JP2002535841A - 半導体ポリマー電解効果トランジスタ - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 28
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- -1 for example Substances 0.000 abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 5
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical group N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical group C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005547 polycyclic aromatic hydrocarbon Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical group C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Chemical group 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- 101001099381 Homo sapiens Peroxisomal biogenesis factor 19 Proteins 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100038883 Peroxisomal biogenesis factor 19 Human genes 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N acenaphthene Chemical compound C1=CC(CC2)=C3C2=CC=CC3=C1 CWRYPZZKDGJXCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005129 aryl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N benzopyrazine Chemical group N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical group C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Chemical group 0.000 description 1
- JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N biphenylacetylene Chemical compound C1=CC=CC=C1C#CC1=CC=CC=C1 JRXXLCKWQFKACW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical group N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001506 inorganic fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001791 phenazinyl group Chemical group C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C12)* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical group C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical group N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 150000003513 tertiary aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004655 tetrazenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 125000005389 trialkylsiloxy group Chemical group 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/114—Poly-phenylenevinylene; Derivatives thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
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- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/151—Copolymers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
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- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/472—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only inorganic materials
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
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- Thin Film Transistor (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
電解効果トランジスタは５つの素子から形成される。第一の素子は絶縁体層であり、これは電気絶縁体、例えばシリカであり、第一の側面と第二の側面を有する。第二の素子はゲートであり、これは電気導体、例えば銀であり、絶縁体層の第一の側面に隣接して配置されている。第三の素子は半導体層であり、これはポリマーを含み、このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt％は9-置換フルオレン単位及び9,9-置換フルオレン単位より選ばれ、この半導体層は第一の側面、第二の側面、第一の末端及び第二の末端を有し、この第二の側面は絶縁層の第二の側面に隣接している。第四の素子はソースであり、これは電気導体、例えば銀であり、半導体層の第一の末端と電気的に接触している。第五の素子はドレーンであり、これは電気導体、例えば銀であり、半導体層の第二の末端と電気的に接触している。ゲートに加えられる負電圧バイアスは半導体層にソースからドレーンへの導電チャンネルを形成する。ゲートに加えられる正バイアスは半導体層に導電チャンネルを形成する。
Description
【０００１】 本願は、1999年１月15日出願の米国仮出願番号60/116,112号の利益を請求する
。
。
【０００２】 本発明は、トランジスタの分野に関する。詳細には、本発明は、半導体ポリマ
ーをベースとするトランジスタの分野に関する。 トランジスタは重要な電子デバイスである。金属酸化物半導体電解効果トラン
ジスタ(MOS FET)はよく知られている。
ーをベースとするトランジスタの分野に関する。 トランジスタは重要な電子デバイスである。金属酸化物半導体電解効果トラン
ジスタ(MOS FET)はよく知られている。
【０００３】 電解効果トランジスタは５つの素子を含む。第一の素子は絶縁体層であり、こ
れは電気絶縁体であり、第一の側面と第二の側面を有する。第二の素子はゲート
であり、これは電気導体であり、絶縁体層の第一の側面に隣接して配置されてい
る。第三の素子は半導体層であり、これはポリマーを含み、このポリマーのモノ
マー単位の少なくとも10wt％は9-置換フルオレン単位及び9,9-置換フルオレン単
位より選ばれ、この半導体層は第一の側面、第二の側面、第一の末端及び第二の
末端を有し、この第二の側面は絶縁層の第二の側面に隣接している。第四の素子
はソースであり、これは電気導体であり、半導体層の第一の末端と電気的に接触
している。第五の素子はドレーンであり、これは電気導体であり、半導体層の第
二の末端と電気的に接触している。ゲートに加えられる負電圧バイアスは半導体
層にドレーンにソースをつなげる正孔導電チャンネルを形成する。ゲートに加え
られる正バイアスは半導体層に導電チャンネルを形成する。
れは電気絶縁体であり、第一の側面と第二の側面を有する。第二の素子はゲート
であり、これは電気導体であり、絶縁体層の第一の側面に隣接して配置されてい
る。第三の素子は半導体層であり、これはポリマーを含み、このポリマーのモノ
マー単位の少なくとも10wt％は9-置換フルオレン単位及び9,9-置換フルオレン単
位より選ばれ、この半導体層は第一の側面、第二の側面、第一の末端及び第二の
末端を有し、この第二の側面は絶縁層の第二の側面に隣接している。第四の素子
はソースであり、これは電気導体であり、半導体層の第一の末端と電気的に接触
している。第五の素子はドレーンであり、これは電気導体であり、半導体層の第
二の末端と電気的に接触している。ゲートに加えられる負電圧バイアスは半導体
層にドレーンにソースをつなげる正孔導電チャンネルを形成する。ゲートに加え
られる正バイアスは半導体層に導電チャンネルを形成する。
【０００４】 本発明は、「金属絶縁半導体電解効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）」に関す
