JP2002539634A - 多層集積薄膜金属抵抗器を有するプリント配線板とその製造方法 - Google Patents

多層集積薄膜金属抵抗器を有するプリント配線板とその製造方法

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ローレンス・ラッチ
グレゴリー・ジェイ・ダン
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Abstract

(57)【要約】 多層プリント配線板12に適する薄膜金属抵抗器44と、これを作製する方法。抵抗器44は一般に、多層構造を有し、抵抗器44の個々の層34,38は互いに自己整合されて、負の相互インダクタンスが生じ、これが抵抗層34,38それぞれの自己インダクタンスをほとんど相殺する。そのため、抵抗器44は、極めて低い正味寄生インダクタンスを有する。また、抵抗器44の多層構造は、抵抗器44を収容するのに必要な回路板12の面積を低減し、それにより、回路板12の他の層上にある他の回路要素と寄生相互作用を起こす問題を低減する。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、DARPAにより締結された契約第F33615−96−2−18
38号に基づく政府支援によって行なわれた。政府は、本発明に対してある一定
の権限を有する。
【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、一般に、電気回路とその作製に関する。本発明は、さらに詳しくは
、寄生直列インダクタンスなしに、高い抵抗を持つことができる薄膜金属抵抗器
を形成する工程に関し、そのため、多層高密度電子回路で使用するには極めて望
ましい。
【0002】
【従来の技術】
ニッケル−リン,ニッケル−クローム,珪化クロームおよび窒化タンタルなど
、金属ベースの材料によって形成される薄膜抵抗器は、多層ハイブリッド電子回
路で使用されてきた。薄膜金属材料は一般に、安定性および加工しやすさなど、
抵抗器として良好な特性を示すが、通常は、100オーム/平方未満のオーダー
と、低い面積抵抗に制限される。一般的な電気回路内の多くの抵抗器は、キロ・
オーム範囲の抵抗値を有する。かかる抵抗器は、薄膜抵抗器材料を用いて作製で
きるが、材料の面積抵抗が低いことから、抵抗器は、大きさが10から100平
方、例えば、幅が約5ミル(127マイクロメーター)、長さが約50から50
0ミル(1.27から12.7ミリメートル)にする必要がある。この大きさの
抵抗器は幾つかの問題を有する。第1に、寄生直列インダクタンスが高く、これ
が、高周波数用途の場合には、抵抗器の性能を劣化させる。第2に、基板面積を
過度に消費する。多層高密度基板の構築において、かなりの基板面積を占めるこ
とによって、抵抗器は、回路の層の上および下に配置するに際して、回路要素と
の間で望ましくないz軸相互作用を起こす問題を大幅に悪化させる。
【0003】 別のスクリーン印刷型ポリマー薄膜(PTF)材料は、薄膜抵抗材料に比べて
高い面積抵抗を提供する。しかしながら、PTF材料は、環境応力の下では安定
性が弱く、大型のプリント配線板の作製には適合しない。従って、薄膜金属抵抗
器材料の特性上の利点を有するが、1000オーム以上の抵抗値を有する抵抗器
を形成するのに使用されるときの、かかる材料の使用に関わる不利点を回避した
多層高密度プリント配線板用の抵抗器を製造する方法が利用可能であれば、望ま
しい。
【0004】
【本発明の概要】
本発明により、多層プリント配線板に適する薄膜金属抵抗器と、その作製方法
が提供される。本発明の抵抗器は一般に、多層構造を有し、抵抗器の個々の層は
、抵抗器の各層の自己インダクタンスをほとんど相殺する負の相互インダクタン
スが生じるように、互いに自己整合される。そのため、抵抗器は、極めて低い正
味寄生インダクタンスを有する。加えて、抵抗器の多層構造は、抵抗器を収容す
るのに必要な回路板の面積を低減し、これによって、回路板の他の層上の他の回
路要素との間で寄生相互作用を起こす問題を低減する。
【0005】 本発明の方法は一般に、基板上に第1抵抗膜を形成する段階,第1抵抗膜に載
置される誘電層を形成する段階,誘電層の上に第2抵抗膜を形成して、第1抵抗
膜が第2抵抗膜によって重ね合わされる段階、さらに詳しくは、第1と第2の抵
抗膜が互いに整合されて、その外周が互いに重ね合わされる段階を含む。本発明
のこの側面は、第1および第2抵抗膜が、1つのマスクを用いて、それらの形状
