JP2003017469A - エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 - Google Patents
エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法Info
- Publication number
- JP2003017469A JP2003017469A JP2001197887A JP2001197887A JP2003017469A JP 2003017469 A JP2003017469 A JP 2003017469A JP 2001197887 A JP2001197887 A JP 2001197887A JP 2001197887 A JP2001197887 A JP 2001197887A JP 2003017469 A JP2003017469 A JP 2003017469A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency power
- ashing
- high frequency
- upper electrode
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングと同一の容器を用いてアッシング
を行うとアッシングレートが遅くなる。また、エッチン
グ容器をそのままアッシングに使用するとアッシング後
に残渣が残る。 【解決手段】 本発明のエッチング兼アッシング装置１
は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向
して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、こ
れら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を
印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシ
ング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供
給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時に
は第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力
を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４
に高周波電力を印加する。
を行うとアッシングレートが遅くなる。また、エッチン
グ容器をそのままアッシングに使用するとアッシング後
に残渣が残る。 【解決手段】 本発明のエッチング兼アッシング装置１
は、チャンバー２内の上部電極１１と、この下方に対向
して配設され且つウエハＷを載置するサセプタ４と、こ
れら両者１１、４それぞれに第１、第２の高周波電力を
印加する第１、第２の高周波電源２０、２２と、アッシ
ング用ガス及びエッチング用ガスを供給する処理ガス供
給源１６とを備え、アッシング時またはエッチング時に
は第１の高周波電源２０から上部電極１１に高周波電力
を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ４
に高周波電力を印加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング兼アッ
シング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理
方法に関する。
シング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
アッシングはエッチング容器とは別の容器を用いて例え
ば２５枚の被処理体をバッチ処理している。このように
従来はアッシングとエッチングをそれぞれ別の容器内で
行うため、これら一連の処理には多くの時間が掛かって
いる。これらの処理を同一の容器を用いて行えば、これ
らの処理時間を短縮することができる。
アッシングはエッチング容器とは別の容器を用いて例え
ば２５枚の被処理体をバッチ処理している。このように
従来はアッシングとエッチングをそれぞれ別の容器内で
行うため、これら一連の処理には多くの時間が掛かって
いる。これらの処理を同一の容器を用いて行えば、これ
らの処理時間を短縮することができる。
【０００３】しかしながら、エッチングと同一の容器を
用いてアッシングを行うと概してアッシングレートが遅
くなる。アッシングレートが例えば１μｍ／分以下と遅
ければ、バッチ処理を行う方が一連の処理を速く行うこ
とができ、同一の容器を用いる利点が得られない。ま
た、このようなエッチング容器をそのままアッシングに
使用するとアッシング後に残渣が残る。
用いてアッシングを行うと概してアッシングレートが遅
くなる。アッシングレートが例えば１μｍ／分以下と遅
ければ、バッチ処理を行う方が一連の処理を速く行うこ
とができ、同一の容器を用いる利点が得られない。ま
た、このようなエッチング容器をそのままアッシングに
使用するとアッシング後に残渣が残る。
【０００４】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもの、処理後に残渣を残すことなく高速でアッシン
グを行うことができるエッチング兼アッシング装置、ア
ッシング装置、アッシング方法及び処理方法を提供する
ことを目的としている。
れたもの、処理後に残渣を残すことなく高速でアッシン
グを行うことができるエッチング兼アッシング装置、ア
ッシング装置、アッシング方法及び処理方法を提供する
ことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のエッチング兼アッシング装置は、容器内の上部に配設
された上部電極と、この上部電極の下方にこれと対向し
て配設され且つ被処理体を載置する下部電極と、これら
両電極それぞれに第１、第２の高周波電力を印加する第
１、第２の高周波電源と、アッシング用ガス及びエッチ
ング用ガスを供給するガス供給手段とを備え、アッシン
グ時には第１の高周波電源から上記上部電極に高周波電
力を印加すると共に第２の高周波電源から上記下部電極
に高周波電力を印加することを特徴とするものである。
のエッチング兼アッシング装置は、容器内の上部に配設
された上部電極と、この上部電極の下方にこれと対向し
て配設され且つ被処理体を載置する下部電極と、これら
両電極それぞれに第１、第２の高周波電力を印加する第
１、第２の高周波電源と、アッシング用ガス及びエッチ
ング用ガスを供給するガス供給手段とを備え、アッシン
グ時には第１の高周波電源から上記上部電極に高周波電
力を印加すると共に第２の高周波電源から上記下部電極
に高周波電力を印加することを特徴とするものである。
【０００６】また、本発明の請求項２に記載のアッシン
グ装置は、容器内の上部に配設された上部電極と、この
上部電極の下方にこれと対向して配設され且つ被処理体
を載置する下部電極と、これら両電極それぞれに第１、
第２の高周波電力を印加する第１、第２の高周波電源
と、アッシング用ガスを供給するガス供給手段とを備
え、アッシング時には第１の高周波電源から上記上部電
極に高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源から
上記下部電極に高周波電力を印加することを特徴とする
ものである。
グ装置は、容器内の上部に配設された上部電極と、この
上部電極の下方にこれと対向して配設され且つ被処理体
を載置する下部電極と、これら両電極それぞれに第１、
第２の高周波電力を印加する第１、第２の高周波電源
と、アッシング用ガスを供給するガス供給手段とを備
え、アッシング時には第１の高周波電源から上記上部電
極に高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源から
上記下部電極に高周波電力を印加することを特徴とする
ものである。
【０００７】また、本発明の請求項３に記載のアッシン
グ方法は、容器内にアッシング用ガスを供給し、上記容
器内の上部電極に第１の高周波電力を印加すると共に上
記上部電極と対向する下部電極に第２の高周波電力を印
加して上記下部電極上の被処理体にアッシングを行うこ
とを特徴とするものである。
グ方法は、容器内にアッシング用ガスを供給し、上記容
器内の上部電極に第１の高周波電力を印加すると共に上
記上部電極と対向する下部電極に第２の高周波電力を印
加して上記下部電極上の被処理体にアッシングを行うこ
とを特徴とするものである。
【０００８】また、本発明の請求項４に記載のアッシン
グ方法は、請求項３に記載の発明において、上記上部電
極に１０００〜１６００Ｗの高周波電力を印加すること
を特徴とするものである。
グ方法は、請求項３に記載の発明において、上記上部電
極に１０００〜１６００Ｗの高周波電力を印加すること
を特徴とするものである。
【０００９】また、本発明の請求項５に記載のアッシン
グ方法は、請求項３または請求項４に記載の発明におい
て、上記下部電極に１８０〜２２０Ｗの高周波電力を印
加することを特徴とするものである。
グ方法は、請求項３または請求項４に記載の発明におい
て、上記下部電極に１８０〜２２０Ｗの高周波電力を印
加することを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項６に記載のアッシン
グ方法は、容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加
すると共に上記上部電極と対向する下部電極に第２の高
周波電力を印加してエッチングによる溝が形成された被
処理体をアッシングする時、上記容器内の圧力を５０〜
１００ｍＴｏｒｒに設定することを特徴とするものであ
る。
グ方法は、容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加
すると共に上記上部電極と対向する下部電極に第２の高
周波電力を印加してエッチングによる溝が形成された被
処理体をアッシングする時、上記容器内の圧力を５０〜
１００ｍＴｏｒｒに設定することを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、本発明の請求項７に記載のアッシン
グ方法は、容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加
すると共に上記上部電極と対向する下部電極に第２の高
周波電力を印加してエッチングによる溝が形成された被
処理体をアッシングする時、アッシング用ガスとしての
酸素ガスの流量を１００〜２００ｓｃｃｍに設定するこ
とを特徴とするものである。
グ方法は、容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加
すると共に上記上部電極と対向する下部電極に第２の高
周波電力を印加してエッチングによる溝が形成された被
処理体をアッシングする時、アッシング用ガスとしての
酸素ガスの流量を１００〜２００ｓｃｃｍに設定するこ
とを特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項８に記載の処理方法
は、容器内にエッチング用ガスを供給する工程と、上記
