JP2002514945A - ミクロ製造された治療用アクチュエータメカニズム - Google Patents

ミクロ製造された治療用アクチュエータメカニズム

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Abstract

(57)【要約】 集積回路(IC)のシリコンベース又は精密機械加工された電気機械的ミクロ構造(70)(ミクログリッパ)は、脳内動脈瘤の治療又は他の介入臨床的治療のための、カテーテルによる介入治療を拡張及び改善する。これらのミクロメカニズムは、特に、動脈瘤として知られる血管中の膨張部内の白金コイルその他の部材を解放するために適用することができる。脳の血管は身体中で最も小さいため、“ミクロ”サイズの解放メカニズムが要求される。1m以上のカテーテルを介して、カテーテルの一端に配置されたミクロメカニズムをその他端から操作することができる。また、本発明のミクログリッパ(ミクロメカニズム)は、遠隔操作されるミクログリッパ又は同様のアクチュエータが有用であり、若しくはミクロ組立てが要求されるような非医療分野への適用を有する。

Description

【発明の詳細な説明】 ミクロ製造された治療用アクチュエータメカニズム 米国政府は、ローレンス・リバーモア・ナショナル・ラボラトリーの計画につ いての米国エネルギー省とカリフォルニア大学との間の契約No.W-7405-ENG-48に 従って、本発明に関する権利を有する。 発明の背景 本発明は、ミクロ構造に関し、特に電気機械的ミクロメカニズムに関し、とり わけカテーテルによる介入治療又は遠隔操作によるミクロ組立て応用において使 用するミクログリッパに関する。 小物体の遠隔及び精密な操作のためのミクロアクチュエータは、非常に様々の 応用において多くの関心事となっている。そのようなミクログリッパ装置の設計 及び開発努力は、関連技術において有益であり、一般的なミクロ制作手法に適用 可能であり、ロボット工学、ミクロテクノロジー、予知工学、防衛、エネルギー 、及び生物医学的研究を含むミクロ工学努力のインフラストラクチャー、カテー テルによる介入治療の如き医療応用における使用、並びにミクロ機械システムの 遠隔組み立て及び使用を確立する。 血管の一部分が弱くなると、それは膨張して動脈瘤を形成し、それは最終的に 血管が虚脱し、血管に穴が開くと、発作の主原因の一つとなる。動脈瘤は伝統的 に手術により処置されてきており、外科医は、切除により動脈瘤を外科的に治療 しようとする前に治療する部位を切開しなければならない。しかし、多くの動脈 瘤は脳内などの危険な部位にあり、手術が困難又は危険であるか、絶対的に不可 能である。最近の20年間、先駆的な医者は介入神経放射線学的手 法を用いて脳内動脈瘤の治療を援助してきた。長く(1−2メートル)細い(即 ち、250μm−500μm)のカテーテルをそけい内の動脈を通じて脳まで押 し込み、動脈瘤に到達する。既存のカテーテルによる介入器具は、極度に単純化 され、常に単一の作動手段に依存する。バルーン式血管形成を含むこれらの手法 は、心臓内の如き大血管の治療については確立されている。脳内の血管の如き小 血管にこの医療実践を拡張するためには、カテーテルによる器具を小型化しなけ ればならない点に困難性がある。最も最近の方法では、充電された時に変則的な 形状を満たす能力及び血管内での電気分解に対する耐性の点から、動脈瘤を満た すために白金コイルが選択される。コイルはガイドワイヤによりカテーテルを通 じて動脈瘤まで押し込まれるか、又はカテーテルのガイドワイヤと治療装置との 間のハンダ付け結合部の電解による溶解により開放され、神経学的治療のための その治療装置は約250μm以下の直径を有する。コイルの充電はコイル周辺に 電気的血栓形成を生じさせるが、コイルを解放するために要する時間は長く(4 分から1時間)、通常、多くのコイルは標準サイズの動脈瘤を満たすことを要求 される。溶解した物質が人体に与える影響は未知であり、電気分解はんだ付けは 脳内に長期の電流を要求し、それは時には信頼性に欠ける。これらの問題点は、 外科医及び臨床医の患者に対して、潜在的に生命を脅かす問題を提示する。 従って、直径250μmの領域に適合し、且つ、一度誤った時間又は位置で解 放された場合に医師がコイルその他の療法を解放及び回収することが可能なミク ロメカニズムの要求がある。本発明は、ミクロ機械的解放メカニズムを提供する ことによりこの要求を満足し、そのメカニズムにより、この処置はより安全且つ より信頼性の高い手術の代替手段となり、またそのメカニズムは250μmの領 域である脳の血管に適合可能である。ミクログリッパを含む電気機械的ミクロ構 造は、既知のシリコンによる手法、又は精密ミクロ機械加工、若しくはこれらの 手法の組み合わせを使用して制作することができる。本発明は遠隔から作動され るミクログリッパを必要とする様々の領域における応用を有するが、特にカテー テルによる介入治療における応用を有する。 発明の概要 本発明の目的は、電気機械的ミクログリッパを提供することにある。 本発明の他の目的は、大きな把持力と、比較的固い構造本体と、機能設計にお ける柔軟性とを有するミクログリッパを提供することにある。 本発明の他の目的は、カテーテルの一端部に配置され、他端部から操作可能な 電気機械的ミクロメカニズムを提供することにあり、それによりカテーテルによ る介入治療を拡張及び改善する。 本発明の他の目的は、250μm程度の領域、例えば脳内の血管中において動 作可能なミクログリッパを提供することにある。 本発明の他の目的は、遠隔能動的加熱及びフィードバック制御のため、ヒータ と歪みセンサとを一体化するために使用可能なミクログリッパを提供することに ある。 本発明の他の目的は、生体組織サンプラー、又はミクロ部品の操作のために設 計された先端部として使用可能なミクログリッパを提供することにある。 