JP2002520883A - 低抵抗磁気トンネル接合 - Google Patents

低抵抗磁気トンネル接合

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JP2002520883A
JP2002520883A JP2000560619A JP2000560619A JP2002520883A JP 2002520883 A JP2002520883 A JP 2002520883A JP 2000560619 A JP2000560619 A JP 2000560619A JP 2000560619 A JP2000560619 A JP 2000560619A JP 2002520883 A JP2002520883 A JP 2002520883A
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Abstract

(57)【要約】 本発明によれば、低抵抗障壁層を有する低抵抗磁性トンネル接合およびその製造法法が提供される。表面（１２）を有する第１磁性材料層（１１）が用意され、アルミニウムのような連続的な材料層（１５）が第１磁性層の表面上に形成される。連続的な材料層を処理して、低抵抗オキシナイトライド障壁材料層を形成する。第２磁性層（１８）はオキシナイトライド障壁材料層上に形成され、低抵抗磁性トンネル接合を完成させる。

Description

【発明の詳細な説明】
（発明の属する技術分野） 本発明は一般にメモリ・セル用の磁気トンネル接合を形成する方法に関し、特
に、低抵抗性の障壁層を有する磁気トンネル接合を製造する方法に関する。
【０００１】 （発明の背景） 磁気ランダムアクセス・メモリ(MRAM)は不揮発性メモリであり、これは一般に
磁気抵抗(MR)材料、センス・ラインおよびワード・ラインを含む。MRAMは、磁性ベ
クトルを利用してメモリ状態を格納する。あるしきい値を越える磁場がＭＲ材料
に印加されると、ＭＲ材料中の１つまたは総ての層における磁性ベクトルは、あ
る方向から反対方向に極めて迅速に切り替えられる。ＭＲ材料中の磁性ベクトル
の方向に依存して各状態が格納され、例えば、一方の方向を論理「０」と定義し
、他の方向を論理「１」と定義することが可能である。印加される磁場がなけれ
ば、ＭＲ材料はこれらの状態を維持する。センス・ラインを利用してセルを介す
る検出電流を流すことにより、ＭＲ材料に格納された状態を読み出すことが可能
である。これは、2状態の磁気抵抗間に差異があるためである。
【０００２】 磁気トンネル接合(MJT: Magnetic tunneling junction)構造またはセルは、少
なくとも1対の磁性層を有し、これらの間には非磁性および非導電性トンネル層
（これらは一般に障壁層と呼ばれる。）が挟まれている。1対の磁性層間に検出
電圧が印加されると、磁性層間に挟まれた非磁性および非導電性トンネル層をト
ンネリングすることにより、電気的キャリアがその1対の磁性層間を通過する。
検出電流に対する抵抗が最大になるのは、1対の磁性層の磁気ベクトルが反平行
になるときであり、最少になるのは1対の磁性層の磁気ベクトルが平行になると
きである。最大および最少抵抗間の相違は、一般に磁気抵抗比(MR ratio)と呼ば
れている。
【０００３】 ＭＴＪセルの最少抵抗（一般に面積抵抗(areal resistance)と呼ばれる）は、
ＭＴＪセルの構造および材料により決定される。理想的なＭＴＪセルでは、この
面積抵抗は極めて低い又はゼロであり、最大抵抗は極めて高い又は無限大であり
、理想的なスイッチと同様である。従来技術にあっては、ＭＴＪセルの抵抗を減
少させるために使用されている主な方法は、障壁層をより薄く形成することであ
る。今日の電子装置においてメモリ・セル配列が有益であるために充分小さく構
成されるならば、磁気メモリ・セルの高密度配列において個々のセルの大きさが
非常に小さくなる（サブミクロン）ことにより、セル抵抗に関する問題は更に悪
化する。すなわち、障壁層を「より薄く」形成するには、極めて薄い、または数
オングストローム厚さの範囲内でそれらを形成しなければならなくなる。
【０００４】 障壁層を極めて薄い大きさに減少させる試みは未だ達成されておらず、これは
極めて薄い層が通常は連続的(continuous)でなく、すなわちピン・ホール(pin ho
le)状のものを含んでしまうためである。例えば、面積抵抗を減少させる従来の
試みの１つは、ＭＴＪの低位の磁性層上に純粋なアルミニウムを堆積し、酸素プ
ラズマにてそのアルミニウム層を酸化させるものである。このプロセスに伴う問
題は、アルミニウム層が堆積されるにつれて、ピンホールが形成され、層が薄く
なると顕著になることである。アルミニウムが酸化されると、ピンホールのいく
つかが残存し、そのアルミニウム酸化物上に第２磁性層が堆積されるとＭＴＪに
おける短絡(short)を形成してしまう。このピンホール問題に対処するため、従
来技術による1つの手法は、低温（例えば液体窒素の温度）でアルミニウム層を
堆積し、これにより粒子(grain)の大きさを小さくするものである。この手法に
関する問題は、広範囲にわたる加熱および冷却サイクルを含み、長い時間ひいて
は多くのコストを要し、従って製造工程で使用することが可能な方法ではない。
【０００５】 より薄い層を形成する試みに伴う他の問題は、その薄い層を再生可能に(repro
ducibly)製造することが困難であることであり、熱的安定性および電気的降伏に
関する問題を含む。