容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加すると共に
上記上部電極と対向する下部電極に第２の高周波電力を
印加して上記被処理体にエッチングを行う工程と、同一
の容器内にアッシング用ガスを供給する工程と、上記各
電極にそれぞれの高周波電力を印加して上記被処理体に
アッシングを行う工程とを備えたことを特徴とするもの
である。
は、容器内にエッチング用ガスを供給する工程と、上記
容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加すると共に
上記上部電極と対向する下部電極に第２の高周波電力を
印加して上記被処理体にエッチングを行う工程と、同一
の容器内にアッシング用ガスを供給する工程と、上記各
電極にそれぞれの高周波電力を印加して上記被処理体に
アッシングを行う工程とを備えたことを特徴とするもの
である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図４に示す実施形態
に基づいて本発明を説明する。図１は本発明の一実施形
態に係るプラズマ処理装置を模式的に示す断面図であ
る。このプラズマ処理装置は、図１に示すように、電極
板が上下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接
続された容量結合型平行平板のエッチング兼アッシング
装置として構成されている。
に基づいて本発明を説明する。図１は本発明の一実施形
態に係るプラズマ処理装置を模式的に示す断面図であ
る。このプラズマ処理装置は、図１に示すように、電極
板が上下平行に対向し、一方にプラズマ形成用電源が接
続された容量結合型平行平板のエッチング兼アッシング
装置として構成されている。
【００１４】本実施形態のエッチング兼アッシング装置
１は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）
されたアルミニウムからなる円筒状に形成された容器
（チャンバー）２を有している。このチャンバー２は保
安接地されている。このチャンバー２内の底部にはセラ
ミック等の絶縁板３を介して被処理体（例えば、ウエ
ハ）Ｗを載置するための略円柱状のサセプタ４を支持す
るサセプタ支持台５が配設され、このサセプタ４は下部
電極として構成されている。また、このサセプタ４には
ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）６が接続されている。
１は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）
されたアルミニウムからなる円筒状に形成された容器
（チャンバー）２を有している。このチャンバー２は保
安接地されている。このチャンバー２内の底部にはセラ
ミック等の絶縁板３を介して被処理体（例えば、ウエ
ハ）Ｗを載置するための略円柱状のサセプタ４を支持す
るサセプタ支持台５が配設され、このサセプタ４は下部
電極として構成されている。また、このサセプタ４には
ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）６が接続されている。
【００１５】上記サセプタ支持台５内には冷媒室５Ａが
設けられ、この冷媒室５Ａには冷媒が冷媒導入管５Ｂを
介して導入される。この冷媒は冷媒導入管５Ｂを介して
冷媒室５Ａを循環し、その冷熱でサセプタ４を介してウ
エハＷを冷却し、ウエハＷの上面を所定の温度に制御す
る。
設けられ、この冷媒室５Ａには冷媒が冷媒導入管５Ｂを
介して導入される。この冷媒は冷媒導入管５Ｂを介して
冷媒室５Ａを循環し、その冷熱でサセプタ４を介してウ
エハＷを冷却し、ウエハＷの上面を所定の温度に制御す
る。
【００１６】上記サセプタ４の上面中央部には円形状の
突出部が形成され、この突出部上に略同一径の静電チャ
ック７が配設されている。この静電チャック７は絶縁部
材によって形成され、その内部に電極板７Ａが介在して
いる。この電極板７Ａには高圧直流電源８が接続され、
この高圧直流電源８から電極板７Ａに対して例えば１．
５ｋＶの直流電圧を印加し、静電チャック７表面に発生
する静電気でウエハＷを吸着する。
突出部が形成され、この突出部上に略同一径の静電チャ
ック７が配設されている。この静電チャック７は絶縁部
材によって形成され、その内部に電極板７Ａが介在して
いる。この電極板７Ａには高圧直流電源８が接続され、
この高圧直流電源８から電極板７Ａに対して例えば１．
５ｋＶの直流電圧を印加し、静電チャック７表面に発生
する静電気でウエハＷを吸着する。
【００１７】上記絶縁板３、サセプタ４、サセプタ支持
台５及び静電チャック７にはガス通路９が形成され、こ
のガス通路９はサセプタ４内で分岐して静電チャック７
表面の複数箇所で開口している。ガス通路９には例えば
Ｈｅガスを熱伝達媒体として供給し、サセプタ４の冷熱
をウエハＷの裏面に円滑に伝達し、ウエハＷを所定の温
度に維持するようにしてある。
台５及び静電チャック７にはガス通路９が形成され、こ
のガス通路９はサセプタ４内で分岐して静電チャック７
表面の複数箇所で開口している。ガス通路９には例えば
Ｈｅガスを熱伝達媒体として供給し、サセプタ４の冷熱
をウエハＷの裏面に円滑に伝達し、ウエハＷを所定の温
度に維持するようにしてある。
【００１８】上記サセプタ４の突出部の外側には例えば
シリコン等の導電性材料によって形成されたフォーカス
リング１０が配設され、このフォーカスリング１０を介
してウエハＷに対して均一なエッチングまたはアッシン
グを施すようにしてある。
シリコン等の導電性材料によって形成されたフォーカス
リング１０が配設され、このフォーカスリング１０を介
