JP2002519866A - 集積電子マイクロモジュール及びその製造方法 - Google Patents

集積電子マイクロモジュール及びその製造方法

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JP2002519866A
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chip
coil
insulating layer
micromodule
wafer
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JP2000557500A
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コワルスキー ジャセック
セラ ディディエ
ベルトリオ フレデリック
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インサイド テクノロジーズ
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    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

(57)【要約】 本発明は、支持ウエハ（２）、集積回路チップ（１）、及びコイル（３１）を形成する少なくとも一つの平坦な巻線を有する電子マイクロモジュール（３０）に関連する。本発明は、上記チップは、少なくとも一つの絶縁材料の少なくとも一つの層に埋め込まれ、上記コイルは、該絶縁層上に配置されることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、支持ウエハ及び集積回路チップ、並びにアンテナコイルを形成する
少なくとも一つの平坦な巻線からなる電子マイクロモジュールに関するものであ
る。
【０００２】 近年、非接触集積回路は、アンテナコイルを通じて動作するよう開発されてき
ており、データ送信及び／または、受信基地によって送信されるデータを、磁界
の存在下での誘導結合によって受信または送信する手段を含んでいる。
【０００３】 そのような集積回路、または受動トランスポンダは、スマートカードや、電子
タグ、並びに電子トークン等の様々な非接触電子式携帯可能オブジェクトを製造
するのに用いることが可能である。
【０００４】 本発明は、そのような携帯可能なオブジェクトの製造に関し、特にそのような
オブジェクトの電子部分の製造に関するものである。
【０００５】 非接触携帯可能オブジェクトの電子部分を製造する為に最も頻繁に使用される
方法は、コイルやシリコンチップがその上に配置される支持ウエハを使用するも
のである。次に、該コイルは、該チップに接続され、該ユニットは、保護樹脂に
覆われる。一般に、該支持ウエハは、プリント回路基板である。該コイルは、接
着された銅線またはエッチングされた銅ストリップである。該コイル及びチップ
は、超音波ボンディング金属ワイヤによって接続される。該アセンブリは、携帯
可能オブジェクト（プラスティックカード、トークン、ランド、キー等）の本体
に挿入される、または、その表面に固定されるように設計された電子マイクロモ
ジュールを形成する。
【０００６】 この方法の不都合な点は、いくつかのステップで処理されるマイクロモジュー
ル素子を含んでおり、組み立て、ワイヤリング、制御等のステップを必要とし、
その結果、マイクロモジュールの原価を増大させ、出力速度を制限することであ
る。
【０００７】 さらに、この方法によると、非常に薄いマイクロモジュールを製造することは
、不可能である。一般に、上記プリント回路基板は、ほぼ１５０マイクロメータ
厚であり、上記シリコンチップは、裏面が化学的にまたは機械的に摩擦されると
、ほぼ１５０マイクロメータ厚となり、配線ケーブルによって形成された上記ル
ープの高さは、約１２０マイクロメータである。最後に、配線を覆っている樹脂
の厚さは、２０から５０マイクロメータの間である。全体で、旧来のマイクロモ
ジュールの厚さは、約４００から５００マイクロメータである。これに比較し、
プラスティックカードの厚さは、ほぼ７６０マイクロメータである。従って、こ
のタイプのマイクロモジュールを有する非接触スマートカードの多くは、平坦で
