JP2003021538A - Manufacturing method for displacement detection scale - Google Patents
Manufacturing method for displacement detection scaleInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は，変位検出スケール
の製造方法に関し、より詳しくは、ガラス基板上に回路
パターンを形成することによりスケ−ルを構成し、そこ
に流れる電流により変位量を検出するスケールの製造方
法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a displacement detection scale, and more specifically, it forms a scale by forming a circuit pattern on a glass substrate and detects the displacement amount by the current flowing therethrough. To a method of manufacturing a scale.
【０００２】[0002]
【従来の技術】スケールの変位を電気的に検出するた
め、スケール上に電流を流すための回路パターンを設け
たスケールが知られている。例えば,電磁誘導式変位検
出スケールは、絶縁性の基板の上に形成された導電性の
回路パターンを備えており、スケールの変位によりこの
回路パターン部分を流れる誘導電流を検出することによ
り、スケールの変位量を検出するものである。このた
め、回路パターンの導電度が高く、かつ、基板の絶縁性
が高いことが要求される。従来は、この絶縁性基板とし
て、ガラスエポキシ基板が利用され、このガラスエポキ
シ基板上に銅薄膜等の導電性金属により回路パターンを
形成し、さらにこの回路パターン上に保護膜を施すこと
により電磁誘導式変位検出スケールを構成していた。2. Description of the Related Art There is known a scale provided with a circuit pattern for passing a current on the scale in order to electrically detect the displacement of the scale. For example, the electromagnetic induction displacement detection scale has a conductive circuit pattern formed on an insulating substrate, and by detecting an induced current flowing through this circuit pattern portion due to displacement of the scale, The amount of displacement is detected. Therefore, the circuit pattern is required to have high conductivity and the substrate to have high insulation. Conventionally, a glass epoxy substrate is used as the insulating substrate, and a circuit pattern is formed on the glass epoxy substrate with a conductive metal such as a copper thin film, and a protective film is applied on the circuit pattern to cause electromagnetic induction. It constituted a displacement detection scale.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラスエポキ
シ基板は面精度が悪く、また膨張係数が高いことから、
回路パターンが剥離しやすく、分解能１０μｍ以下の高
精度スケールの製作は困難であった。本発明は、かかる
問題点に鑑みなされたもので、高分解能が得られる変位
検出スケールの製造方法を提供することを目的とする。However, since the glass epoxy substrate has poor surface accuracy and a high expansion coefficient,
The circuit pattern was easily peeled off, and it was difficult to manufacture a high-precision scale with a resolution of 10 μm or less. The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a displacement detection scale that can obtain high resolution.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本出願の第一の発明に係
る変位検出スケールの製造方法は、スケールの変位を検
出するための回路パターンを備えた変位検出スケールの
製造方法において、ガラス基板上に無電解めっきにより
無電解銅めっき層を形成する第一の工程と、形成しよう
とする回路パターンの形状に合せたレジストパターンを
形成する第二の工程と、形成された前記レジストパター
ンに基づき前記無電解銅めっき層をエッチングする第三
の工程とを備えたことを特徴とする。A method for manufacturing a displacement detection scale according to a first invention of the present application is a method for manufacturing a displacement detection scale provided with a circuit pattern for detecting displacement of the scale, comprising: A first step of forming an electroless copper plating layer by electroless plating, a second step of forming a resist pattern matching the shape of the circuit pattern to be formed, based on the resist pattern formed And a third step of etching the electroless copper plating layer.
【０００５】また、本出願の第二の発明に係る変位検出
スケールの製造方法は、スケールの変位を検出するため
の回路パターンを備えた変位検出スケールの製造方法に
おいて、ガラス基板上に無電解めっきにより無電解ニッ
ケルめっき層を形成する第一の工程と、該無電解ニッケ
ルめっき層上に電解めっき又は無電解めっきにより銅め
っき層を形成する第二の工程と、形成しようとする回路
パターンの形状に合せたレジストパターンを形成する第
三の工程と、形成された前記レジストパターンに基づき
前記無電解ニッケル層及び前記銅めっき層をエッチング
する第四の工程とを備えたことを特徴とする。A method for manufacturing a displacement detection scale according to a second aspect of the present application is the method for manufacturing a displacement detection scale provided with a circuit pattern for detecting the displacement of the scale, wherein the glass substrate is electroless plated. A first step of forming an electroless nickel plating layer by the above, a second step of forming a copper plating layer on the electroless nickel plating layer by electrolytic plating or electroless plating, and the shape of the circuit pattern to be formed And a fourth step of etching the electroless nickel layer and the copper plating layer based on the formed resist pattern.