してウエハＷに対して均一なエッチングまたはアッシン
グを施すようにしてある。
【００１９】上記サセプタ４の上方には中空円盤状の上
部電極１１が配設され、この上部電極１１はサセプタ４
と隙間を介して平行に配置されている。この上部電極１
１は、例えばシリコン、炭化珪素、アモルファスカーボ
ン等によって形成され且つサセプタ４と対向する電極板
１１Ａと、この電極板１１Ａを支持し且つ例えば表面が
アルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体
１１Ｂとを有している。電極板１１Ａには多数の孔１１
Ｃが形成され、これらの孔１１Ｃを介してアッシング用
ガスまたはエッチング用ガスをチャンバー２内に供給す
る。また、電極支持体１１Ｂの上面中央にはガス導入管
１１Ｄが形成され、このガス導入管１１Ｄが絶縁部材１
２を介してチャンバー２の上面で支持されている。尚、
サセプタ４と上部電極１１間の隙間は例えば１０〜６０
ｍｍに設定されている。
部電極１１が配設され、この上部電極１１はサセプタ４
と隙間を介して平行に配置されている。この上部電極１
１は、例えばシリコン、炭化珪素、アモルファスカーボ
ン等によって形成され且つサセプタ４と対向する電極板
１１Ａと、この電極板１１Ａを支持し且つ例えば表面が
アルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体
１１Ｂとを有している。電極板１１Ａには多数の孔１１
Ｃが形成され、これらの孔１１Ｃを介してアッシング用
ガスまたはエッチング用ガスをチャンバー２内に供給す
る。また、電極支持体１１Ｂの上面中央にはガス導入管
１１Ｄが形成され、このガス導入管１１Ｄが絶縁部材１
２を介してチャンバー２の上面で支持されている。尚、
サセプタ４と上部電極１１間の隙間は例えば１０〜６０
ｍｍに設定されている。
【００２０】上記ガス導入管１１Ｄにはガス供給管１３
が接続され、このガス供給管１３にはバルブ１４、マス
フローコントローラ１５を介して処理ガス供給源１６が
接続され、この処理ガス供給源１６からエッチングまた
はアッシングに用いられるガスを供給する。エッチング
用ガスとしては、例えばフロロカーボンガスを含有する
ガスが好ましい。また、アッシング用ガスとしては、例
えばＯ２ガスが好ましい。
が接続され、このガス供給管１３にはバルブ１４、マス
フローコントローラ１５を介して処理ガス供給源１６が
接続され、この処理ガス供給源１６からエッチングまた
はアッシングに用いられるガスを供給する。エッチング
用ガスとしては、例えばフロロカーボンガスを含有する
ガスが好ましい。また、アッシング用ガスとしては、例
えばＯ２ガスが好ましい。
【００２１】上記チャンバー２の底部には排気管１７が
接続され、この排気管１７には排気装置１８が接続され
ている。排気装置１８はターボ分子ポンプ等の真空ポン
プを備え、この真空ポンプを介してチャンバー２内を例
えば１００ｍＴｏｒｒ以下の所定圧力まで真空引きして
減圧雰囲気を形成する。また、チャンバー２の側壁には
ゲートバルブ１９が配設され、このゲートバルブ１９を
開いた状態でウエハＷを搬出入する。
接続され、この排気管１７には排気装置１８が接続され
ている。排気装置１８はターボ分子ポンプ等の真空ポン
プを備え、この真空ポンプを介してチャンバー２内を例
えば１００ｍＴｏｒｒ以下の所定圧力まで真空引きして
減圧雰囲気を形成する。また、チャンバー２の側壁には
ゲートバルブ１９が配設され、このゲートバルブ１９を
開いた状態でウエハＷを搬出入する。
【００２２】而して、上記上部電極１１には第１の高周
波電源２０が整合器２０Ａを介して接続され、第１の高
周波電源２０から６０ＭＨｚの周波数を有する高周波電
力を上部電極１１に印加する。また、上部電極１１には
ローパスフィルタ（ＬＰＦ）２１が接続されている。
波電源２０が整合器２０Ａを介して接続され、第１の高
周波電源２０から６０ＭＨｚの周波数を有する高周波電
力を上部電極１１に印加する。また、上部電極１１には
ローパスフィルタ（ＬＰＦ）２１が接続されている。
【００２３】上記サセプタ４として用いられる下部電極
には第２の高周波電源２２が整合器２２Ａを介して接続
され、第２の高周波電源２２から２ＭＨｚの周波数を有
する高周波電力を下部電極に印加し、ウエハＷに対して
ダメージを与えることなく適切なイオン作用を与える。
には第２の高周波電源２２が整合器２２Ａを介して接続
され、第２の高周波電源２２から２ＭＨｚの周波数を有
する高周波電力を下部電極に印加し、ウエハＷに対して
ダメージを与えることなく適切なイオン作用を与える。
【００２４】次に、本発明の処理方法を上記エッチング
兼アッシング装置１の動作と共に説明する。例えば、ウ
エハＷに形成されたレジスト膜をアッシングする場合に
ついて説明する。ウエハＷとしては例えば図２及び図３
に示すものがある。図２に示すウエハＷは、Ｓｉ層と、
このＳｉ層の表面に形成されたＳｉＮ膜と、このＳｉＮ
層の表面に形成されたＳｉＯ２層と、このＳｉＯ２層の
表面に形成されたフォトレジスト膜Ｒとを有している。
そして、同図に示すようにＳｉＯ２層にコンタクトホー
ルＨが形成されている。また、Ｓｉ層は導電性膜層とし
て形成され、導電性膜層としては、Ｓｉの他、Ｗ（タン
グステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）、Ｍｏ
（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等
によって形成されたものであっても良い。また、図３に
示すウエハＷ１は、図２に示すウエハＷと同様のＳｉ
層、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ２層及びフォトレジスト膜Ｒを有
