JP2003014458A

JP2003014458A - 方位センサ

Info

Publication number: JP2003014458A
Application number: JP2001204336A
Authority: JP
Inventors: Takami Ishida; 貴巳石田; Kazuhiro Onaka; 和弘尾中; Shuji Seguchi; 修次瀬口; Kazutoshi Matsumura; 和俊松村
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-07-05
Filing date: 2001-07-05
Publication date: 2003-01-15

Abstract

(57)【要約】【課題】小形化が可能な方位センサを提供することを
目的とする。【解決手段】板状の基板１１と、この基板１１の上面
に設けられ互いに略直角になるように直列に接続された
複数の検出素子１２ａ〜１２ｄと、この検出素子１２ａ
〜１２ｄの各両端部と接続され基板１１の周縁部に形成
された入力電極１３、グランド電極１４、出力電極１５
ａ、１５ｂとを有し、検出素子１２ａ〜１２ｄにバイア
ス磁界が印加されるように基板１１に直接巻回された第
１のコイル１６と、この第１のコイル１６と直交しかつ
検出素子１２ａ〜１２ｄにバイアス磁界が印加されるよ
うに基板１１に巻回された第２のコイル１７とを備えた
ものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気抵抗素子に適当
なバイアス磁界を付与し、地磁気を検出して方位を知る
方位センサに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の方位センサは、図８
（ａ）、（ｂ）および図９（ａ）、（ｂ）に示すような
構造となっていた。

【０００３】図８（ａ）は従来の方位センサの斜視図、
図８（ｂ）は同上面図、図９（ａ）は同図８（ａ）のＡ
−Ａ断面図、図９（ｂ）は同図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図
である。

【０００４】図９（ａ）に示すように、４個の検出素子
１が板状で絶縁材料からなる基板２上に備えられてい
る。この検出素子１は、そのパターンの長手方向に通電
すると電気抵抗がパターンに直交する磁界の強さに応じ
て変化する磁気抵抗効果素子からなる。また、４個の検
出素子１はブリッジ回路を形成しており、その隣り合う
検出素子１はパターンの長手方向が互いに直交しかつ互
いに直列に接続されている。さらに、各検出素子１の各
接続部には、この各接続部を入力端子、２つの出力端
子、グランド端子（それぞれ図示せず）に接続するため
の接続パターン２ａが複数設けられている。

【０００５】基板２は図９（ｂ）に示すように素子ホル
ダー３に備えられた設置台部３ａ上に配置されている。
素子ホルダー３には、図８（ａ）、（ｂ）に示すように
それぞれ所定巻数の銅線等の絶縁被覆された導電線から
なる互いに直交する第１、第２のコイル４ａ、４ｂが巻
回されている。この第１、第２のコイル４ａ、４ｂはそ
れぞれ各検出素子１に対して４５°の方向に位置し、各
検出素子１にバイアス磁界を付与している。

【０００６】第１のコイル４ａは、図９（ｂ）に示すよ
うな上下に欠落部３ｂを有するＨ字状に構成された素子
ホルダー３にこの欠落部３ｂ中を通るように巻回されて
いる。さらに、第２のコイル４ｂが素子ホルダー３の外
周に沿うように第１のコイル４ａの外側に巻回し、さら
に、第２のコイル４ｂは方位センサの４隅において第２
のコイル４ｂの下端から上方までの高さを有する図８
（ａ）に示す棒状部３ｃの間を通っている。なお、各棒
状部３ｃの下面には方位センサを安定させるための足部
３ｄが設けられている。

【０００７】ここで、この方位センサによって方位が検
知できる理由について説明する。

【０００８】まず、第１のコイル４ａによるバイアス磁
界と地磁気による磁界との合成磁界が検出素子１に印加
されて、この検出素子１の抵抗値が変化し、この抵抗値
変化を電圧変化として出力することにより、出力信号が
得られる。

【０００９】また、方位センサの向いている方向によっ
て、バイアス磁界と地磁気による磁界との合成磁界のベ
クトル方向及び大きさが異なるので、検出素子１の抵抗
値変化が異なり、この結果、方位センサの向いている方
向によりこの出力信号は異なる。