はない。
【０００８】 また、たとえば、米国特許第４８５７８９３号に述べられている方法のように
、いくつかの方法が公知であり、これによって、複数の集積回路からなる一つの
シリコンウエハ上に複数のコイルを集合的に製造することが可能である。該シリ
コンウエハを切削した後、非常に薄い集積マイクロモジュールが得られる。チッ
プとコイルのハンドリング、組み立て、及び接続の段階の処理は、このようにし
て、省かれる。
【０００９】 しかしながら、シリコンチップによって提供される表面積は、２〜３平方ミリ
メータであり、高インダクタンスコイルを製造するには不十分である。それゆえ
、集積コイルを装着される集積回路は、いわゆる“近接”アプリケーション、そ
こでは、電磁誘導伝達距離は、短く、約1ミリメートルである、のために留保さ
れる。
【００１０】 さらに、たとえば、集積回路が配置されている領域を取り囲むコイルのように
、シリコンウエハ上により大きな規模のコイルを製造することも考えられる。し
かしながら、この解決方法は、一つのシリコンウエハ上に同時に製造され得る集
積回路の数が減じ、原価を増大させてしまう点で不都合である。半導体産業にお
いて、シリコンチップの原価は、製造されるチップの数で等分されるシリコウエ
ハの製造コストによって決定される。従って、たとえば、２mm2の表面積の集積
回路からなるシリコンウエハ上での６mm2コイルの製造は、各集積回路の原価を
３倍に増加させる。
【００１１】 最後に、一つのシリコンウエハ中に集積電子回路及びコイルを組み入れる方法
は、コイルと集積回路を組み立て、配線する必要性の除去による労力の増大にも
関わらず有益なことはないように思われる。
【００１２】 いくつかの技術的な方法、特にシリコンウエハ上のポリイミド/二酸化シリコ
ン/銅の多層方法、がすでに公知であることによって、集積コイルを同時に低コ
ストで製造することが可能である。一旦分離されると、該コイルは、集積回路チ
ップに組み立てられ、接続され得る小さなチップの形状となる。それにも関わら
ず、同時に各々２つの小さな素子を組み立て、接続するという処理をする必要が
あるために同様の労力の問題が生じる。
【００１３】 本発明の目的は、集積回路の原価を増加させることなく、及び個々の構成要素
を２つずつ組み立てる必要性なしに、集積コイル及び集積回路を有する薄いマイ
クロモジュールを同時に製造するための方法を提供することである。
【００１４】 本発明の他の目的は、コンタクトパッドを介する従来の動作モード及びアンテ
ナコイルを介する非接触動作モードの２つの動作モードを有する、小さなサイズ
で製造しやすい、ハイブリッドマイクロモジュールを提供することである。
【００１５】 これらの目的は、各々が、支持ウエハ、電気コネクタ領域を有する集積回路チ
ップ、及び少なくとも一つのコイルから成る複数の電子マイクロモジュールの集
合的な製造方法、つまり、支持ウエハ上に複数の集積回路を組みたて、支持ウエ
ハの表面上に全てのチップを覆う電気絶縁層を堆積させ、チップのコネクタ領域
に対向する絶縁層内にいくつかの孔を作り、支持ウエハ上にコイルを形成する複
数の平坦な巻線を同時に製造し、対応するチップに各コイルを接続し、支持ウエ
ハを切り込んでマイクロモジュールを分離する、ことを伴う方法によって達成さ
れる。
【００１６】 コイルは、好都合にも、絶縁層に作られた孔に導電性材料を堆積させることに
よってチップに接続される。
【００１７】 孔に堆積された導電性材料は、好都合にも、コイルを形成する導電性材料であ
る。
【００１８】 ある実施の形態によると、コイルは、絶縁層によって分離されたいくつかの導
電層上に製造される。
【００１９】 ある実施の形態によると、支持ウエハは、シリコンから成る。絶縁層の堆積は
、ポリイミド層を堆積させるステップ及び二酸化シリコン層を堆積させるステッ
プから成る。コイルは、銅の電着によって製造される。
【００２０】 ある実施の形態によると、支持ウエハを切削する前に、保護材料が支持ウエハ
全体上に堆積される。
【００２１】 本発明は、また、支持ウエハ、集積回路チップ、及びコイルを形成する少なく
とも一つの平坦な巻線から成る電子マイクロモジュールにも関連し、該チップは
、少なくとも一つの絶縁材料の少なくとも一つの層から成る少なくとも一つの電
