JP2003014961A - 有機質・無機質複合導波路及びその製造方法 - Google Patents
有機質・無機質複合導波路及びその製造方法Info
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Abstract
合導波路及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板10,20上に、ポリシラン化合物
からなる溶液を塗布し(S1)、その溶液をベークして
(S2)ポリマ膜を形成し、そのポリマ膜12,22の
表面或いは内部にパルス幅が1000fs以下の超短パ
ルスレーザビームを集光し、照射させながらポリマ膜1
2,22の位置を変位させて高屈折率に変化した光伝搬
層13,23のパターンを、ポリマ膜表面或いは内部に
形成(S3)したものである。
Description
単な方法で作成することができると共に、極低損失特性
を実現することができる有機質・無機質複合導波路及び
その製造方法に関するものである。
開発が活発化している。このポリマ導波路は、低温プロ
セスで簡単に作成することができるので、ガラス材料を
用いたガラス導波路に比して、低コスト化、大型サイズ
化の点で優位性が期待できると考えられてきている。す
なわち、種々の基板上に、有機溶剤に溶けたポリマ溶液
をスピンコーティング法、押出しコーティング法等で塗
布し、その後、低温(≦300℃)で加熱してポリマ膜
とする。ついでフォトリソグラフィやエッチングプロセ
スを用いて略矩形状の高屈折率のコア用ポリマパターン
を得た後に、そのコアパターンを覆うように低屈折率の
ポリマ膜を形成する方法である。
方法で作成する方法として、本発明者は先にフォトブリ
ーチング用ポリマ膜をそれより低屈折率の膜の形成され
た基板上に成膜し、ついで所望のコアパターンの描かれ
たフォトマスクを上記フォトブリーチング用ポリマ膜上
において紫外線光を照射し、上記紫外線光の照射された
フォトブリーチング用のポリマ膜の屈折率を低下せしめ
て側面クラッド層とし、紫外線光の照射されなかった領
域は屈折率の低下のないコア層となる。そしてその後に
上記フォトブリーチング用ポリマ膜を覆うようにし低屈
折率のクラッド用ポリマ膜を成膜することによりポリマ
導波路を実現する方法である。
た従来のポリマ導波路には次のような問題がある。
ぎて実用化が難しい。
よる損失を低減することが難しい。これを低減しようと
して、フッ素化すると、材料自身の耐熱性や取扱性が悪
くなると共に、非常に高価なものになってしまう。
たポリマ導波路は大気中において簡単な方法で作れると
いう特徴があるが、上記固有吸収による損失を下げるこ
とが難しい。
温度変化による屈折率の安定性が悪く、光回路を構成し
ても光特性が変化しやすく実用的な問題点がある。
問題点を解決し、導波路を簡単に製作できる有機質・無
機質複合導波路及びその製造方法を提供することにあ
る。
に、本発明は、ポリシラン化合物からなるポリマ膜の表
面或いは内部にパルス幅が1000fs(femto sec ;
10-15秒)以下の超短パルスレーザビームを集光して
高屈折率に変化させた光伝搬層のパターンを、ポリマ膜
表面或いは内部に形成したことを特徴とする有機質・無
機質複合導波路である。
物が所望配合比で添加されていてもよく、Si原子以外
に炭化水素基、アルコキシ基、または水素原子と結合し
ているものを用いてもよい。
は全てが重水素化されているものを用いてもよい。
たは全部がフッ素化されたものを用いてもよい。
はアルコキシ基からなるものを用いてもよい。
は全部てが重水素化されていてもよい。
または全てがフッ素化されていてもよい。
れたフォトマスクを介して紫外線光が照射されて屈折率
の低下した領域と紫外線光が照射されずに屈折率が低下
しなかった高屈折率領域のパターンからなり、超短パル
スレーザービームは、紫外線が照射されなかった高屈折
率領域に集光、照射され、上記ポリマ膜の屈折率よりも
高い屈折率に変化された光伝搬層が形成されるようにし
てもよい。
りも低い屈折率のクラッド用ポリマ膜が形成されていて
もよい。
で熱処理されていてもよい。
ザービームの照射の前か後のどちらかで行われるように
してもよい。
てもよい。
もよい。
の他に、基板上に有機溶媒に溶かされたポリシラン化合
物の溶液を塗布する工程、その後、100〜480℃の
温度範囲で熱処理して硬化したポリマ膜を得る工程、該
ポリマ膜の表面或いは内部にパルス幅が1000fs以