【００１０】さらに、第１のコイル４ａと直交する第２
のコイル４ｂによるバイアス磁界についても同様に出力
信号が得られる。この第２のコイル４ｂは第１のコイル
４ａと直交するため、第２のコイル４ｂから得られるバ
イアス磁界と地磁気との合成磁界により得られる検出素
子１の出力信号は、第１のコイル４ａから得られるバイ
アス磁界と地磁気との合成磁界により得られる検出素子
１の出力信号と位相が９０°ずれている。

【００１１】従って、第１のコイル４ａから得られるバ
イアス磁界と地磁気との合成磁界により得られる検出素
子１の出力信号と、第２のコイル４ｂから得られるバイ
アス磁界と地磁気との合成磁界により得られる検出素子
１の出力信号との関係から方位センサの向いている方向
が決まり、方位が検知できる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の方位センサ
は、検出素子１が設けられた基板２が素子ホルダー３で
覆われ、さらにこの素子ホルダー３の表面を第１のコイ
ル４ａ、第２のコイル４ｂで巻回しているため形状が大
きくなり、小形化が容易ではなかった。

【００１３】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、小形化が可能な方位センサを提供することを目的と
する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は以下の構成を有する。

【００１５】本発明の請求項１に記載の発明は、特に、
検出素子にバイアス磁界が印加されるように基板に巻回
された第１のコイルと、この第１のコイルと略直交しか
つ検出素子にバイアス磁界が印加されるように基板に巻
回された第２のコイルとを備えたという構成を有してお
り、これにより、素子ホルダーが不要となるため、小形
の方位センサが得られる。

【００１６】さらに、検出素子と第１のコイル、第２の
コイルとの距離が短くなるため、各コイルより検出素子
に印加されるバイアス磁界を強くでき、これにより、各
コイルの巻数の軽減もしくは各コイルに流す電流値を抑
制するという容易な方法で、一定値以上のバイアス磁界
量を印加することができるという作用効果を有する。

【００１７】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
第１のコイル、第２のコイルのうち少なくとも一方が検
出素子を覆うように設けられたという構成を有してお
り、これにより、第１のコイル、第２のコイルと検出素
子との距離を最短にできるため、第１、第２のコイルよ
り発生するバイアス磁界を最も強くでき、さらに、磁界
の方向が検出素子の上下面と平行になるため、検出素子
が受けるバイアス磁界を強くできるという作用効果を有
する。

【００１８】本発明の請求項３に記載の発明は、特に、
基板の端部に切欠部を有し、第１のコイル、第２のコイ
ルのうち少なくとも一方が切欠部内を通るように基板に
巻回するという構造を有しており、これにより、第１の
コイル、第２のコイルを巻回する際、基板に設けられた
切欠部によって、位置ズレの防止や固定することができ
るため、第１、第２のコイルの巻崩れ及びたわみを抑制
したり、防止することが可能になるという作用効果を有
する。

【００１９】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
入力電極、グランド電極、出力電極はそれぞれ基板の裏
面より突出した突出部を有し、その突出寸法は第１のコ
イルおよび第２のコイルが基板の裏面より突出した突出
寸法より大きくしたという構成を有しており、これによ
り方位センサの実装時に第１のコイル及び第２のコイル
が実装基板に接触せず、面実装が可能になるという作用
効果を有する。

【００２０】本発明の請求項５に記載の発明は、特に、
基板の裏面に凹部を備え、この凹部内を通るように第
１、第２のコイルを巻回し、かつ前記第１、第２のコイ
ルは基板の裏面より上方に位置するように配設し、さら
に入力電極、グランド電極、出力電極は前記基板の裏面
まで達するようにしたという構成を有しており、これに
より、方位センサの実装時に第１のコイル及び第２のコ
イルが実装基板に接触せず、面実装が可能になるという
作用効果を有する。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明の一実施の形
態における方位センサの上面図、図１（ｂ）は同Ａ−Ａ
線断面図である。

【００２２】なお、図１（ａ）においては、後述する第
１のコイル１６と第２のコイル１７とによって隠れた検
出素子１２ａ〜１２ｄ、接続パターン１９ａ〜１９ｄを
破線で表わしている。

【００２３】図１（ａ）、（ｂ）において、板状の基板
１１と、この基板１１の上面に設けられ互いに略直角に
なるように直列に接続された複数の検出素子１２ａ〜１
２ｄと、この各検出素子１２ａ〜１２ｄの両端部と接続
され基板１１の周縁部に形成された入力電極１３、グラ
ンド電極１４、第１、第２の出力電極１５ａ、１５ｂと
を有し、検出素子１２ａ〜１２ｄにバイアス磁界が印加
されるように基板１１に巻回された第１のコイル１６
と、この第１のコイル１６と直交しかつ検出素子１２ａ
〜１２ｄにバイアス磁界が印加されるように基板１１に
巻回された第２のコイル１７とを備えている。