【０００６】また、本出願の第三の発明に係る変位検出
スケールの製造方法は、スケールの変位を検出するため
の回路パターンを備えた変位検出スケールの製造方法に
おいて、ガラス基板上に無電解めっきにより無電解ニッ
ケルめっき層を形成する第一の工程と、形成しようとす
る回路パターンの形状に合せたレジストパターンを形成
する第二の工程と、形成された前記レジストパターンに
基づき前記無電解ニッケル層をエッチングする第三の工
程と、該エッチングされた前記無電解ニッケルめっき層
上に無電解めっきにより無電解銅めっき層を形成する第
四の工程と、該無電解銅めっき層上に、形成しようとす
る回路パターンの形状に合せたレジストパターンを形成
する第五の工程と、形成された前記レジストパターンに
基づき前記無電解銅めっき層をエッチングする第六の工
程とを備えたことを特徴とする。The method for manufacturing a displacement detection scale according to the third invention of the present application is the method for manufacturing a displacement detection scale provided with a circuit pattern for detecting the displacement of the scale, which comprises electroless plating on a glass substrate. By the first step of forming an electroless nickel plating layer, a second step of forming a resist pattern that matches the shape of the circuit pattern to be formed, the electroless nickel layer based on the formed resist pattern A third step of etching, a fourth step of forming an electroless copper plating layer on the etched electroless nickel plating layer by electroless plating, and forming on the electroless copper plating layer And a fifth step of forming a resist pattern matching the shape of the circuit pattern, and the electroless electrolysis based on the formed resist pattern. The plating layer is characterized in that a sixth step of etching.
【０００７】前記の第一乃至第三の発明において、前記
ガラス基板は青板ガラスとすることができる。In the first to third inventions, the glass substrate may be soda lime glass.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて説明する。以下では、電磁誘導式変位検出
スケールを例にとって説明するが、静電容量式スケール
など、スケール上に回路パターンを有するものであれば
本発明は適用可能である。［第一の実施の形態］図１
は、本発明の第一の実施の形態の電磁誘導式変位検出ス
ケールの製造方法を示す工程図である。以下、図１に沿
って製造方法を説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The electromagnetic induction type displacement detection scale will be described below as an example, but the present invention can be applied as long as it has a circuit pattern on the scale, such as a capacitance type scale. [First Embodiment] FIG.
FIG. 4A is a process diagram showing the manufacturing method of the electromagnetic induction displacement detection scale according to the first embodiment of the invention. The manufacturing method will be described below with reference to FIG.
【０００９】（１）前処理工程
基板ガラスとしては、本実施の形態においては、フロー
トガラスの１つである青板ガラス１０を用いる（図1
（ａ））。青板ガラスは低価格であるが、ガラスエポキ
シ基板よりも表面精度が良いという特徴がある。(1) Pretreatment Step In this embodiment, soda lime glass 10 which is one of float glasses is used as the substrate glass (FIG. 1).
(A)). Although soda lime glass is low in price, it has the characteristic of having a better surface accuracy than a glass epoxy substrate.
【００１０】まず、青板ガラス１０を脱脂剤を用いて超
音波洗浄を併用しながら洗浄する。その後、サンドブラ
スト法、化学エッチング法などにより、青板ガラス１０
の表面に微小の凹凸をつける（粗化処理）。その後、CV
D法、スパッタリング等の方法により、粗化処理した青
板ガラス１０の表面に、ＳｉＯ２膜５を形成させる。Ｓ
ｉＯ２膜５は、青板ガラス１０から溶け出す可能性のあ
るアルカリ成分により無電解銅めっき２０が腐食するこ
とを防止する役割を有する。腐食防止する必要が無い場
合には、このＳｉＯ２膜５生成の工程を省略してもよ
い。上記した粗化処理の代わりに、又はこれと併用し
て、ＳｉＯ2膜５上に金属Pｄなどの触媒核を付与しても
よい。又は、スパッタリング等によりポーラスのＳｉＯ
２膜を形成させても、同様の効果が得られる。First, the soda lime glass 10 is cleaned with a degreasing agent while also using ultrasonic cleaning. After that, the soda lime glass 10 is formed by sandblasting, chemical etching, or the like.