る。このＭＩＳＦＥＴは絶縁体層に隣接した半導体層を含む。２つの電極（ソー
ス及びドレーン）は半導体層に接続しており、第三の電極（ゲート）は絶縁体層
の他の側面に隣接している。半導体層はポリマーを含む。このポリマーのモノマ
ー単位の少なくとも10wt％は9-置換フルオレン単位及び9,9-置換フルオレン単位
より選ばれる。ｐタイプ電解効果トランジスタにおいて、ゲート電極に負ＤＣ電
圧を加えると、半導体層の絶縁体側面付近に「ホール」が蓄積し、導電チャンネ
ルが形成し、ソースとドレーンの間のホールトランスポートによって電流が流れ
、ＭＩＳＦＥＴは「オン」状態になる。ゲート電圧を零にすると、蓄積ゾーンに
おいてホールが減少し、電流が停止し、ＭＩＳＦＥＴは「オフ」状態になる。Ｍ
ＩＳＦＥＴがオンとオフになる速度は「ホール」がソースからドレーンに移動す
る速度、すなわち「ホール」の移動性によってきまる。一方、ｎタイプ電解効果
トランジスタにおいて、正バイアスをゲートに加えると、半導体層に導電性チャ
ンネルが形成する。
る。このＭＩＳＦＥＴは絶縁体層に隣接した半導体層を含む。２つの電極（ソー
ス及びドレーン）は半導体層に接続しており、第三の電極（ゲート）は絶縁体層
の他の側面に隣接している。半導体層はポリマーを含む。このポリマーのモノマ
ー単位の少なくとも10wt％は9-置換フルオレン単位及び9,9-置換フルオレン単位
より選ばれる。ｐタイプ電解効果トランジスタにおいて、ゲート電極に負ＤＣ電
圧を加えると、半導体層の絶縁体側面付近に「ホール」が蓄積し、導電チャンネ
ルが形成し、ソースとドレーンの間のホールトランスポートによって電流が流れ
、ＭＩＳＦＥＴは「オン」状態になる。ゲート電圧を零にすると、蓄積ゾーンに
おいてホールが減少し、電流が停止し、ＭＩＳＦＥＴは「オフ」状態になる。Ｍ
ＩＳＦＥＴがオンとオフになる速度は「ホール」がソースからドレーンに移動す
る速度、すなわち「ホール」の移動性によってきまる。一方、ｎタイプ電解効果
トランジスタにおいて、正バイアスをゲートに加えると、半導体層に導電性チャ
ンネルが形成する。
【０００５】 図１を参照し、本発明の装置１０の側断面図が示されている。この装置１０は
絶縁体層１１を含み、この絶縁体層１１は電気絶縁体であり、第一の側面１２と
第二の側面１３を有している。この装置１０はゲート１４を含み、このゲート１
４は電気導体であり、絶縁体層１１の第一の側面１２に隣接し、好ましくは接触
して配置されている。この装置１０は半導体層１５を含み、この半導体層１５は
ポリマーを含み、このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt％は9-置換フル
オレン単位及び9,9-置換フルオレン単位より選ばれ、この半導体層１５は第一の
側面１６、第二の側面１７、第一の末端１８及び第二の末端１９を有し、第二の
側面１７は絶縁体層の第二の側面１３と隣接しており、好ましくは接触している
。この装置１０はソース２０を含み、このソース２０は電気導体であり、半導体
層１５の第一の末端１８と電気的に接触している。この装置１０はドレーン２１
を含み、このドレーン２１は電気導体であり、半導体層１５の第二の末端１９と
電気的に接触している。この装置１０への電気接続は電気リード線２２、２３及
び２４によりゲート１４、ソース２０及びドレーン２１にそれぞれ行われている
。この装置１０は構造的ベースとなる所望の基材２５を含んでいる。
絶縁体層１１を含み、この絶縁体層１１は電気絶縁体であり、第一の側面１２と
第二の側面１３を有している。この装置１０はゲート１４を含み、このゲート１
４は電気導体であり、絶縁体層１１の第一の側面１２に隣接し、好ましくは接触
して配置されている。この装置１０は半導体層１５を含み、この半導体層１５は
ポリマーを含み、このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt％は9-置換フル
オレン単位及び9,9-置換フルオレン単位より選ばれ、この半導体層１５は第一の
側面１６、第二の側面１７、第一の末端１８及び第二の末端１９を有し、第二の
側面１７は絶縁体層の第二の側面１３と隣接しており、好ましくは接触している
。この装置１０はソース２０を含み、このソース２０は電気導体であり、半導体
層１５の第一の末端１８と電気的に接触している。この装置１０はドレーン２１
を含み、このドレーン２１は電気導体であり、半導体層１５の第二の末端１９と
電気的に接触している。この装置１０への電気接続は電気リード線２２、２３及
び２４によりゲート１４、ソース２０及びドレーン２１にそれぞれ行われている
。この装置１０は構造的ベースとなる所望の基材２５を含んでいる。
【０００６】 図１を参照し、装置１０は以下の工程により製造される。まず、ゲート１４を
基材２５上に形成する。基材２５はシリコンウェハー、ガラス、又はプラスチッ
クを含む様々な材料より選ばれる。ゲート１４はあらゆる導電性材料（通常は金