本発明の他の目的は、油圧又は単純な熱バイモルフ素子により交互の作動メカ ニズムを適用する可能性を有するミクログリッパを提供することにある。 本発明の他の目的は、大きな把持力(40mN)を有するミクログリッパを提 供することにあり、その動作は形状記憶合金の薄いフィルムにより生じ、誘起さ れる応力がミクログリッパの個々の側部を約55μm曲げ、合計で約110μm の把持動作を行うことが可能である。 本発明の他の目的及び長所は、以下の記述及び添付図面により明らかになる。 基本的に、本発明は電気機械的ミクロメカニズムに関連し、それは医療的及び非 医療的応用に使用可能であり、特に脳内その他の小血管の動脈瘤の治療のための 、カテーテルによる介入治療に適用可能である。本発明のミクログリッパは以下 のものを有する:1)大きな把持力、2)比較的固い構造本体、3)250μm の領域において使用可能であること、4)把持用あご部の形成における柔軟性が あること、5)生体組織サンプリング又はミクロ部品の操作に使用可能であるこ と、6)迅速な解放及び回復能力、7)遠隔能動的加熱及びフィードバック制御 のためにヒータ及び歪みセンサと一体化可能であること、8)油圧又は単純な熱 バイモルフ素子の作動と共に使用できること、9)従来の集積回路のシリコンベ ースの技術又は精密機械加工若しくはその両方を使用して構成できること。 図面の簡単な説明 開示に含められ、その一部を構成する添付図面は、本発明の実施形態を示し、 記述と一体として本発明の原理を説明する。 図1A及び1Bは、バルーンによる作動を使用するミクログリッパの実施形態 の断面図であり、閉じられ及び開けられた位置を示す。 図2は図1A−1Bの実施形態の拡大図であり、バルーンが省略されている。 図3A及び3Bは、薄いフィルムのピンセット状作動部を使用する、ミクログ リッパの他の実施形態を示す。 図4A及び4Bは、形状記憶合金(SMA)ワイヤのクリック止めを使用する 、ミクログリッパの他の実施形態を示す断面図である。 図5は、図4A−4Bの実施形態の拡大図であり、SMAワイヤが省略されて いる。 図6は、SMAのダブルコイルを使用する本発明の実施形態である。 図7は、本発明に従って制作されたシリコンミクログリッパの好適な実施形態 である。 図8は、共晶接合プロセスを示す断面図である。 図9、9A及び9Bは、図7のミクログリッパのための抵抗ヒータ及び電気的 フィードスルーを示す。 図10、10A及び10Bは、図8Aのヒータの実施形態であり、図10A及 び10Bに示す断面図を大きく拡大したものである。 図11、11A及び11Bは、図9のヒータの他の実施形態を示し、図11A 及び11Bの断面図を大きく拡大したものである。 図12は、図7のミクログリッパのための力フィードバック制御システムを示 す。 図13は、本発明に従い、ミクロバルーンからの油圧/流体供給を提供し、S MAフィルムにより動作するミクロアクチュエータを示す図である。 好適な実施形態の詳細な説明 本発明は電気機械的把持/解放ミクロメカニズムであり、以下、ミクログリッ パ又はミクロクランパと呼ぶ。ミクログリッパは大きな把持力と、比較的堅い構 造本体と、機能的設計における柔軟性と を備え、例えば、生体組織サンプラー、ミクロ部品を操作するために設計された 先端部、又は動脈瘤として知られる血管内の膨張部内の白金コイルその他の材料 の如きアイテムの解放/回収メカニズムとして使用可能である。本発明のミクロ グリッパは、カテーテルによる介入治療の応用の拡張及び改良のために特に有用 であり、脳内の小血管の如き250μm領域内の使用が可能である。ミクログリ ッパは、遠隔からの能動的加熱及びフィードバック制御のためのヒータ又は歪み センサを一体化するために使用可能な外面を有するように構成することができる 。例えば、ミクログリッパの一例はシリコン構造であり、形状記憶合金(SMA )の薄いフィルムを有し、誘起される応力がその側面をたわませて約110μm の把持動作を可能とする。ミクログリッパは、精密ミクロ機械加工又はシリコン ベースの集積回路の製造に使用される技術により製造することができる。 把持/解放メカニズム又はミクログリッパの最終的な目的は、以下の事項を実 現することにある:1)断面が250μm(開及び閉)程度に小さい直径の領域 に適合すること;2)血管内への材料の解放が10秒以下であること;3)温度 範囲が摂氏0度から37度の範囲内であること;4)例えば電気的エネルギーを 使用する場合に電流が10mA以下であること;5)100%の信頼性。 従来のシリコンバルクミクロ機械加工技術を使用して、図1A、1B及び2に 示す機械式クランパ又はミクログリッパは、カンチレバー構造を有するように製 造することができ、それは例えば長さ約800μm、その構造の合計の高さが2 50μmである。それから、図1A及び1Bに示すように、シリコンミクロバル ーンを使用してカンチレバーのアームを機械的にたわませて、その前端部で他の 物体を締め付け固定させる。ミクロバルーンは良好に特徴付けられ、 10アトム(atm)までの圧力に耐え得る。また、そのようなミクロバルーンは 人間の血管内の使用が試験されたものである。図1A−1B及び図2に示すよう に、ミクロバルーンにより作動する、10で示されるミクログリッパは、一対の あご部と、各々が複数のスロットを有するカンチレバー13及び14を備えるグ リップアーム又はグリップ部材11及び12と、押し付けパッド15及び16と 、つかみ具17及び18と、を備える。幾つかの応用では、押し付けパッドを省 略することができる。あご部又はグリップ部材11及び12は、19で示される ように一体に接着され、さもなくば固定される。バルーン20の如き膨張可能な 部材を、グリップ部材11及び12の間に配置し、且つ、バルーンの通路22( 図2参照)に沿って延びる送出管又はカテーテル21に接続し、その通路22を 通じて作動用流体又はガスを供給してバルーン20を作動(膨張)させる。