JP2002363788A - 化学的処理装置とメッキ処理装置および化学的処理方法とメッキ処理方法と残渣除去処理方法ならびにそれを用いた半導体装置の製造方法およびプリント基板の製造方法 - Google Patents
化学的処理装置とメッキ処理装置および化学的処理方法とメッキ処理方法と残渣除去処理方法ならびにそれを用いた半導体装置の製造方法およびプリント基板の製造方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ある圧力と流速をもって内部で処理液（メッ
キ液）を流通させる閉鎖型処理カップを用いる化学的処
理装置（メッキ処理装置）および化学的処理方法（メッ
キ処理方法）において、被処理部材における気泡の滞留
を防止し、気泡の滞留による処理欠陥の発生を少なくす
る。 【解決手段】 閉鎖型処理カップに処理液（メッキ液）
を供給するポンプによって、閉鎖型処理カップ内を流通
する処理液（メッキ液）の圧力と流速の少なくとも一方
を周期的に変化させる。また、閉鎖型処理カップ内を流
通する処理液（メッキ液）の流通方向を周期的に変化さ
せる。半導体装置の製造方法、プリント基板の製造方法
においては、ブラインドホールの、開放された開口が流
通する処理液（メッキ液）に接するようにして、半導体
ウエハ、プリント基板が閉鎖型処理カップ内に配置さ
れ、気泡の滞留をなくすことで、製造歩留まりの向上、
または製品の性能向上が図られる。
キ液）を流通させる閉鎖型処理カップを用いる化学的処
理装置（メッキ処理装置）および化学的処理方法（メッ
キ処理方法）において、被処理部材における気泡の滞留
を防止し、気泡の滞留による処理欠陥の発生を少なくす
る。 【解決手段】 閉鎖型処理カップに処理液（メッキ液）
を供給するポンプによって、閉鎖型処理カップ内を流通
する処理液（メッキ液）の圧力と流速の少なくとも一方
を周期的に変化させる。また、閉鎖型処理カップ内を流
通する処理液（メッキ液）の流通方向を周期的に変化さ
せる。半導体装置の製造方法、プリント基板の製造方法
においては、ブラインドホールの、開放された開口が流
通する処理液（メッキ液）に接するようにして、半導体
ウエハ、プリント基板が閉鎖型処理カップ内に配置さ
れ、気泡の滞留をなくすことで、製造歩留まりの向上、
または製品の性能向上が図られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、閉鎖型処理カッ
プを用いて被処理部材に化学的処理、メッキ処理を行う
化学的処理装置、メッキ処理装置および化学的処理方
法、メッキ処理方法、残渣除去処理方法ならびにそれを
用いた半導体装置の製造方法およびプリント基板の製造
方法に関するものである。
プを用いて被処理部材に化学的処理、メッキ処理を行う
化学的処理装置、メッキ処理装置および化学的処理方
法、メッキ処理方法、残渣除去処理方法ならびにそれを
用いた半導体装置の製造方法およびプリント基板の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体装置はシリコンなどのＩ
Ｖ族、またはガリウム砒素などのＩＩＩ−Ｖ族化合物か
らなる半導体基板を用いて構成されるが、完成した半導
体装置において裏面側の接地電極に電気的に接続を得る
ために、半導体基板を貫通するバイアホールが形成さ
れ、このバイアホールの内表面を含む表面に、金（Ａ
ｕ）などのメッキを行うことが多い。この半導体装置の
製造工程では、多数の半導体装置に分離される前の半導
体ウエハに対してメッキ処理を行うメッキ工程が含まれ
ており、このメッキ工程では半導体ウエハは、多数の半
導体装置のそれぞれの半導体基板となる部分に、それぞ
れバイアホールを持っており、この半導体ウエハは各バ
イアホールの一方の開口が塞がれた状態、すなわち各バ
イアホールがブラインドホールとされた状態で、各バイ
アホールの内表面を含む表面にメッキ層が形成される。
Ｖ族、またはガリウム砒素などのＩＩＩ−Ｖ族化合物か
らなる半導体基板を用いて構成されるが、完成した半導
体装置において裏面側の接地電極に電気的に接続を得る
ために、半導体基板を貫通するバイアホールが形成さ
れ、このバイアホールの内表面を含む表面に、金（Ａ
ｕ）などのメッキを行うことが多い。この半導体装置の
製造工程では、多数の半導体装置に分離される前の半導
体ウエハに対してメッキ処理を行うメッキ工程が含まれ
ており、このメッキ工程では半導体ウエハは、多数の半
導体装置のそれぞれの半導体基板となる部分に、それぞ
れバイアホールを持っており、この半導体ウエハは各バ
イアホールの一方の開口が塞がれた状態、すなわち各バ
イアホールがブラインドホールとされた状態で、各バイ
アホールの内表面を含む表面にメッキ層が形成される。
【０００３】また、このようなバイアホールを持った半
導体装置の製造工程では、バイアホールが例えば反応性
イオンエッチングなどで形成されるが、この反応性イオ
ンエッチングで形成されたバイアホールの内表面には、
反応性イオンエッチング中に生成する炭素、塩素などを
含む有機ポリマーなどの残渣が残存するので、この残渣
を除去する残渣除去工程が含まれる。さらに、この残渣
を除去したバイアホールの内表面にメッキ層を形成する
前に、バイアホールの内表面に給電層を無電解メッキ法
により形成する無電解メッキ工程が含まれる。
導体装置の製造工程では、バイアホールが例えば反応性
イオンエッチングなどで形成されるが、この反応性イオ
ンエッチングで形成されたバイアホールの内表面には、
反応性イオンエッチング中に生成する炭素、塩素などを
含む有機ポリマーなどの残渣が残存するので、この残渣
を除去する残渣除去工程が含まれる。さらに、この残渣
を除去したバイアホールの内表面にメッキ層を形成する
前に、バイアホールの内表面に給電層を無電解メッキ法
により形成する無電解メッキ工程が含まれる。
【０００４】また、多層プリント基板では、プリント基
板を貫通するスルーホールが形成され、このスルーホー
ルの内表面を含む表面に銅（Ｃｕ）などのメッキ層が形
成され、このメッキ層が多層プリント基板の層間接続に
用いられる。このプリント基板のスルーホールも一方の
開口が塞がれた状態、すなわちブラインドホールの状態
でメッキ層を形成するメッキ処理が行われる場合もあ
る。
板を貫通するスルーホールが形成され、このスルーホー
ルの内表面を含む表面に銅（Ｃｕ）などのメッキ層が形
成され、このメッキ層が多層プリント基板の層間接続に
用いられる。このプリント基板のスルーホールも一方の
開口が塞がれた状態、すなわちブラインドホールの状態
でメッキ層を形成するメッキ処理が行われる場合もあ
る。
【０００５】このプリント基板のブラインドホールにメ
ッキ層を形成する場合に、ブラインドホールの内表面に
メッキ層を無電解メッキ法により形成する無電解メッキ
工程が含まれる。
ッキ層を形成する場合に、ブラインドホールの内表面に
メッキ層を無電解メッキ法により形成する無電解メッキ
工程が含まれる。
【０００６】これらのメッキ処理には、一般に、閉鎖型
メッキ処理カップを有するメッキ処理装置が用いられ
る。この閉鎖型メッキ処理カップは、閉鎖された内部の
処理室にある圧力と流速をもってメッキ液を流通させな
がら、半導体ウエハ、プリント基板などに電解メッキ処
理を行うものである。半導体ウエハ、プリント基板など
の被メッキ部材は、その各バイアホール、スルーホール
の開放された開口が上を向くフェイスアップ方式で、し
かもその開放された開口が流通するメッキ液に接するよ
うにして、閉鎖型メッキ処理カップ内に配置され、メッ
キ液の電気分解に基づき、各ブラインドホールの内表面
を含む表面にメッキ層が形成される。
メッキ処理カップを有するメッキ処理装置が用いられ
る。この閉鎖型メッキ処理カップは、閉鎖された内部の
処理室にある圧力と流速をもってメッキ液を流通させな
