JP2002539962A - 研磨パッドを再状態調整する装置および方法 - Google Patents

研磨パッドを再状態調整する装置および方法

Info

Publication number
JP2002539962A
JP2002539962A JP2000607790A JP2000607790A JP2002539962A JP 2002539962 A JP2002539962 A JP 2002539962A JP 2000607790 A JP2000607790 A JP 2000607790A JP 2000607790 A JP2000607790 A JP 2000607790A JP 2002539962 A JP2002539962 A JP 2002539962A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
polishing
tool
shaping
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000607790A
Other languages
English (en)
Inventor
イ−ヤン・ジョウ
ユージーン・シー・デイビス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SunEdison Inc
Original Assignee
MEMC Electronic Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MEMC Electronic Materials Inc filed Critical MEMC Electronic Materials Inc
Publication of JP2002539962A publication Critical patent/JP2002539962A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
    • B24B53/14—Dressing tools equipped with rotary rollers or cutters; Holders therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 研磨パッド（36）を賦形するパッド賦形ツール（10）を開示する。該ツールは、第一面（14）および第二面（16）を有するディスク（12）、ならびにディスク（12）の第一面（14）に相互に間隔を開けて位置する少なくとも2個の不連続パッド賦形表面（18）を有する。ウエハ研磨機の回転台上の研磨パッド（36）を再状態調整する方法は、ツールの少なくとも2個の不連続パッド賦形表面（18）が研磨表面（44）に同時に係合するようにパッド賦形ツール（10）を研磨パッド（36）の研磨表面（44）に係合させ、研磨パッドに対するツール（10）の並進運動を防止しながら研磨パッド（36）を回転させ、それによってツール（10）が研磨表面（44）を賦形し、研磨表面の断面輪郭を湾曲形から平坦形に変化させることを含んで成る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、一般に半導体ウエハ用の研磨パッドのメンテナンス、特に平坦度を
維持するために研磨パッドを再状態調整する装置および方法に関する。
【０００２】 （背景技術） 半導体ウエハは一般に、個々のウエハにスライスされる単結晶インゴット、例
えばシリコンインゴットから製造される。集積回路デバイスの取付を容易にし、
歩留り、性能および信頼性を向上させるために、ウエハは多くの処理操作に付さ
れる。一般に、これらの操作は、ウエハの厚みを減少し、スライス操作によって
生じた損傷を除去し、平坦な反射面を形成する。半導体ウエハの化学/機械研磨
は、これらの操作の1つである。それは、研磨剤および化学物質、例えばコロイ
ドシリカおよびアルカリ性エッチング剤を含有するスラリーを吐出しながらウエ
ハを研磨パッドで擦って、極めて平坦な、高反射性の、無損傷表面を形成するこ
とを一般に含む。
【０００３】 研磨パッドは、円形または環状であり、平坦なウエハを製造するために極めて
平坦でなければならない研磨表面（即ち、ウエハに接し、研磨するパッドの表面
領域部分）を有する。残念なことに、研磨表面は使用後に不均一な形を有する。
従来の半導体ウエハ研磨機においては、ウエハは、回転する研磨パッドに対して
、研磨アームによって力で保持される。研磨アームは、パッドが回転すると共に
、ウエハを研磨パッドに対して振動的に動かす場合もある。多くの研磨サイクル
後に、研磨パッドにおける圧力および熱が、ウエハに接するパッドの中央環状領
域におけるパッドの形の変化を生じる。さらに研磨表面が中央環状領域において
摩耗する。従って、パッドの研磨表面の断面の輪郭が非平面になる。
【０００４】 スラリー粒子が一般に研磨パッドに付着し、研磨効果をさらに減少させる。一
般的な研磨パッドは、ポリウレタン樹脂で含浸されたポリエステルフェルトで製
造される。研磨工程の間に、スラリーからの粒子および反応生成物がパッドの繊
維に付着する。パッドがスラリー粒子で浸漬された際に、パッドの研磨能力が減
少する。研磨表面に粒子を不均一に分布させて、研磨表面を不規則にすることが