気絶縁層内に埋め込まれ、該コイルは、該絶縁層上に配置される。
【００２２】 ある実施の形態によると、コイルは、絶縁層を貫通する金属被膜孔を通りチッ
プに接続され、チップの電気コネクタ領域に達する。
【００２３】 ある実施の形態によると、チップは、少なくとも２つの絶縁層により覆われ、
該２つの絶縁層の一つは、コイルを形成する巻線のための支持体であり、他の絶
縁層は、チップのコネクタ領域にコイルの一端を連結する為の導体の支持体であ
る。
【００２４】 ある実施の形態によると、チップは、少なくとも２つの絶縁層により覆われ、
コイルは、各々の絶縁層にそれぞれ配置された少なくとも２つの平坦な巻線から
成る。
【００２５】 本発明は、また、前面にコンタクトパッドを有する支持ウエハから成るハイブ
リッドマイクロモジュールにも関連し、該支持ウエハは、本発明によるマイクロ
モジュールを裏面に有し、該マイクロモジュールは、接触または非接触の２つの
動作モードを有する集積回路チップ、及び該チップをコンタクトパッドに接続す
るための孔を有する絶縁層から成る。
【００２６】 本発明のこれらの目的、特徴及び利点並びに他の特色は、以下の本発明による
製造方法及び本発明によるマイクロモジュールの様々な製造例、の以下の説明に
おいて、添付の図面と関連して、より詳細に示される。
【００２７】 概して、本発明の概念は、集積回路チップが前もって配置されている支持体上
にコイルを同時に製造することである。該支持体は、集積回路を製造するために
使用されるシリコンウエハとは異なっており、その方法は、それの原価を増加さ
せることはない。該コイルは、低コストの技術によって製造されている。従って
、支持体を切削後、集積マイクロモジュールは、低原価で製造される。
【００２８】 本発明による方法の最初のステップは、図1及び図２に示されるように、なる
べく堅い支持ウエハ２上に複数のシリコンチップ１を配置することである。該チ
ップは、たとえば、接着剤で接着するような、あらゆる一般的な手段によって支
持ウエハ２上に固定され、所定の距離Ｄをおいて互いに配置される。このステッ
プは、チップが正確に配置されるように自動化されていることが好ましい。その
ために、パターン３が支持ウエハ２上に使用され得る。
【００２９】 上記シリコンチップ１は、コイルに接続されるように金属被膜パッド４からな
る非接触式集積回路である。該チップは、一般的な、化学的な、または、機械的
な摩耗方法によって切削されたシリコンウエハから構成される。チップ厚は、支
持ウエハ２の堅さにより、プリント回路基板上に取り付けられたチップ厚より薄
く、約５０から１５０マイクロメータであろう。
【００３０】 本発明によると、支持ウエハ２上に、チップ１とともに薄い集積マイクロモジ
ュールを形成する複数の集積コイルが製造されるであろう。
【００３１】 本発明による方法の実施例が、集積コイルを製造するために従来技術において
使用される、シリコン基板上のポリイミド/二酸化シリコン/銅の技術を用いて以
下に示される。従って、ここにおいて、支持ウエハ２は、約６７５マイクロメー
タの標準厚のブランクシリコンウエハであり、製造方法の最終ステップにて細く
される。
【００３２】 図３Ａないし３Ｃは、本発明による方法の様々なステップを示す支持ウエハ２
の部分断面図である。様々な素子の厚さは、図が識別できるように寸法通りに再
現されていない。
【００３３】 図３Ａに示される段階において、支持ウエハ２は、ポリイミド層５によって覆
われる。従来の方法においては、該ポリイミドは、液体の状態で堆積され、遠心
によってウエハ２上に広げられ、乾式オーブンにおいて重合される。ポリイミド
の粘性によって、いくつかの、堆積、遠心、重合のステップが、シリコンチップ
１を完全に覆う層５を得る為に必要とされるであろう。
【００３４】 このステップは、例えば、機械的な摩耗による、該ポリイミド層５の表面を滑
らかにする従来のステップ（平坦化）に続く。摩耗は、シリコンチップ１上のポ
リイミド層５の厚さが、例えば、約１０マイクロメータのように、非常に薄くな
るまで続けられることが好まれる。
【００３５】 図３Ｂに示される、以下のステップは、平坦化された領域５上の約５から１０
マイクロメータの厚さの二酸化シリコン６の精妙な層を堆積することを伴ってい