し、デュアルダマシン構造になっている。
兼アッシング装置１の動作と共に説明する。例えば、ウ
エハＷに形成されたレジスト膜をアッシングする場合に
ついて説明する。ウエハＷとしては例えば図２及び図３
に示すものがある。図２に示すウエハＷは、Ｓｉ層と、
このＳｉ層の表面に形成されたＳｉＮ膜と、このＳｉＮ
層の表面に形成されたＳｉＯ２層と、このＳｉＯ２層の
表面に形成されたフォトレジスト膜Ｒとを有している。
そして、同図に示すようにＳｉＯ２層にコンタクトホー
ルＨが形成されている。また、Ｓｉ層は導電性膜層とし
て形成され、導電性膜層としては、Ｓｉの他、Ｗ（タン
グステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）、Ｍｏ
（モリブデン）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）等
によって形成されたものであっても良い。また、図３に
示すウエハＷ１は、図２に示すウエハＷと同様のＳｉ
層、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ２層及びフォトレジスト膜Ｒを有
し、デュアルダマシン構造になっている。
【００２５】例えば図２に示すウエハＷを処理を行う場
合にはまず、ゲートバルブを開放した後、ウエハＷをチ
ャンバー２内へ搬入し、静電チャック７上に載置する。
そして、高圧直流電源８から静電チャック７に直流電圧
を印加し、静電チャック７のクーロン力でウエハＷを静
電チャック７上に固定する。次いで、ゲートバルブ１９
を閉じた後、排気装置１８を介してチャンバー２内を所
定の圧力まで真空引きして減圧雰囲気を形成する。
合にはまず、ゲートバルブを開放した後、ウエハＷをチ
ャンバー２内へ搬入し、静電チャック７上に載置する。
そして、高圧直流電源８から静電チャック７に直流電圧
を印加し、静電チャック７のクーロン力でウエハＷを静
電チャック７上に固定する。次いで、ゲートバルブ１９
を閉じた後、排気装置１８を介してチャンバー２内を所
定の圧力まで真空引きして減圧雰囲気を形成する。
【００２６】その後、バルブ１４を開放し、ガス供給源
１６からエッチング用ガスをマスフローコントローラ１
５でＣＦ４を８０ｓｃｃｍ、Ａｒを４００ｓｃｃｍに調
整しながら上部電極１１からチャンバー２内へ供給し、
チャンバー２内の圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定し、更に
第１の高周波電源２０から上部電極に６０ＭＨｚ、１５
００Ｗの高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源
２２からサセプタ４に２ＭＨｚ、１０００Ｗの高周波電
力を印加し、エッチング用ガスをプラズマ化してウエハ
ＷのＳｉＯ２層を５分間エッチングする。
１６からエッチング用ガスをマスフローコントローラ１
５でＣＦ４を８０ｓｃｃｍ、Ａｒを４００ｓｃｃｍに調
整しながら上部電極１１からチャンバー２内へ供給し、
チャンバー２内の圧力を５０ｍＴｏｒｒに設定し、更に
第１の高周波電源２０から上部電極に６０ＭＨｚ、１５
００Ｗの高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源
２２からサセプタ４に２ＭＨｚ、１０００Ｗの高周波電
力を印加し、エッチング用ガスをプラズマ化してウエハ
ＷのＳｉＯ２層を５分間エッチングする。
【００２７】その後、エッチング用ガスをアッシング用
ガスのＯ２に切り替え、バルブ１４を開放し、ガス供給
源１６からアッシング用ガスをマスフローコントローラ
１５でガス流量を２００ｓｃｃｍに調整しながら上部電
極１１からチャンバー２内へ供給し、チャンバー２内の
圧力を１０ｍＴｏｒｒに設定し、更に第１の高周波電源
２０から上部電極に６０ＭＨｚ、１５００Ｗの高周波電
力を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ
４に２ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を印加し、アッシ
ング用ガスをプラズマ化してウエハＷ表面のレジスト膜
Ｒを１分間アッシングする。実際にアッシングした結
果、アッシングレートは１．２μｍ／分であった。ここ
で、アッシング時の第１の高周波電源２０の高周波電力
は１０００〜１６００Ｗが好ましい。この高周波電力が
小さすぎるとエッチングホールの肩部の削れが多くなる
虞があり、逆に大きすぎると残渣が残る虞がある。ま
た、第２の高周波電源２２の高周波電力は１８０〜２２
０Ｗが好ましい。この高周波電力が小さすぎると残渣が
残り、更にアッシングレートの低下やアッシングレート
の面内均一性が悪化する虞があり、逆に大きすぎるとエ
ッチングホールの肩部の削れが多くなる虞がある。
ガスのＯ２に切り替え、バルブ１４を開放し、ガス供給
源１６からアッシング用ガスをマスフローコントローラ
１５でガス流量を２００ｓｃｃｍに調整しながら上部電
極１１からチャンバー２内へ供給し、チャンバー２内の
圧力を１０ｍＴｏｒｒに設定し、更に第１の高周波電源
２０から上部電極に６０ＭＨｚ、１５００Ｗの高周波電
力を印加すると共に第２の高周波電源２２からサセプタ
４に２ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を印加し、アッシ
ング用ガスをプラズマ化してウエハＷ表面のレジスト膜
Ｒを１分間アッシングする。実際にアッシングした結
果、アッシングレートは１．２μｍ／分であった。ここ
で、アッシング時の第１の高周波電源２０の高周波電力