下の超短パルスレーザービームを集光しながら該集光点
と上記基板との位置を相対的に変化させて高屈折率に変
化した光伝搬層のパターンをポリマ膜の表面或いは内部
に形成する工程を有する有機質・無機質複合導波路の製
造方法である。
物の溶液にシリコーン化合物が所望配合比で添加されて
いてもよい。
ベーク温度範囲に狭くし、その変わりに、光伝搬層のパ
ターンを形成する工程の後に、320〜480℃の温度
範囲でポストベークする工程を設けてもよい。
ーン形状の描かれたフォトマスクをポリマ膜の上に置い
て紫外線光を照射し、その紫外線光照射で屈折率の低下
した領域と紫外線光が照射されずに屈折率が低下しなか
ったパターンを形成する工程を設け、その工程の後に該
紫外線光が照射されなかった領域に超短パルスレーザー
ビームを集光、照射しながら該集光点と上記基板との位
置を相対的に変化させて高屈折率に変化した光伝搬層の
パターンを形成する工程、ポストベークの工程を設ける
ようにしてもよい。
ービーム照射による光伝搬層のパターンを形成する工程
の前に設けてもよい。
にそのポリマ膜の屈折率よりも低い屈折率のクラッド用
ポリマを形成する工程を設けてもよい。
線光照射によるポリマ膜の屈折率パターンを形成する工
程の後に設けてもよい。
添付図面に基づいて詳述する。
合導波路の製造方法の実施の形態を示したものである。
けたポリシラン化合物の溶液を塗布する(工程S1)。
クス、プラスチックス、半導体、強誘電体結晶の他に、
上記材質を組み合わせてできた基板(例えばガラス充填
プラスチックス、酸化膜付きSi基板等)等を用いるこ
とができる。
分岐型ポリシラン化合物を用いることができる。
中に含まれるSi原子の結合状態によって区別される。
いる数(結合数)が3又は4であるSi原子を含むポリ
シラン化合物である。
するSi原子との結合数は2である。通常、Si原子の
原子価は4であるので、ポリシラン中に存在するSi原
子の中で結合数が3以下のものは、Si原子以外に、炭
化水素、アルコキシ基又は水素原子と結合している。こ
のような炭化水素基としては、炭素数1〜10のハロゲ
ンで置換されていてもよい脂肪族炭化水素基、炭素数6
〜14の芳香族炭化水素基が好ましい。
基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、
デシル基、トリフルオロプロピル基及びノナフルオロヘ
キシル基等の鎖状のもの、及びシクロヘキシル基、メチ
ルシクロヘキシル基のような脂環状のもの等が挙げられ
る。
ェニル基、p−トリル基、ビフェニル基及びアントラシ
ル基等が挙げられる。
のが挙げられる。具体例としては、メトキシ基、エトキ
シ基、フェノキシ基、オクチルオキシ基などが挙げられ
る。合成の容易さを考慮すると、これらの中でメチル基
及びフェニル基が特に好ましい。
分岐型ポリシラン中の全体のSi原子数の2%以上であ
ることが好ましい。2%未満のものや直鎖型のポリシラ
ンは結晶性が高く、膜中で微結晶が生成しやすいことに
より散乱の原因となり、透明性が低下する。ただし本発
明の場合には、後述するように上記ポリシラン膜を35
0〜450℃の高温で熱処理することにより無機化さ
せ、かつ、上記膜表面、或いは内部へ超短パルスレーザ
ービームを照射するので、2%未満のものや直鎖型のポ
リシランも適用することができる。
溶かして可溶性のポリマ溶液を作る上で制限され、その
上限値は50%程度である。
化シラン化合物をナトリウムのようなアルカリ金属の存
在下、n−デカンやトルエンのような有機溶媒中におい
て80℃以上に加熱することによる重縮合反応によって
製造することができる。
金属酸化物を用いた方法でも合成可能である。
オルガノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合
物、及びジオルガノジハロシラン化合物からなり、オル
ガノトリハロシラン化合物及びテトラハロシラン化合物
が全体量の2モル%以上であるハロシラン混合物を加熱
して重縮合することにより、目的とする分岐型ポリシラ
ン化合物が得られる。
は、隣接するSi原子との結合数が3であるSi原子源
となり、一方のテトラハロシラン化合物は、隣接するS
i原子との結合数が4であるSi原子源となる。
吸収スペクトルや珪素の核磁気共鳴スペクトルの測定に
より確認することができる。
ノトリハロシラン化合物、テトラハロシラン化合物、及
びジオルガノジハロシラン化合物がそれぞれ有するハロ