がら、半導体ウエハ、プリント基板などに電解メッキ処
理を行うものである。半導体ウエハ、プリント基板など
の被メッキ部材は、その各バイアホール、スルーホール
の開放された開口が上を向くフェイスアップ方式で、し
かもその開放された開口が流通するメッキ液に接するよ
うにして、閉鎖型メッキ処理カップ内に配置され、メッ
キ液の電気分解に基づき、各ブラインドホールの内表面
を含む表面にメッキ層が形成される。
【０００７】また、前記半導体装置のバイアホールに対
する残渣除去処理工程、無電解メッキ工程およびプリン
ト基板に対する無電解メッキ工程でも、一般に閉鎖型処
理カップを有する処理装置が用いられる。この閉鎖型処
理カップは、閉鎖された内部の処理室にある圧力と流速
をもって処理液を流通させながら、半導体ウエハのバイ
アホールに対する残渣除去処理、無電解メッキ処理を行
い、またプリント基板のスルーホールに対する無電解メ
ッキ処理を行うものである。これらの処理において、半
導体ウエハ、プリント基板は、その各バイアホール、ス
ルーホールの開放された開口が上を向くフェイスアップ
方式で、しかもその開放された開口が流通する処理液に
接するようにして、閉鎖型処理カップ内に配置され、処
理液との接触に基づき、各ブラインドホールの内表面を
含む表面の残渣除去処理、無電解メッキ層の形成が行わ
れる。
する残渣除去処理工程、無電解メッキ工程およびプリン
ト基板に対する無電解メッキ工程でも、一般に閉鎖型処
理カップを有する処理装置が用いられる。この閉鎖型処
理カップは、閉鎖された内部の処理室にある圧力と流速
をもって処理液を流通させながら、半導体ウエハのバイ
アホールに対する残渣除去処理、無電解メッキ処理を行
い、またプリント基板のスルーホールに対する無電解メ
ッキ処理を行うものである。これらの処理において、半
導体ウエハ、プリント基板は、その各バイアホール、ス
ルーホールの開放された開口が上を向くフェイスアップ
方式で、しかもその開放された開口が流通する処理液に
接するようにして、閉鎖型処理カップ内に配置され、処
理液との接触に基づき、各ブラインドホールの内表面を
含む表面の残渣除去処理、無電解メッキ層の形成が行わ
れる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このようなブラインド
ホールの内表面を含む表面に対する残渣除去処理、無電
解メッキ処理、メッキ層を形成する電解メッキ処理にお
いて、ブラインドホール内に発生する気泡が問題とな
る。フェイスアップ方式は、ブラインドホール内におけ
る気泡の発生を少なくするのに効果があるが、このフェ
イスアップ方式を採用してもまだ気泡の問題を解消でき
ない。特にブラインドホールのアスペクト比が大きくな
り、孔径に比べて、孔の深さが大きくなると、ブライン
ドホール内での気泡の発生を回避できず、この気泡が処
理中、同じ場所に滞留すると、その場所には処理液、メ
ッキ液が接触せず、残渣除去、無電解メッキ層、電解メ
ッキ層に欠陥部が発生してしまう。この残渣除去の欠陥
は、残渣を残し、後に形成する無電解メッキ層、電解メ
ッキ層に欠陥をもたらす結果となり、また無電解メッキ
層、電解メッキ欠陥部は、メッキ層の切断、または電気
抵抗の増大をもたらし、製造歩留まりの低下、または完
成した半導体装置、プリント基板の性能を低下させる原
因となる。
ホールの内表面を含む表面に対する残渣除去処理、無電
解メッキ処理、メッキ層を形成する電解メッキ処理にお
いて、ブラインドホール内に発生する気泡が問題とな
る。フェイスアップ方式は、ブラインドホール内におけ
る気泡の発生を少なくするのに効果があるが、このフェ
イスアップ方式を採用してもまだ気泡の問題を解消でき
ない。特にブラインドホールのアスペクト比が大きくな
り、孔径に比べて、孔の深さが大きくなると、ブライン
ドホール内での気泡の発生を回避できず、この気泡が処
理中、同じ場所に滞留すると、その場所には処理液、メ
ッキ液が接触せず、残渣除去、無電解メッキ層、電解メ
ッキ層に欠陥部が発生してしまう。この残渣除去の欠陥
は、残渣を残し、後に形成する無電解メッキ層、電解メ
ッキ層に欠陥をもたらす結果となり、また無電解メッキ
層、電解メッキ欠陥部は、メッキ層の切断、または電気
抵抗の増大をもたらし、製造歩留まりの低下、または完
成した半導体装置、プリント基板の性能を低下させる原
因となる。
【０００９】この発明は、このような残渣除去処理、無
電解メッキ層、電解メッキ層などの欠陥部の発生を抑え
ることのできる改良された化学的処理装置および化学的
処理方法、残渣除去処理方法を提案するものである。
電解メッキ層、電解メッキ層などの欠陥部の発生を抑え
ることのできる改良された化学的処理装置および化学的
処理方法、残渣除去処理方法を提案するものである。
【００１０】また、この発明は、このようなメッキ欠陥
部の発生を抑えることのできる改良されたメッキ処理装
置およびメッキ処理方法を提案するものである。
部の発生を抑えることのできる改良されたメッキ処理装
置およびメッキ処理方法を提案するものである。
【００１１】またこの発明は、このような欠陥部の発生
を抑えることのできる改良された半導体装置の製造方法
およびプリント基板の製造方法を提案するものである。
を抑えることのできる改良された半導体装置の製造方法
およびプリント基板の製造方法を提案するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明による化学的処
理装置は、ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通
しながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カッ
プと、前記処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液タ
ンクから前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給する
ポンプとを備え、前記ポンプが前記閉鎖型処理カップ内
の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化
させるように構成されたことを特徴とする。
理装置は、ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通
しながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カッ
プと、前記処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液タ
ンクから前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給する
ポンプとを備え、前記ポンプが前記閉鎖型処理カップ内
の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化
させるように構成されたことを特徴とする。
【００１３】また、この発明による化学的処理装置は、
前記ポンプが脈動式ポンプで構成され、この脈動式ポン
プは前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と
流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴
とする。
前記ポンプが脈動式ポンプで構成され、この脈動式ポン
プは前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と
流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴
とする。