できる。パッド摩耗およびスラリー付着の組み合わせが、パッドを凹形または凸
形にしうる。
【０００５】 従って、研磨パッドを定期的に再状態調整するかまたはドレッシングして、平
坦な断面プロフィールを維持し、付着したフラリー粒子を除去しなければならな
い。ワンウェイ再状態調整は、ホイールのパッド賦形表面に研磨材を有するドレ
ッシングホイールを使用することによって行われる。ホイールは、パッド賦形表
面をパッドに係合させて、研磨表面上の所定の位置に保持される。ホイールは、
パッドが回転する際に、パッドの回転軸の回りを回転しないようにされるが、そ
れ自身の中心の回りを自由に回転しうるようにすることができる。パッド賦形表
面がパッドを擦り、厚い部分を研磨し、それによって輪郭がより平坦にされる。
特に、内側および外側の縁を研磨することによって、研磨表面の内側および外側
の縁を中心領域のレベルに下げる。このツールは、付着したスラリー粒子も除去
する。このツールの研磨材、例えばダイヤモンドを、装置の周囲に位置する連続
環に配置する。
【０００６】 パッド賦形ツールは、研磨パッドと僅かに不整列にすることができ、それによ
って不均一賦形を行うことができる。このツールは一般に、それの中心における
コネクターによって、パッド賦形表面のほぼ上方の取付具に保持される。取付具
は、パッド賦形表面をパッドにほぼ平行に保持し、コネクターに係合し、ツール
がその中心の回りを回転しうるようにする軸受けを有する。パッドが、パッド賦
形ツールの研磨材に対して動く際に、パッドからの摩擦力が、ツールがパッドと
一緒に並進しないようにする。取付具はその力に抵抗し、ツールがパッドと一緒
に移動しないようにする。しかし、その力は、軸受けおよび取付具が力の作用点
より上方で距離をあけている故に、軸受けおよび取付具の回りにモーメントを生
じる。そのモーメントは、ツールと取付具の間のコネクターにおける点の回りに
ツールを揺動させる。
【０００７】 軸受けおよび取付具のような取付ツールのメカニズムは、力またはモーメント
に抵抗する有限運動を可能にするある程度の柔軟性および弛みを有する場合が多
い。摩擦力からのモーメントは、取付具における偏りを含み、従って、ツールが
小角で揺動し、パッドと水平配置にならない。ツールの研磨表面の前縁（即ち、
回転パッドの中央環状領域に最初に接するホイールの面）が、比較的より多くパ
ッドに押しつけられ、一方、ツールの後縁（即ち、回転するパッドに最後に接す
るホイールの面）は比較的少なくパッドに押しつけられる。充分に研磨して均衡
にした後に、パッドの形は、ツールの周囲において研磨材の形に一致する。しか
し、揺動によって、研磨表面の断面輪郭は凹形になる。
【０００８】 従って、摩擦力がツールを揺動させるモーメントを生じ、パッドの輪郭を凹形
にする傾向がある。この傾向は不確実な結果を生じ、技術者は、初期輪郭（即ち
、凸形または凹形）に依存して変化する種々の面倒なパッド再状態調整法を工夫
している。例えば、パッドが凸形の場合はホイールを回転させるが、パッドが凹
形の場合はホイールの回転を制限する。これらの方法は、非再現性の結果を生じ
る場合が多く、平坦な研磨パッドを得るために試行錯誤を必要とする。
【０００９】 （発明の要約） 本発明のいくつかの目的および特徴は、平坦な断面輪郭を回復し、付着したス
ラリー粒子を除去する、研磨パッドの研磨表面を再状態調整する装置および方法
を提供し；研磨表面を横切ってパッドを均一に研磨するそのような装置および方
法を提供し；初期輪郭にかかわらず、パッドに使用しうるそのような装置および
方法を提供し；経済的かつ使用し易いそのような装置および方法を提供すること
である。
【００１０】 簡単に言えば、本発明のパッド賦形ツールは、半径方向に内側の境界および半
径方向に外側の境界によって定められる研磨表面、および対象を研磨するために
研磨パッドを使用するのに伴って変化する半径方向に内側の境界と半径方向に外
側の境界の間の断面輪郭を有する研磨パッドを賦形する。このツールは、第一面
および第二面を有するディスクを有して成り、該ディスクは研磨表面上の所定の
位置に配置されるよう適合され、少なくとも2つの不連続パッド賦形表面が、デ
ィスクの第一面において相互に空間を開けた位置に配置される。パッド賦形表面
は、研磨パッドの研磨表面に同時に係合することができ、それによって、パッド
賦形ツールに対してパッドが回転する際に研磨表面を賦形して、研磨表面の断面
輪郭を湾曲形から平坦形に変化させる。
【００１１】 他の態様において、ウエハ研磨機の回転可能な台の上の研磨パッドを再状態調
整する本発明の方法は、ツール上の相互に間隔を開けた位置に配置されるツール
の少なくとも2つの不連続パッド賦形表面が、同時に研磨表面と係合するように
、パッド賦形ツールをパッドの研磨表面と係合させる工程を含んで成る。パッド
賦形ツールのパッドに対する並進運動を防止しながら研磨パッドを回転させ、そ
れによって、パッド賦形ツールがパッドの研磨表面をほぼ平坦に賦形する。
【００１２】 さらに他の態様において、半径方向に内側の境界および半径方向に外側の境界
によって定められる研磨表面であって、半径方向に内側の境界と半径方向に外側
の境界の間に断面輪郭を有する研磨表面を有する回転研磨パッドを有するウエハ
研磨機を使用して、半導体ウエハを研磨する本発明の方法は、最初の複数の半導