【０００６】 したがって、抵抗の小さい障壁層を有する磁気ランダム・アクセス・メモリ用の
磁性トンネル接合を提供することが強く望まれている。
【０００７】 本発明は、新規で改良された抵抗の小さいＭＴＪセルおよびその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】 本発明は、新規で改良された、高品質の障壁またはトンネル層を有するＭＴＪ
セルおよびその製造方法を提供することを更なる目的とする。
【０００９】 本発明は、新規で改良された、高い磁性抵抗比を有するＭＴＪセルを提供する
ことを更なる目的とする。
【００１０】 本発明は、製造工程で容易に使用することが可能な、新規で改良されたＭＴＪ
セルの製造方法を提供することを更なる目的とする。
【００１１】 （発明の概要） 上述した問題点およびその他の課題は、低抵抗障壁層を有する低抵抗磁性トン
ネル接合およびその製造方法を使用することにより解決または少なくとも改善さ
れる。この新規な手法によれば、表面を有する第１磁性層が提供され、アルミニ
ウムなどの連続的な材料層が第１磁性層の表面上に形成される。この連続的な材
料層に対して、低抵抗かつ非導電性のオキシナイトライド障壁材料層を形成する
ための処理が施され、第２磁性層がオキシナイトライド障壁材料層上に形成され
、低抵抗磁性トンネル接合を完成させる。
【００１２】 （実施例） 各図において同様な参照番号は同様な要素を示すものとする。図１は支持基板
１０を含む構造を図示し、その基板上には磁性層１１が形成されている。支持基
板１０は説明の便宜上単一層として描かれているが、様々な用途に合わせた付加
的な層を設けることも可能であり、その層には例えば、バッファ層、絶縁または
導電層その他の支持基板１０上に設けることが可能な層を含む。磁性層１１は上
部表面１２を有し、これはその上に更なる層を堆積することが可能な程度に滑ら
かである。磁性層１１は各種材料中の1つ、または複数材料層から形成され、こ
れ自体については周知であるので詳細を省略する。
【００１３】 本願における磁性セルまたはセルは、説明の便宜上部分的に描かれているが、
これらの図面は、セルまたはセルの配列の一部を表現するものであり、各セルは
長方形、円形、正方形、ひし形（ダイヤモンド形）、楕円形等の所望の形状をな
すことが可能である。当該技術分野で知られているように、長方形のセルは、セ
ルの長さ方向に実質的に沿った方向に磁性ベクトルを有し、その磁性ベクトルは
物理的異方性によりその長さに平行に維持される。これを実現するため、セルの
幅は、磁性領域壁の幅または磁性層内の遷移幅より小さく形成される。一般に、
１．０ないし１．２ミクロンより小さい幅であればそのような制約を課すことが
可能になる。一般に、高密度を実現するには、その幅は1ミクロンより小さく、
その幅は製造技術により製造可能なものと同程度に小さく、長さはその幅より長
いものである。また、磁性層の厚さは、例えば層１１は、約３ないし１０ナノメ
ートルであるが、他の実施例にあっては各自正装に対して異なる値を採用するこ
とも可能である。厚さの相違は、切り替え点(switching point)に影響を及ぼし
、この切り替え点はセルの読み出しおよび書き込みのための構造で使用される。
【００１４】 例えば円形、正方形、ひし形（ダイヤモンド形）、楕円形のセルのように、単
独の磁性層のアスペクト比（幅に対する長さ）が１に近づくと、形状の異方性に
起因する切り替え場(switching field)は最少になる。たとえば円形セルの場合
、好適な磁性方向は、一軸結晶場異方性(uniazial crystal field anisotoropy)
（または磁性結晶異方性）により決定される。この好適な磁性方向は、バイアス
・フィールドによる薄膜堆積中に設定される。または、上昇温度（例えば２００
℃から３００℃）における強磁場中（例えば、数kOe）での堆積後その薄膜をア
ニールすることにより設定される。正方形またはひし形の場合は、例えば、一軸
結晶異方性はその正方形の対角線方向に沿って設定される。楕円形セルの場合は
、一軸結晶異方性は、セルの長軸に沿って設定される。要するに、狭いセル幅に
おいて必要とされる切り替え場を発生させることに寄与する形状効果を小さくし
、結晶場異方性を利用してメモリ・セルで必要とされる好適な磁化方向を設定す
る。
【００１５】 図２を参照すると、連続的な材料層１５が磁性層１１の表面１２上に形成され
ている。本願において、「連続的な(continuous)」とは、磁性層１１とほぼ同程
度の広がりを有し、ピンホール状のものを含まないことを意味する。層１５は、
アルミニウムのような純粋な材料または元素から構成されることが可能であり、
ＭＴＪにおける障壁層用に非導電性の低抵抗性材料を形成するために容易に酸化
および窒化することが可能である。好適実施例にあっては、層１５は、容易に酸
化および窒化することが可能な支配材料または元素(dominant material or elem
ent)と、この支配材料の原子とは異なる原子を有する１以上の他の微量材料(tra
ce)とを含む。一般に支配元素の量は９０％以上であり、連続的な層を形成する
ように、この支配材料単独による粒状物よりも小さい粒状物を層１５内に形成す
るに過ぎない程度に充分な量を含む。好適実施例にあっては、支配元素はアルミ
ニウムであり、微量材料は、Cu, Si, Ta, Ti等のいずれか又はこれらの組み合わ
せとすることが可能である。
【００１６】 ある特定の手法にあっては、支配金属および微量金属または材料が同時に堆積