【００２４】基板１１は、矩形状でアルミナなどの絶縁
性を有する材料からなり、その４辺の各端部の中央部に
切欠部１８を有している。また、４隅には、入力電極１
３、グランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第２の
出力電極１５ｂがそれぞれ設けられている。なお、第１
の出力電極１５ａと第２の出力電極１５ｂとは互いに向
き合う位置に設けられている。また、入力電極１３、グ
ランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第２の出力電
極１５ｂは銀−パラジウムで構成され互いに短絡しない
ようになっている。なお、これらの電極１３、１４、１
５ａ、１５ｂは基板１１の４隅に限らず、その周縁部に
設けてもよい。

【００２５】さらに、基板１１の上面には、その表面を
平滑にするためのガラスグレーズ（図示せず）が設けら
れ、さらにその上面には、４個の検出素子１２ａ〜１２
ｄ、および各検出素子１２ａ〜１２ｄと入力電極１３、
グランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第２の出力
電極１５ｂとをそれぞれ個別に接続させるための接続パ
ターン１９ａ〜１９ｄが設けられている。なお、ガラス
グレーズは入力電極１３、グランド電極１４、第１の出
力電極１５ａ、第２の出力電極１５ｂの上面の全てを覆
わないようにする。

【００２６】検出素子１２ａ〜１２ｄは、その各パター
ンの長手方向に対して外部磁界が垂直に印加されたとき
に抵抗値変化が最大となる磁気抵抗効果素子からなり、
また、４個の検出素子１２ａ〜１２ｄはブリッジ回路を
形成しており、そのパターンの長手方向が互いに直交し
かつ互いに直列に接続されている。さらに、各検出素子
１２ａ〜１２ｄの各接続部には、この各接続部を入力電
極１３、グランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第
２の出力電極１５ｂに接続するための接続パターン１９
ａ〜１９ｄが設けられている。

【００２７】すなわち、第１の検出素子１２ａと第２の
検出素子１２ｂとの間には第１の出力電極１５ａ、第２
の検出素子１２ｂと第３の検出素子１２ｃとの間にはグ
ランド電極１４、第３の検出素子１２ｃと第４の検出素
子１２ｄとの間には第２の出力電極１５ｂ、第４の検出
素子１２ｄと第１の検出素子１２ａとの間には入力電極
１３がそれぞれ接続パターン１９ａ〜１９ｄを介して接
続されている。

【００２８】なお、図１（ａ）においては、各検出素子
１２ａ〜１２ｄは抵抗値を高くすることによって消費電
力を低く抑えられるように２つに折り返した形状になっ
ているが、必ずしもその必要はない。また、各検出素子
１２ａ〜１２ｄのパターンの長手方向と第１のコイル１
６及び第２のコイル１７とのなす角が４５°になるよう
に設けられている。

【００２９】入力電極１３、グランド電極１４は、検出
素子１２ａ〜１２ｄに所定の電圧を印加するために設け
られ、第１、第２の出力電極１５ａ、１５ｂは、この電
圧が印加された検出素子１２ａ〜１２ｄのバイアス磁界
と地磁気との合成磁界による抵抗値変化を電圧変化とし
て出力するために設けられている。

【００３０】第１のコイル１６は、銅線などの導電材料
からなり、検出素子１２ａ〜１２ｄのパターンの長手方
向に対して４５°のバイアス磁界を印加できるように基
板１１に巻回されている。また、第１のコイル１６と、
基板１１、検出素子１２ａ〜１２ｄおよび接続パターン
１９ａ〜１９ｄとの間には、これらを保護するための例
えばフェノール系の樹脂からなる絶縁層２０（図１
（ａ）においては図示せず）が設けられている。さら
に、この第１のコイル１６は上記した検出素子１２ａ〜
１２ｄ、入力電極１３、グランド電極１４、第１の出力
電極１５ａ、第２の出力電極１５ｂ、接続パターン１９
ａ〜１９ｄ、絶縁層２０およびガラスグレーズが設けら
れた基板１１に直接巻回されている。

