JP2003003297A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置内に金属イオンを除去する回収ユニット
を内蔵することにより、簡易な構成で排液処理を行って
エッチング液などの処理液の無駄を抑制することができ
る。 【解決手段】 基板Ｗに対してメッキ処理に係る処理を
施すメッキ処理ユニット１において、処理に伴う排液中
の金属イオンを除去する回収ユニット３７を備えてい
る。排液に含まれている金属イオンを回収ユニット３７
が除去することによって、排液が一般の排水に排液可能
になる。排液処理は、装置自身だけを考慮すればよいの
で簡易な構成で排液処理が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板、液
晶表示装置のガラス基板等（以下、単に基板と称する）
に対してメッキ処理を施した後の洗浄処理を行なう基板
処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】昨今、半導体製造分野においては、配線
用の金属膜をメッキ処理によって基板の表面に被着する
ことも行なわれている。このようにして形成された金属
膜のうち、外周部については基板の搬送時に剥離して相
互汚染を生じる原因となるので、メッキ処理後にエッチ
ング液によりエッチングして除去するようになってい
る。

【０００３】例えば、銅メッキにより銅膜を被着する場
合には、厚さ０．１μｍ程度の銅シード層を基板の表面
に被着した後、その上に銅メッキ処理で厚さ１．０μｍ
程度の銅膜を被着する。そして、周縁部から４ｍｍ程度
の銅膜をエッチングして除去する。このとき排液である
エッチング液は銅イオンを含んでいるので、リンスに使
用されたリンス液と混合されて排液処理設備に送られ
る。そして、ここで処理されて廃棄されるようになって
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。例えば、基板１枚あたりに１リットルのエッチン
グ液を使用したとすると、１０００枚の基板を処理する
には１０００リットルもの大量のエッチング液が消費さ
れることになってエッチング液などに無駄が多いという
問題がある。また、エッチングした後、リンスとして純
水を供給するが、この排水中にも銅イオンが含まれるこ
とになるので、エッチング液と純水の排液を設備側にま
で送るために専用の長い配管を必要とする。つまり、排
液の処理が大がかりで複雑になるという問題がある。

【０００５】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、装置内に金属イオンを除去する回収
ユニットを内蔵することにより、簡易な構成で排液処理
を行ってエッチング液などの処理液の無駄を抑制するこ
とができる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板に対してメッキ処理
に係る処理を施す基板処理装置において、処理に伴う排
液中の金属イオンを除去する回収ユニットを備えている
ことを特徴とするものである。

【０００７】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、基板に対してメッキ処理を施
すメッキ処理ユニットを備え、このメッキ処理ユニット
からの排液を前記回収ユニットが処理することを特徴と
するものである。

【０００８】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、メッキ処理が施された基板に
対して洗浄処理を施す洗浄処理ユニットを備え、この洗
浄処理ユニットからの排液を前記回収ユニットが処理す
ることを特徴とするものである。

【０００９】請求項４に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置において、基板に対してメッキ処理を施
すメッキ処理ユニットと、メッキ処理が施された基板に
対して洗浄処理を施す洗浄処理ユニットとを備え、前記
回収ユニットは、前記メッキ処理ユニットと前記洗浄処
理ユニットの双方からの排液を処理することを特徴とす
るものである。

【００１０】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、排液に含まれ
ている金属イオンを回収ユニットが除去することによっ
て排液が再利用可能になる。

【００１１】請求項２に記載の発明によれば、メッキ処
理ユニットから排出されるメッキ液を含む排液を回収ユ
ニットが処理し、その中の金属イオンを除去する。

【００１２】請求項３に記載の発明によれば、洗浄処理
ユニットから排出されるエッチング液やリンス液を回収
ユニットが処理して金属イオンを除去する。

【００１３】請求項４に記載の発明によれば、メッキ処
理ユニットから排出されるメッキ液を含んだ排液と、洗
浄処理ユニットから排出されるエッチング液やリンス液
とを共通の回収ユニットが処理して金属イオンを除去す
る。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。図１はこの発明の一実施例に係
り、メッキ処理ユニットの概略構成を示した縦断面図で
ある。