【００１４】また、この発明による化学的処理装置は、
前記脈動式ポンプがベローズポンプで構成され、このベ
ローズポンプはベローズを周期的に脈動させて前記処理
液を前記閉鎖型処理カップに供給し、前記閉鎖型処理カ
ップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方
を周期的に変化させることを特徴とする。
前記脈動式ポンプがベローズポンプで構成され、このベ
ローズポンプはベローズを周期的に脈動させて前記処理
液を前記閉鎖型処理カップに供給し、前記閉鎖型処理カ
ップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方
を周期的に変化させることを特徴とする。
【００１５】また、この発明による化学的処理装置は、
前記脈動式ポンプがダイヤフラムポンプで構成され、こ
のダイヤフラムポンプは、ダイヤフラムを周期的に脈動
させて前記処理液を前記閉鎖型処理カップへ供給し、前
記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の
少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とす
る。
前記脈動式ポンプがダイヤフラムポンプで構成され、こ
のダイヤフラムポンプは、ダイヤフラムを周期的に脈動
させて前記処理液を前記閉鎖型処理カップへ供給し、前
記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の
少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とす
る。
【００１６】また、この発明による化学的処理装置は、
前記閉鎖型処理カップに対する処理液の供給路と、前記
閉鎖型処理カップに対する処理液の排出路と、前記処理
液の排出路に設けられた流量絞り弁とを更に備えたもの
である。
前記閉鎖型処理カップに対する処理液の供給路と、前記
閉鎖型処理カップに対する処理液の排出路と、前記処理
液の排出路に設けられた流量絞り弁とを更に備えたもの
である。
【００１７】また、この発明による化学的処理装置は、
ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通しながら被
処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カップと、前記
処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液タンクから前
記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給するポンプ装置
とを備え、前記閉鎖型処理カップ内の処理液の流通方向
が周期的に変化するように構成されたことを特徴とす
る。
ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通しながら被
処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カップと、前記
処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液タンクから前
記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給するポンプ装置
とを備え、前記閉鎖型処理カップ内の処理液の流通方向
が周期的に変化するように構成されたことを特徴とす
る。
【００１８】また、この発明による化学的処理装置は、
前記閉鎖型処理カップは第１、第２の処理液流通口を有
し、前記ポンプ装置は第１、第２のポンプを有し、この
第１のポンプは前記閉鎖型処理カップ内で処理液を前記
第１の処理液流通口から前記第２の処理液流通口へ流通
させ、また第２のポンプは前記閉鎖型処理カップ内で処
理液を前記第２の処理液流通口から前記第１の処理液流
通口へ流通させるように構成されているものである。
前記閉鎖型処理カップは第１、第２の処理液流通口を有
し、前記ポンプ装置は第１、第２のポンプを有し、この
第１のポンプは前記閉鎖型処理カップ内で処理液を前記
第１の処理液流通口から前記第２の処理液流通口へ流通
させ、また第２のポンプは前記閉鎖型処理カップ内で処
理液を前記第２の処理液流通口から前記第１の処理液流
通口へ流通させるように構成されているものである。
【００１９】また、この発明による化学的処理装置は、
前記閉鎖型処理カップの第１、第２の処理液流通口にそ
れぞれ連通する第１、第２の処理液流通路と、これらの
処理液流通路のそれぞれに設けられた第１、第２の流量
制御弁とを備え、前記閉鎖型処理カップ内において、前
記処理液が前記第１の処理液流通口から前記第２の処理
液流通口へ流通する場合には、前記第２の処理液流通口
に連通する前記第２の処理液流通路に設けられた前記第
２の流量制御弁が流量絞り弁とされ、また前記処理液が
前記第２の処理液流通口から前記第１の処理液流通口へ
流通する場合には、前記第１の処理液流通口に連通する
前記第１の処理液流通路に設けられた前記第１の流量制
御弁が流量絞り弁とされるものである。
前記閉鎖型処理カップの第１、第２の処理液流通口にそ
れぞれ連通する第１、第２の処理液流通路と、これらの
処理液流通路のそれぞれに設けられた第１、第２の流量
制御弁とを備え、前記閉鎖型処理カップ内において、前
記処理液が前記第１の処理液流通口から前記第２の処理
液流通口へ流通する場合には、前記第２の処理液流通口
に連通する前記第２の処理液流通路に設けられた前記第
２の流量制御弁が流量絞り弁とされ、また前記処理液が
前記第２の処理液流通口から前記第１の処理液流通口へ
流通する場合には、前記第１の処理液流通口に連通する
前記第１の処理液流通路に設けられた前記第１の流量制
御弁が流量絞り弁とされるものである。
【００２０】また、この発明による化学的処理装置は、
前記被処理部材が一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有し、各ブラインドホ
ールの開放された開口が流通する処理液に接するように
して前記被処理部材を前記閉鎖型処理カップ内に配置し
て、各ブラインドホールの内表面を含む表面に化学的処
理が行われることを特徴とする。
前記被処理部材が一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有し、各ブラインドホ
ールの開放された開口が流通する処理液に接するように
して前記被処理部材を前記閉鎖型処理カップ内に配置し
て、各ブラインドホールの内表面を含む表面に化学的処
理が行われることを特徴とする。
【００２１】また、この発明による化学的処理装置は、
前記被処理部材が半導体ウエハであり、この半導体ウエ
ハは一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
バイアホールを有し、各バイアホールの開放された開口
が流通する処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カ
ップ内に配置され、各バイアホールの内表面を含む表面
に化学的処理が行われることを特徴とする。
前記被処理部材が半導体ウエハであり、この半導体ウエ
ハは一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
バイアホールを有し、各バイアホールの開放された開口
が流通する処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カ
ップ内に配置され、各バイアホールの内表面を含む表面
に化学的処理が行われることを特徴とする。
【００２２】また、この発明による化学的処理装置は、
