JP2002542703A - シングルエンド信号から差信号への変換装置および変換方法 - Google Patents

シングルエンド信号から差信号への変換装置および変換方法

Info

Publication number
JP2002542703A
JP2002542703A JP2000613071A JP2000613071A JP2002542703A JP 2002542703 A JP2002542703 A JP 2002542703A JP 2000613071 A JP2000613071 A JP 2000613071A JP 2000613071 A JP2000613071 A JP 2000613071A JP 2002542703 A JP2002542703 A JP 2002542703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
signal
transistor
voltage
conversion circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000613071A
Other languages
English (en)
Inventor
ジェイ フランク スティーヴン
トゥースキー ザビー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies North America Corp
Original Assignee
Infineon Technologies North America Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies North America Corp filed Critical Infineon Technologies North America Corp
Publication of JP2002542703A publication Critical patent/JP2002542703A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/265—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 本発明は、シングルエンド信号を差信号へ変換する変換回路（２００）に関する。本発明によれば、変換回路（２００）内ではいずれのトランジスタ（２１４、２０８、２０６）も直接にグラウンド（２１０）には接続されないことが保証されるのでクロストークが回避される。トランジスタ（２１４、２０８、２０６）が直接にグラウンド（２１０）へ接続されないことによりグラウンド電流が発生せず、グラウンド電流に起因するクロストークが消去される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 従来の技術 本発明はプリアンプ回路に使用される変換回路に関する。特に、本発明はシン
グルエンド信号から差信号への変換装置および変換方法に関する。
【０００２】 発明の背景 プリアンプ回路は典型的にはディスクドライブに組み込まれた低ノイズ増幅器
であり、ディスクドライブで使用される信号の増幅のために用いられる。プリア
ンプの低ノイズ要求に対しては、シングルエンド信号を差信号へ変換してクロス
トークを低減ないし消去することが試みられている。シングルエンド信号は典型
的には１つの電圧または電流によって定義される信号である。差信号は典型的に
は２つの電流の差によって定義される信号である。クロストークとはシステムの
コンポーネント間での望ましくない信号伝送である。
【０００３】 電流供給部のノイズは典型的にはシングルエンド信号でも認識される。なぜな
ら電流供給部は補償が行われない場合シングルエンド信号に影響するからである
。ただし供給部におけるノイズは典型的には差信号によって形成された信号では
認識されない。これはこのノイズが２つの差信号へ反映され、２つの信号の差が
保持されるためである。したがってシングルエンド信号を差信号へ変換すれば、
典型的にはクロストークが低減される。
【０００４】 プリアンプ回路では典型的にはシングルエンド信号に対する増幅（しばしば利
得と称される）はシングルエンド信号から差信号への変換よりも前に行われる。
シングルエンド信号の利得は電流供給部に影響を与え、また逆に電流供給部は供
給源を介してシングルエンド信号に影響を与え、クロストークを発生する。した
がってクロストークは典型的にはシングルエンド信号を制限し、シングルエンド
信号を差動変換器へ供給する。クロストークのためにプリアンプでの電流増幅は
典型的には高周波数では遮断される。これは回路に対するインピーダンスがきわ
めて高くなり、高周波数信号を搬送できなくなってしまうからである。
【０００５】 付加的にグラウンドへ流れる電流によるクロストークが存在し、一般にグラウ
ンド電流と称される。電流がグラウンドへ流れると、グラウンドはフローティン
グ状態となる。信号はグラウンドに対して測定されるので、グラウンドのフロー
ティングは信号のフローティングを生じさせ、クロストークを発生させる。
【０００６】 したがってシングルエンド信号を差信号へ変換してクロストークを回避する手
段が所望される。またシングルエンド信号から差信号への変換器により信号を高
周波数で処理できるようにすることも所望される。本発明はこれらの要求を解決