押し 付けパッド15及び16はバルーンを押し付ける点23として作用し(図2参照 )、完全に膨張すると、バルーンの端部は図1Aに示すように押し付けパッド1 5−16の間に至る。 バルーン20が非作動(非膨張)位置にあると、押し付けパッド15及び16 は図1Aに示す位置にある。バルーン20が作動して拡大すると、グリップ部材 11及び12の外端部はスロットを有するカンチレバー13及び14の位置で外 側へたわみ又は曲がり、つかみ具17及び18を引き離し、図1Bに示すように それらの間に保持された物質24を除去可能とする。 グリップ部材11及び12は、長さ0.8mmから1.5mmで幅と結合後の 高さが好ましくは約250μm未満のシリコン、アルミニウム、ニッケルその他 の適合性金属、テフロンその他の適合性ポリマー、及び、セラミックスにより構 成することができる。バルーン20は、管21から供給される10気圧までの圧 力に耐え得る シリコーンミクロバルーンとすることができ、その管21は直径80μmから4 00μmのテフロンその他の不活性樹脂により構成することができる。バルーン 20は他の膨張可能な部材で置き換えることができる。接着19は、例えば選択 的な共晶接合により形成することができる。押し付けパッド15及び16は例え ば厚さ20μmから40μmであり、つかみ具17及び18は厚さ90μmから 150μm、長さ50μmから150μmとすることができる。スロットを有す るカンチレバー13及び14は、幅5μmから100μm、長さ50μmから5 00μmの3個から10個のスロットを有するように構成することができる。カ ンチレバーのスロットは直線的、又はその長さに沿って先細り状とすることがで きる。グリップ部材11及び12が構成される材料は、関連のある流体又は薬品 に対して不活性でなければならない。 図3A及び3Bに示す実施形態は、一対の初期のSMAの薄いフィルムヒンジ を使用し、SMAの薄いフィルムがさらされる温度に従ってグリップアーム又は グリップ部材を開閉する。また、図3A及び3BのSMAの薄いフィルムは、ポ リイミド層により挟まれ、カンチレバーのクランプ又はグリッパを延ばし又はた わませるヒータにより置き換えることができる。 図3A及び3Bに示すように、一般的に30で示されるミクログリッパは、一 対のグリップアーム又はグリップ部材31及び32を有し、それらは例えばシリ コンウェハにより形成され、各々が断面の厚さが小さい領域33及び34と、内 部へ向けられ離隔した一対のつかみ具35及び36を有する。各々の対の一方の つかみ具のみが図示されており、それらつかみ具は白金セルの軸などの材料又は 部品37を保持する(図3A参照)。薄いフィルム38及び39は厚さが小さい 領域33及び34の近傍でグリップ部材31及び32 に固定され、薄いフィルム38及び39は上述のようにSMA又はポリイミド層 により構成される。また、グリップ部材31及び32は押し付けパッド40及び 41を有する。図示しないヒータにより薄いフィルム38及び39を加熱すると 、フィルムは膨張し、領域33及び34でグリップ部材31及び32の外端部を 外側へ曲げ又はたわませてつかみ具35及び36を引き離し(図3B参照)、そ れにより物体がそこから除去される。 例えば、グリップアーム又はグリップ部材31及び32は、シリコン、又は適 合性金属、ポリマー、若しくはセラミックスにより構成され、結合後の合計の高 さ及び幅が好ましくは250μm未満であり、部材31及び32の厚さは20か ら100μmであり、厚さの小さい領域33及び34は5から15μmの厚さを 有し、つかみ具35及び36は部材31及び32から内側へ20から50μmの 距離延びている。押し付けパッド40及び41は例えば厚さ20から40μm、 深さ(高さ)30から100μmである。SMAにより構成した場合、薄いフィ ルム38及び39は2から5μmの厚さのNi−Ti、Ni−Ti−Cu、又は 他の低温SMAにより構成することができ、例えばポリイミドにより構成した場 合、厚さ3から10μm、長さ300から500μmの2層を有し、それらはT i−Auにより構成されるヒータをその間に挟持する。SMAフィルム38及び 39の加熱は、例えば統合ポリシリコンヒータ、図9及び図10に関連して以下 に説明するSMAの直接抵抗ヒータ、又は光ファイバによるレーザ加熱により達 成することができる。J.D.Busch et alに1991年10月29日に発行された 米国特許No.5,061,914号に記載されるように、形状記憶合金は周知である。 また、図1A−1B及び3A−3Bの実施形態は、動脈瘤を治療するために使 用される白金コイルなどの物体又は部品を回収するた めに使用することができる。これらの実施形態は、電気的導電性を有する従来の 既知のミクログリッパ(C.J.Kim et alの"Silicon-Processed Overhanging Microgripper",Journal of Microelectromechanical Systems,Vol.1,No .1,pp.31-36,March1992を参照)に対して有利な点を有し、生物電解層又は組 み立てのためのミクロ部品の操作に使用することができる。 図4A−4B及び図5の実施形態は、通常は開いた状態である解放メカニズム (図4B参照)であるミクログリッパであり、SMAワイヤをラッチとして使用 してミクログリッパを閉じさせ(図4A参照)、作動した時にメカニズムをクリ ック開放する。図示のように、一般的に50で示されるこの実施形態は、図1A −1Bの実施形態に示すグリップ部材11及び12と構造上ほぼ同等であるグリ ップアーム又はグリップ部材51及び52を有し、それらは、フックコネクタ5 3及び54と、押し付けパッド55及び56と、一つのみが図示される一対のつ かみ具57及び58と、を有する。圧縮性の薄いフィルム59及び60は、グリ ップ部材51及び52の開口61及び62内に固定される。