JP2003040858A - ビニルスルホンの品質劣化防止方法並びに精製方法 - Google Patents
ビニルスルホンの品質劣化防止方法並びに精製方法Info
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- JP2003040858A JP2003040858A JP2001228428A JP2001228428A JP2003040858A JP 2003040858 A JP2003040858 A JP 2003040858A JP 2001228428 A JP2001228428 A JP 2001228428A JP 2001228428 A JP2001228428 A JP 2001228428A JP 2003040858 A JP2003040858 A JP 2003040858A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビニルスルホン化合物を大量に濾
過処理しても当該ビニルスルホン化合物の品質が劣化し
ない方法、及び当該ビニルスルホン化合物の工業的な精
製法を提供する。 【解決手段】 一般式［１］ 【化１】 （式中、Ａは、ヘテロ原子を有していてもよい二価の炭
化水素基を表す。）で示されるビニルスルホン化合物の
粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解した溶液の濾過処理
を、一般式［２］ 【化２】 〔式中、Ｒ１は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ２は、水素原子又は低級アルキル基
を表し、Ｚは、水素原子、低級アルキル基又は一般式
［３］ 【化３】 （式中、Ｒ３は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ４は、水素原子又は低級アルキル基
を表す。）で示される基を表す。〕で示される化合物の
存在下に行うことを特徴とする、当該ビニルスルホン化
合物の品質劣化防止方法。
過処理しても当該ビニルスルホン化合物の品質が劣化し
ない方法、及び当該ビニルスルホン化合物の工業的な精
製法を提供する。 【解決手段】 一般式［１］ 【化１】 （式中、Ａは、ヘテロ原子を有していてもよい二価の炭
化水素基を表す。）で示されるビニルスルホン化合物の
粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解した溶液の濾過処理
を、一般式［２］ 【化２】 〔式中、Ｒ１は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ２は、水素原子又は低級アルキル基
を表し、Ｚは、水素原子、低級アルキル基又は一般式
［３］ 【化３】 （式中、Ｒ３は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ４は、水素原子又は低級アルキル基
を表す。）で示される基を表す。〕で示される化合物の
存在下に行うことを特徴とする、当該ビニルスルホン化
合物の品質劣化防止方法。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、写真硬膜剤等に用
いられるビニルスルホン化合物の品質劣化防止方法及び
工業的な精製方法に関する。
いられるビニルスルホン化合物の品質劣化防止方法及び
工業的な精製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビニルスルホン化合物は、写真の硬膜剤
等として有用な化合物として知られている。また、溶液
中で、或いは熱に不安定な化合物としても知られてい
る。
等として有用な化合物として知られている。また、溶液
中で、或いは熱に不安定な化合物としても知られてい
る。
【０００３】ビニルスルホン化合物を写真硬膜剤として
使用する場合は、当該ビニルスルホン化合物に混入する
不純物が写真性能に影響を及ぼすため、より高純度なビ
ニルスルホン化合物の使用が望まれている。
使用する場合は、当該ビニルスルホン化合物に混入する
不純物が写真性能に影響を及ぼすため、より高純度なビ
ニルスルホン化合物の使用が望まれている。
【０００４】ビニルスルホン化合物の精製方法として
は、例えば常法により製造されたビニルスルホン化合物
の粗結晶物をメタノールに溶解し、その溶液を加熱下濾
過することにより不純物を除去し、次いで得られた濾液
を冷却させ目的物を晶析させる方法等が知られている。
しかし、この方法では、濾過処理中に目的物が長時間熱
にさらされて劣化することを防ぐために、少量ずつ短時
間で数回に分けて濾過処理を行うことから手間がかかり
工業的な精製法としては好ましいものではなかった。
は、例えば常法により製造されたビニルスルホン化合物
の粗結晶物をメタノールに溶解し、その溶液を加熱下濾
過することにより不純物を除去し、次いで得られた濾液
を冷却させ目的物を晶析させる方法等が知られている。
しかし、この方法では、濾過処理中に目的物が長時間熱
にさらされて劣化することを防ぐために、少量ずつ短時
間で数回に分けて濾過処理を行うことから手間がかかり
工業的な精製法としては好ましいものではなかった。
【０００５】そこで、大量のビニルスルホン化合物を濾
過処理しても当該ビニルスルホン化合物の品質が劣化し
ない方法、また当該方法に於いて行われた濾過処理工程
を経て当該ビニルスルホン化合物を効率よく精製する方
法の開発が強く望まれている。
過処理しても当該ビニルスルホン化合物の品質が劣化し
ない方法、また当該方法に於いて行われた濾過処理工程
を経て当該ビニルスルホン化合物を効率よく精製する方
法の開発が強く望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した如
き状況に鑑みなされたもので、ビニルスルホン化合物を
大量に濾過処理しても当該ビニルスルホン化合物の品質
が劣化しない方法、及び当該ビニルスルホン化合物の工
業的な精製方法を提供することを目的とする。
き状況に鑑みなされたもので、ビニルスルホン化合物を
大量に濾過処理しても当該ビニルスルホン化合物の品質
が劣化しない方法、及び当該ビニルスルホン化合物の工
業的な精製方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式［１］
【０００８】
【化１４】
【０００９】（式中、Ａは、ヘテロ原子を有していても
よい二価の炭化水素基を表す。）で示されるビニルスル
ホン化合物の粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解した溶液