【００１５】＜メッキ処理ユニット＞本発明における基
板処理装置に相当するメッキ処理ユニット１は、基板Ｗ
に対してメッキ処理を施すものである。基板Ｗは、図示
しないシード層が形成された処理面Ｗｓを下方に向けて
スピンベース３によって水平姿勢となるように保持され
る。このスピンベース３は、平面視環状を呈するマスク
部材５と、このマスク部材５の上部に連結された３本
（図示の関係上２本だけを示す）の支柱７と、これら３
本の支柱７が連結された中空の回転軸９とを備えてい
る。

【００１６】回転軸９は、図１に示すような高さの待機
位置と、この待機位置よりも下方に位置する処理位置と
にわたって図示しない昇降機構により昇降駆動される。
また、図示しない回転駆動機構によって鉛直軸回りに回
転駆動される。

【００１７】マスク部材５は、内周側上部に、下向きに
傾斜した当接面と、内周側の位置で中心に向かって突出
した内周凸部と、この内周凸部の上面に形成された凹部
と、この凹部とマスク部材５の外周面とに連通した複数
本の流路５ａとを備えている。

【００１８】マスク部材５の内周側には、処理面Ｗｓ側
に形成されているシード層に当接して負電圧を印加する
ためのカソード電極１１が取り付けられている。このカ
ソード電極１１は、シード層に確実に当接するように、
内周側が僅かに上方に向けて傾斜するように成形されて
いるとともに、内周側が櫛形に形成されている。

【００１９】マスク部材５の内周側凹部には弾性を有す
るシール部材１３が装着されている。このシール部材１
３は、メッキ液が基板Ｗの周縁部に達することを防止す
るものであり、基板Ｗの処理面Ｗｓのうち周辺部のみに
当接するように平面視環状に形成されている。

【００２０】スピンベース３の内部には、基板Ｗの非処
理面にあたる裏面周辺部を押圧する押圧部材１５が配備
されている。この押圧部材１５は、回転軸９に沿って昇
降可能および回転自在に構成されており、スピンベース
３内に搬入された基板Ｗをマスク部材５に対して押圧し
て基板Ｗを挟持する。

【００２１】押圧部材１５は、円板状の当接部材１７
と、この回転中心部に立設された回転軸１９とを備えて
いる。回転軸１９には、流路１９ａが形成されている。
また、当接部材１７は、その外周面上部が外方に突出し
た鍔部１７ａを備えるとともに、この鍔部１７ａの外周
面は下方に向けられて当接面が形成されている。当接部
材１７の下面周辺部には、下方に突出した環状の押圧部
が形成されている。また、当接部材１７には、押圧部の
外周面に開口した流路１９ａが形成されている。押圧部
材１５の流路１９ａには、回転軸１９の流路１９ａを通
して、例えば、窒素やドライエアーが供給される。

【００２２】押圧部材１５は、図示しない回転機構によ
って、上述したスピンベース３と同様に鉛直軸回りに回
転可能に構成されているとともに、図示しない昇降機構
によってスピンベース３に対して昇降するようになって
いる。

【００２３】スピンベース３の下方には、基板Ｗの直径
よりも小径のメッキ槽２１が備えられ、このメッキ槽２
１を囲うように回収槽２３が配備されている。メッキ槽
２１の底面には開口部２１ａが形成されており、その周
囲には正電圧を印加するためのアノード電極２５が配設
されている。このアノード電極２５は、例えば、外観形
状が環状になっている。回収槽２３からメッキ槽２１の
開口部２１ａには配管２７が連通接続されており、配管
２７に取り付けられたポンプ２９によって回収槽２３の
メッキ液Ｌがメッキ槽２１の上方に向けて供給される。

【００２４】回収槽２３のさらに外側には、メッキ槽２
１と回収槽２３よりも周縁部が高い排液槽３１が配備さ
れている。この排液槽３１は、その底面の一部位に一個
の排液口３３が形成されているとともに、中心を挟んで
その反対側に、純水を排液槽３１に供給するための注水
口３５が形成されている。排液口３３には、図示しない
導電率測定器が取り付けられており、その導電率変化に
よりシール部材１３の漏れを判断するようになってい
る。

【００２５】排液槽３１の排液口３３は、回収ユニット
３７に連通している。回収ユニット３７は、排液口３３
に貯留する、メッキ液を含む純水（以下、希釈水と称す
る）を取り込むためのポンプ３９と、希釈水から金属イ
オンを除去する第１イオン交換塔４１と、金属イオン濃
度センサ４３と、第２イオン交換塔４５とを備えてい
る。