属、例えば銀、金もしくはアルミニウムであるが、導電性非金属、例えばインジ
ウム錫オキシドもしくは十分ドーピングされたシリコンであってもよい）より形
成される。ゲート１４は、ドーピングされたシリコンに対するイオン移植、金属
に対する真空中の加熱蒸発もしくはスパッタリング（好ましくは適当なマスクを
通す）を含む標準的な方法によって形成される。又は、アルミニウムディスクの
ような十分に厚い導電性材料からゲート１４を形成することによって基材２５を
排除してもよい。
基材２５上に形成する。基材２５はシリコンウェハー、ガラス、又はプラスチッ
クを含む様々な材料より選ばれる。ゲート１４はあらゆる導電性材料（通常は金
属、例えば銀、金もしくはアルミニウムであるが、導電性非金属、例えばインジ
ウム錫オキシドもしくは十分ドーピングされたシリコンであってもよい）より形
成される。ゲート１４は、ドーピングされたシリコンに対するイオン移植、金属
に対する真空中の加熱蒸発もしくはスパッタリング（好ましくは適当なマスクを
通す）を含む標準的な方法によって形成される。又は、アルミニウムディスクの
ような十分に厚い導電性材料からゲート１４を形成することによって基材２５を
排除してもよい。
【０００７】 次いで絶縁体層１１がゲート１４上に形成される。絶縁体層１１用の材料は誘
電率が少なくとも３であることが好ましく、ポリマー（例えばポリイミド、ポリ
（メチルメタクリレート）、ポリスルフェン等）、無機酸化物（例えばＧｅＯ、
ＣａＯ、ＳｉＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ、ＳｎＯ2）、無機フッ化物（例えば
ＣｓＦ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、ＬｉＦ）、及び無機窒化物（例えばＳｉ3Ｎ4）であ
ってよい。絶縁体層１１の厚さは、装置１０の電圧範囲内でゲート１４と半導体
層１５の間に電気的絶縁を保つ限りできるだけ薄いことが最も好ましい。
電率が少なくとも３であることが好ましく、ポリマー（例えばポリイミド、ポリ
（メチルメタクリレート）、ポリスルフェン等）、無機酸化物（例えばＧｅＯ、
ＣａＯ、ＳｉＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ、ＳｎＯ2）、無機フッ化物（例えば
ＣｓＦ、ＣａＦ2、ＭｇＦ2、ＬｉＦ）、及び無機窒化物（例えばＳｉ3Ｎ4）であ
ってよい。絶縁体層１１の厚さは、装置１０の電圧範囲内でゲート１４と半導体
層１５の間に電気的絶縁を保つ限りできるだけ薄いことが最も好ましい。
【０００８】 半導体層１５は、例えば標準溶液法により絶縁層上に形成する。半導体層１５
はポリマーを含む。このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt％（好ましく
は少なくとも20wt％、より好ましくは少なくとも30wt％）は9-置換フルオレン単
位及び9,9-置換フルオレン単位より選ばれる。
はポリマーを含む。このポリマーのモノマー単位の少なくとも10wt％（好ましく
は少なくとも20wt％、より好ましくは少なくとも30wt％）は9-置換フルオレン単
位及び9,9-置換フルオレン単位より選ばれる。
【０００９】 そのようなポリマーの例は、米国特許第5,708,130号、米国特許第5,777,070号
、1997年５月21日出願の米国特許出願番号08/861,469、米国特許出願第5,962,63
1号、及びWO99/54385に記載されている。
、1997年５月21日出願の米国特許出願番号08/861,469、米国特許出願第5,962,63
1号、及びWO99/54385に記載されている。
【００１０】 このポリマーは好ましくは、下式の基
【化１】 （上式中、Ｒ1は独立に、Ｃ1-20ヒドロカルビル又は１以上のＳ、Ｎ、Ｏ、Ｐも
しくはＳｉ原子を含むＣ1-20ヒドロカルビル、Ｃ4-16ヒドロカルビルカルボニル
オキシ、Ｃ4-16アリール（トリアルキルシロキシ）であるか、又は２つのＲ1は
フルオレン環の９−炭素と共にＣ5-20環構造又はＳ、ＮもしくはＯのヘテロ原子
を１以上含むＣ4-20環構造を形成してもよく、 Ｒ2は独立に、Ｃ1-20ヒドロカルビル、Ｃ1-20ヒドロカルビルオキシ、Ｃ1-20
チオエーテル、Ｃ1-20ヒドロカルビルカルボニルオキシ又はシアノであり、 Ａは独立に、０又は１である）、及び／又は下式の基
しくはＳｉ原子を含むＣ1-20ヒドロカルビル、Ｃ4-16ヒドロカルビルカルボニル
オキシ、Ｃ4-16アリール（トリアルキルシロキシ）であるか、又は２つのＲ1は
フルオレン環の９−炭素と共にＣ5-20環構造又はＳ、ＮもしくはＯのヘテロ原子
を１以上含むＣ4-20環構造を形成してもよく、 Ｒ2は独立に、Ｃ1-20ヒドロカルビル、Ｃ1-20ヒドロカルビルオキシ、Ｃ1-20
チオエーテル、Ｃ1-20ヒドロカルビルカルボニルオキシ又はシアノであり、 Ａは独立に、０又は１である）、及び／又は下式の基
【化２】 （上式中、Ｒ2及びａは上記の規定と同じであり、Ｒ3は独立に、Ｃ1-20ヒドロカ