ゲン原子は、塩素原子であることが好ましい。
ガノジハロシラン化合物が有するハロゲン原子以外の置
換基としては、上述の炭化水素基、アルコキシ基又は水
素原子が挙げられる。
であり、塗布により透明な膜が成膜できるものであれ
ば、特に限定されない。
は、炭素数5〜12の炭化水素系、ハロゲン炭化水素
系、エーテル系である。
サン、ヘプタン、シクロヘキサン、n−デカン、n−ド
デカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メトキシベン
ゼンなどが挙げられる。
素、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、ジクロロ
メタン、クロロベンゼン等が挙げられる。
ル、ジブチルエーテル、テトラハイドロフラン等が挙げ
られる。
溶液の中にはシリコーン化合物を所望配合比で添加して
もよい。すなわち、ポリシラン化合物に対してのシリコ
ーンの配合比は20〜130wt%の範囲が好ましい。
リマ膜の屈折率は高く、またベーク温度に対する屈折率
の変化量も大きい。シリコーン化合物の添加量が多いほ
ど、ポリマ膜の屈折率は低下するが、40〜90wt%
の範囲ではベーク温度に対する屈折率変化は小さく、シ
リコーン化合物の添加量が95wt%よりも多くなる
と、逆にベーク温度に対する屈折率の変化は大きくな
る。
物の添加量が多いほど良好になる。
うなものを用いる。
1〜10のハロゲン又はグリシジルオキシ基で置換され
ていてもよい脂肪族炭化水素基、炭素数6〜12の芳香
族炭化水素基、炭素数1〜8のアルコキシ基からなる群
から選択される基であり、同一でも異なっていてもよ
い。a,b,c及びdは、0を含む整数であり、a+b
+c+d≧1を満たすものである。
水素基の具体例としては、メチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、トリフルオ
ロプロピル基、グリシジルオキシプロピル基等の鎖状の
もの、及びシクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基
のような脂環式のものが挙げられる。
ェニル基、p−トリル基、ビスフェニル基が挙げられ
る。
トキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、オクチルオキシ
基、ter−ブトキシ基等が挙げられる。
dの値は特に重要ではなく、ポリシラン及び有機溶媒と
相溶し、膜が透明なものであれば特に限定されい。
シランが有する炭化水素基と同じ基を有していることが
好ましい。例えば、ポリシランとして、フェニルメチル
系のものを使用する場合には、同じフェニルメチル系又
はジフェニル系のシリコーン化合物を使用することが好
ましい。
が炭素数1〜8のアルコキシ基であるような、1分子中
にアルコキシ基を2つ以上有するシリコーン化合物は、
架橋剤として利用可能である。そのようなものとして
は、アルコキシ基を15〜35重量%含んだメチルフェ
ニルメトキシシリコーンやフェニルメトキシシリコーン
等を挙げることができる。分子量としては、10,00
0以下、好ましくは3,000以下のものが好適であ
る。
を2%以上のものを用いることにより、その分岐度が高
くなるほど、より光透過率を向上させることができる。
それと共に、添加すべきシリコーン化合物の配合比を前
述したように最適範囲に選ぶことにより、屈折率の熱安
定性を大幅に向上させることができる。
減するために、ポリシラン化合物やシリコーン化合物に
重水素化、あるいは一部または全てがハロゲン化、特に
フッ素化したものを用いれば、上記吸収基による光損失
を大幅に低減することができる。これにより、波長依存
性の極めて少ない低光伝搬損失のポリマ膜を得ることが
できる。
いはアルコキシ基からなるものを用いることによってポ
リシラン化合物の中に均一に添加することができ、しか
もトルエンのような有機溶媒中に容易に可溶してナノメ
ータレベルの超微粒子状溶液となり、上記ポリマ溶液を
用いることにより、光散乱中心のない均一なポリマ膜を
形成することができる。
法としては、スピンコーティング法、押出しコーティン
グ法等を用いる。
板に塗布した溶液のプリベーク(100〜150℃、2
0分)、ポストベーク(320〜480℃、30分)す
る(工程S2)。
発、気化させる程度の温度、すなわち、100〜150
℃の範囲から選ぶのが好ましい。プリベーク時間は10