る。該二酸化物は、一般的な方法によって、例えば、ＣＶＤ技術（化学気相堆積
法）を使用する気相段階中において、堆積される。
【００３６】 簡素化のため、ポリイミド５及び二酸化シリコン６の層が、チップ１が埋め込
まれる単一の絶縁層７を形成することが考えられる。実際、該ポリイミドは、厚
い絶縁層を短時間において製造されるようにし、該二酸化物は、以下で述べられ
るステップにおいて堆積される銅の層の支持体として使用されるので、これら２
つの材料の堆積配置は、ここで使用される方法の顕著な特徴である。
【００３７】 図３Ｃに示されるステップにおいて、絶縁層７は、孔８をシリコンチップ１の
金属性パッドと対向させるように貫通する。最初に乾燥させて発達させる、光電
感度性エッチングレジストを使用して絶縁層７を化学的にエッチングすることに
よって孔８が製造されることが好ましい。このエッチング段階の特有の方法は、
あるエッチングレジストを挿入して、ポリイミドに対して有害でない第一のエッ
チング溶剤を使用して二酸化層６をエッチングすることにある。次に、エッチン
グされた二酸化層は、二酸化物に対して有害でない第２のエッチング溶剤を使用
して、ポリイミド層５をエッチングするためのエッチングレジストとして使用さ
れる。
【００３８】 図３Ｄに示される段階において、ほぼ２０から５０マイクロメータ厚の銅層９
は、たとえば、電気めっきすることによって、絶縁層７上に堆積される。銅層９
は、孔８に広がり、チップ１のコネクタ領域４に固着する。次に、該銅層９は、
エッチングされ、コイル１０の形状の平らな巻線が、各巻線がシリコンチップ１
に接続された状態で現れる。
【００３９】 図４は、埋め込まれたチップ１とともに集積マイクロモジュール２０を形成す
る、本発明の方法によって製造されたコイル１０の一例を示す。ここにおいて、
コイル１０は、その内側の巻き及び外側の巻きの両端がチップ１のコネクタ領域
４と合致するように、かなりのオフセット位置でチップ１に重なる。
【００４０】 図５は、シリコンウエハ２の表面の全体図である。それは、複数のマイクロモ
ジュール２０が、同時に製造されていることを示す。分離したマイクロモジュー
ルに切り込まれる前に、ウエハ２は、保護樹脂層で覆われることが好ましく、次
に、約１００マイクロメータの厚さが得られるまで裏面の摩耗によって薄くされ
る。最終的に、本発明によるマイクロモジュールは、ほぼ２００から３００マイ
クロメータ厚である。
【００４１】 このようにして、本発明の方法で、従来技術で製造されるものと大きさの点で
匹敵する集積マイクロモジュールを集積回路を有するシリコンウエハ上で製造す
ることが可能である。しかしながら、コイルによって占められる表面積は、考案
されたアプリケーションによって選択されるが、独立したシリコンウエハ上に、
ここにおいて製造される集積回路の原価に影響を及ぼすことはない。コイルの製
造方法は、集積回路の製造方法より非常に安価であるので、本発明によるマイク
ロモジュールの原価は、コイルによって占められる表面積によって容認できない
方法で増加することはない。実際、本発明によるマイクロモジュールの製造は、
実施の際、（選択された実施の形態によって）２から５のエッチングレジストを
必要とするだけであるが、集積回路の製造は、通常約２０のエッチングレジスト
を必要とする。さらに、コイルを製造する為に必要とされる精度は、約１から２
マイクロメータに過ぎないが、集積回路は、現在は、1マイクロメータより少な
い精度で製造される。
【００４２】 さらに、本発明による方法は、絶縁層によっていくつかの銅層に分離される場
合には、いくつかの導電層を有する可能性があるために、マイクロモジュールの
設計の点で多大な可能性をもたらす。概して、いくつかの導電層は、コイル巻線
数を減らす為に使用され得る。妥協は、支持ウエハの平面内における巻線数の拡
張といくつかの導電層の巻線数の拡張の間でなされる。
【００４３】 より詳細に述べる為に、図５、６、７、８、及び９は、本発明によるマイクロ
モジュールの他の２つの製造例を示す。
【００４４】 図６及び７に示されるマイクロモジュール３０は、図４に示されるマイクロモ
ジュールのコイルより大きいコイル３１を有し、ここにおいて、該コイル３１は
、シリコンチップ１を取り囲んでいる。該コイル３１の外側の巻きは、第２の絶