ルビル、又はジ（Ｃ1-20アルキル）アミノ、Ｃ1-20ヒドロカルビルオキシもしく
はＣ1-20ヒドロカルビルで置換したＣ1-20ヒドロカルビル、又はトリ（Ｃ1-10ア
ルキル）シロキシである） を有する。
ルビル、又はジ（Ｃ1-20アルキル）アミノ、Ｃ1-20ヒドロカルビルオキシもしく
はＣ1-20ヒドロカルビルで置換したＣ1-20ヒドロカルビル、又はトリ（Ｃ1-10ア
ルキル）シロキシである） を有する。
【００１１】 用いることのできるコモノマー基は以下のものを含む。
【化３】 （上式中、Ｒ3は独立に、カルボキシル、Ｃ1-20アルキル、Ｃ1-20アルコキシ、
又は式−ＣＯ2Ｒ4(Ｒ4はＣ1-20アルキルである）の基であり、 ｂは独立に、０〜３の整数である）
又は式−ＣＯ2Ｒ4(Ｒ4はＣ1-20アルキルである）の基であり、 ｂは独立に、０〜３の整数である）
【００１２】 そのようなコポリマーの例は、以下のものを含む。
【化４】
【化５】
【００１３】 他のコモノマー基は、スチルベン、トラン、Ｃ6-20単核／多核芳香族炭化水素
、及びＣ2-10単核／多核複素環を含む。単核／多核芳香族炭化水素の例は、ベン
ゼン、ナフタレン、アセナフテン、フェナントレン、アントラセン、フルオラン
テン、ピレン、ルブレン、及びクリセンを含む。単核／多核複素環の例は、５員
複素環、例えばフラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾー
ル、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、チアジア
ゾール、及びピラゾール、６員複素環、例えばピリジン、ピリダジン、ピリミジ
ン、ピラジン、トリアジン、及びテトラゼン、ベンゾ縮合環、例えばベンズオキ
サゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリ
ン、フタラジン、ベンゾチアジアゾール、及びベンゾトリアゾール、並びに多核
縮合環、例えばフェナジン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、及
びジフェニレンオキシドを含む。通常、炭素数が30個以下の縮合化合物が本発明
において有用である。これらは所望により、ポリマー組成物のホトルミネセンス
特性に悪影響を与えない１以上の置換基で置換していてもよい。置換基の例は、
Ｃ1-20ヒドロカルビル基、Ｃ1-20（チオ）アルコキシ基、Ｃ1-20（チオ）アリー
ルオキシ基、シアノ、フルオロ、クロロ、Ｃ1-20アルコキシカルボニル、Ｃ1-20 アリールオキシカルボニル、Ｃ1-20カルボニル、及びアルキル（アリール）スル
ホニル基を含む。アリールカルボニルやニトロのような公知のホトルミネセンス
除去剤である置換基は望ましくない。以下の構造(1)〜(8)で示されるような、よ
り複雑な構造の縮合モノマー単位も用いることができる。
、及びＣ2-10単核／多核複素環を含む。単核／多核芳香族炭化水素の例は、ベン
ゼン、ナフタレン、アセナフテン、フェナントレン、アントラセン、フルオラン
テン、ピレン、ルブレン、及びクリセンを含む。単核／多核複素環の例は、５員
複素環、例えばフラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾー
ル、チアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、チアジア
ゾール、及びピラゾール、６員複素環、例えばピリジン、ピリダジン、ピリミジ
ン、ピラジン、トリアジン、及びテトラゼン、ベンゾ縮合環、例えばベンズオキ
サゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリ
ン、フタラジン、ベンゾチアジアゾール、及びベンゾトリアゾール、並びに多核
縮合環、例えばフェナジン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、及
びジフェニレンオキシドを含む。通常、炭素数が30個以下の縮合化合物が本発明
において有用である。これらは所望により、ポリマー組成物のホトルミネセンス
特性に悪影響を与えない１以上の置換基で置換していてもよい。置換基の例は、
Ｃ1-20ヒドロカルビル基、Ｃ1-20（チオ）アルコキシ基、Ｃ1-20（チオ）アリー
ルオキシ基、シアノ、フルオロ、クロロ、Ｃ1-20アルコキシカルボニル、Ｃ1-20 アリールオキシカルボニル、Ｃ1-20カルボニル、及びアルキル（アリール）スル
ホニル基を含む。アリールカルボニルやニトロのような公知のホトルミネセンス
除去剤である置換基は望ましくない。以下の構造(1)〜(8)で示されるような、よ
り複雑な構造の縮合モノマー単位も用いることができる。
【００１４】
【化６】
【００１５】 好ましいフルオレン含有ポリマーは、Van der Auweraerら、Advanced Materia
ls, Vol.6, p.199, 1994に記載されているようなタイムオブフライト(time-of-f
