JP2003035574A - 応答型センサ及び応用計測システム - Google Patents
応答型センサ及び応用計測システムInfo
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- JP2003035574A JP2003035574A JP2001221610A JP2001221610A JP2003035574A JP 2003035574 A JP2003035574 A JP 2003035574A JP 2001221610 A JP2001221610 A JP 2001221610A JP 2001221610 A JP2001221610 A JP 2001221610A JP 2003035574 A JP2003035574 A JP 2003035574A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】 計測センサ固有のデータを記憶したメモリを
有し、計測データを校正し収録できる応答型センサを使
用した応答計測システムを提供する。 【解決手段】応答型センサ1は、物理量を計測するセン
サ、センサ固有データを記憶させるメモリ11、計測デ
ータ収録装置2とセンサ又はメモリ11とを切り換える
切換回路12を有し、計測データ収録装置2から切換回
路12を切り換え、メモリ11に記憶させた固有データ
又は計測データ15を計測データ収録装置2に出力する
ものとした。
有し、計測データを校正し収録できる応答型センサを使
用した応答計測システムを提供する。 【解決手段】応答型センサ1は、物理量を計測するセン
サ、センサ固有データを記憶させるメモリ11、計測デ
ータ収録装置2とセンサ又はメモリ11とを切り換える
切換回路12を有し、計測データ収録装置2から切換回
路12を切り換え、メモリ11に記憶させた固有データ
又は計測データ15を計測データ収録装置2に出力する
ものとした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、校正データ、補正
データ又は識別番号等の計測センサ固有のデータを記憶
させておくメモリを有し、計測の都度データ収録装置か
ら固有データを読み出し、センサと計測データの対応付
けを行うと共に、計測データを校正し収録できるように
した応答型センサ及び当該応答型センサを使用した応答
計測システムに関する。
データ又は識別番号等の計測センサ固有のデータを記憶
させておくメモリを有し、計測の都度データ収録装置か
ら固有データを読み出し、センサと計測データの対応付
けを行うと共に、計測データを校正し収録できるように
した応答型センサ及び当該応答型センサを使用した応答
計測システムに関する。
【0002】
【従来の技術】プラント装置やエンジン運転試験装置に
おいては、操作員が接近できない状態で多数の測定デー
タ、例えば、圧力、温度、長さ、加速度、流速、流量、
又は荷重等の物理量を、同時に計測、取得する必要があ
る。このため、このような物理量を計測する計測センサ
は、電気信号を用いて計測したデータを、計測の都度デ
ータ収録装置に伝送できるセンサを使用して計測し、計
測したデータをデータ収録装置に伝送し、収録するよう
にした計測システムを採用するようにしている。
おいては、操作員が接近できない状態で多数の測定デー
タ、例えば、圧力、温度、長さ、加速度、流速、流量、
又は荷重等の物理量を、同時に計測、取得する必要があ
る。このため、このような物理量を計測する計測センサ
は、電気信号を用いて計測したデータを、計測の都度デ
ータ収録装置に伝送できるセンサを使用して計測し、計
測したデータをデータ収録装置に伝送し、収録するよう
にした計測システムを採用するようにしている。
【0003】また、このようなセンサ及び計測システム
においては、前述した物理量と例えば、電圧、電流等の
電気信号との対応付けをすることが必要となる。この物
理量と電気信号の対応を取ることを校正係数、校正式を
求めると言うが、従来、このような校正は半年又は一年
を目途にセンサを装置から取り外し、既知の物理量をセ
ンサに負荷して、既知物理量と電気信号とを対応させる
ことにより行うようにしている。
においては、前述した物理量と例えば、電圧、電流等の
電気信号との対応付けをすることが必要となる。この物
理量と電気信号の対応を取ることを校正係数、校正式を