体ウエハのそれぞれの少なくとも1つの面を研磨する工程を含んで成る。断面輪
郭を監視して、研磨表面が工程許容量によって許容されるより多く湾曲している
かを決定する。研磨表面の輪郭の決定された形が、工程許容量より多く湾曲して
いる場合は、研磨パッドを賦形する。研磨パッドを賦形する工程は、先の段落に
記載したのと実質的に同じである。
【００１３】 本発明の他の目的および特徴は、一部が明らかであり、一部が下記に示される
。
【００１４】 全図面を通して、対応する符合は対応する部分を示す。
【００１５】 図面、特に図1および図3を参照すると、ウエハ研磨機の半導体ウエハ研磨パッ
ドを再状態調整する、溝付きホイール配置を有する本発明のパッド賦形ツールが
、一般に10で示されている。ツール10は、第一面14および第二面16を有する平坦
なディスク12 、ならびにディスクの第一面において相互に間隔を開けて配置さ
れた3つの不連続パッド賦形表面18を有する。図1に示すように、パッド賦形表面
18は、ディスク12の第一面14のほぼ周囲に配置される。パッド賦形表面18は、デ
ィスク12に固定的に取り付けられる。好ましい実施態様において、ディスク12は
ステンレス鋼で製造され、パッド賦形表面18は電解メッキダイヤモンドのような
好適な研磨材料で製造される。本発明の範囲を逸脱せず、ツール10は他の材料、
非円形ディスク12から製造することもでき、またはディスクのどの位置にも配置
しうるどのような数の不連続パッド賦形表面18でも有することができる。
【００１６】 各パッド賦形表面18は、弧形を有し、断面において一般に長方形である。パッ
ド賦形表面18は、ディスク12の第一面の中心24に一致する中心を有する異なる直
径の2つの円20、22の間に存在する。2つの円20、22はそれらの間に環形または輪
形を定める。各パッド賦形表面18の寸法は、ディスク12の中心24および対応する
弧の長さ28に関して測定される、ホイールの第一面14における角度26によって定
められる。好ましい実施態様において、各パッド賦形表面18の角度26および弧の
長さ28は、他のパッド賦形表面とほぼ同じである。2つの円20、22の間、および
パッド賦形表面18の角度の外側に存在する空間は、ホイールにおける溝30を構成
する。パッド賦形表面18の角度26は、一般に40°〜90°である。他の角度および
実質的に異なる寸法を有するパッド賦形表面も、本発明に含まれる。
【００１７】 コネクター32は、ディスク12の第二面16に位置し、パッド賦形表面18がウエハ
研磨機の研磨パッド36に係合する位置にツールを保持する取付具34（図2）に、
ツール10を回転可能に取り付けるように構成される。図2に示されるように、取
付具34は、ツールの一般に下方の研磨機上でパッド36が回転する際に、ツール10
を保持するアーム38を有する。取付具34は、ツールの中心における中心軸42の回
りをツール10が回転しうるようにする軸受け40を有する。取付具34およびコネク
ター32は、ツール10を、研磨パッド36とほぼ水平な位置に保持する。取付具34の
構造および配置、ならびに取付具へのツール10の取付は、ここでは詳しく説明し
ない。
【００１８】 操作の際に、ツール10を使用して、輪形パッドドレッシングツールに関する先
行技術と同様の方法でウエハ研磨機の研磨パッド36を再状態調整する。研磨パッ
ド36は、半径方向に内側の境界46および半径方向に外側の境界48によって定めら
れる研磨表面44、ならびに半径方向に内側の境界および半径方向に外側の境界の
間の断面輪郭を有し、該断面輪郭は平坦であるのが理想的である。研磨パッド36
がウエハ（図示せず）に対して回転してウエハを研磨する多くの研磨サイクル後
に、研磨パッドの輪郭は湾曲になる。研磨後、ウエハの形は研磨パッドの形に一
般に対応するので、研磨パッド36によって研磨されたウエハの平坦度を定期的に
測定することによって、研磨パッドの輪郭の形を監視する。例えば、50個のウエ
ハを研磨する毎に1つのサンプルウエハを、表面の平坦度について測定する。ウ
エハが工程許容量を越えて平坦でなくなった場合、研磨パッド36の輪郭が許容さ
れない程度に湾曲しているかまたはスラリー粒子で浸漬され、再状態調整が必要
であることを示す。
【００１９】 研磨パッド再状態調整および賦形工程を実施する間は、ウエハの研磨を停止す
る。取付具34は、パッド賦形ツール10が研磨パッド36の研磨表面44に係合する位
置に配置される。ディスク12は、研磨パッド36にほぼ平行に配置され、それによ
って、全てのパッド賦形表面18が同時に研磨表面44に係合する。取付具34がパッ
ド賦形ツール10を保持している間に、研磨パッド36を回転させる。ツール10は、
研磨パッド36がツールに対して回転すると共に、パッド材料を研磨することによ
って研磨表面44を賦形し、それによって、研磨表面の断面輪郭を、湾曲形から平
坦形に変化させる。取付具34は、ツール10の並進運動は防止するが、中心軸42の
回りのツールの回転運動は可能にする。この工程は、パッド36が充分に平坦にな
り、付着したスラリー粒子の大部分が研磨パッドから除去されるまで、好適な時
間、例えば1分で行われる。ツール10をパッド36との係合から外し、追加のウエ
ハを研磨し、それらの輪郭を定期的に測定して、研磨パッドが許容される平坦さ
であることを確実にする。
【００２０】 本発明の顕著な特徴は、パッド賦形表面18が不連続であり、溝30を有するホイ
