JP2003022505A

JP2003022505A - 薄膜磁気ヘッドおよび磁気再生装置

Info

Publication number: JP2003022505A
Application number: JP2001210530A
Authority: JP
Inventors: Masaya Sakaguchi; 昌也坂口; Toshio Fukazawa; 利雄深澤
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-07-11
Filing date: 2001-07-11
Publication date: 2003-01-24

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気抵抗効果型の薄膜磁気ヘッドにおいて、
短波長の記録信号の再生効率を向上させる。【解決手段】磁気抵抗効果層１５が、絶縁性部材１２
と、周囲を絶縁性部材によって囲まれた導電性部材１１
とからなる支持基体１３の導電性部材が表出する一面上
で、かつ薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体１４側の面に形
成される。これにより、磁気抵抗効果層が磁気記録媒体
と直接対向するため再生効率が向上し、かつ、膜厚方向
にセンス電流を流し抵抗変化率が大きい磁気抵抗効果層
を用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録再生装置
（例えば、ＨＤＤ装置）等に用いられる薄膜磁気ヘッド
に関し、特に、磁気抵抗効果層を用いて高密度の再生を
行う磁気抵抗効果型の浮上型薄膜磁気ヘッド及びその薄
膜磁気ヘッドを用いた磁気再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録再生装置等の磁気記録媒
体に対する記録・再生において、処理速度の向上と記録
容量の大容量化の必要性が増してきており、高記録密度
化への取り組みが強化されつつある。

【０００３】以下、従来の薄膜磁気ヘッドについて図面
を用いて説明する。

【０００４】図３０及び図３１は、従来の薄膜磁気ヘッ
ドの構造を示し、図３０は斜視概略図であり、図３１は
磁気記録媒体側からみた正面概略図である。

【０００５】図３０において、パーマロイ、Ｃｏ系アモ
ルファス磁性膜或いはＦｅ系合金磁性膜等の軟質磁性材
料で形成された下部シールド層３０１の上に、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＡｌＮ或いはＳｉＯ₂等の非磁性絶縁材料を用い
て下部ギャップ絶縁層３０２が形成され、更にその上面
に磁気抵抗効果層３０３が形成され、磁気抵抗効果層３
０３の両側端部に、ＣｏＰｔ合金等の材料で、磁気抵抗
効果層３０３にバイアス磁界を印加するバイアス層３０
４が形成される。

【０００６】また、図３０に示したように、バイアス層
３０４の上面にＣｕ、Ｃｒ或いはＴａ等の材料を用いて
導電層３０５が形成される。

【０００７】次に、導電層３０５と磁気抵抗効果層３０
３の露出した部分の上に、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ或いはＳｉ
Ｏ₂等の非磁性絶縁材料を用いて、上部ギャップ絶縁層
３０６を形成する。更に、上部ギャップ絶縁層３０６の
上に、パーマロイ、Ｃｏ系アモルファス磁性膜或いはＦ
ｅ系合金磁性膜等の軟質磁性材料を用いて、上部シール
ド層３０７を形成し、再生用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘ
ッド部３０８を構成する。このような、上部シールド層
３０７と下部シールド層３０１に挟まれた領域に磁気抵
抗効果層３０３が存在する構造の薄膜磁気ヘッドをシー
ルド型薄膜磁気ヘッドと呼ぶ。

【０００８】次に、上部シールド層３０７の上面に、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ或いはＳｉＯ₂等の非磁性絶縁材料を用
いて、記録ギャップ層３１１を形成し、更に記録ギャッ
プ層３１１を介して上部シールド層３０７に対向し、か
つ、他の部分で上部シールド層３０７に接している（図
示せず）上部磁極３１２を軟質磁性材料を用いて形成
し、記録ギャップ層３１１を介して上部シールド層３０
７と上部磁極３１２が対向している部分と上部磁極３１
２が上部シールド層３０７に接している部分（図示せ
ず）との間で、上部シールド層３０７と上部磁極３１２
から絶縁材（図示せず）を介して絶縁された巻線コイル
３１３が設けられて、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部３
１０を構成する。ここで、上部シールド層３０７は、再
生用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド部３０８のシールド
機能と、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部３１０の下部磁
極機能とを兼ね備えた機能を有している。

【０００９】図３１に、薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド部
における磁気抵抗効果層近傍の正面概略図を示す。この
図では、磁気抵抗効果層３０３として巨大磁気抵抗効果
（いわゆるＧＭＲ効果）層（以下、ＧＭＲ層と略記す
る）３１８を用いた場合を示す。下部シールド層３０１
の上面に形成された下部ギャップ絶縁層３０２の上に、
ＦｅＭｎ系合金膜、ＰｔＭｎ系合金膜、ＩｒＭｎ系合金
膜、ＮｉＯ系合金膜、Ｆｅ₂Ｏ₃系合金膜等の材料からな
る反強磁性層３１４、ＮｉＦｅ系合金膜、Ｃｏ、ＣｏＦ
ｅ合金膜等を材料とする固定磁性層３１５、Ｃｕ等を材
料とする非磁性導電層３１６、ＮｉＦｅ系合金膜、Ｃ
ｏ、ＣｏＦｅ合金膜等を材料とするフリー磁性層３１７
等によって構成されたＧＭＲ層３１８が形成され、ＧＭ
Ｒ層３１８の両側端面に接して、一対のバイアス層３０
４が形成され、その上に一対の導電層３０５が形成され
ている。更に、それらの上に、上部ギャップ絶縁層３０
６が形成され、更にその上に、上部シールド層３０７が
形成されている。

【００１０】ここで、再度図３０を用いて動作を説明す
る。巻線コイル３１３に記録電流が供給されることによ
り、記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部３１０の上部磁極３
１２と上部シールド層３０７に記録磁界が発生し、記録
ギャップ層３１１を介して対向する上部磁極３１２と上
部シールド層３０７との間に漏洩磁束が発生し、磁気記
録媒体に記録信号が記録される。また、信号が記録され
た磁気記録媒体からの信号磁界を再生用磁気抵抗効果型
薄膜磁気ヘッド部３０８で再生し、磁気抵抗効果層３０
３（ＧＭＲ層３１８）による抵抗変化に応じた再生信号
が導電層３０５の端子から検出される。