の濾過処理を、一般式［２］
よい二価の炭化水素基を表す。）で示されるビニルスル
ホン化合物の粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解した溶液
の濾過処理を、一般式［２］
【００１０】
【化１５】
【００１１】〔式中、Ｒ１は、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又は水酸基を表し、Ｒ２は、水素原子又は低
級アルキル基を表し、Ｚは、水素原子、低級アルキル基
又は一般式［３］
ルコキシ基又は水酸基を表し、Ｒ２は、水素原子又は低
級アルキル基を表し、Ｚは、水素原子、低級アルキル基
又は一般式［３］
【００１２】
【化１６】
【００１３】（式中、Ｒ３は、低級アルキル基、低級ア
ルコキシ基又は水酸基を表し、Ｒ４は、水素原子又は低
級アルキル基を表す。）で示される基を表す。〕で示さ
れる化合物の存在下に行うことを特徴とする、当該ビニ
ルスルホン化合物の品質劣化防止方法、の発明である。
ルコキシ基又は水酸基を表し、Ｒ４は、水素原子又は低
級アルキル基を表す。）で示される基を表す。〕で示さ
れる化合物の存在下に行うことを特徴とする、当該ビニ
ルスルホン化合物の品質劣化防止方法、の発明である。
【００１４】また、本発明は、上記一般式［１］で示さ
れるビニルスルホン化合物の粗結晶物を水溶性有機溶媒
に溶解した溶液を、上記一般式［２］で示される化合物
の存在下に濾過することを特徴とする、当該ビニルスル
ホン化合物の精製方法、の発明である。
れるビニルスルホン化合物の粗結晶物を水溶性有機溶媒
に溶解した溶液を、上記一般式［２］で示される化合物
の存在下に濾過することを特徴とする、当該ビニルスル
ホン化合物の精製方法、の発明である。
【００１５】更にまた、本発明は、上記一般式［１］で
示されるビニルスルホン化合物と上記一般式［２］で示
される化合物とを含んでなる写真硬膜剤用組成物、の発
明である。
示されるビニルスルホン化合物と上記一般式［２］で示
される化合物とを含んでなる写真硬膜剤用組成物、の発
明である。
【００１６】即ち、本発明者等は、上記目的を達成すべ
く鋭意研究を重ねた結果、一般式［１］で示されるビニ
ルスルホン化合物の粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解し
た溶液の濾過を、一般式［２］で示される化合物の存在
下に行うことにより、当該ビニルスルホン化合物を劣化
させることなく高純度で精製する方法を見出し、本発明
を完成するに至った。
く鋭意研究を重ねた結果、一般式［１］で示されるビニ
ルスルホン化合物の粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解し
た溶液の濾過を、一般式［２］で示される化合物の存在
下に行うことにより、当該ビニルスルホン化合物を劣化
させることなく高純度で精製する方法を見出し、本発明
を完成するに至った。
【００１７】一般式［１］に於いて、Ａで示されるヘテ
ロ原子を有していてもよい二価の炭化水素基としては、
例えば一般式［４］
ロ原子を有していてもよい二価の炭化水素基としては、
例えば一般式［４］
【００１８】
【化１７】
【００１９】（式中、Ｔ１及びＴ２は夫々独立して置換
基を有していてもよい低級アルキレン鎖を表し、Ｅはヘ
テロ原子を有する二価の基を表し、ｎは０〜３の整数を
表す。但し、ｎ個のＥ及びＴ２は、夫々同一若しくは異
なっていてもよい。）で示される基、一般式［５］
基を有していてもよい低級アルキレン鎖を表し、Ｅはヘ
テロ原子を有する二価の基を表し、ｎは０〜３の整数を
表す。但し、ｎ個のＥ及びＴ２は、夫々同一若しくは異
なっていてもよい。）で示される基、一般式［５］
【００２０】
【化１８】
【００２１】（式中、Ｅ１又はＥ２は夫々独立してヘテ
ロ原子を有する二価の基を表し、Ｔは低級アルキレン鎖
を表す。）で示される基等が挙げられる。
ロ原子を有する二価の基を表し、Ｔは低級アルキレン鎖
を表す。）で示される基等が挙げられる。
【００２２】一般式［４］及び［５］に於いて、Ｔ１、
Ｔ２及びＴで示される低級アルキレン鎖としては、通常
炭素数１〜10、好ましくは炭素数１〜５のアルキレン鎖
が挙げられ、具体的には、例えばメチレン基、エチレン
基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレ
ン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメ
チレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基等が挙げら
れる。
Ｔ２及びＴで示される低級アルキレン鎖としては、通常
炭素数１〜10、好ましくは炭素数１〜５のアルキレン鎖
が挙げられ、具体的には、例えばメチレン基、エチレン
基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレ
ン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメ
チレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基等が挙げら
れる。
【００２３】Ｔ１及びＴ２で示される置換基を有してい
てもよいアルキレン鎖の置換基としては、例えばメトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ
基等のアルコキシ基、水酸基、スルホン酸基、カルバモ
イル基等が挙げられる。
てもよいアルキレン鎖の置換基としては、例えばメトキ
シ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ
基等のアルコキシ基、水酸基、スルホン酸基、カルバモ
イル基等が挙げられる。
【００２４】Ｅ、Ｅ１及びＥ２で示されるヘテロ原子を
有する二価の基としては、例えば窒素原子、硫黄原子、
酸素原子等のヘテロ原子を有する、反応活性を有さない
基が挙げられ、具体的には、例えばカルボニル基、チオ
カルボニル基、イミノ基、マロニル基、−Ｓ−基、−Ｏ
−基、
有する二価の基としては、例えば窒素原子、硫黄原子、
酸素原子等のヘテロ原子を有する、反応活性を有さない
基が挙げられ、具体的には、例えばカルボニル基、チオ
カルボニル基、イミノ基、マロニル基、−Ｓ−基、−Ｏ
−基、
【００２５】
【化１９】
【００２６】
【化２０】
【００２７】
【化２１】
【００２８】
【化２２】
【００２９】
【化２３】
【００３０】
【化２４】