分から40分程度で十分である。
リシラン化合物として、例えば、フェニルメチルポリシ
ランを用いると、通常のポストベーク温度は、側鎖のフ
ェニル基やメチル基が脱離しない温度で、無機化しない
温度、300℃以下に選ばれる。
ためと、超短パルスレーザービーム照射を行うために3
20〜480℃の範囲でポストベークを行い、無機化し
た膜に変える。480℃を越えると、膜の表面や内部に
クラックが発生しやすいので、クラックの発生しない温
度、できることならば320〜450℃の範囲で行う。
後述するように、超低損失な膜を得ることができると共
に、緻密化して屈折率も低い値を実現することができ
る。
時間以内が好ましい。
めて行い、昇温、保温、降温工程を経るようにして行っ
てもよい。
ク工程S2を終えた膜の内部に、超短パルスレーザビー
ムを集光、照射しつつ、基板の位置をX方向、Y方向、
あるいはX及びY方向に所望速度で移動させて、上記膜
の内部に高屈折率に変化した光伝搬層のパターンを形成
する(工程S3)。
収に基づく現象によって生ずるものと考えられており、
本発明者の実験によれば、上記レーザービームのパワー
が高いほど、基板の移動速度が遅いほど、またパルス幅
が狭いほど高屈折率化を実現できることがわかった。
通常のガラスと比べれば、よりポーラスで軟化点の低い
膜であるので、レーザービームのパワーは高くなくても
よく、またパルス幅も1000fsから数百fsの範囲
で十分に高屈折率化を実現することができた。
照射による膜の高屈折率化(照射後の屈折率ηa と照射
前の屈折率ηb との被屈折率差Δ={(ηa −ηb )/
ηa}×100%)は、工程S2の膜のポストベーク温
度が低いほど、高Δ化が実現できることがわかった。す
なわち、ポストベーク温度が高くなると膜はより無機質
化して屈折率が低下し、このような膜にレーザービーム
を照射すると、照射後の屈折率ηa は、それほど大きく
ならず、逆にポストベーク温度が低いほど(ただし、膜
が無機化する温度範囲で低いほど)、ηa は大きくな
り、高Δ化を実現できることがわかった。なお、この工
程S2は、レーザービーム照射による熱的効果を利用し
てもよい。例えば、上記超短パルスレーザービームのパ
ルス幅1000fsよりも広くし、且つレーザービーム
のスポット径を光伝搬層形成時の径程度か、それより大
きくし、また平均パワーも小さくして行い、その後に、
工程S3を連続的に行ってもよい。すなわち、膜中へ形
成する光伝搬層パターンに沿ってレーザービームによる
加熱工程、及びレーザービームによる高屈折率化した光
伝搬層の形成である。
路の製造方法の第2の実施の形態を示したものである。
点は、工程S1の後、プリベーク(100〜150℃、
20分)のみを行う工程S2Aを行い、次いで、プリベ
ーク膜内部への超短パルスレーザビーム照射による高屈
折率の光伝搬層パターンを形成する工程S3を行った後
に、ポリシラン膜のポストベーク(320〜480℃、
30分)の工程S2Bを行う方法である。
短パルスレーザービームを集光、照射するので、より高
Δ化を図ることができる点にある。
路の製造方法の第3の実施の形態を示したものである。
液塗布の工程S1の後、先ずポリシラン化合物の溶液の
プリベーク(150℃、20分)を行った後に、第1の
ポストベーク(200〜250℃の範囲で30分程度)
の工程S2Cを行う。次いで、工程S2Cの後のポスト
ベークを行った膜上に、所望の光伝搬層パターンの描か
れたフォトマスクを介して紫外線照射し、上記ポストベ
ーキングを行った膜に上記パターンの屈折率変化パター
ンを形成するポリシラン膜のパターニングの工程S3C
を行う。すなわち、上記フォトマスクの紫外線透過部を
通った紫外線照射により、屈折率は低下する。その屈折
率の低下の度合いは紫外線の照射エネルギー(照射パワ
ー、照射時間)による。例えば、上記ポリシラン膜を用
いれば0.数%から6%程度の比屈折率差を得ることが
できる。上記フォトマスクの紫外線非透過部、すなわ
ち、光伝搬層パターン部は、屈折率は変化せず、そのま
まである。
(320〜480℃、30分程度)の工程S2Dを行
う。
たパターン部の膜内部に超短パルスレーザービームを集
光、照射し、高屈折率に変化した光伝搬層パターンを形
成する工程S3Dを行う。
ニングの工程S3Cの段階で、高Δが得られた段階で、
さらにレーザービーム照射で、さらなる高Δ化を実現す
ることができる。また工程S3Cの段階で、光伝搬層と
