ヌレートのトリアクリレート、下記一般式（ＶＩ）

【００３６】

【化９】

【００３７】（式中、Ｒ₁₁は水素又はメチル基を示し、
ｑ及びｒは１以上の整数である）で表される化合物、ト
リレンジイソシアネートと２−ヒドロキシエチルアクリ
レート又は２−ヒドロキシエチルメタクリレートとの反
応物やトリメチルヘキサメチレンジイソシアネートトシ
クロヘキサンジメタノールと２−ヒドロキシエチルアク
リレート又は２−ヒドロキシエチルメタクリレートとの
反応物等のウレタンアクリレート又はウレタンメタクリ
レートなどを使用することができ、これらの１種又は２
種以上を併用することもできる。

【００３８】これら重合性化合物の使用量は、（Ｃ）放
射線重合性化合物の１００質量％以下であることが好ま
しく、９０質量％以下であることがより好ましく、８０
質量％以下であることが特に好ましい。この使用量が１
００質量％を超えると、得られる接着シートの耐熱性が
劣る傾向がある。

【００３９】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、さらに硬化促進剤を添加することもできる。
硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダ
ゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メ
チルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１
−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリ
テートなどを使用することができ、これらの１種又は２
種以上を併用することもできる。

【００４０】硬化促進剤の添加量は、（Ｂ）エポキシ樹
脂及びエポキシ硬化剤１００重量部に対して０．１〜５
重量部が好ましく、０．２〜３重量部がより好ましい。
添加量が０．１重量部未満であるとると硬化性が劣る傾
向があり、５重量部を超えると保存安定性が低下する傾
向がある。

【００４１】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、活性光の照射によって遊離ラジカルを生成す
る光重合開始剤を添加することもできる。このような光
重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、Ｎ，
Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノ
ン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−
ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジ
メチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタ
ノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエ
タン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェ
ニルケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フ
ェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−
ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、
フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾイン
フェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベン
ゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジ
メチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロ
フェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、
２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキ
シフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロ
フェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２
−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミ
ダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，
５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−
メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量
体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジ
フェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリ
ールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、
１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタン等の
アクリジン誘導体などを使用することができ、これらの
１種又は２種以上を併用することもできる。

【００４２】上記光重合開始剤の使用量としては、特に
制限はないが、（Ｃ）側鎖にエチレン性不飽和基を有す
る放射線重合性共重合体１００質量部に対して通常０．
０１〜３０重量部である。

【００４３】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的
で、エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂を添加す
ることができる。このような高分子量樹脂としては、特
に制限はなく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポ
キシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などを使用すること
ができ、これらの１種又は２種以上を併用することもで
きる。

【００４４】エポキシ樹脂と相溶性がある高分子量樹脂
の使用量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、４０
重量部以下とするのが好ましい。４０重量部を超える
と、エポキシ樹脂層のＴｇが低下する傾向がある。

【００４５】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、その取り扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘
度の調整及びチキソトロピック性付与等の目的のため、
無機フィラーを添加することもできる。無機フィラーと
しては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウ
ム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネ
シウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化
カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、
結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられ、フィラーの
形状は特に制限されるものではない。これらのフィラー
は単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することが
できる。

【００４６】中でも、熱伝導性向上のためには、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シ
リカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調
整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アル
ミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸
マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。

【００４７】無機フィラーの使用量は、粘接着層１００
体積部に対して１〜２０体積部が好ましい。１体積部未
満だと添加効果が得られない傾向があり、２０体積部を
超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低
下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題を起こす
傾向がある。

【００４８】また、本発明の接着シートを形成する粘接
着層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各
種カップリング剤を添加することもできる。カップリン
グ剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニ
ウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カ
ップリング剤が好ましい。

