JP2002367110A

JP2002367110A - 磁気ヘッド及び磁気記憶装置

Info

Publication number: JP2002367110A
Application number: JP2001169137A
Authority: JP
Inventors: Makoto Saito; 眞斎藤; Kazuki Okugawa; 計樹奥川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-06-05
Filing date: 2001-06-05
Publication date: 2002-12-20

Abstract

(57)【要約】【課題】高保磁力記録媒体に対し情報の高密度記録を
容易に可能とする磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記
憶装置を提供することにある。【解決手段】磁性体と磁気ギャップとからなる記録用
磁気ヘッドに於いて、磁気ギャップ部の一部を導電体と
する。この導電体に記録電流を流す構造とすることによ
り、磁気ヘッド構造を複雑にすることなく狭トラック
幅，強記録磁界の磁気ヘッドを可能とし、それを用いる
ことにより高密度磁気記憶装置の製作を容易にした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記憶装置と磁
気記憶装置に用いられる磁気ヘッド、特に記録ヘッドに
関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク装置を代表とする磁気記憶
装置では、記憶容量を増加するために記録密度の向上が
追求され続けている。この様な要求に対し、保磁力の高
い記録媒体が必要とされ、且つ、この様な高保磁力媒体
に情報を書き込むための記録特性の優れた磁気ヘッドが
必要とされている。例えば、３０ｋＢＰＭ(ＢＰＭ：１ｍｍ当たりのビット
密度)の線記録密度を実現するためには、４×１０^５Ａ/
ｍ(≒５,０００Ｏｅ)程度の保磁力(Ｈｃ)を持った記録
媒体が必要と推定される。この記録媒体に情報を記録す
るためには保磁力の約２倍にあたる８×１０^５Ａ/ｍ(≒
１０ｋＯｅ)以上の記録磁界が記録媒体表面上で必要に
なる。更に、この記録磁界を発生させるためには、磁気ヘッド
用磁性体として磁気ヘッド先端における厚さが数μｍ以
上で、且つ飽和磁束密度(Ｂｓ)が２Ｔ程度の磁性体が必
要となる。磁気ヘッド用の磁性体としては、パーマロイ
が広く知られている。このパーマロイの飽和磁束密度は
約１Ｔで前述の４×１０^５Ａ/ｍの保磁力を持った記録
媒体に情報を書き込むための磁気ヘッド用としては特性
不足である。磁気ヘッドとしての使用に耐え、且つ飽和
磁束密度(Ｂｓ)が１Ｔ以上の材料はＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等
を組成とした合金が知られているが、２Ｔ以上の飽和磁
束密度を持つ材料を得ることは困難である。従って上記
の保磁力以上の記録媒体を用いた記憶装置、即ち３０ｋ
ＢＰＭ以上の線記録密度を持った磁気記憶装置を実現す
ることは現状では極めて困難である。

【０００３】一方、記録密度を向上させる他の主要な手
段の一つとしてディスクに記録できるデータ・トラック
数を増加する方法がある。このためには狭いトラック幅
で情報を記録できる磁気ヘッドが必要とされている。例えば、１.８ｋＴＰＭ(ＴＰＭ：１ｍｍ当たりのトラッ
ク密度)のトラック密度を実現するためには約０.５μｍ
以下のトラック幅を実現させる必要がある。記録のトラ
ック幅が広すぎると情報の記録時に隣接したトラックの
情報を消去してしまい、記憶装置の信頼性を低下させて
しまう。そのため、この様な微細な寸法のトラック幅を
持った磁気ヘッドを実現するためには、磁気ヘッドの構
造、その製造方法等に種々の工夫や高精度の設備を用い
ることが必要である。