なり得るパターンが形成され、光伝搬層パターンを形成
する工程S3Dで、上記パターンに沿ってレーザービー
ムを照射するので、高寸法精度の光伝搬層パターンを形
成することができる。
搬層の形成は、上記紫外線照射領域の全域か一部の領域
でもよい。
路の製造方法の第4の実施の形態を示したものである。
実施の形態と工程S1,S2C,S3Cまでは同じであ
る。
と工程S3Dとを入れ換えた点にある。
よるポリシラン膜のパターニングの工程S3Dの後に、
第2のポストベーキング工程S2Dを行う。
に高Δ化を実現することができる。
は、ポリシラン膜のパターニングの工程S3Cの段階
で、高Δパターンが得られた後に第2のポストベーキン
グ工程S2Dを行うと、上記高Δが少し低下するが、図
4の第4の実施の形態では、高Δパターンを得た後に、
超短パルスレーザビームを照射して光伝搬層パターンを
形成する工程S3Dを行うことで、高Δ化を図れるため
である。そして最後に、第2のポストベーキング工程S
2Dを行うことにより、紫外線の照射された領域の屈折
率が下がるので、結果的にさらに高Δ化を実現すること
ができる。
路の製造方法の第5の実施の形態を示したものである。
までは、第3及び第4の実施の形態と同じである。
のパターン部とその両側面の低屈折率部の上にクラッド
用ポリマ溶液を塗布する工程S4を設ける。その後、上
記クラッド用ポリマ溶液のプリベーク(100〜150
℃の範囲で20分程度)、次いでポストベーク(200
〜250℃の範囲で30分)の工程S5を行う。最後に
上記紫外線が照射されなかった高屈折率のパターン部の
内部へ超短パルスレーザービームを集光して照射し、高
屈折率に変化した光伝搬層を形成する工程S3Dを行
う。
ド層で十分に覆われていることである。これにより、さ
らに低損失の導波路を得ることができる。
なポストベーク温度とポリマ膜の伝搬損失との関係につ
いて図6により説明する。
とベーク温度との関係を実験したものである。
5mm)上に形成したポリマ膜(膜厚:約9μm)の伝
搬損失を波長1300nmと1550nmで測定した結
果を示したものである。
板(コーニンググラス社製、厚み0.5mm)上に塗布
したポリマ溶液をプリベーク(150℃,20分)した
後に行うポストベーク(温度t℃、30分間)の温度t
であり、上記温度tを種々変えて作成したポリマ膜の伝
搬損失を縦軸に示している。
分岐度が20%のポリメチルフェニルシランと、メチル
フェニルメトキシリコーンを50%添加したポリマ溶液
である。
が高くなるほど、ポリマ膜の伝搬損失を低くすることが
できる。この結果は本発明者が見いだしたものである。
さらに温度を上げれば、低損失化が可能であるが、基板
との熱膨張係数の違いにより、ポリマ膜中に歪みが生じ
てクラックが入り、逆に伝搬損失が増大する。この熱的
効果によるダメージを防ぐために超短パルスレーザービ
ーム照射による高屈折率変化による三次元導波路の作成
と、熱的ダメージをなくして低損失化を達成するように
したものである。
ルスレーザービームの集光、照射により、Δが1%以上
の高Δ光伝搬層を実現し、また波長1300nm、15
50nmにおける伝搬損失として、図6の結果よりもさ
らに低く、0.01dB/cm以下の超低損失導波路を
実現することができることがわかった。
て、波長800nm、パルス幅200〜1000fs、
パルス繰り返し数十Hz〜数百KHzのものを用いた。
また作成した三次元導波路は上記測定波長においてシン
グルモード導波路であった。
膜厚のベーキング温度依存性の実験例を示したものであ
る。このポリマ膜は図6で説明したものと同じである。
くなるほど、ポリマ膜の屈折率及び膜厚は低下する。な
お屈折率は波長1300nmで測定した結果である。
ムを照射すると、照射された部分の膜の屈折率は0.数
%〜1%程度高くなることがわかった。これは多光子吸
収現象によるものと考えられる。この屈折率が高くなる
現象は、図7のベーク温度を高くすることによって屈折
率が低下する現象と相反するものである。
〜図13に示す。
は図2で説明した工程)で作ることができる第1の三次
元導波路の断面図を示したものである。
ラミック、半導体、強誘電体、あるいはこれらを組み合
わせた材料からなる基板を用いることができる。
でのプリベーク、ポストベークでポリマ膜12とした後
に、超短パルスレーザビーム照射で高屈折率に変化させ
た光伝搬層13を形成するので、基板10には、プラス
チックフィルム、プリント基板等のような低温処理に適
