JP2003002645A - セラミックスの原料液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低温で強誘電体のようなセラミックスを形成
することができる、セラミックスの原料液を提供する。 【解決手段】 セラミックスの原料液は、第１の原料液
と、第２の原料液とを混合して使用される。第１の原料
液と第２の原料液とは、種類が異なる関係にある。第１
の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を有する強
誘電体を生成するための原料液であり、第２の原料液
は、ＡサイトがＢｉであるＡＢＯ系酸化物を生成するた
めの原料液である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスの原
料液に関する。

【０００２】

【背景技術】現在、半導体装置（たとえば強誘電体メモ
リ（ＦｅＲＡＭ））に適用される強誘電体膜として、層
状ペロブスカイト構造を有する強誘電体膜（たとえばＢ
ｉＬａＴｉＯ系，ＢｉＴｉＯ系，ＳｒＢｉＴａＯ系）が
提案されている。この層状ペロブスカイト構造を有する
強誘電体膜は、一般に、アモルファス状態から結晶成長
を行うことにより形成される。

【０００３】ところで、この形成方法により層状ペロブ
スカイト構造を有する強誘電体膜を形成した場合、強誘
電体膜は、結晶構造に起因して、ｃ軸方向の結晶成長速
度がａ，ｂ軸方向の結晶成長速度よりも遅くなる。つま
り、ａ，ｂ軸方向に結晶成長し易い。このため、上記の
形成方法によると、層状ペロブスカイト構造を有する強
誘電体膜は、荒れた表面モフォロジとなる。すなわち、
得られる強誘電体膜の結晶間において、間隙（たとえば
孔や溝）が生じる。

【０００４】また、層状ペロブスカイト構造を有する強
誘電体は、一般に、結晶化温度が高い。このため、層状
ペロブスカイト構造を有する強誘電体を形成する際、焼
成温度を高く設定する必要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低温
で強誘電体のようなセラミックスを形成することができ
る、セラミックスの原料液を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（Ａ）本発明の第１のセ
ラミックスの原料液は、第１の原料液と、第２の原料液
とを混合して使用されるセラミックスの原料液であっ
て、前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が
異なる関係にあり、前記第１の原料液は、Ｂｉ系層状ペ
ロブスカイト構造を有する強誘電体を生成するための原
料液であり、前記第２の原料液は、ＡサイトがＢｉであ
るＡＢＯ系酸化物を生成するための原料液である。

【０００７】ここで、第１の原料液と第２の原料液とは
混合状態であってもよく、また、別体であってもよい。

【０００８】本発明のセラミックスの原料液によってセ
ラミックス膜を形成することにより、たとえば、低温で
所定の特性を有する強誘電体膜を形成することができ
る。また、本発明のセラミックスの原料液によって得ら
れたセラミックス膜は、表面モフォロジに関して、優れ
ている。

【０００９】前記第１の原料液と、前記第２の原料液と
は、前記第１の原料液に基づいて生成される強誘電体
と、前記第２の原料液に基づいて生成されるＡＢＯ系酸
化物とのモル比が、１００：２０〜１００：１００とな
るように混合されることが好ましい。これにより、より
確実に低温で所定の特性を有する強誘電体膜を形成する
ことができる。

【００１０】前記第１の原料液は、前記強誘電体の構成
金属元素の、金属化合物または金属無機化合物を溶媒に
溶解した溶液であり、前記第２の原料液は、前記ＡＢＯ
系酸化物の構成金属元素の、金属化合物または金属無機
化合物を溶媒に溶解した溶液であることができる。

【００１１】（Ｂ）本発明の第２のセラミックスの原料
液は、第３の原料液と、第４の原料液とを混合して使用
されるセラミックスの原料液であって、前記第３の原料
液と前記第４の原料液とは、種類が異なる関係にあり、
前記第３の原料液は、ＰＺＴ系の強誘電体を生成するた
めの原料液であり、前記第４の原料液は、ＡサイトがＰ
ｂであるＡＢＯ系酸化物を生成するための原料液であ
る。

【００１２】ここで、第３の原料液と第４の原料液とは
混合状態であってもよく、また、別体であってもよい。

【００１３】本発明のセラミックスの原料液によってセ
ラミックス膜を形成することにより、たとえば、低温で
所定の特性を有する強誘電体膜を形成することができ
る。また、本発明のセラミックスの原料液によって得ら
れたセラミックス膜は、表面モフォロジに関して、優れ
ている。

【００１４】前記第３の原料液と、前記第４の原料液と
は、前記第３の原料液に基づいて生成される強誘電体
と、前記第４の原料液に基づいて生成されるＡＢＯ系酸
化物とのモル比が、１００：２０〜１００：１００とな
るように混合されることが好ましい。これにより、より
確実に低温で所定の特性を有する強誘電体膜を形成する
ことができる。

【００１５】前記第３の原料液は、前記強誘電体の構成
金属元素の、金属化合物または金属無機化合物を溶媒に
溶解した溶液であり、前記第４の原料液は、前記ＡＢＯ
系酸化物の構成金属元素の、金属化合物または金属無機
化合物を溶媒に溶解した溶液であることができる。

【００１６】（Ｃ）本発明の第３のセラミックスの原料
液は、第５の原料液と、第６の原料液とを混合して使用
されるセラミックスの原料液であって、前記第５の原料
液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体
またはＰＺＴ系の強誘電体を生成するための原料液であ
り、前記第６の原料液は、ＢサイトがＧｅであるＡＢＯ
系酸化物を生成するための原料液である。

【００１７】ここで、第５の原料液と第６の原料液とは
混合状態であってもよく、また、別体であってもよい。

【００１８】本発明のセラミックスの原料液によってセ
ラミックス膜を形成することにより、たとえば、低温で
所定の特性を有する強誘電体膜を形成することができ
る。また、本発明のセラミックスの原料液によって得ら
れたセラミックス膜は、表面モフォロジに関して、優れ
ている。

【００１９】前記第５の原料液と、前記第６の原料液と
は、前記第５の原料液に基づいて生成される強誘電体
と、前記第６の原料液に基づいて生成されるＡＢＯ系酸
化物とのモル比が、１００：２０〜１００：１００とな
るように混合されることが好ましい。これにより、より
確実に低温で所定の特性を有する強誘電体膜を形成する
ことができる。