求めると言うが、従来、このような校正は半年又は一年
を目途にセンサを装置から取り外し、既知の物理量をセ
ンサに負荷して、既知物理量と電気信号とを対応させる
ことにより行うようにしている。
【0004】また、このような校正によって取得された
校正データは、データシートに文字情報又はグラフとし
て管理、保存しておき、当該センサを使って計測を行う
前に操作員がデータ収録装置に校正データを手入力して
おき、センサから計測データが出力される都度、データ
収録装置に入力される計測データを校正データを使って
修正、変換して物理量を計測するようにしている。
校正データは、データシートに文字情報又はグラフとし
て管理、保存しておき、当該センサを使って計測を行う
前に操作員がデータ収録装置に校正データを手入力して
おき、センサから計測データが出力される都度、データ
収録装置に入力される計測データを校正データを使って
修正、変換して物理量を計測するようにしている。
【0005】図2は従来から使用されているセンサ(計
測器)及びセンサを用いた計測システムを示す図であ
る。図に示すように、センサ16は内部に、検出回路3
を有しており、信号伝送電線4を介して計測データ収録
装置2と接続され、信号伝送電線4を通じて計測データ
収録装置2から一定電圧が負荷されると、検出回路3に
て試験装置で生じる圧力等の物理量を計測し、計測され
た物理量に応じた検出回路出力6がセンサ16より計測
データ収録装置2に出力され、計測できるようにしてい
る。
測器)及びセンサを用いた計測システムを示す図であ
る。図に示すように、センサ16は内部に、検出回路3
を有しており、信号伝送電線4を介して計測データ収録
装置2と接続され、信号伝送電線4を通じて計測データ
収録装置2から一定電圧が負荷されると、検出回路3に
て試験装置で生じる圧力等の物理量を計測し、計測され
た物理量に応じた検出回路出力6がセンサ16より計測
データ収録装置2に出力され、計測できるようにしてい
る。
【0006】図3は、従来から使用されているセンサ及
び計測システムの回路図で、センサ16の検出回路3
は、物理量を計測するセンシング部31とセンシング部
31を作動状態にする駆動回路32とからなり、計測デ
ータ収録装置2の駆動電源21からセンサ16に対応す
る一定電圧5が駆動回路32に負荷されるとセンシング
部31で圧力等の物理量の大きさが計測され、測定デー
タとしての物理量の大きさに対応して変動する出力電圧
22が計測データ収録装置2に出力される。
び計測システムの回路図で、センサ16の検出回路3
は、物理量を計測するセンシング部31とセンシング部
31を作動状態にする駆動回路32とからなり、計測デ
ータ収録装置2の駆動電源21からセンサ16に対応す
る一定電圧5が駆動回路32に負荷されるとセンシング
部31で圧力等の物理量の大きさが計測され、測定デー
タとしての物理量の大きさに対応して変動する出力電圧
22が計測データ収録装置2に出力される。
【0007】この測定データと出力電圧22との関係
は、センサ16個々によって異なり、また経時変化も生
じることから、前述したように定期的に計測を行うため
に装置に取り付けられているセンサ16を取り外し、一
定電圧をかけたセンサ16に既知の複数の大きさの物理
量を負荷することにより、負荷された物理量とその時の
センサ16の出力との対応づけをする、いわゆるセンサ
16個々についての校正データを取得する必要がある。
この取得された校正データはデータシート等で管理して
おき、計測時、予め計測データ収録装置2に操作員が手
入力しておき、この校正データで検出回路3から計測デ
ータ収録装置2に出力された出力電圧22を校正するこ
とにより測定データを求めるようにしている。
は、センサ16個々によって異なり、また経時変化も生
じることから、前述したように定期的に計測を行うため
に装置に取り付けられているセンサ16を取り外し、一
定電圧をかけたセンサ16に既知の複数の大きさの物理
量を負荷することにより、負荷された物理量とその時の
センサ16の出力との対応づけをする、いわゆるセンサ
16個々についての校正データを取得する必要がある。
この取得された校正データはデータシート等で管理して
おき、計測時、予め計測データ収録装置2に操作員が手
入力しておき、この校正データで検出回路3から計測デ
ータ収録装置2に出力された出力電圧22を校正するこ