は１０００〜１６００Ｗが好ましい。この高周波電力が
小さすぎるとエッチングホールの肩部の削れが多くなる
虞があり、逆に大きすぎると残渣が残る虞がある。ま
た、第２の高周波電源２２の高周波電力は１８０〜２２
０Ｗが好ましい。この高周波電力が小さすぎると残渣が
残り、更にアッシングレートの低下やアッシングレート
の面内均一性が悪化する虞があり、逆に大きすぎるとエ
ッチングホールの肩部の削れが多くなる虞がある。
【００２８】以上説明したように本実施形態によれば、
エッチング兼アッシング装置１を用いて第１の高周波電
源２０から上部電極１１に高周波電力を印加すると共に
第２の高周波電源２２からサセプタ４に高周波電力を印
加してエッチングに続きアッシングを行うようにしたた
め、チャンバー２内に残渣を残すことなく、しかも高速
でアッシングを行うことができる。また、第１の高周波
電源２０の周波数及び電力を６０ＭＨｚ及び１０００〜
１６００Ｗに設定すると共に第２の高周波電源２２の周
波数及び電力を２ＭＨｚ及び１８０〜２２０Ｗに設定す
ることでより確実に残渣を残すことなく、高速でアッシ
ングを行うことができ、しかもエッチングホールの肩部
の削れを防止して良好なアッシングを行うことができ
る。
エッチング兼アッシング装置１を用いて第１の高周波電
源２０から上部電極１１に高周波電力を印加すると共に
第２の高周波電源２２からサセプタ４に高周波電力を印
加してエッチングに続きアッシングを行うようにしたた
め、チャンバー２内に残渣を残すことなく、しかも高速
でアッシングを行うことができる。また、第１の高周波
電源２０の周波数及び電力を６０ＭＨｚ及び１０００〜
１６００Ｗに設定すると共に第２の高周波電源２２の周
波数及び電力を２ＭＨｚ及び１８０〜２２０Ｗに設定す
ることでより確実に残渣を残すことなく、高速でアッシ
ングを行うことができ、しかもエッチングホールの肩部
の削れを防止して良好なアッシングを行うことができ
る。
【００２９】また、上記エッチング兼アッシング装置１
を用いて図３、図４に示すデュアルダマシン構造のウエ
ハＷ１の溝Ｇを形成するエッチングを行い、その後アッ
シングを行う。アッシングを行う時には、第１の高周波
電源２０から上部電極１１に６０ＭＨｚ、１５００Ｗの
高周波電力を印加すると共に、第２の高周波電源２２か
らサセプタ４に２ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を印加
する。また、アッシング用ガスとしてのＯ２の流量は１
００〜２００sccmが好ましい。この流量が少なすぎると
アッシングレートが落ちたり、アッシングレートの面内
均一性が悪くなる虞があり、逆に多すぎると残渣が残る
虞がある。また、チャンバー２内の圧力は５０〜１００
ｍＴｏｒｒが好ましい。この圧力が低すぎると残渣が残
る虞があり、逆に高すぎるとアッシングレートの面内均
一性が悪くなる虞がある。実際に、Ｏ２の流量を２００
sccmに設定し、チャンバー２内の圧力を１００ｍＴｏｒ
ｒに設定してアッシングを行ったところ、残渣が残ら
ず、１．７μｍ／分のアッシングレートが得られた。
を用いて図３、図４に示すデュアルダマシン構造のウエ
ハＷ１の溝Ｇを形成するエッチングを行い、その後アッ
シングを行う。アッシングを行う時には、第１の高周波
電源２０から上部電極１１に６０ＭＨｚ、１５００Ｗの
高周波電力を印加すると共に、第２の高周波電源２２か
らサセプタ４に２ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を印加
する。また、アッシング用ガスとしてのＯ２の流量は１
００〜２００sccmが好ましい。この流量が少なすぎると
アッシングレートが落ちたり、アッシングレートの面内
均一性が悪くなる虞があり、逆に多すぎると残渣が残る
虞がある。また、チャンバー２内の圧力は５０〜１００
ｍＴｏｒｒが好ましい。この圧力が低すぎると残渣が残
る虞があり、逆に高すぎるとアッシングレートの面内均
一性が悪くなる虞がある。実際に、Ｏ２の流量を２００
sccmに設定し、チャンバー２内の圧力を１００ｍＴｏｒ
ｒに設定してアッシングを行ったところ、残渣が残ら
ず、１．７μｍ／分のアッシングレートが得られた。
【００３０】尚、上記実施形態ではエッチング兼アッシ
ング装置１を例に挙げて本発明の処理方法について説明
したが、本発明のアッシング方法を実施する場合にはエ
ッチング兼アッシング装置１をアッシング専用機として
も使用することができる。要は、本発明は、アッシング
時に第１の高周波電源から上記上部電極に高周波電力を
印加すると共に第２の高周波電源から上記下部電極に高
周波電力を印加するようにしてあれば、上記実施形態に
何等制限されるものではない。
ング装置１を例に挙げて本発明の処理方法について説明
したが、本発明のアッシング方法を実施する場合にはエ
ッチング兼アッシング装置１をアッシング専用機として
も使用することができる。要は、本発明は、アッシング
時に第１の高周波電源から上記上部電極に高周波電力を
印加すると共に第２の高周波電源から上記下部電極に高
周波電力を印加するようにしてあれば、上記実施形態に
何等制限されるものではない。
【００３１】
【発明の効果】本発明の請求項１〜請求項８に記載の発
明によれば、処理後に残渣を残すことなく高速でアッシ
ングを行うことができるエッチング兼アッシング装置、
アッシング装置、アッシング方法及び処理方法を提供す
ることができる。
明によれば、処理後に残渣を残すことなく高速でアッシ
ングを行うことができるエッチング兼アッシング装置、
アッシング装置、アッシング方法及び処理方法を提供す
ることができる。
【図１】本発明のエッチング兼アッシング装置の一実施