縁層３４上に配置されるコイル３１とともに、最初の絶縁層３３上に配置される
銅の導体３２によってシリコンチップの金属被膜パッド４の一つに接続される。
該導体３２は、層３４に作られた孔３５を通りコイル３１に接続され、層３３に
作られた孔３６を通り金属被膜パッド４に接続される。最後に、該コイル３１の
内部の巻きは、絶縁層３３及び３４に作られた２つの重畳された孔３７及び３８
を通り他の金属被膜パッド４に接続される。ある実施の形態は、各々の絶縁層上
のコイル３１及び導体３２の相対的な位置を逆にする。
【００４５】 図８及び９に示されるマイクロモジュール４０は、２つの絶縁層４１、４２及
び重畳されて直列に接続されている２つの平らな巻線４４及び４５を含むコイル
４３を有する。図８に点線にて示される、第一の巻線４４は、絶縁層４１上に配
置される。その両端の一方は、第一の絶縁層４１に作られた孔４６を通り、チッ
プ１の金属被膜パッド４に接続される。巻線４４の他端は、第二の絶縁層４２に
作られた孔４７を通り第二の巻線４５の一端に接続される。最後に、巻線４５の
他端は、２つの絶縁層４１、４２に作られた、２つの重畳された孔４８及び４９
を通り、チップ１の他の金属被膜パッド４に接続される。
【００４６】 図１０Ａ及び１０Ｂは、それぞれ、２つの動作モードを有するスマートカード
用のハイブリッドマイクロモジュール６０の裏面６０−１及び表面６０−２を示
す。マイクロモジュール６０は、例えば、エポキシウエハのような、薄い支持ウ
エハ６１から成る。絶縁層５３に埋め込まれたシリコンチップ５２を取り囲んで
いる支持ウエハ２及びコイル５１からなる、図６または８に関連して述べられる
タイプの発明によるマイクロモジュール５０は、ウエハ６１の裏面６０−１に固
着される。２つの第一の絶縁層５３上に製造されるコイル５１は、該絶縁層５３
の第三の絶縁層及び／または保護樹脂によって覆われる。該シリコンチップ５２
は、例えば、ＷＯ９７／４９０５９に述べられているような公知のタイプの２つ
の動作モードを有する集積回路である。該チップ５２は、非接触動作用の、コイ
ル５１に接続される２つの金属被膜パッド４、及び、接触動作モード用の金属被
膜パッド５４を有する。パッド５４は、絶縁層５３及び必要であれば保護樹脂、
に作られた自由空気に通じる孔５５を介しアクセス可能である。パッド５４は、
アルミニウムまたは金から成るリード６２及び支持ウエハ６１中に作られた孔６
３によって、ハイブリッドモジュールの表面６０−２に配置されたＩＳＯ７８１
６式のコンタクトパッドＣ１ないしＣ６に電気接続される（図１０Ｂ）。表面６
０−２において、マイクロモジュール６０は、前述の標準によって規定されてい
る他の２つのパッドＣ７ないしＣ８を有するが一般には使用されない。
【００４７】 このようにして、集積回路５２は、コンタクトパッドＣ１ないしＣ６を通り、
または、電磁誘導によって活性化され得る。裏面６０−１上のマイクロモジュー
ル５０によって占められる部分は、図１０Ｂ中の点線によって示される。パッド
Ｃ１ないしＣ８は、コイル５１中の磁界の循環のスクリーンを形成しないように
、表面６０−２上の対応する部分を覆っていないことに気づくであろう。それ故
、本発明によるハイブリッドマイクロモジュール６０は、良好な磁気透磁率を提
供し、パッドＣ１ないしＣ８は、伝達距離を相当減じることはない。
【００４８】 当然、上記ハイブリッドモジュールは、たとえば、コイルが集積回路に重なっ
ている、図４に示されるマイクロモジュールのような、本発明によるいかなるタ
イプのマイクロモジュールをも容認する。
【００４９】 実施においては、本発明によるマイクロモジュールの上側導電層がその上にあ
る絶縁層は、製造工程数を制限するために単一の酸化層であってもよく、または
、酸化物層及びポリイミド/酸化物層が交互になっている層であってもよい。
【００５０】 概して、本発明による方法は、上記で述べられた技術的な方法に限定されず、
シリコンチップが絶縁層に埋め込まれることを可能にするあらゆる技術、及びコ
イルが絶縁層に配置され得るか、または組み込まれ得るようにする技術と共に使
用されることが可能である。
【００５１】 注意点として、図１１は、データ送信及び/または受信基地ＲＤと電磁誘導に