【００３１】等が挙げられる。
【００３２】一般式［２］及び［３］に於いて、Ｒ１〜
Ｒ４及びＺで示される低級アルキル基としては、直鎖
状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜
12、好ましくは炭素数１〜６のものが挙げられ、具体的
には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチ
ル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル
基、2-メチルブチル基、１-エチルプロピル基、1,2-ジ
メチルプロピル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、
ネオヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、2
-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチ
ルブチル基、2-エチルブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
が挙げられる。
Ｒ４及びＺで示される低級アルキル基としては、直鎖
状、分枝状或いは環状の何れでもよく、通常炭素数１〜
12、好ましくは炭素数１〜６のものが挙げられ、具体的
には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イ
ソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチ
ル基、tert-ブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル
基、ネオペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル
基、2-メチルブチル基、１-エチルプロピル基、1,2-ジ
メチルプロピル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、
ネオヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、2
-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、2,2-ジメチ
ルブチル基、2-エチルブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等
が挙げられる。
【００３３】Ｒ１及びＲ３で示される低級アルコキシ基
としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、
通常炭素数１〜６、好ましくは１〜３のものが挙げら
れ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イ
ソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペン
チルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチル
オキシ基、2-メチルブトキシ基、1-エチルプロポキシ
基、1,2-ジメチルプロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ
基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、se
c-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、2-メチ
ルペンチルオキシ基、3-メチルペンチルオキシ基、2,2-
ジメチルブトキシ基、2-エチルブトキシ基、シクロプロ
ポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ
基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
としては、直鎖状、分枝状或いは環状の何れでもよく、
通常炭素数１〜６、好ましくは１〜３のものが挙げら
れ、具体的には、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−
プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イ
ソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ｎ
−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペン
チルオキシ基、sec-ペンチルオキシ基、tert-ペンチル
オキシ基、2-メチルブトキシ基、1-エチルプロポキシ
基、1,2-ジメチルプロポキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ
基、イソヘキシルオキシ基、ネオヘキシルオキシ基、se
c-ヘキシルオキシ基、tert-ヘキシルオキシ基、2-メチ
ルペンチルオキシ基、3-メチルペンチルオキシ基、2,2-
ジメチルブトキシ基、2-エチルブトキシ基、シクロプロ
ポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ
基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。
【００３４】一般式［１］で示されるビニルスルホン化
合物の具体例としては、例えば
合物の具体例としては、例えば
【００３５】
【化２５】
【００３６】
【化２６】
【００３７】等が挙げられ、中でもCH2=CHSO2CH2CONH(C
H2)2NHCOCH2SO2CH=CH2、CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)3NHCOCH
2SO2CH=CH2等が好ましい。
H2)2NHCOCH2SO2CH=CH2、CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)3NHCOCH
2SO2CH=CH2等が好ましい。
【００３８】一般式［２］で示される化合物の具体例と
しては、例えばp-メトキシフェノール、2-tert-ブチル-
4-メトキシフェノール、2,6-tert-ブチル-4-メトキシフ
ェノール、2,6-tert-ブチル-4-メチルフェノール等のフ
ェノール類、例えば2,2'-メチレンビス(6-tert-ブチル-
4-メチルフェノール)、2,2'-メチレンビス(6-tert-ブチ
