JP2003004480A - 角度センサ及び角度センサのセンサ装置の異方性磁界強度を増強する方法 - Google Patents
角度センサ及び角度センサのセンサ装置の異方性磁界強度を増強する方法Info
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- JP2003004480A JP2003004480A JP2002110762A JP2002110762A JP2003004480A JP 2003004480 A JP2003004480 A JP 2003004480A JP 2002110762 A JP2002110762 A JP 2002110762A JP 2002110762 A JP2002110762 A JP 2002110762A JP 2003004480 A JP2003004480 A JP 2003004480A
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- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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- G01B7/30—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
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- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡素で低コストの方法で製造できるだけでな
く、自動車で特に発生しがちな大きな磁界強度において
も、360°範囲の計測に対応できる、AMR角度セン
サを提供することを可能にする。 【解決手段】 本発明は、異方性磁気抵抗素子を有する
角オフセット異方性磁気抵抗センサ装置を少なくとも2
つ備えている角度センサにおいて、前記角度センサが前
記センサ装置の異方性磁界強度を増強するデバイスを少
なくとも1つ備える、角度センサに関する。また、本発
明は、磁気抵抗素子を備える角度センサのセンサ装置の
異方性磁界強度を増強する方法において、前記磁気抵抗
素子の望ましい方向に存在する磁気支持磁界が生成され
る方法に関する。
く、自動車で特に発生しがちな大きな磁界強度において
も、360°範囲の計測に対応できる、AMR角度セン
サを提供することを可能にする。 【解決手段】 本発明は、異方性磁気抵抗素子を有する
角オフセット異方性磁気抵抗センサ装置を少なくとも2
つ備えている角度センサにおいて、前記角度センサが前
記センサ装置の異方性磁界強度を増強するデバイスを少
なくとも1つ備える、角度センサに関する。また、本発
明は、磁気抵抗素子を備える角度センサのセンサ装置の
異方性磁界強度を増強する方法において、前記磁気抵抗
素子の望ましい方向に存在する磁気支持磁界が生成され
る方法に関する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方性磁気抵抗素
子(AMR素子)を装備している少なくとも2つの角オ
フセット異方性磁気抵抗センサ装置(AMRセンサ装
置)を備える角度センサに関する。このような角度計測
用AMRセンサは、様々な分野で用いられるが、例え
ば、そうしたセンサが燃焼機関のチョーク角度センサや
ステアリング角認識に用いられている自動車製造では多
用されている。
子(AMR素子)を装備している少なくとも2つの角オ
フセット異方性磁気抵抗センサ装置(AMRセンサ装
置)を備える角度センサに関する。このような角度計測
用AMRセンサは、様々な分野で用いられるが、例え
ば、そうしたセンサが燃焼機関のチョーク角度センサや
ステアリング角認識に用いられている自動車製造では多
用されている。
【0002】
【従来の技術】こうした角度センサは、ドイツ特許出願
公開公報第4408078号公報に開示されている。
公開公報第4408078号公報に開示されている。
【0003】こうした角度センサが、その異方性磁界強
度よりも明らかに強い磁界、つまり、周知のAMR角度
センサを用いる一般的な磁界で用いられるとき、そのセ
ンサは飽和するように駆動されてsin(2α)の周期
振幅で特性を生成するようになる。
度よりも明らかに強い磁界、つまり、周知のAMR角度
センサを用いる一般的な磁界で用いられるとき、そのセ
ンサは飽和するように駆動されてsin(2α)の周期
振幅で特性を生成するようになる。
【0004】sin(2α)の周期特性では、その周期
性のせいで0°と180°を区別することができないた
め、角度センサは180°の角度計測しか実行できない
という結果になってしまう。
性のせいで0°と180°を区別することができないた
め、角度センサは180°の角度計測しか実行できない
という結果になってしまう。
【0005】大きな磁界強度での360°の角度計測を
行うには、例えばGMRセンサ(巨大磁気抵抗センサ)
のようなより複雑なセンサや、複数のセンサと歯車を備
えた技術システムが必要とされ、このために、製造過程
が高度に複雑化してそれにコスト増大が伴ってしまうか
又は、角度センサがもはや接触子なしでは動作できない
事態のどちらかになる。さらに、GMRセンサの長期安
定性については現在のところ完全には明らかになってい
ない。
行うには、例えばGMRセンサ(巨大磁気抵抗センサ)
のようなより複雑なセンサや、複数のセンサと歯車を備
えた技術システムが必要とされ、このために、製造過程
が高度に複雑化してそれにコスト増大が伴ってしまうか
又は、角度センサがもはや接触子なしでは動作できない
事態のどちらかになる。さらに、GMRセンサの長期安
定性については現在のところ完全には明らかになってい
ない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、簡素で低コストの方法で製造できるだけでな
く、自動車で特に発生しがちな大きな磁界強度において
も、360°範囲の計測に対応できる、AMR角度セン
サを提供することである。
目的は、簡素で低コストの方法で製造できるだけでな
く、自動車で特に発生しがちな大きな磁界強度において
も、360°範囲の計測に対応できる、AMR角度セン
サを提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的は、請求項1に
定義された角度センサと、請求項15に定義された角度
センサによって解決される。この目的はさらに、請求項
16で定義された方法と、請求項21で定義された方法
によって解決される。請求項2〜14は、本発明による
角度センサの特に有効な実施形態に関し、請求項17〜
20は、本発明による方法の特に有効な実施形態に関す
る。
定義された角度センサと、請求項15に定義された角度
センサによって解決される。この目的はさらに、請求項
16で定義された方法と、請求項21で定義された方法
