JP3020645B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- optical
- waveguides
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体装置に係り、特
に長距離大容量光伝送システムの光源に用いる光変調器
及び光変調器／半導体レーザ集積化光源に関する。現
在、長距離大容量光伝送システムの光源としては、単一
縦モード半導体レーザの直接変調方式が採用されてい
る。しかし直接変調方式においては、緩和振動時におけ
るチャーピング（時間的波長変動）現象により大きな波
長拡がりが生じるため、伝送容量を飛躍的に増大させる
ことは困難である。これに対し、半導体レーザを光源と
し光変調器を用いて変調を行う外部変調方式は、超高速
変調が可能でかつ変調時に生ずる波長チャーピングが少
ないため、近未来の長距離大容量光伝送システムの光源
として期待されている。
に長距離大容量光伝送システムの光源に用いる光変調器
及び光変調器／半導体レーザ集積化光源に関する。現
在、長距離大容量光伝送システムの光源としては、単一
縦モード半導体レーザの直接変調方式が採用されてい
る。しかし直接変調方式においては、緩和振動時におけ
るチャーピング（時間的波長変動）現象により大きな波
長拡がりが生じるため、伝送容量を飛躍的に増大させる
ことは困難である。これに対し、半導体レーザを光源と
し光変調器を用いて変調を行う外部変調方式は、超高速
変調が可能でかつ変調時に生ずる波長チャーピングが少
ないため、近未来の長距離大容量光伝送システムの光源
として期待されている。
【０００２】
【従来の技術】従来の光変調器／半導体レーザ集積化光
源としては、電界吸収型光変調器と非対称端面反射率型
のＤＦＢ（分布帰還型）レーザを同一基板上に形成した
光源や、電界吸収型光変調器と非対称λ／４シフトＤＦ
Ｂレーザを同一基板上に形成した光源等がある。
源としては、電界吸収型光変調器と非対称端面反射率型
のＤＦＢ（分布帰還型）レーザを同一基板上に形成した
光源や、電界吸収型光変調器と非対称λ／４シフトＤＦ
Ｂレーザを同一基板上に形成した光源等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の光変調器／
半導体レーザ集積化光源において、光変調器の変調周波
数は変調器の寄生容量に起因している。即ち、変調周波
数ｆは、 ｆ＝１／πＲＣ である。ここで、πは円周率、Ｒはマッチング抵抗、Ｃ
は寄生容量をそれぞれ示す。従って、この容量を低減す
ることにより、変調周波数を１０Ｇｂ／ｓまで向上させ
ることが可能である。そして更に変調周波数を向上させ
るには、容量を低減することが有効である。
半導体レーザ集積化光源において、光変調器の変調周波
数は変調器の寄生容量に起因している。即ち、変調周波
数ｆは、 ｆ＝１／πＲＣ である。ここで、πは円周率、Ｒはマッチング抵抗、Ｃ
は寄生容量をそれぞれ示す。従って、この容量を低減す
ることにより、変調周波数を１０Ｇｂ／ｓまで向上させ
ることが可能である。そして更に変調周波数を向上させ
るには、容量を低減することが有効である。
【０００４】しかしながら、現在、１０Ｇｂ／ｓ以上の
変調周波数を実現するためのパルスパターン発生器、マ
イクロストリップライン等の電気の駆動系がないため、
１０Ｇｂ／ｓ以上の高周波変調をかけることができな
い。このため、変調周波数の向上によって伝送容量を増
大させることには、一定の限界がある。そこで本発明
は、電気の駆動系の変調周波数以上の高周波変調を実現
し、伝送容量を増大させることができる光半導体装置を
提供することを目的とする。
変調周波数を実現するためのパルスパターン発生器、マ
イクロストリップライン等の電気の駆動系がないため、
１０Ｇｂ／ｓ以上の高周波変調をかけることができな
い。このため、変調周波数の向上によって伝送容量を増
大させることには、一定の限界がある。そこで本発明
は、電気の駆動系の変調周波数以上の高周波変調を実現