を確定することによって自己整合されるように、これらの抵抗膜を形成すること
によって促進される。ついで、第1および第2抵抗膜の隣接する部分が電気的に
相互接続されて、抵抗経路が確定され、この抵抗経路は、第1抵抗膜の第1部分
から始まり、第1抵抗膜からその電気的相互接続部分へとたどり、電気的相互接
続を通って、第2抵抗膜の隣接部分へと続き、ついで、第2抵抗膜から、第1抵
抗膜の第1部分に隣接する部分へとたどる。
【0006】 上記により、本発明の方法により製造される薄膜抵抗器は、少なくとも2つの
重ね合わされた抵抗膜によって特徴付けられ、これらは電気的に相互接続されて
、抵抗器を通る抵抗経路が折り返して(ループバック)、個々の抵抗膜の自己イ
ンダクタンスをほとんど相殺する負の相互インダクタンスを生じるようにする。
【0007】 本発明の他の目的および利点は、以下の詳細な説明から、より明確に理解され
よう。
【0008】 本発明の上記およびその他の利点は、添付図面と合わせて、本明細書の説明か
らより明白になろう。
【0009】
【好適な実施例の説明】
多層薄膜金属抵抗器10の2つの実施例が、本発明により、図1および図2に
、概略的に示される。図1の抵抗器10は、長方形の形状を有し、図2の抵抗器
10は、蛇様(serpentine)形状を有する。外観は異なるが、両方の抵抗器10
は、本発明による多層構造を有する。以下から、当業者は、種々の抵抗器形状お
よび終端構造が可能であり、図1および図2の抵抗器10のバリエーションおよ
び変形は、本発明の範囲内に属することを理解しよう。
【0010】 図に示すように、各抵抗器10は、1対の抵抗膜14,16によって構成され
、膜14,16はそれぞれ1対の終端18A,18Bおよび20A,20Bを備
え、膜14,16それぞれの電気的長さを決定する。膜14,16は、誘電層(
図示されず)によって互いに分離され、電気的に絶縁されるが、終端18B,2
0Bを電気的に相互接続するめっきバイア(図示されず)など、電気相互接続は
除く。そのため、各抵抗器10を通る電気経路は、終端18A,20Aの整合対
から、抵抗膜14,16を通って、電気相互接続までの間となる。
【0011】 膜14,16は、重ね合わされて示され、それらの外周は互いに整合される。
図3から図11を参照して以下に説明されるように、抵抗膜14,16の正確な
物理的整合が、本発明により実現される。特定の理論に限定されることを意図し
ないが、膜14と16の間の距離が、膜14と16の線幅に比べて相対的に小さ
ければ、膜14と16を正確に重ね合わせることによって、一方の膜14/16
により生じる寄生自己インダクタンスを、もう1つの膜14/16によって生じ
る負の相互インダクタンスによってほとんど相殺する。例えば、約1ミル(約2
5マイクロメーター)の厚みを有する誘電層によって分離される約5ミル(約1
25マイクロメーター)の線幅を有する抵抗膜では、自己インダクタンスが、ほ
とんど相殺されることが示された。負の相互インダクタンスの大きさは、膜14
,16の位置ずれによって急速に減少することが示されたので、膜14,16の
正確な整合が、本発明の重大な特徴である。本発明の好適な側面により、膜14
,16は、1つのマスクによってそれぞれの膜14,16を線引きする工程を通
じて、自己整合される。
【0012】 多層抵抗器44を作製する好適な工程が、図3から図11までに示される。抵
抗器44は、図1と類似する長方形形状を有するものとして示されるが、当業者
は、同じ工程が、図2の抵抗器を含めて、外観が相当に異なる抵抗器にも適用可
能であることを理解しよう。抵抗器44(図11では最終的な形状で示される)
は、プリント配線板の基板12の上に作製されるが、フレキシブル回路またはセ
ラミック基板またはシリコン基板など、他の適切な基板構造および基板も使用で
きる。抵抗層24および終端22A,22Bが、図3では、基板12の上に予め
形成済みのものとして示される。好適な実施例では、抵抗層24および終端22
A,22Bは、基板12の表面に積層された箔(図示されず)から形成される。
このような箔は、抵抗層24と、基板12に積層されたときに抵抗層24に載置
される導電層とを含む。抵抗層24は、ニッケル・ベースの合金であることが望
ましく、ニッケル−リン,ニッケル−クローム合金であればさらに望ましく、後
者は、安定性および加工しやすさなど、抵抗器として望ましい特性を示す。好適
な抵抗層24は、最大50重量パーセントのリンを含み、残りはニッケルと不定