【００２０】前記第５の原料液は、前記強誘電体の構成
金属元素の、金属化合物または金属無機化合物を溶媒に
溶解した溶液であり、前記第６の原料液は、前記ＡＢＯ
系酸化物の構成金属元素の、金属化合物または金属無機
化合物を溶媒に溶解した溶液であることができる。

【００２１】本発明の第１〜第３のセラミックスの原料
液は、熱分解用の原料液であることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について、図面を参照しながら説明する。

【００２３】［第１の実施の形態］ （第１のセラミックスの原料液）第１のセラミックスの
原料液は、第１の原料液と第２の原料液とを混合して使
用される原料液である。第１のセラミックスの原料液
は、熱分解することによりセラミックス膜が得られるよ
うな原料液であることができる。第１の原料液と、第２
の原料液とは、生成する材質の種類が異なる関係にあ
る。第１および第２の原料液は、たとえば、１）金属有
機化合物（たとえば金属アルコキシド、金属カルボン
酸）や金属無機化合物（たとえば金属硝酸塩、金属塩化
物）を溶媒（たとえば水、アルコール、エステル、脂肪
族炭化水素、芳香族炭化水素、ケトン、エーテル、また
は、これらの混合物）に溶解させた液、２）溶媒中で金
属化合物を加水分解反応、縮合反応などをさせた液、
３）金属アルコキシドの加水分解により得られるゾル・
ゲル液であることができる。

【００２４】以下、第１の原料液と第２の原料液とを具
体的に説明する。

【００２５】第１の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイ
ト構造を有する強誘電体を生成するための原料液であ
る。Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を有する強誘電体と
しては、ＳｒＢｉＴａＯ系の強誘電体（たとえばＳｒＢ
ｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉）、ＢｉＬａＴｉＯ系の強誘電体（たとえ
ばＢｉ_3.25Ｌａ_0.75Ｔｉ₃Ｏ₁₂）、ＢｉＴｉＯ系の強誘
電体（たとえばＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂）を挙げることができ
る。第１の原料液には、強誘電体を構成する金属元素が
含まれている。この第１の原料液に含まれる強誘電体の
構成金属元素の量は、所望とする強誘電体の量、およ
び、所望とする強誘電体中の構成金属元素の原子数の比
を考慮して決定される。

【００２６】第１の原料液の具体例としては、ＳｒＢｉ
ＴａＯ系の強誘電体の場合、２−メトキシエタノール中
に、ストロンチウムのアルコキシド、ビスマスのアルコ
キシド、タンタルのアルコキシドのそれぞれの溶液を混
合した液を挙げることができる。なお、第１の原料液中
において、ストロンチウムのアルコキシド、ビスマスの
アルコキシド、タンタルのアルコキシドの濃度は、それ
ぞれ、たとえば、０．０５mol/l、０．１mol/l、１．０
mol/lであることができる。すなわち、第１の原料液１
リットル当たり、０．０５molのＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉の強
誘電体が生成されるように各濃度を設定することができ
る。

【００２７】第２の原料液は、ＡサイトがＢｉであるＡ
ＢＯ系酸化物を生成するための原料液である。Ａサイト
がＢｉでないと、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造のＢｉ
が収まるべきサイトに、Ｂｉ以外の元素が収まる場合が
生じ、強誘電体膜の特性に悪影響を及ぼすことがある。
ＡサイトがＢｉであるＡＢＯ系酸化物としては、ＢｉＧ
ｅＯ系の酸化物（たとえばＢｉ₄Ｇｅ₃Ｏ₁₂）、ＢｉＭｏ
Ｏ系の酸化物（Ｂｉ₂ＭｏＯ₆）、ＢｉＶＯ系の酸化物
（Ｂｉ₂ＶＯ₆）、ＢｉＣｒＯ系の酸化物（Ｂｉ₂Ｃｒ
Ｏ₆）、ＢｉＳｉＯ系の酸化物（Ｂｉ₄Ｓｉ₃Ｏ₁₂）、Ｂ
ｉＷＯ系の酸化物（Ｂｉ₄Ｗ₃Ｏ₁₂）を挙げることができ
る。なお、ＡＢＯ系酸化物のＢサイトの元素を変えるこ
とにより、第２の原料液に基づく結晶の結晶化温度を変
えることができる。また、ＡＢＯ系酸化物は、強誘電体
であっても、常誘電体であってもよい。

【００２８】第２の原料液には、ＡＢＯ系酸化物を構成
する金属元素が含まれている。この第２の原料液に含ま
れるＡＢＯ系酸化物の構成金属元素の量は、所望とする
ＡＢＯ系の酸化物の量、および、所望とするＡＢＯ系酸
化物中の構成金属元素の原子数の比を考慮して決定され
る。

【００２９】第２の原料液の具体例としては、ＢｉＧｅ
Ｏ系の酸化物の場合、２−メトキシエタノール中に、ビ
スマスのアルコキシド、ゲルマニウムのアルコキシドの
それぞれの溶液を混合した液を挙げることができる。な
お、第２の原料液中において、ビスマスのアルコキシ
ド、ゲルマニウムのアルコキシドの濃度は、それぞれ、
たとえば、０．２０mol/l、０．１５mol/lであることが
できる。すなわち、第２の原料液１リットル当たり、
０．０５molのＢｉ₄Ｇｅ₃Ｏ₁₂の酸化物が生成されるよ
うに、ビスマスのアルコキシド、ゲルマニウムのアルコ
キシドの各濃度を設定することができる。

【００３０】第１の原料液と第２の原料液とは、第１の
原料液に基づいて得られる強誘電体と、第２の原料液に
基づいて得られるＡＢＯ系酸化物とのモル比が、１０
０：２０〜１００：１００となるように混合されること
が好ましい。この理由は、実施例の項で説明する。

【００３１】（セラミックス膜の製造例）本実施の形態
に係るセラミックスの原料液を利用して、たとえば、次
のようにしてセラミックス膜を製造することができる。
図１は、セラミックス膜の製造工程を模式的に示す断面
模式図の一例である。