とにより測定データを求めるようにしている。
【0008】このために、定期的にセンサ16を物理量
の計測を行う計測部から取外し校正作業を行う必要があ
り、これに伴い信号伝送電線4の取り付け、取り外し作
業が行われ、例えば、機器等の外表面の圧力分布を計測
する場合のように、センサ16を多数計測部に設置して
行う計測においては、センサ16の取り付け位置に誤
り、又は信号伝送電線4の取り付け位置誤りが生じるこ
とが多々ある。これを防止するために、センサ16と計
測データ収録装置2とを連結する信号伝送電線4の結線
時には一つづつ結線し、誤りがないかを確認しながら作
業を行う必要があり、測定準備に長時間の作業が必要と
なる。また、このような校正データは帳表(データシー
ト)に記載され管理されており、計測時予め計測データ
収録装置2に操作員の手入力により入力するようにして
いるために、入力ミスが生じることがあり正確な計測デ
ータが取得できない事態が生じることもある。
の計測を行う計測部から取外し校正作業を行う必要があ
り、これに伴い信号伝送電線4の取り付け、取り外し作
業が行われ、例えば、機器等の外表面の圧力分布を計測
する場合のように、センサ16を多数計測部に設置して
行う計測においては、センサ16の取り付け位置に誤
り、又は信号伝送電線4の取り付け位置誤りが生じるこ
とが多々ある。これを防止するために、センサ16と計
測データ収録装置2とを連結する信号伝送電線4の結線
時には一つづつ結線し、誤りがないかを確認しながら作
業を行う必要があり、測定準備に長時間の作業が必要と
なる。また、このような校正データは帳表(データシー
ト)に記載され管理されており、計測時予め計測データ
収録装置2に操作員の手入力により入力するようにして
いるために、入力ミスが生じることがあり正確な計測デ
ータが取得できない事態が生じることもある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の計測
センサを使用した計測システムに於いて生じている、上
述不具合を解消するために、試験装置に複数取り付けら
れる計測センサを識別する識別データ、及び各計測セン
サの校正データ等の固有データを各計測センサに内蔵さ
れたメモリに記憶させておき、各計測センサとデータ収
録装置との伝送電線の結線状況を確実に確認でき、計測
センサの取り付け位置の誤りが防止できるとともに、入
力ミス等による計測データに誤りが生じるのを防止する
ことができる応答型センサ及び応用計測システムを提供
することを課題とする。
センサを使用した計測システムに於いて生じている、上
述不具合を解消するために、試験装置に複数取り付けら
れる計測センサを識別する識別データ、及び各計測セン
サの校正データ等の固有データを各計測センサに内蔵さ
れたメモリに記憶させておき、各計測センサとデータ収
録装置との伝送電線の結線状況を確実に確認でき、計測
センサの取り付け位置の誤りが防止できるとともに、入
力ミス等による計測データに誤りが生じるのを防止する
ことができる応答型センサ及び応用計測システムを提供
することを課題とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の応答
型計測センサは、次の手段とした。 (1)試験装置に取り付けられ、変動する物理量を計測
し、計測データ収録装置に計測データを伝送する応答型
センサが、物理量を計測するセンサと、計測データ収録
装置から書き込まれた、少なくとも校正データ及び識別
データからなる固有データを記憶させるメモリと、伝送
電線を介して結線される計測データ収録装置とセンサ若
しくはメモリとの連結を切り換える切換回路とを内蔵し
ており、伝送電線の結線後若しくは計測時、計測データ
収録装置からの信号により切換回路を切り換え、メモリ
に記憶させている固有データ若しくはセンサで計測され
た計測データを計測データ収録装置に出力するものとし
た。 (2)請求項1の応答型センサを使用して変動する物理
量を計測する応用計測システムにおいて、応答型センサ
とデータ収録装置との間を伝送電線で結線した後、予め
応答型センサの校正時等に応答型センサ固有のデータを
計測データ収録装置からメモリに書き込んでおき、計測
時、切換回路を切り換えて固有データをメモリから計測
データ収録装置に自動的に読み出し、固有データのうち
の識別データから計測データ収録装置に計測データを出