フックコネクタ53 及び54は開口63及び64(図5参照)を有し、それを通じてSMAワイヤ6 5が延びて(図4A参照)グリップ部材51及び52を“閉め”、圧縮性の薄い フィルム59及び60を圧縮する。SMAワイヤ65を作動させると、矢印66 (図4B参照)で示すようにワイヤはフックコネクタ53及び54の開口63及 び64から引き出され、それにより圧縮性の薄いフィルム59及び60が膨張し てグリップ部材51及び52の端部を外側へ曲げ又はそらせる。閉じた位置では (図4A参照)、つかみ具の対57及び58はその間に物体又は部品67を保持 し、ラッチ(フックコネクタ53及び54並びにワイヤ65)の作動又はクリッ ク開放によりつかみ具57及び58は外 側へ移動し、物体又は部品67がそこから除去可能とされる。図1A−1Bの実 施形態と同様に、グリップ部材51及び52は68で示すように一体に接着され る。 例えば、グリップ部材51及び52、押し付けパッド55及び56、つかみ具 57及び58は、図1A−1Bの実施形態で説明したのと同様に構成及び形成す ることができる。フックコネクタ53及び54は、シリコン、金属、ポリマー、 又はセラミックスにより構成され、ミクロ機械加工により固定され、高さ80か ら200μm、幅200から500μmであり、内部の開口63及び64は80 から380μmの断面と、180から480μmの幅を有し、四角形以外に構成 することができる。SMAワイヤ65は、Ni−Ti−Cu、Ni−Ti、又は Ni−Ti−Hfにより構成することができ、フックコネクタ53及び54の開 口63及び64に対応する断面及び構成を有する。圧縮性の薄いフィルム59及 び60は、厚さ3から8μm、断面が250×250又は250×400μmの 二酸化シリコン、ドープされたポリシリコン、又はポリマーにより構成すること ができる。 図6は、2つのSMAミクロコイルを使用するミクログリッパを示し、その一 つは例えば白金コイルの軸上にグリップし、他方は白金コイルを外側へ押しやっ て解放を確実とし、そのミクロコイルは、その一端がカテーテルによる介入治療 に使用されるようなガイドワイヤの先端部に固定される。図6に示すように、2 つのSMAコイル70及び71はその一端においてガイドワイヤ72に固定され る。コイル71より実質的に大きな断面及び直径を有するコイル70は延在し( 例えば、コイル71及びプラチナセルの軸73の端部に巻き付き)、軸73を保 持又は把持する。コイル71はガイドワイヤ72の先端部79と軸73の端部7 5との間に延びている。通常の 状態では、コイル70は軸73が移動しないように保持し、動作時にはコイル7 1は延びて軸73をコイル70の外部へ押しやる。 例えば、大コイル70は、50から75μmの直径を有するSMAワイヤによ り構成し、巻回又は巻き付けの数は10から15の範囲であり、Ni−Ti、N i−Ti−Cu、又はNi−Ti−Hfにより構成される。小コイル71はNi −Ti、Ni−Ti−Cu又はNi−Ti−HfのSMAワイヤにより構成する ことができ、30から50μmの直径を有し、巻回又は巻き付けの数は5から1 0の範囲である。ミクロコイル70及び71は、接着、ハンダ付けその他により ガイドワイヤ72に固定することができる。 図7の好適な実施形態は、シリコン構造とSMAの薄いフィルムの組み合わせ を使用し、信号入力のための配線ジャケットを備える。この実施形態は、低温( 摂氏100度未満)で局部的に作動可能であり、大きな把持力(10から40m N)と、比較的堅い構造本体と、機能的設計における柔軟性とを有するミクログ リッパを提供する。また、このミクログリッパは対象となる把持物体を固定する 能力を有する。ミクログリッパの動作は、例えばNiTiCuの形状記憶合金の 薄いフィルムにより生じ、誘起された応力はミクログリッパの各々の側部を55 μmまでそらせ、合計で110μmの把持運動を行う。この開放運動はグリッパ の先端部上の20mNの開放力に対応する。さらに、ミクログリッパは液体環境 下でも動作することができる。開放あご部、押し付けパッド、及び中空チャンネ ルは、シリコンの精密なのこ引きとバルク機械加工の組み合わせにより形成され る。予め処理された2つのシリコンウェハは、Au−Si共晶プロセスにより予 備配置され、且つ、選択的に接合され、そのプロセスは図8に関連して後に詳述 するように、ウェハ上にマスクを配置し、マスクを通じてグリッパの接着部分上 に蒸着する。図 7のミクログリッパは1mm×200μm×380μmの寸法であり、12.5 μmの厚さの一対のシリコンカンチレバーを有し、ミクログリッパの動作を提供 するためのカンチレバー又はグリッパアームの外側部上に析出した5μmの厚さ のNiTiCuのSMAの薄いフィルムを有する。SMAの薄いフィルムは摂氏 30度から70度の間の変態温度で500MPaまでの動作応力を発生すること ができ、その変態温度は既知の全ての熱バイモルフ素子のミクログリッパより低 温である。実験的立証のため、ミクログリッパを外部からの加熱により作動し、 ビデオテープを用意して開閉運動を実証した。 図7の詳細な実施形態に言及すると、一般的に70で示されるミクログリッパ は、一対のシリコンカンチレバーと、グリッパアーム又はグリップ部材71及び 72と、一対の60×110×100μm3のグリップあご部又はつかみ具75 及び76とを有し、各々のグリップ部材71及び72はそれぞれ73及び74で 示される30μm幅の押し付けパッドを有する。グリップ部材71及び72はイ ンターフェース77において一体にAu−Si共晶接合され、各々がその外面又 は外側部にSMAの薄いフィルム78及び79を有する。カンチレバ一又はグリ ップ部材71及び72は、接合されたインターフェース77の領域内に110μ m幅の中空チャンネル80を規定するように構成され、その中空チャンネル80 は、例えばミクログリッパが載置されるカテーテルの一端と連結される。