JP2002365603A - 光シャッタ装置 - Google Patents
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- G02F1/0305—Constructional arrangements
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- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0551—Constructional details
Abstract
(57)【要約】
【課題】 各光シャッタ素子の基板上での位置や周辺に
位置する電極のパターン形状の相違に拘わらず、各光シ
ャッタ素子ごとの透過光量のばらつきを抑えることので
きる光シャッタ装置を得る。 【解決手段】 ＰＬＺＴからなる光シャッタチップ３０
に一群の光シャッタ素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１
ｄを形成した光シャッタ装置において、共通電極３２と
個別電極３３間に一定の電圧を印加しても各素子に作用
する電界に強弱が生じるので、電界が強くなる素子ほど
電極ギャップを広く設定し、各素子の半波長電圧をほぼ
等しくする。具体的には、電界の弱い素子３１ｃの電極
ギャップは比較的狭く、電界の強い素子３１ｄの電極ギ
ャップは比較的広く設定する。
位置する電極のパターン形状の相違に拘わらず、各光シ
ャッタ素子ごとの透過光量のばらつきを抑えることので
きる光シャッタ装置を得る。 【解決手段】 ＰＬＺＴからなる光シャッタチップ３０
に一群の光シャッタ素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１
ｄを形成した光シャッタ装置において、共通電極３２と
個別電極３３間に一定の電圧を印加しても各素子に作用
する電界に強弱が生じるので、電界が強くなる素子ほど
電極ギャップを広く設定し、各素子の半波長電圧をほぼ
等しくする。具体的には、電界の弱い素子３１ｃの電極
ギャップは比較的狭く、電界の強い素子３１ｄの電極ギ
ャップは比較的広く設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光シャッタ装置、
特に、電気光学効果を有する材料からなる基板上に複数
の対向する電極を設け、該電極間を光変調領域とした光
シャッタ装置に関する。
特に、電気光学効果を有する材料からなる基板上に複数
の対向する電極を設け、該電極間を光変調領域とした光
シャッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】従来、大容量光通信用の外部光変
調器や光パルス試験器における光路切換え用スイッチ、
あるいは光プリンタの光信号発生装置には、電気光学効
果を有する材料であるＰＬＺＴ、ＬｉＮｂＯ3からなる
基板に複数の光変調領域を設け、該基板をアレイ状に配
設して光をオン、オフ制御する光シャッタ装置が用いら
れている。
調器や光パルス試験器における光路切換え用スイッチ、
あるいは光プリンタの光信号発生装置には、電気光学効
果を有する材料であるＰＬＺＴ、ＬｉＮｂＯ3からなる
基板に複数の光変調領域を設け、該基板をアレイ状に配
設して光をオン、オフ制御する光シャッタ装置が用いら
れている。
【０００３】具体的には、図５に示すように、ＰＬＺＴ
基板（光シャッタチップ）３０上に設けた一対の電極３
２，３３に電圧を印加して電界を発生させることで、Ｐ
ＬＺＴに複屈折を生じさせ、前段に配置した偏光子４１
を通じて光シャッタ素子（光変調領域）３１に入射した
光を９０°偏光させ、出射した光が検光子４２を通過す
る。一方、電界が発生していない場合、偏光子４１を通
過した光は偏光されることなく光シャッタ素子３１を透
過し、検光子４２で遮られてしまう。
基板（光シャッタチップ）３０上に設けた一対の電極３
２，３３に電圧を印加して電界を発生させることで、Ｐ
ＬＺＴに複屈折を生じさせ、前段に配置した偏光子４１
を通じて光シャッタ素子（光変調領域）３１に入射した
光を９０°偏光させ、出射した光が検光子４２を通過す
る。一方、電界が発生していない場合、偏光子４１を通
過した光は偏光されることなく光シャッタ素子３１を透
過し、検光子４２で遮られてしまう。
【０００４】このような光シャッタ素子３１において
は、入射光を９０°偏光させたときに最大の透過光量を
得ることができ、このときの印加電圧を半波長電圧と称
する。
は、入射光を９０°偏光させたときに最大の透過光量を
得ることができ、このときの印加電圧を半波長電圧と称
する。
【０００５】図６に、従来の光シャッタ装置においてチ