力している応答型センサを照合し、応答型センサを特
定、確認するとともに、固有データのうちの校正データ
により応答型センサから計測データ収録装置に出力され
ている計測データを演算、校正して記録するものとし
た。
型計測センサは、次の手段とした。 (1)試験装置に取り付けられ、変動する物理量を計測
し、計測データ収録装置に計測データを伝送する応答型
センサが、物理量を計測するセンサと、計測データ収録
装置から書き込まれた、少なくとも校正データ及び識別
データからなる固有データを記憶させるメモリと、伝送
電線を介して結線される計測データ収録装置とセンサ若
しくはメモリとの連結を切り換える切換回路とを内蔵し
ており、伝送電線の結線後若しくは計測時、計測データ
収録装置からの信号により切換回路を切り換え、メモリ
に記憶させている固有データ若しくはセンサで計測され
た計測データを計測データ収録装置に出力するものとし
た。 (2)請求項1の応答型センサを使用して変動する物理
量を計測する応用計測システムにおいて、応答型センサ
とデータ収録装置との間を伝送電線で結線した後、予め
応答型センサの校正時等に応答型センサ固有のデータを
計測データ収録装置からメモリに書き込んでおき、計測
時、切換回路を切り換えて固有データをメモリから計測
データ収録装置に自動的に読み出し、固有データのうち
の識別データから計測データ収録装置に計測データを出
力している応答型センサを照合し、応答型センサを特
定、確認するとともに、固有データのうちの校正データ
により応答型センサから計測データ収録装置に出力され
ている計測データを演算、校正して記録するものとし
た。
【0011】これにより、応答型センサより伝送電線を
介して計測データ収録装置に入力される計測データが、
どの応答型センサより出力されたものか、計測データ収
録装置からメモリに出力されたコマンドにより、メモリ
から識別データを読み出すことができ、多数の応答型セ
ンサと計測データ収録装置との間を信号伝送電線で結線
している場合でも、計測データ収録装置において確実に
応答型センサが確認でき、結線ミス、又は、計測を行な
う試験装置への応答型センサの設置ミスが容易に確認で
き、結線作業時間の短縮、応答型センサの正しい計測部
への設置が容易に確認できる。
介して計測データ収録装置に入力される計測データが、
どの応答型センサより出力されたものか、計測データ収
録装置からメモリに出力されたコマンドにより、メモリ
から識別データを読み出すことができ、多数の応答型セ
ンサと計測データ収録装置との間を信号伝送電線で結線
している場合でも、計測データ収録装置において確実に
応答型センサが確認でき、結線ミス、又は、計測を行な
う試験装置への応答型センサの設置ミスが容易に確認で
き、結線作業時間の短縮、応答型センサの正しい計測部
への設置が容易に確認できる。
【0012】また、応答型センサより計測データ収録装
置に出力されているデータが、応答センサの校正時メモ
リに書き込まれた応答型センサ固有の校正データを、メ
モリから呼び出し演算することにより校正された計測デ
ータが取得でき、計測時にデータシート等にもとづき入
力するようにした場合に操作員の校正データの入力ミス
等に伴い生じる、計測データに誤りが生じるのを防止で
きる。
置に出力されているデータが、応答センサの校正時メモ
リに書き込まれた応答型センサ固有の校正データを、メ
モリから呼び出し演算することにより校正された計測デ
ータが取得でき、計測時にデータシート等にもとづき入
力するようにした場合に操作員の校正データの入力ミス
等に伴い生じる、計測データに誤りが生じるのを防止で
きる。
【0013】
【実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を図面に基
づき説明する。図1は、本発明の応答型センサ及びそれ
を使用した応用計測システムの実施の第1形態を示す図
である。なお、図において図2に示す部材と同一若しく
は類似の部材には同一符号を付して詳細な説明は省略す
る。
づき説明する。図1は、本発明の応答型センサ及びそれ
を使用した応用計測システムの実施の第1形態を示す図
である。なお、図において図2に示す部材と同一若しく
は類似の部材には同一符号を付して詳細な説明は省略す
る。
【0014】図において、11は応答型センサ1内に内
蔵された不揮発性のメモリ、12は応答型センサ1内に