ールの形態を有することである。溝付きホイールは、同じ幅の連続環より研磨材
の表面領域と接触が少ない。従って、研磨パッド36がパッド賦形ツール10の研磨
材に対して移動すると際に、接触表面積に比例する研磨パッドからの摩擦力が、
完全ホイールにおける摩擦力より比較的少ない。図4に示すように、摩擦力の結
果として、ツール10を揺動配置にするコネクター32の回りのモーメントが生じる
。ツール10が揺動する際に、ツールの前縁50が、研磨パッド36に比較的強く押さ
れ、それによって、下を通る研磨パッドの中央環状領域においてパッド材料を容
易に研磨することができる。
【００２１】 溝付きホイールは、完全ホイールより、研磨表面44の断面輪郭を凹形にする傾
向が少ない。研磨パッド36からの研磨力が、完全ドレッシングホイールからの摩
擦力より少ない故に、運動量も同様に減少し、ツール10があまり強く揺動されな
いと考えられる。ツール10は、完全ホイールツールより、研磨パッド36により密
接に整列し、ツールの前縁50において中央環状領域を押さえ、研磨する傾向が少
ない。溝付きホイール形態は、完全ホイールと異なるパッド材料の除去分布パタ
ーンを有し、該パターンが減少したモーメントと共に研磨パッド36をより平坦に
する傾向を有することも考えられる。
【００２２】 溝付きホイールツール10のパッド研磨表面18の寸法は、ウエハの平坦度を向上
させるために最適化することができる。再状態調整後に、研磨パッド36の研磨表
面44の断面輪郭の形が凹形である場合は、ツール揺動が強すぎることを示す。パ
ッド賦形表面18の寸法を小さくして、接触表面積、摩擦力およびモーメントを減
少しなければならない。従って、ツールの少なくとも1つのパッド賦形表面18の
一部を除去し、それによって、該少なくとも1つのパッド賦形表面の寸法を減少
させる。除去される部分は、好ましくは、1つまたはそれ以上のパッド賦形表面1
8の端に位置し、角度26および弧の長さ28を減少させる。ツール10が平坦輪郭を
有する研磨パッド36を与えるまで、その工程を繰り返すことができる。研磨パッ
ド36の研磨表面44の断面輪郭の形が凸形の場合、ツールの揺動の不足を示す。パ
ッド賦形表面18の寸法を増加して、接触表面積、摩擦力およびモーメントを増加
しなければならない。従って、追加部分を付加するか、または新しい完全ホイー
ルツールで開始し、適切な大きさの部分を除去することによって、パッド賦形表
面18を大きくしなければならない。パッド賦形表面18の寸法を最適化すれば、凹
形および凸形の両方の形の多くの研磨パッドにツール10を使用することができる
。パッド賦形表面18を適切な大きさにして、凸形に有利な傾向と均合する、ツー
ル10を揺動させる凹形に有利なモーメントを形成し、それによって研磨パッド36
を平坦にすることができる。
【００２３】 所望されるパッド断面の形は、必ずしも平坦とは限らない。例えば、操作者が
凹形または凸形を所望する場合、操作者は比較的大きいかまたは比較的小さいパ
ッド賦形表面18を有するツール10を選択して、得られる輪郭を調整することがで
きる。
【００２４】 本発明の装置および方法は、研磨パッド36の研磨表面44を再状態調整し、平坦
な断面輪郭を回復し、付着したスラリー粒子を除去する。ツール10は、研磨表面
44を横切って研磨パッド36を均一に研磨し、研磨パッドの初期輪郭に関係なく、
同じツール操作を同じ方法で研磨パッドに使用しうるようにする。
【００２５】 前記に鑑みて、本発明のいくつかの目的が達成され、他の有利な結果が得られ
ることが理解されるであろう。
【００２６】 本発明の範囲を逸脱せず、種々の変更を前記の説明に加えることができるので
、前記の説明に含まれ、図面に示される全ての内容は、例示するものであって限
定するものではないと理解すべきものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ツール上の研磨パッド賦形表面の溝付きホイールの配置示す、本
発明のパッド賦形ツールの下面図。
【図２】 パッド賦形ツールを研磨パッドに対して保持する取付具を示す、
研磨機の部分的上面概略図。
【図３】 パッド賦形ツールの立面図。
【図４】 移動研磨パッドとの係合によって生じるツールの揺動運動を示す
、パッド賦形ツールの立面図。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年５月７日（２００１．５．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】 従って、研磨パッドを定期的に再状態調整するかまたはドレッシングして、平
坦な断面プロフィールを維持し、付着したスラリー粒子を除去しなければならな
い。ＷＯ−Ａ−９５−１８６９７におけるように、ワンウェイ再状態調整は、ホ
イールのパッド賦形表面に研磨材を有するドレッシングホイールを使用すること
によって行われる。ホイールは、パッド賦形表面をパッドに係合させて、研磨表
面上の所定の位置に保持される。ホイールは、パッドが回転する際に、パッドの
回転軸の回りを回転しないようにされるが、それ自身の中心の回りを自由に回転
しうるようにすることができる。パッド賦形表面がパッドを擦り、厚い部分を研
磨し、それによって輪郭がより平坦にされる。特に、内側および外側の縁を研磨
