JP2002365596A - 複数の変調素子から成る変調器を備える光学送信器 - Google Patents
複数の変調素子から成る変調器を備える光学送信器Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 変調器の光学的性能を低下させることなく容
量を小さくすること。 【解決手段】 本発明は、電気光学変調器30が、光学
的に直列で結合されたN個の異なる制御電極を含むN個
の変調素子MNを備えること、および制御電子回路50
がN個の異なる出力にN個の同一の電気信号Qを供給す
ることができ、N個の出力のそれぞれが変調素子MNの
N個の制御電極のそれぞれに接続されることを特徴とす
る、制御電子回路50により制御される電気光学変調器
30を備える光学送信器100に関する。
量を小さくすること。 【解決手段】 本発明は、電気光学変調器30が、光学
的に直列で結合されたN個の異なる制御電極を含むN個
の変調素子MNを備えること、および制御電子回路50
がN個の異なる出力にN個の同一の電気信号Qを供給す
ることができ、N個の出力のそれぞれが変調素子MNの
N個の制御電極のそれぞれに接続されることを特徴とす
る、制御電子回路50により制御される電気光学変調器
30を備える光学送信器100に関する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高ビットレート光送
信の分野に関する。そのような環境下にあっては、光学
構成部品の通過帯域を可能な限り大きくすることが重要
である。たとえばレーザのような光学送信器の場合、そ
うするための可能な解決方法は、通常、前記送信器に組
み合わされる光学変調器の固有容量を低減させることで
ある。より詳細には本発明は、モノリシック集積、すな
わち単一の集積回路チップ上に作製される光学構成部品
の範囲内に位置する。
信の分野に関する。そのような環境下にあっては、光学
構成部品の通過帯域を可能な限り大きくすることが重要
である。たとえばレーザのような光学送信器の場合、そ
うするための可能な解決方法は、通常、前記送信器に組
み合わされる光学変調器の固有容量を低減させることで
ある。より詳細には本発明は、モノリシック集積、すな
わち単一の集積回路チップ上に作製される光学構成部品
の範囲内に位置する。
【0002】
【従来の技術】種々の光学変調器が存在する。電気吸収
変調器は、制御電圧を用いて、導波路を構成する材料の
吸収のピーク点を移動させることにより光波を振幅変調
する。2つの分岐で構成されるマッハ−ツェンダー変調
器は、2つの分岐の出口において干渉を発生させるため
に、少なくとも1つの分岐内の光波の位相を変調する。
少なくとも1つの分岐に対し制御電圧が印加され、もう
一方の分岐は場合によってはアースに接続される。
変調器は、制御電圧を用いて、導波路を構成する材料の
吸収のピーク点を移動させることにより光波を振幅変調
する。2つの分岐で構成されるマッハ−ツェンダー変調
器は、2つの分岐の出口において干渉を発生させるため
に、少なくとも1つの分岐内の光波の位相を変調する。
少なくとも1つの分岐に対し制御電圧が印加され、もう
一方の分岐は場合によってはアースに接続される。
【0003】電気吸収光学変調器(electro−a
bsorption modulatorを意味するE
AMという略号で知られている)を図1に略図で示す。
このような変調器は、それ自体先行技術においてよく知
られている。このような変調器は、(たとえばInP
の)半導体材料の基板10上にリボン(メサ)状に作製
される導波路11で構成される。導波路11は、それぞ
れ異なる種類のキャリアでドープされた半導体材料の2
つの層で囲まれた固有半導体材料の活性層12を含む。
導波路11の吸収ピーク点を動作波長側に移動するため
に制御電圧が導波路11に印加され、この電圧により、
導波路を通過する波の振幅変調を行うことができる。
bsorption modulatorを意味するE
AMという略号で知られている)を図1に略図で示す。
このような変調器は、それ自体先行技術においてよく知
られている。このような変調器は、(たとえばInP
の)半導体材料の基板10上にリボン(メサ)状に作製
される導波路11で構成される。導波路11は、それぞ
れ異なる種類のキャリアでドープされた半導体材料の2
つの層で囲まれた固有半導体材料の活性層12を含む。
導波路11の吸収ピーク点を動作波長側に移動するため
に制御電圧が導波路11に印加され、この電圧により、
導波路を通過する波の振幅変調を行うことができる。