ミクロ グリッパ70は、一般的に81で示される信号入力のための配線ジャケットに固 定される。 グリップ部材71及び72、SMAの薄いフィルム78及び79、共晶接合7 7、及びミクログリッパ70の寸法は既に述べた通りである。例えば、押し付け パッド73及び74は厚さ20から40μ m、高さ80から100μmとし;グリッパ75及び76は高さ80から100 μm、端部断面が70×150μmとし;中空チャンネル80は幅100から2 50μm、高さ50から180μmとすることができる。 図1A−1B、3A−3B、4A−4B及び7、特に図7のミクログリッパの 実施形態の製造は、目標の標本の指示のようにグリップあご部を形成することに おいて設計者にいくらかの柔軟性を許容し、生体組織サンプラー又はミクロ部品 を扱うために設計されたカテーテルチップとして使用することができる。特に図 7のミクログリッパの外面は、図9−12を参照して後述する遠隔能動的加熱及 び可能なフィードバック制御のためにヒータ又は歪みセンサを一体化するために 使用することができる。図7の実施形態の中空チャンネルは、ワイヤ接続、若し くは液体及び治療薬の注入の可能性を有する。もう一つの重要な長所は、油圧式 又は単純に熱バイモルフ素子による、ミクログリッパ構造への代替的な作動メカ ニズムの適用可能性である。様々の応用のための実際のミクログリッパの多くの 創造的な設計を、この基本的なアプローチを使用することにより考え付くことが できる。製造プロセスの工程は高度に自動化することができ、ミクログリッパの バッチ製造は製造コストを減少させる。 図7のミクログリッパの応用は、製造のための小部品の組立て、最小限の侵襲 性の生体内での生体組織サンプリング、カテーテルによる血管内の治療処置、及 び、極限環境(高/低圧、危険な液体、その他)における小粒子の遠隔操作を含 む。 図7の実施形態のミクロ製造プロセスは、バルク機械加工、精密調整、エッチ ング、及びNi−Ti−CuのSMAの薄いフィルムの析出に類別することがで きる。上述のように、図7に示す特定の実施形態のタイプのミクログリッパは、 1000×200×380 μm3の寸法である。各々のシリコンカンチレバー(72及び73)は、厚さ1 25μmであり、カンチレバーの作動のためにその外面上に厚さ5μmのNi− Ti−CuのSMAの薄いフィルム(78及び79)が析出される。押し付けパ ッド(73−74)は幅30μmであり、グリップあご部(75−76)は60 ×110×100μm3である。中空チャンネル80は幅110μm、高さ17 5μmである。グリップあご部、押し付けパッド、及び中空チャンネルは、シリ コンの精密なのこ引きとバルク機械加工により形成され、それゆえバッチ処理に より製造可能である。ミクログリッパの外部リード線及びミリ単位のエンドイフ ェクタ(図9に例示)への接続は組立てを要し、それゆえバッチ処理による製造 は見込めない。しかし、パッケージングのための組立て技術を開発しようとする 進行中の努力がある。 ミクログリッパのカンチレバー又はグリッパアーム(71−72)は2つのシリ コンウェハ上に製造される。このプロセスは厚さ100μm(110)の2つの pタイプシリコンウェハから開始し、それらは幅200μmから全体の幅380 μmになるまで研削され、研磨される。パターン付け及びエッチシリコンのため の共通のマスキングフィルムはシリコン窒化物の1000Åであった。 テストパターンは、ウェハ平面に対する正確な(111)面を識別するために 必須のものであり、それは典型的には2度から3度のオフセットである。この結 晶面識別パターンを使用して位置合わせ目標を各々のシリコンウェハ上に刻印し 、正確な結晶面へのその後の位置合わせを確実にする。2種類の位置合わせ目標 を規定しなければならず、その一つは前後の位置合わせを行うためのものであり 、他方はウェハを通じてエッチングされ、共晶接合のための正確なピンの機械的 位置合わせの穴を提供する。次に、各々のウェハの背面 上にダイシングライン(深さ2μm)をパターン形成する。各々のウェハの前面 上には、精密鋸のための鋸切断チャンネルガイドラインをパターン形成し、シリ コンカンチレバー(71−72)及び押し付けパッド(73−74)を形成する 。これらのパターンはシリコンを下方へ1μmエッチングすることにより刻印さ れる。マスク用シリコン窒化物を再度適用した後、グリップあご部(75−76) 及び中空チャンネル(80)のためのリソグラフィーを行う。その後、44%の KOH中でシリコンウェハをエッチングし、85μmの深さの垂直壁を形成する 。それからシリコン窒化物のマスクを剥がして、例えばKulicke & Soffaのモデ ル80の如き精密鋸のために2.5μm以上の位置決め精度で準備をする。精密 鋸切断は、シリコンの異方性エッチング制限を防止するために選択され、その制 限は、注意深い角部の補償及び完成した面の犠牲無くしては、垂直壁のエッチン グチャンネルが90度離隔することを許容しない。2つの切断されたチャンネル の幅は夫々200μmと400μmであるので、選択される歯は200μmの厚 さである。2つの近接する鋸の切断により、さらに幅広の切断チャンネル(40 0μm)が形成される。鋸は、押し付けパッド(73−74)の幅30μmを残 すために印付けされる。切断の深さの注意深い制御のためには、ウェハの底部か らの深さを印付けする必要がある。更に、歯を粗い表面に仕上げて垂直方向の端 部を実現することが理想的である。シリコンウェハから形成される一対のシリコ ンカンチレバー又はグリッパアーム(71−72)はこれで接合の準備がされる 。 図7のカンチレバー又はグリッパアームの接合は、例えばAu−Si共晶接合 により行われ、それにより低温(摂氏400度未満)で選択的な領域の接合が達 成される。図7のグリッパアームの如きシリコンミクロ構造は、上述のように2 つのシリコンウェア上にバ ルクミクロ機械加工することができ、その後、共晶接合され、それにより設計者 間の相違が最小となり、キャパシタンスセンサ/アクチュエータ及び密閉を有す るミクロ流体システムに適用可能なミクロ構造を可能とする。