【００３２】（ａ）まず、基体１０を熱処理をする。こ
の熱処理は、基体１０の表面の水分を除去するために行
われる。熱処理の温度は、たとえば１８０℃である。

【００３３】（ｂ）次に、セラミックスの原料液を基体
１０の上に塗布し、セラミックス原料体層２０を形成す
る。この形成方法としては、スピンコート法、ディッピ
ング法、ＬＳＭＣＤ法を挙げることができる。

【００３４】（ｃ）次に、乾燥熱処理して、セラミック
ス原料体層２０における溶媒を蒸発させる。この溶媒の
蒸発は、窒素雰囲気下で行うことができる。乾燥熱処理
の温度は、たとえば１６０℃である。

【００３５】（ｄ）次に、セラミックス原料体層２０
を、脱脂熱処理する。この熱処理によって、セラミック
ス原料体層２０における有機物を分解させることができ
る。この有機物の分解は、窒素雰囲気下で行うことがで
きる。この熱処理の温度は、たとえば２６０℃である。

【００３６】（ｅ）次に、セラミックス原料体層２０を
仮焼結させる。この仮焼結において、結晶核が形成され
る。仮焼結は、たとえば酸素雰囲気下で、ＲＴＡにより
行われることができる。

【００３７】（ｆ）次に、セラミックス原料体層２０を
焼結させる。この焼結は、たとえば、酸素雰囲気下で、
ＦＡ（ファーネス）により行うことができる。

【００３８】なお、工程（ａ）〜（ｅ）を一つのサイク
ルとして、このサイクルを複数回行ってもよい。

【００３９】（作用効果）以下、第１の実施の形態に係
るセラミックスの原料液を用いて、セラミックス膜を成
膜した場合の作用効果について、説明する。

【００４０】（１）第１の原料液のみからなるセラミッ
クスの原料液を焼成して、強誘電体（ＳＢＴ）膜を形成
する場合には、一般に、７００℃程度の焼成温度でなけ
れば、強誘電体膜に必要な所望の特性（たとえば残留分
極）が得られない。

【００４１】しかし、第１の原料液と第２の原料液とを
混合させた状態で、第１のセラミックスの原料液を焼成
し、セラミックス膜を形成する場合には、後述するよう
に、５００℃程度の焼成温度でも強誘電体膜に必要な所
望の特性を得ることができる。つまり、本実施の形態に
よれば、より低温度で、所望の特性を有する強誘電体膜
を形成することができる。

【００４２】（２）第１の原料液に基づいて生成される
材質と、第２の原料液に基づいて生成される材質とは、
異なる。このため、たとえば、第１の原料液が結晶化す
る結晶化温度と、第２の原料液が結晶化する結晶化温度
とが異なることとなる。その結果、一方の原料液の結晶
化を、他方の原料液の結晶化に対して先行させることが
できる。したがって、図１（Ｂ）に示すように、一方の
原料液に基づく結晶４２間に、他方の原料液に基づく結
晶５２を成長させることができる。つまり、一方の原料
液に基づく結晶４２と、他方の原料に基づく結晶５２が
独立して成長していき、一方の原料液に基づく結晶４２
間を埋めるように、他方の原料に基づく結晶５２が成長
していくこととなる。その結果、表面モフォロジが向上
したセラミックス膜を形成することができる。

【００４３】（３）また、第２の原料液に基づく結晶の
配向し易い方向を、第１の原料液に基づく結晶の配向し
易い方向と異ならせることにより、一方の原料液に基づ
く結晶の結晶成長が、他方の結晶の結晶成長に遮られる
こととなる。このため、この場合には、得られるセラミ
ックス膜の結晶を微結晶化させることができる。その結
果、より表面モフォロジが改善したセラミックス膜を形
成することができる。

【００４４】［第２の実施の形態］ （第２のセラミックスの原料液）第２のセラミックスの
原料液は、第３の原料液と第４の原料液とを混合して使
用される溶液である。第２のセラミックスの原料液は、
熱分解することによりセラミックス膜が得られるような
原料液であることができる。第３の原料液と、第４の原
料液とは、生成する材質の種類が異なる関係にある。第
３および第４の原料液は、たとえば、１）金属有機化合
物（たとえば金属アルコキシド、金属カルボン酸）や金
属無機化合物（たとえば金属硝酸塩、金属塩化物）を溶
媒（たとえば水、アルコール、エステル、脂肪族炭化水
素、芳香族炭化水素、ケトン、エーテル、または、これ
らの混合物）に溶解させた液、２）溶媒中で金属化合物
を加水分解反応、縮合反応などをさせた液、３）金属ア
ルコキシドの加水分解により得られるゾル・ゲル液であ
ることができる。

【００４５】以下、第３の原料液と第４の原料液とを具
体的に説明する。

【００４６】第３の原料液は、ＰＺＴ系の強誘電体を生
成するための原料液である。ＰＺＴ系の強誘電体として
は、ＰｂＺｒＴｉＯ系の強誘電体（たとえばＰｂＺｒ_y
Ｔｉ_{1 -y}Ｏ₃）、ＰｂＬａＺｒＴｉＯ系の強誘電体（たと
えばＰｂ_1-xＬａ_xＺｒ_yＴｉ_{1- y}Ｏ₃）を挙げることがで
きる。第３の原料液には、強誘電体を構成する金属元素
が含まれている。この第３の原料液に含まれる強誘電体
の構成金属元素の量は、所望とする強誘電体の量、およ
び、所望とする強誘電体中の構成金属元素の原子数の比
を考慮して決定される。

【００４７】第３の原料液の具体例としては、ＰｂＺｒ
ＴｉＯ系の強誘電体を例にとると、酢酸鉛三水和物、ジ
ルコニウムブトキシド、チタンイソプロポキシドが１−
メトキシ−２−プロパノール中に含まれる液を挙げるこ
とができる。酢酸鉛三水和物、ジルコニウムブトキシ
ド、チタンイソプロポキシドの使用量は、所望とする強
誘電体中の構成金属元素の原子数の比や、所望とする強
誘電体の量を考慮して、決定される。