した基板を用いることができ、かつ大気中でのポリマ溶
液の塗布(スピンコーティング,押し出しコーティング
等)で成膜化を行えるので、大面積の基板へ適用できる
という特徴がある。
図、図9(b)は、図9(a)のA−A線断面内におけ
る屈折率分布、図9(c)は、図9(a)のB−B線断
面内における屈折率分布を示したものである。
程あるいは図4の第4の実施の形態の工程を用いて作る
ことができる三次元導波路の断面図を示したもので、基
板20上に、前述したポリシラン化合物のフォトブリー
チング用ポリマ膜21、22A,22Bが形成されてお
り、左右のポリマ膜22A,22Bは、フォトマスクを
介した紫外線照射によって屈折率が低下した領域であ
り、中央のポリマ膜21は、紫外線が照射されなかった
領域であり、この領域内に超短パルスレーザービーム照
射によって高屈折率に変化させられた光伝搬層23が形
成されている。
も高い値ηa となり、またその層内で、レーザービーム
のスポット径内パワー分布に相似したような僅かな屈折
率分布をもっている。
は、紫外線照射によって、低屈折率ηp (ηp <ηa )
になっている。紫外線が照射されなかった中央のポリマ
膜21の領域は、屈折率ηb (ηp <ηb <ηa )にな
っている。
したものである。
1,22A,22Bの上に上部クラッド層24(屈折率
は、ポリマ膜22A,22Bのそれと略等しいかそれよ
りも低い値)を設けた構造であり、図5の第5の実施の
形態の工程によって作られたものである。
し、この第4の三次元導波路は、図10の三次元導波路
において、基板20とポリマ膜21,22A,22Bの
間に低屈折率(屈折率は、ポリマ膜21,22A、上部
クラッド層24のそれと等しいかそれよりも低い値)の
層25を設けた構造の断面図を示したものである。
24をフォトブリーチング用ポリマ材料、あるいはポリ
マ材料で形成すると全ての層を塗布工程で形成すること
ができること、及び低温で形成することができるといっ
た利点が得られる。
したものである。
成し、その低屈折率の層25上に、紫外線を照射したポ
リマ膜22A,22B,22C,22Dと、紫外線が照
射されていないパターン部のポリマ膜21A,21B,
21Cを交互に形成し、その紫外線が照射されていない
ポリマ膜21A,21B,21C内に、高屈折率変化し
た光伝搬層23A,23B,23Cを形成し、さらにポ
リマ膜21A,21B,21C,22A,22B,22
C,22D上に上部クラッド層24を形成すると共にそ
のクラッド層24上に紫外線をカットするための紫外線
カット層26を形成した例である。
したものである。
造にしたものである。
を形成し、その低屈折率の層25上ポリマ層22Fを形
成し、そのポリマ層22F内に光伝搬層23A,23
B,23Cを形成し、上記ポリマ層22Fの上に低屈折
率(屈折率はポリマ層22Fのそれよりも低い値)の中
間層27を介してポリマ層22Gを設け、このポリマ層
22G内に光伝搬層23D,23Eを形成し、さらにそ
のポリマ層22G上に上部クラッド層24を形成した積
層構造導波路である。
例えば高屈折率化された光伝搬層はポリマ膜の内部以外
に、ポリマ膜表面に設けてもよい。そしてその表面に低
屈折率のポリマ層を形成してもよい。
直線パターン、曲線パターン、およびこれらを組み合わ
せたパターンで構成され、光方向性結合回路、光スター
カプラ、光リング共振回路、光フィルタ、アレイ格子型
グレーティング、Y分岐光回路あるいはこれらを組合せ
た光回路などを構成するようにしてもよい。
ン化合物にシリコーン化合物を添加したもの、あるいは
ポリシラン化合物にシリコーン化合物と光酸発生剤(ト
リジアン系、過酸化物等)を添加したものを用いてもよ
い。高屈折率化された光伝搬層は、図13の構造以外
に、更に多層状に積層されたポリマ層の中に設けられて
いてもよい。またその際は、中間層27は必ずしも設け
なくてもよい。
折率の層35を形成し、その低屈折率の層35上に、第
1の光伝搬層パターンが描かれているフォトマスクを介
して紫外線照射して高屈折率の第1の光伝搬層32とそ
の側面に低屈折率化された側面クラッド層31A,31
Bを形成した後に、上記第1の光伝搬層32に超短パル
スレーザビームを集光、照射してさらに高屈折率の光伝
搬層33に変え、さらに上部クラッド層34を形成する
ようにすれば、パターン寸法精度のよい光伝搬層をより
高Δで実現することができる。
な効果を奏する。 (1)ガラス導波路の損失と同程度かそれよりもさらに