によって解決される。請求項2〜14は、本発明による
角度センサの特に有効な実施形態に関し、請求項17〜
20は、本発明による方法の特に有効な実施形態に関す
る。
【0008】本発明による角度センサは、角度センサ中
で用いられるセンサ装置の異方性磁界強度を増強するデ
バイスを少なくとも1つ備える。本発明による角度セン
サは、AMR角度センサが異方性磁界強度よりも小さい
磁界強度で駆動されたときにsin(α)の周期性を持
つという特性を利用している。そうした周期性では、3
60°の計測も可能になる。
で用いられるセンサ装置の異方性磁界強度を増強するデ
バイスを少なくとも1つ備える。本発明による角度セン
サは、AMR角度センサが異方性磁界強度よりも小さい
磁界強度で駆動されたときにsin(α)の周期性を持
つという特性を利用している。そうした周期性では、3
60°の計測も可能になる。
【0009】センサ装置の異方性磁界強度を増強するデ
バイスを搭載した角度センサを用いることで、他の分野
だけでなく特に自動車で発生する大きな磁界強度さえA
MR角度センサの異方性磁界強度を下回るようになるほ
ど、AMR角度センサの異方性磁界強度を増強すること
ができる。結果的に、AMR角度センサは、非常に大き
な磁界強度であっても低コストで接触子のいらない方法
で360°計測を可能にする、簡素かつ低コストの方法
において提供される。
バイスを搭載した角度センサを用いることで、他の分野
だけでなく特に自動車で発生する大きな磁界強度さえA
MR角度センサの異方性磁界強度を下回るようになるほ
ど、AMR角度センサの異方性磁界強度を増強すること
ができる。結果的に、AMR角度センサは、非常に大き
な磁界強度であっても低コストで接触子のいらない方法
で360°計測を可能にする、簡素かつ低コストの方法
において提供される。
【0010】好ましい実施形態において、センサ装置の
異方性磁界強度を増強するデバイスは、磁気抵抗素子の
望ましい方向で支持磁界を印加し、その磁界がセンサ装
置と磁気抵抗素子(MR素子)の異方性磁界強度を増強
する。
異方性磁界強度を増強するデバイスは、磁気抵抗素子の
望ましい方向で支持磁界を印加し、その磁界がセンサ装
置と磁気抵抗素子(MR素子)の異方性磁界強度を増強
する。
【0011】望ましい方向における支持磁界の一般的な
磁界強度は、1〜10kA/mで、その中でも1〜6k
A/mが望ましいが、これまでの磁界強度は約4kA/
mであった。角度センサを用いる計測磁界の強度は似た
ような大きさだが、支持磁界の磁界強度よりもわずかに
小さいことが望ましい。一般的な計測磁界の強度は約3
kA/mの範囲内にあるが、それが用いられる磁界に完
全に依存している。好ましい実施形態では、外部の干渉
磁界に対して軟磁気遮蔽を実施すると有効である。
磁界強度は、1〜10kA/mで、その中でも1〜6k
A/mが望ましいが、これまでの磁界強度は約4kA/
mであった。角度センサを用いる計測磁界の強度は似た
ような大きさだが、支持磁界の磁界強度よりもわずかに
小さいことが望ましい。一般的な計測磁界の強度は約3
kA/mの範囲内にあるが、それが用いられる磁界に完
全に依存している。好ましい実施形態では、外部の干渉
磁界に対して軟磁気遮蔽を実施すると有効である。
【0012】MR素子は一般的に、望ましい方向に揃え
られ、同時に異なる組成であってよい、平行に配列され
たMR片を備える。
られ、同時に異なる組成であってよい、平行に配列され
たMR片を備える。
【0013】本発明による角度センサの好ましい実施形
態によれば、異方性磁界強度を増強するデバイスは、磁
気抵抗素子毎に少なくとも1つの外部コイルを用いるコ
イル装置を少なくとも1つ備えるが、そのコイルは、コ
イルのコア領域において磁界がMR素子の望ましい方向
に揃えられるように、MR素子を実質的に完全に取り巻
く。
態によれば、異方性磁界強度を増強するデバイスは、磁
気抵抗素子毎に少なくとも1つの外部コイルを用いるコ
イル装置を少なくとも1つ備えるが、そのコイルは、コ
イルのコア領域において磁界がMR素子の望ましい方向
に揃えられるように、MR素子を実質的に完全に取り巻
く。
【0014】別の実施形態では、外部コイルの代わりに
又は外部コイルに加えて、各MR素子のレイアウトに組
み込まれた薄膜コイルを少なくとも1つ用いる例が提供
される。
又は外部コイルに加えて、各MR素子のレイアウトに組
み込まれた薄膜コイルを少なくとも1つ用いる例が提供
される。
【0015】本発明によってセンサ装置の異方性磁界強
度を増強する、さらなる例として、磁界がMRエレメン
トの望ましい方向に揃えられている少なくとも1つの磁
石を用いることが実施されているが、この場合には永久
磁石と電磁石のどちらを用いてもよい。しかしながら、
角度センサに対して使用時に影響が少ない永久磁石が望
ましい。
度を増強する、さらなる例として、磁界がMRエレメン
トの望ましい方向に揃えられている少なくとも1つの磁
石を用いることが実施されているが、この場合には永久
磁石と電磁石のどちらを用いてもよい。しかしながら、
角度センサに対して使用時に影響が少ない永久磁石が望
ましい。
【0016】センサ装置の異方性磁界強度を増強するデ
バイスは、例えば上記の永久磁石のように異方性磁界強
度を恒久的に増強するデバイスでよいが、本発明では、
例えば、上記のコイル装置や電磁石の場合のように、異
方性磁界強度を断続的かつ制御された方式で増強できる
デバイスも考慮に入れられていることに注目しておきた
い。この場合、異方性磁界強度を一時的にその強度の程
度を制御できるが、本発明では他方で、一時的な制御の
場合に、異方性磁界強度の周期的増強及び非周期的増強
をどちらも考慮に入れている。
バイスは、例えば上記の永久磁石のように異方性磁界強
度を恒久的に増強するデバイスでよいが、本発明では、
例えば、上記のコイル装置や電磁石の場合のように、異
方性磁界強度を断続的かつ制御された方式で増強できる
デバイスも考慮に入れられていることに注目しておきた
い。この場合、異方性磁界強度を一時的にその強度の程
度を制御できるが、本発明では他方で、一時的な制御の
場合に、異方性磁界強度の周期的増強及び非周期的増強
をどちらも考慮に入れている。
【0017】異方性磁界強度を増強するデバイスのさら
なる候補となるのは、MR素子上に設けられる硬磁性層
である。このデバイスは、異方性磁界強度を恒久的に増
強するデバイスである。
なる候補となるのは、MR素子上に設けられる硬磁性層
である。このデバイスは、異方性磁界強度を恒久的に増
強するデバイスである。
【0018】特に好ましい実施形態においては、少なく
とも2つの角オフセット異方性磁気抵抗センサ装置を角
度90°で傾けて配置し、360°の計測を可能にして
いる。この点で、例えば約45°の傾けた配置が可能で
あることと、実地用途によるが、例えば180°といっ
た限定的な角度範囲しか計測しない方法でセンサ装置の
異方性磁界強度を増強するデバイスを用いて本発明によ
る角度センサを構成できることに、注目しておくべきで