【００１１】近年、ＧＭＲ層よりも更に抵抗変化率が大
きい、トンネル接合型磁気抵抗効果（いわゆるＴＭＲ）
層（以下、ＴＭＲ層と略記する）や、ＧＭＲ層の膜厚方
向にセンス電流を流すタイプ（いわゆるＣＰＰ型ＧＭＲ
層、以下、ＣＰＰ型ＧＭＲ層と略記する）等も提案され
ている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の薄膜磁気ヘッドの再生ヘッド部においては、
高記録密度化に対応した短波長の記録信号を再生するた
めに、上下シールド間隔３１９が小さくなると、フリー
磁性層３１７とシールドとの間の磁気抵抗が低くなり、
それに伴って磁気記録媒体から発生した磁束がシールド
に抜け易くなってしまう。そのため、フリー磁性層３１
７に流れる磁束量が減少し、再生効率が低下するという
問題があった。

【００１３】本発明は、かかる問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、従来のシールド型薄膜磁気ヘッ
ドよりも短波長の記録信号の再生効率が高く、良好な再
生性能を得ることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ド、及びこの薄膜磁気ヘッドを使用した磁気再生装置を
提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係る第１の薄膜磁気ヘッドは、絶縁性部
材、及び周囲を絶縁性部材によって囲まれた導電性部材
からなる支持基体と、支持基体の導電性部材が表出する
一面上で、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体側の面に形成
された磁気抵抗効果層とを備えたことを特徴とする。

【００１５】かかる構成によれば、磁気抵抗効果層が磁
気記録媒体と直接対向するので、磁気抵抗効果層に誘導
される磁束量を大きくすることができる。また、センス
電流を磁気抵抗効果層の膜厚方向に流すことができるた
め、磁気抵抗効果層として、抵抗変化率が大きいＴＭＲ
層やＣＰＰ型ＧＭＲ層を用いることが可能となる。その
ため、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドよりも短波長の
記録信号の再生効率が高い薄膜磁気ヘッドを実現するこ
とができる。

【００１６】前記の目的を達成するため、本発明に係る
第２の薄膜磁気ヘッドは、絶縁性部材、及び周囲を絶縁
性部材によって囲まれた導電性部材からなる支持基体
と、支持基体の導電性部材が表出する一面上で、薄膜磁
気ヘッドの磁気記録媒体側の面に形成された磁気抵抗効
果層とを備えたことを特徴とする。

【００１７】かかる構成によれば、また、センス電流を
磁気抵抗効果層の膜厚方向に流すことができるため、磁
気抵抗効果層として、抵抗変化率が大きいＴＭＲ層やＣ
ＰＰ型ＧＭＲ層を用いることが可能となる。そのため、
従来のシールド型薄膜磁気ヘッドよりも短波長の記録信
号の再生効率が高い薄膜磁気ヘッドを実現することがで
きる。また、第１の薄膜磁気ヘッドの支持基体を構成す
る絶縁性部材の代わりに高抵抗軟質磁性材料を用いるこ
とで、隣接トラックや隣接ビットからのノイズ低減効果
の高い薄膜磁気ヘッドを得ることができる。

【００１８】第１および第２の薄膜磁気ヘッドにおい
て、磁気抵抗効果層を、少なくとも反強磁性層、固定磁
性層、非磁性導電層、及びフリー磁性層で構成すれば、
高再生効率な薄膜磁気ヘッドを実現することができる。

【００１９】また、第１および第２の薄膜磁気ヘッドに
おいて、磁気抵抗効果層を、少なくとも反強磁性層、固
定磁性層、トンネル絶縁層、及びフリー磁性層で構成し
ても、高再生効率な薄膜磁気ヘッドを実現することがで
きる。

【００２０】また、反強磁性層を支持基体側に形成すれ
ば、より再生効率の高い薄膜磁気ヘッドを得ることがで
きる。

【００２１】また、フリー磁性層と導電性部材間に再生
電流を流せば、容易に磁気抵抗効果層の膜厚方向にセン
ス電流を流すことができる。

【００２２】また、フリー磁性層の少なくとも一部に接
する導電層を形成すれば、より確実に磁気抵抗効果層の
膜厚方向にセンス電流を流すことができる。

【００２３】また、導電層と磁気抵抗効果層の少なくと
も一部との間に、絶縁層を形成すれば、不要な部分にセ
ンス電流が流れることを抑えることができる。

【００２４】また、固定磁性層の磁化方向が、再生時の
磁気記録媒体の移動方向と略平行になるように構成すれ
ば、磁気記録媒体が面内長手記録媒体及び垂直記録媒体
の場合に最適な薄膜磁気ヘッドを提供することができ
る。

【００２５】また、固定磁性層の磁化方向が、磁気抵抗
効果層の膜面に平行で、かつ、再生時の磁気記録媒体の
移動方向と略直交するように構成すれば、磁気記録媒体
が面内横手記録媒体の場合に最適な薄膜磁気ヘッドを提
供することができる。

【００２６】さらに、磁気抵抗効果層にバイアス磁界を
印加するために、一対のバイアス層を設ければ、フリー
磁性層の磁化方向を固定磁性層の磁化方向と直交させる
ためのバイアス磁界を確実に印加することができる。

【００２７】また、支持基体の磁気抵抗効果層が形成さ
れた面上に、磁気抵抗効果層を覆う保護層を設ければ、
衝撃等により誤って薄膜磁気ヘッドと磁気記録媒体が接
触したような場合の破損や、酸化等の影響から薄膜磁気
ヘッドを保護することができる。

【００２８】前記の目的を達成するため、本発明に係る
第１の磁気再生装置は、本発明に係る第１の薄膜磁気ヘ
ッドと、回転可能な磁気記録媒体と、薄膜磁気ヘッドを
磁気記録媒体と対向するように支持する支持部材と、磁
気記録媒体を回転する手段と、支持部材に結合され、薄
膜磁気ヘッドを磁気記録媒体の膜面に沿って移動させる
手段と、薄膜磁気ヘッド、回転手段及び移動手段と電気
的に結合され、薄膜磁気ヘッドと信号を交換し、磁気記
録媒体の回転を制御し、薄膜磁気ヘッドの移動を制御す
る処理手段とを備えたことを特徴とする。

【００２９】かかる構成によれば、従来のシールド型薄
膜磁気ヘッドを用いた磁気再生装置よりも再生出力の大
きい磁気再生装置を実現することができる。

【００３０】前記の目的を達成するため、本発明に係る
第２の磁気再生装置は、本発明に係る第２の薄膜磁気ヘ
ッドと、回転可能に支持された磁気記録媒体と、薄膜磁
気ヘッドが磁気記録媒体と対向するように支持する支持
部材と、磁気記録媒体を回転する手段と、支持部材に結
合され、薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体の膜面に沿って
移動させる手段と、薄膜磁気ヘッド、回転手段及び移動
手段と電気的に結合され、薄膜磁気ヘッドと信号を交換
し、磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜磁気ヘッド
の移動を制御する処理手段とを備えたことを特徴とす
る。