Make minute irregularities on the surface of the (roughening treatment). Then CV
The SiO 2 film 5 is formed on the surface of the soda-lime glass 10 that has been roughened by a method such as D method or sputtering. S
The iO2 film 5 has a role of preventing the electroless copper plating 20 from being corroded by an alkaline component which may be dissolved from the soda-lime glass 10. If it is not necessary to prevent corrosion, the step of forming the SiO 2 film 5 may be omitted. Instead of the above-mentioned roughening treatment or in combination therewith, a catalyst nucleus such as metal Pd may be provided on the SiO2 film 5. Or, porous SiO by sputtering or the like
Even if two films are formed, the same effect can be obtained.
【００１１】（２）めっき工程
粗化処理終了後、再度ＳｉＯ２膜５側を表面処理液等を
用いて洗浄し、その後、青板ガラス１０のＳｉＯ２膜５
を形成した側の面を、無電解銅めっき溶液に浸して無電
解銅めっきを行い、１０−２０μｍ程度の厚さの無電解
銅めっき層２０を形成する（図１（ｂ））。(2) Plating Step After the roughening treatment, the side of the SiO2 film 5 is washed again with a surface treatment solution or the like, and then the SiO2 film 5 of the soda-lime glass 10 is washed.
The surface on which is formed is immersed in an electroless copper plating solution to perform electroless copper plating to form an electroless copper plating layer 20 having a thickness of about 10-20 μm (FIG. 1 (b)).
【００１２】（３）レジスト、露光、現像、エッチング
めっきが終了したら、所定時間めっき層２０をアニ−ル
し、所定時間冷却する。次に、この無電解銅めっき層２
０上に、レジスト３０を塗布する（図１（ｃ））。その
後、所望の回路パターンをこのレジスト３０上に露光、
現像した後（図１（ｄ））、レジスト３０のない部分を
エッチングし、所望の回路パターンを形成する（図１
（ｅ））。(3) After the resist, exposure, development and etching plating are completed, the plating layer 20 is annealed for a predetermined time and cooled for a predetermined time. Next, this electroless copper plating layer 2
0 is coated with a resist 30 (FIG. 1 (c)). After that, a desired circuit pattern is exposed on the resist 30,
After development (FIG. 1D), a portion without the resist 30 is etched to form a desired circuit pattern (FIG. 1).
(E)).
【００１３】（４）レジスト剥離、保護膜形成
エッチングが終わったら、残ったレジストを剥離液を使
用して剥離させる。その後、形成された回路パターンを
保護するための保護膜４０を形成する（図１（ｆ））。
保護膜４０の材料としては、例えばＵＶ樹脂（変成アク
リレート樹脂）が使用できる。(4) Stripping of resist and formation of protective film After the etching is finished, the remaining resist is stripped using a stripping solution. After that, a protective film 40 for protecting the formed circuit pattern is formed (FIG. 1F).
As the material of the protective film 40, for example, a UV resin (modified acrylate resin) can be used.
【００１４】［第二の実施の形態］次に、本発明の第二
の実施の形態を、図２に基づいて説明する。第一の実施
の形態では、めっき層として無電解銅めっき層を1層の
み作成しているが、本実施の形態では、銅めっき層とガ
ラス基板との間に無電解ニッケルめっき層を形成させ、
これにより銅めっきの密着性を高めている。無電解ニッ
ケルめっきは銅めっきに比べガラス基板等の絶縁性基板
への密着性が高く、無電解ニッケルめっきは無電解銅め
っきに強く密着するという性質に着目したものである。
以下、図２に沿って第二の実施の形態に係る電磁誘導式
変位検出スケールの製造方法を説明する。[Second Embodiment] Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment, only one electroless copper plating layer is created as a plating layer, but in the present embodiment, an electroless nickel plating layer is formed between the copper plating layer and the glass substrate. ,
This improves the adhesion of the copper plating. Electroless nickel plating has a higher adhesiveness to an insulating substrate such as a glass substrate than copper plating, and electroless nickel plating has a strong adhesiveness to electroless copper plating.