【００２６】第１イオン交換塔４１と第２イオン交換塔
４５は、金属イオンを吸着するイオン交換樹脂が内蔵さ
れている。イオン交換樹脂としては、例えば、重金属イ
オンに強い親和性を示すイミノ酢酸キレート樹脂があ
る。また、これらを直列的に配置してあるのは、イオン
交換樹脂には吸着の限界があり、一定量の金属イオンを
吸着してイオン交換能力が破綻したときの安全性を担保
するためである。金属イオン濃度センサ４３は、吸光
度、導電率、試験紙などによる金属イオン濃度の検出を
行って、第１／第２イオン交換塔４１，４５の吸着限界
を検知する。

【００２７】なお、上記安全性の理由により二つの第１
イオン交換塔４１，４５を直列的に配置しているが、安
全を見込んで吸着限界よりも早めに交換するのであれ
ば、一つのイオン交換塔だけを配備するようにしてもよ
い。また、より安全を見込むため、３つ以上のイオン交
換塔を直列に配備してもよい。

【００２８】このように構成されているメッキ処理ユニ
ットにおける動作について説明する。なお、既に純水が
供給されて、排液槽３１内には所要レベルの純水が貯留
された状態にあり、貯留されている純水に対して排水口
３３に向かう流れが与えられているものとする。

【００２９】まず、図１に示す待機位置にスピンベース
３が位置している状態で、図示しない基板搬送機構がス
ピンベース３内に基板Ｗを搬入する。このとき、基板Ｗ
は、その処理面Ｗｓが下向きの姿勢である。スピンベー
ス１内に基板Ｗが搬入されると、基板Ｗをマスク部材５
に向けて下降させ、基板Ｗをカソード電極１１及びシー
ル部材１３の上に載置する。

【００３０】次に、押圧部材１５を基板Ｗの非処理面に
向けて下降させ、当接部材１７の押圧部が基板Ｗの非処
理面に当接するまで下降させるとともに、一定圧力で基
板Ｗを押圧するように付勢する。

【００３１】さらに、図示しない気体供給源から気体
（例えば、窒素）の供給を開始する。このようにして供
給された気体は、回転軸１９及び当接部材１７の流路１
９ａを通り、基板Ｗの周縁部に達する。その気体は、電
極１１と、マスク部材５の凹部とを経て、マスク部材５
の流路５ａを通って排液槽３１に排出される。

【００３２】そして、スピンベース３を回転させつつ基
板Ｗごと処理位置にまで下降させるとともに、ポンプ２
９を作動させてメッキ槽２１のメッキ液Ｌを循環させ
る。さらに、カソード電極１１とアノード電極２５とに
所定時間通電してメッキ処理を行う。このときメッキ液
Ｌは、メッキ槽２１から溢れて回収槽２３に回収され
る。

【００３３】本実施例のように構成されたメッキ処理ユ
ニットでは、上記のようなメッキ処理中にメッキ液Ｌが
処理面Ｗｓを伝ってシール部材１３より基板Ｗの周縁側
に浸入しようとしても、気体の流れによるセルフクリー
ニングにより、メッキ液Ｌが流路５ａから排出される。
したがって、メッキ液Ｌが基板Ｗの周縁部を伝って非処
理面側にまで浸入することが阻止され、マスク部材１３
から漏れ出たメッキ液Ｌが基板Ｗの周縁部及び非処理面
を汚染することを防止できる。その結果、順次に搬入さ
れる基板Ｗ間で起きる相互汚染を防止できる。

【００３４】上記のようにして気体に乗せられて排出さ
れたメッキ液Ｌは、ミストとなって排液槽３１に排出さ
れる。シール部材１３に漏れがない場合には、導電率が
ほぼ一定であるので、警報が発せられることなくメッキ
処理が終了する。しかしながら、シール部材１３からメ
ッキ液が漏れた場合には、流路５ａから気体とともにメ
ッキ液が排液槽３１に排出される。すると、導電率が急
激に大きくなるので警報を発する。その結果、警報を知
ったオペレータが装置を停止させるか、図示しない制御
部が処理を自動的に停止させることにより、継続的に基
板が汚染されることが防止できる。