ップ３０上に形成された電極パターンを示す。チップ３
０上にはグランドに接地された共通電極３２とそれと対
向する個別電極３３とが形成されており、各電極３２，
３３の間が光シャッタ素子３１とされている。個別電極
３３はそれぞれ引出し電極３３ａにてボンディングパッ
ド３３ｂと接続されており、共通電極３２も引出し電極
３２ａにてボンディングパッド３２ｂと接続されてい
る。
ップ３０上に形成された電極パターンを示す。チップ３
０上にはグランドに接地された共通電極３２とそれと対
向する個別電極３３とが形成されており、各電極３２，
３３の間が光シャッタ素子３１とされている。個別電極
３３はそれぞれ引出し電極３３ａにてボンディングパッ
ド３３ｂと接続されており、共通電極３２も引出し電極
３２ａにてボンディングパッド３２ｂと接続されてい
る。
【０００６】この種の光シャッタ装置が画像の形成に使
用される場合、矢印Ｘで示す主走査方向が３０ｃｍ程度
を露光するのに数千個の光シャッタ素子３１を必要とす
る。１個のチップ３０でこれを実現することは困難であ
り、数百個の素子３１を形成したチップ３０を矢印Ｘ方
向に並置してアレイを構成する。また、２列に千鳥状に
配列された各光シャッタ素子３１は各列ごとに所定のタ
イミングでオン、オフ制御されることにより、矢印Ｙで
示す副走査方向に移動する露光面上に１ラインの画像を
形成する。
用される場合、矢印Ｘで示す主走査方向が３０ｃｍ程度
を露光するのに数千個の光シャッタ素子３１を必要とす
る。１個のチップ３０でこれを実現することは困難であ
り、数百個の素子３１を形成したチップ３０を矢印Ｘ方
向に並置してアレイを構成する。また、２列に千鳥状に
配列された各光シャッタ素子３１は各列ごとに所定のタ
イミングでオン、オフ制御されることにより、矢印Ｙで
示す副走査方向に移動する露光面上に１ラインの画像を
形成する。
【０００７】ところで、一群の光シャッタ素子３１ａ，
３１ｂ，３１ｃ，３１ｄに着目すると、これらの素子の
チップ上での位置や周辺に位置する電極の形状が異な
り、半波長電圧がばらついてしまう。即ち、素子３１
ａ，３１ｄはチップ３０の端部に位置しているため、電
極３２，３３から印加される電界が閉じこめられる傾向
にあり、他の素子３１ｂ，３１ｃ等に比べて電界が強く
作用する。一方、素子３１ｂ，３１ｃを比較すると、引
出し電極３２ａが個別電極３３の鋭角側に位置している
のか鈍角側に位置しているのか相違する。素子３１ｃは
引出し電極３２ａが個別電極３３の鋭角側に位置するた
め、鈍角側に位置する素子３１ｂに比べて、電極３２，
３３間に印加される電界が引出し電極３２ａに漏れてし
まうため、素子３１ｃは素子３１ｂに比べて電界が弱く
なる。引出し電極３２ａの影響は素子３１ａ，３１ｂに
対しても同様に作用する。
３１ｂ，３１ｃ，３１ｄに着目すると、これらの素子の
チップ上での位置や周辺に位置する電極の形状が異な
り、半波長電圧がばらついてしまう。即ち、素子３１
ａ，３１ｄはチップ３０の端部に位置しているため、電
極３２，３３から印加される電界が閉じこめられる傾向
にあり、他の素子３１ｂ，３１ｃ等に比べて電界が強く
作用する。一方、素子３１ｂ，３１ｃを比較すると、引
出し電極３２ａが個別電極３３の鋭角側に位置している
のか鈍角側に位置しているのか相違する。素子３１ｃは
引出し電極３２ａが個別電極３３の鋭角側に位置するた
め、鈍角側に位置する素子３１ｂに比べて、電極３２，
３３間に印加される電界が引出し電極３２ａに漏れてし
まうため、素子３１ｃは素子３１ｂに比べて電界が弱く
なる。引出し電極３２ａの影響は素子３１ａ，３１ｂに
対しても同様に作用する。
【０００８】各光シャッタ素子３１ａ，３１ｂ，３１
ｃ，３１ｄごとに、印加電圧に対する透過光量の関係は
図７に示すとおりである。各素子は一定の電圧で駆動さ
れるため、このように半波長電圧がばらつくと透過光量
に差を生じて光量むらとなる。例えば、光シャッタ装置
を画像の記録に用いる場合には、光量むらが画像むらと
して現れ、画像品質の低下を招来する。
ｃ，３１ｄごとに、印加電圧に対する透過光量の関係は
図７に示すとおりである。各素子は一定の電圧で駆動さ
れるため、このように半波長電圧がばらつくと透過光量
に差を生じて光量むらとなる。例えば、光シャッタ装置
を画像の記録に用いる場合には、光量むらが画像むらと
して現れ、画像品質の低下を招来する。
【０００９】そこで、本発明の目的は、光変調素子の基
板上での位置や周辺に位置する電極のパターン形状の相
違に拘わらず、各光変調領域ごとの透過光量のばらつき
を抑えることのできる光シャッタ装置を提供することに
ある。
板上での位置や周辺に位置する電極のパターン形状の相
違に拘わらず、各光変調領域ごとの透過光量のばらつき