【００４８】第４の原料液は、ＡサイトがＰｂであるＡ
ＢＯ系酸化物を生成するための原料液である。Ａサイト
がＰｂでないと、ＰＺＴ系酸化物のＰｂが収まるべきサ
イトに、Ｐｂ以外の元素が収まる場合が生じ、強誘電体
膜の特性に悪影響を及ぼすことがある。ＡサイトがＰｂ
であるＡＢＯ系酸化物としては、ＰｂＧｅＯ系の酸化物
（Ｐｂ₅Ｇｅ₃Ｏ₁₁）、ＰｂＭｏＯ系の酸化物（Ｐｂ₂Ｍ
ｏＯ₅）、ＰｂＶＯ系の酸化物（Ｐｂ₂ＶＯ₅）、ＰｂＣ
ｒＯ系の酸化物（Ｐｂ₂ＣｒＯ₅）、ＰｂＳｉＯ系の酸化
物（Ｐｂ₅Ｓｉ₃Ｏ₁₁）、ＰｂＷＯ系の酸化物（Ｐｂ₂Ｗ
Ｏ₅）、ＰｂＳｎＯ系の酸化物（ＰｂＳｎＯ₃）、ＰｂＧ
ｅＳｉＯ系の酸化物（Ｐｂ₅Ｇｅ₂ＳｉＯ₁₁）を挙げるこ
とができる。なお、ＡＢＯ系酸化物のＢサイトの元素を
変えることにより、第２の原料液に基づく結晶の結晶化
温度を変えることができる。また、ＡＢＯ系酸化物は、
強誘電体であっても、常誘電体であってもよい。

【００４９】第４の原料液の具体例としては、ＰｂＧｅ
Ｏ系の酸化物を例にとると、１−メトキシ−２−プロパ
ノール中に、ゲルマニウムエトキシドおよび鉛ブトキシ
ドを溶解した液を挙げることができる。ゲルマニウムエ
トキシドおよび鉛ブトキシドの使用量は、所望とする酸
化物の構成金属元素の原子数の比や、所望とする酸化物
の量を考慮して、決定される。

【００５０】第３の原料液と第４の原料液とは、第３の
原料液に基づいて得られる強誘電体と、第４の原料液に
基づいて得られるＡＢＯ系酸化物とのモル比が、１０
０：２０〜１００：１００となるように混合されること
が好ましい。

【００５１】（第２のセラミックス膜の製造例）第２の
セラミックスの原料液の成膜方法は、第１の実施の形態
で示した方法であることができる。

【００５２】（作用効果）以下、第２の実施の形態に係
るセラミックスの原料液を用いて、セラミックス膜を成
膜した場合の作用効果について説明する。

【００５３】（１）本実施の形態に係るセラミックスの
原料液によれば、第３の原料液のみを焼成して強誘電体
膜を形成する場合において、所定の特性をだすために必
要な焼成温度よりも低い焼成温度で、所定の特性を有す
る強誘電体膜を形成することができる。つまり、本実施
の形態によれば、より低温度で、所望の特性を有する強
誘電体膜を形成することができる。

【００５４】（２）第３の原料液に基づいて生成される
材質と、第４の原料液に基づいて生成される材質とは、
異なる。このため、たとえば、第３の原料液が結晶化す
る結晶化温度と、第４の原料液が結晶化する結晶化温度
とが異なることとなる。その結果、第１の実施の形態と
同様に、表面モフォロジが向上したセラミックス膜を形
成することができる。

【００５５】［第３の実施の形態］ （第３のセラミックスの原料液）第３のセラミックスの
原料液は、第５の原料液と第６の原料液とを混合して使
用される原料液である。第３のセラミックスの原料液
は、熱分解することによりセラミックス膜が得られるよ
うな原料液であることができる。第５の原料液と、第６
の原料液とは、生成する材質の種類が異なる関係にあ
る。第５および第６の原料液は、たとえば、１）金属有
機化合物（たとえば金属アルコキシド、金属カルボン
酸）や金属無機化合物（たとえば金属硝酸塩、金属塩化
物）を溶媒（たとえば水、アルコール、エステル、脂肪
族炭化水素、芳香族炭化水素、ケトン、エーテル、また
は、これらの混合物）に溶解させた液、２）溶媒中で金
属化合物を加水分解反応、縮合反応などをさせた液、
３）金属アルコキシドの加水分解により得られるゾル・
ゲル液であることができる。

【００５６】以下、第５の原料液と第６の原料液とを具
体的に説明する。

【００５７】第５の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイ
ト構造を有する強誘電体またはＰＺＴ系の強誘電体を生
成するための原料液である。Ｂｉ系層状ペロブスカイト
構造を有する強誘電体としては、第１のセラミックスの
原料液で示したものを適用できる。ＰＺＴ系の強誘電体
としては、第１のセラミックスの原料液で示したものを
適用できる。第５の原料液の具体例としては、Ｂｉ系層
状ペロブスカイト構造を有する強誘電体の場合には第１
の原料液（第１の実施の形態）の具体例を適用でき、Ｐ
ＺＴ系の強誘電体の場合には第３の原料液（第２の実施
の形態）の具体例を適用できる。

【００５８】第６の原料液は、ＡＧｅＯ系の酸化物を生
成するための原料液である。ＢサイトがＧｅである酸化
物は、融点が７００℃近傍と低いため、プロセスの低温
化を図ることができる。ＡＧｅＯ系の酸化物におけるＡ
サイトとしては、たとえば、アルカリ土類金属、希土類
元素（特にＣｅ）、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｂｉを挙げることがで
きる。ＺｒＧｅＯ系の酸化物としてはたとえばＺｒＧｅ
Ｏ₄を挙げることができ、ＳｒＧｅＯ系の酸化物として
はたとえばＳｒ₅Ｇｅ₃Ｏ₁₁を挙げることができる。第６
の原料液の具体例としては、ＢｉＧｅＯ系の酸化物の場
合には、第２の原料液（第１の実施の形態）の具体例を
適用できる。ＡＧｅＯ系の酸化物は、常誘電体であって
もよいし、強誘電体であってもよい。

【００５９】第５の原料液と第６の原料液とは、第５の
原料液に基づいて得られる強誘電体と、第６の原料液に
基づいて得られるＡＢＯ系酸化物とのモル比が、１０
０：２０〜１００：１００となるように混合されること
が好ましい。