ル-4-エチルフェノール)等のビスビフェノール類、例え
ばハイドロキノン、2-tert-ブチルハイドロキノン等の
ハイドロキノン類が挙げられ、中でもメトキシフェノー
ルが好ましい。
しては、例えばp-メトキシフェノール、2-tert-ブチル-
4-メトキシフェノール、2,6-tert-ブチル-4-メトキシフ
ェノール、2,6-tert-ブチル-4-メチルフェノール等のフ
ェノール類、例えば2,2'-メチレンビス(6-tert-ブチル-
4-メチルフェノール)、2,2'-メチレンビス(6-tert-ブチ
ル-4-エチルフェノール)等のビスビフェノール類、例え
ばハイドロキノン、2-tert-ブチルハイドロキノン等の
ハイドロキノン類が挙げられ、中でもメトキシフェノー
ルが好ましい。
【００３９】本発明の一般式［１］で示されるビニルス
ルホン化合物の品質劣化を防止するには、例えば一般式
［１］で示されるビニルスルホン化合物の粗結晶物を水
溶性有機溶媒に溶解した溶液を、一般式［２］で示され
る化合物の存在下濾過すればよい。
ルホン化合物の品質劣化を防止するには、例えば一般式
［１］で示されるビニルスルホン化合物の粗結晶物を水
溶性有機溶媒に溶解した溶液を、一般式［２］で示され
る化合物の存在下濾過すればよい。
【００４０】水溶性有機溶媒としては、一般式［１］で
示されるビニルスルホン化合物及び一般式［２］で示さ
れる化合物の目的量を溶解し得るものなら特に限定され
ないが、具体的には、例えばメタノール、エタノール、
ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノー
ル、イソブタノール、tert-ブタノール等のアルコール
類、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロ
ピオン酸メチル等のエステル類、例えばアセトン、エチ
ルメチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソプロピル
ケトン等のケトン類、例えばアセトニトリル等のニトリ
ル類、例えばテトラヒドロフラン等のエーテル類、例え
ばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のア
ミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられ、中でもア
ルコール類、就中メタノールが好ましい。これらは夫々
単独で用いても、二種以上適宜組み合わせて用いてもよ
い。
示されるビニルスルホン化合物及び一般式［２］で示さ
れる化合物の目的量を溶解し得るものなら特に限定され
ないが、具体的には、例えばメタノール、エタノール、
ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノー
ル、イソブタノール、tert-ブタノール等のアルコール
類、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロ
ピオン酸メチル等のエステル類、例えばアセトン、エチ
ルメチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソプロピル
ケトン等のケトン類、例えばアセトニトリル等のニトリ
ル類、例えばテトラヒドロフラン等のエーテル類、例え
ばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のア
ミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられ、中でもア
ルコール類、就中メタノールが好ましい。これらは夫々
単独で用いても、二種以上適宜組み合わせて用いてもよ
い。
【００４１】水溶性有機溶媒の使用量は、使用する一般
式［１］で示されるビニルスルホン化合物或いは一般式
［２］で示される化合物の種類、使用量、濾過温度、当
該ビニルスルホン化合物の純度等により異なるが、通
常、使用する当該ビニルスルホン化合物の粗結晶物に対
して0.5〜50倍重量、好ましくは２〜30倍重量である。
式［１］で示されるビニルスルホン化合物或いは一般式
［２］で示される化合物の種類、使用量、濾過温度、当
該ビニルスルホン化合物の純度等により異なるが、通
常、使用する当該ビニルスルホン化合物の粗結晶物に対
して0.5〜50倍重量、好ましくは２〜30倍重量である。
【００４２】また一般式［１］で示されるビニルスルホ
ン化合物の粗結晶物が水溶性有機溶媒に常温で溶解しな
い場合は、加熱等により溶媒を加温させて溶解させても
よい。
ン化合物の粗結晶物が水溶性有機溶媒に常温で溶解しな
い場合は、加熱等により溶媒を加温させて溶解させても
よい。
【００４３】一般式［２］で示される化合物の添加量
は、使用する一般式［１］で示されるビニルスルホン化
合物の種類、使用量、純度等により異なるが、通常、使
用する当該ビニルスルホン化合物の粗結晶物に対して0.
01〜10(w/w)％、好ましくは0.1〜５(w/w)％である。
は、使用する一般式［１］で示されるビニルスルホン化
合物の種類、使用量、純度等により異なるが、通常、使
用する当該ビニルスルホン化合物の粗結晶物に対して0.
01〜10(w/w)％、好ましくは0.1〜５(w/w)％である。
【００４４】濾過温度は、低すぎると溶媒に対する一般
式［１］で示されるビニルスルホン化合物の溶解度が低
くなり、高すぎると溶媒に溶解している一般式［１］で
示されるビニルスルホン化合物の分解が起きやすいた
め、通常20〜100℃、好ましくは40〜80℃、より好まし
くは50〜70℃である。
式［１］で示されるビニルスルホン化合物の溶解度が低
くなり、高すぎると溶媒に溶解している一般式［１］で
示されるビニルスルホン化合物の分解が起きやすいた
め、通常20〜100℃、好ましくは40〜80℃、より好まし
くは50〜70℃である。
【００４５】当該ビニルスルホン化合物の濾過処理の前
に、溶液中に例えば活性炭等の吸着剤を添加して吸着処
理を行って、目的物の粗結晶物に含まれる不純物を除去
する操作を行ってもよい。
に、溶液中に例えば活性炭等の吸着剤を添加して吸着処
理を行って、目的物の粗結晶物に含まれる不純物を除去
する操作を行ってもよい。
【００４６】吸着剤の使用量は、当該ビニルスルホン化
合物の種類、使用量、純度等により異なるが、通常、使
用する当該ビニルスルホン化合物の粗結晶物に対して0.
1〜20(w/w)％、好ましくは１〜５(w/w)％である。
合物の種類、使用量、純度等により異なるが、通常、使
用する当該ビニルスルホン化合物の粗結晶物に対して0.