【０００４】以上述べた様な磁気ヘッドに対する性能向
上の要求に対し、次の様な改良が開示されている。例え
ば、特開平１０−１９９７２６号公報には、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅを主成分とした高飽和磁束密度(Ｂｓ=１.５〜
１.８Ｔ)を持った磁性膜の製造方法およびそれらの磁性
膜を用いた高保磁力媒体に情報を記録するための磁気ヘ
ッドが開示されている。また、狭いトラック幅の磁気ヘッドの製造方法として
は、特許第２７８４４３１号公報が開示されている。こ
の開示例では、磁極先端領域にノッチ構造体を形成する
ことでサブミクロンのトラック幅を持った磁気ヘッドの
製造方法が示されている。これらの開示例に示された磁
気ヘッドでは新規な材料や新規な構造(通常はより複雑
な構造となる)を用いることにより高記録密度に対応で
きる書き込み能力を得ており、製造が困難または複雑に
なる傾向がある。即ち、５４Ｍｂ／ｍｍ^２以上(≒３０ｋ
ＦＣＭ＊１.８ｋＴＰＭ)の記録密度の磁気記憶装置を実
現するためには前述した様に、記録ヘッドの材料、構
造、製造方法等に多大な資源を必要としているのが現状
である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高保
磁力媒体に情報を記録するための記録特性の優れた磁気
ヘッドを容易に提供することにある。本発明のもう一つの目的は、狭トラック幅を持った磁気
ヘッドを容易に提供することにある。本発明のもう一つの目的は、高保磁力媒体を備えた磁気
記憶装置を提供することにある。本発明のもう一つの目的は、１,８００ＴＰＭ以上のト
ラック密度を持った磁気記憶装置を提供することにあ
る。本発明のもう一つの目的は、５４Ｍｂ／ｍｍ^２以上の記
録密度を持った磁気記憶装置を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、本発明では下記の手段を用いた。まず、磁気記
録媒体に磁気的情報を記録する磁気ヘッドに於いて、該
磁気ヘッドは、少なくとも磁気ヘッドの磁気回路を構成
している磁性体と、記録磁界を発生する磁気ギャップ部
と、前記磁性体および前記磁気ギャップ部の記録媒体対
向面側に形成された保護膜からなり、前記磁気ギャップ
部の少なくとも一部を前記記録磁界を発生するための記
録電流を流す導電体で形成するようにした。

【０００７】また、磁気記録媒体に磁気的情報を記録す
る磁気ヘッドに於いて、該磁気ヘッドは、少なくとも磁
気ヘッドの磁気回路を構成している磁性体と記録磁界を
発生する磁気ギャップ部とからなり、前記磁気ギャップ
部の少なくとも一部を前記記録磁界を発生するための記
録電流を流す導電体で形成し、該磁気ギャップの媒体対
向面と平行方向の長さ（ギャップ長）ＧＬと、媒体対向
面と垂直方向の深さ（ギャップ深さ）ＧＤとの関係がＧ
Ｄ／ＧＬ≦３であるようにした。

【０００８】また、上記磁気ギャップ部の導電体と磁気
ヘッドの磁気回路を構成している磁性体との間に絶縁層
を形成することが望ましい。

【０００９】さらに、上記磁気ギャップ部の導電体断面
積Ｓｃと絶縁体断面積Ｓｉとの関係がＳｃ/（Ｓｃ＋Ｓ
ｉ）≧０．２であるようにした。

【００１０】さらにまた、磁気記録媒体と磁気ヘッドを
有する磁気記憶装置において、磁気記録媒体として保磁
力Ｈｃが４×１０^５Ａ/ｍ以上の磁気記録媒体を有し、
磁気記録媒体に磁気的情報を記録する磁気ヘッドとし
て、磁気ヘッドの磁気回路を構成している磁性体と記録
磁界を発生する磁気ギャップ部とからなり、前記磁気ギ
ャップ部の少なくとも一部を前記記録磁界を発生するた
めの記録電流を流す導電体で形成し、該磁気ギャップの
媒体対向面と平行方向の長さ（ギャップ長）ＧＬと、媒
体対向面と垂直方向の深さ（ギャップ深さ）ＧＤとの関
係がＧＤ／ＧＬ≦３である磁気ヘッドを有するようにし
た。