【００４９】上記シラン系カップリング剤としては、特
に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニ
ルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリ
エトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタ
クリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリ
ロキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４
−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β
（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシ
シラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミ
ノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロ
ピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメ
トキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エト
キシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロ
ピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピルトリメト
キシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾール−１−
イル−プロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキ
シプロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロ
ピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチ
ルジメトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシシ
ラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、ヘキサ
メチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）
アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリ
エトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピ
ルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラ
ン、アミルトリクロロシラン、オクチルトリエトキシシ
ラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエト
キシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキ
シ）シラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン、
Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル
〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウム
クロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラ
ン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−
クロロプロピルメチルジエトキシシラン、トリメチルシ
リルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、
メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイ
ソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テ
トライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネ
ートなどを使用することができ、これらの１種又は２種
以上を併用することもできる。

【００５０】また、チタン系カップリング剤としては、
例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イ
ソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、
イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネー
ト、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネー
ト、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタ
ネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、
イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）
チタネート、イソプロピルトリス（ｎ−アミノエチル）
チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホス
ファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデ
シルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジア
リルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）
ホスファイトチタネート、ジクミルフェニルオキシアセ
テートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェー
ト）オキシアセテートチタネート、テトライソプロピル
チタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチル
チタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チ
タネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンア
エチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、
チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、
チタンラクテートエチルエステル、チタンチリエタノー
ルアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート、テ
トラメチルオルソチタネート、テトラエチルオルソチタ
ネート、テタラプロピルオルソチタネート、テトライソ
ブチルオルソチタネート、ステアリルチタネート、クレ
シルチタネートモノマー、クレシルチタネートポリマ
ー、ジイソプロポキシ−ビス（２，４−ペンタジオネー
ト）チタニウム（ＩＶ）、ジイソプロピル−ビス−トリ
エタノールアミノチタネート、オクチレングリコールチ
タネート、テトラ−ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートポリマー、トリ
−ｎ−ブトキシチタンモノステアレートなどを使用する
ことができ、これらの１種又は２種以上を併用すること
もできる。

【００５１】アルミニウム系カップリング剤としては、
例えば、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプ
ロピレート、アルミニウムトイス（エチルアセトアセテ
ート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソ
プロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビ
ス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス
（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノイソプ
ロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテート、アル
ミニウム−ジ−ｎ−ブトキシドモノエチルアセトアセテ
ート、アルミニウム−ジ−ｉｓｏ−プロポキシド−モノ
エチルアセトアセテート等のアルミニウムキレート化合
物、アルミニウムイソプロピレート、モノ−ｓｅｃ−ブ
トキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウム
−ｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムエチレート等のア
ルミニウムアルコレートなどを使用することができ、こ
れらの１種又は２種以上を併用することもできる。

【００５２】上記カップリング剤の使用量は、その効果
や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）ポリイミド樹脂１
００重量部に対し、０．０１〜１０重量部とするのが好
ましい。

【００５３】本発明の接着シートを形成する粘接着層に
は、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を
よくするために、さらにイオン捕捉剤を添加することも
できる。このようなイオン捕捉剤としては、特に制限は
なく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノ
ール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止
するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウ
ム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム
化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。

【００５４】上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による
効果や耐熱性、コスト等の点から、（Ａ）ポリイミド樹
脂１００重量部に対し０．１〜１０重量部が好ましい。

【００５５】本発明接着シートは、接着シートを形成す
る組成物を溶剤に溶解あるいは分散してワニスとし、基
材フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによっ
て得ることができる。

【００５６】本発明の接着シートに用いる基材として
は、４０ｄｙｎｅ／ｃｍを超える表面張力を有するもの
であれば特に制限は無く、例えば、ポリテトラフルオロ
エチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポイエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、
ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなど
のプラスチックフィルム等が挙げられる。

【００５７】上記溶剤としては、特に制限は無く、例え
ば、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチル
ケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレ
ン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、２−
メトキシエタノールジメチルアセトアミド、ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン
などを使用することができ、これらの１種又は２種以上
を併用することもできる。

【００５８】無機フィラーを添加した際のワニスの製造
には、無機フィラーの分散性を考慮して、らいかい機、
３本ロール、ボールミル及びビーズミルなどを使用する
のが好ましく、また、これらを組み合わせて使用するこ
ともできる。また、無機フィラーと低分子量の原料をあ
らかじめ混合した後、高分子量の原料を配合することに
よって、混合する時間を短縮することもできる。また、
ワニスとした後、真空脱気等によってワニス中の気泡を
除去することもできる。

