JP2003017987A - 選択可能な出力エッジレイト制御 - Google Patents

選択可能な出力エッジレイト制御

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JP2003017987A
JP2003017987A JP2002150088A JP2002150088A JP2003017987A JP 2003017987 A JP2003017987 A JP 2003017987A JP 2002150088 A JP2002150088 A JP 2002150088A JP 2002150088 A JP2002150088 A JP 2002150088A JP 2003017987 A JP2003017987 A JP 2003017987A
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Christian Klein
クリスチャン・クライン
Myron J Miske
マイロン・ジェイ・ミスケ
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Fairchild Semiconductor Corp
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Fairchild Semiconductor Corp
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents
    • H03K17/161Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
    • H03K17/162Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/163Soft switching
    • H03K17/164Soft switching using parallel switching arrangements

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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】出力信号のエッジレイトを選択し、制御するた
めの装置と方法を提供すること。 【解決手段】電流の欠乏したフ゜ルアッフ゜及びフ゜ルタ゛ウントランシ゛ス
タを用いる回路が、各トランシ゛スタを介して電流源4,10,
12,14を出力トランシ゛スタ段8に接続するように構成さ
れる。電流の欠乏したトランシ゛スタが、電流源4,10,1
2,14及びトランシ゛スタ8のハ゜ラメータの関数として既知の電
圧エッシ゛レイト特性を提供するように、電流源4,10,1
2,14の値が選択される。二つ以上の追加的な電流源
は、イネーフ゛ルにされた場合に第一の電流源と並列に電流を
与え、その結果、イネーフ゛ルにされた電流源に応じて、制御
されたエッシ゛レイト特性が選択的に加速される。イネーフ゛ル入力
が各追加的な電流源に設けられ、より速いエッシ゛レイト特性
又はより遅いエッシ゛レイト特性を選択可能に制御する。基準
電圧を用いて、トランシ゛スタのハ゜ラメータと共に電流源の値を決
定する。トランシ゛スタはMOSFETである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本出願は集積回路に関し、と
りわけ制御された出力エッジスルーレイトを有する集積
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】高速のデータ速度及び/または高出力、
及び温度の要件が論理電圧幅を減少させるように作用
し、出力信号のスルーレイトに影響する。5.0、及び3.3
ボルトの論理レベルは数百ミリボルトまたは数十ミリボ
ルトの論理幅に下がる。
【0003】これらの要件はとりわけバッファとドライ
バにおいて明白であり、また、設計者が互換性のために
選択する事実上どんな電圧に対しても外部のプルアップ
を関係づけることができるオープンドレイン構成におい
て明白なことが多い。オープンドレインは更に、当該技
術分野において良く知られているように、オープンドレ
インを互いに接続することによって「オーリング(orin
g)」機能の直接的な実施も可能にする。
【0004】高い変化率の信号によって高速で駆動され
る場合に高論理レベルの回路の別の制限は、本質的に生
じるノイズの増加と電力の損失である。例えば、多くの
バッファが切り替わる時、高率のdv/dtのエッジは、ノ
イズの増加と更なる電力の損失を生じさせる超過電流を
もたらす。概して言えば、ノイズは、共通インピーダン