【００１１】さらに、上記磁気記録媒体の記録トラック
密度が１ｍｍあたり１,８００トラック以上であり、前
記磁気ヘッドの磁気ギャップ部の導電体断面積Ｓｃと絶
縁体断面積Ｓｉとの関係がＳｃ/（Ｓｃ＋Ｓｉ）≧０．
２であるようにした。また、上記磁気ヘッドの磁気ギャ
ップ部の導電体と磁気ヘッドの磁気回路を構成している
磁性体との間に絶縁層を形成した。

【００１２】さらに、上記磁気ヘッドの前記磁性体およ
び前記磁気ギャップの記録媒体対向面側に保護膜を形成
した。

【００１３】

【発明の実施の形態】＜実施例１＞以下に本発明の第一
の実施例を示す。図１は、磁気ヘッドの製造途中におけ
る導電体パターン形状を示す図である。非磁性基板１０
の上に２μｍ厚のパーマロイ膜４０を成膜し、更にその
上に厚さ８０ｎｍのＵ字状の導体膜２０を銅で形成し
た。中央部分２１の大きさはほぼ０.９μｍ×０.９μｍ
で、両端は徐々に広がる形状とし、電極までの導体パタ
ーンと接続が容易となる様にした。さらに導体膜２０の
中央部分２１を略覆う様に０.５μｍ幅、２.５μｍ厚の
パーマロイ膜４１を成膜した。この後、導体膜２０の中
央部分２１の高さが約２００ｎｍとなる様に切断、研磨
した。さらに、この研磨面２２に数ｎｍ厚のＳｉ膜とＣ
膜を順次形成し、浮上面の保護膜６０とした。また。本
実施例ではギャップ深さＧＤとギャップ長さＧＬとの比
が約２：１、また、導電体の断面積Ｓｃと絶縁層の断面
積Ｓｉとの関係Ｓｃ／（Ｓｉ＋Ｓｃ）は約０．６であ
る。

【００１４】図３には本実施例で作成した磁気ヘッドの
基板１０、磁性体４０、４１、磁気ギャップ部を構成す
る導電体２１、研磨面２２、保護膜６０の断面図を示
す。

【００１５】このようにして作成した磁気ヘッドを磁気
ディスクの磁性面から約２０ｎｍの浮上量で浮上させ、
導体膜２０に３０ｍＡの記録電流を流し情報を記録し
た。ここで用いた磁気ディスクの磁性膜厚は、約２０ｎ
ｍ、保磁力は４．１×１０^５Ａ／ｍ(≒５.１ｋＯｅ)で
ある。磁気ディスク上に記録した情報を別に用意したト
ラック幅０.３μｍのＧＭＲヘッドで再生した。

【００１６】このヘッドでのオーバーライト値は、−２
５ｄＢであった。この値は記録ヘッドとして約１Ｔとい
う低いＢｓ値の磁性体を用いた場合に従来の磁気記録ヘ
ッドによる記録によっては得ることのできなかった良好
な値である。

【００１７】＜実施例２＞第二の実施例として第一の実
施例の記録ヘッドに対して、さらにパーマロイ膜４０、
パーマロイ膜４１と導体膜２０、導体パターンとが電気
的に導通しないよう、それぞれの間に絶縁層５０、５１
をアルミナで形成したヘッドを作成した。

【００１８】図２には研磨面２２における断面図を示
す。アルミナ膜の厚さは、導体膜２０の中央部分２１で
は約２０ｎｍ、それ以外の部分は中央部分２１から徐々
に１５０ｎｍの厚さになる様にした。導体膜２０の電極
への接続やパターン上をアルミナ膜で覆う方法は、従来
の薄膜磁気ヘッドの製造法を用いて行った。この後、導
体膜２０の中央部分２１の高さが約２００ｎｍとなる様
に切断、研磨した。さらに、この研磨面２２に数ｎｍ厚
のＳｉ膜とＣ膜を順次形成し、浮上面の保護膜６０とし
た。