し、伝送容量を増大させることができる光半導体装置を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、光源からの
光信号をＮ本の導波路に分岐する分岐導波路と、前記Ｎ
本の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎずつず
れたクロック信号で駆動されるクロック信号用変調部
と、前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、所定のデー
タ信号で駆動されるデータ信号用変調部と、前記Ｎ本の
導波路の光信号を結合する合波導波路とを有し、前記Ｎ
は３以上であることを特徴とする光半導体装置によって
達成される。
光信号をＮ本の導波路に分岐する分岐導波路と、前記Ｎ
本の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎずつず
れたクロック信号で駆動されるクロック信号用変調部
と、前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、所定のデー
タ信号で駆動されるデータ信号用変調部と、前記Ｎ本の
導波路の光信号を結合する合波導波路とを有し、前記Ｎ
は３以上であることを特徴とする光半導体装置によって
達成される。
【０００６】また、基板と、前記基板上に設けられたレ
ーザ部と、前記基板上に設けられ、前記レーザ部で発振
された光信号をＮ本の導波路に分岐する分岐導波路と、
前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎ
ずつずれたクロック信号で駆動されるクロック信号用変
調部と、前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、所定の
データ信号で駆動されるデータ信号用変調部と、前記Ｎ
本の導波路の光信号を結合する合波導波路とを有し、前
記Ｎは３以上であることを特徴とする光半導体装置によ
って達成される。
ーザ部と、前記基板上に設けられ、前記レーザ部で発振
された光信号をＮ本の導波路に分岐する分岐導波路と、
前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎ
ずつずれたクロック信号で駆動されるクロック信号用変
調部と、前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、所定の
データ信号で駆動されるデータ信号用変調部と、前記Ｎ
本の導波路の光信号を結合する合波導波路とを有し、前
記Ｎは３以上であることを特徴とする光半導体装置によ
って達成される。
【０００７】
【作用】即ち本発明は、光源からの光信号が分岐導波路
によってＮ本の導波路に分岐され、これらの光信号がそ
れぞれクロック信号用変調部において位相が２π／Ｎだ
けずれた所定の周波数のクロック信号で変調されると共
に、データ信号用変調部においてそれぞれ所定のデータ
信号で変調され、その後再び合波導波路によって一つに
合流されることにより、Ｎ個のデータ信号が位相をずら
して含有される所定の周波数のＮ倍の周波数の光信号を
得ることができる。
によってＮ本の導波路に分岐され、これらの光信号がそ
れぞれクロック信号用変調部において位相が２π／Ｎだ
けずれた所定の周波数のクロック信号で変調されると共
に、データ信号用変調部においてそれぞれ所定のデータ
信号で変調され、その後再び合波導波路によって一つに
合流されることにより、Ｎ個のデータ信号が位相をずら
して含有される所定の周波数のＮ倍の周波数の光信号を
得ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例に基づいて具
体的に説明する。図１は本発明の一実施例による光半導
体装置を示す平面図である。同一の半導体基板２上に、
単一縦モード発振するＤＦＢレーザ部４と、このＤＦＢ
レーザ部４からの光を２本の導波路６ａ、６ｂに分割す
るＹ字形分岐導波路８と、またこれら２本の導波路６
ａ、６ｂが合流するＹ字形合波導波路１０とが設けられ
ている。そして２本の導波路６ａ、６ｂには、それぞれ