不純物を含むニッケル−リン合金によって形成される。抵抗層24の好適な厚み
は、約0.01から約1.0マイクロメーターであり、一方、導電層(および終
端22A,22B)の適切な厚みは、約5から約40マイクロメーターである。
終端22A,22Bは、導電層から形成されるので、導電層の好適な材料は銅で
あるが、他の材料も使用可能であることが予見できる。上記の要求事項を満足す
るラミネートCu/NiP箔は、Ohemegaplyの名称で、Ohmega Technologiesか
ら商業的に入手可能である。
【0013】 いったん、箔が基板12に積層されると、導電層がエッチングされて、終端2
2Aおよび22Bを生じ、抵抗層24は、基板12の表面に接着された状態で残
される。銅で形成される場合には、導電層は、従来のアルカリ性のアンモニア性
エッチング剤など、既知のエッチング剤によってエッチングすることができ、こ
れは抵抗層24を侵食しない。この段階の適切なマスク材料は、従来の乾燥塗膜
フォトレジストである。以下の説明から理解されるように、この第1エッチング
は、第1抵抗膜34の長さを確定する。エッチング後、誘電層26が塗布されて
、図4に示されるように、抵抗層24および終端22A,22Bを被覆する。誘
電層26は、ポジ型のフォトイメージング可能な(photoimagiable)厚膜ポリマ
ーによって形成され、既知のフォトイメージング技術および現像技術を使用して
、誘電層26をパターン形成できる。適切な厚膜ポリマー成分は通常、樹脂,感
光剤および硬膜剤を含む。樹脂成分は、任意の適切な液状樹脂または固体樹脂と
することができ、樹脂の混合物が、基板12の表面の上に、液状またはラミネー
ト状に、難なく堆積されて、誘電層26を形成できるようにする。使用可能な樹
脂は、熱可塑性樹脂,熱硬化性樹脂,エラストマーおよびその混合物を含み、こ
れらは、感光性材料と組み合わせると、フォトイメージング可能な成分を生じる
。厚膜ポリマーの所望の特性は、誘電層26の全体にわたり安定した堆積および
フォトイメージングを維持する物理特性を含む。本発明により、誘電層26の一
部は、図11の多層抵抗器の抵抗膜34,38の間にある恒久的絶縁層36とし
て働き、厚膜ポリマーの誘電特性も、堆積工程およびフォトイメージング工程を
通して安定を維持することが望ましい。
【0014】 以上の理由から、エポキシが、誘電層26の樹脂として特に適しており、好ま
しいポジ型感光性(positive-acting)のエポキシ・ベースの成分が、チバ・ガ
イギーから商業的に入手可能なPROBELECである。PROBLECは、液
状樹脂であり、そのため、塗布後乾燥させることが望ましい。適切な乾燥工程は
、樹脂を、約100℃で約30分間加熱することである。感光剤が存在すること
により、乾燥させたPROBELEC誘電層26の適切な電磁放射線への露光が
、マスクを通して行なうことができ、誘電層26を光化学的に正確にパターン形
成する。電磁放射線に露光される誘電層26の領域は、ある一定の現像液に比較
的可溶性となり、一方、部分的に硬化された誘電層26の非露光部分は、比較的
不溶性の状態で残される。
【0015】 図5は、誘電層26に第2箔を積層した結果を示す。この箔は、図1で終端2
2A,22Bおよび抵抗層24を形成するのに使用されたのと同じ種類の箔であ
ることが望ましく、そのため、抵抗層28と導電層30とを含む。図6は、導電
層30をエッチングして、マスク32を形成する段階の結果を示す。本発明によ
り、マスク32の幅は、図11の抵抗膜34,38の線幅を決定するので、重要
である。図7は、マスク32によって露出された抵抗層28の部分を除去した結
果を示し、残った抵抗材料が、マスク32によって正確にパターン形成された抵
抗膜38を確定する。この段階の適切なエッチング剤は、マスク32を余り侵食
せずに、抵抗層28の露出領域を除去できるものである。NiP抵抗層28と銅
マスク32の場合、適切なエッチング剤は、溶液1リットル当り、約250グラ
ムの硫酸銅・5水和物と、約2ミリリットルの濃縮硫酸を含む溶液である。
【0016】 図7のエッチング段階後、図8に示されるように、マスク32によって露出さ
れた部分26と抵抗膜38とが除去される。感光剤が存在することにより、誘電
層26の適切な電磁放射線への露光を用いて、誘電層26を光化学的に精密にパ
ターン形成することができる。PROBLECなど、ポジ型フォトイメージング
可能な厚膜ポリマーを用いて、誘電層26の露光領域が、既知の方法で電磁的に
照射され、マスク32は、フォトマスクとして機能して、誘電層26の露光領域