【００３５】このようにしてシール部材１３からの漏れ
が検出されると、メッキ液Ｌが純水に混ざった希釈水が
排液口３３から排出され、ポンプ３９によって回収ユニ
ット３７に取り込まれる。そして、第１イオン交換塔４
１と第２イオン交換塔４５とを通って金属イオンが吸着
されて除去される。

【００３６】したがって、回収ユニット３７から排出さ
れる排液は、極微量の金属イオンを含むだけの水となっ
ているので、その排液を一般の排水に廃棄することがで
きる。また、回収ユニット３７による排液処理は、メッ
キ処理ユニット１だけを考慮すればよいので簡易な構成
で排液処理が可能となる。

【００３７】なお、本実施例では、基板Ｗの処理面Ｗｓ
を下方に向けた、いわゆるフェイスダウンの装置を例に
採って説明したが、本発明はその逆のフェイスアップの
装置であっても適用できる。

【００３８】＜洗浄処理ユニット＞図２はこの発明の一
実施例に係り、図２は洗浄処理ユニットの概略構成を示
した縦断面図である。

【００３９】本発明における基板処理装置に相当する洗
浄処理ユニット５１は、基板Ｗに対して洗浄処理を施
す。具体的には、金属膜Ｍが剥離して相互汚染の原因に
なるのを防止するために、基板Ｗの表面に被着された金
属膜Ｍのうちの外周部だけを除去するエッチング処理
と、このエッチング処理後に金属膜Ｍを含む基板Ｗを洗
浄する洗浄処理とを含んでいる。

【００４０】基板Ｗは、金属膜Ｍが被着された面を上方
に向けて、水平姿勢でスピンチャック５３に吸着支持さ
れる。このスピンベース５３は、図示しない回転手段に
よって、鉛直軸周りに回転駆動される。なお、吸着によ
り基板Ｗを保持するスピンチャック５３に代えて、基板
Ｗの端縁を当接支持する機械式のチャックを採用しても
よい。

【００４１】スピンチャック５３の周囲には、飛散防止
カップ５５が配備されている。この飛散防止カップ５５
は、図示しない昇降手段により、図中に実線で示す下降
位置と、図中に二点鎖線で示す上昇位置とにわたって移
動される。内側の内周カップ５７は、その外側の外周カ
ップ５９よりも上縁が低くなっている。これらの内周カ
ップ５７、外周カップ５９は、ともに上部に傾斜面を備
えており、基板Ｗから周囲に飛散したエッチング液やリ
ンス液を下方に向けて案内する。

【００４２】内周カップ５７の上方には、エッチング液
を基板Ｗの外周部に供給するためのエッチングノズル６
１が配備されている。このエッチングノズル６１には、
エッチング液供給部６３からエッチング液が供給され
る。

【００４３】スピンチャック５３の上方には、基板Ｗの
回転中心付近から外周部に向けて純水をリンス液として
供給するリンスノズル６５が配備されている。また、ス
ピンチャック５３の下方には、バックリンスノズル６７
が配備されている。リンスノズル６５は、金属膜Ｍに対
するエッチング処理が終了した後、基板Ｗの表面を洗浄
するためのものであり、バックリンスノズル６７は、基
板Ｗの裏面に付着したエッチング液等を洗い流す。

【００４４】内周カップ５７の底面には、排液口５７ａ
が形成されている。この排液口５７ａは、回収ユニット
３７（構成は上記の＜メッキ処理ユニット＞のものと同
じ）に連通接続されている。したがって、リンスノズル
６５やバックリンスノズル６７から供給されたリンス液
は回収され、金属イオンを除去されて一般の排水に廃棄
される。

【００４５】外周カップ５９の底面には、排液口５９ａ
が設けられている。この排液口５９ａには、本発明の回
収ユニットに相当する再生ユニット６９が連通接続され
ている。再生ユニット６９は、上述した回収ユニット３
７の構成に加えて、さらに、パーティクル除去用のフィ
ルタを備えたようなものである。つまり、上流側から、
ポンプ７１と、第１イオン交換塔７３と、金属イオン濃
度センサ７５と、第２イオン交換塔７７と、フィルタ７
９とを備えている。

【００４６】再生ユニット６９は、エッチング液を回収
して金属イオンを除去するとともに、その中からパーテ
ィクルを除去する。このようにして処理されたエッチン
グ液は、温度調節ユニット８１で温度が調節された上で
エッチング液供給部６３に戻され、そこで濃度が調節さ
れて再利用されることになる。