することによって、研磨表面の内側および外側の縁を中心領域のレベルに下げる
。このツールは、付着したスラリー粒子も除去する。このツールの研磨材、例え
ばダイヤモンドを、装置の周囲に位置する連続環に配置する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユージーン・シー・デイビス アメリカ合衆国63376ミズーリ州セント・ ピーターズ、ポスト・オフィス・ボックス ８、パール・ドライブ501番、エムイーエ ムシー・エレクトロニック・マテリアル ズ・インコーポレイテッド Ｆターム(参考） 3C047 EE11 FF08 3C058 AA07 AA19 CB01 CB02 CB10 DA02

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半径方向に内側の境界および半径方向に外側の境界によって
    定められる研磨表面を有する研磨パッド賦形用のパッド賦形ツールであって、該
    研磨表面が、半径方向に内側の境界と半径方向に外側の境界の間に、研磨パッド
    で対象を研磨するとともに変化する断面輪郭を有し、該ツールが、 研磨表面の所定の位置に配置するために適合される、第一面および第二面を有
    するディスク；および 研磨パッドがパッド賦形ツールに対して回転するとともに研磨表面を賦形して
    、研磨表面の断面輪郭を湾曲形から平坦形に変化させる、ディスクの第一面のほ
    ぼ周囲に相互に間隔を開けて位置し、研磨パッドの研磨表面と同時係合性の少な
    くとも2個の不連続パッド賦形表面であって、該パッド賦形表面のそれぞれが弧
    形を有し、該パッド賦形表面のそれぞれの角度が40°〜90°であるパッド賦形表
    面； を有して成るパッド賦形ツール。
  2. 【請求項２】 各パッド賦形表面が、ディスクの第一面の中心に一致する中
    心を有する異なる直径の円の間に存在する請求項1に記載のパッド賦形ツール。
  3. 【請求項３】 各パッド賦形表面がダイヤモンド研磨材料から製造される請
    求項2に記載のパッド賦形ツール。
  4. 【請求項４】 8個以下のパッド賦形表面を有する請求項1に記載のパッド賦
    形ツール。
  5. 【請求項５】 パッド賦形ツールに対してパッドが回転するとともにパッド
    を賦形するために、パッド賦形表面が研磨パッドに係合する位置にパッド賦形ツ
    ールを保持する取付具に、ツールを回転可能に取り付けるように構成された、デ
    ィスクの第二面上のブラケットコネクターであって、ブラケットコネクターの回
    りにモーメントを形成するパッド賦形表面とパッドの間に発生する摩擦力に反応
    して順応的に揺動可能なブラケットコネクターをさらに有して成る請求項1に記
    載のパッド賦形ツール。
  6. 【請求項６】 半径方向に内側の境界および半径方向に外側の境界によって
    定められる研磨表面を有する回転研磨パッドを有するウエハ研磨機を使用して半
    導体ウエハを研磨する方法であって、該研磨表面がそれの半径方向に内側の境界
    と半径方向に外側の境界の間に断面輪郭を有し、該方法が、 第一の複数の半導体ウエハのそれぞれの少なくとも1つの面を研磨する工程； 断面輪郭を監視して、第一の複数のウエハからの研磨表面の輪郭が工程許容量
    以上に湾曲した形であるかを決定する工程； 第一の複数のウエハからの研磨表面の輪郭の決定された形が、工程許容量以上
    に湾曲している場合に、研磨パッドを賦形する工程であって、 研磨表面に同時に係合し、ツール上の相互に間隔を開けた位置に配置される少
    なくとも2個の不連続パッド賦形表面を有するパッド賦形ツールを、研磨表面に
    係合させる工程、 ツールの並進運動を防止しながら研磨パッドを回転させ、それによってパッド
    賦形ツールが研磨表面を賦形する工程、 を含んで成る研磨パッドを賦形する工程； 第二の複数の半導体ウエハのそれぞれの少なくとも1つの面を研磨する工程； 断面輪郭を監視して、第二の複数のウエハからの研磨表面の輪郭が工程許容量
    以上に湾曲した形であるかを決定する工程；ならびに 第二の複数のウエハからの研磨表面の輪郭の決定された形が、工程許容量以上
    に湾曲している場合に、向上したウエハ平坦度を得るためにツールのパッド賦形
    表面の大きさを最適化する工程； を含んで成る方法。
  7. 【請求項７】 研磨表面の断面輪郭を監視する工程が、少なくとも1つのウ
    エハの平坦度を測定して、該輪郭の形が、工程許容量以上に平坦性から逸脱して
    いるかを決定する工程を含んで成る請求項6に記載の方法。
  8. 【請求項８】 ツールのパッド賦形表面の大きさを最適化する工程が、ツー
    ルの少なくとも1つのパッド賦形表面の角度を変化させることを含んで成る請求
    項6に記載の方法。
  9. 【請求項９】 最適化する工程が、研磨表面の輪郭の形が凹形か否かを決定
    し、その形が凹形の場合は、ツールの少なくとも1つのパッド賦形表面の一部を
    除去し、それによって、少なくとも1つのパッド賦形表面の大きさを減少し、研
    磨工程、および断面輪郭を監視して、ウエハの平坦度が向上したかを決定する工
