JP2002372487A - ガスセンサ - Google Patents
ガスセンサInfo
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- JP2002372487A JP2002372487A JP2001178918A JP2001178918A JP2002372487A JP 2002372487 A JP2002372487 A JP 2002372487A JP 2001178918 A JP2001178918 A JP 2001178918A JP 2001178918 A JP2001178918 A JP 2001178918A JP 2002372487 A JP2002372487 A JP 2002372487A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電振動体を使用したガスセンサにおいて、
測定精度を高め、また製造コストを低下させる。 【解決手段】 両面に電極１１を設けた板状の圧電振動
体１０の外側を内部にガスを保持するガス保持層１５に
より覆い、ガス保持層の外側をガスを透過させるガス透
過膜１６によりさらに覆うことによりガスセンサを形成
し、圧電振動体の共振周波数の変化を検出することによ
り、それが置かれた雰囲気中のガスの濃度を検出する。
ガス透過膜は水素を選択的に透過させる水素透過膜とす
るのがよい。また、ガス保持層は絶縁材料よりなるもの
とするのがよい。
測定精度を高め、また製造コストを低下させる。 【解決手段】 両面に電極１１を設けた板状の圧電振動
体１０の外側を内部にガスを保持するガス保持層１５に
より覆い、ガス保持層の外側をガスを透過させるガス透
過膜１６によりさらに覆うことによりガスセンサを形成
し、圧電振動体の共振周波数の変化を検出することによ
り、それが置かれた雰囲気中のガスの濃度を検出する。
ガス透過膜は水素を選択的に透過させる水素透過膜とす
るのがよい。また、ガス保持層は絶縁材料よりなるもの
とするのがよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電振動体を使用
したガスセンサに関する。
したガスセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のガスセンサとしては、特開平２
−１１０３４１号公報に開示された水素ガスセンサがあ
る。これは、水晶振動子の表面に水素ガスを吸蔵するパ
ラジウムのスパッタリング膜を形成してなるものであ
る。この水素ガスセンサが置かれた雰囲気中の水素ガス
は、その濃度に応じて水晶振動子表面のパラジウム膜に
吸着され、この吸着によるパラジウム膜の重量変化に応
じて水晶振動子の共振周波数が変化する。この水素ガス
センサは、この共振周波数の変化を測定することにより
雰囲気中の水素ガス濃度を測定するものである。
−１１０３４１号公報に開示された水素ガスセンサがあ
る。これは、水晶振動子の表面に水素ガスを吸蔵するパ
ラジウムのスパッタリング膜を形成してなるものであ
る。この水素ガスセンサが置かれた雰囲気中の水素ガス
は、その濃度に応じて水晶振動子表面のパラジウム膜に
吸着され、この吸着によるパラジウム膜の重量変化に応
じて水晶振動子の共振周波数が変化する。この水素ガス
センサは、この共振周波数の変化を測定することにより
雰囲気中の水素ガス濃度を測定するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな水晶振動子の表面に形成できるパラジウム等の被膜
には重量の限界（例えば、面積が０．１９６cm２ の水
晶振動子１０の場合、１mg程度まで）があり、それを越
えると「周波数−振幅」共振特性曲線が平坦に近づいて
共振周波数の読取りが難しくなるので水素ガス濃度の検
出が困難になる。パラジウムは比重が１２．０２と大き
いので重量が制限されることにより容積を大きくするこ
とができず、これにより水素ガスの吸着量も少なく、従
って共振周波数の変化も少ないので、上述した従来技術
による水素ガスセンサは濃度の測定精度が低いという問
題があった。また水素ガスを吸蔵するパラジウム等の金
属は高価であるので、製造されるガスセンサの価格が上
昇するという問題もあった。本発明はこのような問題を
解決することを目的とする。
うな水晶振動子の表面に形成できるパラジウム等の被膜
には重量の限界（例えば、面積が０．１９６cm２ の水
晶振動子１０の場合、１mg程度まで）があり、それを越
えると「周波数−振幅」共振特性曲線が平坦に近づいて
共振周波数の読取りが難しくなるので水素ガス濃度の検