を抑えることのできる光シャッタ装置を提供することに
ある。
【００１０】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る光シャッタ装置は、電気光学効果を有
する材料からなる基板上に複数の対向する電極を設け、
該電極間を光変調領域とした光シャッタ装置において、
基板上での位置が異なる光変調素子や周辺に位置する電
極のパターン形状が異なる光変調領域ごとに、対向する
電極の間隔及び／又は形状が異なり、各光変調領域ごと
にその半波長電圧がほぼ等しいことを特徴とする。
め、本発明に係る光シャッタ装置は、電気光学効果を有
する材料からなる基板上に複数の対向する電極を設け、
該電極間を光変調領域とした光シャッタ装置において、
基板上での位置が異なる光変調素子や周辺に位置する電
極のパターン形状が異なる光変調領域ごとに、対向する
電極の間隔及び／又は形状が異なり、各光変調領域ごと
にその半波長電圧がほぼ等しいことを特徴とする。
【００１１】本発明に係る光シャッタ装置においては、
光変調領域ごとに該光変調領域を挟んで対向する電極の
間隔及び形状の少なくとも一方を異ならせることによ
り、例えば、電界の作用が強い光変調領域に対しては電
極間隔を広げて電界の作用を弱めるように調整すること
により、光変調領域ごとにその半波長電圧をほぼ等しく
設定する。これにて、各光変調領域ごとの透過光量のば
らつきを抑えることができる。
光変調領域ごとに該光変調領域を挟んで対向する電極の
間隔及び形状の少なくとも一方を異ならせることによ
り、例えば、電界の作用が強い光変調領域に対しては電
極間隔を広げて電界の作用を弱めるように調整すること
により、光変調領域ごとにその半波長電圧をほぼ等しく
設定する。これにて、各光変調領域ごとの透過光量のば
らつきを抑えることができる。
【００１２】本発明に係る光シャッタ装置にあっては、
各光変調領域ごとに光が透過する開口を規定する窓を有
する遮光層を備えることが好ましい。この遮光層の窓は
対向する電極の間隔が最も小さい光変調領域を基準とし
て光透過開口を規定するように形成すれば、例えば、光
シャッタ装置を画像の記録に用いる場合、窓によって画
素の大きさを揃えることができる。
各光変調領域ごとに光が透過する開口を規定する窓を有
する遮光層を備えることが好ましい。この遮光層の窓は
対向する電極の間隔が最も小さい光変調領域を基準とし
て光透過開口を規定するように形成すれば、例えば、光
シャッタ装置を画像の記録に用いる場合、窓によって画
素の大きさを揃えることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光シャッタ装
置の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
置の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１４】（第１実施形態、図１参照）図１に、本発
明に係る光シャッタ装置の第１実施形態の要部を示す。
ＰＬＺＴからなる光シャッタチップ３０上に共通電極３
２及び個別電極３３を形成し、各電極３２，３３が対向
する領域を光変調領域（光シャッタ素子）３１としてい
る点は、図６に示した従来の光シャッタ装置と同様であ
る。従って、図６と同じ部材、部分には同じ符号を付
し、その説明は省略する。
明に係る光シャッタ装置の第１実施形態の要部を示す。
ＰＬＺＴからなる光シャッタチップ３０上に共通電極３
２及び個別電極３３を形成し、各電極３２，３３が対向
する領域を光変調領域（光シャッタ素子）３１としてい
る点は、図６に示した従来の光シャッタ装置と同様であ
る。従って、図６と同じ部材、部分には同じ符号を付
し、その説明は省略する。
【００１５】本第１実施形態において特徴的な点は、光
シャッタ素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄにおいて
それぞれ電極ギャップを異ならせたことにある。図６で
説明したように、これらの光シャッタ素子はチップ３０
上での位置（チップ３０の端部に位置するか否か）や、
周辺に位置する電極の形状に応じて同じ駆動電圧を印加
しても電界の強度に強弱を生じ、透過光量がばらつく。
このばらつきは図７に示す特性を有することから、各素
子３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄに対しては電極ギャ
ップを異ならせて半波長電圧がほぼ等しくなるように調
整している。
シャッタ素子３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄにおいて
それぞれ電極ギャップを異ならせたことにある。図６で
説明したように、これらの光シャッタ素子はチップ３０
上での位置（チップ３０の端部に位置するか否か）や、
周辺に位置する電極の形状に応じて同じ駆動電圧を印加
しても電界の強度に強弱を生じ、透過光量がばらつく。
このばらつきは図７に示す特性を有することから、各素
子３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄに対しては電極ギャ
ップを異ならせて半波長電圧がほぼ等しくなるように調
整している。
【００１６】即ち、電界の作用が最も弱くなる素子３１
ｃの電極ギャップを最も狭く設定し、以下、素子３１
ｂ，３１ａ，３１ｄの順に電極ギャップを広く設定して
いる。電極ギャップを異ならせる手法として、本第１実
施形態では、個別電極３３の形成位置自体をずらせてい
る。個別電極３３の形成位置はそのままで先端部３３’
のみをずらせてもよい。一方、共通電極３２の形状を変
更して電極ギャップを異ならせることもできる。
ｃの電極ギャップを最も狭く設定し、以下、素子３１
ｂ，３１ａ，３１ｄの順に電極ギャップを広く設定して
いる。電極ギャップを異ならせる手法として、本第１実
施形態では、個別電極３３の形成位置自体をずらせてい
る。個別電極３３の形成位置はそのままで先端部３３’
のみをずらせてもよい。一方、共通電極３２の形状を変
更して電極ギャップを異ならせることもできる。
【００１７】各光シャッタ素子における半波長電圧を等
しくするには、電極ギャップを異ならせる手法以外に
も、個別電極３３の面積を異ならせるようにしてもよ
い。即ち、図２に示す電極高さＨや電極幅Ｗを変更して
もよい。さらに、図３に示すように、個別電極３３に面
積調整用の穴３３ｃを形成してもよい。あるいは、電極
３３の一部を欠除するようにしてもよい。一方、共通電
極３２の対向部分の形状を変更して光シャッタ素子への
電界の作用強度を調整し、半波長電圧が等しくなるよう
に調整することもできる。
しくするには、電極ギャップを異ならせる手法以外に
も、個別電極３３の面積を異ならせるようにしてもよ
い。即ち、図２に示す電極高さＨや電極幅Ｗを変更して
もよい。さらに、図３に示すように、個別電極３３に面
積調整用の穴３３ｃを形成してもよい。あるいは、電極
３３の一部を欠除するようにしてもよい。一方、共通電
極３２の対向部分の形状を変更して光シャッタ素子への
電界の作用強度を調整し、半波長電圧が等しくなるよう
に調整することもできる。
【００１８】電極３２又は電極３３の面積が小さくなる
と素子に対して電界がかかりにくくなり、半波長電圧が
高くなる。そこで、電界の作用が比較的強い光シャッタ
素子３１ｄに対しては、個別電極３３の高さＨ及び／又
は幅Ｗを小さくして、あるいは穴３３ｃを形成して、半
波長電圧が高くなるように調整する。
と素子に対して電界がかかりにくくなり、半波長電圧が
高くなる。そこで、電界の作用が比較的強い光シャッタ
素子３１ｄに対しては、個別電極３３の高さＨ及び／又
は幅Ｗを小さくして、あるいは穴３３ｃを形成して、半
波長電圧が高くなるように調整する。
【００１９】ところで、この種の光シャッタ装置にあっ
ては、光シャッタ素子以外の領域にも電界が印加されて
光がチップを透過してしまうため、各光シャッタ素子ご
とに光が透過する開口を規定する窓を有する遮光層をチ
ップ上に設けている。遮光層は光を吸収あるいは反射す
る材料から形成されている。
ては、光シャッタ素子以外の領域にも電界が印加されて
光がチップを透過してしまうため、各光シャッタ素子ご
とに光が透過する開口を規定する窓を有する遮光層をチ
ップ上に設けている。遮光層は光を吸収あるいは反射す
る材料から形成されている。
【００２０】図８，９に従来の光シャッタ装置に設けら
れている遮光層５０を示す。図８に示す遮光層５０は窓
５１を長方形状としたもので、図９に示す遮光層５０は
窓５１を台形状としたものである。画像を形成する場
合、台形状の斜辺をＹ方向（副走査方向）に対して大き
く傾けることで、露光面上での各画素のＸ方向（主走査
方向）での連続性が向上する。
れている遮光層５０を示す。図８に示す遮光層５０は窓
５１を長方形状としたもので、図９に示す遮光層５０は
窓５１を台形状としたものである。画像を形成する場
合、台形状の斜辺をＹ方向（副走査方向）に対して大き
く傾けることで、露光面上での各画素のＸ方向（主走査
方向）での連続性が向上する。
【００２１】通常、窓５１のＹ方向は電極３２，３３の
ギャップよりも広く設定しておき、開口のＹ方向は電極
３２，３３によって規定している。これは、半波長電圧
を低くするために電極ギャップを狭くしても開口面積を
小さくしないようにするためである。窓５１のＸ方向の