ある。したがって、本発明による角度センサは、360
°AMR角度センサが望ましい実地用途であって、本発
明による角度センサの長所がそうした計測で特に顕著と
なるにもかかわらず、360°AMR角度センサに制限
されるものではない。
とも2つの角オフセット異方性磁気抵抗センサ装置を角
度90°で傾けて配置し、360°の計測を可能にして
いる。この点で、例えば約45°の傾けた配置が可能で
あることと、実地用途によるが、例えば180°といっ
た限定的な角度範囲しか計測しない方法でセンサ装置の
異方性磁界強度を増強するデバイスを用いて本発明によ
る角度センサを構成できることに、注目しておくべきで
ある。したがって、本発明による角度センサは、360
°AMR角度センサが望ましい実地用途であって、本発
明による角度センサの長所がそうした計測で特に顕著と
なるにもかかわらず、360°AMR角度センサに制限
されるものではない。
【0019】センサ装置のMR素子は、MR層、特に、
所定の長さ(l)、幅(b)、厚み(d)のMR片を備
えることが望ましい。異方性磁界強度の増強をさらに支
援するためには、厚み(d)と幅(d)の比率を可能な
限り大きくすることが特に有効だが、4×10−3の値
を上回り、特にV≧1.5×10−2という比率になる
ようなV=d/bが特に望ましい。
所定の長さ(l)、幅(b)、厚み(d)のMR片を備
えることが望ましい。異方性磁界強度の増強をさらに支
援するためには、厚み(d)と幅(d)の比率を可能な
限り大きくすることが特に有効だが、4×10−3の値
を上回り、特にV≧1.5×10−2という比率になる
ようなV=d/bが特に望ましい。
【0020】さらに、センサ素子の異方性磁界強度の増
強も達成できるように、少なくとも1つのMR層を矩
形、双曲面及び/又は星状に形成することが望ましい。
強も達成できるように、少なくとも1つのMR層を矩
形、双曲面及び/又は星状に形成することが望ましい。
【0021】さらに、MR層は、本来的な材料異方性の
大きな材料から構成されることが望ましい。この点にお
いて、望ましい材料は特に、Ni50Co50(Hk=
2500)、Ni70Co30(Hk=2500)、C
o72Fe8B20(Hk=2000)、Ni81Fe
19(Hk=250)である(なお、Hkは本来的な材
料異方性を示す)。
大きな材料から構成されることが望ましい。この点にお
いて、望ましい材料は特に、Ni50Co50(Hk=
2500)、Ni70Co30(Hk=2500)、C
o72Fe8B20(Hk=2000)、Ni81Fe
19(Hk=250)である(なお、Hkは本来的な材
料異方性を示す)。
【0022】MR層の厚みと幅の比率を選ぶこと並び
に、MR層の幾何形状及び材料を選ぶことで、センサ装
置の異方性磁界強度を増強する上記のデバイスの効果が
高められるが、同時に、上記のデバイスに依存せずにセ
ンサ装置の異方性磁界強度が増大されるので、こうした
選択は、独自の発明的側面と見なされるべきである。
に、MR層の幾何形状及び材料を選ぶことで、センサ装
置の異方性磁界強度を増強する上記のデバイスの効果が
高められるが、同時に、上記のデバイスに依存せずにセ
ンサ装置の異方性磁界強度が増大されるので、こうした
選択は、独自の発明的側面と見なされるべきである。
【0023】さらなる独自の発明的側面によれば、角度
センサはさらに、磁化の反転コイルを適用する手段を備
え、その手段が少なくとも1つのコイル装置を備えるこ
とが望ましい。外部コイルや、上記のMR素子のレイア
ウトに組み込まれた内部薄膜コイルも、コイル装置とし
て適している。
センサはさらに、磁化の反転コイルを適用する手段を備
え、その手段が少なくとも1つのコイル装置を備えるこ
とが望ましい。外部コイルや、上記のMR素子のレイア
ウトに組み込まれた内部薄膜コイルも、コイル装置とし
て適している。
【0024】角度センサが異方性磁界強度の範囲で用い
られて、sin(2α)周期性の特性とsin(α)周
期性の特性を生成する限定された範囲で動くときに、特
性曲線の「反転」が補正される特定のポイントで、磁化
の反転コイルを少なくとも制御された方式で用いること
で、MRセンサ素子において自発的な磁化の反転が導か
れる。
られて、sin(2α)周期性の特性とsin(α)周
期性の特性を生成する限定された範囲で動くときに、特
性曲線の「反転」が補正される特定のポイントで、磁化
の反転コイルを少なくとも制御された方式で用いること
で、MRセンサ素子において自発的な磁化の反転が導か
れる。
【0025】したがって、本発明による角度センサは、
360°の角度検出の可能性を提供することで、sin
(α)周期性の特性が生成されるように、センサを用い
る磁界強度がセンサの異方性磁界強度を明らかに下回る
程度まで異方性磁界強度を増強することや、360°信
号を信号評価後に取得できるように、sin(2α)と
sin(α)の周期性間の限定的な範囲で発生する磁性
の自発的な反転(特性曲線の反転)を磁化の反転コイル
によって明確に定義することができる。
360°の角度検出の可能性を提供することで、sin
(α)周期性の特性が生成されるように、センサを用い
る磁界強度がセンサの異方性磁界強度を明らかに下回る
程度まで異方性磁界強度を増強することや、360°信
号を信号評価後に取得できるように、sin(2α)と
sin(α)の周期性間の限定的な範囲で発生する磁性
の自発的な反転(特性曲線の反転)を磁化の反転コイル
によって明確に定義することができる。
【0026】応用分野によるが、両方の計測は結合して
用いても、個別に用いてもよい。
用いても、個別に用いてもよい。
【0027】角度センサのさらに進んだ実施形態では、
後続して配列された信号電子回路又は組み込みの信号電
子回路を備え、こうした回路によって、磁化の反転コイ
ルを適用する手段が提供されていないで、センサ装置の
異方性磁界強度が角度センサを用いる磁界強度を明らか
に上回っていない場合でさえ、出力信号の後訂正、特
に、上記の特性曲線の反転のために必要となる訂正を生
成して、この場合には360°信号も取得するが、この
ように、この信号電子回路もまた独自の発明的側面をな
している。
後続して配列された信号電子回路又は組み込みの信号電
子回路を備え、こうした回路によって、磁化の反転コイ
ルを適用する手段が提供されていないで、センサ装置の
異方性磁界強度が角度センサを用いる磁界強度を明らか
に上回っていない場合でさえ、出力信号の後訂正、特
に、上記の特性曲線の反転のために必要となる訂正を生
成して、この場合には360°信号も取得するが、この
ように、この信号電子回路もまた独自の発明的側面をな
している。
【0028】本発明はさらに、本出願の発明的方法に従
って望ましい方向の磁気支持磁界が生成される、望まし
い方向を持つ磁気抵抗素子を備える角度センサのセンサ
装置の異方性磁界強度を増強する方法に関する。このた
め、同様に大きな磁界強度で、360°の計測を可能に
するAMR角度センサを、簡素な方式において提供でき