出が困難になる。パラジウムは比重が１２．０２と大き
いので重量が制限されることにより容積を大きくするこ
とができず、これにより水素ガスの吸着量も少なく、従
って共振周波数の変化も少ないので、上述した従来技術
による水素ガスセンサは濃度の測定精度が低いという問
題があった。また水素ガスを吸蔵するパラジウム等の金
属は高価であるので、製造されるガスセンサの価格が上
昇するという問題もあった。本発明はこのような問題を
解決することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このために、本発明によ
るガスセンサは、両面に電極を設けた板状の圧電振動体
の外側を内部にガスを保持するガス保持層により覆い、
ガス保持層の外側をガスを透過させるガス透過膜により
さらに覆ってなり、圧電振動体の共振周波数の変化を検
出することにより、圧電振動体が置かれた雰囲気中のガ
スの濃度を検出することを特徴とするものである。
るガスセンサは、両面に電極を設けた板状の圧電振動体
の外側を内部にガスを保持するガス保持層により覆い、
ガス保持層の外側をガスを透過させるガス透過膜により
さらに覆ってなり、圧電振動体の共振周波数の変化を検
出することにより、圧電振動体が置かれた雰囲気中のガ
スの濃度を検出することを特徴とするものである。
【０００５】本発明によるガスセンサのガス透過膜は水
素を選択的に透過させる水素透過膜とすることが好まし
い。
素を選択的に透過させる水素透過膜とすることが好まし
い。
【０００６】また本発明によるガスセンサのガス保持層
は絶縁材料よりなるものとすることが好ましい。
は絶縁材料よりなるものとすることが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるガスセンサの
第１の実施の形態を示すものである。先ずＡＴカットし
た薄い板状の水晶振動子（圧電振動体）１０（面積は
０．１９６cm２）の両面に電極１１を固着したものを、
ポリビニルアルコール水溶液に１秒間浸漬させてから引
き上げて、水晶振動子１０および両電極１１全体の外側
を覆うポリビニルアルコール樹脂よりなるガス保持層１
５（厚さ約５μm ）を形成する。次いで真空蒸着法によ
り、ガス保持層１５の外側を覆うパラジウムなどの水素
貯蔵合金よりなるガス透過膜１６（厚さ１０nm）を形成
する。そして各電極１１に対する導線接続部となるガス
透過膜１６およびガス保持層１５の小部分を除去して各
電極１１に導線を接続し、必要により樹脂により埋めて
絶縁する。これにより第１の実施の形態によるガスセン
サは完成する。
第１の実施の形態を示すものである。先ずＡＴカットし
た薄い板状の水晶振動子（圧電振動体）１０（面積は
０．１９６cm２）の両面に電極１１を固着したものを、
ポリビニルアルコール水溶液に１秒間浸漬させてから引
き上げて、水晶振動子１０および両電極１１全体の外側
を覆うポリビニルアルコール樹脂よりなるガス保持層１
５（厚さ約５μm ）を形成する。次いで真空蒸着法によ
り、ガス保持層１５の外側を覆うパラジウムなどの水素
貯蔵合金よりなるガス透過膜１６（厚さ１０nm）を形成
する。そして各電極１１に対する導線接続部となるガス
透過膜１６およびガス保持層１５の小部分を除去して各
電極１１に導線を接続し、必要により樹脂により埋めて
絶縁する。これにより第１の実施の形態によるガスセン
サは完成する。
【０００８】このようにして得られたガスセンサを水素
ガスを含む雰囲気中に置けば、雰囲気中の水素分子はガ
スセンサ表面の水素貯蔵合金よりなるガス透過膜１６上
で水素原子に解離され、原子状態でガス透過膜１６内を
透過して、ガス保持層１５内に取り込まれる。ガス保持
層１５内に取り込まれる水素原子の量は雰囲気中の水素
ガスの濃度に応じた値となり、ガス保持層１５の重量は
この水素原子の取り込み量に応じて変化する。一方、水
晶振動子１０の共振周波数は、式 ΔＦ＝Ｋ・Δｍ ただし ΔＦ：共振周波数の変化 Ｋ ：定数 Δｍ：表面の被膜の重量変化 に示すように、水晶振動子１０の表面の被膜の重量変化
に応じて変化する。従って、水晶振動子１０の共振周波
数は、雰囲気中の水素ガスの濃度に応じて変化する。
ガスを含む雰囲気中に置けば、雰囲気中の水素分子はガ
スセンサ表面の水素貯蔵合金よりなるガス透過膜１６上
で水素原子に解離され、原子状態でガス透過膜１６内を
透過して、ガス保持層１５内に取り込まれる。ガス保持
層１５内に取り込まれる水素原子の量は雰囲気中の水素
ガスの濃度に応じた値となり、ガス保持層１５の重量は
この水素原子の取り込み量に応じて変化する。一方、水