【００３１】第２のコイル１７は銅線などの導電材料か
らなり、基板１１および第１のコイル１６の外周部に第
１のコイル１６に直交するように巻回され、検出素子１
２ａ〜１２ｄのパターン長手方向に対して４５°のバイ
アス磁界を印加できるように設けられている。

【００３２】また、第１、第２のコイル１６、１７はそ
れぞれ対向する切欠部１８内を通るようになっている。

【００３３】なお、第１のコイル１６、第２のコイル１
７の上面に紫外線硬化樹脂などの保護膜（図示せず）を
設け、第１のコイル１６、第２のコイル１７の劣化を防
止してもよい。

【００３４】また、第１のコイル１６、第２のコイル１
７は、それぞれ隣り合うコイルどうし、あるいは第１の
コイル１６と第２のコイル１７とが短絡しないようにポ
リウレタンなどで被覆されている。

【００３５】さらに、第１のコイル１６、第２のコイル
１７のうち少なくとも一方が検出素子１２ａ〜１２ｄを
覆うようになっている。これにより、第１、第２のコイ
ル１６、１７と検出素子１２ａ〜１２ｄとの距離を最短
にできるため、第１、第２のコイル１６、１７より発生
するバイアス磁界を最も強くでき、さらに、バイアス磁
界の方向が検出素子１２ａ〜１２ｄの上下面と平行にな
るため、検出素子１２ａ〜１２ｄが受けるバイアス磁界
を強くでき、この結果、検出素子１２ａ〜１２ｄの抵抗
値変化率が大きくなるため、検出素子１２ａ〜１２ｄの
出力信号が大きくなり、精度良く方位検知ができる。

【００３６】さらにまた、第１、第２のコイル１６、１
７はそれぞれ対向する切欠部１８内を通るように基板１
１を巻回するため、第１、第２のコイル１６、１７を巻
回する際、基板１１に設けられた切欠部１８によって第
１、第２のコイル１６、１７の各巻き方向すなわち上面
視にて長手方向（以下縦方向とする）に垂直な方向（以
下横方向とする）に対して各コイル１６、１７が位置ズ
レすることによる各コイル１６、１７の巻崩れ及びたわ
みを抑制できる。このとき、第１、第２のコイル１６、
１７の横方向の幅と、切欠部１８の幅を一致させれば各
コイル１６、１７が固定されて、各コイル１６、１７の
巻崩れ及びたわみを防止できる。

【００３７】また、第１、第２のコイル１６、１７の横
方向と平行な各切欠部１８の面と、第１、第２のコイル
１６、１７とを接触させれば、各コイル１６、１７が固
定されて、各コイル１６、１７の巻崩れ及びたわみを防
止できる。

【００３８】このとき、第１、第２のコイル１６、１７
のうち少なくとも一方について対向する切欠部１８内を
通るように基板１１に巻回すれば、切欠部１８を有しな
い方位センサに比べれば上記した効果が期待できる。

【００３９】さらにまた、図２（ａ）、（ｂ）に示すよ
うに、基板１１の裏面に凹部２２を備え、この凹部２２
内を通るように第１、第２のコイル１６、１７を巻回
し、かつ第１、第２のコイル１６、１７は基板１１の裏
面より上方に位置するように配設し、さらに入力電極１
３、グランド電極１４、第１、第２の出力電極１５ａ、
１５ｂを、基板１１の裏面まで達するようにする。な
お、実装基板表面が絶縁性を有していれば、第１、第２
のコイル１６、１７は基板１１の裏面より上方、あるい
は基板１１の裏面と面一となる。

【００４０】あるいは、図３に示すように入力電極１
３、グランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第２の
出力電極１５ｂは、それぞれ基板１１の裏面より突出し
た突出部２１を有し、その突出部２１の寸法は、第１の
コイル１６および第２のコイル１７が基板１１の裏面よ
り突出した突出寸法より大きくした構造にしてもよい。
ここで、図３は図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図に相当す
る。

【００４１】このようにすれば、方位センサの実装時に
第１のコイル１６及び第２のコイル１７が実装基板に接
触しないため、入力電極１３、グランド電極１４、第１
の出力電極１５ａ、第２の出力電極１５ｂの裏面を実装
基板に接続させることができ、これにより、面実装が可
能になる。