内蔵された切替回路である。メモリ11には、計測デー
タ収録装置2から入力された応答型センサ1を識別する
ための識別番号、応答型センサ1の校正時、計測データ
収録装置2で取得され、計測データ収録装置2から入力
された応答型センサ1固有の校正データ等が書き込まれ
記憶されている。特に、センシング部31の校正データ
は経時変化するので、半年又は1年を目途に計測部から
定期的に取外して校正する必要があり、この校正時に計
測データ収録装置で取得された校正データを、計測デー
タ収録装置2からメモリに入力し書き込むようにしてい
る。
蔵された不揮発性のメモリ、12は応答型センサ1内に
内蔵された切替回路である。メモリ11には、計測デー
タ収録装置2から入力された応答型センサ1を識別する
ための識別番号、応答型センサ1の校正時、計測データ
収録装置2で取得され、計測データ収録装置2から入力
された応答型センサ1固有の校正データ等が書き込まれ
記憶されている。特に、センシング部31の校正データ
は経時変化するので、半年又は1年を目途に計測部から
定期的に取外して校正する必要があり、この校正時に計
測データ収録装置で取得された校正データを、計測デー
タ収録装置2からメモリに入力し書き込むようにしてい
る。
【0015】また、切替回路12は、データ収録装置2
から応答型センサ1に入力される、応用計測システム起
動時の立ち上がりパターンや意図的にパルス状に変化さ
せた電圧の変化パターン13により、応答型センサ1の
校正時や起動時の立ち上がり時にメモリ11側に切替え
られ、校正時に校正データ等が入力されメモリ11に記
憶されている応答型センサ1固有のデータを、計測デー
タ収録装置2から入力される信号に対応させて、計測デ
ータ収録装置2に出力できるとともに、また、検出回路
3側に切替えられ検出回路3で計測される計測データ1
5をデータ収録装置2に出力できるようにしている。
から応答型センサ1に入力される、応用計測システム起
動時の立ち上がりパターンや意図的にパルス状に変化さ
せた電圧の変化パターン13により、応答型センサ1の
校正時や起動時の立ち上がり時にメモリ11側に切替え
られ、校正時に校正データ等が入力されメモリ11に記
憶されている応答型センサ1固有のデータを、計測デー
タ収録装置2から入力される信号に対応させて、計測デ
ータ収録装置2に出力できるとともに、また、検出回路
3側に切替えられ検出回路3で計測される計測データ1
5をデータ収録装置2に出力できるようにしている。
【0016】また、センサ16によっては、日々の簡単
なライン特性の確認が行えるように、基準となる抵抗等
を内蔵するようにしたものがある。このような回路を備
えた応答センサ型1では、キャリブレーション信号線を
用いて切り換え信号を入力することによって切替回路を
切り替えることもできる。
なライン特性の確認が行えるように、基準となる抵抗等
を内蔵するようにしたものがある。このような回路を備
えた応答センサ型1では、キャリブレーション信号線を
用いて切り換え信号を入力することによって切替回路を
切り替えることもできる。
【0017】本実施の形態の応答型センサ1及びそれを
使用した応用計測システムは、上述した構成にされ、応
答型センサ1と計測データ収録装置2とを信号伝送電線
4で結線した後、計測データ収録装置2からの変化パタ
ーン13等の信号により切替回路12を作動させ、メモ
リ11と計測データ収録装置2とを導通させて、計測デ
ータ収録装置2からの信号により、メモリ11に記憶さ
せている識別番号を読み出し、その識別番号により、計
測データ収録装置2で読み出され、又は読み出そうとし
ている計測データ15が、どの応答型センサ1のメモリ
11から出力されたものか識別でき、応答型センサ1と
計測データ収録装置2とを接続している信号伝送電線4
の誤接続チェック、若しくは計測部への正しい応答型セ
ンサ1の設置が可能となる。
使用した応用計測システムは、上述した構成にされ、応
答型センサ1と計測データ収録装置2とを信号伝送電線
4で結線した後、計測データ収録装置2からの変化パタ
ーン13等の信号により切替回路12を作動させ、メモ
リ11と計測データ収録装置2とを導通させて、計測デ
ータ収録装置2からの信号により、メモリ11に記憶さ
せている識別番号を読み出し、その識別番号により、計
測データ収録装置2で読み出され、又は読み出そうとし