するものである。
【０００７】 発明の概要 本発明はシングルエンド信号から差信号への変換回路に関する。本発明の第１
の実施形態によれば、変換回路内のいずれのトランジスタも直接にはグラウンド
へ接続されないことが保証されることによりクロストークが回避される。トラン
ジスタが直接にグラウンドへ接続されないことによりグラウンド電流は回避され
、グラウンド電流に関連するクロストークは消去される。
【０００８】 さらに本発明の１つの実施形態によれば、変換回路は信号を１よりも大きい利
得で増幅する。したがって典型的には変換回路への信号入力に先行して行われて
いた増幅は変換回路内で行われる。変換回路の前方で行われる増幅を変換回路内
で行われるようにシフトすることにより、電流源とシングルエンド形の入力信号
との間のクロストークは回避される。
【０００９】 本発明ではシングルエンド信号を差信号へ変換する変換装置が提供される。装
置は電流を電圧へ変換する第１のデバイスと、第１のデバイスに結合された第２
のデバイスと、第１のデバイスおよび第２のデバイスに結合された第３のデバイ
スとを有しており、第１のデバイス、第２のデバイスおよび第３のデバイスのい
ずれも直接にグラウンドには接続されておらず、電流は２以上の利得で増幅され
る。
【００１０】 また本発明ではシングルエンド信号を差信号へ変換する変換方法が提供される
。電流を電圧へ変換し、差電圧を差形成手段の組へ入力し、電流を２以上の利得
で増幅し、その際にグラウンド電流をほとんど生じさせない。
【００１１】 図面の簡単な説明 図１にはシングルエンド信号から差信号への変換を行う従来の変換回路の概略
図が示されている。図２には本発明の第１の実施例による変換回路の概略図が示
されている。図３には本発明の第２の実施例による変換回路の概略図が示されて
いる。図４にはシングルエンド信号から差信号への変換を行う本発明の方法のフ
ローチャートが示されている。
【００１２】 有利な実施例の詳細な説明 当業者が本発明を構成し実施することができるように、特許明細書およびその
要件のコンテクストにおいて以下に説明する。有利な実施例に対する種々の修正
は当業者にとっては直ちに理解可能であり、その基本概念は他の実施例にも適用
することができる。したがって本発明はここで示されている実施例のみに限定さ
れるものではなく、最も広い範囲の概念および特徴に一致する。
【００１３】 図１には従来のシングルエンド信号を差信号へ変換する変換回路の例を表す概
略図が示されている。変換回路１００は電流供給部１０２、電圧計１０４、グラ
ウンド１１０、およびトランジスタ１０６、１０８を有している。トランジスタ
１０６、１０８のタイプの例はエンハンストｎ型金属酸化物半導体ＮＭＯＳであ
る。エンハンストＮＭＯＳトランジスタは典型的には正の閾値電圧を有する。
【００１４】 増幅されたシングルエンド電流は変換回路１００へ入力される。入力電流ＩＩ Ｎ はトランジスタ１０６によって発生されたインピーダンスに相当する。このイ
ンピーダンスＩＩＮは電圧へ変換される。トランジスタ１０８はこの電圧を正の
電圧として有し、トランジスタ１０６はこの電圧を負の電圧として受け取る。定
義によれば、トランジスタ１０６を通る電流の増幅は利得１を有し、トランジス
タ１０８の電流利得はトランジスタ１０６の利得に等しい。したがってトランジ
スタ１０８の電流利得も１である。差信号ＩＯＵＴＰ１１２ａおよびＩＯＵＴＮ １１２ｂは同じ大きさである。したがって差形成回路１００は電流利得２を有す
る。
【００１５】 シングルエンド信号は典型的には差形成回路１００へ入力される前に増幅され
るので、シングルエンド信号の利得が電流供給部へ作用してクロストークが発生
することがある。電流供給部での効果は逆にシングルエンド信号にも作用する。
このクロストークは変換回路の電流利得を高周波数、例えば約１６０ＭＨｚで遮
断する。
【００１６】 従来の変換回路１００ではトランジスタ１０８からグラウンド１１０へ流れる
グラウンド電流に起因してクロストークが発生することがある。信号がグラウン
ド１１０へ送出されると、グラウンド１１０はフローティング状態となる。全て
の信号がグラウンド１１０に対して測定されるので、全信号がフローティング状
態となりクロストークが発生する。
【００１７】 このようなクロストークを回避するために、シングルエンド信号を差信号へ変
換する変換回路が所望される。またシングルエンド信号から差信号への変換器に
より信号を高周波数で処理できるようにすることも所望される。本発明はこれら
の要求を満足する。
【００１８】 図２には本発明の第１の実施例によるシングルエンド信号を差信号へ変換する
変換回路の概略図が示されている。図２にはシングルエンド信号を差信号へ変換
する変換回路２００の実施例が示されており、これは３つのトランジスタ２１４
、２０８、２０６、電圧源２０４、電流供給部２０２、およびグラウンド２１０
を有している。使用されるトランジスタ２１４、２０８、２０６のタイプの例は
ＮＭＯＳトランジスタである。トランジスタ２０８、２０６の第１の機能は差形
成手段の組として動作することである。電圧はトランジスタ２０８、２０６へ入
力され、この電圧は電流へ変換されて差電流の出力として得られる。
【００１９】 電流ＩＩＮは変換回路２００へ入力される。電流ＩＩＮは例えば約０．５ｍＡ
であり、約１０μＡまたはＩＩＮの約１％の信号を有している。トランジスタ２