【００４７】次に、上述した構成の装置の動作について
説明する。なお、飛散防止カップ５５は、図２に実線で
示すように下降位置にあるものとする。

【００４８】まず、図示しない回転手段を駆動し、基板
Ｗを一定の回転速度で回転させる。次いで、エッチング
液供給部６３からエッチング液を供給して、エッチング
ノズル６１からエッチング液を基板Ｗの外周部に向けて
供給する。これにより基板Ｗに被着されている金属膜Ｍ
の外周部がエッチングされて除去される。このとき基板
Ｗから飛散したエッチング液は、外周カップ５９によっ
て回収されて再生ユニット６９に送られる。再生ユニッ
ト６９で再生されたエッチング液は、濃度調整されて再
び利用されることになる。

【００４９】このように上記洗浄処理ユニット５１によ
ると、ここから排出されるエッチング液を再生ユニット
６９が処理して金属イオンを除去するので、エッチング
液の再利用が可能となって浪費を抑制できる。

【００５０】次に、図示しない昇降手段により飛散防止
カップ５５が図２中に二点鎖線で示す上昇位置にまで移
動される。そして、リンスノズル６５とバックリンスノ
ズル６７からリンス液を供給して、基板Ｗの表裏面を洗
浄する。これにより基板Ｗの表裏面に付着しているエッ
チング液や液滴が洗い流される。

【００５１】このときリンス液は回収ユニット３７によ
って回収されて処理される。したがって、このユニット
から排出される排液には極微量の金属イオンしか含まな
い状態にされているので、一般の排水に廃棄することが
できる。

【００５２】上述した構成によるとエッチング液は再利
用可能であり、リンス液は一般の排水に廃棄可能とな
る。また、エッチング液とリンス液の処理は、洗浄処理
ユニット５１のものだけを考慮すればよいので簡易な構
成ですむ。

【００５３】なお、本発明は、上記実施例装置のように
エッチング処理と洗浄処理を両方とも行える構成である
必要はなく、いずれか一方だけを処理できる構成であっ
ても適用できる。

【００５４】また、洗浄処理ユニット５１は、上述した
枚葉処理に限らず、バッチ処理であってもよい。

【００５５】＜基板処理装置＞図３はこの発明の一実施
例に係り、図３は上述したメッキ処理ユニット１と洗浄
処理ユニット５１とを備えた基板処理装置である。

【００５６】この基板処理装置９１は、一例として６台
のメッキ処理ユニット１と、４台の洗浄処理ユニット５
１とを備えている。基板Ｗは、カセット９３に複数枚積
層収納された状態で載置部９５にセットされる。載置部
９５に隣接するように、基板Ｗをカセット９３から取り
出すための搬送部９７が配備されている。この搬送部９
７とともに平面視Ｔの字状となるように搬送路９９が配
備されているとともに、この搬送路９９を移動可能な搬
送ユニット１０１が設けられている。搬送路９９を挟む
ように、隣接配置された３台のメッキ処理ユニット１が
対向して配設され、同様に隣接配置された２台の洗浄処
理ユニット５１が対向して配備されている。

【００５７】搬送ユニット１０１は、基板Ｗを搬送部９
７との間で受け渡したり、メッキや洗浄処理前の基板Ｗ
をメッキ処理ユニット１や洗浄処理ユニット５１に対し
て搬入したりする第１アーム１０１ａと、メッキや洗浄
処理後の基板Ｗをメッキ処理ユニット１や洗浄処理ユニ
ット５１から取り出す第２アーム１０１ｂとを上下に配
備している。

【００５８】上記の各メッキ処理ユニット１からの希釈
水と、各洗浄処理ユニット５１からのリンス液は共通の
回収ユニット３７（図１または図２参照）によって処理
され、一般の排水に廃棄される。また、各洗浄処理ユニ
ット５１からのエッチング液は、共通の再生ユニット６
９（図２参照）により処理されて再利用されることにな
る。したがって、上述した各実施例における効果に加え
て、回収ユニット３７及び再生ユニット６９の共有化に
よる基板処理装置９１内部のスペース効率を高めること
ができる。