ている計測データ15が、どの応答型センサ1のメモリ
11から出力されたものか識別でき、応答型センサ1と
計測データ収録装置2とを接続している信号伝送電線4
の誤接続チェック、若しくは計測部への正しい応答型セ
ンサ1の設置が可能となる。
【0018】また、試験装置の計測データ取得時には、
計測データ収録装置2からの信号により切替回路12を
作動させ、メモリ11と計測データ収録装置2とを導通
させて計測データ収録装置2にメモリ11に記憶させて
いる校正データを読み出すとともに、同様に計測データ
収録装置2からの信号により切替回路12を作動させ
て、検出回路3と計測データ収録装置2とを導通させて
検出回路3からの計測データ15を計測データ収録装置
2に入力させて、この計測データ15を計測データ収録
装置2に予め読み込んでいる校正データを使用して補
正、演算することにより、計測部の圧力等の物理量の変
動を即時に計測、補正して収録することができる。
計測データ収録装置2からの信号により切替回路12を
作動させ、メモリ11と計測データ収録装置2とを導通
させて計測データ収録装置2にメモリ11に記憶させて
いる校正データを読み出すとともに、同様に計測データ
収録装置2からの信号により切替回路12を作動させ
て、検出回路3と計測データ収録装置2とを導通させて
検出回路3からの計測データ15を計測データ収録装置
2に入力させて、この計測データ15を計測データ収録
装置2に予め読み込んでいる校正データを使用して補
正、演算することにより、計測部の圧力等の物理量の変
動を即時に計測、補正して収録することができる。
【0019】このように、メモリ11に予め入力され、
管理されている識別番号、校正データ等のメモリ内情報
14を、信号伝送電線4の結線後又は計測データ15取
得時等、必要とする都度計測データ収録装置2からの信
号によって計測データ収録装置2へ読み出し、応答型セ
ンサ1の識別、校正された計測データ15が取得、収録
できるので、手入力によるデータ入力が不要になるとと
もに、校正データテーブル等による確認が不要になる。
管理されている識別番号、校正データ等のメモリ内情報
14を、信号伝送電線4の結線後又は計測データ15取
得時等、必要とする都度計測データ収録装置2からの信
号によって計測データ収録装置2へ読み出し、応答型セ
ンサ1の識別、校正された計測データ15が取得、収録
できるので、手入力によるデータ入力が不要になるとと
もに、校正データテーブル等による確認が不要になる。
【0020】さらに、校正データ等取得の都度、校正デ
ータの履歴をメモリ内情報14としてメモリ11に記憶
させておけば、データシート等を必要とすることなく、
センシング部31をはじめとする、検出回路3の履歴管
理ができる。また、応答型センサ1内に切替回路12を
設けて、検出回路3に一定電圧5を供給するパワー供給
線、計測データを取得する専用線を必要としないように
したことにより、従来の応用計測システムの電線敷設費
用と同程度の費用で設置することができる。
ータの履歴をメモリ内情報14としてメモリ11に記憶
させておけば、データシート等を必要とすることなく、
センシング部31をはじめとする、検出回路3の履歴管
理ができる。また、応答型センサ1内に切替回路12を
設けて、検出回路3に一定電圧5を供給するパワー供給
線、計測データを取得する専用線を必要としないように
したことにより、従来の応用計測システムの電線敷設費
用と同程度の費用で設置することができる。
【0021】なお、メモリ11からの校正データ等の計
測データ収録装置2への読み込みは、前述した最初の電
源投入時の電圧変化パターンや特殊な読み出し信号によ
って一度行えば、計測データ収録装置2の電源を切断し
ない限り、計測データ収録装置2内に保持されるので、
検出回路3からの毎回の計測データ15取得毎に行う必
要はない。
測データ収録装置2への読み込みは、前述した最初の電
源投入時の電圧変化パターンや特殊な読み出し信号によ
って一度行えば、計測データ収録装置2の電源を切断し
ない限り、計測データ収録装置2内に保持されるので、
検出回路3からの毎回の計測データ15取得毎に行う必
要はない。
【0022】以上、本発明の応答型センサ及び応答型セ
ンサを使用した応用計測システムの実施の形態について
説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定され