前記被処理部材がプリント基板であり、このプリント基
板は一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
スルーホールを有し、各スルーホールの開放された開口
が流通する処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カ
ップ内に配置され、各スルーホールの内表面を含む表面
に化学的処理が行われることを特徴とする。
前記被処理部材がプリント基板であり、このプリント基
板は一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
スルーホールを有し、各スルーホールの開放された開口
が流通する処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カ
ップ内に配置され、各スルーホールの内表面を含む表面
に化学的処理が行われることを特徴とする。
【００２３】また、この発明によるメッキ処理装置は、
ある圧力と流速をもって内部でメッキ液を流通しながら
被メッキ部材にメッキ処理を行う閉鎖型メッキ処理カッ
プと、前記メッキ液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液
タンクから前記メッキ液を前記閉鎖型メッキ処理カップ
に供給するポンプとを備え、前記ポンプが前記閉鎖型メ
ッキ処理カップ内のメッキ液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させるように構成されたことを特徴
とする。
ある圧力と流速をもって内部でメッキ液を流通しながら
被メッキ部材にメッキ処理を行う閉鎖型メッキ処理カッ
プと、前記メッキ液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液
タンクから前記メッキ液を前記閉鎖型メッキ処理カップ
に供給するポンプとを備え、前記ポンプが前記閉鎖型メ
ッキ処理カップ内のメッキ液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させるように構成されたことを特徴
とする。
【００２４】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記ポンプが脈動式ポンプで構成され、この脈動式ポン
プは前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液
の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させるこ
とを特徴とする。
前記ポンプが脈動式ポンプで構成され、この脈動式ポン
プは前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液
の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させるこ
とを特徴とする。
【００２５】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記脈動式ポンプがベローズポンプで構成され、このベ
ローズポンプはベローズを周期的に脈動させて前記メッ
キ液を前記閉鎖型メッキ処理カップに供給し、前記閉鎖
型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速
の少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とす
る。
前記脈動式ポンプがベローズポンプで構成され、このベ
ローズポンプはベローズを周期的に脈動させて前記メッ
キ液を前記閉鎖型メッキ処理カップに供給し、前記閉鎖
型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速
の少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とす
る。
【００２６】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記脈動式ポンプがダイヤフラムポンプで構成され、こ
のダイヤフラムポンプは、ダイヤフラムを周期的に脈動
させて前記メッキ液を前記閉鎖型メッキ処理カップへ供
給し、前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ
液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させる
ことを特徴とする。
前記脈動式ポンプがダイヤフラムポンプで構成され、こ
のダイヤフラムポンプは、ダイヤフラムを周期的に脈動
させて前記メッキ液を前記閉鎖型メッキ処理カップへ供
給し、前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ
液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させる
ことを特徴とする。
【００２７】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記閉鎖型メッキ処理カップに対するメッキ液の供給路
と、前記閉鎖型メッキ処理カップに対するメッキ液の排
出路と、前記メッキ液の排出路に設けられた流量絞り弁
とを更に備えたものである。
前記閉鎖型メッキ処理カップに対するメッキ液の供給路
と、前記閉鎖型メッキ処理カップに対するメッキ液の排
出路と、前記メッキ液の排出路に設けられた流量絞り弁
とを更に備えたものである。
【００２８】また、この発明によるメッキ処理装置は、
ある圧力と流速をもって内部でメッキ液を流通しながら
被メッキ部材にメッキ処理を行う閉鎖型メッキ処理カッ
プと、前記メッキ液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液
タンクから前記メッキ液を前記閉鎖型メッキ処理カップ
に供給するポンプ装置とを備え、前記閉鎖型メッキ処理
カップ内のメッキ液の流通方向が周期的に変化するよう
に構成されたことを特徴とする。
ある圧力と流速をもって内部でメッキ液を流通しながら
被メッキ部材にメッキ処理を行う閉鎖型メッキ処理カッ
プと、前記メッキ液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液
タンクから前記メッキ液を前記閉鎖型メッキ処理カップ
に供給するポンプ装置とを備え、前記閉鎖型メッキ処理
カップ内のメッキ液の流通方向が周期的に変化するよう
に構成されたことを特徴とする。
【００２９】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記閉鎖型メッキ処理カップは第１、第２のメッキ液流
通口を有し、前記ポンプ装置は第１、第２のポンプを有
し、この第１のポンプは前記閉鎖型メッキ処理カップ内
でメッキ液を前記第１のメッキ液流通口から前記第２の
メッキ液流通口へ流通させ、また第２のポンプは前記閉
鎖型メッキ処理カップ内でメッキ液を前記第２のメッキ
液流通口から前記第１のメッキ液流通口へ流通させるよ
うに構成されたものである。
前記閉鎖型メッキ処理カップは第１、第２のメッキ液流
通口を有し、前記ポンプ装置は第１、第２のポンプを有
し、この第１のポンプは前記閉鎖型メッキ処理カップ内
でメッキ液を前記第１のメッキ液流通口から前記第２の
メッキ液流通口へ流通させ、また第２のポンプは前記閉
鎖型メッキ処理カップ内でメッキ液を前記第２のメッキ
液流通口から前記第１のメッキ液流通口へ流通させるよ
うに構成されたものである。
【００３０】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記閉鎖型メッキ処理カップの第１、第２のメッキ液流