晶振動子１０の共振周波数は、式 ΔＦ＝Ｋ・Δｍ ただし ΔＦ：共振周波数の変化 Ｋ ：定数 Δｍ：表面の被膜の重量変化 に示すように、水晶振動子１０の表面の被膜の重量変化
に応じて変化する。従って、水晶振動子１０の共振周波
数は、雰囲気中の水素ガスの濃度に応じて変化する。
【０００９】上述のようにして得られたガスセンサを、
常温常圧下で、水素ガス０％の雰囲気中と、水素ガス１
００％の雰囲気中において共振周波数測定装置により水
晶振動子１０の共振周波数を測定したところ、水素ガス
０％の雰囲気中では５３２５２１Hzであったのに対し、
水素ガス１００％の雰囲気中では５２３５６１Hzとな
り、−８９６０Hzという大きな共振周波数の変化が得ら
れた。これに対し前述した従来技術によるガスセンサの
一例では、水晶振動子１０の共振周は波数水素ガス０％
の雰囲気中では４６２９７１Hzであったのに対し、水素
ガス１００％の雰囲気中では４５９９４１Hzであり、共
振周波数の変化は−３０３０Hzであった。
常温常圧下で、水素ガス０％の雰囲気中と、水素ガス１
００％の雰囲気中において共振周波数測定装置により水
晶振動子１０の共振周波数を測定したところ、水素ガス
０％の雰囲気中では５３２５２１Hzであったのに対し、
水素ガス１００％の雰囲気中では５２３５６１Hzとな
り、−８９６０Hzという大きな共振周波数の変化が得ら
れた。これに対し前述した従来技術によるガスセンサの
一例では、水晶振動子１０の共振周は波数水素ガス０％
の雰囲気中では４６２９７１Hzであったのに対し、水素
ガス１００％の雰囲気中では４５９９４１Hzであり、共
振周波数の変化は−３０３０Hzであった。
【００１０】この第１の実施の形態によれば、ガス透過
膜１６に使用するパラジウムは比重が１２．０２と大き
いのに対し、ガス保持層１５に使用するポリビニルアル
コールは比重が１．３１と小さく、パラジウムのガス透
過膜１６は薄い方がその機能上好ましいので、水晶振動
子１０の表面に形成できる被膜の重量の限度内において
ガス保持層１５を厚くしてその容積を大きくすることが
できる。これによりガス保持層１５内に取り込むことが
できるガスの量も増大し、上述のように大きい共振周波
数の変化が得られるのでガス濃度の測定精度を高めるこ
とができる。また高価なパラジウムよりなるガス透過膜
１６を薄くしてその使用量を減らすことができるので、
ガスセンサの製造コストを低下させることができる。
膜１６に使用するパラジウムは比重が１２．０２と大き
いのに対し、ガス保持層１５に使用するポリビニルアル
コールは比重が１．３１と小さく、パラジウムのガス透
過膜１６は薄い方がその機能上好ましいので、水晶振動
子１０の表面に形成できる被膜の重量の限度内において
ガス保持層１５を厚くしてその容積を大きくすることが
できる。これによりガス保持層１５内に取り込むことが
できるガスの量も増大し、上述のように大きい共振周波
数の変化が得られるのでガス濃度の測定精度を高めるこ
とができる。また高価なパラジウムよりなるガス透過膜
１６を薄くしてその使用量を減らすことができるので、
ガスセンサの製造コストを低下させることができる。
【００１１】この実施の形態では、ガス透過膜１６を、
水素を選択的に透過させるパラジウムよりなる水素透過
膜としたので、一般的に用途の広い水素ガスセンサを得
ることができる。
水素を選択的に透過させるパラジウムよりなる水素透過
膜としたので、一般的に用途の広い水素ガスセンサを得
ることができる。
【００１２】またこの実施の形態では、水晶振動子１０
の両面の各電極１１は、絶縁材料であるポリビニルアル
コール樹脂よりなるガス保持層１５により被覆されてい
るので、パラジウムよりなるガス透過膜１６はガス保持
層１５の外側全体を被覆しても両電極１１を短絡させる
おそれはない。従ってガス透過膜１６により被覆する際
にマスキング処理工程が不要となるので、ガスセンサの
製造コストを低下させることができる。ガス保持層１５
として使用可能な有機絶縁材料としては、ポリビニルア
ルコール樹脂の他にフェノール樹脂がある。
の両面の各電極１１は、絶縁材料であるポリビニルアル
コール樹脂よりなるガス保持層１５により被覆されてい
るので、パラジウムよりなるガス透過膜１６はガス保持
層１５の外側全体を被覆しても両電極１１を短絡させる
おそれはない。従ってガス透過膜１６により被覆する際
にマスキング処理工程が不要となるので、ガスセンサの
製造コストを低下させることができる。ガス保持層１５
として使用可能な有機絶縁材料としては、ポリビニルア
ルコール樹脂の他にフェノール樹脂がある。
【００１３】ガス保持層１５としては、上述した有機絶
縁材料の他に、無機物あるいは導電性材料も使用可能で
ある。このような材料としては炭素材料がある。図２に