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
【図２】図１に示すエッチング兼アッシング装置を用い
て処理するコンタクトホールの形成されたウエハの要部
を拡大して示す断面図である。
て処理するコンタクトホールの形成されたウエハの要部
を拡大して示す断面図である。
【図３】図１に示すエッチング兼アッシング装置を用い
て処理するデュアルダマシン構造のウエハの要部を拡大
して示す断面図である。
て処理するデュアルダマシン構造のウエハの要部を拡大
して示す断面図である。
【図４】図３に示すウエハを示す要部斜視図である。
１ エッチング兼アッシング装置
２ チャンバー
４ チャンバー（下部電極）
１１ 上部電極
１６ 処理ガス供給源
２０ 第１の高周波電源
２２ 第２の高周波電源
Ｗ ウエハ（被処理体）
Claims (8)
- 【請求項１】 容器内の上部に配設された上部電極と、
この上部電極の下方にこれと対向して配設され且つ被処
理体を載置する下部電極と、これら両電極それぞれに第
１、第２の高周波電力を印加する第１、第２の高周波電
源と、アッシング用ガス及びエッチング用ガスを供給す
るガス供給手段とを備え、アッシング時には第１の高周
波電源から上記上部電極に高周波電力を印加すると共に
第２の高周波電源から上記下部電極に高周波電力を印加
することを特徴とするエッチング兼アッシング装置。 - 【請求項２】 容器内の上部に配設された上部電極と、
この上部電極の下方にこれと対向して配設され且つ被処
理体を載置する下部電極と、これら両電極それぞれに第
１、第２の高周波電力を印加する第１、第２の高周波電
源と、アッシング用ガスを供給するガス供給手段とを備
え、アッシング時には第１の高周波電源から上記上部電
極に高周波電力を印加すると共に第２の高周波電源から
上記下部電極に高周波電力を印加することを特徴とする
アッシング装置。 - 【請求項３】 容器内にアッシング用ガスを供給し、上
記容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加すると共
に上記上部電極と対向する下部電極に第２の高周波電力
を印加して上記下部電極上の被処理体にアッシングを行
うことを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項４】 上記上部電極に１０００〜１６００Ｗの
高周波電力を印加することを特徴とする請求項３に記載
のアッシング方法。 - 【請求項５】 上記下部電極に１８０〜２２０Ｗの高周
波電力を印加することを特徴とする請求項３または請求
項４に記載のアッシング方法。 - 【請求項６】 容器内の上部電極に第１の高周波電力を
印加すると共に上記上部電極と対向する下部電極に第２
の高周波電力を印加してエッチングによる溝が形成され
た被処理体をアッシングする時、上記容器内の圧力を５
０〜１００ｍＴｏｒｒに設定することを特徴とするアッ
シング方法。 - 【請求項７】 容器内の上部電極に第１の高周波電力を
印加すると共に上記上部電極と対向する下部電極に第２
の高周波電力を印加してエッチングによる溝が形成され
た被処理体をアッシングする時、アッシング用ガスとし
ての酸素ガスの流量を１００〜２００ｓｃｃｍに設定す
ることを特徴とするアッシング方法。 - 【請求項８】 容器内にエッチング用ガスを供給する工
程と、上記容器内の上部電極に第１の高周波電力を印加
すると共に上記上部電極と対向する下部電極に第２の高
周波電力を印加して上記被処理体にエッチングを行う工
程と、同一の容器内にアッシング用ガスを供給する工程
と、上記各電極にそれぞれの高周波電力を印加して上記
被処理体にアッシングを行う工程とを備えたことを特徴
とする処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001197887A JP2003017469A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001197887A JP2003017469A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017469A true JP2003017469A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19035419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001197887A Pending JP2003017469A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003017469A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093558A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体 |
| JP2008124460A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-29 | Applied Materials Inc | レジスト除去及びレジスト下のフィーチャのファセット制御のためのプラズマ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068454A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法およびプラズマ処理方法 |