1〜20(w/w)％、好ましくは１〜５(w/w)％である。
【００４７】上記の如き方法で濾過処理を行った後に晶
析処理を行えば、高純度の目的物が得られる。
析処理を行えば、高純度の目的物が得られる。
【００４８】一般式［１］で示されるビニルスルホン化
合物の晶析は、通常この分野で行われる方法、例えば濾
別により得られた当該ビニルスルホン化合物を含む溶液
を冷却する等により行うことができる。
合物の晶析は、通常この分野で行われる方法、例えば濾
別により得られた当該ビニルスルホン化合物を含む溶液
を冷却する等により行うことができる。
【００４９】晶析温度は、通常−20〜80℃、好ましくは
−10〜50℃である。
−10〜50℃である。
【００５０】晶析後は、脱液し、例えば減圧乾燥、送風
乾燥等の通常行われる方法で処理し、目的物を得る。
乾燥等の通常行われる方法で処理し、目的物を得る。
【００５１】上記以外の反応操作及び後処理方法等は、
通常行われる同種反応に準じて行われる。
通常行われる同種反応に準じて行われる。
【００５２】一般式［１］で示されるビニルスルホン化
合物は、写真硬膜剤用に用いられる。
合物は、写真硬膜剤用に用いられる。
【００５３】本発明に係る写真硬膜剤用組成物は、一般
式［１］で示されるビニルスルホン化合物と一般式
［２］で示される化合物とを含んでなるものであり、当
該ビニルスルホン化合物に対して一般式［２］で示され
る化合物が１ppm〜1000ppm含まれるものである。
式［１］で示されるビニルスルホン化合物と一般式
［２］で示される化合物とを含んでなるものであり、当
該ビニルスルホン化合物に対して一般式［２］で示され
る化合物が１ppm〜1000ppm含まれるものである。
【００５４】写真硬膜剤として有用な一般式［１］で示
される化合物は、一般式［２］で示される化合物の存在
により、保存安定性が向上する。即ち、本発明の組成物
は、保存安定性が良好であるという効果を奏するもので
ある。また、当該組成物を写真硬膜剤として使用して
も、一般式［２］で示される化合物は写真性能に影響を
与えない化合物であるため、当該組成物は写真硬膜剤と
して有用である。
される化合物は、一般式［２］で示される化合物の存在
により、保存安定性が向上する。即ち、本発明の組成物
は、保存安定性が良好であるという効果を奏するもので
ある。また、当該組成物を写真硬膜剤として使用して
も、一般式［２］で示される化合物は写真性能に影響を
与えない化合物であるため、当該組成物は写真硬膜剤と
して有用である。
【００５５】以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細
に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定される
ものではない。
に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定される
ものではない。
【００５６】
【実施例】実施例１．CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)3NHCOCH2S
O2CH=CH2の本発明による精製 メタノール 1.180L中に、常法により合成された目的物
の粗晶物（粗収率：80％） 280kg及びp-メトキシフェ
ノール 513gを加え60℃まで加温した。 ［吸着処理工程：５分］：得られた溶液に、活性炭 14
kgを加え撹拌し、不純物を吸着させた。 ［濾過処理工程：約２時間］：得られた懸濁液から不溶
物を55〜65℃で濾去した後に、濾去した不溶物をメタノ
ール 70Ｌで洗浄し、洗浄液も併せて濾液とした。 ［晶析処理工程］：得られた濾液を撹拌下、０℃まで冷
却し結晶を析出させた。次いで、遠心分離にかけ脱液
し、得られた晶析物を乾燥し、目的物 252kgを得た。
（精製歩留まり：90％、収率：72％）
O2CH=CH2の本発明による精製 メタノール 1.180L中に、常法により合成された目的物
の粗晶物（粗収率：80％） 280kg及びp-メトキシフェ
ノール 513gを加え60℃まで加温した。 ［吸着処理工程：５分］：得られた溶液に、活性炭 14
kgを加え撹拌し、不純物を吸着させた。 ［濾過処理工程：約２時間］：得られた懸濁液から不溶
物を55〜65℃で濾去した後に、濾去した不溶物をメタノ
ール 70Ｌで洗浄し、洗浄液も併せて濾液とした。 ［晶析処理工程］：得られた濾液を撹拌下、０℃まで冷
却し結晶を析出させた。次いで、遠心分離にかけ脱液
し、得られた晶析物を乾燥し、目的物 252kgを得た。
（精製歩留まり：90％、収率：72％）
【００５７】得られた目的物の濁度値を積分球式濁度計
により測定したところ、0.5ppmであった。これは写真硬
膜剤の濁度値の規格値（3.0ppm以下）の範囲内であるた
め、本発明に係る方法により精製された目的物は写真硬
膜剤として使用し得る規格を有していることが分かっ
た。
により測定したところ、0.5ppmであった。これは写真硬
膜剤の濁度値の規格値（3.0ppm以下）の範囲内であるた
め、本発明に係る方法により精製された目的物は写真硬
膜剤として使用し得る規格を有していることが分かっ
た。
【００５８】比較例１．CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)3NHCOCH
2SO2CH=CH2の従来法による精製 常法により合成された目的物の粗晶物（粗収率：80％）
280kgを４分の１量（70kg）ずつに分割し、その分割
した粗晶物 70kg及びp-メトキシフェノール128gを、メ
タノール 295L中に加え60℃まで加温した。 ［吸着処理工程：５分］：得られた溶液に、活性炭 3.
5kgを加え撹拌し、不純物を吸着させた。 ［濾過処理工程：30分］：得られた懸濁液から不溶物を
55〜65℃で濾去した後に、濾去した不溶物をメタノール
18Lで洗浄し、洗浄液も併せて濾液とした。４分の１
量ずつに分割された残りの粗晶物も夫々同様の操作を行
った。 ［晶析処理工程］： 夫々の粗晶物により得られた濾液
を合わせて、撹拌下、０℃まで冷却し結晶を析出させ
た。 次いで、遠心分離にかけ脱液し、得られた晶析物を乾燥
し、目的物 252kgを得た。（精製歩留まり：90％、収
率：72％）
2SO2CH=CH2の従来法による精製 常法により合成された目的物の粗晶物（粗収率：80％）
280kgを４分の１量（70kg）ずつに分割し、その分割
した粗晶物 70kg及びp-メトキシフェノール128gを、メ
タノール 295L中に加え60℃まで加温した。 ［吸着処理工程：５分］：得られた溶液に、活性炭 3.