【００４２】以下、本実施の形態における方位センサの
製造方法について説明する。

【００４３】まず、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、
矩形状で板状のアルミナなどの絶縁性を有する材料から
なる基板１１の４隅にスルーホール電極からなる入力電
極１３、グランド電極１４、第１、第２の出力電極１５
ａ、１５ｂを形成する。これらの電極１３、１４、１５
ａ、１５ｂは銀−パラジウムで構成され、かつ基板１１
の上面からスルーホールの内側面を経由して基板１１の
裏面まで至るように形成される。さらに、基板１１には
４辺の略中央部に４つの切欠部１８を形成する。なお、
図４（ａ）は上面図、図４（ｂ）は裏面図を示す。ま
た、以下の製造方法を示す図においては裏面図を省略す
る。

【００４４】次に、入力電極１３、グランド電極１４、
出力電極１５ａ、１５ｂの上面の全てを覆わないように
基板１１の上面にガラスグレーズ（図示せず）を形成す
る。

【００４５】次に、図５に示すように、ガラスグレーズ
上に４個の磁気抵抗効果素子からなる検出素子１２ａ〜
１２ｄおよび各検出素子１２ａ〜１２ｄと入力電極１
３、グランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第２の
出力電極１５ｂとをそれぞれ個別に接続させるための接
続パターン１９ａ〜１９ｄを形成する。

【００４６】このとき、検出素子１２ａ〜１２ｄでブリ
ッジ回路を構成させ、そのパターンの長手方向が互いに
直交しかつ互いに直列に接続する。さらに、各検出素子
１２ａ〜１２ｄの各接続部には、この各接続部を入力電
極１３、グランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第
２の出力電極１５ｂに接続するための接続パターン１９
ａ〜１９ｄを形成する。

【００４７】次に、基板１１、検出素子１２ａ〜１２ｄ
および接続パターン１９ａ〜１９ｄの上面に、これらを
保護するためのフェノール系の樹脂などからなる絶縁層
２０（図示せず）を形成する。

【００４８】次に、図６に示すように、銅線などの導電
材料からなる第１のコイル１６を、検出素子１２ａ〜１
２ｄのパターン長手方向に対して４５°のバイアス磁界
を印加できるように設ける。また、この第１のコイル１
６は、上記した検出素子１２ａ〜１２ｄ、入力電極１
３、グランド電極１４、第１の出力電極１５ａ、第２の
出力電極１５ｂ、接続パターン１９ａ〜１９ｄ、絶縁層
２０およびガラスグレーズが設けられた基板１１に直接
巻回する。なお、図６においては第１のコイル１６で隠
れた検出素子１２ａ〜１２ｄ、接続パターン１９ａ〜１
９ｄを破線で表している。

【００４９】最後に、図７に示すように基板１１、第１
のコイル１６の外周部に第１のコイル１６に直交するよ
うに銅線などの導電材料からなる第２のコイル１７を巻
回する。

【００５０】このとき、第１、第２のコイル１６、１７
はそれぞれ対向する切欠部１８内を通るようにし、検出
素子１２ａ〜１２ｄのパターン長手方向に対して４５°
のバイアス磁界を印加できるように設ける。

【００５１】上記のようにして、本発明の一実施の形態
における方位センサは製造されるものである。

【００５２】以下、本実施の形態における方位センサの
動作について説明する。

【００５３】まず、第１のコイル１６によるバイアス磁
界と地磁気による磁界との合成磁界が検出素子１２ａ〜
１２ｄに印加されて、この検出素子１２ａ〜１２ｄの抵
抗値がそれぞれ変化し、この抵抗値変化を電圧変化とし
て出力することにより出力信号が得られる。

【００５４】また、方位センサの向いている方向によっ
て、バイアス磁界と地磁気による磁界との合成磁界のベ
クトル方向及び大きさが異なるので、検出素子１２ａ〜
１２ｄの抵抗値変化が異なり、この結果、方位センサの
向いている方向によりこの出力信号は異なる。

【００５５】さらに、第１のコイル１６と直交する第２
のコイル１７についても同様に出力信号が得られる。こ
の第２のコイル１７は第１のコイル１６と直交するた
め、第２のコイル１７から得られるバイアス磁界と地磁
気との合成磁界により得られる検出素子１２ａ〜１２ｄ
の出力信号は、第１のコイル１６から得られるバイアス
磁界と地磁気との合成磁界により得られる検出素子１２
ａ〜１２ｄの出力信号と位相が９０°ずれている。