【００６０】（第３のセラミックス膜の製造例）第３の
セラミックスの原料液の成膜方法は、第１のセラミック
スの原料液の成膜方法で示した方法であることができ
る。

【００６１】（作用効果）以下、第３の実施の形態に係
るセラミックスの原料液を用いて、セラミックス膜を成
膜した場合の作用効果について説明する。

【００６２】（１）本実施の形態に係るセラミックスの
原料液によれば、第５の原料液のみを焼成して強誘電体
膜を形成する場合において、所定の特性をだすために必
要な焼成温度よりも低い焼成温度で、所定の特性を有す
る強誘電体膜を形成することができる。つまり、本実施
の形態によれば、より低温度で、所望の特性を有する強
誘電体膜を形成することができる。

【００６３】（２）第５の原料液に基づいて生成される
材質と、第６の原料液に基づいて生成される材質とは、
異なる。このため、たとえば、第５の原料液が結晶化す
る結晶化温度と、第６の原料液が結晶化する結晶化温度
とが異なることとなる。その結果、第１の実施の形態と
同様に、表面モフォロジが向上したセラミックス膜を形
成することができる。

【００６４】（３）また、第６の原料液に基づく結晶の
配向し易い方向を、第５の原料液に基づく結晶の配向し
易い方向と異ならせることにより、一方の原料液に基づ
く結晶の結晶成長が、他方の結晶の結晶成長に遮られる
こととなる。このため、この場合には、得られるセラミ
ックス膜の結晶を微結晶化させることができる。その結
果、より表面モフォロジが改善したセラミックス膜を形
成することができる。

【００６５】［変形例］上記第１〜第３の実施の形態
は、次の変形が可能である。

【００６６】（１）上記のセラミックス膜の製造工程を
複数回実施して、セラミックス膜を形成することができ
る。また、上記のセラミックス膜の製造工程と、公知の
セラミックスの原料によりセラミックス膜を製造する工
程とを組み合わせてセラミックス膜を形成することがで
きる。

【００６７】（２）ＬＳＭＣＤ法により、基体の上に原
材料体を形成する方法は、たとえば次の方法を挙げるこ
とができる。図３は、ＬＳＭＣＤ法により原材料体を基
体の上に形成するための装置２００を模式的に示す断面
図である。

【００６８】主液２１０は、噴霧器２３０によりメッシ
ュ２４０に送られる。メッシュ２４０を通過した主液２
１０は、ミスト２５０となり、基体１０の上に供給され
る。また、副液２２０も噴霧器２３２によりメッシュ２
４０に送られ、メッシュ２４０を通過した副液２２０
は、ミスト２５０となり、基体１０の上に供給される。
こうして、ミスト２５０が基体１０の上に積み重なって
いくことにより、原材料体が形成される。ミスト２５０
の粒径は、たとえば１０〜２００ｎｍである。

【００６９】なお、主液は、上記実施の形態における、
第１の原料液、第３の原料液または第５の原料液に相当
する。副液とは、上記実施の形態における、第２の原料
液、第４の原料液または第６の原料液に相当する。

【００７０】主液２１０および副液２２０は、同時に基
体１０の上に供給されることができる。または、主液２
１０および副液２２０は、交互に供給されることもでき
る。

【００７１】主液２１０および副液２２０を同時に基体
１０の上に供給した場合には、原材料体は、たとえば、
図４（Ａ）に示すように、主液２１０に起因する第１の
ミスト２１０ａと、副液２２０に起因する第２のミスト
２２０ａとが入りまじった態様をとる。

【００７２】主液２１０および副液２２０を交互に供給
する場合には、原材料体は、たとえば、図４（Ｂ）に示
すように、主液２１０に起因する第１のミスト２１０ａ
と、副液２２０に起因する第２のミスト２２０ａとが、
それぞれ一つの層を構成している。すなわち、同一の層
は、同一の原料に起因するミストから構成されている。

【００７３】［セラミックス膜の適用例］以下、本発明
に係るセラミックスの原料液により得られたセラミック
ス膜は、たとえば、強誘電体メモリ装置に適用すること
ができる。図２は、強誘電体メモリ装置を模式的に示す
断面図である。

【００７４】強誘電体メモリ装置５０００は、ＣＭＯＳ
領域Ｒ１と、このＣＭＯＳ領域Ｒ１上に形成されたキャ
パシタ領域Ｒ２と、を有する。すなわち、ＣＭＯＳ領域
Ｒ１は、半導体基板１と、この半導体基板１上に形成さ
れた素子分離領域２およびＭＯＳトランジスタ３と、層
間絶縁層４とを有する。キャパシタ領域Ｒ２は、下部電
極５、強誘電体膜６および上部電極７から構成されるキ
ャパシタＣ１００と、下部電極５と接続された配線層８
ａと、上部電極７と接続された配線層８ｂと、絶縁層９
とを有する。キャパシタＣ１００における強誘電体膜６
は、本発明のセラミックス膜の製造方法により形成され
ている。ＭＯＳトランジスタ３の不純物拡散層３ａと、
キャパシタ５を構成する下部電極５とは、ポリシリコン
またはタングステンからなるコンタクト層１１によって
接続されている。

【００７５】以下、強誘電体装置の作用効果を説明す
る。

【００７６】（１）強誘電体膜を形成する場合には、溝
や孔が生じることを考慮して、上部電極と下部電極との
短絡を防ぐ必要から、強誘電体膜の厚さを厚くする必要
がある。この上部電極と下部電極との短絡は、上部電極
がイリジウム系の材質（Ｉｒ，ＩｒＯ₂）からなるとき
に著しく生じる。しかし、この適用例では、強誘電体装
置５０００の強誘電体膜６は、本発明のセラミックスの
原料液により形成されている。このため、強誘電体膜６
において表面モフォロジが改善されている。その結果、
強誘電体膜６において表面モフォロジが改善された分だ
け、強誘電体膜６の厚さを薄くすることができる。した
がって、この強誘電体装置５０００によれば、高集積化
を図ることができる。

【００７７】また、この適用例によれば、上部電極７の
材質としてイリジウム系の材質を適用できる、強誘電体
膜６の膜厚の範囲を広げることができる。つまり、上部
電極７の材質としてイリジウム系の材質を適用できる、
強誘電体膜６の最も薄い厚さの限界を下げることができ
る。