１４はＩＩＮを電圧へ変換する。トランジスタ２１４によって変換された電圧の
例は入力側で約１０ｍＶである。トランジスタ２１４での電圧降下により共通の
トランジスタソース２１６ａ、２１６ｂ、２１６ｃでの電圧は１／２Ｖとなり、
ここでＶは入力電圧である。例えば共通のトランジスタソース２１６ａ、２１６
ｂ、２１６ｃでの電圧１／２Ｖは５ｍＶである。トランジスタ２１４を通って流
れる電流はトランジスタ２０８の電流に加えられ、トランジスタ２０６のソース
２１６ｃを介してＩＯＵＴＰ２１２ｂで流出する。例えばＩＯＵＴＰは約２ｍＡ
の直流電流ＤＣであり、約４０μＡの信号電流を有する。
【００２０】 電流ＩＯＵＴＮを形成するために、ＩＩＮはトランジスタ２１４を通って流れ
、トランジスタ２０８での電流へ加えられ、回路からＩＯＵＴＮ２１２ａとして
出力される。ＩＯＵＴＮ、ＩＯＵＴＰは相互に相補的であり、したがって例えば
ＩＯＵＴＮは約２ｍＡの直流電流であり、４０μＡの信号電流を有する。例えば
電流源２０２の電流は約５ｍＡである。変換回路２００ではいずれのデバイスも
直接にはグラウンドへ接続されていないのでグラウンド２１０へは電流は流れな
いことを指摘しておく。したがってグラウンド電流からのクロストークは発生し
ない。
【００２１】 この変換回路２００の更なる利点は大きな電流利得が達成されることである。
例えばトランジスタ２０８のドレイン２１８ｂとトランジスタ２１４のドレイン
２１８ａとの比を４：１に設定し、トランジスタ２０６のドレイン２１８ｃとト
ランジスタ２１４のドレイン２１８ａとの比を４：１に設定すると電流利得８が
達成される。ドレイン２１８ｂ、２１８ｃをドレイン２１８ａの４倍に設定する
と、電流利得はトランジスタ２０８とトランジスタ２０６とで４ずつ得られ、差
信号の全利得は８となる。
【００２２】 したがってシングルエンド信号を変換回路２００への入力前に増幅する必要は
ない。シングルエンド信号は増幅信号ではないので、変換回路２００の前方では
利得は存在せず、電流源によるクロストークは発生しない。したがって変換回路
２００は信号を高周波数、例えば２００ＭＨｚまでの高周波数で処理することが
できる。
【００２３】 図３にはシングルエンド信号を差信号へ変換する変換回路２００の第２の実施
例の概略図が示されている。この回路はこの実施例ではより大きな変換回路内へ
組み込まれている。例えば２Ｖの入力電圧が変換回路３００へ入力される。トラ
ンジスタ３０２は電圧を電流へ変換する。トランジスタ３０４は交流電流ＡＣを
供給しトランジスタ３０３は直流電流成分（ＤＣ成分）を平衡化する。トランジ
スタ３０２の電流出力は例えば約１０００μＡの直流電流および１０μＡの交流
電流である。
【００２４】 電流はトランジスタ３０４を通過する。このトランジスタはトランジスタ２１
４をキャパシタンスから保護する。トランジスタ３０４はカスコードデバイスと
して動作し、トランジスタ２１４がきわめて低いインピーダンスおよび低い利得
を有するようにする。カスコードデバイスは共通のゲートを有する複数のトラン
ジスタであり、電流をソースからドレインへ電圧利得とともに通過させる。カス
コードデバイスはトランジスタ（例えばトランジスタ２１４）のドレインでの低
利得および低キャパシタンスをもたらし、トランジスタのドレインを出力電圧か
ら保護する。カスコードデバイスの動作の詳細は当業者には周知である。電流が
回路２００へ入力されると、図２に関連して説明したイベントが発生する。
【００２５】 前述のように電流ＩＩＮは変換回路２００へ入力される。トランジスタ２１４
は電流ＩＩＮを電圧へ変換する。トランジスタ２１４で電圧降下が発生するため
、共通のトランジスタソース２１６ａ、２１６ｂ、２１６ｃでの電圧が１／２Ｖ
となる。ここでＶは入力電圧である。電流はトランジスタ２１４を通って流れ、
トランジスタ２０８の電流へ加えられ、トランジスタ２０６のソース２１６ｃを
介してＩＯＵＴＰ２１２ｂで流出する。電流ＩＯＵＴＮを形成するために、電流
ＩＩＮはトランジスタ２１４を通って流れ、トランジスタ２０８での電流へ加え
られ、回路からＩＯＵＴＮ２１２ａとして出力される。
【００２６】 トランジスタ３０６は回路２００に結合され、トランジスタ２１４を平衡化す
る。トランジスタ２０６での電流利得はトランジスタ２１４の負の電流利得であ
る。例えばトランジスタ２１４が電流利得１を有する場合、トランジスタ３０６
は電流利得−１を有する。回路が平衡化されていれば、トランジスタ２０８、２
０６での電流は等しく、入力電流は電流源２０２としての同じレベルの電流で動
作する。
【００２７】 トランジスタ３０８〜３１２は回路２００に結合され、出力電圧をトランジス
タ２０８、２０６、２１４に対するキャパシタンスからそれぞれ保護する。これ
はトランジスタ３０８〜３１２がトランジスタ２０８、２０６、２１４がきわめ
て低いインピーダンスおよび低い利得を有するようにするカスコードデバイスと
して動作することにより達成される。さらにトランジスタ３０８〜３１２は多重
化スイッチとして使用され、トライステートの出力をオフ状態とする。このよう
なトライステートデバイスとしてのカスコードデバイスの使用法は当業者には周
知である。
【００２８】 図４には本発明のシングルエンド信号から差信号への変換方法のフローチャー
トが示されている。初期電流は電圧へ変換される（ステップ４００）。この電圧
は差電圧を形成するために使用され、差電圧は差形成手段の組へ入力され、差電