示す第２の実施の形態は、このような炭素材料よりなる
ガス保持層１５を用いたガスセンサの例を示している。
この場合は、ＡＴカットした薄い板状の水晶振動子１０
両面の電極１１付近を除きマスキング処理して、炭素材
料（例えば黒鉛板）をターゲットとするスパッタリング
法により各電極１１部分だけを覆う炭素材料よりなるガ
ス保持層１５を形成する。次いでそのままのマスキング
状態で、あるいは改めてガス保持層１５付近く除きマス
キング処理を行って、第１の実施の形態と同様にして、
真空蒸着法により各ガス保持層１５部分だけを覆うパラ
ジウムよりなるガス透過膜１６を形成する。そして第１
の実施の形態と同様にして各電極１１に導線を接続すれ
ば、第２の実施の形態によるガスセンサは完成する。こ
の第２の実施の形態のガス保持層１５は導電性の炭素材
料であるが、各電極１１を覆うガス保持層１５およびガ
ス透過膜１６は別々に形成されているので、各電極１１
が短絡されることはない。
縁材料の他に、無機物あるいは導電性材料も使用可能で
ある。このような材料としては炭素材料がある。図２に
示す第２の実施の形態は、このような炭素材料よりなる
ガス保持層１５を用いたガスセンサの例を示している。
この場合は、ＡＴカットした薄い板状の水晶振動子１０
両面の電極１１付近を除きマスキング処理して、炭素材
料（例えば黒鉛板）をターゲットとするスパッタリング
法により各電極１１部分だけを覆う炭素材料よりなるガ
ス保持層１５を形成する。次いでそのままのマスキング
状態で、あるいは改めてガス保持層１５付近く除きマス
キング処理を行って、第１の実施の形態と同様にして、
真空蒸着法により各ガス保持層１５部分だけを覆うパラ
ジウムよりなるガス透過膜１６を形成する。そして第１
の実施の形態と同様にして各電極１１に導線を接続すれ
ば、第２の実施の形態によるガスセンサは完成する。こ
の第２の実施の形態のガス保持層１５は導電性の炭素材
料であるが、各電極１１を覆うガス保持層１５およびガ
ス透過膜１６は別々に形成されているので、各電極１１
が短絡されることはない。
【００１４】本発明に使用する圧電振動体１０は、上述
した各実施の形態で使用した水晶振動子に限らず、チタ
ン酸バリウム、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛などの圧電材
料を焼結して薄い板状の多結晶セラミックとしたものな
ども使用できる。またガス透過膜１６に使用できる材料
も、パラジウムのほかに、パラジウムと銀（または金、
スカンジウム、イットリウム、セリウム、サマリウム、
ガドリニウムなど）との合金および白金などがある。
した各実施の形態で使用した水晶振動子に限らず、チタ
ン酸バリウム、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛などの圧電材
料を焼結して薄い板状の多結晶セラミックとしたものな
ども使用できる。またガス透過膜１６に使用できる材料
も、パラジウムのほかに、パラジウムと銀（または金、
スカンジウム、イットリウム、セリウム、サマリウム、
ガドリニウムなど）との合金および白金などがある。
【００１５】圧電振動体１０上にガス保持層１５を形成
する方法としては、上述した実施の形態で述べた浸漬法
などの液相法の他、真空蒸着法、スパッタリング法など
のＰＶＤ法、さらにＣＶＤ法なども使用可能である。ガ
ス保持層１５上にガス透過膜１６を形成する方法も、同
様である。
する方法としては、上述した実施の形態で述べた浸漬法
などの液相法の他、真空蒸着法、スパッタリング法など
のＰＶＤ法、さらにＣＶＤ法なども使用可能である。ガ
ス保持層１５上にガス透過膜１６を形成する方法も、同
様である。
【００１６】
【発明の効果】本発明のガスセンサは、圧電振動体の外
側をガス保持層により覆い、さらにその外側をガス透過
膜により覆ったので、ガスセンサが置かれた雰囲気中の
ガスは、その濃度に応じてガス透過膜を通ってガス保持
層内に取り込まれる。この取り込みによるガス保持層の
重量変化に応じて圧電振動体の共振周波数が変化し、こ
の変化を検出することにより、圧電振動体が置かれた雰
囲気中のガスの濃度は検出される。ガス透過膜として使
用可能なパラジウム、その合金および白金などは比重が
大きいが、ガス保持層は合成樹脂や炭素材料など比重が
小さいものが使用できるので、圧電振動体の表面に形成
できる被膜に重量の限界があっても、ガス透過膜を薄く
することによりガス保持層を厚くしてその容積を大きく
することができる。従ってガス保持層内に取り込むこと
ができるガスの量も増大し、共振周波数の変化も大きく
なるので、ガス濃度の測定精度を高めることができる。