電気信号であるクロック信号が印加される電極を有する
クロック信号用変調部１２ａ、１２ｂと、電気信号であ
るデータ信号が印加される電極を有するデータ信号用変
調部１４ａ、１４ｂとが設けられている。更に、Ｙ字形
合波導波路１０の端面には、ＡＲ（無反射）コート１６
が設けられている。
体的に説明する。図１は本発明の一実施例による光半導
体装置を示す平面図である。同一の半導体基板２上に、
単一縦モード発振するＤＦＢレーザ部４と、このＤＦＢ
レーザ部４からの光を２本の導波路６ａ、６ｂに分割す
るＹ字形分岐導波路８と、またこれら２本の導波路６
ａ、６ｂが合流するＹ字形合波導波路１０とが設けられ
ている。そして２本の導波路６ａ、６ｂには、それぞれ
電気信号であるクロック信号が印加される電極を有する
クロック信号用変調部１２ａ、１２ｂと、電気信号であ
るデータ信号が印加される電極を有するデータ信号用変
調部１４ａ、１４ｂとが設けられている。更に、Ｙ字形
合波導波路１０の端面には、ＡＲ（無反射）コート１６
が設けられている。
【０００９】次に、図２を用いて、図１に示す光半導体
装置の動作を説明する。図２は光半導体装置に用いられ
る各種の信号を示す図である。ＤＦＢレーザ部４におい
て、図２（ａ）に示される単一縦モード光が連続的に発
振される。そしてこの光信号は、Ｙ字形分岐導波路８に
よって２分され、それぞれクロック信号用変調部１２
ａ、１２ｂに入射する。
装置の動作を説明する。図２は光半導体装置に用いられ
る各種の信号を示す図である。ＤＦＢレーザ部４におい
て、図２（ａ）に示される単一縦モード光が連続的に発
振される。そしてこの光信号は、Ｙ字形分岐導波路８に
よって２分され、それぞれクロック信号用変調部１２
ａ、１２ｂに入射する。
【００１０】一方のクロック信号用変調部１２ａは、図
２（ｂ）に示される周波数１０Ｇｂ／ｓ、即ち周期１０
０ｐｓのクロック信号で駆動されている。従って、この
クロック信号用変調部１２ａを通過した光信号は、図２
（ｃ）に示されるように、図２（ｂ）のクロック信号に
対応して周波数１０Ｇｂ／ｓとなっている。続いて、こ
の図２（ｃ）の光信号は、導波路６ａを通ってデータ信
号用変調部１４ａに入射する。このデータ信号用変調部
１４ａは、図２（ｄ）に示されるように、所定のデータ
信号で駆動される。本実施例においては、（００１０１
１０１…）のＮＲＺ信号である。従って、このデータ信
号用変調部１４ａを通過した光信号は、図２（ｅ）に示
されるように、図２（ｄ）のデータ信号によって変調さ
れた（００１０１１０１…）のＲＺ信号となっている。
２（ｂ）に示される周波数１０Ｇｂ／ｓ、即ち周期１０
０ｐｓのクロック信号で駆動されている。従って、この
クロック信号用変調部１２ａを通過した光信号は、図２
（ｃ）に示されるように、図２（ｂ）のクロック信号に
対応して周波数１０Ｇｂ／ｓとなっている。続いて、こ
の図２（ｃ）の光信号は、導波路６ａを通ってデータ信
号用変調部１４ａに入射する。このデータ信号用変調部
１４ａは、図２（ｄ）に示されるように、所定のデータ
信号で駆動される。本実施例においては、（００１０１
１０１…）のＮＲＺ信号である。従って、このデータ信
号用変調部１４ａを通過した光信号は、図２（ｅ）に示
されるように、図２（ｄ）のデータ信号によって変調さ
れた（００１０１１０１…）のＲＺ信号となっている。
【００１１】また、他方のクロック信号用変調部１２ｂ
は、図２（ｆ）に示される周波数１０Ｇｂ／ｓのクロッ
ク信号で駆動されている。この図２（ｆ）のクロック信
号は、図２（ｂ）に示されるクロック信号に対して位相
がπだけ、即ち５０ｐｓだけずれている。このため、図
２（ｂ）のクロック信号の反転したクロック信号となっ
ている。従って、このクロック信号用変調部１２ｂを通
過した光信号は、図２（ｇ）に示されるように、図２
（ｆ）のクロック信号に対応する周波数１０Ｇｂ／ｓと
なると共に、図２（ｃ）の光信号の反転した光信号とな
っている。
は、図２（ｆ）に示される周波数１０Ｇｂ／ｓのクロッ
ク信号で駆動されている。この図２（ｆ）のクロック信
号は、図２（ｂ）に示されるクロック信号に対して位相