Hereinafter, a method of manufacturing the electromagnetic induction type displacement detection scale according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
【００１５】（１）前処理工程
まず、青板ガラス１０を、脱脂剤を用いて、超音波洗浄
等を併用しながら洗浄する。その後、CVD法、スパッタ
リング等の方法により、青板ガラス１０の表面に、Ｓｉ
Ｏ２膜５を形成させる（図２（ａ））。ＳｉＯ２膜５
は、青板ガラス１０から溶け出す可能性のあるアルカリ
成分により、後述する無電解ニッケルめっき５０及び無
電解銅めっき２０が腐食することを防止する役割を有す
る。(1) Pretreatment Step First, the soda lime glass 10 is washed with a degreasing agent while also using ultrasonic cleaning and the like. Then, the surface of the soda-lime glass 10 is coated with Si by a method such as CVD or sputtering.
The O2 film 5 is formed (FIG. 2A). SiO2 film 5
Has a role of preventing the electroless nickel plating 50 and the electroless copper plating 20, which will be described later, from being corroded by an alkaline component that may dissolve out from the blue plate glass 10.
【００１６】（２）めっき工程
次に、青板ガラス１０のＳｉＯ２膜５を形成した側の面
を、無電解ニッケルめっき溶液に浸して無電解ニッケル
めっきを行い、０．０５−０．１μｍ程度の厚さの無電
解ニッケルめっき層５０を青板ガラス１０の全面に亘っ
て形成させる（図２（ｂ））。ニッケルめっき層５０
は、後述する無電解銅めっき層２０と青板ガラス基板１
０との密着性を高めるために形成されるので、その厚さ
は、密着性を高めるのに最低限必要な厚さとするのが好
ましい。無電解ニッケルめっきの前に、ＳｉＯ２膜５上
に触媒核を付与することも可能である。(2) Plating Step Next, the surface of the soda lime glass 10 on the side where the SiO 2 film 5 is formed is immersed in an electroless nickel plating solution to perform electroless nickel plating, and the thickness is adjusted to about 0.05-0.1 μm. The electroless nickel plating layer 50 having a thickness is formed over the entire surface of the soda-lime glass 10 (FIG. 2B). Nickel plating layer 50
Is an electroless copper plating layer 20 and a soda-lime glass substrate 1 described later.
Since it is formed in order to enhance the adhesiveness with 0, it is preferable that the thickness thereof is the minimum necessary thickness for enhancing the adhesiveness. It is also possible to provide the catalyst nuclei on the SiO 2 film 5 before the electroless nickel plating.
【００１７】次に、無電解ニッケルめっき膜５０側を表
面処理液等を用いて洗浄する。洗浄が終了したら、無電
解ニッケルめっき層５０を所定時間アニ−ルし、所定時
間冷却する。その後、無電解ニッケルめっき層５０側を
無電解銅めっき溶液に浸して無電解銅めっきを行い、１
０−２０μｍ程度の厚さの無電解銅めっき層２０を形成
する（図２（ｃ））。めっきが終了したら、無電解めっ
き層２０を所定時間アニ−ルし、所定時間冷却する。な
お、本実施の形態では、無電解ニッケルめっき層５０が
青板ガラス基板１０の全面に亘り塗布されているので、
銅めっきを電解めっきにより行なっても良い。Next, the electroless nickel plating film 50 side is cleaned using a surface treatment solution or the like. After the cleaning is completed, the electroless nickel plating layer 50 is annealed for a predetermined time and cooled for a predetermined time. After that, the electroless nickel plating layer 50 side is immersed in an electroless copper plating solution to perform electroless copper plating, and 1
An electroless copper plating layer 20 having a thickness of about 0-20 μm is formed (FIG. 2C). After the plating is completed, the electroless plating layer 20 is annealed for a predetermined time and cooled for a predetermined time. In the present embodiment, since the electroless nickel plating layer 50 is applied over the entire surface of the soda-lime glass substrate 10,
Copper plating may be performed by electrolytic plating.
【００１８】（３）レジスト塗布、露光、現像、エッチ
ングの工程
次に、この無電解銅めっき層２０上に、レジスト３０を
塗布する（図２（ｄ））。その後、所望の回路パターン
をこのレジスト３０上に露光、現像した後（図２
（ｅ））、レジスト３０のない部分をエッチングし、所
望の回路パターンを形成する（図２（ｆ））。(3) Resist Coating, Exposure, Development and Etching Steps Next, a resist 30 is coated on this electroless copper plating layer 20 (FIG. 2 (d)). After that, a desired circuit pattern is exposed and developed on the resist 30 (see FIG. 2).
(E)) The portion without the resist 30 is etched to form a desired circuit pattern (FIG. 2 (f)).