され、混合物を形成し、より小さな粒状物を形成するようにして連続的な層を形
成する。第２の手法にあっては、種材料(seed material)が適切な手法により磁
性層１１の表面１２上に堆積される。この種材料は連続的な層であってもなくて
も良い。その後種材料を利用して支配材料が形成され、種材料が存在することに
より、支配材料が実質的により薄い連続的な層になることが促進される。好適実
施例にあっては、種材料は、１以上のCu, Si, Ta, Ti等を含み、支配材料はアル
ミニウムを含む。
【００１７】 上記の手法のいずれにあっても、層１５は、ピンホール状のものがない連続的
なものであり、約０．３nmないし３nmの範囲内の厚さを有し、好適には約１．５
nmである。例えば、良質の障壁層を形成するための連続アルミニウム層１５の最
少厚さは、約１．５nmであり、減少したＭＲ比を与える、より薄い連続アルミニ
ウム層となる。しかしながら、アルミニウム以外の支配材料が使用される場合に
あっては、ＭＲ比を小さくせずに達成可能な最も薄い連続層は先に述べたものと
異なるものとすることが可能である。アルミニウム内に微量材料を加えることは
、トンネリング・エネルギ障壁をも低減させることが可能であり、このためＭＪ
Ｔの抵抗をより低くすることが可能になる。また、層１５は、以下に説明するよ
うにより低い抵抗を有するオキシ・ナイトライド(oxynitride)に変換されるので
、従来の酸化物に要求されていた薄さと同程度に形成する必要がない一方、従来
の酸化物と同等以上の結果物を生成することが可能である。
【００１８】 連続的な層１５が純粋材料の形式でまたは支配材料および微量材料の形式で適
切に形成されると、図３に図示されているように処理された非導電性材料の障壁
層またはトンネル層１６を形成するための処理工程が行われる。好適実施例にあ
っては、この処理は、酸素および窒素の混合物からプラズマを生成すること、お
よびプラズマ酸化と同様な手法によりオキシ・ナイトライドに対する連続層１５
を被覆することを含む。オキシナイトライドを形成するために使用した材料に依
存して、酸素および窒素の混合プラズマを変化させ、最適な結果物を得るように
することが可能である。例えば、使用された材料がアルミニウムである場合、純
粋なまたは混合された微量材料とともに、プラズマ処理によりAlOxNyが生じ、こ
こで、ｘおよびｙはアルミニウム・オキシナイトライドにおける酸化物および窒
化物の成分である。一般に連続層１５はその完全性を維持しつつ非常に薄く作成
することが可能であり、このため非常にエネルギ障壁が高く非常に薄い障壁層又
はトンネル層１６が得られ、その結果面積抵抗を実質的に減少させることが可能
になる。層１５が連続的であるということは、障壁又はトンネル層１６の品質な
いし信頼性を実質的に改善することも意味する。さらに、オキシナイトライド障
壁層１６に対して層１５を被覆することにより、ＭＴＪはより小さな抵抗を有す
ることになる。
【００１９】 図４を参照すると、磁性層１８が障壁又はトンネル層１６上に堆積され、電気
接続、保護被覆（図示せず）を行い、完全なセル２０および/またはセル・アレイ
が提供される。一般に、磁性層１８の厚さは、約３ないし１０ナノメートルであ
るが、他の実施例にあってはこれと異なる数値をとることも可能である。上述し
たように、磁性層の厚さの相違は、切り替え点に影響を及ぼし、これはセルの読
み出しおよび書き込み機能用の構造において利用される。障壁層１６は磁性層１
１および１８の双方に隣接するように説明および図示がなされてきたが、他の用
途にあっては、障壁層１６と磁性層１１，１８のうちの一方又は双方との間に付
加的な材料層（例えば、薄い導電層）を包含することも可能である。セル２０内
にこのような付加的な層を包含する場合にあっては、下位の層（すなわち、基板
１０，磁性層１１および存在する任意の付加的な層）は、一般に支持基板として
の意義を有し、磁性層１８および存在する任意の付加的な層は被覆構造としての
意義を有する。
【００２０】 具体例として、層１１が約１００オングストローム厚さのコバルト(Co)より成
り（一般に１０オングストロームないし２００オングストロームの範囲内にある
）、層１６が約２５オングストローム厚さのアルミニウム・オキシナイトライド(
AlOxNy)より成り（一般に１０オングストロームないし１００オングストローム
の範囲内にある）、および磁性層１８が約１００オングストローム厚さのニッケ
ル鉄(NiFe)より成るものが挙げられる（一般に１０オングストロームないし２０
０オングストロームの範囲内にある）。抵抗値に対する抵抗変化（(デルタR)/R
）は、一般に１０％ないし３０％の範囲内にある。したがって、磁性セル２０の
状態は、磁性層１１から磁性層１８（又はその逆）へ検出電流を流すことによっ
て比較的容易に検出することが可能である。セル２０における抵抗変化は、セル
２０に対する電圧降下の変化として容易に読み取ることが可能であり、メモリ・
アレイ等の用途において使用するのに適している。
【００２１】 以上により、新規で改良された抵抗の小さいＭＴＪセルの製造方法が開示され
た。この新規で改良された方法は、高品質の障壁またはトンネル層を有し、高い
磁性抵抗比を有するＭＴＪセルを提供する。この新規で改良された方法は連続的
な材料層を提供し、これを処理して、ＭＴＪセル内における障壁又はトンネル層
を形成するための低抵抗オキシナイトライド層を生成する。低抵抗オキシナイト
ライド層を生成するための処理は、製造工程中に容易に組み込むことが可能であ
る。