【００３１】かかる構成によれば、従来のシールド型薄
膜磁気ヘッドを用いた磁気再生装置よりも再生出力の大
きい磁気再生装置を実現することができる。

【００３２】第１および第２の磁気再生装置において、
それぞれ、固定磁性層の磁化方向が、磁気記録媒体の移
動方向と略平行になるように構成した第１および第２の
薄膜磁気ヘッドを用いれば、磁気記録媒体の記録された
磁化の方向が、磁気記録媒体の回転方向と略平行な構成
をとる面内長手記録媒体に適した磁気再生装置を提供で
きる。

【００３３】また、第１および第２の磁気再生装置にお
いて、それぞれ、固定磁性層の磁化方向が、磁気記録媒
体の移動方向と略平行になるように構成した第１および
第２の薄膜磁気ヘッドを用いれば、磁気記録媒体の記録
された磁化の方向が、磁気記録媒体面に対して略直交す
る構成をとる垂直記録媒体に適した磁気再生装置を提供
できる。

【００３４】さらに、第１および第２の磁気再生装置に
おいて、それぞれ、固定磁性層の磁化方向が、磁気抵抗
効果層の膜面に平行で、かつ、磁気記録媒体の移動方向
と略直交するように構成した第１および第２の薄膜磁気
ヘッドを用いれば、磁気記録媒体の記録された磁化の方
向が、磁気記録媒体の半径方向と略平行である構成をと
る面内横手記録媒体に適した磁気再生装置を提供でき
る。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。

【００３６】（第１の実施の形態）図１は、本発明の第
１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体側
から見た正面図であり、図２は、本発明の第１の実施の
形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造を示すための、図１中
Ａ−Ａ線に沿った断面図である。

【００３７】本実施の形態においては、導電性部材１１
が絶縁性部材１２に囲まれて支持基体１３が形成され、
支持基体１３の、導電性部材１１が表出した、磁気記録
媒体１４に対向すべき面には、磁気抵抗効果層１５が形
成されている。

【００３８】なお、絶縁性部材１２は、絶縁材料、例え
ばＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＡｌＮまたはＴｉＮから選択さ
れた材料を少なくとも一つ以上用いて形成され、導電性
部材１１は、導電性材料、例えばＣｕ、Ｃｒ、Ｔａまた
はＡｕから選択された材料を少なくとも一つ以上用いて
形成されている。

【００３９】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、磁気記録媒
体１４上に記録された磁化領域３１から発生する磁束の
流れを示す図である。図３（ａ）は、図１及び図２に示
す本実施の形態による薄膜磁気ヘッドの場合の磁束の流
れを示し、図３（ｂ）は、図４に示す従来のシールド型
薄膜磁気ヘッドの場合の磁束の流れを示す。

【００４０】図１及び図２に示した本実施の形態による
薄膜磁気ヘッドでは、磁気抵抗効果層１５と磁気記録媒
体１４とが対向し、磁気抵抗効果層１５全体を磁気記録
媒体１２に非常に接近させることができる。それに対し
て、図４に示す構成の従来のシールド型薄膜磁気ヘッド
では、磁気抵抗効果層１５が一対のシールド層３２間に
存在するために、磁気抵抗効果層１５の一端が磁気記録
媒体１４に非常に近づくが、他端は大きく離れてしま
う。

【００４１】図３（ａ）と図３（ｂ）を比較すると、従
来のシールド型薄膜磁気ヘッドの方が、多くの磁束を発
生しているように見えるが、実際に重要なセンス領域に
流れる磁束量は、本実施の形態による薄膜磁気ヘッドの
方が多い。本実施の形態による薄膜磁気ヘッドの場合
は、記録された磁化領域３１から発生した磁束の大部分
が磁気抵抗効果層１５に流れ込んでいるが、従来のシー
ルド型薄膜磁気ヘッドの場合は、一部の磁束しか磁気抵
抗効果層１５に流れ込んでいない。図３（ａ）及び図３
（ｂ）中の磁束線の本数で比較すると、本実施の形態に
よる薄膜磁気ヘッドでは６本、従来のシールド型薄膜磁
気ヘッドでは約２本（場所によって異なるが、センス領
域全体の平均値）の磁束線がセンス領域に流れている。
なお、センス領域とは、磁気抵抗効果層１５中でセンス
電流が流れる領域のことである。具体的には、本実施の
形態による薄膜磁気ヘッドの場合は、導電性部材１１近
傍部とし、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドの場合は、
磁気抵抗効果層１５全体とした。

【００４２】なお、本実施の形態による薄膜磁気ヘッド
のセンス領域は、磁気抵抗効果層１５の構成や抵抗率及
び形状、導電性部材１１の抵抗率及び形状、磁気抵抗効
果層１５の磁気記録媒体１４側からのセンス電流の流し
方等により変化する。

【００４３】図１及び図２に示すように、本実施の形態
による薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体１４とは反対側
にある絶縁性部材１２に囲まれた導電性部材１１と磁気
抵抗効果層１５とが接している。磁気抵抗効果層１５の
磁気記録媒体１４側から導電性部材１１にセンス電流を
流すことによって、容易に磁気抵抗効果層１５の膜厚方
向にセンス電流を流すことができる。そのため、膜厚方
向にセンス電流を流す磁気抵抗効果層に好適な薄膜磁気
ヘッドである。

【００４４】図５及び図６は、それぞれ、本発明の第１
の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの二種類の磁気抵抗
効果層１５の構成を示す断面図である。図５に示した磁
気抵抗効果層１５は、膜厚方向にセンス電流を流す巨大
磁気抵抗効果層（いわゆるＣＰＰ型ＧＭＲ層、以下、Ｃ
ＰＰ型ＧＭＲ層と略記する）であって、図５において、
上側（支持基体１３側）から、ＩｒＭｎ系合金膜、Ｆｅ
Ｍｎ系合金膜、またはＰｔＭｎ系合金膜から選択された
材料からなる反強磁性層５１が形成され、その次にＮｉ
Ｆｅ系合金膜、Ｃｏ膜、ＣｏＦｅ系合金膜から選択され
た材料からなる固定磁性層５２、その次にＣｕからなる
非磁性導電層５３、そしてその次にＮｉＦｅ系合金膜、
Ｃｏ膜、ＣｏＦｅ系合金膜から選択された材料からなる
フリー磁性層５４が順次積層されて、磁気抵抗効果層１
５を構成している。