【0004】変調器EAMの固有容量Cは式C=εε0
(l×L)/eで定義される。
(l×L)/eで定義される。
【0005】ここでlとLは、変調器の導波路11のそ
れぞれ幅と長さであり、eは導波路11の活性層12の
厚さであり、εとε0はそれぞれ誘電定数を表す。
れぞれ幅と長さであり、eは導波路11の活性層12の
厚さであり、εとε0はそれぞれ誘電定数を表す。
【0006】容量Cを低減させるためには、lまたはL
を少なくするか、eを大きくする必要がある。しかし、
物理的および光学的制約がこれらのパラメータにのしか
かる。
を少なくするか、eを大きくする必要がある。しかし、
物理的および光学的制約がこれらのパラメータにのしか
かる。
【0007】まず、導波路11内の波の伝播についての
光学的制約により導波路11の幅lが固定される。次
に、製造上の制約、より詳細にはエピタキシの制約によ
り活性層12の厚さeが固定される。さらに、厚さeを
大きくすることにより変調効果が低下するが、このこと
は求めるところのものではない。最後に、容量Cを低減
させるために導波路11の長さLが短縮されることがあ
る。しかしながら、長さLをそのように短縮すると吸収
を低減することになり、同時に構成部品の性能も低下さ
せることになる。
光学的制約により導波路11の幅lが固定される。次
に、製造上の制約、より詳細にはエピタキシの制約によ
り活性層12の厚さeが固定される。さらに、厚さeを
大きくすることにより変調効果が低下するが、このこと
は求めるところのものではない。最後に、容量Cを低減
させるために導波路11の長さLが短縮されることがあ
る。しかしながら、長さLをそのように短縮すると吸収
を低減することになり、同時に構成部品の性能も低下さ
せることになる。
【0008】離散的マッハ−ツェンダー変調器の場合、
容量低減の問題は各分岐について同じであり、本発明に
より提案される解決方法が同様に適用される。
容量低減の問題は各分岐について同じであり、本発明に
より提案される解決方法が同様に適用される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、引用
した不都合点を解決すること、すなわち、変調器の光学
的性能を低下させることなく容量を小さくすることであ
る。
した不都合点を解決すること、すなわち、変調器の光学
的性能を低下させることなく容量を小さくすることであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
は、複数の変調素子から成る電気光学変調器を備える光
学送信器であって、各素子が短い導波路長、すなわちそ
の分だけ少ない容量を有し、同じ制御電気信号によりそ
れぞれ制御される光学送信器を作製することを提案す
る。
は、複数の変調素子から成る電気光学変調器を備える光
学送信器であって、各素子が短い導波路長、すなわちそ
の分だけ少ない容量を有し、同じ制御電気信号によりそ
れぞれ制御される光学送信器を作製することを提案す
る。
【0011】より詳細には本発明は、電気光学変調器
が、光学的に直列で結合されたN個の異なる制御電極を
含むN個の変調素子を備えること、および制御電子回路
がN個の異なる出力にN個の同一の電気信号を供給する
ことができ、N個の出力のそれぞれが変調素子のN個の
制御電極のそれぞれに接続されることを特徴とする、制
御電子回路により制御される電気光学変調器を備える光
学送信器に関する。適用によれば、変調素子は電気吸収
変調器またはマッハ−ツェンダー変調器である。
が、光学的に直列で結合されたN個の異なる制御電極を
含むN個の変調素子を備えること、および制御電子回路
がN個の異なる出力にN個の同一の電気信号を供給する
ことができ、N個の出力のそれぞれが変調素子のN個の
制御電極のそれぞれに接続されることを特徴とする、制
御電子回路により制御される電気光学変調器を備える光
学送信器に関する。適用によれば、変調素子は電気吸収
変調器またはマッハ−ツェンダー変調器である。
【0012】実施形態によれば、制御電子回路は、1つ
またはM個の入力と同期したN個の出力を有するマルチ
プレクサ、または、増幅器である。
またはM個の入力と同期したN個の出力を有するマルチ
プレクサ、または、増幅器である。
【0013】有利な特徴によれば、光学送信器はモノリ
シック集積構成部品である。
シック集積構成部品である。
【0014】ある特徴によれば、制御電子回路は電気光
学変調器に組み込まれる。
学変調器に組み込まれる。
【0015】本発明の他の特徴および長所は、非限定的
な例として示し、添付の図面を参照して行う以下の記述