においては、比較的可溶性の状態になる。例えば、約100℃から約120℃で
、約10から60分間、誘電層26を部分的に硬化または「断続加熱」した後、
PROBELECが、誘電層26の材料として用いられる場合には、誘電層26
の露光領域は、例えば、γブチラクトン(GBL)などの適切な現像液によって
除去される。照射されずに残されて、そのために重合され、現像液に対して比較
的不溶性の状態になった結果、マスク32の下にある誘電層26の部分が残り、
その後、誘電層26がPROBELEC樹脂によって形成された場合には、例え
ば、約150℃で約2時間保持するなど、完全に硬化される。図11の抵抗膜3
4と38の間の絶縁層36を確定するのは、誘電層26のこの残った重合部分で
ある。図8から明らかなように、マスク32はまた、絶縁層36の幅および長さ
を設定する。
【0017】 図9に示されるように、工程の次の段階は、誘電層26の非重合部分を除去す
ることによって露出された抵抗層24の部分を除去することである。この段階は
、抵抗層28をパターン形成するのに用いられたのと同じエッチング剤によって
実施できる。残った抵抗層24の部分は、図11に示される抵抗器の抵抗膜34
である。以後、マスク32がついで、エッチングされて、図10に示されるよう
に、抵抗膜38の終端40A,40Bを形成する。終端40A,40Bは、抵抗
膜38の電気的長さを決定し、そのため、適切なフォトマスクによって、マスク
32をパターン形成することによって注意深く確定される。図6でマスク32を
作ったエッチング工程に関して、適切なフォトマスク材料は、従来の乾燥塗膜フ
ォトレジストであり、終端40A,40Bを確定するのに適するエッチング剤は
、従来のアルカリ性のアンモニア性エッチング剤である。
【0018】 図11は、図3から図10までの工程段階によって形成される抵抗器構造を、
誘電層46を用いて塗布し、ついで、終端22Bと40Bとを電気的に相互接続
するめっきバイア42を形成し、これにより、終端22Aと40Aの間で所望の
抵抗器ループを完成して、2層抵抗器44を生じた結果を示す。本質的に任意の
導電要素を用いて、終端22Bと40Bとを電気的に相互接続できることが予見
できる。また、独立しためっきバイア(例:図11に示されるめっきバイア48
)が、必要であれば、終端22A,40Aに接触するように形成できる。従来の
多層回路板工程が、誘電層46およびめっきバイア42,48を形成するのに使
用でき、そのため、この工程については詳述しない。
【0019】 本発明を特定の実施例について説明してきたが、当業者には、他の形態も採用
できることが明らかである。さらに、本発明の理論は、膜14,16が正確に重
ね合わされる場合には、膜14/16それぞれにより生じる寄生自己インダクタ
ンスが、もう一方の膜14/16によって生じる負の相互インダクタンスによっ
てほとんど相殺されることと考えられるが、本発明は、特定の動作理論には限定
されない。したがって、本発明の範囲は、添付請求の範囲によってのみ限定され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による多層薄膜金属抵抗器の斜視図である。
【図2】 本発明による多層薄膜金属抵抗器の斜視図である。
【図3】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する工程段階を示す斜視図である。
【図4】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する工程段階を示す斜視図である。
【図5】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する工程段階を示す斜視図である。
【図6】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する工程段階を示す斜視図である。
【図7】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する工程段階を示す斜視図である。
【図8】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する工程段階を示す斜視図である。
【図9】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する工程段階を示す斜視図である。
【図10】 図1の薄膜金属抵抗器を形成する諸工程段階を示す斜視図であ