【００１９】（４）レジスト剥離、保護膜形成
エッチングが終わったら、残ったレジストを剥離液を使
用して剥離させる。その後、形成された回路パターンを
保護するための保護膜４０を形成する（図２（ｇ））。
保護膜４０の材料としては、第一の実施の形態と同様、
例えばＵＶ樹脂が使用できる。(4) Stripping of resist and formation of protective film After the etching is finished, the remaining resist is stripped using a stripping solution. After that, a protective film 40 for protecting the formed circuit pattern is formed (FIG. 2G).
The material of the protective film 40 is the same as in the first embodiment.
For example, UV resin can be used.
【００２０】［第三の実施の形態］第一の実施の形態の
場合、1度のエッチングで無電解ニッケルめっき、銅め
っきをまとめて除去するようにしている。本実施の形態
では、無電解ニッケルめっきを全面に施した後、一旦無
電解ニッケルめっき層のみのエッチングを行い、その後
無電解銅めっきを行なった後、再度エッチングを行い、
合計2度のエッチングを行なう点に特徴がある。以下、
図３Ａ，図３Ｂに沿って第三の実施の形態に係る電磁誘
導式変位検出スケールの製造方法を説明する。[Third Embodiment] In the case of the first embodiment, the electroless nickel plating and the copper plating are collectively removed by one etching. In the present embodiment, after the electroless nickel plating is applied to the entire surface, only the electroless nickel plating layer is once etched, then the electroless copper plating is performed, and then the etching is performed again.
The feature is that etching is performed twice in total. Less than,
A method of manufacturing the electromagnetic induction displacement detection scale according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 3A and 3B.
【００２１】（１）前処理工程
まず、第一、第二の実施の形態と同様、青板ガラス１０
を、脱脂剤等を使用して超音波洗浄を併用しながら洗浄
した後、CVD法、スパッタリング等の方法により、青板
ガラス１０の表面に、ＳｉＯ２膜５を形成させる（図３
Ａ（ａ））。(1) Pretreatment Step First, as in the first and second embodiments, soda lime glass 10 is used.
Is cleaned while using ultrasonic cleaning in combination with a degreasing agent or the like, and then a SiO2 film 5 is formed on the surface of the soda-lime glass 10 by a method such as a CVD method or a sputtering method (see FIG. 3).
A (a)).
【００２２】（２）第一のめっき工程
次に、青板ガラス１０のＳｉＯ２膜５を形成した側の面
を、無電解ニッケルめっき溶液に浸して無電解ニッケル
めっきを行い、第二の実施の形態と同様、０．０５−
０．１μｍ程度の厚さの無電解ニッケルめっき層５０を
形成する（図３Ａ（ｂ））。無電解ニッケルめっきの前
に、ＳｉＯ２膜５上に触媒核を付与することも可能であ
る。(2) First Plating Step Next, the surface of the soda lime glass 10 on which the SiO 2 film 5 is formed is immersed in an electroless nickel plating solution to carry out electroless nickel plating. 0.05-
An electroless nickel plating layer 50 having a thickness of about 0.1 μm is formed (FIG. 3A (b)). It is also possible to provide the catalyst nuclei on the SiO 2 film 5 before the electroless nickel plating.
【００２３】（３）第一のレジスト塗布、露光、現像、
エッチング工程
めっきが終了したら、無電解ニッケルめっき膜５０側を
表面処理液等を用いて洗浄する。洗浄が終了したら、無
電解ニッケルめっき層５０を所定時間アニ−ルし、所定
時間冷却する。次に、この無電解ニッケルめっき層５０
上に、レジスト３０を塗布する（図３Ａ（ｃ））。その
後、所望の回路パターンをこのレジスト３０上に露光、
現像した後（図３Ａ（ｄ））、レジスト３０のない部分
をエッチングする（図３Ａ（ｅ））。これにより、無電
解ニッケルめっき層５０は、所望の回路パターンの形状
とされる。エッチングが終わったら、レジスト３０を除
去する。(3) First resist coating, exposure, development,
After the etching step plating is completed, the electroless nickel plating film 50 side is washed with a surface treatment solution or the like. After the cleaning is completed, the electroless nickel plating layer 50 is annealed for a predetermined time and cooled for a predetermined time. Next, this electroless nickel plating layer 50
A resist 30 is applied on top (FIG. 3A (c)). After that, a desired circuit pattern is exposed on the resist 30,
After development (FIG. 3A (d)), the portion without the resist 30 is etched (FIG. 3A (e)). As a result, the electroless nickel plating layer 50 has a desired circuit pattern shape. After the etching is finished, the resist 30 is removed.