る。これらの長所とさらなる長所は、本発明による角度
センサを参照しながら説明済みの長所に対応している。
って望ましい方向の磁気支持磁界が生成される、望まし
い方向を持つ磁気抵抗素子を備える角度センサのセンサ
装置の異方性磁界強度を増強する方法に関する。このた
め、同様に大きな磁界強度で、360°の計測を可能に
するAMR角度センサを、簡素な方式において提供でき
る。これらの長所とさらなる長所は、本発明による角度
センサを参照しながら説明済みの長所に対応している。
【0029】支持磁界は恒久的にも断続的にも適用で
き、ここにおいて、上記のデバイス及び方法を用いて支
持磁界を生成することができる。特に、支持磁界はコイ
ル装置又は磁石で生成することが望ましいが、さらに、
MR素子の上又は横に装備される硬磁性層を用いて支持
磁界を生成することも可能である。
き、ここにおいて、上記のデバイス及び方法を用いて支
持磁界を生成することができる。特に、支持磁界はコイ
ル装置又は磁石で生成することが望ましいが、さらに、
MR素子の上又は横に装備される硬磁性層を用いて支持
磁界を生成することも可能である。
【0030】本発明のこれらの側面及び他の側面は、こ
れ以降に説明される実施形態を参照することから明白
で、実施形態にそって明らかにされる。
れ以降に説明される実施形態を参照することから明白
で、実施形態にそって明らかにされる。
【0031】
【発明の実施の形態】図1は、本発明によるセンサの可
能な実施形態として、360°AMRセンサ20の基本
構造を図示している。このセンサは、1つがチップ側面
に平行に配置され(cosブリッジ)、もう1つがそこ
に90°の角度で配置されている(sinブリッジ)、
別々の2つのDCセンサ装置40、42を備えている。
能な実施形態として、360°AMRセンサ20の基本
構造を図示している。このセンサは、1つがチップ側面
に平行に配置され(cosブリッジ)、もう1つがそこ
に90°の角度で配置されている(sinブリッジ)、
別々の2つのDCセンサ装置40、42を備えている。
【0032】ブリッジ又はセンサ装置40、42は各
々、4つの異方性磁気抵抗素子(MR素子)60及び6
2を備えている。
々、4つの異方性磁気抵抗素子(MR素子)60及び6
2を備えている。
【0033】角度センサ20には、端子22、24、2
6、28、30、32、34、36がある。
6、28、30、32、34、36がある。
【0034】図1に示されているAMRセンサの可能な
実施形態は、図2に図示されている。角度センサ20
は、各々がMR素子60及び62を装備する2つのセン
サ装置(図1の40、42を参照)を備えている。
実施形態は、図2に図示されている。角度センサ20
は、各々がMR素子60及び62を装備する2つのセン
サ装置(図1の40、42を参照)を備えている。
【0035】2つのセンサ装置のMR素子60、62
は、MR素子60、62中の各々で互いに常に平行に配
置される異方性磁気抵抗片(MR片)80を備えてい
る。
は、MR素子60、62中の各々で互いに常に平行に配
置される異方性磁気抵抗片(MR片)80を備えてい
る。
【0036】図2に示されている角度センサ20の実施
形態では、抵抗ブリッジの斜線部分に逆斜線の理髪店の
看板柱を配した看板柱構造が実現されているが、センサ
はもちろん理髪店の看板柱なしで作成することもでき
る。2つのセンサ装置又はブリッジは、お互いに90°
回転して、直角に配置される。
形態では、抵抗ブリッジの斜線部分に逆斜線の理髪店の
看板柱を配した看板柱構造が実現されているが、センサ
はもちろん理髪店の看板柱なしで作成することもでき
る。2つのセンサ装置又はブリッジは、お互いに90°
回転して、直角に配置される。
【0037】本発明によるMR素子の実施形態は、角度
センサで用いてよいし、図1及び図2で示されている
が、これ以降では以下の一連の図面を参照しながら説明
する。
センサで用いてよいし、図1及び図2で示されている
が、これ以降では以下の一連の図面を参照しながら説明
する。
【0038】図3(a)は、MR片82を装備されたM
R素子64の平面図である。この実施形態では、実質的
にMR素子64を完全に取り巻くコイル100を、MR
素子の異方性磁界強度を増強するデバイスとして用い
る。
R素子64の平面図である。この実施形態では、実質的
にMR素子64を完全に取り巻くコイル100を、MR
素子の異方性磁界強度を増強するデバイスとして用い
る。
【0039】コイル100の形状は、MR素子64の断
面をはっきりと見せて、MR片82が設けられた面を有
している図3(b)で特に見やすくなっている。なお、
図3(b)は、図3(a)に示すMR素子の側面図であ
る。コイル100は実質的に完全にMR素子64を囲ん
でいる。
面をはっきりと見せて、MR片82が設けられた面を有
している図3(b)で特に見やすくなっている。なお、
図3(b)は、図3(a)に示すMR素子の側面図であ
る。コイル100は実質的に完全にMR素子64を囲ん
でいる。
【0040】この場合には、コイル断面が長方形になっ
ているが、例えば円形断面といった他の任意の幾何形状
を想定してもよい。
ているが、例えば円形断面といった他の任意の幾何形状
を想定してもよい。
【0041】コイル100は、矢印Hで磁界を示されて
いるコアにおいて実質的に均質の磁界を生成する。その
磁界は、MR片の望ましい方向に一致するMR片の縦の
並びに実質的に平行に揃えられる。図3に示されている
実施形態のMR片は、厚みdが120nm、幅bが6μ
mで、V=d/b=2×10−2という比率が実現され
ている。
いるコアにおいて実質的に均質の磁界を生成する。その
磁界は、MR片の望ましい方向に一致するMR片の縦の
並びに実質的に平行に揃えられる。図3に示されている
実施形態のMR片は、厚みdが120nm、幅bが6μ
mで、V=d/b=2×10−2という比率が実現され
ている。
【0042】図4(a)、(b)は、本発明によるMR
素子のさらに進んだ実施形態を示している。図4(a)
は、MR素子66の平面図で、図3(a)で示された素
子と同じように、縦のMR片84を見せている。
素子のさらに進んだ実施形態を示している。図4(a)
は、MR素子66の平面図で、図3(a)で示された素
子と同じように、縦のMR片84を見せている。
【0043】この実施形態では、MR素子を取り巻いて
いるコイルの代わりに、内部コイル120が設けられて
いる。内部コイル120の構造は、1つ以上のコイル1
20によって生成される磁界Hが図3に示された実施形
態で生成された磁界Hに実質的に一致している図4
(b)から特に明らかである。なお、図4(b)は、図
4(a)のbで示される部分の拡大図である。
いるコイルの代わりに、内部コイル120が設けられて
いる。内部コイル120の構造は、1つ以上のコイル1
20によって生成される磁界Hが図3に示された実施形
態で生成された磁界Hに実質的に一致している図4
(b)から特に明らかである。なお、図4(b)は、図
4(a)のbで示される部分の拡大図である。