がπだけ、即ち５０ｐｓだけずれている。このため、図
２（ｂ）のクロック信号の反転したクロック信号となっ
ている。従って、このクロック信号用変調部１２ｂを通
過した光信号は、図２（ｇ）に示されるように、図２
（ｆ）のクロック信号に対応する周波数１０Ｇｂ／ｓと
なると共に、図２（ｃ）の光信号の反転した光信号とな
っている。
【００１２】続いて、この図２（ｇ）の光信号は、導波
路６ｂを通ってデータ信号用変調部１４ｂに入射する。
このデータ信号用変調部１４ｂは、図２（ｈ）に示され
るように、所定のデータ信号で駆動される。本実施例に
おいては、（１０１０１１１０…）のＮＲＺ信号であ
る。従って、このデータ信号用変調部１４ｂを通過した
光信号は、図２（ｉ）に示されるように、図２（ｈ）の
データ信号によって変調された（１０１０１１１０…）
のＲＺ信号となっている。
路６ｂを通ってデータ信号用変調部１４ｂに入射する。
このデータ信号用変調部１４ｂは、図２（ｈ）に示され
るように、所定のデータ信号で駆動される。本実施例に
おいては、（１０１０１１１０…）のＮＲＺ信号であ
る。従って、このデータ信号用変調部１４ｂを通過した
光信号は、図２（ｉ）に示されるように、図２（ｈ）の
データ信号によって変調された（１０１０１１１０…）
のＲＺ信号となっている。
【００１３】次いで、図２（ｅ）、（ｉ）に示される２
つの光信号は、Ｙ字形合波導波路１０によって合流さ
れ、図２（ｊ）に示されるような光信号となる。即ち、
パルス幅５０ｐｓの（０１００１１００１１１１０１１
０…）のＲＺ信号となる。従って、この光信号は、周波
数が２０Ｇｂ／ｓであって、１０Ｇｂ／ｓの電気の駆動
系の周波数によって変調された２つの信号を含有してい
る。そしてこの２つの信号を含有する周波数２０Ｇｂ／
ｓの光信号が、Ｙ字形合波導波路１０端面に設けられた
ＡＲコート１６を通って出射される。
つの光信号は、Ｙ字形合波導波路１０によって合流さ
れ、図２（ｊ）に示されるような光信号となる。即ち、
パルス幅５０ｐｓの（０１００１１００１１１１０１１
０…）のＲＺ信号となる。従って、この光信号は、周波
数が２０Ｇｂ／ｓであって、１０Ｇｂ／ｓの電気の駆動
系の周波数によって変調された２つの信号を含有してい
る。そしてこの２つの信号を含有する周波数２０Ｇｂ／
ｓの光信号が、Ｙ字形合波導波路１０端面に設けられた
ＡＲコート１６を通って出射される。
【００１４】このように本実施例によれば、光源として
のＤＦＢレーザ部４から連続的発振された単一縦モード
の光信号がＹ字形分岐導波路８によって２分され、この
２つに光信号がそれぞれクロック信号用変調部１２ａ、
１２ｂにおいて位相がπだけだけずれた周波数１０Ｇｂ
／ｓのクロック信号で変調され、続いてデータ信号用変
調部１４ａ、１４ｂにおいてそれぞれ所定のデータ信号
で変調された後、Ｙ字形合波導波路１０によって合流さ
れることにより、２つの所定のデータ信号が位相をずら
して含有される周波数２０Ｇｂ／ｓの光信号を得ること
ができる。
のＤＦＢレーザ部４から連続的発振された単一縦モード
の光信号がＹ字形分岐導波路８によって２分され、この
２つに光信号がそれぞれクロック信号用変調部１２ａ、
１２ｂにおいて位相がπだけだけずれた周波数１０Ｇｂ
／ｓのクロック信号で変調され、続いてデータ信号用変
調部１４ａ、１４ｂにおいてそれぞれ所定のデータ信号
で変調された後、Ｙ字形合波導波路１０によって合流さ
れることにより、２つの所定のデータ信号が位相をずら
して含有される周波数２０Ｇｂ／ｓの光信号を得ること
ができる。
【００１５】このため、電気の駆動系の変調周波数１０
Ｇｂ／ｓの２倍の２０Ｇｂ／ｓで高周波変調を実現し、
伝送容量を２倍に増大させることができる。従って例え
ば光変調器／ＤＦＢレーザ集積化光源の小型化等を実現
に寄与することができる。なお、上記実施例において
は、光源としてＤＦＢレーザ部４を用いたが、このタイ
プのレーザに限らず、例えばＤＢＲレーザ、ＤＲレー
ザ、利得結合型レーザ等の動的単一波長レーザやファブ
リ・ペロー型レーザであってもよい。
Ｇｂ／ｓの２倍の２０Ｇｂ／ｓで高周波変調を実現し、