低損失を実現することができ、しかも従来のガラス導波
路の製造方法に比して圧倒的に簡単で安価な製造方法で
作ることができる。すなわち、大気中において、塗布工
程と500℃以下の加熱工程、超短パルスレーザービー
ム照射工程、場合によっては紫外線照射工程の併用で作
製することができる。またプラスチックフィルム、プリ
ント基板等の超大型の基板上に形成することができるの
で高集積化した高機能光回路を構成することができる。
さらに低温工程で作れるので、基板の反りを起こすこと
なく、光学特性の劣化も少ない。 (2)CH基による吸収損失も320〜480℃の温度
で無機化することにより、また超短パルスレーザービー
ムを照射することにより、ほとんどなくすことができ、
広い波長域にわたって超低損失な三次元型光回路を実現
することができる。 (3)温度変化による屈折率の安定性も320〜480
℃のポストベーク温度でベーキングしてポリシラン膜
(あるいはシリコーンや光酸発生剤を添加したポリシラ
ン膜)を無機化することにより、良好にすることがで
き、さらに超短パルスレーザービーム照射でさらなる無
機化を図り、温度変化に対して屈折率変化が少ない光伝
搬層を実現することができる。 (4)三次元導波路をポリマ溶液の塗布からスタート
し、それのポリマ膜化および無機化、レーザービーム照
射による光伝搬層の形成化等を行い、低コストで超低損
失な光回路を実現することができる。 (5)フォトブリーチングポリマ層上に第1の光伝搬層
パターンの描かれているフォトマスクを介して紫外線を
照射して高屈折率の第1の光伝搬層パターンを形成した
後に、その第1の光伝搬層パターンに沿って超短パルス
レーザービームを照射することによって、その第1の光
伝搬層をさらに高屈折率化すると共に、パターン寸法精
度のよい第2の光伝搬層を第1の光伝搬層内に形成する
ことができるので、散乱損失の低い超低損失・超小型・
高Δ導波路およびそれを用いた光回路を実現することが
できる。 (6)基板として、プリント基板やプラスチックフィル
ム等の耐熱温度の低い基板を用いることができるので、
LSIやL,C,R等の電気部品の搭載された基板上に
光配線回路、光信号処理を超低損失で実現することが可
能となる。
ング温度の関係を示す図である。
ーク温度依存性を示す図である。
の断面図である。
の断面とその屈折率を示す図である。
路の断面図である。
路の断面図である。
路の断面図である。
路の断面図である。
路の断面図である。
Claims (19)
- 【請求項1】 ポリシラン化合物からなるポリマ膜の表
面或いは内部にパルス幅が1000fs以下の超短パル
スレーザビームを集光して高屈折率に変化させた光伝搬
層のパターンを、ポリマ膜表面或いは内部に形成したこ
とを特徴とする有機質・無機質複合導波路。 - 【請求項2】 ポリシラン化合物にはシリコーン化合物
が所望配合比で添加されている請求項1記載の有機質・
無機質複合導波路。 - 【請求項3】 ポリシラン化合物は、Si原子以外に炭
化水素基、アルコキシ基、または水素原子と結合してい
るものを用いた請求項1または2記載の有機質・無機質
複合導波路。 - 【請求項4】 ポリシラン化合物は、その一部または全
てが重水素化されているものを用いた請求項1〜3いず
れかに記載の有機質・無機質複合導波路。 - 【請求項5】 ポリシラン化合物は、その一部または全
部がフッ素化されたものを用いた請求項1〜3いずれか
に記載の有機質・無機質複合導波路。 - 【請求項6】 シリコーン化合物は、架橋性、あるいは
アルコキシ基からなるものを用いた請求項2に記載の有
機質・無機質複合導波路。 - 【請求項7】 シリコーン化合物は、その一部または全
てが重水素化されたものを用いた請求項2記載の有機質
・無機質複合導波路。 - 【請求項8】 シリコーン化合物は、その一部または全
てがフッ素化されたものを用いた請求項2に記載の有機
質・無機質複合導波路。 - 【請求項9】 ポリマ膜は所望のパターン形状の描かれ
たフォトマスクを介して紫外線光が照射されて屈折率の
低下した領域と紫外線光が照射されずに屈折率が低下し
なかった高屈折率領域のパターンからなり、超短パルス
レーザービームは、紫外線が照射されなかった高屈折率
領域に集光、照射され、上記ポリマ膜の屈折率よりも高
い屈折率に変化された光伝搬層が形成された請求項1〜
8いずれかに記載の有機質・無機質複合導波路。 - 【請求項10】 ポリマ膜の表面にポリマ膜の屈折率よ