【００１９】図４には本実施例で作成した磁気ヘッドの
基板１０、磁性体４０、４１、磁気ギャップ部を構成す
る導電体２１、絶縁層であるアルミナ５０、５１、研磨
面２２、保護膜６０の断面図を示す。

【００２０】このようにして作成した磁気ヘッドを磁気
ディスクの磁性面から約２０ｎｍの浮上量で浮上させ、
導体膜２０に３０ｍＡの記録電流を流し情報を記録し
た。ここで用いた磁気ディスクの磁性膜厚は、約２０ｎ
ｍ、保磁力は４．１×１０^５Ａ／ｍ(≒５.１ｋＯｅ)で
ある。磁気ディスク上に記録した情報を別に用意したト
ラック幅０.３μｍのＧＭＲヘッドで再生した。

【００２１】このヘッドでのオーバーライト値は、−２
９ｄＢであった。この場合、第一の実施例に比し上記絶
縁層の挿入により、記録電流が導電体部分に集中するの
で記録磁界分布がよりシャープになったものと思われ
る。

【００２２】＜実施例３＞第三の実施例として第一およ
び第二の実施例の記録ヘッドに対して、導電体の中央部
分の高さを３４０ｎｍとし、ギャップ深さＧＤとギャッ
プ長さＧＬとの比が約３：１となる磁気ヘッドを作成し
た。

【００２３】このようにして作成した磁気ヘッドを磁気
ディスクの磁性面から約２０ｎｍの浮上量で浮上させ、
導体膜２０に３０ｍＡの記録電流を流し情報を記録し
た。ここで用いた磁気ディスクの磁性膜厚は、約２０ｎ
ｍ、保磁力は４．１×１０^５Ａ／ｍ(≒５.１ｋＯｅ)で
ある。磁気ディスク上に記録した情報を別に用意したト
ラック幅０.３μｍのＧＭＲヘッドで再生した。

【００２４】本実施例で作製した磁気ヘッドにおいて、
記録再生効率や記録回路に接続した際の使用可能記録周
波数の面でＧＤ／ＧＬが約２：１の場合との差は認めら
れなかった。

【００２５】また、本実施例での導電体の断面積Ｓｃと
絶縁層の断面積Ｓｉとの関係Ｓｃ／（Ｓｉ＋Ｓｃ）は第
一および第二の実施例と同じく約０．６である。この値
が大きいほど導電体の比率が大きくなり、その場合、同
じ起磁力を与える際に単位断面積当たりの電流密度を低
くでき、また、磁気回路の磁路長を短くできることにな
る。実際には駆動回路の特性も関係してくるが、一般に
はこの比率が大きい方が望ましい。前述した特開平１０
−１９９７２６号公報の図１に示されている磁気ヘッド
においてはギャップ部に導電部が配置されておらず本発
明による磁気ヘッドとは構造が異なっているため、一概
には比較できないが、コイルが配置されている部分での
この比率Ｓｃ／（Ｓｉ＋Ｓｃ）は０．２程度である。こ
のことから本発明により記録特性の優れた磁気ヘッドを
得るためにはこの比率Ｓｃ／（Ｓｉ＋Ｓｃ）が少なくと
も０．２であることが望ましい。

【００２６】＜実施例４＞第四の実施例について実施例
１〜実施例３と対比させながら示す。まず、非磁性基板
１０上に０.５μｍ幅、長さ４μｍのＮｉＦｅ膜４００
を厚さ２.５μｍで形成した。ここで用いたＮｉＦｅ膜
は、Ｎｉ４６ａｔ％の組成であり、飽和磁束密度Ｂｓは
約１.６Ｔである。実施例１〜実施例３で用いたパーマ
ロイ膜の飽和磁束密度は、約１.０Ｔであり、１.６Ｔの
磁性膜を用いることにより磁気ヘッドの作る記録磁界強
さは、１.６倍になることが期待される。このＮｉＦｅ
膜を覆う様に厚さ２μｍ以上のアルミナ膜３０を成膜し
た後、ＮｉＦｅ膜とアルミナ膜の表面の高さが、略等し
くなる様に研磨した。研磨後の膜厚は約１.９μｍであ
った。この後の製造は実施例１で述べた方法と同様の手
順で磁気ヘッドとした。但し、パーマロイ膜４１は、Ｂ
ｓ１.６ＴのＮｉＦｅ膜４１０とした。