【００４５】図６に示した磁気抵抗効果層１５は、トン
ネル接合型磁気抵抗効果層（いわゆるＴＭＲ層、以下、
ＴＭＲ層と略記する）であって、図６において、上側
（支持基体１３側）から、ＩｒＭｎ系合金膜、ＦｅＭｎ
系合金膜、またはＰｔＭｎ系合金膜から選択された材料
からなる反強磁性層６１が形成され、その次にＮｉＦｅ
系合金膜、Ｃｏ膜、ＣｏＦｅ系合金膜から選択された材
料からなる固定磁性層６２、その次にＡｌ₂Ｏ₃からなト
ンネル絶縁層６３、そしてその次にＮｉＦｅ系合金膜、
Ｃｏ膜、ＣｏＦｅ系合金膜から選択された材料からなる
フリー磁性層６４が順次積層されて、磁気抵抗効果層１
５を構成している。

【００４６】ＣＰＰ型ＧＭＲ層及びＴＭＲ層のどちらの
磁気抵抗効果層１５を用いた場合でも、従来シールド型
薄膜磁気ヘッドで用いられているＧＭＲ層よりも抵抗変
化率を大きくできる可能性が高いため、高効率化が実現
できる。

【００４７】また、磁気抵抗効果層１５の構成として、
フリー磁性層５４、６４を支持基体１３側に形成するよ
りも、図５及び図６に示したように、磁気記録媒体１４
側に形成するほうが、磁気記録媒体１４とフリー磁性層
５４、６４との距離が近づくため、高効率化が可能であ
る。

【００４８】なお、本実施の形態では、支持基体１３の
磁気記録媒体１４側面全体に磁気抵抗効果層１５が形成
されている場合について示したが、磁気抵抗効果層１５
の少なくとも一部が導電性部材１１に接していれば、本
発明の効果を有する。

【００４９】なお、本実施の形態では、導電性部材１１
を、金属導電性材料を用いて形成しているが、導電性の
ある材料であれば、金属以外に例えば有機材料を用いて
も、本発明の効果に影響がないことは言うまでもない。

【００５０】なお、本実施の形態では、絶縁性部材１２
を、金属酸化膜や金属窒化膜等の無機材料を用いて形成
しているが、高抵抗な材料であれば、例えば樹脂等の有
機材料を用いても、本発明の効果に影響がないことは言
うまでもない。

【００５１】なお、本実施の形態では、導電性部材１１
と絶縁性部材１２との界面が磁気抵抗効果層１５の膜面
とが直交している場合について示したが、図７（ａ）に
示すように、導電性部材１１と絶縁性部材１２との界面
と、磁気抵抗効果層１５の膜面とが直交しない場合、ま
たは図７（ｂ）に示すように、導電性部材１１のｘ軸方
向の長さが均一でない場合でも、同様の効果を有するこ
とは言うまでもない。

【００５２】また、Ｒｕなどの非磁性材料を介して対向
する一対の強磁性材料で構成された固定磁性層や、２種
類以上の強磁性材料が積層されたフリー磁性層を有する
磁気抵抗効果層１５を用いた場合でも、同様の効果を有
することは言うまでもない。

【００５３】更に、異材料の界面反応を抑えるための反
応防止膜や、接着力や材料特性を向上させるための下地
膜等を形成しても、本実施の形態による薄膜磁気ヘッド
と同様の効果を有することは言うまでもない。

【００５４】以上のように、本実施の形態による薄膜磁
気ヘッドによれば、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドに
比べて良好な再生効率を実現することができる。

【００５５】（第２の実施の形態）図８は、本発明の第
２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体１
４側から見た正面図であり、図９及び図１０は、本発明
の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造を示す
ための断面図である。図９は、図８中Ｂ−Ｂ線に沿った
断面図であり、図１０は図８中Ｃ−Ｃ線に沿った断面図
である。

【００５６】本実施の形態による薄膜磁気ヘッドが、第
１の実施の形態と最も異なるところは、磁気抵抗効果層
１５の磁気記録媒体１４側に、導電層８１が形成されて
いる点である。この導電層８１は、導電性材料、例えば
Ｃｕ、Ｃｒ、ＴａまたはＡｕから選択された材料を少な
くとも一つ以上用いて形成されている。

【００５７】このような構成にすることにより、導電層
８１−磁気抵抗効果層１５−導電性部材１１間に容易に
センス電流を流すことができる。そのため、より安定に
高効率な再生性能を有する薄膜磁気ヘッドを実現するこ
とができる。

【００５８】また、導電性部材１１と導電層８１が接
し、磁気抵抗効果層１５を流れずに導電層８１から直接
導電性部材１１にセンス電流が流れ、再生効率が劣化す
るのを防ぐために、絶縁層８２を形成している。この絶
縁層８２は、絶縁材料、例えばＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａ
ｌＮまたはＴｉＮから選択された材料を少なくとも一つ
以上用いて形成されている。

【００５９】なお、本実施の形態では、磁気抵抗効果層
１５と導電層８１が十字型に交差し、その交差部分より
も大きい範囲に導電性部材１１が形成されている場合に
ついて示したが、磁気抵抗効果層１５、導電層８１及び
導電性部材１１の形状や大きさを限定したものではな
い。磁気抵抗効果層１５と導電層８１が接し、その接し
ている領域の磁気抵抗効果層１５の少なくとも一部が導
電性部材１１に接していれば、本発明の効果を有する。

【００６０】なお、本実施の形態では、磁気抵抗効果層
１５と絶縁層８２の膜厚を同一で、また、絶縁層８２の
膜厚を均一である場合について示したが、磁気抵抗効果
層１５を流れずに導電層８１から直接導電性部材１１に
センス電流が流れるのを防げれば、如何なる膜厚でも本
発明の効果を有する。

【００６１】なお、本実施の形態では、構成要素の形状
や境界が座標軸方向と平行である場合について示した
が、座標軸方向に対して斜めの場合や曲線となる場合で
も、同様の効果を有することは言うまでもない。

【００６２】また、本実施の形態では、磁気抵抗効果層
１５と磁気記録媒体１４との間に導電層８１を設けた構
成であるため、磁気抵抗効果層１５と磁気記録媒体１４
との距離が増加し、再生効率が低下する可能性がある。
そのため、導電層８１の磁気抵抗効果層１５上での膜厚
を薄くして、再生効率の低下を抑える必要がある。

【００６３】（第３の実施の形態）図１１は、本発明の
第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体
１４側から見た正面図であり、図１２、図１３及び図１
４は、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の構造を示すための断面図である。図１２は、図１１中
Ｄ−Ｄ線に沿った断面図であり、図１３及び図１４は、
図１１中Ｅ−Ｅ線に沿った断面図である。図１４は、磁
気抵抗効果層１５としてＣＰＰ型ＧＭＲ層を用いた場合
の、拡大図である。