    程を繰り返すことをさらに含んで成る請求項6に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 最適化する工程が、研磨表面の輪郭の形が凸形か否かを決
    定し、その形が凸形の場合は、ツールの少なくとも1つのパッド賦形表面の一部
    を大きくし、それによって、該少なくとも1つのパッド賦形表面の大きさを増加
    し、研磨工程、およびウエハの平坦度が向上したかを決定するために断面輪郭を
    監視する工程を繰り返すことをさらに含んで成る請求項6に記載の方法。
JP2000607790A 1999-03-31 2000-03-03 研磨パッドを再状態調整する装置および方法 Withdrawn JP2002539962A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/282,391 US6120350A (en) 1999-03-31 1999-03-31 Process for reconditioning polishing pads
US09/282,391 1999-03-31
PCT/US2000/005709 WO2000058053A1 (en) 1999-03-31 2000-03-03 Apparatus and process for reconditioning polishing pads

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002539962A true JP2002539962A (ja) 2002-11-26

Family

ID=23081310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000607790A Withdrawn JP2002539962A (ja) 1999-03-31 2000-03-03 研磨パッドを再状態調整する装置および方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6120350A (ja)
EP (1) EP1165287A1 (ja)
JP (1) JP2002539962A (ja)
KR (1) KR20010108423A (ja)
CN (1) CN1352587A (ja)
TW (1) TW480208B (ja)
WO (1) WO2000058053A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011143489A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Sumco Corp 研磨パッドの形状修正方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1125688A4 (en) * 1998-10-28 2006-09-27 Hitachi Ltd POLISHING DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD USING THEREOF
US6302772B1 (en) * 1999-04-01 2001-10-16 Mitsubishi Materials Corporation Apparatus and method for dressing a wafer polishing pad
US6517419B1 (en) * 1999-10-27 2003-02-11 Strasbaugh Shaping polishing pad for small head chemical mechanical planarization
US6857942B1 (en) * 2000-01-11 2005-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Apparatus and method for pre-conditioning a conditioning disc
US6343974B1 (en) * 2000-06-26 2002-02-05 International Business Machines Corporation Real-time method for profiling and conditioning chemical-mechanical polishing pads
EP1319470B1 (en) * 2000-09-13 2006-12-13 A.L.M.T. Corp. Ultra abrasive grain wheel for mirror finish
US6390902B1 (en) * 2001-06-06 2002-05-21 United Microelectronics Corp. Multi-conditioner arrangement of a CMP system
CN100439040C (zh) * 2004-09-02 2008-12-03 上海宏力半导体制造有限公司 抛光整理器
KR100822868B1 (ko) * 2007-04-04 2008-04-16 새솔다이아몬드공업 주식회사 패드 훼손을 이용한 다이아몬드 연마구의 입자 검사방법