【００２７】本実施例の磁気ヘッドで実施例１〜実施例
３と同じ磁気ディスク、ＧＭＲヘッドを用いて測定した
オーバーライト値は−４２ｄＢであった。この値は、本
発明の磁気ヘッドにおける飽和磁束密度Ｂｓ向上効果を
示すものであり、この磁気ヘッドが高記録密度記録にお
いて十分な記録特性であることを示している。

【００２８】＜実施例５＞第五の実施例として、実施例
１〜実施例３及び実施例４で示した構造とは若干異なる
磁気ヘッドの構造例を示す。図５(ａ)〜(ｅ)に製造工程
の概略を示す。 (ａ)まず、非磁性基板１０上に０.３μｍ幅（図５で紙
面に垂直方向）、長さ４μｍのＮｉＦｅ膜４００を厚さ
２.５μｍで形成した。ここで、用いたＮｉＦｅ膜は実
施例２で用いたＮｉ４６ａｔ％の組成である。 (ｂ)実施例２と同様に、このＮｉＦｅ膜を覆うように厚
さ２μｍ以上のアルミナ膜３０を成膜した後、ＮｉＦｅ
膜４００とアルミナ膜３０の表面の高さが略等しくなる
様に研磨した。この研磨面６１を図５(ｂ)に示す。本例
でもＮｉＦｅ膜４００の研磨後膜厚は約１.９μｍであ
った。 (ｃ)更に、ＮｉＦｅ膜４００を幅方向に横切る様に溝７
０(幅約１００ｎｍ、深さ約７０ｎｍ)を形成した。形成
方法としては、溝を形成する部分以外をホトレジストで
覆いエッチングする方法を用いた。 (ｄ)ホトレジスト除去後に絶縁層として、２０ｎｍ厚の
ＳｉＯ_２膜５０を全面に形成し、更にその上に溝部が埋
まる程度の厚さで導電体としての銅２０を形成した。更
に溝７０の近傍に絶縁層が残らないまでに研磨した。こ
の時、溝７０が残らない程研磨し過ぎないことに注意す
る必要がある。本実施例で残った溝７０の深さは約５０
ｎｍであった。研磨後の面６２は、ＮｉＦｅ膜４００、
アルミナ膜３０、銅２０、及び銅２０の両側に薄く露出
しているＳｉＯ_２膜５０の表面が、ほぼ等しい高さとな
る様に仕上げるのが望ましい。この研磨面６２に数ｎｍ
厚のＳｉ膜とＣ膜を順次形成して浮上面の保護膜６０と
し、この面が磁気ディスク対向面となるようスライダに
加工し、磁気ヘッドとした。

【００２９】本実施例の磁気ヘッドで実施例１〜実施例
４と同じ磁気ディスク、ＧＭＲヘッドを用いて測定した
オーバーライト値は−４０.５ｄＢであった。この値
は、記録特性としては十分であるが、実施例４の−４２
ｄＢより若干低い値である。本実施例での記録トラック
幅は約０.３μｍであり、ＧＭＲヘッドの再生トラック
幅と略同じである。このためオーバーライト測定時にお
ける若干の位置ずれのために実施例２より低い値になっ
ており、実際の記録特性は実施例２の磁気ヘッドより劣
るものではないと発明者等は推測している。