Au−Si共晶結 合を使用して、図7に示すような2つのシリコン機械製作されたウェハを有する ミクロ構造を、図8に示すようにして製造することができる。シリコンウェハか ら作られるカンチレバー82の各々の上には、一般的に83で示され、例えば面 積500×500μmのTi/Auパッドが、84に矢印で示される電子ビーム (E−ビーム)蒸着により析出され、図8に示すようにシャドウマスク85及び 86を通じてパターン形成される。Ti層は接着層であり、AU層88の拡散バ リアとしても機能することができる。パッド83の厚さは例えばTi(層87) について500Åであり、AU(層88)については1μmである。焼きなまし 温度は摂氏370度から390度であり、それはインターフェースが流動化する ことを確実とする摂氏363度の共晶接合点より高い。この温度において5分間 の浸漬が必要である。シャドウマスク85−86は、(100)シリコンウェハ からウィンドウをエッチングすることにより容易に製造することができる。シャ ドウマスクをウェハに位置合わせすることにより、Ti/Auによりコートされ た領域のみが一体に接合される。組み合わせるシリコンウェハは、接合が生じる べき完全に清潔なシリコン面を有するべきである。それから、ウェハは一体に加 圧され、低真空(公称10-4トル)内で保持され、例えば摂氏380度で3分間 浸漬される。2インチの一対のシリコンウェハを通じて見た、Ti/Au共晶接 合パッド83のアレイの音響的イメージは、高度に均一かつ固い接合が形成され たことを示した。Au−Si接合の強度はインストロン型引っ張り試験により計 測され、そこでは9個の共晶接合パッドが引 っ張られ、5.5GPaの引っ張り応力で作動しなくなった。プロセス中に接合 領域を取り囲むシリコンの破断が生じるので、共晶接合領域はそのままである。 接合プロセス中に、精密な直径のピンを使用する機械的位置合わせが行われ、 処理の制御、及び、もろく薄いカンチレバーの破砕防止を確実にする。これで、 接合された一対のカンチレバー(71−72)は、SMAの薄いフィルムの析出 のための準備が完了する。 SMAの薄いフィルムは、直流マグネトロンスパッタ析出により析出されたN i−Ti−Cuにより構成され、混合スパッタリングプロセスの詳細は、199 5年5月に出願され、本願の譲受人に譲渡されたシリアルNo.08/(IL-9463)の係 属中の出願「形状記憶合金の薄いフィルムの多ソース析出」に記載されている。 そのスパッタリングプロセスでは、3つの分離した目標を使用して合金を析出し 、それによりパワーを独立に制御して合金の組成を積極的に決定する。薄いフィ ルムは例えば摂氏505度で析出し、その結果それは元の位置に焼なまされ、残 余の応力を緩和する。SMAフィルムは最初は例えば図7のカンチレバーアーム (71−72)の外側部又は外面上に連続的に析出され、それにより一方の面は 摂氏505度で2度焼なまされるが、好適にはカンチレバーアームの接合以前の SMAの析出がフィルム内の熱応力を減少させる。以下に示すのは、図7に示す ようなミクロアクチュエータの製造のための簡易プロセスシークエンスである: a)結晶面テストマークをパターン形成し、目標物及び位置合わせ穴を位置合 わせする。 b)鋸切断チャンネルガイドラインをパターン形成する。 c)(111)面方向に従ってシリコンエッチチャンネルをパターン形成する 。 d)KOHによるシリコンエッチチャンネルの異方性エッチング。 e)シャドウマスクをウェハに位置合わせし、Ti/Auフィルムを析出する 。 f)機械的ピンを位置合わせし、摂氏380度(3分)、10トルで共晶接合 する。 g)摂氏505度のもとの位置の焼きなましにより、両側にNi−Ti−Cu フィルムをマグネトロンスパッタ析出する。 h)個々のミクログリッパを切り離す。 図7のミクログリッパは、直流マグネトロンスパッタリングされたニッケル− チタン−銅の形状記憶合金フィルムを使用して作動する。形状記憶合金による作 動は、結晶質相変態に基づき、それにおいては低温位相(マルテンサイト)は双 晶により容易且つ可逆的に変形可能であり、高温位相(オーステナイト)は一つ の固い構成を有する。Ni42Ti50Cu8合金は、丁度体温より上で変形し、移 植可能な医用装置で有用であり、効率を増加させ、応答時間を改善する2成分の ニッケル−チタンより狭いヒステリシスを有する。さらに、銅を加えることによ り、フィルムの組成に対する変態温度の感度が低下する。 ミクログリッパの応用では、形状記憶合金フィルム内の残余の引っ張り応力の 回復により作動が生じ、そのデータは物体の曲率を温度の関数として測定するこ とにより取得される。摂氏500度で析出したフィルムは、析出後に冷却された 時に引っ張り熱応力を生じる。マルテンサイト変態が始まる温度未満に冷却され ると、フィルム内の熱応力は双晶に関連する変形により弱くなる。この引っ張り 熱応力は、フィルムを加熱することにより回復できる。従って、シリコンミクロ グリッパのカンチレバーはバイアスバネとして作用し、それは加熱時に収縮する 形状記憶合金フィルム(78−79)によ り開き、冷却時にたわんで中立位置に戻り、形状記憶合金フィルムを伸ばす。5 00MPaまでの回復可能な応力を有するフィルムが析出されるが、例えば図7 のカンチレバー上のフィルムは375MPaの回復可能な応力を有する。Ni− Ti−Cuフィルムにより生じた応力の試験は、Tencor FLX-2320レーザシステ ムにより測定され、そのシステムはフィルムによりSi基板に生じた曲率を測定 し、それは応力に変換される。 Ni−Ti−CuのSMAフィルムにより生じる把持力を評価するために、先 端部に開放力を有する等価モデルを仮定する。バイメタルの応力式を適用するこ とにより、Ni−Ti−Cuフィルムの応力とグリッパ先端部の曲りとの関係が 計算される。