るものではない。
ンサを使用した応用計測システムの実施の形態について
説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定され
るものではない。
【0023】例えば、上述した実施の形態では切替回路
12の切り替え、換言すれば、メモリ11へのアクセス
に応用計測システムの起動時の立上がりパターンや、計
測データ収録装置2から意図的に変化させたパルス状の
信号を、入力することにより切り替えると説明をした
が、これは応用計測システムを起動して、書込み・読み
出し使用、いったんOFF、起動して計測、次にOF
F、ONすれば書込み・読み出しモードを採用すること
もでき、さらにはタイマーを用いて起動後のある一定時
間内はメモリにアクセスするようにするとか、起動時に
意図的なパワー電圧の低下または瞬断を与えた場合に、
メモリアクセスに切り替えるといった方法によっても行
うことができるものである。
12の切り替え、換言すれば、メモリ11へのアクセス
に応用計測システムの起動時の立上がりパターンや、計
測データ収録装置2から意図的に変化させたパルス状の
信号を、入力することにより切り替えると説明をした
が、これは応用計測システムを起動して、書込み・読み
出し使用、いったんOFF、起動して計測、次にOF
F、ONすれば書込み・読み出しモードを採用すること
もでき、さらにはタイマーを用いて起動後のある一定時
間内はメモリにアクセスするようにするとか、起動時に
意図的なパワー電圧の低下または瞬断を与えた場合に、
メモリアクセスに切り替えるといった方法によっても行
うことができるものである。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の応答型セ
ンサは、試験装置計測部の変動する物理量を計測するセ
ンサ、計測データ収録装置から書き込まれた固有データ
を記憶させるメモリ、信号伝送電線を介し結線される計
測データ収録装置とセンサ若しくはメモリとの連結を切
り換える切換回路を内蔵し、伝送電線の結線後若しくは
計測時、計測データ収録装置からの信号で切換回路を切
り換え、メモリに記憶させている固有データ若しくは計
測データを計測データ収録装置に出力するものとした。
ンサは、試験装置計測部の変動する物理量を計測するセ
ンサ、計測データ収録装置から書き込まれた固有データ
を記憶させるメモリ、信号伝送電線を介し結線される計
測データ収録装置とセンサ若しくはメモリとの連結を切
り換える切換回路を内蔵し、伝送電線の結線後若しくは
計測時、計測データ収録装置からの信号で切換回路を切
り換え、メモリに記憶させている固有データ若しくは計
測データを計測データ収録装置に出力するものとした。
【0025】また、本発明の応用計測システムは、応答
型センサとデータ収録装置とを伝送電線で結線した後、
固有データを計測データ収録装置からメモリに予め書き
込み、計測時、切換回路を切り換え固有データをメモリ
から計測データ収録装置に読み出し、識別データから計
測データを出力している応答型センサを特定し、校正デ
ータにより応答型センサから計測データ収録装置に出力
された計測データを校正して記録するものとした。
型センサとデータ収録装置とを伝送電線で結線した後、
固有データを計測データ収録装置からメモリに予め書き
込み、計測時、切換回路を切り換え固有データをメモリ
から計測データ収録装置に読み出し、識別データから計
測データを出力している応答型センサを特定し、校正デ
ータにより応答型センサから計測データ収録装置に出力
された計測データを校正して記録するものとした。
【0026】これにより、応答型センサより計測データ
収録装置に入力される計測データが、どの応答型センサ
からのものか、多数の応答型センサと結線されている計
測データ収録装置においても確実に確認でき、結線ミ
ス、又は、計測部への応答型センサの設置ミスが容易に
確認でき、結線作業時間の短縮、応答型センサの正しい
設置が容易にできる。また、応答型センサから計測デー
タ収録装置に出力された計測データが、メモリに書き込
まれた応答型センサ固有の校正データを呼び出し、演算
して校正して記録でき、校正データの入力ミス等による
計測データに誤りが防止できる。
収録装置に入力される計測データが、どの応答型センサ
からのものか、多数の応答型センサと結線されている計
測データ収録装置においても確実に確認でき、結線ミ