る。
【図11】 最終工程段階の結果を示す図1の薄膜金属抵抗器の断面図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 グレゴリー・ジェイ・ダン アメリカ合衆国 イリノイ州 60005 ア ーリントン・ハイツ サウス・エバーグリ ーン・アベニュー430 Fターム(参考) 4E351 AA06 AA07 AA16 BB06 BB30 DD04 DD19 DD21 DD23 DD41 DD54 FF04 FF07 5E032 BA13 BB01 CC14 CC16 5E033 AA02 BA01 BB09 BD02 BD13 BG02

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プリント配線板であって: 基板上にある第1電気抵抗板(strip)であって、入力端と出力端とを有する
    第1電気抵抗板; 前記第1電気抵抗板に載置される誘電層; 前記誘電層の上にある第2電気抵抗板であって、入力端と出力端とを有し、前
    記第1電気抵抗板は、前記第2電気抵抗板によって重ね合わされて、前記第1電
    気抵抗板の前記入力端が、前記第2電気抵抗板の前記出力端によって重ね合わさ
    れ、前記第1電気抵抗板の前記出力端が、前記第2電気抵抗板の前記入力端によ
    って重ね合わされる第2電気抵抗板;および 前記第1電気抵抗板の前記出力端と、前記第2電気抵抗板の前記入力端とを電
    気的に相互接続する手段であって、前記第1電気抵抗板の前記入力端から始まり
    、前記第1電気抵抗板からその前記出力端へとたどり、前記相互接続手段を通っ
    て、前記第2電気抵抗板の前記入力端へと続き、ついで、前記第2電気抵抗板か
    らその前記出力端へとたどる抵抗器経路を確定し、前記第1電気抵抗板の前記入
    力端が多層抵抗器の入力端であり、前記第2電気抵抗板の前記出力端が前記多層
    抵抗器の出力端である手段; によって構成されることを特徴とするプリント配線板。
  2. 【請求項2】 前記第1および第2電気抵抗板は、長方形の形状であること
    を特徴とする請求項1記載のプリント配線板。
  3. 【請求項3】 前記第1および第2電気抵抗板は、へび様形状であることを
    特徴とする請求項1記載のプリント配線板。
  4. 【請求項4】 前記誘電層は、ポジ型感光性光誘電(photodielectri)材料
    であることを特徴とする請求項1記載のプリント配線板。
  5. 【請求項5】 2層薄膜金属抵抗器を有するプリント配線板であって: 基板上にある第1電気抵抗板であって、入力端,出力端および外周を有する第
    1電気抵抗板; 前記第1電気抵抗板の前記入力端上にあって、これと接する第1金属終端、お
    よび前記第1電気抵抗板の前記出力端の上にあって、これと接する第2金属終端
    ; 前記第1と第2金属終端および前記第1電気抵抗板の上に載置される誘電層で
    あって、ポジ型感光性光誘電材料によって形成される誘電層; 前記誘電層上にある第2電気抵抗板であって、入力端,出力端および外周を有
    し、前記第1電気抵抗板は、前記第2電気抵抗板によって重ね合わされて、前記
    第1電気抵抗板の前記入力端が、前記第2電気抵抗板の前記出力端によって重ね
    合わされ、前記第1電気抵抗板の前記出力端が、前記第2電気抵抗板の前記入力
    端によって重ね合わされ、および前記第1電気抵抗板の前記外周は、前記第2電
    気抵抗板の前記外周によって重ね合わされる第2電気抵抗板; 前記第2電気抵抗板の上にあり、これに接する第3金属終端、および前記第2
    電気抵抗板の前記出力端の上にあり、これと接する第4金属終端;および 前記第2および第3金属終端を電気的に相互接続するめっきバイアであって、
    前記第1金属終端から始まり、前記第1電気抵抗板から前記第2金属終端へとた
    どり、前記めっきバイアを通って、前記第3金属終端へと続き、ついで、前記第
    2電気抵抗板から前記第4金属終端へとたどる抵抗器経路を確定し、前記第1金
    属終端は、前記2層薄膜金属抵抗器の入力端であり、前記第4金属終端は、前記
    2層薄膜金属抵抗器の出力端であるめっきバイア; によって構成されることを特徴とするプリント配線板。
  6. 【請求項6】 前記第1および第2電気抵抗板は、NiP膜であることを特
    徴とする請求項5記載のプリント配線板。