りも低い屈折率のクラッド用ポリマ膜が形成されている
請求項1〜9いずれかに記載の有機質・無機質複合導波
路。 - 【請求項11】 ポリマ膜は320〜480℃の範囲で
熱処理されている請求項1〜10いずれかに記載の有機
質・無機質複合導波路。 - 【請求項12】 ポリマ膜の熱処理は超短パルスレーザ
ービームの照射の前か後のどちらかで行われる請求項1
1に記載の有機質・無機質複合導波路。 - 【請求項13】 ポリマ膜は、基板上に形成されている
請求項1〜12いずれかに記載の有機質・無機質複合導
波路。 - 【請求項14】 ポリマ膜は、複数層積層されている請
求項1〜13いずれかに記載の有機質・無機質複合導波
路。 - 【請求項15】 基板上に有機溶媒に溶かされたポリシ
ラン化合物の溶液を塗布する工程、その後、100〜4
80℃の温度範囲で熱処理して硬化したポリマ膜を得る
工程、該ポリマ膜の表面或いは内部にパルス幅が100
0fs以下の超短パルスレーザービームを集光、照射し
ながら該集光点と上記基板との位置を相対的に変化させ
て高屈折率に変化した光伝搬層のパターンをポリマ膜の
表面或いは内部に形成する工程を有する有機質・無機質
複合導波路の製造方法。 - 【請求項16】 有機溶媒に溶かされたポリシラン化合
物の溶液にシリコーン化合物が所望配合比で添加されて
いる請求項15記載の有機質・無機質複合導波路の製造
方法。 - 【請求項17】 熱処理工程を100〜250℃のプリ
ベーク温度範囲に狭くし、その変わりに、光伝搬層のパ
ターンを形成する工程の後に、320〜480℃の温度
範囲でポストベークする工程を設けた請求項15記載の
有機質・無機質複合導波路の製造方法。 - 【請求項18】 プリベークの工程の他に、所望のパタ
ーン形状の描かれたフォトマスクをポリマ膜の上に置い
て紫外線光を照射し、その紫外線光照射で屈折率の低下
した領域と紫外線光が照射されずに屈折率が低下しなか
ったパターンを形成する工程を設け、その工程の後に該
紫外線光が照射されなかった領域に超短パルスレーザー
ビームを集光、照射しながら該集光点と上記基板との位
置を相対的に変化させて高屈折率に変化した光伝搬層の
パターンを形成する工程、ポストベークの工程を設ける
ようにした請求項17記載の有機質・無機質複合導波路
の製造方法。 - 【請求項19】 ポストベーク工程を超短パルスレーザ
ービーム照射による光伝搬層のパターンを形成する工程
の前に設けた請求項18記載の有機質・無機質複合導波
路の製造方法。
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JP2001194992A JP3692973B2 (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 有機質・無機質複合導波路及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004287396A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路フィルム |
JP2005292298A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Central Glass Co Ltd | 有機無機ハイブリッドガラス状物質とその加工方法 |
JP2008208234A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-09-11 | Institute Of Physical & Chemical Research | 高屈折率ガラス用材料、該材料から得られた高屈折率ガラス、および高屈折率ガラスのパターニング方法 |
JP2009057442A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Institute Of Physical & Chemical Research | 高屈折率組成物 |
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2001
- 2001-06-27 JP JP2001194992A patent/JP3692973B2/ja not_active Expired - Fee Related
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