ス、及び高変化率に影響されやすい静電結合及び電磁結
合メカニズムの関数である。更に、伝送線路効果による
回路内のリンギング、並びに他の誘導性および容量性成
分が、典型的には、緩やかな信号のエッジよりも高くな
り、最後には長くなる。
【0005】米国特許第5,977,790号は、プログラム可
能なスルーレイト(エッジレイト)制御回路を開示して
いる。この技術は、スルーレイトを決定する抵抗(また
は等価物)を有するゲート機能と多数のトランジスタを
使用する。本質的にダイの大部分を占める多くの構成要
素を使用するため、この特定の設計は制限される。同じ
発明者による米国特許第5,489,862号は、フィードバッ
クスルーレイト制御回路を開示しているが、このスルー
レイト制御はプログラム可能ではない。
【0006】米国特許第5,537,070号は基準電圧と電流
源を使用するスルーレイト制御回路を開示しているが、
オープンドレイン回路のハイからローの出力遷移を制御
するだけである。この発明において、ローからハイの出
力遷移は、意図的に影響を受けないようにされている。
【0007】これらの制限に対する一つのアプローチ
は、両方向において選択可能な制御された信号エッジレ
イトを有する回路を提供することである。また、好まし
い実施形態は、入力レベルとは非常に異なる出力論理信
号レベルへ変換するように構成され得る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、出力
信号のエッジレイトを選択し、制御するための装置と方
法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の説明に鑑みて、本
発明は、能動的なプルアップ、及びプルダウン素子を有
する回路を提供することである。これらの能動素子は、
好ましい実施形態において、バイポーラ素子または電界
効果素子、あるいはそれらの組み合わせとすることがで
きる。入力信号が制御ゲート、またはトランジスタのベ
ースを駆動する。
【0010】プルアップ、およびプルダウンのトランジ
スタのドレインまたはコレクタはそれぞれ、回路の出力
の正及び負の電圧の揺れ(swing)が制御されたエッジ
レイト特性を有するように、トランジスタを欠乏させる
(strave)ように設計された電流源に接続されている。
この制御は、電流源、及び関係のある特定のトランジス
タの関数である。関係のあるトランジスタを欠乏させる
ことは、急激に切り替わるわけではなく、これらのトラ
ンジスタはアナログ型の動作を経て、それによりエッジ
レイト特性が制御される。当該技術の技術者は、所望の
エッジレイト特性を達成するための特定のパラメータの
処理に精通している。好ましい実施形態において、回路
は、インバータ制御されたエッジレイト特性に対応する
エッジレイト特性を出力に与えるために出力トランジス
タ段を駆動するインバータである。
【0011】本発明の好ましい例によって、第一の電流
源と並列に切り換えられ得る第三の電流源と、第二の電
流源と並列に切り換えられ得る第四の電流源が提供され
る。これらの追加的な電流源において切り換えられる
と、インバータ出力のエッジレイト特性が加速され、そ
れによって出力トランジスタ段からの出力も加速され
る。スイッチ機能は、接続を断つことなく電流源をディ
スエーブルにする固体スイッチまたは回路手段と直列に
接続されてオン/オフすることができる。そのような両
回路は当該技術分野においては良く知られている。
【0012】好ましい実施形態において、電流源の値は
基準信号の関数であり、基準信号によって制御され、電
流源の内の1つはプルアップに接続され、電流源の内の
1つはプルダウンに接続される。独立した制御機構が各
電流源に使用され、当該技術分野で知られているような
他の手段を用いて、これらの電流源の値を決定すること
ができる。更に他の好ましい実施形態においては、多数
の追加的な電流源が使用され、この場合、各追加電流源
または電流源のグループが追加的な論理制御信号によっ
てイネーブルにされ、出力エッジレイト特性を選択的に
プログラミングすることができる。
【0013】別の好ましい実施形態において、出力トラ
ンジスタ段は、プルアップ抵抗器に接続されたドレイン
またはコレクタを有する単一のプルダウントランジスタ
である。この場合、プルアップ抵抗は、実質的にどんな
電圧の電力線にも接続することができる。別の好ましい
実施形態において、出力トランジスタ段は、プルダウン
に加えてプルアップトランジスタを含む。ここで、これ
ら二つのトランジスタに対する制御入力はインバータ出
力に接続され、このインバータ出力によって駆動され
る。更に、これらのトランジスタは、インバータ出力か
ら生成されたエッジレイト特性に対応する制御されたエ
ッジレイト特性を提供するように設計され、構成され