【００３０】前記実施例４で行なった記録周波数では、
特開平１０−１９９７２６号公報の図１に示されている
様な従来の磁気ヘッドでは、インダクタンスが大きく、
記録電流を流すためには、駆動回路や書き込み素子から
駆動回路間の実装を工夫する必要がある。これに対し、
実施例１から実施例５で述べてた磁気ヘッドは、１ター
ン構造でインダクタンスも小さく、従来の駆動回路及び
実装による記録が可能であり上述のＢＥＲを測定するこ
とができた。この点にも、本発明の効果を見ることがで
きる。

【００３１】＜実施例６＞次に、実施例４に示した方法
で作った磁気ヘッドを磁気ディスク装置に搭載した第六
の実施例を示す。磁気ディスク装置は外形９５ｍｍ、内
径２５ｍｍの磁気ディスク２枚及び磁気ヘッド４本を搭
載している。磁気ディスクは、実施例１から実施例５で
用いたものと同種類のディスクである。磁気ヘッドの再
生素子は、ＧＭＲヘッド、書き込み素子は、実施例２の
構造とした複合磁気ヘッドである。複合磁気ヘッドの再
生トラック幅Ｔｗｒは、０.３５±０.０５μｍである。
記録トラック幅Ｔｗｗは０.４μｍ、０.５μｍ、０.６
μｍの３種類で、公差はいずれも±０.０５μｍであ
る。これら３種類の磁気ヘッドを別々の磁気ディスク装
置に組み込み、都合３台の磁気ディスク装置を準備し
た。

【００３２】以下に述べる装置仕様は、３台とも同一
で、トラック密度は１,８００ＴＰＩ、線記録密度は最
内周で３０ｋＢＰＭ、最外周で２５.１ｋＢＰＩ、回転
数１０,０００ｒｐｍ、記録周波数は内周で３４５ＭＨ
ｚ、外周で５４３ＭＨｚである。

【００３３】この３台のディスク装置でランダムパター
ンでの記録／再生を繰り返してビットエラーレート(以
後、ＢＥＲと記す)を測定・比較した。記録トラック幅
Ｔｗｗが０.４μｍ、０.５μｍ、０.６μｍの装置での
平均ＢＥＲは各々１０^−８、１０^−８．５、１０^−６で
あった。記録トラック幅Ｔｗｗが０.６μｍの装置では
トラック密度に対し、記録トラック幅Ｔｗｗが広過ぎる
ため隣接トラックのデータを消す頻度が高く、ＢＥＲは
低くなっている。記録トラック幅Ｔｗｗが０.４μｍと
０.５μｍの装置では、この様なことは生じ難いため通
常の使用に耐え得るＢＥＲを示している。但し、記録ト
ラック幅Ｔｗｗが０.４μｍの装置では、記録トラック
幅Ｔｗｗが０.５μｍの装置より位置ずれに対するＳ／
Ｎの劣化が大きくＢＥＲは、若干悪く見えている。この
様な１,８００ＴＰＭ以上の磁気ディスク装置には、Ｔ
ｗｗが０.５μｍ以下の磁気ヘッドが必要であり、実施
例１乃至実施例３で述べた磁気ヘッドを用いることによ
り、この様な磁気ディスク装置を容易に得ることができ
る。

【００３４】

【発明の効果】以上述べてきた様に、本発明によれば磁
気ギャップ部を記録磁界発生のための記録電流を流す導
電体で構成したことにより、高保磁力媒体に情報を高記
録密度に記録するための記録特性の優れた磁気ヘッドを
容易に提供することができる。

【００３５】さらに狭トラック幅を持った磁気ヘッドを
容易に実現することができ、これらの磁気ヘッドを用い
ることにより高保磁力記録媒体を備えた高記録密度磁気
記憶装置を容易に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例で述べた磁気ヘッドの構造を示す
図である。