を読むことにより明らかになろう。
な例として示し、添付の図面を参照して行う以下の記述
を読むことにより明らかになろう。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の目的は、高ビットレート
データ送信に必要な性能を有する電気光学変調器を備え
る光学送信器を作製することである。
データ送信に必要な性能を有する電気光学変調器を備え
る光学送信器を作製することである。
【0017】変調器の容量を低減するための可能な方法
は、その導波路長を短縮することであることがわかっ
た。
は、その導波路長を短縮することであることがわかっ
た。
【0018】したがって本発明は、長さが短くしたがっ
て容量が少ない複数の変調素子MNで構成される変調器
を作製し、変調器内を伝播する光波の吸収の低下という
欠点を解消するために、これら素子を光学的に直列に配
置することを提案する。したがって、送信器から射出さ
れる光波の総吸収量は、直列接続された各変調素子内の
吸収量の和であるが、各素子の固有容量が少なくなるた
め、通過帯域は拡大される。
て容量が少ない複数の変調素子MNで構成される変調器
を作製し、変調器内を伝播する光波の吸収の低下という
欠点を解消するために、これら素子を光学的に直列に配
置することを提案する。したがって、送信器から射出さ
れる光波の総吸収量は、直列接続された各変調素子内の
吸収量の和であるが、各素子の固有容量が少なくなるた
め、通過帯域は拡大される。
【0019】本発明の実施の略図を図2に示す。例とし
て示したものは2つの変調素子M1およびM2を有する
が、本発明は、直列に配置されたN個の変調素子にも同
様に適用される。
て示したものは2つの変調素子M1およびM2を有する
が、本発明は、直列に配置されたN個の変調素子にも同
様に適用される。
【0020】レーザ等の送信器100は、波長λcの連
続光源から変調光信号Smを発信する。送信器100
は、光学的に直列に配置されたN個(例では2個)の変
調素子MN(M1、M2)から成る電気光学変調器30
を含む。
続光源から変調光信号Smを発信する。送信器100
は、光学的に直列に配置されたN個(例では2個)の変
調素子MN(M1、M2)から成る電気光学変調器30
を含む。
【0021】好ましい実施形態によれば、変調素子MN
は電気吸収変調器(EAM)で構成される。しかしなが
ら本発明は、離散的マッハ−ツェンダー変調器(MZ)
で構成される変調素子MNにも適用される。
は電気吸収変調器(EAM)で構成される。しかしなが
ら本発明は、離散的マッハ−ツェンダー変調器(MZ)
で構成される変調素子MNにも適用される。
【0022】制御電気信号Qは各変調素子MNの導波路
に印加される。制御電気信号Qは各変調素子MNに対し
同じであって、素子MN間の光信号の遅れに同調した遅
れを有する。したがって変調器30の変調素子MNは電
気的に並列に配置される。
に印加される。制御電気信号Qは各変調素子MNに対し
同じであって、素子MN間の光信号の遅れに同調した遅
れを有する。したがって変調器30の変調素子MNは電
気的に並列に配置される。
【0023】この目的のため、変調器30は、1つの入
力Eと同期したN個の出力Qを有する電子回路50によ
り制御される。このような制御回路50は先行技術にお
いて知られており、当業者であれば容易に作製すること
が可能である。たとえば1つの入力とN個の出力を有す
るマルチプレクサ、あるいは入力側において小さい振幅
(たとえば0.4ボルト)の電気信号を受信し、N個の
制御同期電気信号Q(たとえば3ないし4ボルト)を出
力する増幅回路がある。そのような増幅回路は特にG.
Martin、 E.Vergnol、 A.Care
nco、 およびA.Ramdaneの「Short
optical pulse generation
at 20 GHZ reception rate
using integrated laser −
modulators − amplifier」とい
う題名の刊行物ECOC2000、2000年9月、ミ
ュンヘンにおいて記述されている。
力Eと同期したN個の出力Qを有する電子回路50によ
り制御される。このような制御回路50は先行技術にお
いて知られており、当業者であれば容易に作製すること
が可能である。たとえば1つの入力とN個の出力を有す
るマルチプレクサ、あるいは入力側において小さい振幅
(たとえば0.4ボルト)の電気信号を受信し、N個の
制御同期電気信号Q(たとえば3ないし4ボルト)を出
力する増幅回路がある。そのような増幅回路は特にG.