【００６４】本実施の形態による薄膜磁気ヘッドが、第
２の実施の形態と最も異なるところは、導電層８１によ
って磁気抵抗効果層１５にセンス電流を流すにもかかわ
らず、磁気抵抗効果層１５の磁気記録媒体１４側に、導
電層８１が形成されてない点である。導電層８１−磁気
抵抗効果層１５−導電性部材１１間にセンス電流を流す
ためには、図１４に示すように、導電層８１が、フリー
磁性層５４にのみ接し、磁気抵抗効果層１５を構成する
他の膜には接しない構造にする必要がある。

【００６５】このような構成にすることにより、第２の
実施の形態による薄膜磁気ヘッドの場合よりも、磁気抵
抗効果層１５と磁気記録媒体１４との間の距離を小さく
することができる。そのため、第２の実施の形態による
薄膜磁気ヘッドの場合よりも、再生効率を改善した薄膜
磁気ヘッドを実現することが可能である。

【００６６】なお、本実施の形態では、磁気抵抗効果層
１５と導電層８１の表面が同一平面である場合について
示したが、同一平面でなくても同様の効果を有する。

【００６７】また、図１５に示すように、導電層８１の
一部が磁気抵抗効果層１５の磁気記録媒体側の面と接す
る場合や、図１６に示すように、更に薄い導電層８１を
設けることも可能である。どちらの場合も、図１４で示
した場合よりも容易に磁気抵抗効果層１５と導電層８１
とを接触させることができ、そのうえ、接触抵抗を低減
することも可能である。また、図１５及び図１６に示し
たどちらの場合でも、磁気抵抗効果層１５と磁気記録媒
体１４との間の距離が増加し、再生効率が低下する可能
性がある。しかしながら、第２の実施の形態の場合より
も、磁気抵抗効果層１５と磁気記録媒体１４との間に形
成される導電層８１の膜厚を薄くすることが容易である
ため、再生効率の低下を抑えることができる。

【００６８】なお、磁気抵抗効果層１５の断面形状が台
形である場合や、導電層８１の正面図形状において磁気
抵抗効果層１５から離れた部分の幅が大きくなっている
場合でも、同様の効果を有する。

【００６９】（第４の実施の形態）図１７は、本発明の
第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体
１４側から見た正面図であり、図１８、図１９及び図２
０は、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド
の構造を示すための断面図である。図１８及び図１９
は、図１７中Ｆ−Ｆ線に沿った断面図であり、図２０
は、図１７中Ｇ−Ｇ線に沿った断面図である。図１９
は、磁気抵抗効果層１５としてＴＭＲ層を用いた場合
の、拡大図である。

【００７０】本実施の形態による薄膜磁気ヘッドが、第
３の実施の形態と最も異なるところは、磁気抵抗効果層
１５にバイアス磁界を印加するためのバイアス層１７１
を設けた点である。バイアス層１７１の材料としては、
硬質磁性材料、例えばＣｏＰｔ合金を用いることができ
る。センス電流がバイアス層１７１に分流することによ
って再生出力が低下するのを抑えるために、図１９に示
すように、絶縁層８２を設ける必要がある。また、絶縁
層８２を設ける代わりに、バイアス層１７１として高抵
抗硬質磁性材料を用いることも可能である。

【００７１】このような構成にすることにより、磁気抵
抗効果層１５にバイアス磁界を容易に印加することが可
能となる。そのため、抵抗変化率が大きいＴＭＲ層やＣ
ＰＰ型ＧＭＲ層を用いた高効率な薄膜磁気ヘッドを実現
することが可能である。

【００７２】なお、本実施の形態では、磁気抵抗効果層
１５の導電層８１側幅よりもバイアス層１７１側幅の方
が大きい場合について示したが、バイアス層１７１側幅
よりも導電層８１側幅の方が大きい場合でも、同様の効
果を有する。

【００７３】なお、本実施の形態では、磁気抵抗効果層
１５とバイアス層１７１の表面が同一平面である場合に
ついて示したが、同一平面でなくても同様の効果を有す
る。

【００７４】（第５の実施の形態）本発明の薄膜磁気ヘ
ッドにおいては、様々な磁気記録媒体１４に対応したヘ
ッド構成を提供することができる。これを本発明の第５
の実施の形態として説明する。

【００７５】図２１は、本発明の第５の実施の形態に係
る薄膜磁気ヘッドの要部概要図であり、薄膜磁気ヘッド
の磁気抵抗効果層１５を磁気記録媒体１４側から見た正
面図であり、紙面に対して縦方向が磁気記録媒体の記録
波長方向、横方向が磁気記録媒体の再生トラック幅方向
とする。

【００７６】図２１中の磁気抵抗効果層１５は、図５に
示したＣＰＰ型ＧＭＲ層、或いは図６に示したＴＭＲ層
にて構成され、図２１（ａ）は固定磁性層５２、６２の
磁化方向が波長方向と一致している場合、図２１（ｂ）
は固定磁性層５２、６２の磁化方向が再生トラック幅方
向と一致している場合を示している。

【００７７】磁気記録媒体１４に記録された信号を良好
に再生するためには、磁気抵抗効果層１５中の固定磁性
層５２、６２の磁化方向と、磁気記録媒体１４から発生
した磁束が磁気抵抗効果層１５に流れるときの方向と
が、ほぼ平行である必要がある（固定磁性層の磁化方向
と磁束の方向が平行で同方向の場合に抵抗が小さくな
り、平行で逆方向の場合に抵抗が大きくなる）。そのた
め、図２１（ａ）の構成では磁気記録媒体１４からの磁
束が波長方向に流れ、図２１（ｂ）の構成では再生トラ
ック幅方向に流れなければならない。

【００７８】つまり、図２１（ａ）の構成の薄膜磁気ヘ
ッドでは、面内長手記録媒体（記録された磁化の方向が
波長方向）、または垂直記録媒体（記録された磁化の方
向が媒体膜面に対して垂直方向）から発生した磁束を信
号として再生することが可能であり、図２１（ｂ）の構
成の薄膜磁気ヘッドでは、面内横手記録媒体（記録され
た磁化の方向がトラック幅方向）からの磁束を信号とし
て再生することが可能となる。

【００７９】また、磁気記録媒体１４に記録された信号
を良好に再生するためには、磁気記録媒体１４からの磁
束がない時に、磁気抵抗効果層１５中の固定磁性層５
２、６２の磁化方向とフリー磁性層５４、６４の磁化方
向とが、ほぼ直交している必要がある（再生出力の対称
性等のため）。つまり、図２１（ａ）の構成では、フリ
ー磁性層５４、６４の磁化方向を再生トラック幅方向に
向けておく必要があり、図２１（ｂ）の構成では、フリ
ー磁性層５４、６４の磁化方向を波長方向に向けておく
必要がある。