| JP2001102361A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2001118830A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001197887A patent/JP2003017469A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068454A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法およびプラズマ処理方法 |
| JP2001102361A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
| JP2001118830A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093558A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体 |
| JP4616605B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法、プラズマ処理装置及び記憶媒体 |
| JP2008124460A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-29 | Applied Materials Inc | レジスト除去及びレジスト下のフィーチャのファセット制御のためのプラズマ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4657473B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6849154B2 (en) | Plasma etching apparatus | |
| JP4578651B2 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置、プラズマエッチング方法 | |
| US8404595B2 (en) | Plasma processing method | |
| JP2000173993A (ja) | プラズマ処理装置およびエッチング方法 | |
| JP2003234331A (ja) | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 | |
| JP2002093776A (ja) | Ｓｉ高速エッチング方法 | |
| JP2000323460A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| WO2003028078A1 (fr) | Dispositif de traitement au plasma | |
| WO2003085716A1 (fr) | Procede de gravure au plasma et dispositif de gravure au plasma | |
| JPH11330215A (ja) | 基板温度制御方法及び装置 | |
| WO2004061928A1 (ja) | 有機系材料膜をプラズマエッチングするための方法および装置 | |
| JP4322484B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP2004087875A (ja) | 絶縁膜のエッチング方法 | |
| JP2002110650A (ja) | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 | |
| JP3062393B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4656364B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US7351665B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program, computer recording medium and recording medium having processing recipe recorded thereon | |
| JP4278915B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP3222859B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US10651077B2 (en) | Etching method | |
| JP2003017469A (ja) | エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 | |
| JPH11330057A (ja) | 酸化膜のエッチング方法 | |
| JP2007250861A (ja) | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP4615290B2 (ja) | プラズマエッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080626 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100617 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100629 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101026 |