【００５９】基材フィルムへのワニスの塗布方法として
は、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコ
ート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビア
コート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げら
れる。

【００６０】接着シートの厚みは、特に制限はないが、
粘接着層、基材ともに５〜２５０μｍが好ましい。５μ
ｍより薄いと応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２
５０μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置
の小型化の要求に応えられない。

【００６１】また、本発明の接着シートは、所望の厚さ
を得るために、接着シートの粘接着層側に、別途作成し
た粘接着剤を２枚以上貼り合わせることもできる。この
場合には、粘接着剤層同士の剥離が発生しないような貼
り合わせ条件が必要である。

【００６２】以上説明したような構成の接着シートに放
射線を照射すると、放射線照射後には基材の接着力は大
きく低下し、容易に半導体素子に接着層を保持したまま
該接着シートの基材フィルムからピックアップすること
ができる。

【００６３】以下本発明に係る接着シートの使用方法に
ついて説明する。接着シート上にダイシング加工すべき
半導体ウェハを室温又は加熱しながら圧着し、ダイシン
グ、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、半導体素
子は接着シートに充分に接着保持されているので、上記
各工程の間に半導体素子が脱落することはない。

【００６４】次に、紫外線（ＵＶ）あるいは電子線（Ｅ
Ｂ）等の放射線を接着シートに照射し、放射線重合性を
有する接着シートを重合硬化せしめる。この結果、放射
線重合性を有する接着シートと該接着シートの基材フィ
ルムとの間の粘着力は、半導体素子をピックアップでき
る程度に減少し、さらにエキスパンド性を持たせること
によって容易に所望の半導体素子間隔が得られピックア
ップが容易になる。

【００６５】接着シートへの放射線照射は、放射線重合
性を有する接着シート面から行う。放射線としてＥＢを
用いる場合には接着シートの基材フィルムは光透過性で
ある必要はないが、放射線としてＵＶを用いる場合には
接着シートの基材フィルムは光透過性である必要があ
る。

【００６６】エキスパンディング工程後、半導体素子を
放射線硬化後の接着シートとともにピックアップし、支
持部材に室温又は加熱しながら圧着し加熱する。加熱に
よって接着シートは信頼性に耐える接着力を発現し、半
導体素子と支持部材の接着が完了する。

【００６７】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いてより詳細に報
告する。本発明は、これらに限定されるものではない。

【００６８】（合成例１）攪拌機、温度計、乾燥空気導
入管、滴下ロート及び冷却管を備えた１ｌフラスコに、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン １９７．０６ｇ（０．４８モル）及びγ
−ブチロラクトン ３１８．１４ｇを仕込んだ後、３０
℃に昇温し、３０〜４０℃に保ちながら、２，２，４−
トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート ５０．４
ｇ（０．２４モル）を少量ずつ滴下した。滴下後、３０
℃で１時間反応を続けた後、カレンズＭＯＩ（昭和電工
（株）製商品名、イソシアネートエチルメタクリレー
ト）７０．６８ｇ（０．４５６モル）及びヒドロキノン
モノメチルエーテル ０．３１８ｇを、３０℃に保ちな
がら、少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃以下で２時間
反応を続け、放射線重合性化合物（Ａ−１）を得た。

【００６９】（合成例２）合成例１と同様のフラスコ
に、２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン ３２８．４４ｇ（０．８モル）及びγ
−ブチロラクトン５５．０４ｇを仕込んだ後、３０℃に
昇温し、３０〜４０℃に保ちながら、２，２，４−トリ
メチルヘキサメチレンジイソシアネート ４２．０ｇ
（０．２モル）を少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃で
１時間反応を続けた後、カレンズＭＯＩ（昭和電工
（株）製商品名、イソシアネートエチルメタクリレー
ト）１７９．８ｇ（１．１６モル）及びヒドロキノンモ
ノメチルエーテル ０．５５ｇを、３０℃以下に保ちな
がら、少量ずつ滴下した。滴下後、３０℃以下で２時間
反応を続け、放射線重合性化合物（Ａ−２）を得た。