5kgを加え撹拌し、不純物を吸着させた。 ［濾過処理工程：30分］：得られた懸濁液から不溶物を
55〜65℃で濾去した後に、濾去した不溶物をメタノール
18Lで洗浄し、洗浄液も併せて濾液とした。４分の１
量ずつに分割された残りの粗晶物も夫々同様の操作を行
った。 ［晶析処理工程］： 夫々の粗晶物により得られた濾液
を合わせて、撹拌下、０℃まで冷却し結晶を析出させ
た。 次いで、遠心分離にかけ脱液し、得られた晶析物を乾燥
し、目的物 252kgを得た。（精製歩留まり：90％、収
率：72％）
【００５９】得られた目的物の濁度値を測定したとこ
ろ、0.64ppmであった。これは写真硬膜剤の濁度値の規
格（3.0ppm以下）の範囲内であるため写真硬膜剤として
は使用し得る規格を有していることが判った。しかしな
がら、この方法は濾過処理工程を行う際に、粗晶物を少
量に分けて溶解した後、吸着処理工程並びに濾過処理工
程を行うため、工業的な方法とは言い難い。
ろ、0.64ppmであった。これは写真硬膜剤の濁度値の規
格（3.0ppm以下）の範囲内であるため写真硬膜剤として
は使用し得る規格を有していることが判った。しかしな
がら、この方法は濾過処理工程を行う際に、粗晶物を少
量に分けて溶解した後、吸着処理工程並びに濾過処理工
程を行うため、工業的な方法とは言い難い。
【００６０】参考例１．CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)3NHCOCH
2SO2CH=CH2の精製 実施例１．のp-メトキシフェノールを使用しないこと以
外は、実施例１．と同様の操作を行った。
2SO2CH=CH2の精製 実施例１．のp-メトキシフェノールを使用しないこと以
外は、実施例１．と同様の操作を行った。
【００６１】得られた目的物（収率：70％）の濁度値を
測定したところ、70ppmであった。これは写真硬膜剤の
濁度値の規格（3.0ppm以下）の範囲外であるため、この
方法により得られた目的物は写真硬膜剤としては使用で
きないことが分かった。
測定したところ、70ppmであった。これは写真硬膜剤の
濁度値の規格（3.0ppm以下）の範囲外であるため、この
方法により得られた目的物は写真硬膜剤としては使用で
きないことが分かった。
【００６２】以上のことから明らかなように、目的物を
精製する際の濾過工程に於いて目的物を溶解した溶液を
濾過する場合、処理する溶液が少量である場合には得ら
れる目的物は写真硬膜剤として使用し得るが、処理する
溶液が大量の場合は、予め粗晶物を何分割かにして、夫
々を溶解して溶液を吸着処理、濾過処理に付さなければ
ならないため、操作に手間がかかり操作が煩雑である
（比較例の結果）。また、大量の目的物を溶解した溶液
を本発明に係る一般式［２］で示される化合物を共存さ
せずに一度に濾過すると、得られる目的物は、その濁度
値が高くなり不純物を多く含有するものとなってしまう
ため、写真硬膜剤としては使用できないものとなる（参
考例１の結果）。これに対し、本発明の方法によれば、
p-メトキシフェノールを添加することにより、大量の目
的物を一度に濾過することが可能となり、且つ得られる
目的物の濁度値は従来法のそれよりも低い、即ち従来法
よりも純度の高い目的物を得ることが可能となる。
精製する際の濾過工程に於いて目的物を溶解した溶液を
濾過する場合、処理する溶液が少量である場合には得ら
れる目的物は写真硬膜剤として使用し得るが、処理する
溶液が大量の場合は、予め粗晶物を何分割かにして、夫
々を溶解して溶液を吸着処理、濾過処理に付さなければ
ならないため、操作に手間がかかり操作が煩雑である
（比較例の結果）。また、大量の目的物を溶解した溶液
を本発明に係る一般式［２］で示される化合物を共存さ
せずに一度に濾過すると、得られる目的物は、その濁度
値が高くなり不純物を多く含有するものとなってしまう
ため、写真硬膜剤としては使用できないものとなる（参
考例１の結果）。これに対し、本発明の方法によれば、
p-メトキシフェノールを添加することにより、大量の目
的物を一度に濾過することが可能となり、且つ得られる
目的物の濁度値は従来法のそれよりも低い、即ち従来法
よりも純度の高い目的物を得ることが可能となる。
【００６３】実施例２． p-メトキシフェノールのハロ
ゲン化銀感光材料に対する影響 特開2000-105445号公報の82頁に記載された試料１１０
の記載に準じて、支持体上に第１〜１４層を順に塗布
し、次いで一般式［１］で示される化合物を硬膜剤成分
として含む第１５層（保護層）を塗布した試料を調製し
た。同様にして、第１〜１５層の乳剤の合計１ｋｇ当た
りに下記添加量のｐ−メトキシフェノールの１％メタノ
ール溶液の所定量（cc）を第１５層に添加した試料を夫
々調製した。 p-メトキシフェノールの添加量：0.01、0.02、0.05、0.
1、１cc（１％メタノール溶液） （硬膜剤に対して166、332、830、1660、16600ppm）次
に、これらの試料に対して、白色光でウェッジ露光を行
い、カラー写真処理を施した。その結果を表１に示す。
ゲン化銀感光材料に対する影響 特開2000-105445号公報の82頁に記載された試料１１０
の記載に準じて、支持体上に第１〜１４層を順に塗布
し、次いで一般式［１］で示される化合物を硬膜剤成分
として含む第１５層（保護層）を塗布した試料を調製し
た。同様にして、第１〜１５層の乳剤の合計１ｋｇ当た
りに下記添加量のｐ−メトキシフェノールの１％メタノ
ール溶液の所定量（cc）を第１５層に添加した試料を夫
々調製した。 p-メトキシフェノールの添加量：0.01、0.02、0.05、0.