る。
【0014】以下の詳細な説明は、例示的な実施形態、
図面、及び使用法を参照することによって進められる
が、本発明がこれらの実施形態や使用法に限定されるこ
とを意図していないことは、当業者には理解されるであ
ろう。むしろ、本発明は幅広い範囲を有しており、特許
請求の範囲のみに記載されたように規定されることを意
図している。
【0015】本発明の以下の説明は、添付図面を参照す
る。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態を図示
する簡単な略ブロック図である。IN信号は有効なロー
電圧レベルから有効なハイ電圧レベルに移る論理信号で
ある。ここでは、接地とVccが使用されているが、実
質的に任意の他の論理レベル電圧を用いることができ
る。インバータ2は、インバータ2の閾値で切り換わる
単極双投スイッチS1として図示されている。
【0017】図1において、IN信号は、ロー(low)
の時、図示のように、スイッチS1を位置Aに動かし、
電流源4が出力トランジスタ8のゲート6をハイ(hig
h)に駆動し、それによってトランジスタ8をターンオ
ンし、そのトランジスタ8がOUTをローに駆動する。
IN信号がハイである場合、スイッチは位置Bにあり、
電流源10がゲート6をローに駆動してトランジスタ8
をターンオフし、その結果、R1がOUTをハイに引っ
張る。
【0018】電流源4は、ゲート6における等価キャパ
シタンスを含む回路の残り部分を基準として設計されて
おり、企図されたレイトでゲート6をハイに駆動する。
それゆえ、OUT信号は、企図された遅延の後にローに
駆動され、企図されたエッジレイトで駆動される。この
遅延は、電流源4がゲート6をトランジスタ8の閾値に
駆動するのに必要な時間である。OUT信号のエッジレ
イトは、トランジスタ8の特定の特性やOUT信号上の
既知の静的および過渡的な負荷によって決定される。O
UTにおけるエッジレイトは、トランジスタ8のゲート
における電圧の変化率を制御することによって制御され
る。
【0019】電流源10はゲート6をローに駆動し、電
流源4がOUTをローにしたように、遅延とハイになる
OUT信号のエッジレイト効果とを有する。しかし、当
業者には理解できるように、OUTは最初にOUT信号
にかかった負荷によりハイに駆動され、トランジスタ8
がターンオフにされると、トランジスタ8のドレイン電
流が減じられる。
【0020】更に図1を参照すると、エッジレイト制御
(ERC)信号が二つのスイッチS2、S3を駆動す
る。この実施形態において、ERCがハイの時、両スイ
ッチが「閉じられ」、電流源12が、S2を介して電流
源4に追加され、電流源14が、S3を介して電流源1
0に追加される。電流源12、14が動作して、それぞ
れ電流源4、10に追加される場合、遅延はより短くな
り、エッジレイトはより速くなる。
【0021】図2はインバータ2の実施例を示してい
る。ここで、スイッチS1はNMOS16とPMOS1
8によって形成されている。このNMOS16は、IN
信号に接続されたゲート、ゲート6に接続されたドレイ
ン、及び位置Bに接続されたソースを有する。また、P
MOS18は、IN信号に接続されたゲート、ゲート6
に接続されたドレイン、及び位置Aに接続されたソース
を有する。NMOSとPMOSは縦に一列になって作用
し、ゲート6と位置A、Bとの間を接続したり、接続を
切り離したりする。一例において、図1の電流源4、1
0は、関係のあるトランジスタ16、18を「欠乏させ
る」少ない電流を供給する。このように、トランジスタ
のゲート6に達する正及び負の電圧変換特性が制御さ
れ、それによってOUTノードでの電圧遷移エッジが制
御される。追加的な電流源12、14がトランジスタの
ゲート6を駆動する場合、トランジスタ16、18は電
流を異なるレベルで欠乏された状態のままにするが、依
然としてゲートの電圧遷移、及び出力電圧遷移は制御さ
れる。上述の通り、電流の欠乏した、関係のあるトラン
ジスタは急激には切り替わらず、これらのトランジスタ
はアナログ型の動作を経て、それによってエッジレイト
特性を制御することが可能になる。
【0022】電流の「欠乏した」インバータのトポロジ
ーは、インバータのトランジスタのソースにおいて電流
源を使用することに関係する。例えば、図2のNMOS
とPMOSにおいては、NMOSでは、ソースが電流源
10、14に接続されており、PMOSでは、ソースが
電流源4、12に接続されている。これらの電流源は、
後続の段、図1ではNMOSトランジスタ8に利用でき
る電流を制限するように設計されている。図4を参照す
ると、PMOS18がターンオンされると、その電流
は、PMOS30とPMOS32から構成される電流源
によって、NMOS8のゲート6に供給される。これら