ス、又は、計測部への応答型センサの設置ミスが容易に
確認でき、結線作業時間の短縮、応答型センサの正しい
設置が容易にできる。また、応答型センサから計測デー
タ収録装置に出力された計測データが、メモリに書き込
まれた応答型センサ固有の校正データを呼び出し、演算
して校正して記録でき、校正データの入力ミス等による
計測データに誤りが防止できる。
【図1】本発明の応答型センサ及び応用計測システムの
実施の第1形態を示す図、
実施の第1形態を示す図、
【図2】従来のセンサ及び計測システムを示す図、
【図3】従来のセンサ及び計測システムの計測回路を示
す図である。
す図である。
1 応答型センサ
2 計測データ収録装置
21 駆動電源
22 出力電圧
3 検出回路
31 センシング部
32 駆動回路
4 信号伝送電線
5 一定電圧
6 検出回路出力
11 メモリ
12 切替回路
13 変化パターン
14 メモリ内情報
15 計測データ
16 センサ
Claims (2)
- 【請求項1】 試験装置に取り付けられ、変動する物理
量を計測して計測データ収録装置等計測装置に計測デー
タを伝送する応答型センサにおいて、前記物理量を計測
するセンサと、前記計測データ収録装置等計測装置若し
くは校正装置等から書き込まれる少なくとも校正データ
及び識別データからなる固有データを記憶させるメモリ
と、伝送電線を介して結線される前記計測データ収録装
置等計測装置若しくは校正装置等と前記センサ若しくは
前記メモリとの連結を切り換える切換回路とを内蔵し、
前記計測データ収録装置等計測装置若しくは校正装置等
からの信号により前記切換回路を切り換え、前記メモリ
に記憶させている前記固有データ若しくは前記センサで
計測された計測データを前記計測データ収録装置等計測
装置に出力するようにしたことを特徴とする応答型セン
サ。 - 【請求項2】 請求項1の応答型センサにより変動する
物理量を計測する応用計測システムにおいて、前記応答
型センサと前記データ収録装置等計測装置との間を前記
伝送電線で結線した後、予め前記応答型センサの固有デ
ータを前記計測データ収録装置等計測装置若しくは校正
装置等から前記メモリに書き込んでおき、計測時、前記
切換回路を切り換えて前記固有データを前記メモリから
前記計測データ収録装置等計測装置に読み出し、前記識
別データから前記計測データ収録装置等計測装置に前記
計測データを出力している前記応答型センサを特定し、
前記校正データにより前記応答型センサから前記計測デ
ータ収録装置等計測装置に出力される前記計測データを
校正して記録することを特徴とする応用計測システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001221610A JP2003035574A (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 応答型センサ及び応用計測システム |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2001221610A JP2003035574A (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 応答型センサ及び応用計測システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2003035574A true JP2003035574A (ja) | 2003-02-07 |
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ID=19055253
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2001221610A Withdrawn JP2003035574A (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 応答型センサ及び応用計測システム |
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---|---|
JP (1) | JP2003035574A (ja) |
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