  7. 【請求項7】 前記第1および第2電気抵抗板は、前記誘電層の前記厚みよ
    り約5倍大きい線幅を有することを特徴とする請求項5記載のプリント配線板。
  8. 【請求項8】 プリント配線板を製造する方法であって: 基板上に第1電気抵抗膜を形成し、前記電気抵抗膜は入力端と出力端とを有す
    る段階; 前記第1電気抵抗膜の上に載置される誘電層を形成する段階; 前記誘電層の上に第2電気抵抗膜を形成し、前記第2電気抵抗膜は入力端と出
    力端とを有し、前記第1電気抵抗膜は、前記第2電気抵抗膜によって重ね合わさ
    れて、前記第1電気抵抗膜の前記入力端は、前記第2電気抵抗膜の前記出力端に
    よって重ね合わされ、前記第1電気抵抗膜の前記出力端は、前記第2電気抵抗膜
    の前記入力端によって重ね合わされる段階;および 前記第1電気抵抗膜の前記出力端と、前記第2電気抵抗膜の前記入力端とを電
    気的に相互接続し、前記第1電気抵抗膜の前記入力端から始まり、前記第1電気
    抵抗膜からその前記出力端へとたどり、前記相互接続手段を通って、前記第2電
    気抵抗膜の前記入力端へと続き、ついで、前記第2電気抵抗膜からその前記出力
    端へとたどる抵抗器経路を確定する段階; によって構成されることを特徴とする方法。
  9. 【請求項9】 前記誘電層は: 前記第1電気抵抗膜の上に、ポジ型感光性光誘電材料を堆積する段階; 前記第2電気抵抗膜を形成する段階の後、前記第2電気抵抗膜の上にマスクを
    堆積し、前記マスクは、前記第2電気抵抗膜の一部分を露出するように確定され
    る段階; 前記マスクによって露出される前記第2電気抵抗膜の前記部分を除去して、前
    記ポジ型感光性光誘電材料の一部分を露光する段階;および 前記ポジ型感光性光誘電材料を現像して、前記ポジ型感光性光誘電材料の前記
    部分を除去する段階; によって構成されることを特徴とする請求項8記載の方法。
  10. 【請求項10】 2層薄膜金属抵抗器を有するプリント配線板を製造する方
    法であって: 第1電気抵抗膜と第1導電層とを基板の上に形成して、前記第1導電層が、前
    記第1電気抵抗膜の上に載置される段階; 前記第1導電層をエッチングして、前記第1電気抵抗膜の上で、第1金属終端
    と第2金属終端を確定する段階; 前記第1電気抵抗膜、および前記第1と第2金属終端の上に、ポジ型感光性光
    誘電材料を堆積する段階; 第2電気抵抗膜および第2導電層を、前記ポジ型感光性光誘電材料の上に形成
    して、前記第2導電層が、前記第2電気抵抗膜の上に載置される段階; 前記第2導電層をエッチングして、前記第2電気抵抗膜の第1部分を露出させ
    て、前記第2電気抵抗膜の第2部分をマスクするマスクを確定する段階; 前記マスクを用いて、前記第2電気抵抗膜をエッチングして、前記第2電気抵
    抗膜の前記第1部分を除去して、前記ポジ型感光性光誘電材料の第1部分を露出
    させ、前記第2電気抵抗膜の前記第2部分が、前記マスクと、前記ポジ型感光性
    光誘電材料の第2部分との間に残る段階; 前記マスクを用いて、前記ポジ型感光性光誘電材料を露光させ、現像して、前
    記ポジ型感光性光誘電材料の前記第1部分を除去して、前記第1と第2金属終端
    、および前記第1電気抵抗膜の第1部分を露出し、前記ポジ型感光性光誘電材料
    の前記第2部分が、前記マスクと、前記第1電気抵抗膜の第2部分との間に残っ
    て、誘電層を確定する段階; 前記マスクを用いて、前記第1電気抵抗膜をエッチングして、前記第1電気抵
    抗膜の前記第1部分を除去し、前記第1電気抵抗膜の前記第2部分が、前記マス
    クと、前記基板との間に残る段階; 前記マスクをエッチングして、前記第2導電層の上で、第3と第4金属終端と
    を確定する段階;および めっきバイアを形成して、前記第2金属終端と第3金属終端とを電気的に相互
    接続して、これによって、前記第1金属終端から始まり、前記第1電気抵抗膜か
    ら前記第2金属終端へとたどり、前記相互接続手段を通って、前記第3金属終端
    へと続き、ついで前記第2電気抵抗膜から前記第4金属終端へとたどる抵抗器経
    路を確定する段階; によって構成されることを特徴とする方法。
  11. 【請求項11】 前記第1および第2電気抵抗膜は、NiP膜であることを
    特徴とする請求項10記載の方法。
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