の電流源の値はトランジスタのサイズ、基準電圧26に
よって決定される。NMOS16がオンの時、対応する
電流源はトランジスタ34、36から構成される。電圧
のエッジがトランジスタ8のゲートにあるタイムレイト
は、上述の電流源によって完全に決定され、基準電圧2
6、28と既知のトランジスタパラメータを選択するこ
とによって、設計者はゲート6におけるエッジを制御す
ることができ、それによってOUT信号におけるエッジ
も制御することができる。
【0023】図3はオープンドレイン構成ではない出力
段を示す略図である。トランジスタ8がOUT信号を接
地に引っ張るのと同様の態様で、PMOSプルアップト
ランジスタがOUT信号を正にVeeに駆動する。
【0024】図4は完全なオープンドレイン回路の図で
ある。トランジスタ18、16からなるインバータ2が
出力トランジスタ8のゲート6を駆動することが示され
ている。出力トランジスタ8のドレインは、電圧線Ve
eにプルアップする抵抗R1と共に、OUTに接続され
る。
【0025】入力信号ERCが、M33とM34からな
るインバータに対する入力として示されている。インバ
ータの出力はscb22で示される。このscb22の
信号は、M37とM38からなる別のインバータに入力
され、出力信号はsc24として示される。
【0026】点Aは、基準電圧26に接続されているゲ
ートを有するM26のドレインに接続されている。この
基準電圧26はM26にバイアスをかけるように選択さ
れて、図1の電流源4に供給される。この電流源の値
は、以下に説明する他の電流源とともに選択されて、所
望のエッジレイトを達成する。ERC信号がハイである
場合、sc信号はM35とM30のゲートをハイに駆動
し、scb信号がM29のゲートをローに駆動する。M
35がターンオフされ、M30とM29がターンオンさ
れる。この状態において、基準電圧26はオン状態のト
ランジスタM30、M29を通ってM28のゲートに達
する。このような状態で、M28は、点Aを駆動する電
流源12を構成する。この状態は、図1のスイッチS2
が閉じられているのと同じである。
【0027】M30とM29は並列に設けられ、基準電
圧26とM28のゲートとの間の低インピーダンスの経
路を確保する。他の例において、M30とM29の代わ
りに一つのトランジスタを使用することができる。更に
他の例において、バイポーラトランジスタとダイオー
ド、あるいはバイポーラとMOS構成要素との組み合わ
せを含むバイポーラ構成要素によって、回路が実現され
得る。
【0028】信号ERCがローの場合、scb22がハ
イでありsc24がローであるため、M30とM29は
オフで、M35がオンである状態が保持され、それによ
ってM28がターンオフされ、そのため電流源12(図
1)がディスエーブルにされる、またはオフ状態とな
る。これは、図1のスイッチS2が開かれている状態に
相当する。
【0029】点Bに接続されている回路の動作は、すぐ
上で説明された回路の動作において類似している。基準
電圧28がM24のゲートを駆動する。
【0030】更に図4を参照すると、ERCがローの場
合、M36がオン状態で、M32、M31、M27は全
てオフ状態である。トランジスタM27がオフ状態であ
るので、電流源14(図1)はディスエーブルにされ、
またはオフ状態になっている。これはS3(図1)が開
かれているのと同じである。ERCがハイの場合、M2
7はオン状態であり、電流源14がオン状態となり、点
Bを駆動する。
【0031】回路の特定の値、電圧および電流レベル、
並びにプログラム可能な制御されたエッジの値は、プロ
セス、動作環境、及び用途の関数である。入力論理レベ
ルが0から3.3ボルトのような一例において、図4は同じ
グラフ上の相対的なIN信号とOUT信号を示してい
る。この例においては、図を参照すると、電流源4、1
0は約1ミリアンペアであり、電流源12、14も約1ミ
リアンペアである。R1は25オームであり、Veeは約
1.5ボルトである。この場合、トランジスタ30、32
の幅と長さの比は同じである。
【0032】当該技術における技術者は、実質的に任意
の適度な電流を供給するために如何にしてトランジスタ
を設計するかを理解するであろう。
【0033】電流源4、12はともに基準電圧26によ
って制御され、そのため互いを追跡する。このことは、
ともに基準電圧28によって制御される電流源10、1
4にも当てはまる。
【0034】他の説明例において、入力と出力の論理レ
ベル、及び電流レベルに関する他の値を有利に用いるこ
とができることは、当業者には理解されるであろう。
【0035】更に、図5は、図4で示された回路上で測
定された入力/出力信号の比較を示している。入力信号
40は0から3.3ボルトにわたり、出力信号は0.25から1.