【0044】コイル120はレイアウトに組み込まれた
薄膜コイルなので、コイル付きMR素子の寸法は図3に
示された実施形態の寸法よりも明らかに縮小できる。図
4に示された実施形態のMR片は、厚みdが120n
m、幅bが6μmで、V=d/b=2×10−2という
比率が実現されている。
薄膜コイルなので、コイル付きMR素子の寸法は図3に
示された実施形態の寸法よりも明らかに縮小できる。図
4に示された実施形態のMR片は、厚みdが120n
m、幅bが6μmで、V=d/b=2×10−2という
比率が実現されている。
【0045】図5(a)、(b)は、本発明によるMR
素子のさらに進んだ実施形態を示している。図5(a)
は、上記実施形態の平面図である。この実施形態では、
MR素子68は、磁北極Nと磁南極Sを持つ永久磁石1
40上に装備される。また、この実施形態では、磁石1
40は、MR片86の方向及びMR素子の望ましい方向
に揃えられた磁界Hを生成する。
素子のさらに進んだ実施形態を示している。図5(a)
は、上記実施形態の平面図である。この実施形態では、
MR素子68は、磁北極Nと磁南極Sを持つ永久磁石1
40上に装備される。また、この実施形態では、磁石1
40は、MR片86の方向及びMR素子の望ましい方向
に揃えられた磁界Hを生成する。
【0046】図5(b)は、図5(a)に示された実施
形態の側面図で、磁石140上のMR素子68の構造形
式及び配置をはっきりと見せている。
形態の側面図で、磁石140上のMR素子68の構造形
式及び配置をはっきりと見せている。
【0047】図5で示された実施形態は図4の実施形態
と比較して大きいが、この実施形態は低コストで製造で
き、磁石が相対的に鈍感なので非常に信頼性が高い。図
5の実施形態中のMR片は、厚みdが180nm、幅b
が6μmで、V=d/b=3×10−2という比率が実
現されている。
と比較して大きいが、この実施形態は低コストで製造で
き、磁石が相対的に鈍感なので非常に信頼性が高い。図
5の実施形態中のMR片は、厚みdが180nm、幅b
が6μmで、V=d/b=3×10−2という比率が実
現されている。
【0048】図6(a)、(b)は、本発明によるMR
素子のさらに進んだ実施形態を示している。図6(a)
は、上記実施形態のMR素子の構成を示す平面図であ
り、図6(b)は、側面図である。MR素子70は、図
3〜図5に示されているMR素子に対して実質的に相似
形で、この実施形態においては、MR片88もMR素子
70の望ましい方向に揃えられている。
素子のさらに進んだ実施形態を示している。図6(a)
は、上記実施形態のMR素子の構成を示す平面図であ
り、図6(b)は、側面図である。MR素子70は、図
3〜図5に示されているMR素子に対して実質的に相似
形で、この実施形態においては、MR片88もMR素子
70の望ましい方向に揃えられている。
【0049】図6(b)から特に明らかなように、この
実施形態では、硬磁性層160はMR素子70の表面上
に設けられ、MR片88のすぐ上のところに装備されて
いる。この硬磁性層160についても、これ以前に説明
された実施形態と類似して、望ましい方向で磁界Hを生
成する。
実施形態では、硬磁性層160はMR素子70の表面上
に設けられ、MR片88のすぐ上のところに装備されて
いる。この硬磁性層160についても、これ以前に説明
された実施形態と類似して、望ましい方向で磁界Hを生
成する。
【0050】これまで示されてきた一連の実施形態は、
センサ装置の異方性磁界強度を増強するMR素子及びデ
バイスの候補例を表しているにすぎないことには注意を
払うべきだが、当業者は本発明の範囲内でさらに進んだ
変更を工夫できるだろうし、特に、示されてきた一連の
実施形態の部分的な素子を組み合わせてもよい。
センサ装置の異方性磁界強度を増強するMR素子及びデ
バイスの候補例を表しているにすぎないことには注意を
払うべきだが、当業者は本発明の範囲内でさらに進んだ
変更を工夫できるだろうし、特に、示されてきた一連の
実施形態の部分的な素子を組み合わせてもよい。
【0051】MR片(80、82、84、86、88)
は、図3〜図6でのみ線で図示されている。しかしなが
ら、幾何設計は、特に図7(a)、(b)、(c)に示
されているように、本発明に従っていれば様々でよい。
図6に示されている実施形態のMR片は、厚みdが16
0nm、幅bが4μmで、V=d/b=4×10−2と
いう比率が実現されている。
は、図3〜図6でのみ線で図示されている。しかしなが
ら、幾何設計は、特に図7(a)、(b)、(c)に示
されているように、本発明に従っていれば様々でよい。
図6に示されている実施形態のMR片は、厚みdが16
0nm、幅bが4μmで、V=d/b=4×10−2と
いう比率が実現されている。
【0052】図7(a)は、矩形で、望ましい方向に長
さl、幅bのMR片90を示している。図7(b)は双
曲面形状のMR片92のさらに進んだ実施形態の候補を
示し、図7(c)に示されているMR片94は星状の形
状をしている。
さl、幅bのMR片90を示している。図7(b)は双
曲面形状のMR片92のさらに進んだ実施形態の候補を
示し、図7(c)に示されているMR片94は星状の形
状をしている。
【0053】長さlと幅bのアスペクト比は、異方性磁
界強度を大きくするためにできるだけ大きいものを選
び、示されている実施形態において50から200の範
囲に収める。特に望ましいアスペクト比は約100であ
る。
界強度を大きくするためにできるだけ大きいものを選
び、示されている実施形態において50から200の範
囲に収める。特に望ましいアスペクト比は約100であ
る。
【0054】先行する説明、図面及び請求項で開示され
た本発明の特徴的な機能は、その様々な実施形態で本発
明を実現するうえで、個別にも、任意の組み合わせでも
不可欠である。
た本発明の特徴的な機能は、その様々な実施形態で本発
明を実現するうえで、個別にも、任意の組み合わせでも
不可欠である。
【図1】本発明による角度センサの実施形態の基本構造
を示すブロック図。
を示すブロック図。
【図2】基本構造が図1に示されるセンサの一実施形態
を示す図。
を示す図。
【図3】本発明によるMR片及び外部コイルを装備した
MR素子の実施形態の構成を示す図。
MR素子の実施形態の構成を示す図。
【図4】本発明による内部コイル付きMR素子の実施形
態の構成を示す図。
態の構成を示す図。
【図5】本発明による外部磁石付きMR素子の実施形態
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図6】本発明による硬磁性層付きMR素子の実施形態
の構成を示す図。
の構成を示す図。
【図7】本発明によるMR片の可能な幾何形状を示す
図。
図。
20 角度センサ
22 端子
24 端子
26 端子
28 端子
30 端子
32 端子
34 端子
36 端子
40 センサ装置
42 センサ装置
60 MR素子(センサ装置40)
62 MR素子(センサ装置42)
64 MR素子