厚さ5μmのフィルムについては、曲りは53μmと計算された。 実験結果は、完全に作動した時にグリッパの開口は55μmになることを示した 。等価モデルを使用することにより、ミクログリッパを55μmまで曲げるには 20mNが必要であることが分かった。従って、ミクログリッパを完全に開放す るために40mN(各々のカンチレバーに20mN)の把持力が加わる。 図7のミクログリッパの加熱は、図10及び11に関連して後に詳述される、 集積回路(IC)により製造された薄いフィルム抵抗ヒータパッドにより加えら れる。ヒータパッドがミクログリッパカンチレバー上に配置されて電流が印加さ れ、熱はヒータからSiグリッパカンチレバーへ移ってNi−Ti−CUフィル ム内で相変態が生じる。こうして、SMAフィルムの遠隔能動的加熱が達成され る。 また、図7のミクログリッパは、図12に関連して以下に説明されるフィード バック制御のために歪みセンサと一体化される。 図9、9A及び9Bは、図7のミクログリッパのカテーテル上へ のパッケージングを示す。図7と同様の構成要素には対応する参照符号を付して ある。ミクログリッパ70は、一般的に90で示され、カンチレバー71上にあ り、接触パッド91及び92を有するSMAフィルム抵抗ヒータを通じて配線ジ ャケット81’に電気的に接続され、それら接触パッド91及び92は、リード 線93及び94を通じて例えば銅製の導電フィルム97及び98上の接触パッド 95及び96に接続され、それら導電フィルム97及び98は一般的に100で 示され、ポリイミド部材99に接着された電気的フィードスルーリボンのもので ある。リード線93’及び94’で示されるように、ミクログリッパ70のカン チレバー72と配線ジャケット81のポリイミド部材99’上の導電フィルムと の間に、同一の抵抗ヒータ及び電気的接続構成が提供される。ポリイミド部材9 9及び99’と、関連する銅フィルムとは、リボン100の絶縁フィードスルー ワイヤ101/102及び101’/102’に接続され、カテーテル管103 内に配置される(図9A参照)。ポリイミド部材99及び99’は突出端部10 4及び104’を有し、それらは矢印105で示すようにミクログリッパ70の 中空チャンネル80内に延びる。配線ジャケット81’はヒートシュリンクチュ ーブ106(図9B参照)によりミクログリッパ70に固定される。 図9でミクログリッパ70のカンチレバー71及び72上に配置された抵抗ヒ ータ90は、図10、10A、10B又は図11、11A、11Bに示すタイプ とすることができ、各々がピエゾ抵抗フィードバック能力を有する。 図10の実施形態において、抵抗ヒータ90は図9と同様の接触パッド91及 び92を有し、抵抗性ワイヤ107がパッド91と電気的に接触し、抵抗性ワイ ヤ108がパッド92と電気的に接触している。図10Aは図10の大きく拡大 した断面であり、シリコン ビーム(カンチレバー71)、抵抗性ヒータ90のSMA抵抗性ワイヤ107、 108、107を有し、それらの間には酸化物の層109及び110があり、そ の上にはポリシリコン(poly-Si)の層111及び112があり、その上にはS MAの薄いフィルム78の部分があり、酸化物又は保護層113により覆われて いる。図10Bは図10の実施形態の拡大断面側面図である。 図11、11A及び11Bの抵抗ヒータ90は、図10の実施形態とほぼ同様 であり、同様の参照符合が使用されている。図11においては、図10の実施形 態と同様に、抵抗ヒータ90は接触パッド91及び92を有し、抵抗性ワイヤ1 07がパッド91に接続され、抵抗性ワイヤ108がパッド92に接続されてい る。図11Aは図11の断面を大きく拡大した図であり、シリコンビーム(カン チレバー)71と、酸化物層114と、酸化物層117及び118がその上に析 出された一対のポリシリコン(poly-Si)層115及び116と、SMAの薄い フィルム78と、酸化物又は保護層113と、を有する。図11Bは、図11の 実施形態の拡大断面側面図である。 図12は図7の実施形態のミクログリッパ70の力フィードバック制御を示し 、同様の構成要素には対応する参照符合を付している。感知フィルム120はカ ンチレバー71上に析出され、121で示す上述の歪み−応力変換を介して、特 定の力表示器122に接続され、その出力はシグナルプロセッサ(アンプ)12 3を介して作動フィルム(SMAフィルム)78へ送られる。図示はしないが、 下側のカンチレバー72も同様の構成で設けられている。 図7の実施形態は、図13に示すように、油圧/流体送りシステムを提供する ように変更することができる。ここで、ミクロアクチュエータ70’のカンチレ バー125及び126は夫々SMAフィ ルム127及び128を有し、カンチレバー125及び126は、内部に図示し ない開口を有する部分129において接続される。ミクロバルーン130はカン チレバー125及び126の一端131及び132の中間に位置し、それらの他 端134及び135はつかみ具又はあご部135及び136を有する。作動する と、カンチレバーの端部131/132が矢印で示すように内側へ移動し、端部 133及び134が矢印で示すように外側へ移動し、それによりミクロバルーン 130内の流体がそこから矢印137で示すように押しやられ、流体137を使 用点まで送る。 このように、本発明は電気機械的ミクロメカニズム(ICシリコンベース又は 精密ミクロ機械的のいずれか)を提供し、それは例えば脳内動脈瘤の治療又は他 の介入臨床治療のために、カテーテルによる介入治療の応用を拡張及び改善する 。本発明のミクログリッパは、医療的応用に加えて、小物体のミクロ組立て、小 物体の遠隔及び精密操作などの非医療的使用を有し、小血管などの直径250μ mの小領域内での動作可能性を有する。 本発明を例示するために特定の実施形態、材料、パラメータなどを記述してき たが、それらは限定的であることを意図してはいない。当業者は変形及び変更を 理解することができ、本発明は添付の請求の範囲の視野によってのみ限定される ことが意図される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 シアロ,ディノ,アール. アメリカ合衆国,94550 カリフォルニア 州,リヴァーモア,ダンスミューイル プ レース 1178 (72)発明者 リー,エイブラハム,ピー. アメリカ合衆国,94596 カリフォルニア 州,ウォールナット クリーク,ホワイト クリフ ウェイ 1428 (72)発明者 クルラヴィッチ,ピーター エイ. アメリカ合衆国,94024 カリフォルニア 州,ロス アルタス,ハーリントン コー ト 440