幅は電極３２，３３のＸ方向の幅より狭くし、窓５１内
に均一に電界が印加されるようにしている。
ギャップよりも広く設定しておき、開口のＹ方向は電極
３２，３３によって規定している。これは、半波長電圧
を低くするために電極ギャップを狭くしても開口面積を
小さくしないようにするためである。窓５１のＸ方向の
幅は電極３２，３３のＸ方向の幅より狭くし、窓５１内
に均一に電界が印加されるようにしている。
【００２２】本第１実施形態においては、前述のよう
に、各光シャッタ素子において電極ギャップを異ならせ
ているため、遮光層を設ける場合、従来のようにＹ方向
には窓を大きくして開口を電極３２，３３によって規定
すると、開口のＹ方向の寸法が電極ギャップの差に応じ
て異なってしまう。
に、各光シャッタ素子において電極ギャップを異ならせ
ているため、遮光層を設ける場合、従来のようにＹ方向
には窓を大きくして開口を電極３２，３３によって規定
すると、開口のＹ方向の寸法が電極ギャップの差に応じ
て異なってしまう。
【００２３】そこで、本第１実施形態では、図１に示さ
れているように、電極ギャップを最も狭くした光シャッ
タ素子３１ｃの開口のＹ方向を電極３２，３３のギャッ
プで規定し、それよりもギャップの広い光シャッタ素子
３１ａ，３１ｂ，３１ｄに関しては、開口のＹ方向を遮
光層の窓５１で規定するようにした。即ち、各素子に対
応する遮光層の窓５１のＹ方向の寸法を、電極ギャップ
が最も狭い素子３１ｃを基準として同じ開口寸法が得ら
れるように設定した。これにて、各素子を透過した光に
よる露光面上における各画素の大きさを均一にすること
ができる。
れているように、電極ギャップを最も狭くした光シャッ
タ素子３１ｃの開口のＹ方向を電極３２，３３のギャッ
プで規定し、それよりもギャップの広い光シャッタ素子
３１ａ，３１ｂ，３１ｄに関しては、開口のＹ方向を遮
光層の窓５１で規定するようにした。即ち、各素子に対
応する遮光層の窓５１のＹ方向の寸法を、電極ギャップ
が最も狭い素子３１ｃを基準として同じ開口寸法が得ら
れるように設定した。これにて、各素子を透過した光に
よる露光面上における各画素の大きさを均一にすること
ができる。
【００２４】（第２実施形態、図４参照）電気光学効果
を有する材料からなる基板に電極を設けて光シャッタ素
子を構成すると、一の素子に対して設けた電極からの電
界が近接する素子にも作用して透過光量が変動するクロ
ストーク現象が問題となる。クロストークを低減する方
法としては、図６に示されているように、光シャッタ素
子の間にグランド電位の引出し電極３２ａを介在させる
方法が知られており、さらには、隣接する光シャッタ素
子をより遠ざける方法も有力である。
を有する材料からなる基板に電極を設けて光シャッタ素
子を構成すると、一の素子に対して設けた電極からの電
界が近接する素子にも作用して透過光量が変動するクロ
ストーク現象が問題となる。クロストークを低減する方
法としては、図６に示されているように、光シャッタ素
子の間にグランド電位の引出し電極３２ａを介在させる
方法が知られており、さらには、隣接する光シャッタ素
子をより遠ざける方法も有力である。
【００２５】本第２実施形態では、図４に示すように、
光シャッタチップ３０上に各光シャッタ素子３１を４列
に千鳥状に配列して隣接する素子間のクロストークの減
少を図るようにした。各光シャッタ素子３１は１列ごと
にオン、オフ制御され、副走査方向Ｙに定速移動する露
光面上では１ラインの画像を形成する。
光シャッタチップ３０上に各光シャッタ素子３１を４列
に千鳥状に配列して隣接する素子間のクロストークの減
少を図るようにした。各光シャッタ素子３１は１列ごと
にオン、オフ制御され、副走査方向Ｙに定速移動する露
光面上では１ラインの画像を形成する。
【００２６】このような４列配置の光シャッタ素子３１
において、チップ３０の両端部に位置する素子は別に考
慮するとして、第１列と第４列、第２列と第３列の素子
は周辺の電極パターンが全く同じ形状であり、電界の作
用としては同じ特性を示す。しかし、第１列と第２列、
第３列と第４列の素子をそれぞれ比較すると、即ち、共
通電極３２に対して外側列と内側列の素子では周辺の電
極パターンが異なる。内側列（第２列、第３列）の素子
３１は個別電極３３が外側列（第１列、第４列）の共通
電極３２に囲まれた状態にあり、個別電極から共通電極
に印加されるべき電界が外側列の共通電極にリークして
しまい、外側列の素子３１に比べて電界が作用しにく
く、半波長電圧が高くなる傾向にある。
において、チップ３０の両端部に位置する素子は別に考
慮するとして、第１列と第４列、第２列と第３列の素子
は周辺の電極パターンが全く同じ形状であり、電界の作
用としては同じ特性を示す。しかし、第１列と第２列、