【００７０】（実施例１）温度計、攪拌機及び塩化カル
シウム管を備えた５００ｍｌフラスコに、２，２−ビス
〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン
４１．０５ｇ（０．１モル）及びＮ−メチル−２−ピロ
リドン１５０ｇを仕込み攪拌した。ジアミンの溶解後、
フラスコを氷浴中で冷却しながら、１，１０−（デカメ
チレン）ビス（トリメリテート無水物）５２．２ｇ
（０．１モル）を少量ずつ添加した。室温で３時間反応
させたのち、キシレン３０ｇを加え、窒素ガスを吹き込
みながら１５０℃で加熱し、水と共にキシレンを共沸除
去した。その反応液を水中に注ぎ、沈殿したポリマーを
濾別し、乾燥してポリイミド樹脂を得た。

【００７１】このポリイミド樹脂５０ｇ、ｏ−クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品
名：ＥＳＣＮ−１９５）１０ｇ、フェノールノボラック
樹脂（明和化成（株）製、商品名：Ｈ−１）５．３ｇ、
テトラフェニルホシホニウムテトラフェニルボラート
（北興化学（株）製、商品名：ＴＰＰＫ）０．２ｇ、合
成例１で得られた放射線重合性化合物（Ａ−１）１３．
１ｇ及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
０．２ｇを、溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン２
００ｇ中に加えて溶解させる。これを良く攪拌し、均一
に分散させて接着剤ワニスを得た。この接着剤ワニス
を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（帝人
（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ｇ２−５０、表
面張力５０ｄｙｎｅ／ｃｍ）上に塗布し、１５０℃で２
０分間加熱乾燥して、基材（ポリエチレンテレフタレー
トフィルム）を備えた膜厚が５０μｍの接着シート（基
材を除いた接着シートの厚みが５０μｍ）（接着シート
１）を作製した。

【００７２】得られた接着シート１を用いて、半導体チ
ップと厚み２５μｍのポリイミドフィルムを基材に用い
た配線基板を接着シートで貼り合せた半導体装置サンプ
ル（片面にはんだボールを形成）を作製し、耐熱性及び
耐湿性を調べた。耐熱性の評価方法には、耐リフローク
ラック性と温度サイクル試験を適用した。耐リフローク
ラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が２４０℃
でこの温度を２０秒間保持するように温度設定したＩＲ
リフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することによ
り冷却する処理を２回繰り返したサンプル中のクラック
を目視と超音波顕微鏡で視察した。クラックの発生して
いないものを○とし、発生していたものを×とした。耐
温度サイクル性は、サンプルを−５５℃雰囲気に３０分
間放置し、その後１２５℃の雰囲気に３０分間放置する
工程を１サイクルとして、１０００サイクル後において
超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等の破壊が発生し
ていないものを○、発生したものを×とした。また、耐
湿性評価は、温度１２１℃、湿度１００％、２．０３×
１０⁵Ｐａの雰囲気（プレッシャークッカ−テスト：Ｐ
ＣＴ処理）で７２時間処理後に剥離を観察することによ
り行った。剥離の認められなかったものを○とし、剥離
のあったものを×とした。

【００７３】一方、接着シート１を厚さ１５０μｍのシ
リコンウェハ上に貼付け、接着シート付きシリコンウェ
ハをダイシング装置上に載置した。次いで、半導体ウェ
ハをダイシング装置上に固定して５ｍｍ×５ｍｍにダイ
シングした後、（株）オーク製作所製ＵＶ−３３０ Ｈ
ＱＰ−２型露光機を使用して、５００ｍＪ／ｃｍ²の露
光量で接着シートの支持体フィルム側から露光し、ピッ
クアップ装置にてダイシングしたチップをピックアップ
し、ダイシング時のチップ飛び及びピックアップ性を評
価した。これらの評価結果をまとめて表１に示す。

【００７４】（実施例２）実施例１において、放射線重
合性化合物（Ａ−１）を合成例２で得られた放射線重合
性化合物（Ａ−２）にした以外は実施例１と全く同様の
操作を行い、基材（ポリエチレンテレフタレートフィル
ム）を備えた膜厚が５０μｍの接着シート（基材を除い
た接着シートの厚みが５０μｍ）（接着シート２）を作
製した。得られた接着シート２を実施例１と同様の条件
で評価した結果を表１に示す。