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.少なくとも一方が、関連する物体を把持する一対の部材と、 前記関連する物体を把持するように接触した状態で前記部材を保持し、且つ、 関連する物体を把持するように接触した状態から前記部材を解放する手段と、を 有することを特徴とするミクログリッパ。 2.前記一対の部材は、一対のコイルを有することを特徴とする請求項1に記載 のミクログリッパ。 3.前記一対のコイルの一方のコイルは他方のコイルより大きいことを特徴とす る請求項2に記載のミクログリッパ。 4.前記部材は一対のグリップアームを有し、前記グリップアームは一端にグリ ップ部材を有し、且つ、他端において一体に固定されることを特徴とする請求項 1に記載のミクログリッパ。 5.前記手段は膨張可能な部材を含むことを特徴とする請求項4に記載のミクロ グリッパ。 6.前記手段は形状記憶合金フィルムを含むことを特徴とする請求項4に記載の ミクログリッパ。 7.前記手段は圧縮可能な薄いフィルムを含むことを特徴とする請求項4に記載 のミクログリッパ。 8.前記手段は、さらに形状記憶合金ワイヤを含むことを特徴とす る請求項7に記載のミクログリッパ。 9.前記グリップアームの各々は、自身の外部を夫々に対して曲げることが可能 な手段を含むことを特徴とする請求項4に記載のミクログリッパ。 10.前記グリップアームは、それらの間に中空チャンネルを規定することを特 徴とする請求項4記載のミクログリッパ。 11.前記グリップアームの各々は、前記グリップ部材と間隔を有して配置され た押し付けパッドを有することを特徴とする請求項4に記載のミクログリッパ。 12.前記一対のグリップアームはシリコンにより構成されていることを特徴と する請求項4に記載のミクログリッパ。 13.前記一対の部材は、直径250μm程度の領域内で動作可能な断面を有す ることを特徴とする請求項1に記載のミクログリッパ。 14.生体組織サンプラー又は介入治療に使用するカテーテルの前端部に装着す るミクロメカニズムにおいて、 一端部において接続され、他端部において移動する一対の部材と、 前記他端部を移動させる手段と、を有し、前記一対の部材の各々は、前記他端 部に配置された少なくとも一つのつかみ具を有することを特徴とするミクロメカ ニズム。 15.前記一対の部材の各々は、前記つかみ具に対して間隔を有し て配置された押し付けパッドを有することを特徴とする請求項14に記載のミク ロメカニズム。 16.前記一対の部材の各々は、カンチレバー部を有することを特徴とする請求 項14に記載のミクロメカニズム。 17.前記他端部を移動させる手段は、膨張可能な部材であることを特徴とする 請求項16に記載のミクロメカニズム。 18.前記他端部を移動させる手段は、複数の形状記憶合金を含むことを特徴と する請求項14に記載のミクロメカニズム。 19.前記複数の形状記憶合金はワイヤの形状であり、前記一対の部材は、前記 ワイヤが除去可能に挿入される手段を含むことを特徴とする請求項18に記載の ミクロメカニズム。 20.前記複数の形状記憶合金は、フィルムの形状であることを特徴とする請求 項18に記載のミクロメカニズム。 21.前記フィルムは、前記一対の部材の各々の面に沿って延在することを特徴 とする請求項20に記載のミクロメカニズム。 22.前記フィルムは、前記一対の部材の各々の外面上に配置されることを特徴 とする請求項21に記載のミクロメカニズム。 23.前記一対の部材は、前記接続された端部を通じる中空チャンネルを形成す るように構成されることを特徴とする請求項22に記 載のミクロメカニズム。 24.前記フィルムは、前記一対の部材の各々の内面上に配置されることを特徴 とする請求項21に記載のミクロメカニズム。 25.前記一対の部材の各々は、前記フィルムに近接して配置された、断面の小 さい部分を含むことを特徴とする請求項24に記載のミクロメカニズム。 26.前記一対の部材の各々は、圧縮可能なフィルムを含む部分を有することを 特徴とする請求項19に記載のミクロメカニズム。 27.前記一対の部材の間に流体を含む手段を有し、前記一対の部材の移動が前 記手段からの流体を移動させることを特徴とする請求項1に記載のミクログリッ パ。 28.前記一対の部材を移動させる加熱手段を有することを特徴とする請求項1 に記載のミクログリッパ。 29.前記一対の部材の各々の上に配置された形状記憶合金フィルムを有し、前 記加熱手段は、前記形状記憶合金フィルムを移動させることにより前記一対の部 材を移動させることを特徴とする請求項28に記載のミクログリッパ。 30.前記一対の部材は、Au−Si共晶接合により一体に接合されることを特 徴とする請求項1に記載のミクログリッパ。 31.前記一対の部材の共晶接合は、少なくとも一つのSi部材上に接着層を析 出し、接着層のAu層を析出し、Au層の共晶点を焼なまし、Si部材を一定時 間加圧して高度に均一且つ固い接合を形成することを特徴とする請求項30に記 載のミクログリッパ。
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