【００２２】 以上本発明を特定の実施例に関連して説明してきたが、当業者であれば更なる
修正や改良をすることも可能であろう。本発明は上述した特定の実施例に限定さ
れず、本発明の精神から逸脱することなく様々な改良や変形を行うことが可能で
あろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による構造を製造するための各段階の１つに関する概略断
面図を示す。
【図２】 本発明による構造を製造するための各段階の１つに関する概略断
面図を示す。
【図３】 本発明による構造を製造するための各段階の１つに関する概略断
面図を示す。
【図４】 本発明による構造を製造するための各段階の１つに関する概略断
面図を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 レニュー・ウィグ アメリカ合衆国アリゾナ州チャンドラー、 ウエスト・メガン・ストリート6069 Ｆターム(参考） 5E049 AC05 BA30 DB12

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 低抵抗障壁層を有する磁気トンネル接合を作成する方法であ
    って： 第１磁性材料層（１１）を含む支持基板（１０，１１）を設けるする段階； 前記支持基板上に連続的な材料層（１５）を前記第１磁性層に平行に形成する
    段階； 前記連続的な材料層に処理を施してオキシナイトライド材料の障壁層（１６）
    を生成する段階；および オキシナイトライド材料の前記障壁層上に第２磁性材料層（１８）を含む被覆
    構造を形成する段階であって、前記障壁層および前記第１磁性層に対する磁性ト
    ンネル接合を形成するように、前記第２磁性層が前記第１磁性層と平行に設けら
    れるところの段階； より成ることを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記材料がアルミニウムであり、前記連続的な材料層に処理
    を施す段階が、酸素および窒素のプラズマを生成し、アルミニウムの前記連続的
    な材料層を該プラズマにさらし、アルミニウム・オキシナイトライド層を生成す
    る段階より成ることを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記連続的な材料層を形成する段階が、アルミニウムと原子
    とは異なる原子を有する微量材料を有する連続的なアルミニウムを形成する段階
    より成ることを特徴とする請求項１記載の方法。
  4. 【請求項４】 微量材料を有する前記連続的な材料層を形成する段階が、Cu
    , Si, Ta またはTiのうちの１つの微量材料を有する連続的なアルミニウム層を
    形成する段階より成ることを特徴とする請求項３記載の方法。
  5. 【請求項５】 磁性トンネル接合を形成する方法であって： 第１磁性材料層（１１）を含む支持基板（１０，１１）を提供する段階； 前記支持基板上に連続的なアルミニウム合金層を前記第１磁性層と平行に１nm
    ないし３nmの範囲内の厚さで形成する段階であって、前記アルミニウム合金層は
    、９０％以上のアルミニウム原子と、そのアルミニウム原子とは異なる原子を有
    する微量材料とを含み、アルミニウムによる粒状物とは異なる粒状物を生成する
    ところの段階； 酸素および窒素のプラズマを生成し、前記連続的なアルミニウム合金層を前記
    プラズマにさらし、アルミニウム・オキシナイトライド層（１６）を生成する段
    階；および 前記アルミニウム・オキシナイトライド層上に第２磁性層を含む被覆構造を形
    成し、アルミニウム・オキシナイトライド層および第１磁性層に対する磁性トン
    ネル接合を形成する段階； より成ることを特徴とする方法。
  6. 【請求項６】 微量材料を有する連続的な金属層を形成する段階が、Cu, Si
    , TaまたはTiのうちの１つの微量材料を有する連続的なアルミニウム層を形成す
    る段階より成ることを特徴とする請求項５記載の方法。
  7. 【請求項７】 磁性トンネル接合であって： 第１磁性材料（１１）を含む支持基板（１０，１１）； 前記支持基板上に設けられ前記第１磁性層に平行な連続的なオキシナイトライ
    ド金属層（１５）；および 前記オキシナイトライド層および前記第１磁性層に対する磁性トンネル接合を
    形成するように、前記連続的な層上に形成され第２磁性層（１８）を含む被覆構
    造； を備えることを特徴とする磁性トンネル接合。
  8. 【請求項８】 前記連続的な層が、原子を有する支配材料と、この支配材料
    の原子とは異なる原子を有する微量材料とを含むことを特徴とする請求項７記載
    の方法。
  9. 【請求項９】 前記連続的な層が、アルミニウム原子と、このアルミニウム
    原子とは異なる原子を有する微量材料を有することを特徴とする請求項７記載の
    方法。
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US09/119,537 US6183859B1 (en) 1998-07-20 1998-07-20 Low resistance MTJ
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3891540B2 (ja) * 1999-10-25 2007-03-14 キヤノン株式会社 磁気抵抗効果メモリ、磁気抵抗効果メモリに記録される情報の記録再生方法、およびｍｒａｍ