流を形成する（ステップ４０２）。初期電流は２以上の利得で増幅され、その際
にグラウンド電流はほとんど生じない（ステップ４０４）。
【００２９】 本発明を有利な実施例に則して説明したが、当業者にとってはこれらの実施例
に本発明の範囲内で修正を加えることができることは明らかである。したがって
当業者にとっては請求項の内容から離れないかぎりにおいて種々の修正が可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 シングルエンド信号から差信号への変換を行う従来の変換回路の概略図である
。
【図２】 本発明の第１の実施例による変換回路の概略図である。
【図３】 本発明の第２の実施例による変換回路の概略図である。
【図４】 本発明の方法のフローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スティーヴン ジェイ フランク アメリカ合衆国 カリフォルニア フェル トン クーパー ストリート 6633 (72)発明者 ザビー トゥースキー アメリカ合衆国 カリフォルニア サンタ クルーズ ニコルス ドライヴ 50 Ｆターム(参考） 5J066 AA01 AA12 CA52 FA20 HA10 KA59 MA17 TA07 5J092 AA01 AA12 CA52 FA20 HA10 KA59 MA17 TA07

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電流を電圧へ変換する第１のデバイス（２１４）と、 第１のデバイス（２１４）に結合された第２のデバイス（２０８）と、 第１のデバイス（２１４）および第２のデバイス（２０８）に結合された第３
    のデバイス（２０６）とを有しており、 第１のデバイス、第２のデバイスおよび第３のデバイス（２０６、２１４、２
    ０８）のいずれも直接にグラウンド（２１０）には接続されておらず、電流は２
    以上の利得で増幅される、 ことを特徴とするシングルエンド信号から差信号への変換装置。
  2. 【請求項２】 第１のデバイス、第２のデバイスおよび第３のデバイス（２
    ０６、２１４、２０８）は共通の電源（２０２）を共有している、請求項１記載
    の装置。
  3. 【請求項３】 第２のデバイスおよび第３のデバイス（２０６、２０８）は
    差形成手段の組である、請求項１記載の装置。
  4. 【請求項４】 第５のデバイス（３０８）は第２のデバイス（２０８）に結
    合されており、第５のデバイス（３０８）はカスコードデバイスとして機能する
    、請求項１記載の装置。
  5. 【請求項５】 第５のデバイス（３０８）は多重化スイッチとして機能する
    、請求項４記載の装置。
  6. 【請求項６】 電流を電圧へ変換し（４００）、 差電圧を差形成手段の組へ入力し（４０２）、 電流を２以上の利得で増幅し、グラウンド電流をほとんど生じさせない（４０
    ４）、 ことを特徴とするシングルエンド信号から差信号への変換方法。
  7. 【請求項７】 さらに共通の電源を設ける（２０２）、請求項６記載の方法
    。
JP2000613071A 1999-04-21 2000-04-18 シングルエンド信号から差信号への変換装置および変換方法 Pending JP2002542703A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/296,142 1999-04-21
US09/296,142 US6285259B1 (en) 1999-04-21 1999-04-21 System and method for converting from single-ended to differential signals
PCT/US2000/010421 WO2000064046A1 (en) 1999-04-21 2000-04-18 System and method for converting from single-ended to differential signals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002542703A true JP2002542703A (ja) 2002-12-10

Family

ID=23140791

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000613071A Pending JP2002542703A (ja) 1999-04-21 2000-04-18 シングルエンド信号から差信号への変換装置および変換方法

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6285259B1 (ja)
EP (1) EP1171950B1 (ja)
JP (1) JP2002542703A (ja)
KR (1) KR100737593B1 (ja)
CN (1) CN1174547C (ja)
DE (1) DE60030105T2 (ja)
GB (1) GB2349529A (ja)
WO (1) WO2000064046A1 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020053777A (ko) * 2000-03-31 2002-07-05 롤페스 요하네스 게라투스 알베르투스 증폭단의 차동출력부에 소정의 공통모드 전압을 인가하는전자회로