light)実験のような標準法により測定される、キャリヤ移動性の高いものである
。より好ましいものは、Redeckerら、Applied Physics Letters, Vol.73, p.156
5, 1998に記載のポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル）のような、非分
散性キャリヤ移動挙動を有するフルオレン含有ポリマーである。また、上記の'4
69及び'187米国特許出願に記載されているような、３級芳香族アミンを含むフル
オレンコポリマーも好ましい。これらのポリマーは少なくとも１×104cm2/volt-
secondのキャリヤ移動性を有する。
ls, Vol.6, p.199, 1994に記載されているようなタイムオブフライト(time-of-f
light)実験のような標準法により測定される、キャリヤ移動性の高いものである
。より好ましいものは、Redeckerら、Applied Physics Letters, Vol.73, p.156
5, 1998に記載のポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル）のような、非分
散性キャリヤ移動挙動を有するフルオレン含有ポリマーである。また、上記の'4
69及び'187米国特許出願に記載されているような、３級芳香族アミンを含むフル
オレンコポリマーも好ましい。これらのポリマーは少なくとも１×104cm2/volt-
secondのキャリヤ移動性を有する。
【００１６】 半導体層１５はポリマーの混合物を含んでいてもよい。半導体層１５のポリマ
ーは均質であってもよく又は相分離していてもよく、非晶質であっても、結晶質
であっても、又は液晶であってもよい。このポリマーは、GrellらのAdvanced Ma
terials, Vol.9, p.798, 1997に記載のような、キャリヤ移動性の高い液晶状態
に配列していてもよい。半導体層１５の厚さは問題ではないが、例えば１〜1000
nm、好ましくは10〜500nm、最も好ましくは20〜100nmである。
ーは均質であってもよく又は相分離していてもよく、非晶質であっても、結晶質
であっても、又は液晶であってもよい。このポリマーは、GrellらのAdvanced Ma
terials, Vol.9, p.798, 1997に記載のような、キャリヤ移動性の高い液晶状態
に配列していてもよい。半導体層１５の厚さは問題ではないが、例えば１〜1000
nm、好ましくは10〜500nm、最も好ましくは20〜100nmである。
【００１７】 次いでソース２０及びドレーン２１を、例えば真空中での熱蒸発又はスパッタ
リングによりマスクを通して設ける。ソース２０及びドレーン２１の好ましい材
料は金、銀、又はアルミニウムである。ゲートに負バイアスを加えると、絶縁体
１１との界面もしくはその付近において半導体層１５中に導電チャンネルが形成
する。ドレーン２１がソース２０に対して陰性である場合、ソース２０からドレ
ーン２１に電流が流れる。本発明のＭＩＳＦＥＴは高いオンオフ比及び電解効果
を特徴とする。
リングによりマスクを通して設ける。ソース２０及びドレーン２１の好ましい材
料は金、銀、又はアルミニウムである。ゲートに負バイアスを加えると、絶縁体
１１との界面もしくはその付近において半導体層１５中に導電チャンネルが形成
する。ドレーン２１がソース２０に対して陰性である場合、ソース２０からドレ
ーン２１に電流が流れる。本発明のＭＩＳＦＥＴは高いオンオフ比及び電解効果
を特徴とする。
【図１】 本発明の実施態様の側断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J032 CA12 CB01 CB04 CC01 CG01 5F110 AA05 CC07 DD01 DD02 DD05 EE02 EE03 EE07 EE08 EE41 EE43 EE44 FF01 FF02 FF03 FF05 GG05 GG06 GG07 HK02 HK03 HK32 HK33
Claims (5)
- 【請求項１】 (a)絶縁体層、この絶縁層は電気絶縁体であり、第一の側面
と第二の側面を有している、 (b)ゲート、このゲートは電気導体であり、絶縁体層の第一の側面に隣接して
配置されている、 (c)半導体層、この半導体層はポリマーを含み、このポリマーのモノマー単位
の少なくとも10wt％は9-置換フルオレノ単位及び9,9-置換フルオレノ単位より選
ばれ、この半導体層は第一の側面、第二の側面、第一の末端及び第二の末端を有
し、この半導体層の第二の側面は絶縁体層の第二の側面と隣接している、 (d)ソース、このソースは電気導体であり、半導体層の第一の末端と電気的に
接触している、 (e)ドレーン、このドレーンは電気導体であり、半導体の第二の末端と電気的
に接触している、 を含む電解効果トランジスタ。 - 【請求項２】 前記半導体層がポリマーから本質的になり、このポリマーの