US6535365B1 (en) * 2000-02-17 2003-03-18 The Regents Of The University Of Michigan Magnetic tunneling structure having ferromagnetic layers of different crystallographic structure
US6727105B1 (en) * 2000-02-28 2004-04-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of fabricating an MRAM device including spin dependent tunneling junction memory cells
US6440230B1 (en) 2000-03-03 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Nitride layer forming method
US6400600B1 (en) * 2000-09-30 2002-06-04 Hewlett-Packard Company Method of repairing defective tunnel junctions
US6730395B2 (en) 2000-12-18 2004-05-04 Seagate Technology Llc Magnetic tunnel junction using nanoparticle monolayers and applications therefor
KR100390977B1 (ko) * 2000-12-28 2003-07-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 제조방법
US6771473B2 (en) * 2001-01-22 2004-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Magnetoresistive element and method for producing the same
US6347049B1 (en) 2001-07-25 2002-02-12 International Business Machines Corporation Low resistance magnetic tunnel junction device with bilayer or multilayer tunnel barrier
US6548849B1 (en) 2002-01-31 2003-04-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Magnetic yoke structures in MRAM devices to reduce programming power consumption and a method to make the same
US6747301B1 (en) 2002-02-06 2004-06-08 Western Digital (Fremont), Inc. Spin dependent tunneling barriers formed with a magnetic alloy
US7149062B2 (en) * 2002-02-26 2006-12-12 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Spin valve structure with Si seed layer and reduced PtMn antiferromagnetic layer thickness
US6903396B2 (en) * 2002-04-12 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Control of MTJ tunnel area
US6756128B2 (en) * 2002-11-07 2004-06-29 International Business Machines Corporation Low-resistance high-magnetoresistance magnetic tunnel junction device with improved tunnel barrier
US7183893B2 (en) * 2004-02-04 2007-02-27 Seagate Technology Llc TMR sensor with oxidized alloy barrier layer and method for forming the same
US7579042B2 (en) 2004-07-29 2009-08-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Methods for the fabrication of thermally stable magnetic tunnel junctions
US7450352B2 (en) * 2005-06-28 2008-11-11 Wisconsin Alumni Research Foundation Fabrication of magnetic tunnel junctions with epitaxial and textured ferromagnetic layers