【００２４】（４）第二のめっき工程
次に、無電解ニッケルめっき層５０を形成した側の面
を、無電解銅めっき溶液に浸して無電解銅めっきを行
い、１０−２０μｍ程度の厚さの無電解銅めっき層２０
を形成する（図３Ａ（ｆ））。エッチングにより生じた
無電解ニッケルめっき層５０の厚さの差の分、無電解銅
めっき層２０にも多少の段差が生じる。前述のように無
電解ニッケルめっき層５０の厚さは０．０５−０．１μ
ｍ程度であり、無電解銅めっき層２０の厚さに比し十分
小さいので、銅めっき層２０の品質にはほとんど影響は
ない。(4) Second Plating Step Next, the surface on the side where the electroless nickel plating layer 50 is formed is immersed in an electroless copper plating solution to carry out electroless copper plating to a thickness of about 10-20 μm. Electroless copper plating layer 20
Are formed (FIG. 3A (f)). Due to the difference in the thickness of the electroless nickel plating layer 50 caused by the etching, some level difference is also generated in the electroless copper plating layer 20. As described above, the thickness of the electroless nickel plating layer 50 is 0.05-0.1μ.
Since it is about m, which is sufficiently smaller than the thickness of the electroless copper plating layer 20, the quality of the copper plating layer 20 is hardly affected.
【００２５】（５）第二のレジスト、露光、現像、エッ
チングの工程
めっき層２０面を洗浄、アニ−ル、冷却を行なった後、
この無電解銅めっき層２０の上に、再度レジスト３０を
塗布する（図３Ａ（ｇ））。その後、所望の回路パター
ンをこのレジスト３０上に露光、現像した後（図３Ｂ
（ｈ））、レジスト３０のない部分をエッチングする
（図３Ｂ（ｉ））。これにより、無電解銅めっき層２０
は、所望の回路パターンの形状とされる。エッチングが
終わったら、レジスト３０を除去し、第一、第二の実施
の形態と同様に、保護膜４０を形成する（図３Ｂ
（ｊ））。(5) Second resist, exposure, development and etching process After the plating layer 20 surface is washed, annealed and cooled,
A resist 30 is applied again on this electroless copper-plated layer 20 (FIG. 3A (g)). After that, after exposing and developing a desired circuit pattern on the resist 30 (see FIG. 3B).
(H)), a portion without the resist 30 is etched (FIG. 3B (i)). Thereby, the electroless copper plating layer 20
Has a desired circuit pattern shape. After the etching is completed, the resist 30 is removed and the protective film 40 is formed as in the first and second embodiments (FIG. 3B).
(J)).
【００２６】［変形例］上記第二、第三の実施の形態で
は、第一のめっき膜として無電解ニッケルめっきを使用
していたが、これに代えて無電解Ｃｕ−Ａｇめっきを使
用してもよい。[Modification] In the above second and third embodiments, electroless nickel plating was used as the first plating film, but instead of this electroless Cu-Ag plating is used. Good.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る変位
検出スケールの製造方法は、ガラス基板上に無電解銅め
っきにより回路パターンを形成しているので、高精度な
回路パターンを任意の厚さに形成することが容易とな
り、分解能の高い変位検出スケールを提供することが出
来る。As described above, in the method for manufacturing the displacement detection scale according to the present invention, the circuit pattern is formed on the glass substrate by electroless copper plating, so that a highly accurate circuit pattern can be formed at an arbitrary thickness. Can be easily formed, and a displacement detection scale with high resolution can be provided.
【図１】 本発明の第一の実施の形態に係る電磁誘導式
変位検出スケールの製造方法を示す。FIG. 1 shows a method for manufacturing an electromagnetic induction type displacement detection scale according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 本発明の第二の実施の形態に係る電磁誘導式
変位検出スケールの製造方法を示す。FIG. 2 shows a method for manufacturing an electromagnetic induction type displacement detection scale according to a second embodiment of the present invention.
【図３Ａ】 本発明の第三の実施の形態に係る電磁誘導
式変位検出スケールの製造方法を示す。FIG. 3A shows a method for manufacturing an electromagnetic induction type displacement detection scale according to a third embodiment of the present invention.