【図２】第二の実施例の磁気ヘッドの研磨面で見た断面
図である。

【図３】第１の実施例で述べた磁気ヘッドの断面構造を
示す図である。

【図４】第２の実施例で述べた磁気ヘッドの断面構造を
示す図である。

【図５】第５の実施例で述べた磁気ヘッドを製造する際
の工程順を示す工程概略図である。

【符号の説明】１０…基板、２０、２１…導電体(銅)、２２…研磨面、
２３…保護膜、３０…アルミナ膜、４０、４１、４０
０、４１０…磁性体(パーマロイあるいはＮｉＦｅ膜(Ｎ
ｉ４６ａｔ％))、５０、５１…絶縁膜、６０…浮上面保
護膜、７０…溝。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 5/64 Ｇ１１Ｂ 5/64 Ｆターム(参考） 5D006 BB07 5D033 BA21 BA22 BA33 BA41 5D091 AA10 BB06 CC04 HH20 5D111 AA11 AA19 AA24 BB28 CC01 CC07 CC09 CC22 CC47 FF44 KK01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも磁気ヘッドの磁気回路を構成し
ている磁性体と、記録磁界を発生する磁気ギャップ部
と、少なくとも前記磁性体および前記磁気ギャップ部の
記録媒体対向面側に形成された保護膜とからなり、前記
磁気ギャップ部の少なくとも一部が前記記録磁界発生の
ための記録電流を流す導電体で形成されたことを特徴と
する磁気ヘッド。
【請求項２】少なくとも磁気ヘッドの磁気回路を構成し
ている磁性体と、記録磁界を発生する磁気ギャップ部と
からなり、前記磁気ギャップ部の少なくとも一部が前記
記録磁界発生のための記録電流を流す導電体で形成さ
れ、該磁気ギャップのギャップ間隔（ギャップ長）ＧＬ
と、媒体対向面と垂直方向の深さ（ギャップ深さ）ＧＤ
との関係がＧＤ／ＧＬ≦３であることを特徴とする磁気
ヘッド。
【請求項３】前記磁気ギャップ部の導電体と磁気ヘッド
の磁気回路を構成している磁性体との間に絶縁層が形成
されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の磁気ヘッド。
【請求項４】前記磁気ギャップ部の導電体断面積Ｓｃと
絶縁体断面積Ｓｉとの関係がＳｃ/（Ｓｃ＋Ｓｉ）≧
０．２であることを特徴とする請求項１から請求項３の
いずれかに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】磁気記録媒体と磁気ヘッドを有する磁気記
憶装置において、磁気記録媒体が４×１０^５Ａ/ｍ以上
の保磁力Ｈｃを有し、磁気記録媒体に磁気的情報を記録
する磁気ヘッドが、磁気ヘッドの磁気回路を構成してい
る磁性体と、記録磁界を発生する磁気ギャップ部とから
なり、前記磁気ギャップ部の少なくとも一部が前記記録
磁界を発生するための記録電流を流す導電体で形成さ
れ、該磁気ギャップの媒体対向面と平行方向の長さ（ギ
ャップ長）ＧＬと、媒体対向面と垂直方向の深さ（ギャ
ップ深さ）ＧＤとの関係がＧＤ／ＧＬ≦３であることを
特徴とする磁気記憶装置。
【請求項６】上記磁気記録媒体の記録トラック密度が１
ｍｍあたり１,８００トラック以上であり、前記磁気ヘ
ッドの磁気ギャップ部の導電体断面積Ｓｃと絶縁体断面
積Ｓｉとの関係がＳｃ/（Ｓｃ＋Ｓｉ）≧０．２である
ことを特徴とする請求項５に記載の磁気記憶装置。
【請求項７】上記磁気ヘッドの磁気ギャップ部の導電体
と磁気ヘッドの磁気回路を構成している磁性体との間に
絶縁層を形成したことを特徴とする請求項５あるいは請
求項６に記載の磁気記憶装置。
【請求項８】上記磁気ヘッドの前記磁性体および前記磁
気ギャップの記録媒体対向面側に保護膜を形成したこと
を特徴とする請求項５から請求項７のいずれかに記載の
磁気記憶装置。
【請求項９】前記磁気記憶装置の記録密度が５４Ｍｂ／
ｍｍ^２以上であることを特徴とする請求項５から請求項
８のいずれかに記載の磁気記憶装置。