モノマー単位の少なくとも10wt％は9-置換フルオレノ単位及び9,9-置換フルオレ
ノ単位より選ばれる、請求項１記載のトランジスタ。 - 【請求項３】 前記ポリマーのモノマー単位の少なくとも20wt％が9-置換フ
ルオレノ単位及び9,9-置換フルオレノ単位より選ばれる、請求項１又は２記載の
トランジスタ。 - 【請求項４】 前記ポリマーのモノマー単位の少なくとも30wt％が9-置換フ
ルオレノ単位及び9,9-置換フルオレノ単位より選ばれる、請求項１又は２記載の
トランジスタ。 - 【請求項５】 前記半導体層が絶縁体層と直接接触しており、前記ゲートが
絶縁体層と直接接触している、請求項１，２，３又は４記載のトランジスタ。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11611299P | 1999-01-15 | 1999-01-15 | |
| US60/116,112 | 1999-01-15 | ||
| PCT/US1999/030612 WO2000042668A1 (en) | 1999-01-15 | 1999-12-22 | Semiconducting polymer field effect transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002535841A true JP2002535841A (ja) | 2002-10-22 |
| JP4743968B2 JP4743968B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=22365298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000594166A Expired - Lifetime JP4743968B2 (ja) | 1999-01-15 | 1999-12-22 | 半導体ポリマー電界効果トランジスタ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6204515B1 (ja) |
| EP (1) | EP1151484A1 (ja) |
| JP (1) | JP4743968B2 (ja) |
| KR (1) | KR100766288B1 (ja) |
| CN (1) | CN1167146C (ja) |
| CA (1) | CA2355869C (ja) |
| TW (1) | TW463398B (ja) |
| WO (1) | WO2000042668A1 (ja) |
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- 1999-12-22 KR KR1020017008839A patent/KR100766288B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-22 JP JP2000594166A patent/JP4743968B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-22 US US09/470,367 patent/US6204515B1/en not_active Expired - Lifetime
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| WO2000042668A1 (en) | 2000-07-20 |
| TW463398B (en) | 2001-11-11 |
| EP1151484A1 (en) | 2001-11-07 |
| CA2355869A1 (en) | 2000-07-20 |
| JP4743968B2 (ja) | 2011-08-10 |
| CN1333926A (zh) | 2002-01-30 |
| CA2355869C (en) | 2009-12-08 |
| KR20010089825A (ko) | 2001-10-08 |
| CN1167146C (zh) | 2004-09-15 |
| US6204515B1 (en) | 2001-03-20 |
| KR100766288B1 (ko) | 2007-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050811 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101227 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110510 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4743968 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |