RU2317575C2 - Электроабсорбционный модулятор с широкой оптической полосой и способ модуляции оптического сигнала - Google Patents
Электроабсорбционный модулятор с широкой оптической полосой и способ модуляции оптического сигнала Download PDFInfo
- Publication number
- RU2317575C2 RU2317575C2 RU2004130500/28A RU2004130500A RU2317575C2 RU 2317575 C2 RU2317575 C2 RU 2317575C2 RU 2004130500/28 A RU2004130500/28 A RU 2004130500/28A RU 2004130500 A RU2004130500 A RU 2004130500A RU 2317575 C2 RU2317575 C2 RU 2317575C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sections
- bias voltage
- modulation
- bias
- waveguide structure
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 4
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000013139 quantization Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01708—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells in an optical wavequide structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0155—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption
- G02F1/0157—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the optical absorption using electro-absorption effects, e.g. Franz-Keldysh [FK] effect or quantum confined stark effect [QCSE]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/017—Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. superlattices, quantum wells
- G02F1/01725—Non-rectangular quantum well structures, e.g. graded or stepped quantum wells
- G02F1/0175—Non-rectangular quantum well structures, e.g. graded or stepped quantum wells with a spatially varied well profile, e.g. graded or stepped quantum wells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/16—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 series; tandem
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам модуляции оптических сигналов. Электроабсорбционный модулятор содержит волноводную структуру, включающую множество секций, при этом каждая секция имеет различную запрещенную зону и, по меньшей мере, один электрод для приложения к секции электрического смещения. В способе оптический сигнал, проходящий через волноводную структуру, модулируется с использованием множества секций, выполненных с возможностью отдельной адресации, путем подачи сигнала модуляции в одну или более секций и электрического смещения одной или более секций с помощью напряжения смещения. При этом обеспечивается заданный уровень одного или более параметров, таких как внутриимпульсная частотная модуляция, глубина модуляции и вносимые потери. Технический результат - расширение рабочего диапазона длин волн при обеспечении компактного выполнения устройства. 2 н. и 18 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Данное изобретение относится к электроабсорбционным модуляторам.
Волноводные электроабсорбционные модуляторы являются очень компактными устройствами, подходящими для модулирования света со скоростью передачи данных 10 Гб/с и выше. Они используются в оптических сетях связи с типичной дальностью действия в настоящее время 50 км с вероятным увеличением до 100-120 км в ближайшем будущем. Оптимизированные устройства можно применять в системах с еще большей дальностью действия.
Их компактные размеры (обычно длина волновода составляет несколько сотен микрон), низкое напряжение возбуждения (обычно менее 5 В) и совместимость с полупроводниковыми лазерами относительно размера мод делает их идеальными для использования в качестве внешних модуляторов. Их можно предпочтительно размещать внутри того же модуля, что и полупроводниковый лазер, или интегрировать на одном кристалле с полупроводниковым лазером.
Принцип работы электроабсорбционных модуляторов основывается на эффекте Штарка квантовой локализации в полупроводниковых устройствах с использованием квантовых ям. В структуре с квантовой ямой эффективная запрещенная зона определяется запрещенной зоной основного материала квантовой ямы и энергиями квантования электронного и дырочного уровней. Когда на устройство воздействует электрическое поле перпендикулярно яме, то эффективная запрещенная зона уменьшается и изменяется спектр поглощения. Это позволяет модулировать амплитуду света, излучаемого устройством. Когда изменяется спектр поглощения, это сопровождается изменением показателя преломления структуры (соотношение Крамера-Крëнига). Изменение показателя преломления вызывает изменение длины оптического пути, что в свою очередь вызывает динамические изменения длины волны излучаемого света. Эти изменения длины излучаемого оптического импульса известны как внутриимпульсная частотная модуляция. Внутриимпульсная частотная модуляция влияет на дальность передачи данных по оптическому волокну, зависящей от дисперсии волокна.
Компромисс между внутриимпульсной частотной модуляцией, вносимыми потерями и глубиной модуляции ограничивает диапазон рабочих длин волн.
Возбуждение электроабсорбционных модуляторов согласно уровню техники связано с единственной запрещенной зоной. Это ограничивает диапазон длин волн, в котором может работать устройство. В электрооптических модуляторах отражательного типа используются изменения показателя преломления в волноводной секции, вызываемые прилагаемыми напряжениями, и они работают в широком диапазоне длин волн. Эти устройства могут принимать форму интегрированных интерферометров (например, Маха-Цендера) или конфигурации направленных ответвителей, изготовленных в материалах, включающих ниобат лития, или полупроводниках, включающих структуры на основе GaAs и InP. Такие устройства являются очень длинными - несколько сантиметров в длину, что является существенным недостатком в системах связи, где пространство является ограниченным.
Целью данного изобретения является создание электроабсорбционного модулятора, который позволяет устранить, по меньшей мере, некоторые недостатки, присущие устройствам согласно уровню техники.
Согласно одному аспекту данное изобретение обеспечивает создание электроабсорбционного модулятора с несколькими запрещенными зонами, способного перекрывать широкий диапазон оптических волн (более 40 нм) с низкой внутриимпульсной частотной модуляцией, небольшими вносимыми потерями и большой глубиной модуляции (более 10 дБ).
Согласно другому аспекту данное изобретение обеспечивает создание способа модуляции оптического сигнала, проходящего через волновод, для обеспечения желаемых уровней внутриимпульсной частотной модуляции, глубины модуляции и вносимых потерь.
Предлагаемый электроабсорбционный модулятор имеет широкий рабочий диапазон волн, однако является компактным по сравнению с электромодулятором отражательного типа.
Электроабсорбционный модулятор согласно изобретению можно интегрировать в виде единого целого с лазерным источником света.
Согласно одному аспекту данное изобретение предлагает электроабсорбционный модулятор поглощательного типа, содержащий волноводную структуру, включающую множество секций, при этом каждая секция имеет разную запрещенную зону и по меньшей мере один электрод для приложения электрического смещения к секции.
Согласно другому аспекту данное изобретение предлагает способ модуляции оптического сигнала, проходящего через волноводную структуру, имеющую адресуемые по отдельности секции, при этом каждая секция образована из полупроводниковой среды, имеющей заданную запрещенную зону, и электрода для электрического смещения указанной среды, при этом способ содержит стадии:
электрического смещения одной или более указанных секций с помощью напряжения смещения, так чтобы обеспечить заданный уровень любого или нескольких параметров, включая внутриимпульсную частотную модуляцию, глубину модуляции и вносимые потери.
Ниже приводится описание вариантов выполнения данного изобретения в качестве примера и со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых изображено:
фиг.1(а), 1(b) и 1(с) - графики, иллюстрирующие принцип эффекта Штарка квантовой локализации;
фиг.2 - разрез вдоль осевой линии волновода устройства согласно одному варианту выполнения данного изобретения;
фиг.3 - разрез устройства в плоскости, перпендикулярной оси волновода, согласно фиг.2; и
фиг.4(а) и 4(b) - последовательная и параллельная конфигурации электроабсорбционного модулятора согласно данному изобретению на виде сверху.
Ниже приводится описание электроабсорбционного модулятора, разделенного на секции, каждая из которых имеет различную запрещенную зону, и в котором каждая секция запрещенной зоны адресуется с помощью отдельного электрода. Каждая секция запрещенной зоны обеспечивает оптимальную работу относительно внутриимпульсной частотной модуляции и глубины модуляции в диапазоне длин волн.
Один или более электрических сигналов модуляции, представляющих данные, подаются в одну или более секций устройства для переноса данных на оптический сигнал, создаваемый модулятором. Дополнительно к электрической модуляции на одну или более секций, к которым прикладываются электрические сигналы модуляции, можно подавать предварительное смещение в виде электрического напряжения постоянного тока.
Остальные секции устройства, к которым сигналы модуляции не прикладываются, можно также электрически смещать с помощью одного или более напряжений постоянного тока.
Напряжение или напряжения смещения постоянного тока могут включать обратное смещение, нулевое смещение или прямое смещение. Приложение прямого смещения к конкретной секции уменьшает оптические потери, связанные с этой секцией, или же может приводить к тому, что эта секция становится оптически прозрачной или что секция имеет оптическое усиление. Наряду с определением чистых потерь или усиления устройства условия смещения секций, через которые проходит свет с модуляцией данными, могут также оказывать влияние на внутриимпульсную частотную модуляцию кодированных импульсов. Уровни смещения оптимированы для каждой рабочей длины волны, так что глубину модуляции, внутриимпульсную частотную модуляцию и вносимые потери устройства можно регулировать для соответствия требованиям применения.
Когда к конкретной секции устройства не прикладывается напряжение смещения или модулирующий сигнал, то электрод этой секции может быть плавающим без приложения нулевого или другого заземляющего потенциала.
Изобретение включает в себя случай, когда две или более параллельных ветвей, содержащих волноводные модуляторы, используются для оптимизации параметров. В этом случае свет разделяется на несколько параллельных волноводов, при этом каждый волновод содержит более одной секции с различной запрещенной зоной. Затем свет из каждого волновода снова объединяют.
Запрещенные зоны в различных секциях устройства предпочтительно создаются за счет смешивания квантовых ям. Это обеспечивает отличное согласование оптических мод в различных волноводных секциях в месте стыка между секциями и пренебрежительно малую величину оптических отражений в местах стыка.
Устройство может предпочтительно иметь на входе и выходе волноводы с малыми потерями. Среди прочих преимуществ эти волноводы улучшают оптический доступ к устройству за счет обеспечения нависания устройства над любой опорой, на которую оно помещается. Эти волноводы могут содержать модовые переходы и/или оптические усилители.
Различные секции устройства, к которым прикладывается напряжение, могут быть предпочтительно разделены отрезками пассивного волновода с малыми потерями. Эти пассивные волноводы улучшают электрическую изоляцию между различными электрически возбуждаемыми секциями.
Различные секции устройства, к которым прикладываются напряжения, могут быть предпочтительно профилированы по запрещенной зоне вдоль длины волновода.
Понятно, что устройство можно изготавливать на полупроводниковой подложке для улучшения высокочастотной характеристики модуляторов. Понятно также, что модуляторы могут быть устройствами бегущей волны, которые согласовывают скорости электрических и оптических волн.
Фиг.1 иллюстрирует принцип эффекта Штарка квантовой локализации. Для целей иллюстрации предполагается, что квантовая яма состоит из InGaAs и барьеров из InGaAsP. В структуре квантовой ямы эффективная запрещенная зона задается запрещенной зоной основного материала квантовой ямы и энергиями квантования электронных и дырочных уровней. Эффективная запрещенная зона EgI показана на фиг.1(а). Когда к устройству прикладывается электрическое поле перпендикулярно яме (смотри фиг.1(b)), то эффективная запрещенная зона уменьшается до Eg2 и изменяется спектр поглощения (смотри фиг.1(с)). Изменение поглощения вызывает изменение спектра показателя отражения.
На фиг.2 показан разрез по длине оси волновода устройства. Электроабсорбционный модулятор разделен на секции 201, 202, 203, 204, 205, каждая из которых имеет различную запрещенную зону, и при этом предусмотрена адресация каждой секции запрещенной зоны с помощью отдельного электрода. На своем входе и выходе устройство может предпочтительно иметь волноводы 211, 212 с малыми потерями. Различные секции устройства, к которым прикладываются напряжения, могут быть предпочтительно разделены отрезками пассивного волновода 220 с малыми потерями.
На фиг.3 показан разрез устройства перпендикулярно волноводу. Слоистая структура локализует свет в вертикальном направлении. На фиг.3 показан гребенчатый элемент, используемый для локализации света в боковом направлении, однако понятно, что можно использовать другие способы обеспечения локализации света, включая скрытые гетероструктуры или антирезонансные поперечные волноводы.
На фиг.4 показана на виде сверху схема размещения устройства (для ясности контакты не изображены). На фиг.4(а) показано устройство с последовательно расположенными областями с различными запрещенными зонами, образованными последовательно вдоль единственного волновода. На фиг.4(b) показаны две параллельные ветви, содержащие волноводные модуляторы. В этом случае свет разделяется в два параллельных волновода, при этом каждый волновод содержит более одной секции с различной запрещенной зоной. Затем свет из каждого волновода снова объединяется.
Другие варианты выполнения преднамеренно входят в объем прилагаемой формулы изобретения.
Claims (20)
1. Электроабсорбционный модулятор, содержащий волноводную структуру, включающую множество секций, при этом каждая секция, образованная из полупроводниковой среды, имеет различную запрещенную зону и, по меньшей мере, один отдельный электрод для приложения к секции независимого электрического смещения, а множество секций указанной волноводной структуры расположены в последовательной конфигурации.
2. Электроабсорбционный модулятор по п.1, отличающийся тем, что содержит дополнительную волноводную структуру, включающую множество секций, при этом дополнительная волноводная структура расположена в параллельной конфигурации.
3. Электроабсорбционный модулятор по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, некоторые из множества секций указанной волноводной структуры разделены отрезками пассивного волновода.
4. Электроабсорбционный модулятор по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит на своем входе и/или выходе волновод с малыми потерями.
5. Электроабсорбционный модулятор по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит, по меньшей мере, одно дополнительное оптическое активное устройство, включенное в волноводную структуру.
6. Электроабсорбционный модулятор по п.5, отличающийся тем, что дополнительное оптическое активное устройство в указанной волноводной структуре содержит оптический усилитель.
7. Электроабсорбционный модулятор по п.3, отличающийся тем, что отрезки пассивного волновода образованы с использованием технологий смешивания квантовых ям.
8. Электроабсорбционный модулятор по п.1, отличающийся тем, что множество секций указанной волноводной структуры профилированы по запрещенной зоне вдоль длины волновода.
9. Способ модуляции оптического сигнала, проходящего через волноводную структуру, содержащую множество секций, расположенных в последовательной конфигурации и выполненных с возможностью отдельной адресации, при этом каждая секция образована из полупроводниковой среды, имеющей заданную запрещенную зону, и электрода для приложения к секции независимого электрического смещения указанной среды, содержащий стадии: подачи одного или более электрических сигналов в одну или более секций, электрического смещения указанной среды в одной или более указанных секциях с помощью напряжения смещения, при этом уровни смещения оптимизированы для каждой рабочей длины волны с возможностью получения заданного уровня любого одного или более параметров, таких как внутриимпульсная частотная модуляция, глубина модуляции и вносимые потери.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что дополнительно содержит стадию электрического смещения указанной среды в двух или более указанных секциях с помощью напряжения смещения с получением заданного уровня любого одного или более параметров, таких как внутриимпульсная частотная модуляция, глубина модуляции и вносимые потери.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что дополнительно содержит стадию электрического смещения указанной среды во всех указанных секциях с помощью напряжения смещения с получением заданного уровня любого одного или более параметров, таких как внутриимпульсная частотная модуляция, глубина модуляции и вносимые потери.
12. Способ по п.9, отличающийся тем, что приложенное электрическое смещение к каждой из указанных электрически смещаемых секций является напряжением обратного смещения, напряжением нулевого смещения или напряжением прямого смещения.
13. Способ по п.10, отличающийся тем, что приложенное электрическое смещение к каждой из указанных электрически смещаемых секций является напряжением обратного смещения, напряжением нулевого смещения или напряжением прямого смещения.
14. Способ по п.11, отличающийся тем, что приложенное электрическое смещение к каждой из указанных электрически смещаемых секций является напряжением обратного смещения, напряжением нулевого смещения или напряжением прямого смещения.
15. Способ по п.9, отличающийся тем, что электрическое смещение, приложенное к каждой из указанных секций, определено с целью минимизации внутриимпульсной частотной модуляции.
16. Способ по п.10, отличающийся тем, что электрическое смещение, приложенное к каждой из указанных секций, определено с целью минимизации внутриимпульсной частотной модуляции.
17. Способ по п.11, отличающийся тем, что электрическое смещение, приложенное к каждой из указанных секций, определено с целью минимизации внутриимпульсной частотной модуляции.
18. Способ по любому из пп.9-17, отличающийся тем, что дополнительно содержит стадию подачи сигнала модуляции, по меньшей мере, в одну из указанных секций.
19. Способ по любому из пп.9-17, отличающийся тем, что дополнительно содержит стадию подачи сигнала модуляции, по меньшей мере, в две или более указанных секций.
20. Способ по любому из пп.9-17, отличающийся тем, что дополнительно содержит стадию подачи сигнала модуляции в одну из указанных секций с приложенным электрическим смещением.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0206226.3 | 2002-03-16 | ||
| GBGB0206226.3A GB0206226D0 (en) | 2002-03-16 | 2002-03-16 | Electro-absorption modulator with broad optical bandwidth |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2004130500A RU2004130500A (ru) | 2005-05-10 |
| RU2317575C2 true RU2317575C2 (ru) | 2008-02-20 |
Family
ID=9933100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2004130500/28A RU2317575C2 (ru) | 2002-03-16 | 2003-03-14 | Электроабсорбционный модулятор с широкой оптической полосой и способ модуляции оптического сигнала |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20050206989A1 (ru) |
| EP (1) | EP1485751A1 (ru) |
| JP (1) | JP2005521079A (ru) |
| CN (1) | CN1332241C (ru) |
| AU (1) | AU2003216812A1 (ru) |
| CA (1) | CA2479397A1 (ru) |
| GB (2) | GB0206226D0 (ru) |
| RU (1) | RU2317575C2 (ru) |
| WO (1) | WO2003079100A1 (ru) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7263291B2 (en) * | 2002-07-09 | 2007-08-28 | Azna Llc | Wavelength division multiplexing source using multifunctional filters |
| US6963685B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-11-08 | Daniel Mahgerefteh | Power source for a dispersion compensation fiber optic system |
| US7663762B2 (en) | 2002-07-09 | 2010-02-16 | Finisar Corporation | High-speed transmission system comprising a coupled multi-cavity optical discriminator |
| US7054538B2 (en) * | 2002-10-04 | 2006-05-30 | Azna Llc | Flat dispersion frequency discriminator (FDFD) |
| US7564889B2 (en) * | 2002-11-06 | 2009-07-21 | Finisar Corporation | Adiabatically frequency modulated source |
| US7280721B2 (en) * | 2002-11-06 | 2007-10-09 | Azna Llc | Multi-ring resonator implementation of optical spectrum reshaper for chirp managed laser technology |
| US7505694B2 (en) * | 2002-11-06 | 2009-03-17 | Finisar Corporation | Thermal chirp compensation systems for a chirp managed directly modulated laser (CML™) data link |
| US7536113B2 (en) * | 2002-11-06 | 2009-05-19 | Finisar Corporation | Chirp managed directly modulated laser with bandwidth limiting optical spectrum reshaper |
| US7742542B2 (en) * | 2002-11-06 | 2010-06-22 | Finisar Corporation | Phase correlated quadrature amplitude modulation |
| US7558488B2 (en) * | 2002-11-06 | 2009-07-07 | Finisar Corporation | Reach extension by using external Bragg grating for spectral filtering |
| US7609977B2 (en) * | 2002-12-03 | 2009-10-27 | Finisar Corporation | Optical transmission using semiconductor optical amplifier (SOA) |
| US7860404B2 (en) * | 2002-12-03 | 2010-12-28 | Finisar Corporation | Optical FM source based on intra-cavity phase and amplitude modulation in lasers |
| US7474859B2 (en) * | 2002-12-03 | 2009-01-06 | Finisar Corporation | Versatile compact transmitter for generation of advanced modulation formats |
| US7613401B2 (en) * | 2002-12-03 | 2009-11-03 | Finisar Corporation | Optical FM source based on intra-cavity phase and amplitude modulation in lasers |
| US7925172B2 (en) * | 2002-12-03 | 2011-04-12 | Finisar Corporation | High power, low distortion directly modulated laser transmitter |
| US7542683B2 (en) | 2002-12-03 | 2009-06-02 | Finisar Corporation | Chirp Managed Laser (CML) transmitter |
| US7480464B2 (en) * | 2002-12-03 | 2009-01-20 | Finisar Corporation | Widely tunable, dispersion tolerant transmitter |
| US7907648B2 (en) * | 2002-12-03 | 2011-03-15 | Finisar Corporation | Optical FM source based on intra-cavity phase and amplitude modulation in lasers |
| US7813648B2 (en) * | 2002-12-03 | 2010-10-12 | Finisar Corporation | Method and apparatus for compensating for fiber nonlinearity in a transmission system |
| US7809280B2 (en) * | 2002-12-03 | 2010-10-05 | Finisar Corporation | Chirp-managed, electroabsorption-modulated laser |
| US8792531B2 (en) | 2003-02-25 | 2014-07-29 | Finisar Corporation | Optical beam steering for tunable laser applications |
| US7630425B2 (en) * | 2003-02-25 | 2009-12-08 | Finisar Corporation | Optical beam steering for tunable laser applications |
| US7639955B2 (en) * | 2004-09-02 | 2009-12-29 | Finisar Corporation | Method and apparatus for transmitting a signal using a chirp managed laser (CML) and an optical spectrum reshaper (OSR) before an optical receiver |
| JP4632833B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-02-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
| US20070012860A1 (en) * | 2005-05-05 | 2007-01-18 | Daniel Mahgerefteh | Optical source with ultra-low relative intensity noise (RIN) |
| WO2008021567A2 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Finisar Corporation | Optical transmission using semiconductor optical amplifier (soa) |
| US7697186B2 (en) * | 2006-10-24 | 2010-04-13 | Finisar Corporation | Spectral response modification via spatial filtering with optical fiber |
| WO2008080171A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Finisar Corporation | Optical transmitter having a widely tunable directly modulated laser and periodic optical spectrum reshaping element |
| US7941057B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-05-10 | Finisar Corporation | Integral phase rule for reducing dispersion errors in an adiabatically chirped amplitude modulated signal |
| US8131157B2 (en) * | 2007-01-22 | 2012-03-06 | Finisar Corporation | Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter |
| CN101641846B (zh) | 2007-02-02 | 2012-02-08 | 菲尼萨公司 | 发射器模块中的用于光电子部件的温度稳定封装 |
| US7991291B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-08-02 | Finisar Corporation | WDM PON based on DML |
| US8027593B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-09-27 | Finisar Corporation | Slow chirp compensation for enhanced signal bandwidth and transmission performances in directly modulated lasers |
| JP4427067B2 (ja) * | 2007-02-20 | 2010-03-03 | 富士通株式会社 | 光波形整形素子 |
| US7697847B2 (en) * | 2007-04-02 | 2010-04-13 | Finisar Corporation | Dispersion compensator for frequency reshaped optical signals |
| US8204386B2 (en) * | 2007-04-06 | 2012-06-19 | Finisar Corporation | Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation |
| US7991297B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-08-02 | Finisar Corporation | Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation |
| US7760777B2 (en) * | 2007-04-13 | 2010-07-20 | Finisar Corporation | DBR laser with improved thermal tuning efficiency |
| US7778295B2 (en) * | 2007-05-14 | 2010-08-17 | Finisar Corporation | DBR laser with improved thermal tuning efficiency |
| US8160455B2 (en) * | 2008-01-22 | 2012-04-17 | Finisar Corporation | Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter |
| US8260145B2 (en) | 2008-03-12 | 2012-09-04 | Deepnarayan Gupta | Digital radio frequency tranceiver system and method |
| US7869473B2 (en) * | 2008-03-21 | 2011-01-11 | Finisar Corporation | Directly modulated laser with isolated modulated gain electrode for improved frequency modulation |
| US8260150B2 (en) * | 2008-04-25 | 2012-09-04 | Finisar Corporation | Passive wave division multiplexed transmitter having a directly modulated laser array |
| JP2010008763A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調デバイス及び光半導体装置 |
| DE102008056096B4 (de) * | 2008-11-04 | 2016-09-29 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren zur selektiven Transmission eines optischen Signals |
| US8199785B2 (en) | 2009-06-30 | 2012-06-12 | Finisar Corporation | Thermal chirp compensation in a chirp managed laser |
| EP2521227B1 (en) * | 2011-05-04 | 2016-09-07 | Alcatel Lucent | Semiconductor optical amplifier device and optical matrix switch |
| DE102012209485B4 (de) | 2012-06-05 | 2015-10-22 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Selektion von optischen Pulsen |
| CN110291451B (zh) * | 2016-11-08 | 2023-02-17 | 赛灵思公司 | 具有集成光检测器的电吸收调制 |
| CN109983639B (zh) * | 2016-11-29 | 2022-03-22 | 三菱电机株式会社 | 光器件 |
| CN116243565B (zh) * | 2023-03-16 | 2024-07-23 | 天津大学 | 电子束诱导光刻胶生长的碳质绝缘层及制备方法和应用 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577321A (en) * | 1983-09-19 | 1986-03-18 | Honeywell Inc. | Integrated quantum well lasers for wavelength division multiplexing |
| JPH0656906B2 (ja) * | 1984-09-28 | 1994-07-27 | 株式会社日立製作所 | 半導体レ−ザ装置 |
| US4705361A (en) * | 1985-11-27 | 1987-11-10 | Texas Instruments Incorporated | Spatial light modulator |
| US5238868A (en) * | 1989-11-30 | 1993-08-24 | Gte Laboratories Incorporated | Bandgap tuning of semiconductor quantum well structures |
| US5155737A (en) * | 1990-11-07 | 1992-10-13 | Nippon Telegraph & Telephone Corporation | Semiconductor wavelength conversion device |
| JP2764845B2 (ja) * | 1992-02-03 | 1998-06-11 | 国際電信電話株式会社 | 光パルス発生装置 |
| US5596993A (en) * | 1994-09-21 | 1997-01-28 | Beth Israel Hospital | Fetal data processing system and method |
| JP3244976B2 (ja) * | 1994-12-05 | 2002-01-07 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザの駆動方法及び半導体レーザ装置及び光通信方法及びノード及び光通信システム |
| SE507376C2 (sv) * | 1996-09-04 | 1998-05-18 | Ericsson Telefon Ab L M | Våglängdsavstämbar laseranordning |
| JP3736953B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2006-01-18 | 富士通株式会社 | 電界吸収型光変調器の駆動回路及び、これを用いた光送信器 |
| JP2000101518A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Univ Tokyo | 光波長変換器 |
| US20010053165A1 (en) * | 2000-03-09 | 2001-12-20 | Xiaolu Wang | Apparatuses and methods for generating optical signals |
| WO2001088993A2 (en) * | 2000-05-19 | 2001-11-22 | Mcmaster University | A METHOD FOR LOCALLY MODIFYING THE EFFECTIVE BANDGAP ENERGY IN INDIUM GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE (InGaAsP) QUANTUM WELL STRUCTURES |
| US6803604B2 (en) * | 2001-03-13 | 2004-10-12 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor optical modulator, an optical amplifier and an integrated semiconductor light-emitting device |
| US6594295B1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-07-15 | Fox-Tek, Inc. | Semiconductor laser with disordered and non-disordered quantum well regions |
| US6628686B1 (en) * | 2001-11-16 | 2003-09-30 | Fox-Tek, Inc | Integrated multi-wavelength and wideband lasers |
| US6731850B1 (en) * | 2001-11-16 | 2004-05-04 | Fox-Tek | Single-waveguide integrated wavelength demux photodetector and method of making it |
| FR2855883B1 (fr) * | 2003-06-03 | 2005-08-26 | Cit Alcatel | Dispositif optoelectronique integre comportant un modulateur a electroabsorption et un element electronique de commande du modulateur |
| GB2409570B (en) * | 2003-10-10 | 2007-02-14 | Agilent Technologies Inc | Optoelectronic device having a discrete bragg reflector and an electro-absorption modulator |
-
2002
- 2002-03-16 GB GBGB0206226.3A patent/GB0206226D0/en not_active Ceased
-
2003
- 2003-03-14 EP EP03712347A patent/EP1485751A1/en not_active Withdrawn
- 2003-03-14 JP JP2003577047A patent/JP2005521079A/ja active Pending
- 2003-03-14 RU RU2004130500/28A patent/RU2317575C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2003-03-14 US US10/507,670 patent/US20050206989A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-14 AU AU2003216812A patent/AU2003216812A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-14 WO PCT/GB2003/001083 patent/WO2003079100A1/en active Application Filing
- 2003-03-14 GB GB0421265A patent/GB2401690B/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-14 CA CA002479397A patent/CA2479397A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-14 CN CNB038103990A patent/CN1332241C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-07 US US12/349,965 patent/US20090147352A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050206989A1 (en) | 2005-09-22 |
| EP1485751A1 (en) | 2004-12-15 |
| US20090147352A1 (en) | 2009-06-11 |
| CA2479397A1 (en) | 2003-09-25 |
| JP2005521079A (ja) | 2005-07-14 |
| RU2004130500A (ru) | 2005-05-10 |
| GB0206226D0 (en) | 2002-05-01 |
| GB0421265D0 (en) | 2004-10-27 |
| CN1332241C (zh) | 2007-08-15 |
| GB2401690B (en) | 2005-07-27 |
| CN1653375A (zh) | 2005-08-10 |
| GB2401690A (en) | 2004-11-17 |
| AU2003216812A1 (en) | 2003-09-29 |
| WO2003079100A1 (en) | 2003-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2317575C2 (ru) | Электроабсорбционный модулятор с широкой оптической полосой и способ модуляции оптического сигнала | |
| US6150667A (en) | Semiconductor optical modulator | |
| Noguchi et al. | Millimeter-wave Ti: LiNbO3 optical modulators | |
| US6647158B2 (en) | Optical modulator using simultaneous push-pull drive of linear and quadratic electro-optic effects | |
| EP2458433B1 (en) | Optical modulator and manufacturing method of the optical modulator | |
| US7257283B1 (en) | Transmitter-receiver with integrated modulator array and hybrid bonded multi-wavelength laser array | |
| US8620115B2 (en) | Optical modulators with controllable chirp | |
| US20030190107A1 (en) | Optical modulator with pre-determined frequency chirp | |
| US7447389B2 (en) | Optical modulator | |
| JP4722941B2 (ja) | 損失を削減した超高速の半導体変調器及び半導体スイッチ | |
| US6912079B2 (en) | Method and apparatus for phase shifting an optical beam in an optical device | |
| US7228023B1 (en) | Planar non-magnetic optical isolator | |
| US11165221B2 (en) | Optical device based on series push-pull operation | |
| Zucker et al. | Zero‐loss quantum well waveguide Mach–Zehnder modulator at 1.55 μm | |
| US20020159665A1 (en) | Optical emitter including a modulator comprising a plurality of modulator units | |
| US6775455B1 (en) | Silicon mesa structure integrated in a glass-on-silicon waveguide, and a method of manufacturing it | |
| JP2007025370A (ja) | 有機導波路型光変調器・光通信システム | |
| CN107078458B (zh) | 制作及操作光学调制器的方法 | |
| EP4033618A1 (en) | Mach zehnder-modulated lasers | |
| US20240184149A1 (en) | Differential driving of lithium-containing electro-optic devices utilizing engineered electrodes | |
| US20050141072A1 (en) | Electroabsorption modulator with two sections | |
| JP2000241775A (ja) | 光変調器と光通信用光源及び光通信用モジュール | |
| JP2000244458A (ja) | 波長分割多重通信システム及び光源 | |
| Wilkinson | Integrated optics-devices | |
| JPH09101491A (ja) | 半導体マッハツェンダ変調装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090315 |