Martin、 E.Vergnol、 A.Care
nco、 およびA.Ramdaneの「Short
optical pulse generation
at 20 GHZ reception rate
using integrated laser −
modulators − amplifier」とい
う題名の刊行物ECOC2000、2000年9月、ミ
ュンヘンにおいて記述されている。
【0024】本発明によれば、変調器30と制御電子回
路50とは同じ集積回路チップ上に組み込まれる。特
に、変調器は送信器100に組み込むことができる。光
学構成部品100のこのようなモノリシック集積によ
り、光波の位相外れの問題を防ぐことができる。送信器
との変調素子MNのこのようなモノリシック集積が可能
であるのは、各変調素子が同じ平行電気信号で制御され
るからであり、それにより、変調素子および送信器に共
通なアース電極が実現する。
路50とは同じ集積回路チップ上に組み込まれる。特
に、変調器は送信器100に組み込むことができる。光
学構成部品100のこのようなモノリシック集積によ
り、光波の位相外れの問題を防ぐことができる。送信器
との変調素子MNのこのようなモノリシック集積が可能
であるのは、各変調素子が同じ平行電気信号で制御され
るからであり、それにより、変調素子および送信器に共
通なアース電極が実現する。
【0025】本発明の図示例によれば、このように、長
さLで容量Cの変調器は、長さL/2の2つの変調素子
M1およびM2に置き換えられた。その結果、変調器3
0の全長は2×L/2、すなわちLとなり、吸収率の損
失はなかったことになるとともに、これら2つの変調素
子M1およびM2を直列配置にしたことにより変調器M
の固有容量がC/2に低減され、したがって送信器10
0の通過帯域が拡大した。
さLで容量Cの変調器は、長さL/2の2つの変調素子
M1およびM2に置き換えられた。その結果、変調器3
0の全長は2×L/2、すなわちLとなり、吸収率の損
失はなかったことになるとともに、これら2つの変調素
子M1およびM2を直列配置にしたことにより変調器M
の固有容量がC/2に低減され、したがって送信器10
0の通過帯域が拡大した。
【図1】先行技術の知られている電気吸収変調器の略図
である。
である。
【図2】本発明による光学送信器の構造の略図である。
10 基板 11 導波路 12 活性層 30 電気光学変調器 50 制御電子回路 100 光学送信器 E 入力 e 活性層の厚さ L 導波路の長さ l 導波路の幅 M1、M2 変調素子 Q 制御電気信号 Sm 変調光信号 λc 波長
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H079 AA02 AA12 AA13 BA01 BA03 CA05 DA02 DA16 EA05 EA07 EB15 FA03 GA01 HA15
Claims (7)
- 【請求項1】 変調器(30)が、光学的に直列に結合
されたN個の異なる制御電極を含むN個の変調素子(M
N)を備えること、および制御電子回路(50)がN個
の異なる出力にN個の同一の電気信号(Q)を供給する
ことができ、N個の出力のそれぞれが変調素子(MN)
のN個の制御電極のそれぞれに接続されることを特徴と
する、制御電子回路(50)により制御される電気光学
変調器(30)を備える光学送信器(100)。 - 【請求項2】 変調素子(MN)が電気吸収変調器(E
AM)であることを特徴とする請求項1に記載の光学送
信器。 - 【請求項3】 変調素子(MN)が離散的マッハ−ツェ
ンダー変調器(MZ)であることを特徴とする請求項1
に記載の光学送信器。 - 【請求項4】 制御電子回路(50)が、M個の入力と
同期したN個の出力を有するマルチプレクサであること
を特徴とする請求項1に記載の光学送信器。 - 【請求項5】 制御電子回路(50)が、1つの入力と
同期したN個の出力を有する増幅器であることを特徴と
する請求項1に記載の光学送信器。 - 【請求項6】 光学送信器がモノリシック集積構成部品
であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項
に記載の光学送信器。 - 【請求項7】 制御電子回路が電気光学変調器に組み込
まれることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項
に記載の光学送信器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0105758A FR2824152B1 (fr) | 2001-04-27 | 2001-04-27 | Emetteur optique comprenant un modulateur compose d'une pluralite d'elements de modulation |
FR0105758 | 2001-04-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002365596A true JP2002365596A (ja) | 2002-12-18 |
Family
ID=8862814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002123707A Withdrawn JP2002365596A (ja) | 2001-04-27 | 2002-04-25 | 複数の変調素子から成る変調器を備える光学送信器 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20020159665A1 (ja) |
EP (1) | EP1253462B1 (ja) |
JP (1) | JP2002365596A (ja) |
CN (1) | CN1453943A (ja) |
AT (1) | ATE413626T1 (ja) |
DE (1) | DE60229688D1 (ja) |
FR (1) | FR2824152B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6990256B2 (en) * | 2002-06-20 | 2006-01-24 | Triquint Technology Holding Co. | Segmented modulator for high-speed opto-electronics |
US9018984B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics S.R.L. | Driver for high speed electrical-optical modulator interface |
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