【００７５】（比較例１）実施例１において、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体（Ａ−
１）及び１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
を除いた以外は実施例１と全く同様の操作を行い、基材
（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を備えた膜厚
が５０μｍの接着シート（基材を除いた接着シートの厚
みが５０μｍ）（接着シート３）を作製した。得られた
接着シート３を実施例１と同様の条件で評価した結果を
表１に示す。

【００７６】（比較例２）実施例１において、側鎖にエ
チレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体（Ａ−
１）を４Ｇ（新中村化学（株）製商品名、テトラエチレ
ングリコールジメタクリレート）にした以外は実施例１
と全く同様の操作を行い、基材（ポリエチレンテレフタ
レートフィルム）を備えた膜厚が５０μｍの接着シート
（基材を除いた接着シートの厚みが５０μｍ）（接着シ
ート４）を作製した。得られた接着シート４を実施例１
と同様の条件で評価した結果を表１に示す。

【００７７】

【表１】

【００７８】ピックアップ性：ピックアップダイボンダ
ーにより、ダイシング後のチップをピックアップしたと
きのピックアップできた確率（％／１００チップ）を示
した

【００７９】表１から、本発明の接着シートは耐熱性及
び耐湿性に優れ、ダイシング時のチップ飛びも無く、ピ
ックアップ性も良好である。

【００８０】

【発明の効果】本発明の接着シートは、ダイシング工程
ではダイシングテープとして、半導体素子と支持部材の
接合工程では接続信頼性に優れる接着剤として使用する
ことができ、また、半導体搭載用支持部材に熱膨張係数
の差が大きい半導体素子を実装する場合に必要な耐熱
性、耐湿性を有し、かつ作業性に優れるものである。ま
た、本発明の接着シートを使用した半導体装置は、半導
体搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子
を実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性および作業性を
兼ね備えるものである。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｃ０９Ｊ 179/08 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA13 AA16 AA17 AB05 AB06 CA04 CA05 CA06 FA05 FA08 4J040 EC041 EC061 EC071 EC161 EF281 EH011 EH021 FA081 HB35 HC01 JA09 JB02 JB07 JB09 KA16 LA06 NA20 PA23 5F047 BA34 BB03 BB19

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）ポリイミド樹脂、（Ｂ）エポキシ
   樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤（Ｃ）（ａ）一般式
   （Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ₁は炭素原子数が２〜３０の２価の有機基を
   示す）で表されるジアミン及び（ｂ）一般式（ＩＩ） 【化２】 （式中、ｎは０〜１の整数であり、Ｒ₂は炭素原子数が
   １〜３０の２価あるいは３価の有機性基である）で表さ
   れるイソシアネート化合物及び（ｃ）一般式（ＩＩＩ） 【化３】 （式中、ｎは０〜１の整数である）で表される化合物か
   らなる放射線重合性化合物５〜４００質量部を含有して
   なる粘接着剤層とを有してなる熱重合性及び放射線重合
   性接着シート。
2. 【請求項２】 前記粘接着剤層が、前記（Ａ）ポリイミ
   ド樹脂を１００重量部、前記エポキシ樹脂およびエポキ
   シ樹脂硬化剤を１〜２００重量部、および（Ｃ）放射線
   重合性化合物を５〜４００重量部含有する、請求項１記
   載の接着シート。
3. 【請求項３】 放射線を照射して、前記接着剤層と基材
   との間の接着力を制御する、請求項１又は請求項２記載
   の接着シート。
4. 【請求項４】 （Ｉ）請求項１〜３のいずれかに記載の
   接着シートを、その粘接着剤層を介して半導体ウエハに
   貼り付ける工程、（ＩＩ）該接着シートに放射線を照射
   して該接着層を硬化させ、基材を剥離する工程、（ＩＩ
   Ｉ）半導体ウエハをダイシングして、粘接着層付き半導
   体素子を得る工程、（ＩＶ）粘接着剤層付き半導体素子
   と半導体素子搭載用支持部材とを、該接着シートを介し
   て接着する工程、を含むことを特徴とする接着シートの
   使用方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載の接着シ
   ートを用いて又は請求項４記載の接着シートの使用方法
   によって、半導体素子と支持部材とを接着した構造を含
   有してなる半導体装置。