通口にそれぞれ連通する第１、第２のメッキ液流通路
と、これらのメッキ液流通路のそれぞれに設けられた第
１、第２の流量制御弁とを備え、前記閉鎖型メッキ処理
カップ内において、前記メッキ液が前記第１のメッキ液
流通口から前記第２のメッキ液流通口へ流通する場合に
は、前記第２のメッキ液流通口に連通する前記第２のメ
ッキ液流通路に設けられた前記第２の流量制御弁が流量
絞り弁とされ、また前記メッキ液が前記第２のメッキ液
流通口から前記第１のメッキ液流通口へ流通する場合に
は、前記第１のメッキ液流通口に連通する前記第１のメ
ッキ液流通路に設けられた前記第１の流量制御弁が流量
絞り弁とされるものである。
前記閉鎖型メッキ処理カップの第１、第２のメッキ液流
通口にそれぞれ連通する第１、第２のメッキ液流通路
と、これらのメッキ液流通路のそれぞれに設けられた第
１、第２の流量制御弁とを備え、前記閉鎖型メッキ処理
カップ内において、前記メッキ液が前記第１のメッキ液
流通口から前記第２のメッキ液流通口へ流通する場合に
は、前記第２のメッキ液流通口に連通する前記第２のメ
ッキ液流通路に設けられた前記第２の流量制御弁が流量
絞り弁とされ、また前記メッキ液が前記第２のメッキ液
流通口から前記第１のメッキ液流通口へ流通する場合に
は、前記第１のメッキ液流通口に連通する前記第１のメ
ッキ液流通路に設けられた前記第１の流量制御弁が流量
絞り弁とされるものである。
【００３１】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記被メッキ部材が一方の開口が開放され他方の開口が
塞がれた複数のブラインドホールを有し、各ブラインド
ホールの開放された開口が流通するメッキ液に接するよ
うにして前記被メッキ部材を前記閉鎖型メッキ処理カッ
プ内に配置して、各ブラインドホールの内表面を含む表
面にメッキが行われることを特徴とする。
前記被メッキ部材が一方の開口が開放され他方の開口が
塞がれた複数のブラインドホールを有し、各ブラインド
ホールの開放された開口が流通するメッキ液に接するよ
うにして前記被メッキ部材を前記閉鎖型メッキ処理カッ
プ内に配置して、各ブラインドホールの内表面を含む表
面にメッキが行われることを特徴とする。
【００３２】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記被メッキ部材が半導体ウエハであり、この半導体ウ
エハは一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数
のバイアホールを有し、各バイアホールの開放された開
口が流通するメッキ液に接するようにして前記閉鎖型メ
ッキ処理カップ内に配置され、各バイアホールの内表面
を含む表面にメッキが行われることを特徴とする。
前記被メッキ部材が半導体ウエハであり、この半導体ウ
エハは一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数
のバイアホールを有し、各バイアホールの開放された開
口が流通するメッキ液に接するようにして前記閉鎖型メ
ッキ処理カップ内に配置され、各バイアホールの内表面
を含む表面にメッキが行われることを特徴とする。
【００３３】また、この発明によるメッキ処理装置は、
前記被メッキ部材がプリント基板であり、このプリント
基板は一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数
のスルーホールを有し、各スルーホールの開放された開
口が流通するメッキ液に接するようにして前記閉鎖型メ
ッキ処理カップ内に配置され、各スルーホールの内表面
を含む表面にメッキが行われることを特徴とする。
前記被メッキ部材がプリント基板であり、このプリント
基板は一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数
のスルーホールを有し、各スルーホールの開放された開
口が流通するメッキ液に接するようにして前記閉鎖型メ
ッキ処理カップ内に配置され、各スルーホールの内表面
を含む表面にメッキが行われることを特徴とする。
【００３４】また、この発明による化学的処理方法は、
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被処理部材に対して、前記各ブラ
インドホールの内表面を含む表面に化学的処理を行う化
学的処理方法であって、閉鎖型メッキ処理内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各ブライ
ンドホールの開放された一方の開口が処理液に接するよ
うにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理部材を配
置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通する
処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化さ
せることを含んでいる。
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被処理部材に対して、前記各ブラ
インドホールの内表面を含む表面に化学的処理を行う化
学的処理方法であって、閉鎖型メッキ処理内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各ブライ
ンドホールの開放された一方の開口が処理液に接するよ
うにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理部材を配
置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通する
処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化さ
せることを含んでいる。
【００３５】また、この発明による化学的処理方法は、
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被処理部材に対して、前記各ブラ
インドホールの内表面を含む表面に化学的処理を行う化
学的処理方法であって、閉鎖型処理カップ内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各ブライ
ンドホールの開放された一方の開口が処理液に接するよ
うにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理部材を配
置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通する
処理液の流通方向を周期的に切り替えることを含んでい
る。
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被処理部材に対して、前記各ブラ
インドホールの内表面を含む表面に化学的処理を行う化
学的処理方法であって、閉鎖型処理カップ内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各ブライ
ンドホールの開放された一方の開口が処理液に接するよ
うにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理部材を配
置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通する
処理液の流通方向を周期的に切り替えることを含んでい
る。
【００３６】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、