US6404281B1 (en) * 2000-11-14 2002-06-11 Sirenza Microdevices, Inc. Wide dynamic range transimpedance amplifier
US6573802B2 (en) * 2000-11-30 2003-06-03 Intersil Americas Inc. Single-ended to differential and differential to single-ended conversion using a common mode shunt
US6566961B2 (en) * 2001-03-30 2003-05-20 Institute Of Microelectronics Wide-band single-ended to differential converter in CMOS technology
US6639473B1 (en) 2002-04-16 2003-10-28 Sirenza Microdevices, Inc. Method and/or apparatus for controlling a common-base amplifier
US8788996B2 (en) 2003-09-15 2014-07-22 Nvidia Corporation System and method for configuring semiconductor functional circuits
US8775997B2 (en) 2003-09-15 2014-07-08 Nvidia Corporation System and method for testing and configuring semiconductor functional circuits
US8732644B1 (en) 2003-09-15 2014-05-20 Nvidia Corporation Micro electro mechanical switch system and method for testing and configuring semiconductor functional circuits
US8711161B1 (en) 2003-12-18 2014-04-29 Nvidia Corporation Functional component compensation reconfiguration system and method
US7099646B1 (en) 2004-01-27 2006-08-29 Marvell International Ltd. Signal mixer having a single-ended input and a differential output
US8723231B1 (en) 2004-09-15 2014-05-13 Nvidia Corporation Semiconductor die micro electro-mechanical switch management system and method
US8711156B1 (en) 2004-09-30 2014-04-29 Nvidia Corporation Method and system for remapping processing elements in a pipeline of a graphics processing unit
WO2006117599A2 (en) * 2004-11-26 2006-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Single - ended to differential transformer circuit
CN1855750B (zh) * 2005-04-20 2010-09-01 周宗善 抗干扰单端信号传输方法及其装置
US8021193B1 (en) 2005-04-25 2011-09-20 Nvidia Corporation Controlled impedance display adapter
US7793029B1 (en) 2005-05-17 2010-09-07 Nvidia Corporation Translation device apparatus for configuring printed circuit board connectors
US8412872B1 (en) 2005-12-12 2013-04-02 Nvidia Corporation Configurable GPU and method for graphics processing using a configurable GPU
US8417838B2 (en) * 2005-12-12 2013-04-09 Nvidia Corporation System and method for configurable digital communication
KR100833186B1 (ko) * 2006-10-18 2008-05-28 삼성전자주식회사 증폭 회로, 및 증폭 회로의 바이어스 전압 발생 방법
US8724483B2 (en) 2007-10-22 2014-05-13 Nvidia Corporation Loopback configuration for bi-directional interfaces