またパラジウム、その合金および白金などの高価な素材
よりなるガス透過膜を薄くしてその使用量を減らすこと
ができるので、ガスセンサの製造コストを低下させるこ
とができる。
側をガス保持層により覆い、さらにその外側をガス透過
膜により覆ったので、ガスセンサが置かれた雰囲気中の
ガスは、その濃度に応じてガス透過膜を通ってガス保持
層内に取り込まれる。この取り込みによるガス保持層の
重量変化に応じて圧電振動体の共振周波数が変化し、こ
の変化を検出することにより、圧電振動体が置かれた雰
囲気中のガスの濃度は検出される。ガス透過膜として使
用可能なパラジウム、その合金および白金などは比重が
大きいが、ガス保持層は合成樹脂や炭素材料など比重が
小さいものが使用できるので、圧電振動体の表面に形成
できる被膜に重量の限界があっても、ガス透過膜を薄く
することによりガス保持層を厚くしてその容積を大きく
することができる。従ってガス保持層内に取り込むこと
ができるガスの量も増大し、共振周波数の変化も大きく
なるので、ガス濃度の測定精度を高めることができる。
またパラジウム、その合金および白金などの高価な素材
よりなるガス透過膜を薄くしてその使用量を減らすこと
ができるので、ガスセンサの製造コストを低下させるこ
とができる。
【００１７】ガス透過膜を水素透過膜とした発明によれ
ば、一般的に用途の広い水素ガスセンサを得ることがで
きる。
ば、一般的に用途の広い水素ガスセンサを得ることがで
きる。
【００１８】またガス保持層を絶縁材料よりなるものと
した発明によれば、圧電振動体両面の電極はこの絶縁材
料により被覆され、その外側のガス透過膜による両電極
の短絡を防ぐためのマスキング処理工程が不要となるの
で、ガスセンサの製造コストを低下させることができ
る。
した発明によれば、圧電振動体両面の電極はこの絶縁材
料により被覆され、その外側のガス透過膜による両電極
の短絡を防ぐためのマスキング処理工程が不要となるの
で、ガスセンサの製造コストを低下させることができ
る。
【図１】 本発明によるガスセンサの第１の実施形態の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図２】 本発明によるガスセンサの第２の実施形態の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
１０…圧電振動体（水晶振動子）、１１…電極、１５…
ガス保持層、１６…ガス透過膜。
ガス保持層、１６…ガス透過膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 両面に電極を設けた板状の圧電振動体の
外側を内部にガスを保持するガス保持層により覆い、前
記ガス保持層の外側を前記ガスを透過させるガス透過膜
によりさらに覆ってなり、前記圧電振動体の共振周波数
の変化を検出することにより、前記圧電振動体が置かれ
た雰囲気中の前記ガスの濃度を検出することを特徴とす
るガスセンサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載のガスセンサにおいて、
前記ガス透過膜は水素を選択的に透過させる水素透過膜
であることを特徴とするガスセンサ。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のガスセ
ンサにおいて、前記ガス保持層は絶縁材料よりなること
を特徴とするガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001178918A JP2002372487A (ja) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001178918A JP2002372487A (ja) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002372487A true JP2002372487A (ja) | 2002-12-26 |
Family
ID=19019544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001178918A Pending JP2002372487A (ja) | 2001-06-13 | 2001-06-13 | ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002372487A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004066415A2 (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | The Penn State Research Foundation | Thin film semi-permeable membranes for gas sensor and catalytic applications |