【００８０】磁気抵抗効果層１５中のフリー磁性層５
４、６４にかかる主な磁界としては、磁気記録媒体１４
からの信号磁界、固定磁性層５２、６２との結合磁界
（固定磁性層の磁化方向と平行で同一方向）、固定磁性
層５２、６２からの静磁界（固定磁性層の磁化方向と平
行で逆方向）及びセンス電流からの電流磁界（センス電
流の流れる方向を中心軸にした回転方向）がある。

【００８１】このうち、固定磁性層５２、６２との結合
磁界は、フリー磁性層５４、６４と固定磁性層５２、６
２との間の非磁性導電層５３、６３の厚さを変化させる
ことにより、大きさと符号を変えることが可能である。

【００８２】次に、固定磁性層５２、６２からの静磁界
は、固定磁性層５２、６２の膜構成（非磁性導電層を介
した一対の強磁性層を利用する等）を変化させることに
より、大きさと符号を変えることができる。

【００８３】これらの方法を用いて磁界の大きさや符号
を制御することにより、図２１（ａ）の構成の場合は、
波長方向にかかる磁界（固定磁性層５２、６２との結合
磁界と固定磁性層５２、６２からの静磁界）を調整して
おおよそ零にすることが可能である。また、図２１
（ｂ）の構成の場合も同様に、再生トラック幅方向にか
かる磁界（固定磁性層５２、６２との結合磁界と固定磁
性層５２、６２からの静磁界）を調整しておおよそ零に
することが可能である。

【００８４】しかしながら、フリー磁性層５４、６４の
磁化方向を固定磁性層５２、６２と直交する方向に向け
るための磁界が存在しない。そのため、第３の実施の形
態で述べたバイアス層１７１が必要になる。図２１
（ａ）の場合は、再生トラック幅方向にバイアス層１７
１を設けてバイアス磁界をかける必要があり、図２１
（ｂ）の場合は、波長方向にバイアス層１７１を設けて
バイアス磁界をかける必要がある。

【００８５】このようなバイアス磁界をかけることによ
り、図２１（ａ）の構成の薄膜磁気ヘッドでは、面内長
手記録媒体（記録された磁化の方向が波長方向）、また
は垂直記録媒体（記録された磁化の方向が媒体膜面に対
して垂直方向）から発生した磁束を信号として再生する
ことが可能となり、図２１（ｂ）の構成の薄膜磁気ヘッ
ドでは、面内横手記録媒体（記録された磁化の方向がト
ラック幅方向）からの磁束を信号として再生することが
可能となる。

【００８６】このように、本実施の形態の薄膜磁気ヘッ
ドによれば、磁気記録媒体１４の記録方式に応じて、最
適な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。

【００８７】（第６の実施の形態）図２２は、本発明の
第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを磁気記録媒体
１４側から見た正面図であり、図２３及び図２４は、本
発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造を
示すための断面図である。図２３は、図２２中Ｈ−Ｈ線
に沿った断面図であり、図２４は図２２中Ｉ−Ｉ線に沿
った断面図である。

【００８８】本実施の形態による薄膜磁気ヘッドが、第
４の実施の形態と最も異なるところは、導電性部材１１
が高抵抗軟質磁性部材２２１に囲まれて支持基体２２２
が形成されている点である。高抵抗軟質磁性部材２２１
の材料としては、高抵抗な軟質磁性材料、例えばＭｎＺ
ｎフェライトを用いることができる。

【００８９】このような構成にすることにより、高抵抗
軟質磁性部材２２１が磁気シールドとして機能するの
で、隣接トラックや隣接ビットに記録された磁化からの
磁束を磁気抵抗効果層１５に流れ難くする、つまりノイ
ズ低減という効果を奏することができる。

【００９０】これは、磁気記録媒体１４の隣接トラック
部と対向する部分に高抵抗軟質磁性部材２２１が存在す
るので、隣接トラック上の記録磁化から発生した磁束が
高抵抗軟質磁性部材２２１に流れ込むためである。その
ため、隣接トラックからのノイズを低減することが可能
となる。隣接ビットに関しても同様である。

【００９１】図２５に、磁気記録媒体１４上に記録され
た磁化領域３１から発生する磁束の流れを示す。これに
よれば、導電性部材１１を介して高抵抗軟質磁性部材２
２１が対向しているため、磁気抵抗効果層１５を通らず
に導電性部材１１を通る磁束が多数生じている。そのた
め、第１から第５の実施の形態による薄膜磁気ヘッドの
ように、導電性部材１１が絶縁性部材１２に囲まれて支
持基体１３が形成された場合に比べて、再生効率が低下
してしまう。

【００９２】しかしながら、従来のシールド型薄膜磁気
ヘッドと比較すると、再生効率は改善されることが明ら
かである。図３（ａ）、図３（ｂ）及び図２５に示され
た磁束の流れを比較すると、導電性部材１１が絶縁性部
材１２に囲まれて支持基体が形成された場合（図３
（ａ））のセンス領域に流れる磁束線の本数が６である
のに対して、導電性部材１１が高抵抗軟質磁性部材２２
１に囲まれて支持基体２２２が形成されている場合（図
２５）は４本、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドの場合
（図３（ｂ））は２本であった。

【００９３】また、導電性部材１１が高抵抗軟質磁性部
材２２１に囲まれて支持基体２２２が形成されている場
合においては、例えば図７（ｂ）に示した構成のよう
に、磁気抵抗効果層１５と近接する部分以外の導電性部
材１１のｘ軸方向の長さを長く形成することによって、
再生効率を改善し、導電性部材１１が絶縁性部材１２に
囲まれて支持基体が形成された場合の薄膜磁気ヘッドの
再生効率に近づけることが可能である。

【００９４】なお、第１から第６の実施の形態による薄
膜磁気ヘッドにおいて、その磁気抵抗効果層１５や導電
層８１の磁気記録媒体１４側の面上に、保護層を形成し
ておけば、磁気抵抗効果層１５を破損や酸化等から保護
することができる。保護層の材料としては、例えばＤＬ
Ｃ（ダイアモンド状カーボン）、ＴｉＮ、ＣｒＮ、Ｂ
Ｎ、ＣＮまたはｔａ−Ｃ（ＴｅｔｒａｈｅｄｒａｌＡ
ｍｏｒｐｈｏｕｓＣａｒｂｏｎ）から選択された材料
を用いることができる。この場合も本発明の薄膜磁気ヘ
ッドの効果は損なわれるものではない。