【００５９】このように構成された装置では、カセット
９３から未処理の基板Ｗが搬送部９７により取り出さ
れ、搬送ユニット１０１によってメッキ処理ユニット１
に搬送される。ここでメッキ処理を施された基板Ｗは、
搬送ユニット１０１によって洗浄処理ユニット５１に搬
送される。洗浄処理を施された基板Ｗは、搬送ユニット
１０１及び搬送部９７を介してカセット９７に搬送され
る。

【００６０】なお、本発明は、上述した構成に限定され
るものではなく、メッキ処理ユニット１だけを複数台備
えた構成や、洗浄処理ユニット５１だけを複数台備えた
構成であってもよい。

【００６１】また、載置台９５と、搬送部９７と、搬送
路９９と、搬送ユニット１０１の構成も上述した構成に
限定されるものではない。

【００６２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、排液に含まれている金属イオ
ンを回収ユニットが除去することによって、排液が再利
用可能あるいは一般の排水に排液可能になる。排液処理
は、装置自身だけを考慮すればよいので簡易な構成で排
液処理が可能となり、エッチング液などの処理液を再利
用することにより処理液の浪費を抑制できる。

【００６３】請求項２に記載の発明によれば、メッキ処
理ユニットから排出されるメッキ液を含んだ排液を回収
ユニットが処理して金属イオンを除去するので、排液を
一般の排水に廃棄することができる。

【００６４】請求項３に記載の発明によれば、洗浄処理
ユニットから排出されるエッチング液やリンス液を回収
ユニットが処理して金属イオンを除去するので、エッチ
ング液の再利用が可能となって浪費を抑制できる。ま
た、リンス液を一般の排水に廃棄することができて排液
処理が容易にできる。

【００６５】請求項４に記載の発明によれば、メッキ処
理ユニットから排出されるメッキ液を含んだ排液と、洗
浄処理ユニットから排出されるエッチング液とリンス液
とを共通の回収ユニットが処理して金属イオンを除去す
るので、上記の請求項１ないし３と同等の効果を得なが
らも回収ユニットの共有化によって装置内のスペース効
率を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】メッキ処理ユニットの概略構成を示した縦断面
図である。

【図２】洗浄処理ユニットの概略構成を示した縦断面図
である。

【図３】メッキ処理ユニットと洗浄処理ユニットとを備
えた基板処理装置の概略構成を示した平面図である。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 Ｗｓ … 処理面 １ … メッキ処理ユニット（基板処理装置） ３ … スピンベース ５ … マスク部材 １１ … カソード電極 １３ … シール部材 １５ … 押圧部材 ２１ … メッキ槽 ３７ … 回収ユニット ４１，７３ … 第１イオン交換塔 ４３，７５ … 金属イオン濃度センサ ４５，７７ … 第２イオン交換塔 ５１ … 洗浄処理ユニット（基板処理装置） ５３ … スピンチャック ５５ … 飛散防止カップ ６１ … エッチングノズル ６９ … 再生ユニット（回収ユニット） ９１ … 基板処理装置 ９５ … 載置部 ９７ … 搬送部 ９９ … 搬送路 １０１ … 搬送ユニット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ２５Ｄ 21/00 Ｃ２５Ｄ 21/00 Ｂ 21/16 21/16 Ａ Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ // Ｇ０１Ｎ 27/06 Ｇ０１Ｎ 27/06 Ｚ (72)発明者 屋根 剛 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2G060 AA06 AE17 AF08 KA10 4D025 AA09 AB23 BA17 BB09 CA02 CA04 CA05 4K057 WA01 WA02 WB04 WB17 WK01 WM04 WM19 WN01 4M104 DD52 DD63

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対してメッキ処理に係る処理を施
   す基板処理装置において、 処理に伴う排液中の金属イオンを除去する回収ユニット
   を備えていることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 基板に対してメッキ処理を施すメッキ処理ユニットを備
   え、 このメッキ処理ユニットからの排液を前記回収ユニット
   が処理することを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 メッキ処理が施された基板に対して洗浄処理を施す洗浄
   処理ユニットを備え、 この洗浄処理ユニットからの排液を前記回収ユニットが
   処理することを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 基板に対してメッキ処理を施すメッキ処理ユニットと、 メッキ処理が施された基板に対して洗浄処理を施す洗浄
   処理ユニットとを備え、 前記回収ユニットは、前記メッキ処理ユニットと前記洗
   浄処理ユニットの双方からの排液を処理することを特徴
   とする基板処理装置。