66 MR素子
68 MR素子
70 MR素子
80 MR片
82 MR片
84 MR片
86 MR片
88 MR片
90 MR片
92 MR片
94 MR片
100 コイル
120 コイル
140 磁石
160 硬磁性層
l MR片の長さ
b MR片の幅
d MR片の厚み
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H01L 43/08 G01R 33/06 R
(72)発明者 ミヒャエル、デシャー
ドイツ連邦共和国ハンブルク、ラッテンカ
ンプ、96
Fターム(参考) 2F063 AA35 AA36 BA06 BA08 CA10
DA05 DD03 GA52 GA58 GA79
KA01
2F077 AA27 CC02 JJ01 JJ09 VV01
VV33
2G017 AA01 AA03 AC09 AD55
Claims (21)
- 【請求項1】異方性磁気抵抗素子を有する少なくとも2
つの角オフセット異方性磁気抵抗センサ装置を備える角
度センサにおいて、前記角度センサがセンサ装置の異方
性磁界強度を増強する少なくとも1つのデバイスを備え
ることを特徴とする角度センサ。 - 【請求項2】異方性磁界強度を増強する前記デバイス
は、少なくとも1つのコイル装置を備えることを特徴と
する請求項1記載の角度センサ。 - 【請求項3】前記コイル装置は、磁気抵抗素子毎に磁気
抵抗素子を実質的に取り巻く少なくとも1つの外部コイ
ルを備えることを特徴とする請求項2記載の角度セン
サ。 - 【請求項4】前記コイル装置は、各磁気抵抗素子のレイ
アウトに組み込まれた少なくとも1つの薄膜コイルを備
えることを特徴とする請求項2又は3に記載の角度セン
サ。 - 【請求項5】異方性磁界強度を増強する前記デバイス
は、少なくとも1つの磁石を備えることを特徴とする請
求項1乃至4のいずれかに記載の角度センサ。 - 【請求項6】前記磁石は、永久磁石であることを特徴と
する請求項5記載の角度センサ。 - 【請求項7】少なくとも磁気抵抗素子は、その上に硬磁
性層を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれ
かに記載の角度センサ。 - 【請求項8】少なくとも2つの角オフセットセンサ装置
は、90°の角オフセットを持つことを特徴とする請求
項1乃至7のいずれかに記載の角度センサ。 - 【請求項9】磁気抵抗素子は、磁気抵抗層、特に、厚み
dと幅bの比率Vの値がV≧4×10−3、望ましくは
V≧1.5×10−2となるような、所定の長さl、幅
b、厚みdの磁気抵抗片を備えることを特徴とする請求
項1乃至8のいずれかに記載の角度センサ。 - 【請求項10】磁気抵抗層の少なくとも1つが矩形、双
曲面、及び星状の形状のいずれかを有することを特徴と
する請求項9記載の角度センサ。 - 【請求項11】磁気抵抗層の少なくとも1つが、Ni
50Co50、Ni70Co30、Co 72Fe8B
20、Ni81Fe19のグループのうち1つの材料か
ら構成されることを特徴とする請求項1乃至10のいず
れかに記載の角度センサ。 - 【請求項12】磁化の反転パルスを印加する手段をさら
に備えることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか
に記載の角度センサ。 - 【請求項13】磁化の反転パルスを印加する手段は、少
なくとも1つのコイル装置を備えることを特徴とする請
求項12記載の角度センサ。 - 【請求項14】後続して配列される信号電子機器又は組
み込まれる信号電子機器をさらに備えることを特徴とす
る請求項1乃至13のいずれかに記載の角度センサ。 - 【請求項15】異方性磁気抵抗素子を有する少なくとも
2つの角オフセット異方性磁気抵抗センサ装置を備える
角度センサ、特に請求項1乃至14のいずれかに記載の
角度センサであって、前記磁気抵抗素子は、磁気抵抗
層、特に実質的に双曲面又は星状の形状を持つ磁気抵抗
片を備えることを特徴とする角度センサ。 - 【請求項16】磁気抵抗素子の望ましい方向で存在する
磁気支持磁界が生成されることを特徴とする磁気抵抗素
子を有する角度センサのセンサ装置の異方性磁界強度を
増強する方法。 - 【請求項17】前記磁気支持磁界は、恒久的又は断続的
に生成されることを特徴とする請求項16に記載の方
法。 - 【請求項18】前記磁気支持磁界は、少なくとも1つの
コイル装置によって生成されることを特徴とする請求項
16又は17記載の方法。 - 【請求項19】前記磁気支持磁界は、磁石によって生成
されることを特徴とする請求項16又は17記載の方
法。 - 【請求項20】前記磁気支持磁界は、磁気抵抗素子の少
なくとも1つに設けられた硬磁性層によって生成される
ことを特徴とする請求項16又は17記載の方法。 - 【請求項21】磁気抵抗素子を有する角度センサのセン
サ装置の異方性磁界強度を増強する方法、特に請求項1
6乃至20のいずれかに記載の方法において、磁気抵抗
素子は、磁気抵抗層、特に磁気抵抗層が実質的に双曲面
又は星状の形状が与えられる磁気抵抗片から作成される
ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10118650A DE10118650A1 (de) | 2001-04-14 | 2001-04-14 | Winkelsensor sowie Verfahren zum Erhöhen der Anisotropiefeldstärke einer Sensoreinheit eines Winkelsensors |
DE10118650.9 | 2001-04-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003004480A true JP2003004480A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=7681626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002110762A Pending JP2003004480A (ja) | 2001-04-14 | 2002-04-12 | 角度センサ及び角度センサのセンサ装置の異方性磁界強度を増強する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6831456B2 (ja) |
EP (1) | EP1249686A3 (ja) |
JP (1) | JP2003004480A (ja) |
DE (1) | DE10118650A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007010842A1 (ja) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Tomen Electronics Corporation | 回転角度検出装置 |