この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖
型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体ウエハ
を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通
する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変
化させることを含んでいる。
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、
この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖
型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体ウエハ
を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通
する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変
化させることを含んでいる。
【００３７】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、
この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖
型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体ウエハ
を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通
する処理液の流通方向を周期的に変化させることを含ん
でいる。
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、
この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖
型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体ウエハ
を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を流通
する処理液の流通方向を周期的に変化させることを含ん
でいる。
【００３８】また、この発明によるプリント基板の製造
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、こ
の化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖型
処理カップ内に前記基板を配置すること、および前記閉
鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少な
くとも一方を周期的に変化させることを含んでいる。
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、こ
の化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖型
処理カップ内に前記基板を配置すること、および前記閉
鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少な
くとも一方を周期的に変化させることを含んでいる。
【００３９】また、この発明によるプリント基板の製造
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、こ
の化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖型
処理カップ内に前記基板を配置すること、および前記閉
鎖型処理カップ内を流通する処理液の流通方向を周期的
に変化させることを含んでいる。
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を有し、こ
の化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処理液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口が処理液に接するようにして前記閉鎖型
処理カップ内に前記基板を配置すること、および前記閉
鎖型処理カップ内を流通する処理液の流通方向を周期的
に変化させることを含んでいる。
【００４０】また、この発明によるメッキ処理方法は、
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被メッキ部材に対して、前記各ブ
ラインドホールの内表面を含む表面にメッキを行うメッ
キ処理方法であって、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッ
キ液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
ブラインドホールの開放された一方の開口がメッキ液に
接するようにして前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記
被メッキ部材を配置すること、および前記閉鎖型メッキ
処理カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速の少なく
とも一方を周期的に変化させることを含んでいる。
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被メッキ部材に対して、前記各ブ
ラインドホールの内表面を含む表面にメッキを行うメッ
キ処理方法であって、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッ
キ液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
ブラインドホールの開放された一方の開口がメッキ液に
接するようにして前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記
被メッキ部材を配置すること、および前記閉鎖型メッキ
処理カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速の少なく
とも一方を周期的に変化させることを含んでいる。
【００４１】また、この発明によるメッキ処理方法は、
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被メッキ部材に対して、前記各ブ
ラインドホールの内表面を含む表面にメッキを行うメッ
キ処理方法であって、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッ
キ液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
ブラインドホールの開放された一方の開口がメッキ液に
接するようにして前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記
被メッキ部材を配置すること、および前記閉鎖型メッキ
処理カップ内を流通するメッキ液の流通方向を周期的に
切り替えることを含んでいる。
一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラ
インドホールを有する被メッキ部材に対して、前記各ブ
ラインドホールの内表面を含む表面にメッキを行うメッ
キ処理方法であって、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッ
キ液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
ブラインドホールの開放された一方の開口がメッキ液に
接するようにして前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記
被メッキ部材を配置すること、および前記閉鎖型メッキ
処理カップ内を流通するメッキ液の流通方向を周期的に
切り替えることを含んでいる。
【００４２】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、この
メッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉
鎖型メッキ処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導
体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型メッキ処理
カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させることを含んでいる。
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、この
メッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉
鎖型メッキ処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導
体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型メッキ処理
カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させることを含んでいる。
【００４３】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、この
メッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉
鎖型メッキ処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導
体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型メッキ処理
カップ内を流通するメッキ液の流通方向を周期的に変化
させることを含んでいる。
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、この
メッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液を
ある圧力と流速をもって流通させること、前記各バイア
ホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でそ
の開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉
鎖型メッキ処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導
体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型メッキ処理
カップ内を流通するメッキ液の流通方向を周期的に変化
させることを含んでいる。
【００４４】また、この発明によるプリント基板の製造
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、このメ
ッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉鎖
型メッキ処理カップ内に前記基板を配置すること、およ
び前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の
圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させること
を含んでいる。
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、このメ
ッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉鎖
型メッキ処理カップ内に前記基板を配置すること、およ
び前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の
圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させること
を含んでいる。
【００４５】また、この発明によるプリント基板の製造
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、このメ
ッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉鎖
型メッキ処理カップ内に前記基板を配置すること、およ
び前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の
流通方向を周期的に変化させることを含んでいる。
方法は、基板を貫通するスルーホールを有するプリント
基板の製造方法であって、前記バイアホールの内表面を
含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有し、このメ
ッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメッキ液をあ
る圧力と流速をもって流通させること、前記各スルーホ
ール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状態でその
開放された開口がメッキ液に接するようにして前記閉鎖
型メッキ処理カップ内に前記基板を配置すること、およ
び前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の
流通方向を周期的に変化させることを含んでいる。
【００４６】また、この発明による残渣除去処理方法
は、一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
ブラインドホールを有する被処理部材に対して、前記各
ブラインドホールの内表面を含む表面に残渣除去処理を
行う残渣除去処理方法であって、閉鎖型処理カップ内に
処理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記
各ブラインドホールの開放された一方の開口が処理液に
接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理
部材を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を
流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的
に変化させることを含んでいる。
は、一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
ブラインドホールを有する被処理部材に対して、前記各
ブラインドホールの内表面を含む表面に残渣除去処理を
行う残渣除去処理方法であって、閉鎖型処理カップ内に
処理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記
各ブラインドホールの開放された一方の開口が処理液に
接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理