よって通信する、非接触集積回路ＩＣの構造例の模式図である。該回路ＩＣ及び
基地ＲＤは、アンテナコイル、Ｌｐ及びＬｓがそれぞれ備えられている。回路Ｉ
Ｃは、入力キャパシタンスＣｐ、マイクロプロセッサまたはハードワイヤードロ
ジックを有する中央処理装置ＵＣ、メモリＭＥＭ、ダイオードブリッジＰｄ、復
調復号化器回路ＤＤ、及びモジュレータ符号化器回路ＭＣを有する。コイルＬｐ
を有する入力キャパシタンスＣｐは、固有振動数Ｆｐの共振回路ＬｐＣｐを形成
する。復調器ＤＤ、モジュレータＭＣ、及びダイオードブリッジＰｄは、アンテ
ナ回路ＬｐＣｐと並列接続されている。
【００５２】 基地ＲｄからコイルＬｓによって放出される、交互の磁界の存在において、誘
導電圧Ｖｐが、アンテナ回路ＬｐＣｐの端子において現れる。該電圧Ｖｐは、ブ
リッジＰｄによって調節され、直接供給電圧Ｖｃｃを回路ＩＣに供給する。基地
ＲＤへのデジタルデータの送信の為に、中央処理装置ＵＣは、受信するデータ及
び所定のコードに従ってコイルＬｐの負荷を調節するモジュレータ回路ＭＣに、
送信データを送信する。負荷調節は、誘導結合によってコイルＬｓに伝えられ、
基地Ｒｄによって検知される。受信データは、逆復調動作及び復号動作によって
抽出される。チップＩＣへのデジタルデータの送信の為に、基地ＲＤは、送信デ
ータ、または、所定のコードに従って磁界の振幅を調整する。チップＩＣにおい
て、回路ＤＤは、電圧Ｖｐを復調し、受信データを復号し、中央処理装置ＵＣに
送信することによって、それらをメモリーＭＥＭに装荷することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による方法の初期の段階を示し、平面図及び断面図それぞれによって、
シリコンチップがその上に配置されている支持ウエハを表す。
【図２】 本発明による方法の初期の段階を示し、平面図及び断面図それぞれによって、
シリコンチップがその上に配置されている支持ウエハを表す。
【図３】 ＡないしＤは、支持ウエハの部分断面図であり、本発明による方法の他の段階
を示す。
【図４】 本発明によるマイクロモジュールの初期の製造例の平面図である。
【図５】 前述の支持ウエハ上に同時に製造される、本発明による複数のマイクロモジュ
ールの一般図である。
【図６】 平面図及び断面図それぞれによって、本発明によるマイクロモジュールの第二
の製造例を示す。
【図７】 平面図及び断面図それぞれによって、本発明によるマイクロモジュールの第二
の製造例を示す。
【図８】 平面図及び断面図それぞれによって、本発明によるマイクロモジュールの第三
の製造例を示す。
【図９】 平面図及び断面図それぞれによって、本発明によるマイクロモジュールの第三
の製造例を示す。
【図１０】 Ａ及びＢは、底面図及び平面図それぞれによって、本発明によるマイクロモジ
ュール及びコンタクトパッドからなるハイブリッドマイクロモジュールを示す。
【図１１】 非接触集積回路及びデータ送受信基地のブロック形状の配線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フレデリック ベルトリオ フランス国 Ｆ−13540 ピュイリカール ヴィラージュ ドュ ソレイユ 165

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の電子マイクロモジュール（２０、３０、４０）の集合
    的な製造方法であって、各電子マイクロモジュールは、支持ウエハ、電気コネク
    タ領域（４）を有する集積回路チップ（１）、及び少なくとも一つのコイル（１
    ０、３１、４３）を有し、 支持ウエハ（２）上に複数の集積回路チップ（１）を組みたてるステップ、 支持ウエハ（２）の表面上に全てのチップを覆う電気絶縁層（５、６、７、３
    ３、３４、４１、４２）を堆積するステップ、 チップのコネクタ領域（４）に対向する絶縁層に複数の孔（８、３６、３７、
    ３８、４６、４８、４９）を作るステップ、 支持ウエハ上にコイル（１０、３１、４３、４４、４５）を形成する複数の平
    坦な巻線を同時に製造するステップ、 対応するチップに各コイルを接続し、支持ウエハ（２）を切り込んでマイクロ