| JP2009509172A (ja) * | 2005-09-22 | 2009-03-05 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | 水素センサ |
| JP2012506549A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 絶縁層を備える薄膜共振器（ｆｂａｒ）を用いて物質を検出するための装置および方法 |
| JP2015169581A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | バキュームプロダクツ株式会社 | 物性依存式圧力計及び水素濃度測定装置 |
| WO2018180793A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | ガス検知素子及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-06-13 JP JP2001178918A patent/JP2002372487A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004066415A2 (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | The Penn State Research Foundation | Thin film semi-permeable membranes for gas sensor and catalytic applications |
| WO2004066415A3 (en) * | 2003-01-23 | 2005-01-13 | Penn State Res Found | Thin film semi-permeable membranes for gas sensor and catalytic applications |
| JP2009509172A (ja) * | 2005-09-22 | 2009-03-05 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | 水素センサ |
| JP2012506549A (ja) * | 2008-10-21 | 2012-03-15 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 絶縁層を備える薄膜共振器（ｆｂａｒ）を用いて物質を検出するための装置および方法 |
| US9046464B2 (en) | 2008-10-21 | 2015-06-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Device and method for detecting a substance using a thin film resonator (FBAR) having an insulating layer |
| JP2015169581A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-09-28 | バキュームプロダクツ株式会社 | 物性依存式圧力計及び水素濃度測定装置 |
| WO2018180793A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | 富士フイルム株式会社 | ガス検知素子及びその製造方法 |
| JPWO2018180793A1 (ja) * | 2017-03-28 | 2019-11-07 | 富士フイルム株式会社 | ガス検知素子及びその製造方法 |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20041126 |
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| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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