JP2002502465A - 蒸気発生および膜析出のための方法及び装置 - Google Patents
蒸気発生および膜析出のための方法及び装置Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. ある選定された試薬の蒸気をその中に搬送する気体流源をつくるための装 置であって:選定試薬を含む小滴からなるエアゾールを気体流中に発生させるた めのエアゾール発生器;その気体流中に搬送されている小滴の気化を生じさせて それにより気体流が小滴から作られた蒸気を搬送して気化室から出るように、あ る温度に加熱され、気体流が通過させられる加熱表面を有する気化室;及びその 気化室から気体流を受け入れるための別個の化学蒸着(CVD)室;を含む上記 装置。 2. エアゾール発生器が、ノズル、気体流を作るためにそのノズルを介して放 出するように接続された圧縮気体源、そのノズルに開口した通路であって、試薬 含有液体がその通路に流入して気体流内で液体試薬の小滴を形成する通路、を有 する請求の範囲1の装置。 3. エアゾール発生器が、実質的に周囲室温である請求の範囲1の装置。 4. エアゾール発生器及び気化室が単一のハウジング内に装着され小滴が直接 に気化室に噴霧され、エアゾール発生器への熱移動を低減するための気化室とエ アゾール発生器との間の断熱壁、請求の範囲1の装置。 5. エアゾール発生器が、圧縮気体を受け入れそのノズルの出口側で額ジェッ トを形成するノズル;試薬含有液体に開口したアトマイズ化領域であって、液体 を流入させて、気体流をなす気体ジェットと組み合わさってエアゾールを作るア トマイズ化領域;を含む請求の範囲1の装置。 6. 請求の範囲5の装置及びエアゾール発生器のアトマイズ化領域への液体試 薬の流入を制御する弁、該弁は、液体試薬にそして選択的に圧縮気体源に接続可 能である。 7. エアゾール発生器が、試薬を含む液体を運ぶための通路を有し、その通路 が入口端部、その入口端部に接続された弁を有し、その弁が液体試薬源及び溶剤 源に選択的に接続されうる請求の範囲6の装置。 8. 請求の範囲3の装置及と出口及びCVD室の間で乱流混合を生じさせる制 限。 9. 既知の試薬を有する、化学蒸着用蒸気及びガス混合物を形成する方法であ って、試薬を含む液体のエアゾールを作り、そのエアゾールを加熱された囲い内 に導入して液体試薬を気化させ、ガスと形成された蒸気をその気化室から出して 別個の化学蒸着用室中へ入れる、工程を含む上記方法。 10.気化室の表面を所望の温度にまで加熱し、ガスがエアゾール中の小滴を気 化して蒸気を形成するために熱を移行するようにその表面を横切ってエアゾール を通過させる工程を含む請求の範囲9の方法。 11.ガス及び気化室で形成された蒸気がCVD室に導入される前に乱流混合を 生じさせる制限を介して、そのガス及び形成された蒸気を通過させる工程をふく む請求の範囲10の方法。 12.気化室及びCVD室を異なる圧力に維持する工程を含む請求の範囲11の 方法。 13.気化室及びCVD室を異なる温度に維持する工程を含む請求の範囲11の 方法。 14.超音波エアゾール発生器を用いてエアゾールを形成し、小滴とそれらの小 滴を運ぶためのガス流を作るために超音波トランスデューサーを用い、そして形 成されたエアゾールを気化室へ送る工程を含む請求の範囲10の方法。 15.10ミクロンより大きい小滴を含むエアゾールを気化室中へスプレーして ガス混合物を形成する工程を請求の範囲9の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US86734097A | 1997-06-02 | 1997-06-02 | |
US08/867,340 | 1997-06-02 | ||
PCT/US1998/011090 WO1998055668A1 (en) | 1997-06-02 | 1998-06-01 | Method and apparatus for vapor generation and film deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002502465A true JP2002502465A (ja) | 2002-01-22 |
JP2002502465A5 JP2002502465A5 (ja) | 2005-12-22 |
Family
ID=25349592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50264499A Ceased JP2002502465A (ja) | 1997-06-02 | 1998-06-01 | 蒸気発生および膜析出のための方法及び装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002502465A (ja) |
DE (1) | DE19882473T1 (ja) |
WO (1) | WO1998055668A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6045864A (en) | 1997-12-01 | 2000-04-04 | 3M Innovative Properties Company | Vapor coating method |
US6012647A (en) * | 1997-12-01 | 2000-01-11 | 3M Innovative Properties Company | Apparatus and method of atomizing and vaporizing |
FR2900070B1 (fr) | 2006-04-19 | 2008-07-11 | Kemstream Soc Par Actions Simp | Dispositif d'introduction ou d'injection ou de pulverisation d'un melange de gaz vecteur et de composes liquides et procede de mise en oeuvre dudit dispositif. |
DE102012203212A1 (de) * | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Beschichtungsanlage und verfahren zur durchführung eines aufwachsprozesses |
DE102016225257A1 (de) | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Verdampfen eines Ausgangsstoffs |
CN110965026A (zh) * | 2018-09-30 | 2020-04-07 | 深圳市引擎门科技有限公司 | 蒸汽连供系统及方法 |
SE543029C2 (en) * | 2018-11-16 | 2020-09-29 | Stora Enso Oyj | Method for hydrophobizing a cellulose substrate by utilizing a fatty acid halide |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0058571A1 (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-25 | National Research Development Corporation | Method and apparatus for delivering a controlled flow rate of reactant to a vapour deposition process |
US4970093A (en) * | 1990-04-12 | 1990-11-13 | University Of Colorado Foundation | Chemical deposition methods using supercritical fluid solutions |
JP3222518B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2001-10-29 | キヤノン株式会社 | 液体原料気化装置および薄膜形成装置 |
DE69218152T2 (de) * | 1991-12-26 | 1997-08-28 | Canon Kk | Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung |
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-
1998
- 1998-06-01 DE DE19882473T patent/DE19882473T1/de not_active Ceased
- 1998-06-01 JP JP50264499A patent/JP2002502465A/ja not_active Ceased
- 1998-06-01 WO PCT/US1998/011090 patent/WO1998055668A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19882473T1 (de) | 2002-01-31 |
WO1998055668A1 (en) | 1998-12-10 |
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A521 | Written amendment |
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A601 | Written request for extension of time |
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|
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|
A02 | Decision of refusal |
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