JP2011503540A (ja) * | 2007-11-01 | 2011-01-27 | マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 全方位検出磁界角度センサ |
JP2011043436A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Tokai Rika Co Ltd | 多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 |
US8378664B2 (en) | 2003-06-25 | 2013-02-19 | Nxp B.V. | Arrangement comprising a magnetic-field-dependent angle sensor |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005534199A (ja) * | 2002-07-26 | 2005-11-10 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | Gmrセンサエレメントおよびgmrセンサエレメントの使用 |
US6906510B2 (en) * | 2002-11-18 | 2005-06-14 | Ronald J. Wolf | Quadrature output sensor system |
CA2507819C (en) * | 2002-11-29 | 2010-09-14 | Yamaha Corporation | Magnetic sensor, and method of compensating temperature-dependent characteristic of magnetic sensor |
DE10342260B4 (de) * | 2003-09-11 | 2014-11-20 | Meas Deutschland Gmbh | Magnetoresistiver Sensor in Form einer Halb- oder Vollbrückenschaltung |
GB2408802A (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-08 | Weston Aerospace | Eddy current sensors |
DE602004024716D1 (de) * | 2004-01-07 | 2010-01-28 | Nxp Bv | Amr-sensorelement für winkelmessungen |
DE602005012724D1 (de) * | 2004-12-01 | 2009-03-26 | Nxp Bv | Schnittstelle und verfahren zur übertragung von bits an einen zweidraht-bus, der ein lin-protokoll anwendet |
US7990978B1 (en) | 2004-12-17 | 2011-08-02 | Verizon Services Corp. | Dynamic bandwidth queue allocation |
JP4810275B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2011-11-09 | アルプス電気株式会社 | 磁気スイッチ |
WO2008146184A2 (en) * | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Nxp B.V. | External magnetic field angle determination |
JP5517553B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2014-06-11 | ワトソン インダストリーズ,インコーポレイティド | 直角位相制御方法及びその方法を備えた振動構造ジャイロスコープ |
US8451003B2 (en) * | 2009-07-29 | 2013-05-28 | Tdk Corporation | Magnetic sensor having magneto-resistive elements on a substrate |
DE102010025170B4 (de) * | 2010-06-25 | 2013-02-28 | Meas Deutschland Gmbh | Vorrichtung zum Erzeugen eines Sensorsignals und Verfahren zur Bestimmung der Position eines Gebers |
EP2413154B1 (en) * | 2010-07-30 | 2013-04-17 | Nxp B.V. | Magnetoresistive Sensor |
US11506732B2 (en) | 2010-10-20 | 2022-11-22 | Infineon Technologies Ag | XMR sensors with serial segment strip configurations |
US20120229128A1 (en) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | Armin Satz | Magnetic Field Sensor |
US8884616B2 (en) | 2011-06-22 | 2014-11-11 | Infineon Technologies Ag | XMR angle sensors |
US8947082B2 (en) | 2011-10-21 | 2015-02-03 | University College Cork, National University Of Ireland | Dual-axis anisotropic magnetoresistive sensors |
US9372242B2 (en) * | 2012-05-11 | 2016-06-21 | Memsic, Inc. | Magnetometer with angled set/reset coil |
US9316706B2 (en) | 2012-06-11 | 2016-04-19 | Infineon Technologies Ag | Minimum magnetic field detection systems and methods in magnetoresistive sensors |
CN103632431B (zh) * | 2012-08-21 | 2018-03-09 | 北京嘉岳同乐极电子有限公司 | 磁图像传感器及鉴伪方法 |