CN101459044B (zh) * 2007-12-13 2010-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 化学机械抛光中凹陷现象检测单元、制作方法及检测方法
US8192248B2 (en) * 2008-05-30 2012-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor wafer polishing apparatus and method of polishing
US20110097979A1 (en) * 2009-10-26 2011-04-28 Illinois Tool Works Inc. Fusion Bonded Epoxy Removal Tool
US8961077B2 (en) 2009-10-26 2015-02-24 Illlinois Tool Works Inc. Severing and beveling tool
CN103659604B (zh) * 2012-09-20 2016-04-20 苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司 一种研磨盘平面度修正装置
WO2015051111A1 (en) 2013-10-03 2015-04-09 Illinois Tool Works Inc. Pivotal tool support for a pipe machining apparatus
JP6357260B2 (ja) * 2016-09-30 2018-07-11 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
JP6826447B2 (ja) * 2016-10-14 2021-02-03 Ｂａｓｆ戸田バッテリーマテリアルズ合同会社 正極活物質粒子中の残存リチウム量の低減方法
CN109664179B (zh) * 2019-01-02 2021-05-04 中国科学院上海光学精密机械研究所 环形抛光机
CN110509132A (zh) * 2019-09-19 2019-11-29 福建北电新材料科技有限公司 晶棒治具及晶棒研磨方法
CN112975749A (zh) * 2019-12-17 2021-06-18 大量科技股份有限公司 抛光垫即时整修方法
CN117718821A (zh) * 2024-02-07 2024-03-19 华海清科股份有限公司 晶圆磨削后处理系统、装置、方法及晶圆减薄设备

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS637270A (ja) * 1986-06-24 1988-01-13 Brother Ind Ltd 鋳鉄ボンドダイヤモンド砥石接合部品の製造方法
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5456627A (en) * 1993-12-20 1995-10-10 Westech Systems, Inc. Conditioner for a polishing pad and method therefor
JP3036348B2 (ja) * 1994-03-23 2000-04-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置
US5486131A (en) * 1994-01-04 1996-01-23 Speedfam Corporation Device for conditioning polishing pads
US5664987A (en) * 1994-01-31 1997-09-09 National Semiconductor Corporation Methods and apparatus for control of polishing pad conditioning for wafer planarization
JP2914166B2 (ja) * 1994-03-16 1999-06-28 日本電気株式会社 研磨布の表面処理方法および研磨装置
JPH08168953A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Ebara Corp ドレッシング装置
US5527424A (en) * 1995-01-30 1996-06-18 Motorola, Inc. Preconditioner for a polishing pad and method for using the same
US5665656A (en) * 1995-05-17 1997-09-09 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for polishing a semiconductor substrate wafer
US5667433A (en) * 1995-06-07 1997-09-16 Lsi Logic Corporation Keyed end effector for CMP pad conditioner
JP3447869B2 (ja) * 1995-09-20 2003-09-16 株式会社荏原製作所 洗浄方法及び装置