【００７８】なお、イリジウム系の材質は、白金（Ｐ
ｔ）に比べて、水素バリア性およびファティーグ特性に
優れ、ているという利点がある。

【００７９】（２）強誘電体膜の表面において凹凸が生
じた状態で強誘電体膜をエッチングすると、強誘電体膜
の下地である下部電極の表面に、強誘電体膜の表面の凹
凸形状が転写されて、下部電極の表面モフォロジは劣化
する。下部電極の表面モフォロジが劣化すると、下部電
極に接続したい配線層と、下部電極との間において、コ
ンタクト不良が発生する場合がある。

【００８０】しかし、この適用例においては、強誘電体
膜６の表面モフォロジが改善されている。このため、強
誘電体膜６をエッチングした後に、下部電極５の表面モ
フォロジの劣化を抑えることができる。その結果、確実
に、配線層８ａを下部電極９に電気的に接続することが
できる。

【００８１】（変形例）本発明のセラミックスの原料液
により得られたセラミックス膜は、強誘電体メモリ層の
適用に限定されず、各種半導体装置、たとえばＤＲＡＭ
に適用することができる。具体的には、そのセラミック
ス膜は、ＤＲＡＭのキャパシタにおける誘電体膜に適用
することができる。この場合、誘電体膜は、キャパシタ
の大容量化を図る観点から、ＢＳＴのような高誘電率の
常誘電体からなることができる。

【００８２】また、本発明の製造方法により得られたセ
ラミックス膜は、この他に用いることができ、たとえ
ば、アクチュエータに用いる圧電素子の圧電体に適用す
ることができる。

【００８３】

【実施例】次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に
説明する。なお、本発明は、その要旨を超えない限り、
以下の実施例に制約されるものではない。

【００８４】（実施例１）主液は、次のようにして得
た。２−エチルヘキサン酸ビスマスの濃度が０．１mol/
lのトルエン溶液１１００ｍｌ、２−エチルヘキサン酸
ストロンチウムの濃度が０．１mol/lのトルエン溶液４
００ｍｌ、タンタルエトキシドの濃度が０．１mol/lの
トルエン溶液１０００ｍｌ、２−エチルヘキサン酸１０
０ｇを混合し、混合液を調製した。この混合液を、窒素
雰囲気下、１２０℃で１時間加熱還流し、溶媒を常圧留
去した。これに、Ｓｒ_0.8Ｂｉ_2.2Ｔａ₂Ｏ_X（ＳＢＴ）と
しての酸化物濃度が０．１mol/lになるようにトルエン
を加え、主液を得た。

【００８５】一方、副液は、次のようにして得た。２−
エチルヘキサン酸ビスマスの濃度が０．１mol/lのトル
エン溶液２０００ｍｌに、ゲルマニウムエトキシドの濃
度が０．１mol/lのトルエン溶液１５００ｍｌ、およ
び、２−エチルヘキサン酸１００ｇを混合した。この溶
液を、窒素雰囲気下、１２０℃で１時間加熱還流した
後、溶媒を常圧留去した。これに、Ｂｉ₄Ｇｅ₃Ｏ₁₂とし
ての酸化物濃度が０．１mol/lになるようにトルエンを
加え、副液を得た。

【００８６】得られた主液と副液とを混合して、混合体
積比が異なる７種類の混合液を得た。混合液の主液と副
液との混合体積比は、１００：１、１００：１０、１０
０：２０、１００：５０、１００：１００、１００：１
５０、１００：２００とした。

【００８７】これら７種類の混合液および主液のみの溶
液のそれぞれから、強誘電体膜を形成した。

【００８８】なお、成膜方法は、図５に示す方法により
行った。前処理加熱工程、溶液塗布工程、乾燥熱処理工
程、脱脂熱処理工程および仮焼結工程の一連の工程を２
回行った。そして、最後に焼結させて、成膜した。な
お、具体的な条件を下記する。前処理加熱工程は、１８
０℃で３０秒間行った。混合液の塗布は、スピンコータ
ー（２１００ｒｐｍ）で、３０秒間行った。乾燥熱処理
は、窒素雰囲気下、１６０℃で１分間行われた。脱脂熱
処理工程は、窒素雰囲気下、２６０℃で４分間行った。
仮焼結は、酸素雰囲気下、３０秒間行った。なお、仮焼
結の温度は、表１に示す焼成温度で行った。焼結は、酸
素雰囲気下、６０分間行った。なお、焼結の温度は、表
１に示す焼成温度で行った。また、成膜された膜の厚さ
は、５０ｎｍであった。

【００８９】それぞれの強誘電体膜のＰｒ（残留分極
値）を測定した。Ｐｒの測定結果を表１に示す。なお、
Ｐｒの単位は、μＣ／ｃｍ²である。

【００９０】

【表１】

【００９１】ＳＢＴが強誘電体である強誘電体メモリ装
置を製造する場合、焼成温度が６００℃以下でないと、
ある程度の集積度を有する強誘電体メモリ装置を製造す
ることが難しい。また、強誘電体メモリ装置において、
強誘電体キャパシタのＰｒは、７以上有することが好ま
しい。表１において、焼成温度が６００℃以下におい
て、Ｐｒが７以上のデータを有する混合体積比（主液：
副液）は、１００：２０〜１００：１００である。この
ため、主液と副液との混合体積比は、１００：２０〜１
００：１００の範囲内にあることが好ましい。

【００９２】なお、主液は、Ｓｒ_0.8Ｂｉ_2.2Ｔａ₂Ｏ_Xが
主液１リットル当たり０．１mol生成するように調製さ
れている。また、副液も、Ｂｉ₄Ｇｅ₃Ｏ₁₂が副液１リッ
トル当たり０．１mol生成するように調製されている。
このため、主液と副液との混合体積比は、同時に、主液
に基づいて生成されるＳｒ_0.8Ｂｉ_2.2Ｔａ₂Ｏ_Xと、副液
に基づいて生成されるＢｉ₄Ｇｅ₃Ｏ₁₂とのモル比を示す
こととなる。したがって、主液と副液とは、主液に基づ
いて生成されるＳｒ_0.8Ｂｉ_2.2Ｔａ₂Ｏ_Xと、副液に基づ
いて生成されるＢｉ₄Ｇｅ₃Ｏ₁₂とのモル比が、１００：
２０〜１００：１００となるように混合されることが好
ましい。