【００９５】（第７の実施の形態）図２６から図２９
は、本発明の第７の実施の形態に係る磁気再生装置を説
明するための概要図である。

【００９６】図２６に示すように、少なくとも一枚の磁
気記録媒体２６１がスピンドル２６２上に支持され、ス
ピンドルモータ２６３によって回転する。また、少なく
とも一つの本発明による薄膜磁気ヘッド２６４がサスペ
ンション２６５を介してアクチュエータアーム２６６に
取り付けられ、さらに、アクチュエータアーム２６６は
アクチュエータ２６７に取り付けられる。

【００９７】このため、薄膜磁気ヘッド２６４は、アク
チュエータ２６７が動作することによって移動できる。
薄膜磁気ヘッド２６４は磁気記録媒体２６１面に対向し
て配置され、磁気記録媒体２６１の回転、及び薄膜磁気
ヘッド２６４の磁気記録媒体２６１の半径方向の移動に
よって、磁気記録媒体２６１のほぼ全面に対して信号の
読み書きが可能となる。

【００９８】磁気記録媒体２６１の回転の制御、薄膜磁
気ヘッド２６４の位置制御及び記録再生信号の制御等は
制御回路２６８で行われる。

【００９９】薄膜磁気ヘッド２６４としては、図２１
（ａ）の構成の薄膜磁気ヘッドを用い、磁気記録媒体２
６１としては、図２７に示すように、記録された磁化の
方向が磁気記録媒体の回転方向とほぼ平行である磁気記
録媒体２７１（面内長手記録媒体）を用いることによ
り、面内長手記録媒体を用いた再生性能良好な磁気再生
装置を実現することができる。

【０１００】また、薄膜磁気ヘッド２６４として、図２
１（ｂ）の構成の薄膜磁気ヘッドを用い、図２８に示す
ように、記録された磁化の方向が磁気記録媒体の半径方
向とほぼ平行である磁気記録媒体２８１（面内横手記録
媒体）を用いることにより、面内横手記録媒体を用いた
再生性能良好な磁気再生装置を実現することができる。

【０１０１】さらに、薄膜磁気ヘッド２６４として、図
２１（ａ）の構成の薄膜磁気ヘッドを用い、図２９に示
すように、記録された磁化の方向が磁気記録媒体面に対
してほぼ垂直方向である磁気記録媒体２９１（垂直記録
媒体）を用いることにより、垂直記録媒体を用いた再生
性能良好な磁気再生装置を実現することができる。

【０１０２】以上のように、本実施の形態によれば、面
内長手記録媒体、面内横手記録媒体または垂直記録媒体
のうちのどのような磁気記録媒体に対しても、再生性能
が優れた磁気再生装置を実現することができる。

【０１０３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドは、磁気抵抗効果層が磁気記録媒体と直接対向す
るので、従来のシールド型薄膜磁気ヘッドの場合よりも
磁気抵抗効果層に誘導される磁束量を大きくすることが
でき、再生効率が向上する。

【０１０４】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、センス
電流を磁気抵抗効果層の膜厚方向に流すことが容易であ
るため、抵抗変化率が大きいＣＰＰ型ＧＭＲ層やＴＭＲ
層を用いることができる。

【０１０５】さらに、本発明の磁気再生装置は、従来の
シールド型薄膜磁気ヘッドを用いた磁気再生装置よりも
優れた再生性能を発揮することができる。

【０１０６】また、本発明の磁気再生装置は、面内長手
記録媒体、面内横手記録媒体または垂直記録媒体のうち
のどのような磁気記録媒体に対しても、優れた再生性能
を発揮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す正面概略図

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す断面概略図

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッド（ａ）と従来の薄膜磁気ヘッド（ｂ）における磁気
記録媒体から発生した磁束の流れを示す図（磁束線図）

【図４】従来のシールド型薄膜磁気ヘッド構造を示す
断面概略図

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの磁気抵抗効果層の構造を示す断面概略図

【図６】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの他の磁気抵抗効果層の構造を示す断面概略図

【図７】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの変形例を示す断面概略図

【図８】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す正面概略図

【図９】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘ
ッドの構造を示す断面概略図

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す他の断面概略図

【図１１】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す正面概略図

【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す断面概略図

【図１３】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す他の断面概略図

【図１４】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す断面拡大図

【図１５】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの変形例を示す断面拡大図

【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの変形例を示す断面拡大図

【図１７】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す正面概略図

【図１８】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す断面概略図

【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す断面拡大図

【図２０】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す他の断面概略図

【図２１】本発明の第５の実施の形態を説明するため
の薄膜磁気ヘッドの磁気抵抗効果層の正面概略図

【図２２】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す正面概略図

【図２３】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す断面概略図

【図２４】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの構造を示す他の断面概略図

【図２５】本発明の第６の実施の形態に係る薄膜磁気
ヘッドの効果を説明するための、磁気記録媒体から発生
した磁束の流れを示す図（磁束線図）

【図２６】本発明の第７の実施の形態に係る磁気再生
装置の概略構成図

【図２７】本発明の第７の実施の形態における磁気記
録媒体を示す模式図

【図２８】本発明の第７の実施の形態における他の磁
気記録媒体を示す模式図

【図２９】本発明の第７の実施の形態における他の磁
気記録媒体を示す模式図

【図３０】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す斜視概
略図

【図３１】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す正面概
略図

【符号の説明】１１導電性部材１２絶縁性部材１３支持基体１４磁気記録媒体１５磁気抵抗効果層３１記録された磁化領域３２シールド層５１反強磁性層５２固定磁性層５３非磁性導電層５４フリー磁性層６１反強磁性層６２固定磁性層６３トンネル絶縁層６４フリー磁性層８１導電層８２絶縁層１７１バイアス層２２１高抵抗軟質磁性部材２６１磁気記録媒体２６２スピンドル２６３スピンドルモータ２６４薄膜磁気ヘッド２６５サスペンション２６６アクチュエータアーム２６７アクチュエータ２６８制御回路２７１磁気記録媒体（面内長手記録媒体）２８１磁気記録媒体（面内横手記録媒体）２９１磁気記録媒体（垂直記録媒体）３０１下部シールド層３０２下部ギャップ絶縁層３０３磁気抵抗効果層３０４バイアス層３０５導電層３０６上部ギャップ絶縁層３０７上部シールド層３０８再生用磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド部３１０記録用誘導型薄膜磁気ヘッド部３１１記録ギャップ層３１２上部磁極３１３巻線コイル３１４反強磁性層３１５固定磁性層３１６非磁性導電層３１７フリー磁性層３１８ＧＭＲ層３１９上下シールド間隔