JP6237903B2 (ja) * | 2014-07-23 | 2017-11-29 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
DE102014110438B4 (de) * | 2014-07-24 | 2020-11-12 | Infineon Technologies Ag | XMR-Sensorvorrichtung |
US10275055B2 (en) | 2016-03-31 | 2019-04-30 | Azoteq (Pty) Ltd | Rotational sensing |
DE102019218351A1 (de) * | 2019-11-27 | 2021-05-27 | Dr. Johannes Heidenhain Gesellschaft Mit Beschränkter Haftung | Sensorelement zur Speicherung von Umdrehungs- oder Positionsinformationen |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4841235A (en) * | 1987-06-11 | 1989-06-20 | Eaton Corporation | MRS current sensor |
JP3483895B2 (ja) * | 1990-11-01 | 2004-01-06 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果膜 |
US5287238A (en) * | 1992-11-06 | 1994-02-15 | International Business Machines Corporation | Dual spin valve magnetoresistive sensor |
DE4301704A1 (de) * | 1993-01-22 | 1994-07-28 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Erfassen einer Winkelposition eines Objektes |
DE4335826A1 (de) * | 1993-10-20 | 1995-04-27 | Siemens Ag | Meßvorrichtung mit magnetoresistiven Sensoreinrichtungen in einer Brückenschaltung |
US5654854A (en) * | 1995-11-30 | 1997-08-05 | Quantum Corporation | Longitudinally biased magnetoresistive sensor having a concave shaped active region to reduce Barkhausen noise by achieving a substantially single magnetic domain state |
US5929636A (en) * | 1996-05-02 | 1999-07-27 | Integrated Magnetoelectronics | All-metal giant magnetoresistive solid-state component |
JPH1041132A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-02-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果膜 |
DE19810218A1 (de) * | 1997-03-10 | 1998-10-15 | Klemens Gintner | Magnetfeldsensor auf Basis des magnetoresistiven Effektes |
JP3411194B2 (ja) * | 1997-07-29 | 2003-05-26 | アルプス電気株式会社 | 軟磁性膜及びこの軟磁性膜を用いたmr/インダクティブ複合型薄膜磁気ヘッド |
DE19839446A1 (de) * | 1998-08-29 | 2000-03-02 | Bosch Gmbh Robert | Anordnung zur Drehwinkelerfassung eines drehbaren Elements |
DE19852502A1 (de) * | 1998-11-13 | 2000-05-18 | Philips Corp Intellectual Pty | Verfahren zur Offset-Kalibrierung eines magnetoresistiven Winkelsensors |
US6326781B1 (en) * | 1999-01-11 | 2001-12-04 | Bvr Aero Precision Corp | 360 degree shaft angle sensing and remote indicating system using a two-axis magnetoresistive microcircuit |
-
2001
- 2001-04-14 DE DE10118650A patent/DE10118650A1/de not_active Withdrawn
-
2002
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US8378664B2 (en) | 2003-06-25 | 2013-02-19 | Nxp B.V. | Arrangement comprising a magnetic-field-dependent angle sensor |
WO2007010842A1 (ja) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Tomen Electronics Corporation | 回転角度検出装置 |
US7808234B2 (en) | 2005-07-20 | 2010-10-05 | Tomen Electronics Corporation | Rotational angle detection device with a rotating magnet and a four-pole auxiiliary magnet |
JP2011503540A (ja) * | 2007-11-01 | 2011-01-27 | マグアイシー テクノロジーズ インコーポレイテッド | 全方位検出磁界角度センサ |
JP2011043436A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Tokai Rika Co Ltd | 多重系磁気センサのセンサパターン配置構造及びその製造方法 |
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