【００９３】また、主液のみからなる場合には、焼成温
度が７００℃以上でないと、Ｐｒに関して所定の特性が
でていない。一方、主液に副液を混合することにより、
焼成温度が５００℃程度でも、Ｐｒに関して所定の特性
がでている。これにより、主液に副液を混合して成膜す
ると、低温化を図ることができることがわかる。

【００９４】（実施例２）主液は、次のようにして得
た。２−メトキシエタノール１０００ｍｌ中に、チタン
イソプロポキシド８５．３ｇおよびビスマスブトキシド
１３９．２ｇを添加した。この２−メトキシエタノール
を、窒素雰囲気下、１２５℃で１時間加熱還流した後、
室温に戻した。これに、ランタンイソプロポキシド２
３．７ｇを加えて室温で２時間攪拌した。さらに、水
１．３ｇを加えて室温で１時間攪拌した後、２−メトキ
シエタノールを加えてＢｉ_3.25Ｌａ_0.75Ｔｉ₃Ｏ₁₂とし
ての酸化物濃度が０．０７mol/lになるように調製し、
主液を得た。

【００９５】一方、副液は、次のようにして得た。２−
メトキシエタノール１０００ｍｌ中に、ゲルマニウムエ
トキシド７５．９ｇとビスマスブトキシド１７１．３ｇ
を添加した。この２−メトキシエタノールを、窒素雰囲
気下、１２５度で１時間加熱還流した後、室温に戻し
た。これに水１．３ｇを加えて室温で１時間攪拌した
後、２−メトキシエタノールを加えてＢｉ₄Ｇｅ₃Ｏ₁₂と
しての酸化物濃度が０．０７mol/lになるように調製
し、副液を得た。

【００９６】得られた主液と副液とを混合して、混合比
が異なる７種類の混合液を得た。混合液の主液と副液と
の混合比は、１００：１、１００：１０、１００：２
０、１００：５０、１００：１００、１００：１５０、
１００：２００とした。

【００９７】これら７種類の混合液および主液のみの溶
液のそれぞれから、強誘電体膜を形成した。なお、成膜
方法は、実施例１と同様である。

【００９８】実施例２においても、Ｐｒに関して、実施
例１と同様の傾向があった。

【００９９】（実施例３）主液は、次のようにして得
た。キシレン１００ｍｌ中に、タンタルエトキシド８
１．２ｇおよび２−エチルヘキサン酸１７０ｇを加え、
これにストロンチウムイソプロポキシド２０．６ｇを加
えて１２０℃で２時間攪拌し、キシレン、生成したアル
コール、余剰な２−エチルヘキサン酸を１８０℃で常圧
留去した。これに２−エチルヘキサン酸ビスマスの濃度
が１．０mol/lのキシレン溶液２００ｍｌを加えた。そ
の後、ＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ_Xとしての酸化物濃度が０．２m
ol/lになるように、キシレンを加えて調製した。さら
に、酢酸ブチルを加えてＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ_Xとしての酸
化物濃度が０．１mol/lになるように調製し、主液を得
た。

【０１００】副液は、次のようにして得た。２−エチル
ヘキサン酸ビスマスの濃度が０．１mol/lのキシレン溶
液１０００ｍｌに、タングステンエトキシドの濃度が
０．１mol/lのキシレン溶液５００ｍｌ、２−エチルヘ
キサン酸１００ｇを混合した。その混合液を、窒素雰囲
気下、１２０℃で１時間加熱還流した後、溶媒を常圧蒸
留した。これにキシレンを加えて、Ｂｉ₂ＷＯ₆としての
酸化物濃度が０．１mol/lになるように調製し、副液を
得た。

【０１０１】得られた主液と副液とを混合して、混合体
積比が異なる７種類の混合液を得た。混合液の主液と副
液との混合体積比は、１００：１、１００：１０、１０
０：２０、１００：５０、１００：１００、１００：１
５０、１００：２００とした。

【０１０２】これら７種類の混合液および主液のみの溶
液のそれぞれから、強誘電体膜を形成した。なお、成膜
方法は、実施例１と同様である。

【０１０３】実施例３においても、Ｐｒに関して、実施
例１と同様の傾向があった。

【０１０４】（実施例４）主液は、次のようにして得
た。１−メトキシ−２−プロパノール１００ｍｌ中に、
酢酸鉛三水和物３７．９３ｇ、ジルコニウムブトキシド
１９．９５ｇ、チタンイソプロポキシド１３．６４ｇを
添加し、窒素雰囲気下、１２０℃で１時間加熱還流し
た。その後、アセチルアセトン４．５ｇおよび水１．１
ｇを加えて、溶媒を常圧留去した。これに１−メトキシ
−２−プロパノールを加えて、Ｐｂ（Ｚｒ_0.52Ｔ
ｉ_0.48）Ｏ₃としての酸化物濃度が０．３mol/lとなるよ
うに調製し、主液を得た。

【０１０５】一方、副液は、次のようにして得た。ゲル
マニウムエトキシドの濃度が０．５mol/lの１−メトキ
シ−２−プロパノール溶液２００ｍｌと、鉛ブトキシド
の濃度が０．５mol/lの１−メトキシ−２−プロパノー
ル溶液２５０ｍｌを混合した。この混合液を、窒素雰囲
気下、１２０℃で１時間加熱還流した後、室温に戻し
た。その後、アセチルアセトン４．１ｇと水１．０ｇと
を加えて溶媒を常圧留去した。これに、１−メトキシ−
２−プロパノールを加えて、Ｐｂ₅Ｇｅ₃Ｏ₁₁としての酸
化物濃度が０．１５mol/lになるように調製し、副液を
得た。

【０１０６】得られた主液と副液とを混合して、混合体
積比が異なる７種類の混合液を得た。混合液の主液と副
液との混合体積比は、１００：１、１００：１０、１０
０：２０、１００：５０、１００：１００、１００：１
５０、１００：２００とした。