US8687639B2 (en) * 2009-06-04 2014-04-01 Nvidia Corporation Method and system for ordering posted packets and non-posted packets transfer
US9176909B2 (en) 2009-12-11 2015-11-03 Nvidia Corporation Aggregating unoccupied PCI-e links to provide greater bandwidth
US9331869B2 (en) * 2010-03-04 2016-05-03 Nvidia Corporation Input/output request packet handling techniques by a device specific kernel mode driver
US9330031B2 (en) 2011-12-09 2016-05-03 Nvidia Corporation System and method for calibration of serial links using a serial-to-parallel loopback
CN103063957A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 成都泰格微电子研究所有限责任公司 表面贴装微波器件自动测试系统
CN104422867B (zh) * 2013-09-03 2017-06-06 安凯(广州)微电子技术有限公司 一种芯片器件及其测试方法
US9841455B2 (en) * 2015-05-20 2017-12-12 Xilinx, Inc. Transmitter configured for test signal injection to test AC-coupled interconnect

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1528201A (en) * 1975-02-24 1978-10-11 Rca Corp Differential amplifier
US3743764A (en) * 1972-05-18 1973-07-03 Rca Corp Electronic phase shifting apparatus
JPS6133709Y2 (ja) * 1977-11-24 1986-10-02
CA1134463A (en) 1978-10-13 1982-10-26 Kyoichi Murakami Circuit for converting single-ended input signals to a pair of differential output signals
JPS5643808A (en) * 1979-09-18 1981-04-22 Sony Corp Signal converting circuit
US4945263A (en) 1989-08-23 1990-07-31 National Semiconductor Corporation TTL to ECL/CML translator circuit with differential output
IT1239899B (it) * 1990-03-22 1993-11-23 Sgs Thomson Microelectronics Amplificatore a basso rumore e alta impedenza d'ingresso, particolarmente per microfoni
US5068621A (en) 1990-08-13 1991-11-26 Triquint Semiconductor, Inc. Compensation method and apparatus for enhancing single-ended to differential conversion
US5132559A (en) 1991-05-03 1992-07-21 Motorola, Inc. Circuit for trimming input offset voltage utilizing variable resistors
US5220286A (en) 1991-06-28 1993-06-15 International Business Machines Corporation Single ended to fully differential converters
JPH0721059B2 (ja) * 1991-11-13 1995-03-08 工業技術院長 ポリシロキサン系ケイ素化合物、その製造方法、およびそれを用いた感光性材料
GB2295289B (en) 1992-10-28 1996-07-17 Plessey Semiconductors Ltd Wideband constant impedance amplifiers
FR2712127B1 (fr) 1993-11-02 1995-12-01 Alcatel Radiotelephone Elément d'amplification à structure différentielle en mode de courant.