【図３Ｂ】 本発明の第三の実施の形態に係る電磁誘導
式変位検出スケールの製造方法を示す。FIG. 3B shows a method for manufacturing the electromagnetic induction displacement detection scale according to the third embodiment of the present invention.
１０・・・ガラス基板（青板ガラス基板） ２０・・・無電解銅めっき層 ３０・・・レジスト ４０・・・保護膜 ５０・・・無電解ニッケルめっき層 10 ... Glass substrate (blue plate glass substrate) 20 ... Electroless copper plating layer 30 ... resist 40 ... Protective film 50 ... Electroless nickel plating layer
Claims (4)
ターンを備えた変位検出スケールの製造方法において、 ガラス基板上に無電解めっきにより無電解銅めっき層を
形成する第一の工程と、 形成しようとする回路パターンの形状に合せたレジスト
パターンを前記無電解銅めっき層上に形成する第二の工
程と、 形成された前記レジストパターンに基づき前記無電解銅
めっき層をエッチングする第三の工程とを備えた変位検
出スケールの製造方法。1. A method for manufacturing a displacement detection scale having a circuit pattern for detecting displacement of the scale, comprising: a first step of forming an electroless copper plating layer on a glass substrate by electroless plating; And a second step of forming a resist pattern matching the shape of the circuit pattern on the electroless copper plating layer, and a third step of etching the electroless copper plating layer based on the formed resist pattern A method for manufacturing a displacement detection scale comprising:
ターンを備えた変位検出スケールの製造方法において、 ガラス基板上に無電解めっきにより無電解ニッケルめっ
き層を形成する第一の工程と、 該無電解ニッケルめっき層上に電解めっき又は無電解め
っきにより銅めっき層を形成する第二の工程と、 形成しようとする回路パターンの形状に合せたレジスト
パターンを該銅めっき層上に形成する第三の工程と、 形成された前記レジストパターンに基づき前記無電解ニ
ッケル層及び前記銅めっき層をエッチングする第四の工
程とを備えた変位検出スケールの製造方法。2. A method for manufacturing a displacement detection scale having a circuit pattern for detecting displacement of the scale, comprising: a first step of forming an electroless nickel plating layer on a glass substrate by electroless plating; The second step of forming a copper plating layer on the electrolytic nickel plating layer by electrolytic plating or electroless plating, and the third step of forming a resist pattern matching the shape of the circuit pattern to be formed on the copper plating layer A method for manufacturing a displacement detection scale, comprising: a step; and a fourth step of etching the electroless nickel layer and the copper plating layer based on the formed resist pattern.
ターンを備えた変位検出スケールの製造方法において、 ガラス基板上に無電解めっきにより無電解ニッケルめっ
き層を形成する第一の工程と、 形成しようとする回路パターンの形状に合せたレジスト
パターンを前記無電解ニッケルめっき層上に形成する第
二の工程と、 形成された前記レジストパターンに基づき前記無電解ニ
ッケル層をエッチングする第三の工程と、 該エッチングされた前記無電解ニッケルめっき層上に無
電解めっきにより無電解銅めっき層を形成する第四の工
程と、 形成しようとする回路パターンの形状に合せたレジスト
パターンを該無電解銅めっき層上に形成する第五の工程
と、 形成された前記レジストパターンに基づき前記無電解銅
めっき層をエッチングする第六の工程とを備えた変位検
出スケールの製造方法。3. A method of manufacturing a displacement detection scale having a circuit pattern for detecting displacement of the scale, comprising: a first step of forming an electroless nickel plating layer on a glass substrate by electroless plating; A second step of forming a resist pattern on the electroless nickel plating layer according to the shape of the circuit pattern, and a third step of etching the electroless nickel layer based on the formed resist pattern, A fourth step of forming an electroless copper plating layer by electroless plating on the etched electroless nickel plating layer, and a resist pattern matching the shape of the circuit pattern to be formed are provided in the electroless copper plating layer. A fifth step of forming above, and a step of etching the electroless copper plating layer based on the formed resist pattern A method for manufacturing a displacement detection scale, comprising:
項１乃至３のいずれか１項に記載の変位検出スケールの
製造方法。4. The method for manufacturing a displacement detection scale according to claim 1, wherein the glass substrate is soda-lime glass.
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- 2001-07-06 JP JP2001205792A patent/JP2003021538A/en active Pending
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