第３列と第４列の素子をそれぞれ比較すると、即ち、共
通電極３２に対して外側列と内側列の素子では周辺の電
極パターンが異なる。内側列（第２列、第３列）の素子
３１は個別電極３３が外側列（第１列、第４列）の共通
電極３２に囲まれた状態にあり、個別電極から共通電極
に印加されるべき電界が外側列の共通電極にリークして
しまい、外側列の素子３１に比べて電界が作用しにく
く、半波長電圧が高くなる傾向にある。
【００２７】そこで、本第２実施形態では、内側列の素
子３１の電極ギャップを外側列の素子３１のそれよりも
狭く設定している。あるいは、外側列の素子３１の電極
ギャップを内側列の素子３１のそれよりも広く設定して
もよい。また、４列配列であっても、前記第１実施形態
で説明したように、チップ３０の端部に位置する素子
は、電界が強く作用する傾向にあるため、半波長電圧を
他の素子と等しくするために電極ギャップを広く設定す
る。
子３１の電極ギャップを外側列の素子３１のそれよりも
狭く設定している。あるいは、外側列の素子３１の電極
ギャップを内側列の素子３１のそれよりも広く設定して
もよい。また、４列配列であっても、前記第１実施形態
で説明したように、チップ３０の端部に位置する素子
は、電界が強く作用する傾向にあるため、半波長電圧を
他の素子と等しくするために電極ギャップを広く設定す
る。
【００２８】なお、本第２実施形態においても、半波長
電圧を揃える方法として、図２，３に示したように、電
極の形状を変更する方法を採用してもよい。
電圧を揃える方法として、図２，３に示したように、電
極の形状を変更する方法を採用してもよい。
【００２９】（他の実施形態）なお、本発明に係る光シ
ャッタ装置は前記各実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
ャッタ装置は前記各実施形態に限定するものではなく、
その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００３０】例えば、光シャッタチップの詳細な構成
や、共通電極の形状、チップを駆動回路等と共に基板上
にマウントする構成は任意である。また、電気光学効果
を有する材料は前記ＰＬＺＴ以外にも種々のものを使用
することができる。
や、共通電極の形状、チップを駆動回路等と共に基板上
にマウントする構成は任意である。また、電気光学効果
を有する材料は前記ＰＬＺＴ以外にも種々のものを使用
することができる。
【図１】本発明に係る光シャッタ装置の第１実施形態の
要部を示す平面図。
要部を示す平面図。
【図２】前記第１実施形態の変形例を示す平面図。
【図３】前記第１実施形態の他の変形例を示す平面図。
【図４】本発明に係る光シャッタ装置の第２実施形態の
要部を示す平面図。
要部を示す平面図。
【図５】光シャッタ装置の動作原理を示す説明図。
【図６】従来の光シャッタ装置における電極パターンを
示す平面図。
示す平面図。
【図７】従来の光シャッタ装置における光シャッタ素子
の印加電圧に対する透過光量の特性を示すグラフ。
の印加電圧に対する透過光量の特性を示すグラフ。
【図８】従来の光シャッタ装置に設けられている遮光層
の第１例を示す平面図。
の第１例を示す平面図。
【図９】従来の光シャッタ装置に設けられている遮光層
の第２例を示す平面図。
の第２例を示す平面図。
３０…光シャッタチップ ３１…光変調領域（光シャッタ素子） ３２…共通電極 ３３…個別電極 ５０…遮光層 ５１…窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 土井 勲 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 (72)発明者 廣本 泰之 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 BA01 CA02 DA04 EB02 HA11
Claims (2)
- 【請求項１】 電気光学効果を有する材料からなる基板
上に複数の対向する電極を設け、該電極間を光変調領域
とした光シャッタ装置において、 基板上での位置が異なる光変調素子や周辺に位置する電
極のパターン形状が異なる光変調領域ごとに、対向する
電極の間隔及び／又は形状が異なり、各光変調領域ごと
にその半波長電圧がほぼ等しいこと、 を特徴とする光シャッタ装置。 - 【請求項２】 各光変調領域ごとに光が透過する開口を
規定する窓を有する遮光層を備え、該遮光層の窓は対向
する電極の間隔が最も小さい光変調領域を基準として光
透過開口を規定していることを特徴とする請求項１記載