伝送容量を２倍に増大させることができる。従って例え
ば光変調器／ＤＦＢレーザ集積化光源の小型化等を実現
に寄与することができる。なお、上記実施例において
は、光源としてＤＦＢレーザ部４を用いたが、このタイ
プのレーザに限らず、例えばＤＢＲレーザ、ＤＲレー
ザ、利得結合型レーザ等の動的単一波長レーザやファブ
リ・ペロー型レーザであってもよい。
【００１６】また、Ｙ字形分岐導波路８を用いてＤＦＢ
レーザ部４からの光を２本の導波路６ａ、６ｂに分割す
る場合について説明したが、Ｎ（Ｎ≧３）本の導波路に
分岐する分岐導波路を用いてＮ本の導波路に分割するこ
ともできる。この場合には、クロック信号用変調部にお
けるクロック信号の位相は２π／Ｎずつずらす必要があ
る。これにより、伝送容量をＮ倍にまで向上させること
ができる。
レーザ部４からの光を２本の導波路６ａ、６ｂに分割す
る場合について説明したが、Ｎ（Ｎ≧３）本の導波路に
分岐する分岐導波路を用いてＮ本の導波路に分割するこ
ともできる。この場合には、クロック信号用変調部にお
けるクロック信号の位相は２π／Ｎずつずらす必要があ
る。これにより、伝送容量をＮ倍にまで向上させること
ができる。
【００１７】また、クロック信号用変調部１２ａ、１２
ｂとデータ信号用変調部１４ａ、１４ｂとの配置を逆に
してもよい。即ち、ＤＦＢレーザ部４からの光信号をま
ずデータ信号用変調部においてそれぞれ所定のデータ信
号で変調した後、それぞれクロック信号用変調部におい
て位相がずれたクロック信号で変調してもよい。更に、
上記実施例においては、光源としてＤＦＢレーザ部４と
それ以外の変調器部とを同一半導体基板２上に集積化し
た場合について述べたが、本発明は変調器部のみでも成
立することはいうまでもない。
ｂとデータ信号用変調部１４ａ、１４ｂとの配置を逆に
してもよい。即ち、ＤＦＢレーザ部４からの光信号をま
ずデータ信号用変調部においてそれぞれ所定のデータ信
号で変調した後、それぞれクロック信号用変調部におい
て位相がずれたクロック信号で変調してもよい。更に、
上記実施例においては、光源としてＤＦＢレーザ部４と
それ以外の変調器部とを同一半導体基板２上に集積化し
た場合について述べたが、本発明は変調器部のみでも成
立することはいうまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光源から
の光信号をＮ本の導波路に分岐する分岐導波路と、Ｎ本
の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎずれたク
ロック信号で駆動されるクロック信号用変調部と、Ｎ本
の導波路にそれぞれ設けられ、所定のデータ信号で駆動
されるデータ信号用変調部と、Ｎ本の導波路の光信号を
結合する合波導波路とを有することにより、光源からの
光信号が分岐されてそれぞれクロック信号用変調部によ
って位相が２π／Ｎだけずれたクロック信号で変調され
ると共に、データ信号用変調部によってそれぞれ所定の
データ信号で変調され、その後再び合波導波路によって
一つに合流されるため、Ｎ個のデータ信号が位相をずら
して含有される所定の周波数のＮ倍の周波数の光信号を
得ることができる。
の光信号をＮ本の導波路に分岐する分岐導波路と、Ｎ本
の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎずれたク
ロック信号で駆動されるクロック信号用変調部と、Ｎ本
の導波路にそれぞれ設けられ、所定のデータ信号で駆動
されるデータ信号用変調部と、Ｎ本の導波路の光信号を
結合する合波導波路とを有することにより、光源からの
光信号が分岐されてそれぞれクロック信号用変調部によ
って位相が２π／Ｎだけずれたクロック信号で変調され
ると共に、データ信号用変調部によってそれぞれ所定の
データ信号で変調され、その後再び合波導波路によって
一つに合流されるため、Ｎ個のデータ信号が位相をずら
して含有される所定の周波数のＮ倍の周波数の光信号を
得ることができる。
【００１９】これにより、電気の駆動系の変調周波数以
上の高周波変調を実現し、伝送容量を増大させることが
できるため、光変調器や光変調器／半導体レーザ集積化
光源の小型化等を実現することができる。
上の高周波変調を実現し、伝送容量を増大させることが
できるため、光変調器や光変調器／半導体レーザ集積化
光源の小型化等を実現することができる。
【図１】本発明の一実施例による光半導体装置を示す平
面図である。
面図である。
【図２】図１に示す光半導体装置の動作を説明するため
の図である。
の図である。
２…半導体基板 ４…ＤＦＢレーザ部 ６ａ、６ｂ…導波路 ８…Ｙ字形分岐導波路 １０…Ｙ字形合波導波路 １２ａ、１２ｂ…クロック信号用変調部 １４ａ、１４ｂ…データ信号用変調部 １６…ＡＲコート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−167524（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−135441（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−176184（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/01
Claims (2)
- 【請求項１】 光源からの光信号をＮ本の導波路に分岐
する分岐導波路と、 前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎ
ずつずれたクロック信号で駆動されるクロック信号用変
調部と、 前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、所定のデータ信
号で駆動されるデータ信号用変調部と、 前記Ｎ本の導波路の光信号を結合する合波導波路とを有
し、 前記Ｎは３以上である ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 基板と、 前記基板上に設けられたレーザ部と、 前記基板上に設けられ、前記レーザ部で発振された光信
号をＮ本の導波路に分岐する分岐導波路と、 前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、位相が２π／Ｎ
ずつずれたクロック信号で駆動されるクロック信号用変
調部と、 前記Ｎ本の導波路にそれぞれ設けられ、所定のデータ信
号で駆動されるデータ信号用変調部と、 前記Ｎ本の導波路の光信号を結合する合波導波路とを有
し、 前記Ｎは３以上である ことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11302791A JP3020645B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11302791A JP3020645B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340921A JPH04340921A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3020645B2 true JP3020645B2 (ja) | 2000-03-15 |
Family
ID=14601613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11302791A Expired - Fee Related JP3020645B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3020645B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3732371B2 (ja) | 1999-09-09 | 2006-01-05 | 沖電気工業株式会社 | 光信号発生回路 |
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1991
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