1、１cc（１％メタノール溶液） （硬膜剤に対して166、332、830、1660、16600ppm）次
に、これらの試料に対して、白色光でウェッジ露光を行
い、カラー写真処理を施した。その結果を表１に示す。
【００６４】
【表１】
【００６５】表１の結果から明らかなように、何れの試
料の写真性感度もp-メトキシフェノールを添加していな
い試料と比較してもほとんど差は認められなかった。即
ち、本発明で得られる硬膜剤中に不純物としてp-メトキ
シフェノールを上記の量添加しても写真性能には影響を
与えないことが分かった。
料の写真性感度もp-メトキシフェノールを添加していな
い試料と比較してもほとんど差は認められなかった。即
ち、本発明で得られる硬膜剤中に不純物としてp-メトキ
シフェノールを上記の量添加しても写真性能には影響を
与えないことが分かった。
【００６６】
【発明の効果】以上に述べた如く、本発明は、濾過処理
に於けるビニルスルホン化合物の劣化を防いだ工業的な
当該ビニルスルホン化合物の精製方法を提供するもので
あり、本発明を利用することにより、従来法のようにビ
ニルスルホン化合物の劣化を防ぐために、一度の濾過処
理で行える量が少量であったという問題を解決し、大量
のビニルスルホン化合物を濾過処理することが可能であ
る。また、本発明の方法により得られた当該ビニルスル
ホン化合物は、写真硬膜剤用として使用可能である。
に於けるビニルスルホン化合物の劣化を防いだ工業的な
当該ビニルスルホン化合物の精製方法を提供するもので
あり、本発明を利用することにより、従来法のようにビ
ニルスルホン化合物の劣化を防ぐために、一度の濾過処
理で行える量が少量であったという問題を解決し、大量
のビニルスルホン化合物を濾過処理することが可能であ
る。また、本発明の方法により得られた当該ビニルスル
ホン化合物は、写真硬膜剤用として使用可能である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H023 CB06
4H006 AA02 AD15 AD17 AD40 BB14
BB31 BC51 TA02 TB53
Claims (20)
- 【請求項１】 一般式［１］ 【化１】 （式中、Ａは、ヘテロ原子を有していてもよい二価の炭
化水素基を表す。）で示されるビニルスルホン化合物の
粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解した溶液の濾過処理
を、一般式［２］ 【化２】 〔式中、Ｒ１は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ２は、水素原子又は低級アルキル基
を表し、Ｚは、水素原子、低級アルキル基又は一般式
［３］ 【化３】 （式中、Ｒ３は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ４は、水素原子又は低級アルキル基
を表す。）で示される基を表す。〕で示される化合物の
存在下に行うことを特徴とする、当該ビニルスルホン化
合物の品質劣化防止方法。 - 【請求項２】 一般式［１］で示されるビニルスルホン
化合物が写真硬膜剤用である、請求項１に記載の品質劣
化防止方法。 - 【請求項３】 一般式［２］で示される化合物が、p-メ
トキシフェノール、2-tert-ブチル-4-メトキシフェノー
ル、2,6-tert-ブチル-4-メトキシフェノール、2,6-tert
-ブチル-4-メチルフェノール、2,2'-メチレンビス（4-
メチル-6-tert-ブチルフェノール）、2,2'-メチレンビ
ス(4-エチル-6-tert-ブチルフェノール)、ハイドロキノ
ン又は2-tert-ブチル-ハイドロキノンである、請求項１
又は２に記載の品質劣化防止方法。 - 【請求項４】 一般式［２］で示される化合物が、p-メ
トキシフェノールである、請求項１又は２に記載の品質
劣化防止方法。 - 【請求項５】 濾過処理を、20℃〜100℃で行う、請求
項１〜４の何れかに記載の品質劣化防止方法。 - 【請求項６】 水溶性有機溶媒が、アルコール類、ケト
ン類、エステル類、ニトリル類、エーテル類又はアミド
類である、請求項１〜５の何れかに記載の品質劣化防止
方法。 - 【請求項７】 水溶性有機溶媒が、メタノールである、
請求項１〜５の何れかに記載の品質劣化防止方法。 - 【請求項８】 一般式［１］に於けるＡが、一般式
［４］ 【化４】 （式中、Ｔ１及びＴ２は夫々独立して置換基を有してい
てもよい低級アルキレン鎖を表し、Ｅはヘテロ原子を有
する二価の基を表し、ｎは０〜３の整数を表す。但し、
ｎ個のＥ及びＴ２は、夫々同一若しくは異なっていても
よい。）で示される基又は一般式［５］ 【化５】 （式中、Ｅ１又はＥ２は夫々独立してヘテロ原子を有す
る二価の基を表し、Ｔは低級アルキレン鎖を表す。）で
示される基である、請求項１〜７の何れかに記載の品質
劣化防止方法。 - 【請求項９】 一般式［１］で示される化合物が、 CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)2NHCOCH2SO2CH=CH2 又は CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)3NHCOCH2SO2CH=CH2 である、請求項１〜７の何れかに記載の品質劣化防止方
法。 - 【請求項１０】 一般式［１］ 【化６】 （式中、Ａは、ヘテロ原子を有していてもよい二価の炭
化水素基を表す。）で示されるビニルスルホン化合物の
粗結晶物を水溶性有機溶媒に溶解した溶液を、一般式
［２］ 【化７】 〔式中、Ｒ１は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ２は、水素原子又は低級アルキル基
を表し、Ｚは、水素原子、低級アルキル基又は一般式
［３］ 【化８】 （式中、Ｒ３は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ４は、水素原子又は低級アルキル基
を表す。）で示される基を表す。〕で示される化合物の
存在下に濾過することを特徴とする、当該ビニルスルホ
ン化合物の精製方法。 - 【請求項１１】 濾過処理後、晶析処理を行う、請求項
１０に記載の精製方法。 - 【請求項１２】 一般式［１］で示されるビニルスルホ
ン化合物が写真硬膜剤用である、請求項１０又は１１に
記載の精製方法。 - 【請求項１３】 一般式［２］で示される化合物が、p-
メトキシフェノール、2-tert-ブチル-4-メトキシフェノ
ール、2,6-tert-ブチル-4-メトキシフェノール、2,6-te
rt-ブチル-4-メチルフェノール、2,2'-メチレンビス（4
-メチル-6-tert-ブチルフェノール）、2,2'-メチレンビ
ス(4-エチル-6-tert-ブチルフェノール)、ハイドロキノ
ン又は2-tert-ブチル-ハイドロキノンである、請求項１