5ボルトにわたっている。ERC信号がハイの場合、出
力信号42が生成され、ERC信号がローの場合、出力
信号44が生成される。明らかであるように、出力信号
42は遅延が少なく、信号44に比べて速く上昇する。
入力がローエッジに進む場合、信号42は信号44に比
べて遅延が少ない状態で、より速く低下する。
【0036】上述の実施形態は本明細書で例として提示
されており、その多くの変形案や代替案が可能なことは
理解されるべきである。従って、本発明は、特許請求の
範囲においてのみ記載されたように規定されたものとし
て、広範に捉えられるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態の略ブロック図である。
【図2】図1のインバータ回路のより具体的な回路図で
ある。
【図3】本発明を具現化する例示的な例の略図である。
【図4】本発明を具体化する例示的な例の略図である。
【図5】図3における回路の実施形態の入力/出力タイ
ミングチャートである。
【符号の説明】
2 インバータ 4、10、12、14 電流源 6 ゲート 8 NMOS(出力トランジスタ) 16 NMOS 18、30、32 PMOS 26、28 基準電圧 40 入力信号 42 出力信号 S1、S2、S3 スイッチ R1 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイロン・ジェイ・ミスケ アメリカ合衆国ニューハンプシャー州 03856,ニューフィールズ,フィン・アベ ニュー・34

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第一の入力及び第一の出力と二つの状態を
    規定するインバータと、 プルアップトランジスタがオンの第一の状態、及びプル
    ダウントランジスタがオンの第二の状態と、 前記プルアップトランジスタに接続され、前記第一の状
    態時に出力に電流を供給する第一の電流源、及び前記プ
    ルダウントランジスタに接続され、前記第二の状態時に
    第一の出力に電流を供給する第二の電流源と、 前記第一の電流源と並列な第三の電流源、及び前記第二
    の電流源と並列な第四の電流源と、 前記第三の電流源が前記第一の電流源に加わることを選
    択的にイネーブル及びディスエーブルにするための手段
    と、 前記第四の電流源が前記第二の電流源に加わることを選
    択的にイネーブル及びディスエーブルにするための手段
    とからなり、 正、及び負になる場合に、第一の出力電圧エッジレイト
    特性が制御される回路。
  2. 【請求項2】前記第三の電流源を選択的にイネーブル及
    びディスエーブルにするための手段が、制御ノードを有
    する第一のトランジスタスイッチと前記制御ノードに接
    続された入力論理信号とを含み、 前記入力論理信号が一方の状態の時には、前記第一のト
    ランジスタスイッチがオン状態となり、前記第一の電流
    源と並列に前記第三の電流源がイネーブルにされ、前記
    入力論理信号が他方の状態の時には、前記第三の電流源
    がディスエーブルにされ、並列にならない、請求項1に
    記載の回路。
  3. 【請求項3】前記第四の電流源を選択的にイネーブル及
    びディスエーブルにするための手段が、制御ノードを有
    する第二のトランジスタスイッチと前記制御ノードに接
    続された入力論理信号とを含み、 前記入力論理信号が一方の状態の時には、前記第二のト
    ランジスタスイッチがオン状態となり、前記第二の電流
    源と並列に前記第四の電流源がイネーブルにされ、前記
    入力論理信号が他方の状態の時には、前記第四の電流源
    がディスエーブルにされ、並列にならない、請求項1に
    記載の回路。
  4. 【請求項4】第二の出力と、前記第一の出力に接続され
    ている制御入力を規定する出力トランジスタ段を更に含
    み、前記出力トランジスタ段が、前記第一の出力電圧エ
    ッジレイト特性に応じて、対応する第二の出力電圧エッ
    ジレイト特性を与える、請求項1に記載の回路。
  5. 【請求項5】前記電流源が、前記プルアップトランジス
    タ及びプルダウントランジスタを欠乏させるように構成
    され、それによって前記出力電圧エッジレイト特性を規
    定する、請求項1に記載の回路。
  6. 【請求項6】前記第一及び第三の電流源の電流値を決定
    するように構成された第一の基準源と、前記第二及び第
    四の電流源の値を決定するように構成された第二の基準
    電圧とを更に含む、請求項1に記載の回路。
  7. 【請求項7】第一の制御ノードを有する第一のトランジ
    スタスイッチと、 第二の制御ノードを有する第二のトランジスタスイッチ
    と、及び前記第一及び第二の制御ノードに接続された入
    力論理信号とを更に含み、 前記入力論理信号が一方の状態の時には、前記第一のト
    ランジスタスイッチがオン状態にあり、前記第一の基準
    源を前記第三の電流源に接続し、かつ前記第一の電流源
    と並列に前記第三の電流源をイネーブルにし、前記入力
    論理信号が他方の状態の時には、前記第三の電流源がデ
    ィスエーブルにされ、また、前記入力論理信号が一方の
    状態の時には、前記第二のトランジスタスイッチがオン
    状態にあり、前記第二の基準源を前記第四の電流源に接
    続し、前記第二の電流源と並列に前記第四の電流源をイ