【０１０７】これら７種類の混合液および主液のみの溶
液のそれぞれから、強誘電体膜を形成した。なお、成膜
方法は、実施例１と同様である。

【０１０８】実施例４においても、Ｐｒに関して、実施
例１と同様の傾向があった。

【０１０９】（表面モフォロジに関する実験例）次に、
表面モフォロジに関する実験結果を説明する。

【０１１０】図６は、実施例１に係る主液と副液との混
合液から得た強誘電体膜の顕微鏡写真図である。図７
は、比較例に係る強誘電体膜の顕微鏡写真図である。

【０１１１】なお、図６における実施例１に係る強誘電
体膜は、主液と副液との混合体積比が、１００：１００
の強誘電体膜である。比較例に係る強誘電体膜は、実施
例１の成膜方法により、実施例１で示した主液のみの溶
液を成膜することにより得た。なお、実施例および比較
例ともに、強誘電体膜の厚さは５０ｎｍとした。

【０１１２】図６および図７に示すように、実施例に係
る強誘電体膜は、比較例に係る強誘電体膜より、表面モ
フォロジが格段に向上していることがわかる。

【０１１３】本発明は、上記の実施の形態を超えない範
囲で、種々の変更が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態に係るセラミックスの原料液を用い
たセラミックス膜の製造工程を模式的に示す断面図であ
る。

【図２】強誘電体メモリ装置を模式的に示す断面図であ
る。

【図３】ＬＳＭＣＤ法により原材料体を基体の上に形成
するための装置を模式的に示す断面図である。

【図４】図３における装置により得られた原材料体の構
成を模式的に示す概念図である。

【図５】成膜プロセスのフロチャートである。

【図６】実施例１に係る主液と副液との混合液から得た
強誘電体膜の顕微鏡写真図である。

【図７】比較例に係る強誘電体膜の顕微鏡写真図であ
る。

【符号の説明】

１０ 基体 ２０ 原材料体 ３０ セラミックス膜 ４２ 第１の結晶 ５２ 第２の結晶 ２００ ＬＳＭＣＤ法を実施するための装置 ２１０ 主液 ２１０ａ 第１のミスト ２２０ 副液 ２２０ａ 第２のミスト ２３０，２３２ 噴霧器 ２４０ メッシュ ２５０ ミスト

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/105 Ｈ０１Ｌ 27/10 ４４４Ｂ ４４４Ｃ (72)発明者 古山 晃一 埼玉県東松山市大字下野本1414番地 株式 会社豊島製作所内 (72)発明者 田崎 雄三 埼玉県東松山市大字下野本1414番地 株式 会社豊島製作所内 Ｆターム(参考） 4G030 AA16 AA17 AA38 AA40 AA43 BA10 CA01 4G048 AA03 AB01 AC02 AD08 AE05 5F058 BA11 BA20 BC03 BC04 BC20 BF46 BH01 BJ01 5F083 FR02 JA14 JA15 JA17 JA38 JA39 MA06 MA19 NA01 NA08

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の原料液と、第２の原料液とを混合
   して使用されるセラミックスの原料液であって、 前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異な
   る関係にあり、 前記第１の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を
   有する強誘電体を生成するための原料液であり、 前記第２の原料液は、ＡサイトがＢｉであるＡＢＯ系酸
   化物を生成するための原料液である、セラミックスの原
   料液。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記第１の原料液と、前記第２の原料液とは、前記第１
   の原料液に基づいて生成される強誘電体と、前記第２の
   原料液に基づいて生成されるＡＢＯ系酸化物とのモル比
   が、１００：２０〜１００：１００となるように混合さ
   れる、セラミックスの原料液。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、 前記第１の原料液は、前記強誘電体の構成金属元素の、
   金属化合物または金属無機化合物を溶媒に溶解した溶液
   であり、 前記第２の原料液は、前記ＡＢＯ系酸化物の構成金属元
   素の、金属化合物または金属無機化合物を溶媒に溶解し
   た溶液である、セラミックスの原料液。
4. 【請求項４】 第３の原料液と、第４の原料液とを混合
   して使用されるセラミックスの原料液であって、 前記第３の原料液と前記第４の原料液とは、種類が異な
   る関係にあり、 前記第３の原料液は、ＰＺＴ系の強誘電体を生成するた
   めの原料液であり、 前記第４の原料液は、ＡサイトがＰｂであるＡＢＯ系酸
   化物を生成するための原料液である、セラミックスの原
   料液。
5. 【請求項５】 請求項４において、 前記第３の原料液と、前記第４の原料液とは、前記第３
   の原料液に基づいて生成される強誘電体と、前記第４の
   原料液に基づいて生成されるＡＢＯ系酸化物とのモル比
   が、１００：２０〜１００：１００となるように混合さ
   れる、セラミックスの原料液。
6. 【請求項６】 請求項４または５において、 前記第３の原料液は、前記強誘電体の構成金属元素の、
   金属化合物または金属無機化合物を溶媒に溶解した溶液
   であり、 前記第４の原料液は、前記ＡＢＯ系酸化物の構成金属元
   素の、金属化合物または金属無機化合物を溶媒に溶解し
   た溶液である、セラミックスの原料液。
7. 【請求項７】 第５の原料液と、第６の原料液とを混合
   して使用されるセラミックスの原料液であって、 前記第５の原料液は、Ｂｉ系層状ペロブスカイト構造を
   有する強誘電体またはＰＺＴ系の強誘電体を生成するた
   めの原料液であり、 前記第６の原料液は、ＢサイトがＧｅであるＡＢＯ系酸
   化物を生成するための原料液である、セラミックスの原
   料液。
8. 【請求項８】 請求項７において、 前記第５の原料液と、前記第６の原料液とは、前記第５
   の原料液に基づいて生成される強誘電体と、前記第６の
   原料液に基づいて生成されるＡＢＯ系酸化物とのモル比
   が、１００：２０〜１００：１００となるように混合さ
   れる、セラミックスの原料液。
9. 【請求項９】 請求項７または８において、 前記第５の原料液は、前記強誘電体の構成金属元素の、
   金属化合物または金属無機化合物を溶媒に溶解した溶液
   であり、 前記第６の原料液は、前記ＡＢＯ系酸化物の構成金属元
   素の、金属化合物または金属無機化合物を溶媒に溶解し
   た溶液である、セラミックスの原料液。
10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載のセラ
    ミックスの原料液は、熱分解用の原料液である、セラミ
    ックスの原料液。