の光シャッタ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177813A JP2002365603A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 光シャッタ装置 |
| US10/166,393 US6661555B2 (en) | 2001-06-12 | 2002-06-11 | Light shutter device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177813A JP2002365603A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 光シャッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002365603A true JP2002365603A (ja) | 2002-12-18 |
Family
ID=19018602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001177813A Pending JP2002365603A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 光シャッタ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6661555B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002365603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019111332A1 (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光変調器、光観察装置及び光照射装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005525604A (ja) * | 2002-09-06 | 2005-08-25 | フォトニックス アーエス | 可変光減衰器の方法及びデバイス |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05107514A (ja) | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Minolta Camera Co Ltd | 光シヤツタアレイ |
| JP2001027768A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Minolta Co Ltd | 光シャッタ装置 |
| JP2001228447A (ja) * | 1999-12-08 | 2001-08-24 | Minolta Co Ltd | 光シャッタ装置 |
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001177813A patent/JP2002365603A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-11 US US10/166,393 patent/US6661555B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019111332A1 (ja) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光変調器、光観察装置及び光照射装置 |
| JPWO2019111332A1 (ja) * | 2017-12-05 | 2020-12-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光変調器、光観察装置及び光照射装置 |
| JP7229937B2 (ja) | 2017-12-05 | 2023-02-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光変調器、光観察装置及び光照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6661555B2 (en) | 2003-12-09 |
| US20020186446A1 (en) | 2002-12-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20050615 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050704 |