【００５６】従って、第１のコイル１６から得られるバ
イアス磁界と地磁気との合成磁界により得られる検出素
子１２ａ〜１２ｄの出力信号と、第２のコイル１７から
得られるバイアス磁界と地磁気との合成磁界により得ら
れる検出素子１２ａ〜１２ｄの出力信号との関係から方
位センサの向いている方向が決まり、方位が検知でき
る。

【００５７】以上のように本実施の形態における方位セ
ンサは、検出素子１２ａ〜１２ｄにバイアス磁界が印加
されるように基板１１に巻回された第１のコイル１６
と、この第１のコイル１６と略直交しかつ検出素子１２
ａ〜１２ｄにバイアス磁界が印加されるように第１のコ
イル１６に巻回された第２のコイル１７とを備えたとい
う構成を有しているため、素子ホルダーが不要となり、
これにより、小形化が可能な方位センサが得られ、さら
に、従来と比べて検出素子１２ａ〜１２ｄと第１のコイ
ル１６、第２のコイル１７との距離が短くなるため、各
コイル１６、１７より検出素子１２ａ〜１２ｄに印加さ
れるバイアス磁界を強くでき、これにより、各コイル１
６、１７の巻数の軽減もしくは各コイル１６、１７に流
す電流値を抑制するという容易な方法で、一定値以上の
バイアス磁界量を印加することができるという効果が得
られる。

【００５８】なお、本実施の形態においては、検出素子
を４個としたが少なくとも２個以上であれば、各検出素
子の両端部に入力電極、出力電極、グランド電極を設け
ることができるため、方位の検知ができ同様の効果が得
られる。

【００５９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、検出素子
にバイアス磁界が印加されるように基板に巻回された第
１のコイルと、この第１のコイルと略直交しかつ検出素
子にバイアス磁界が印加されるように第１のコイルに巻
回された第２のコイルとを備えたという構成を有してお
り、これにより、素子ホルダーが不要となるため、小形
化が可能な方位センサが得られるという効果を有するも
のである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の一実施の形態における方位セン
サの上面図（ｂ）同Ａ−Ａ線断面図

【図２】（ａ）同裏面図（ｂ）同側面図

【図３】同他の例を示す断面図

【図４】（ａ）同製造工程を示す上面図（ｂ）同製造工程を示す裏面図

【図５】同製造工程を示す上面図

【図６】同製造工程を示す上面図

【図７】同製造工程を示す上面図

【図８】（ａ）従来の方位センサの斜視図（ｂ）同上面図

【図９】（ａ）同図８（ａ）のＡ−Ａ断面図（ｂ）同図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図

【符号の説明】

１１基板１２ａ〜１２ｄ検出素子１３入力電極１４グランド電極１５ａ、１５ｂ出力電極１６第１のコイル１７第２のコイル１８切欠部２１突出部２２凹部

フロントページの続き (72)発明者瀬口修次大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者松村和俊大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 2G017 AA01 AA16 AC09 AD55 BA00

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】板状の基板と、この基板の上面に設けら
れ互いに略直角になるように直列に接続された複数の検
出素子と、この検出素子の各両端部と接続され前記基板
の周縁部に形成された入力電極、グランド電極、出力電
極とを有し、前記検出素子にバイアス磁界が印加される
ように前記基板に巻回された第１のコイルと、この第１
のコイルと略直交しかつ前記検出素子にバイアス磁界が
印加されるように前記基板に巻回された第２のコイルと
を備えた方位センサ。
【請求項２】第１のコイル、第２のコイルのうち少な
くとも一方が検出素子を覆うように設けられた請求項１
に記載の方位センサ。
【請求項３】基板の端部に切欠部を有し、第１のコイ
ル、第２のコイルのうち少なくとも一方が前記切欠部内
を通るように前記基板に巻回された請求項１に記載の方
位センサ。
【請求項４】入力電極、グランド電極、出力電極はそ
れぞれ基板の裏面より突出した突出部を有し、その突出
寸法は第１のコイルおよび第２のコイルが基板の裏面よ
り突出した突出寸法より大きくした請求項１に記載の方
位センサ。
【請求項５】基板の裏面に凹部を備え、この凹部内を
通るように第１、第２のコイルを巻回し、かつ前記第
１、第２のコイルは基板の裏面より上方に位置するよう
に配設し、さらに入力電極、グランド電極、出力電極は
前記基板の裏面まで達するようにした請求項１に記載の
方位センサ。