    モジュールを分離するステップ、を含むことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 請求項１による方法において、チップへのコイルの接続は、
    絶縁層に作られた孔に導電性材料を堆積させることによってなされる、ことを特
    徴とする方法。
  3. 【請求項３】 請求項２による方法において、上記孔に堆積された導電性材
    料は、コイルを形成する導電性材料である、ことを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかによる方法において、コイル（
    ３１、３２、４３、４４、４５）は、絶縁層（３３、３４、４１、４２）によっ
    て分離されたいくつかの導電層上に作られる、ことを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかによる方法において、上記支持
    ウエハ（２）は、シリコンから成り、絶縁層の堆積ステップは、ポリイミド層を
    堆積させ、二酸化シリコン層を堆積させるステップを含み、コイルは、銅の電着
    、及び、エッチングによって作られる、ことを特徴とする方法。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかによる方法において、支持ウエ
    ハの切削ステップは、支持ウエハ上全体に保護材料を堆積した後になされる、こ
    とを特徴とする方法。
  7. 【請求項７】 支持ウエハ（２）、集積回路チップ（１、５２）及びコイル
    （１０、３１、４３、４４、４５、５１）を形成する少なくとも一つの平坦な巻
    線からなる電子マイクロモジュール（２０、３０、４０、５０）であって、 該チップは、少なくとも一つの絶縁材料の少なくとも一つの層からなる少なく
    とも一つの電気絶縁層（５、６、７、３３、３４、４１、４２、５３）に埋め込
    まれ、コイルは、該絶縁層上に配置される、ことを特徴とする電子マイクロモジ
    ュール。
  8. 【請求項８】 請求項７によるマイクロモジュールにおいて、コイルは、絶
    縁層を貫通する金属被膜孔（８、３６、３７、３８、４６、４７、４８、４９）
    を通りチップに接続され、チップの電気コネクタ領域（４）に達する、ことを特
    徴とするマイクロモジュール。
  9. 【請求項９】 請求項７及び８のいずれかによるマイクロモジュール（３０
    ）において、 上記チップは、少なくとも２つの絶縁層（３３、３４、４１、４２）に覆われ
    、 ２つの絶縁層（３４、４２）の一つは、コイルを形成する巻線の支持体であり
    、 他の絶縁層（３３、４１）は、コイルの一端をチップのコネクタ領域（４）に
    連結する導体（３２、４４、７３）の支持体である、ことを特徴とするマイクロ
    モジュール。
  10. 【請求項１０】 請求項７ないし９のいずれかによるマイクロモジュール（
    ４０）において、上記チップは、少なくとも２つの絶縁層（４１、４２）に覆わ
    れ、該コイルは、各該絶縁層上にそれぞれ配置される少なくとも２つの平坦な巻
    線（４４、４５）を有する、ことを特徴とするマイクロモジュール。
  11. 【請求項１１】 請求項７ないし１０のいずれかによるマイクロモジュール
    において、上記支持ウエハ（２）は、シリコンから成り、上記絶縁層（７）は、
    ポリイミド層（５）及び二酸化シリコン層（６）から成る、ことを特徴とするマ
    イクロモジュール。
  12. 【請求項１２】 表面（６０−２）にコンタクトパッド（Ｃ１ないしＣ８）
    を有する支持ウエハ（６１）からなるハイブリッドマイクロモジュール（６０）
    であって、 上記支持ウエハ（６１）は、裏面（６０−１）にクレーム７ないし１１のいず
    れかによるマイクロモジュール（５０）を有し、 上記マイクロモジュール（５０）は、接触または非接触の２つの動作モードを
    有する集積回路チップ（５２）及び上記チップ（５２）を上記コンタクトパッド
    （Ｃ１ないしＣ８）に接続する為の孔（５５）を有する絶縁層（３３）からなる
    、ことを特徴とするハイブリッドマイクロモジュール。
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