    ネーブルにし、前記入力論理信号が他方の状態の時に
    は、前記第四の電流源がディスエーブルにされる、請求
    項6に記載の回路。
  8. 【請求項8】前記出力トランジスタ段が、プルアップト
    ランジスタとプルダウントランジスタとからなる、請求
    項2に記載の回路。
  9. 【請求項9】前記出力トランジスタ段が、PMOSプル
    アップ電界効果トランジスタとNMOSプルダウン電界
    効果トランジスタとからなる、請求項8に記載の回路。
  10. 【請求項10】前記出力トランジスタ段が、前記第二の
    出力に接続されたプルダウントランジスタとプルアップ
    抵抗とからなる、請求項2に記載の回路。
  11. 【請求項11】前記第一及び第三の電流源が、それぞれ
    第一及び第三の制御入力を有する第一及び第三のトラン
    ジスタからなり、第一の基準電圧が前記第一及び第三の
    制御入力に接続された時、前記第一及び第三のトランジ
    スタが、それぞれ第一及び第三の電流を供給するように
    設計されて構成された、請求項6に記載の回路。
  12. 【請求項12】前記第二及び第四の電流源が、それぞれ
    第二及び第四の制御入力を有する第二及び第四のトラン
    ジスタからなり、第二の基準電圧が前記第二及び第四の
    制御入力に接続された時、前記第二及び第四のトランジ
    スタが、それぞれ第二及び第四の電流を供給するように
    設計されて構成された、請求項6に記載の回路。
  13. 【請求項13】前記第一の電流源と並列に配置された第
    一の複数の追加電流源、及び前記第二の電流源と並列に
    配置された第二の複数の電流源と、及び前記第一及び第
    二の複数の電流源のそれぞれを選択的にイネーブルにす
    るための手段を更に含み、 前記第一の出力の電圧エッジレイト特性が、正、及び負
    になる場合に、それに応じて前記第一及び第二の複数の
    電流源から前記電流源をイネーブルにすることによっ
    て、選択的に制御される、請求項1に記載の回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4653752B2 (ja) * 2003-06-12 2011-03-16 フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション バッファにおける伝搬遅延及びプロセス及び温度の影響を低減する方法
JP2016012772A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 ローム株式会社 信号処理装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4502177B2 (ja) 2003-10-14 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 出力回路
US7187206B2 (en) * 2003-10-30 2007-03-06 International Business Machines Corporation Power savings in serial link transmitters
US7679426B2 (en) * 2005-01-19 2010-03-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor antifuse device
JP2010258527A (ja) * 2009-04-21 2010-11-11 Panasonic Corp 出力回路
US8638148B2 (en) 2009-10-07 2014-01-28 Fairchild Semiconductor Corporation Edge rate control
CN106655749B (zh) * 2016-11-16 2023-09-22 杰华特微电子股份有限公司 一种电源控制电路及应用其的开关电源
CN114337203B (zh) * 2021-12-31 2024-03-22 上海晶丰明源半导体股份有限公司 一种用于开关电源的低功耗驱动电路以及开关电源系统

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5852378A (en) * 1997-02-11 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Low-skew differential signal converter
DE19821458C1 (de) * 1998-05-13 1999-11-18 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Erzeugung komplementärer Signale

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4653752B2 (ja) * 2003-06-12 2011-03-16 フェアチャイルド セミコンダクター コーポレイション バッファにおける伝搬遅延及びプロセス及び温度の影響を低減する方法
JP2016012772A (ja) * 2014-06-27 2016-01-21 ローム株式会社 信号処理装置

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