US8100228B2 (en) * 2007-10-12 2012-01-24 D B Industries, Inc. Portable anchorage assembly
US7804709B2 (en) * 2008-07-18 2010-09-28 Seagate Technology Llc Diode assisted switching spin-transfer torque memory unit
US8054677B2 (en) 2008-08-07 2011-11-08 Seagate Technology Llc Magnetic memory with strain-assisted exchange coupling switch
US8223532B2 (en) * 2008-08-07 2012-07-17 Seagate Technology Llc Magnetic field assisted STRAM cells
US7746687B2 (en) 2008-09-30 2010-06-29 Seagate Technology, Llc Thermally assisted multi-bit MRAM
US8487390B2 (en) * 2008-10-08 2013-07-16 Seagate Technology Llc Memory cell with stress-induced anisotropy
US8217478B2 (en) 2008-10-10 2012-07-10 Seagate Technology Llc Magnetic stack with oxide to reduce switching current
US20100091564A1 (en) * 2008-10-10 2010-04-15 Seagate Technology Llc Magnetic stack having reduced switching current
US8053255B2 (en) * 2009-03-03 2011-11-08 Seagate Technology Llc STRAM with compensation element and method of making the same
US20130162995A1 (en) * 2011-12-27 2013-06-27 Intermolecular, Inc. Layer Thickness Measurement
US20150333254A1 (en) * 2014-05-15 2015-11-19 Headway Technologies, Inc. Reduction of Barrier Resistance X Area (RA) Product and Protection of Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA) for Magnetic Device Applications
KR102465539B1 (ko) 2015-09-18 2022-11-11 삼성전자주식회사 자기 터널 접합 구조체를 포함하는 반도체 소자 및 그의 형성 방법
US10648069B2 (en) 2018-10-16 2020-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Monolayer-by-monolayer growth of MgO layers using Mg sublimation and oxidation

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5567523A (en) * 1994-10-19 1996-10-22 Kobe Steel Research Laboratories, Usa, Applied Electronics Center Magnetic recording medium comprising a carbon substrate, a silicon or aluminum nitride sub layer, and a barium hexaferrite magnetic layer
US5835314A (en) * 1996-04-17 1998-11-10 Massachusetts Institute Of Technology Tunnel junction device for storage and switching of signals
US5856008A (en) * 1997-06-05 1999-01-05 Lucent Technologies Inc. Article comprising magnetoresistive material
US6005753A (en) * 1998-05-29 1999-12-21 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with longitudinal and transverse bias
US6023395A (en) * 1998-05-29 2000-02-08 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction magnetoresistive sensor with in-stack biasing

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