フロントページの続きＦターム(参考） 2G017 AA01 AB07 AD55 AD65 5D034 BA03 BA04 BA05 BA08 BA17 BA19 CA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果層を有する薄膜磁気ヘッド
であって、絶縁性部材、及び周囲を前記絶縁性部材によって囲まれ
た導電性部材からなる支持基体を備え、前記磁気抵抗効果層は、前記支持基体の前記導電性部材
が表出する一面上で、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体側
の面に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項２】磁気抵抗効果層を有する薄膜磁気ヘッド
であって、高抵抗軟質磁性部材、及び周囲を前記高抵抗軟質磁性部
材によって囲まれた導電性部材からなる支持基体を備
え、前記磁気抵抗効果層は、前記支持基体の前記導電性部材
が表出する一面上で、薄膜磁気ヘッドの磁気記録媒体側
の面に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項３】前記磁気抵抗効果層は、少なくとも反強
磁性層、固定磁性層、非磁性導電層、及びフリー磁性層
で構成されたことを特徴とする請求項１または２記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】前記磁気抵抗効果層は、少なくとも反強
磁性層、固定磁性層、トンネル絶縁層、及びフリー磁性
層で構成されたことを特徴とする請求項１または２記載
の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記反強磁性層は、前記支持基体側に形
成されていることを特徴とする請求項３または４記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記フリー磁性層と前記導電性部材間に
再生電流を流すことを特徴とする請求項５記載の薄膜磁
気ヘッド。
【請求項７】前記フリー磁性層の少なくとも一部に接
する導電層が形成されていることを特徴とする請求項６
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】前記導電層と前記磁気抵抗効果層の少な
くとも一部との間に、絶縁層が形成されていることを特
徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】前記固定磁性層の磁化方向が、磁気記録
媒体の移動方向と略平行になるように構成したことを特
徴とする請求項３または４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】前記固定磁性層の磁化方向が、前記磁
気抵抗効果層の膜面に平行で、かつ、前記磁気記録媒体
の移動方向と略直交するように構成したことを特徴とす
る請求項３または４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記磁気抵抗効果層にバイアス磁界を
印加するために、一対のバイアス層を設けたことを特徴
とする請求項３または４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】前記支持基体の前記磁気抵抗効果層が
形成された面上に、前記磁気抵抗効果層を覆う保護層を
設けることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一
項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】絶縁性部材、及び周囲を前記絶縁性部
材によって囲まれた導電性部材からなる支持基体と、前
記支持基体の前記導電性部材が表出する一面上で、磁気
記録媒体側の面に形成された磁気抵抗効果層とを有する
薄膜磁気ヘッドと、回転可能に支持された磁気記録媒体と、前記薄膜磁気ヘッドが前記磁気記録媒体と対向するよう
に支持する支持部材と、前記磁気記録媒体を回転する手段と、前記支持部材に結合され、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁
気記録媒体の膜面に沿って移動させる手段と、前記薄膜磁気ヘッド、前記回転手段及び前記移動手段と
電気的に結合され、前記薄膜磁気ヘッドと信号を交換
し、前記磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜磁気ヘ
ッドの移動を制御する処理手段とを備えたことを特徴と
する磁気再生装置。
【請求項１４】高抵抗軟質磁性部材、及び周囲を前記
高抵抗軟質磁性部材によって囲まれた導電性部材からな
る支持基体と、前記支持基体の前記導電性部材が表出す
る一面上で、磁気記録媒体側の面に形成された磁気抵抗
効果層とを有する薄膜磁気ヘッドと、回転可能に支持された磁気記録媒体と、前記薄膜磁気ヘッドが前記磁気記録媒体と対向するよう
に支持する支持部材と、前記磁気記録媒体を回転する手段と、前記支持部材に結合され、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁
気記録媒体の膜面に沿って移動させる手段と、前記薄膜磁気ヘッド、前記回転手段及び前記移動手段と
電気的に結合され、前記薄膜磁気ヘッドと信号を交換
し、前記磁気記録媒体の回転を制御し、前記薄膜磁気ヘ
ッドの移動を制御する処理手段とを備えたことを特徴と
する磁気再生装置。
【請求項１５】前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気抵抗効
果層は、少なくとも反強磁性層、固定磁性層、非磁性導
電層、及びフリー磁性層で構成されたことを特徴とする
請求項１３または１４記載の磁気再生装置。
【請求項１６】前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気抵抗効
果層は、少なくとも反強磁性層、固定磁性層、トンネル
絶縁層、及びフリー磁性層で構成されたことを特徴とす
る請求項１３または１４記載の磁気再生装置。
【請求項１７】前記薄膜磁気ヘッドの前記反強磁性層
は、前記支持基体側に形成されていることを特徴とする
請求項１５または１６記載の磁気再生装置。
【請求項１８】前記薄膜磁気ヘッドの前記フリー磁性
層と前記導電性部材間に再生電流を流すことを特徴とす
る請求項１７記載の磁気再生装置。
【請求項１９】前記薄膜磁気ヘッドの前記フリー磁性
層の少なくとも一部に接する導電層が形成されているこ
とを特徴とする請求項１８記載の磁気再生装置。
【請求項２０】前記薄膜磁気ヘッドの前記導電層と前
記磁気抵抗効果層の少なくとも一部との間に、絶縁層が
形成されていることを特徴とする請求項１９記載の磁気
再生装置。
【請求項２１】前記薄膜磁気ヘッドの前記固定磁性層
の磁化方向が、前記磁気記録媒体の移動方向と略平行に
なるように構成したことを特徴とする請求項１５または
１６記載の磁気再生装置。
【請求項２２】前記薄膜磁気ヘッドの前記固定磁性層
の磁化方向が、前記磁気抵抗効果層の膜面に平行で、か
つ、前記磁気記録媒体の移動方向と略直交するように構
成したことを特徴とする請求項１５または１６記載の磁
気再生装置。
【請求項２３】前記薄膜磁気ヘッドの前記磁気抵抗効
果層にバイアス磁界を印加するために、一対のバイアス
層を設けたことを特徴とする請求項１５または１６記載
の磁気再生装置。
【請求項２４】前記薄膜磁気ヘッドの前記支持基体の
前記磁気抵抗効果層が形成された面上に、前記磁気抵抗
効果層を覆う保護層を設けたことを特徴とする請求項１
３から２３のいずれか一項に記載の磁気再生装置。
【請求項２５】前記磁気記録媒体の記録された磁化の
方向が、前記磁気記録媒体の回転方向と略平行になる構
成であることを特徴とする請求項２１記載の磁気再生装
置。
【請求項２６】前記磁気記録媒体の記録された磁化の
方向が、前記磁気記録媒体面に対して略直交する構成で
あることを特徴とする請求項２１記載の磁気再生装置。
【請求項２７】前記磁気記録媒体の記録された磁化の
方向が、前記磁気記録媒体の半径方向と略平行になる構
成であることを特徴とする請求項２２記載の磁気再生装
置。