US5422529A (en) * 1993-12-10 1995-06-06 Rambus, Inc. Differential charge pump circuit with high differential and low common mode impedance
US5521552A (en) * 1995-06-06 1996-05-28 Analog Devices, Inc. Bipolar micro-power rail-to-rail amplifier
DE19725286A1 (de) * 1997-06-14 1998-12-17 Philips Patentverwaltung Schaltungsanordnung mit einer Differenzverstärkerstufe

Also Published As

Publication number Publication date
GB0008780D0 (en) 2000-05-31
US20010017571A1 (en) 2001-08-30
KR100737593B1 (ko) 2007-07-10
US6285259B1 (en) 2001-09-04
US6429747B2 (en) 2002-08-06
US6720832B2 (en) 2004-04-13
KR20020038572A (ko) 2002-05-23
DE60030105T2 (de) 2007-03-01
US20020163387A1 (en) 2002-11-07
GB2349529A (en) 2000-11-01
CN1357171A (zh) 2002-07-03
EP1171950A1 (en) 2002-01-16
CN1174547C (zh) 2004-11-03
WO2000064046A1 (en) 2000-10-26
DE60030105D1 (de) 2006-09-28
EP1171950B1 (en) 2006-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002542703A (ja) シングルエンド信号から差信号への変換装置および変換方法
US7176760B2 (en) CMOS class AB folded cascode operational amplifier for high-speed applications
US4484148A (en) Current source frequency compensation for a CMOS amplifier
EP0037406A1 (en) CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER WITH REDUCED POWER DISSIPATION.
US20100109779A1 (en) Hybrid class ab super follower
US7459976B2 (en) Apparatus and method for biasing cascode devices in a differential pair using the input, output, or other nodes in the circuit
US6236269B1 (en) Complementary CMOS differential amplifier circuit
US7298211B2 (en) Power amplifying apparatus
US7315210B2 (en) Differential operational amplifier
KR101615688B1 (ko) 선형성이 증가된 증폭기 회로, 및 증폭기 회로의 선형성을 증가시키는 방법
US6710660B1 (en) Class B power buffer with rail to rail output swing and small deadband
US20160294336A1 (en) Balanced differential transimpedance amplifier with single ended input and balancing method
EP0043699B1 (en) Operational amplifier
US6583670B2 (en) CMOS current amplifier
US11664774B2 (en) Operational amplifier using single-stage amplifier with slew-rate enhancement and associated method
US11929719B2 (en) Super source follower
EP1124326A1 (en) An operational amplifier with high gain and sysmmetrical output-current capabilty
US7233202B2 (en) Amplifier with increased bandwidth and method thereof
KR101596674B1 (ko) 전류차를 이용한 클래스 ab 증폭 장치
US20090160559A1 (en) Integrated circuit including impedance to provide symmetrical differential signals
JPS60194603A (ja) Ｃｍｏｓ技術により実現された、出力段のための集積増幅器
JPH04306915A (ja) レベル変換回路
KR20020002556A (ko) 고주파에서 고속으로 동작하는 버퍼 증폭기
JP2004096423A (ja) 分布増幅器
JPS6343409A (ja) 差動増巾回路