０〜１２の何れかに記載の精製方法。 - 【請求項１４】 一般式［２］で示される化合物が、p-
メトキシフェノールである、請求項１０〜１２の何れか
に記載の精製方法。 - 【請求項１５】 濾過処理を、20℃〜100℃で行う、請
求項１０〜１４の何れかに記載の精製方法。 - 【請求項１６】 水溶性有機溶媒が、アルコール類、ケ
トン類、エステル類、ニトリル類、エーテル類又はアミ
ド類である、請求項１０〜１５の何れかに記載の精製方
法。 - 【請求項１７】 水溶性有機溶媒が、メタノールであ
る、請求項１０〜１５の何れかに記載の精製方法。 - 【請求項１８】 一般式［１］に於けるＡが、一般式
［４］ 【化９】 （式中、Ｔ１及びＴ２は夫々独立して置換基を有してい
てもよい低級アルキレン鎖を表し、Ｅはヘテロ原子を有
する二価の基を表し、ｎは０〜３の整数を表す。但し、
ｎ個のＥ及びＴ２は、夫々同一若しくは異なっていても
よい。）で示される基又は一般式［５］ 【化１０】 （式中、Ｅ１又はＥ２は夫々独立してヘテロ原子を有す
る二価の基を表し、Ｔは低級アルキレン鎖を表す。）で
示される基である、請求項１０〜１７の何れかに記載の
精製方法。 - 【請求項１９】 一般式［１］で示される化合物が、 CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)2NHCOCH2SO2CH=CH2 又は CH2=CHSO2CH2CONH(CH2)3NHCOCH2SO2CH=CH2 である、請求項１０〜１７の何れかに記載の精製方法。
- 【請求項２０】 一般式［１］ 【化１１】 （式中、Ａは、ヘテロ原子を有していてもよい二価の炭
化水素基を表す。）で示されるビニルスルホン化合物と
一般式［２］ 【化１２】 〔式中、Ｒ１は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ２は、水素原子又は低級アルキル基
を表し、Ｚは、水素原子、低級アルキル基又は一般式
［３］ 【化１３】 （式中、Ｒ３は、低級アルキル基、低級アルコキシ基又
は水酸基を表し、Ｒ４は、水素原子又は低級アルキル基
を表す。）で示される基を表す。〕で示される化合物と
を含んでなる、写真硬膜剤用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001228428A JP4832675B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | ビニルスルホンの品質劣化防止方法並びに精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001228428A JP4832675B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | ビニルスルホンの品質劣化防止方法並びに精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003040858A true JP2003040858A (ja) | 2003-02-13 |
| JP4832675B2 JP4832675B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=19060940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001228428A Expired - Lifetime JP4832675B2 (ja) | 2001-07-27 | 2001-07-27 | ビニルスルホンの品質劣化防止方法並びに精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4832675B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3841872A (en) * | 1972-09-29 | 1974-10-15 | Eastman Kodak Co | Hydrophilic-colloid silver halide emulsion hardened with a bisvinylsulfonyl compound |
| US4171976A (en) * | 1978-03-10 | 1979-10-23 | Eastman Kodak Company | Homopolymerization inhibition of photographic hardeners |
| JPH07145141A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Co | ビニルスルホン化合物の製造方法 |
| JPH09179234A (ja) * | 1995-10-19 | 1997-07-11 | Eastman Kodak Co | 写真製造に有用な安定化したビニルスルホン硬膜組成物 |
| JPH11305376A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-05 | Konica Corp | ハロゲン化銀写真感光材料 |
| JP2000275777A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Konica Corp | 硬膜組成物 |
-
2001
- 2001-07-27 JP JP2001228428A patent/JP4832675B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3841872A (en) * | 1972-09-29 | 1974-10-15 | Eastman Kodak Co | Hydrophilic-colloid silver halide emulsion hardened with a bisvinylsulfonyl compound |
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| JPH07145141A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-06-06 | Eastman Kodak Co | ビニルスルホン化合物の製造方法 |
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| JP2000275777A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-10-06 | Konica Corp | 硬膜組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4832675B2 (ja) | 2011-12-07 |
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