US5655951A (en) * 1995-09-29 1997-08-12 Micron Technology, Inc. Method for selectively reconditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5840202A (en) * 1996-04-26 1998-11-24 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for shaping polishing pads
TW355153B (en) * 1996-05-21 1999-04-01 Toshiba Machine Co Ltd A method for leveling abrasive cloth and device for the same
JPH10550A (ja) * 1996-06-11 1998-01-06 Toshiba Mach Co Ltd 研磨布ドレッシング方法およびその装置
JP3533046B2 (ja) * 1996-07-18 2004-05-31 新日本製鐵株式会社 半導体基板用研磨布のドレッサー
US5951370A (en) * 1997-10-02 1999-09-14 Speedfam-Ipec Corp. Method and apparatus for monitoring and controlling the flatness of a polishing pad

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011143489A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Sumco Corp 研磨パッドの形状修正方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010108423A (ko) 2001-12-07
US6120350A (en) 2000-09-19
TW480208B (en) 2002-03-21
WO2000058053A1 (en) 2000-10-05
CN1352587A (zh) 2002-06-05
EP1165287A1 (en) 2002-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002539962A (ja) 研磨パッドを再状態調整する装置および方法
US5486131A (en) Device for conditioning polishing pads
JP5296985B2 (ja) 整形面をもつリテーニングリング
US4054010A (en) Apparatus for grinding edges of planar workpieces
JP5390750B2 (ja) 研磨装置、および研磨パッド再生処理方法
EP0674972A1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
JPH09103954A (ja) ポリシング装置
US5840202A (en) Apparatus and method for shaping polishing pads
JP2004066450A (ja) 化学的機械研磨およびパッドドレッシング方法
US20210268625A1 (en) One or more conformal members used in the manufacture of a lapping plate, and related apparatuses and methods of making
JP5954293B2 (ja) 研磨用の発泡ウレタンパッドのドレッシング装置
WO2001027350A1 (en) Optimal offset, pad size and pad shape for cmp buffing and polishing
JP2005005315A (ja) ウエーハの研磨方法
US6439981B1 (en) Arrangement and method for polishing a surface of a semiconductor wafer
JPH1029142A (ja) 円盤状半導体ウェーハ面取部のミラー面取加工方法
CN112692722A (zh) 打磨设备、打磨盘的加工方法以及碳化硅晶片的加工方法
US7749048B2 (en) Polishing pad conditioning process
US7175515B2 (en) Static pad conditioner
JP4122800B2 (ja) 半導体ウェーハの研磨方法
JP2004223684A (ja) ウェーハノッチ研磨用パッド
KR200284323Y1 (ko) 패드 콘디셔너
JP2004338028A (ja) 研削用砥石及びこの研削用砥石を備える研削装置
KR100481553B1 (ko) 평탄화 장치
KR20070032067A (ko) 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 조절 조립체 및 방법
JP2003109923A (ja) 半導体ウェーハの研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070605