部材を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を
流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的
に変化させることを含んでいる。
【００４７】また、この発明による残渣除去処理方法
は、一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
ブラインドホールを有する被処理部材に対して、前記各
ブラインドホールの内表面を含む表面に残渣除去処理を
行う残渣除去処理方法であって、閉鎖型処理カップ内に
処理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記
各ブラインドホールの開放された一方の開口が処理液に
接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理
部材を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を
流通する処理液の流通方向を周期的に切り替えることを
含んでいる。
は、一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数の
ブラインドホールを有する被処理部材に対して、前記各
ブラインドホールの内表面を含む表面に残渣除去処理を
行う残渣除去処理方法であって、閉鎖型処理カップ内に
処理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記
各ブラインドホールの開放された一方の開口が処理液に
接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に前記被処理
部材を配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内を
流通する処理液の流通方向を周期的に切り替えることを
含んでいる。
【００４８】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に残渣除去処理を行う残渣除去処理工程を有
し、この残渣除去処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処
理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状
態でその開放された開口が処理液に接するようにして前
記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体
ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内
を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期
的に変化させることを含んでいる。
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に残渣除去処理を行う残渣除去処理工程を有
し、この残渣除去処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処
理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状
態でその開放された開口が処理液に接するようにして前
記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体
ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内
を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期
的に変化させることを含んでいる。
【００４９】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に残渣除去処理を行う残渣除去処理工程を有
し、この残渣除去処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処
理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状
態でその開放された開口が処理液に接するようにして前
記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体
ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内
を流通する処理液の流通方向を周期的に変化させること
を含んでいる。
法は、半導体基板を貫通するバイアホールを有する半導
体装置の製造方法であって、前記バイアホールの内表面
を含む表面に残渣除去処理を行う残渣除去処理工程を有
し、この残渣除去処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処
理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状
態でその開放された開口が処理液に接するようにして前
記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半導体
ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処理カップ内
を流通する処理液の流通方向を周期的に変化させること
を含んでいる。
【００５０】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１はこの発明に
よるメッキ処理装置の実施の形態１を示す全体構成図で
ある。このメッキ処理装置は、閉鎖型メッキ処理カップ
１０と、メッキ液を貯める貯液タンク２０と、メッキ液
を閉鎖型メッキ処理カップ１０に供給するポンプ装置３
０と、これらを含んだメッキ液循環路４０とを有する。
よるメッキ処理装置の実施の形態１を示す全体構成図で
ある。このメッキ処理装置は、閉鎖型メッキ処理カップ
１０と、メッキ液を貯める貯液タンク２０と、メッキ液
を閉鎖型メッキ処理カップ１０に供給するポンプ装置３
０と、これらを含んだメッキ液循環路４０とを有する。
【００５１】閉鎖型メッキ処理カップ１０には、その内
部の処理室に連通する一対のメッキ液流通口１０ａ、１
０ｂが付設され、メッキ液流通口１０ａがメッキ液供給
口を、またメッキ液流通口１０ｂがメッキ液排出口を構
成する。貯液タンク２０は、メッキ液流通口２０ａ、２
０ｂを有し、またポンプ装置３０はメッキ液の吐出口３
０ａと吸入口３０ｂを有している。ポンプ装置３０の吐
出口３０ａは、パイプ４１によって閉鎖型メッキ処理カ
ップ１０のメッキ液供給口１０ａに接続され、このパイ
プ４１は閉鎖型メッキ処理カップ１０に対するメッキ液
供給路を構成する。閉鎖型メッキ液処理カップ１０のメ
ッキ液排出口１０ｂはパイプ４２によって貯液タンク２
０の流通口２０ａに接続され、このパイプ４２は閉鎖型
メッキ処理カップ１０に対するメッキ液排出路を構成す
る。貯液タンク２０の流通口２０ｂはパイプ４３により
ポンプ装置３０の吸入口３０ｂに接続されている。
部の処理室に連通する一対のメッキ液流通口１０ａ、１
０ｂが付設され、メッキ液流通口１０ａがメッキ液供給
口を、またメッキ液流通口１０ｂがメッキ液排出口を構
成する。貯液タンク２０は、メッキ液流通口２０ａ、２
０ｂを有し、またポンプ装置３０はメッキ液の吐出口３
０ａと吸入口３０ｂを有している。ポンプ装置３０の吐
出口３０ａは、パイプ４１によって閉鎖型メッキ処理カ
ップ１０のメッキ液供給口１０ａに接続され、このパイ
プ４１は閉鎖型メッキ処理カップ１０に対するメッキ液
供給路を構成する。閉鎖型メッキ液処理カップ１０のメ
ッキ液排出口１０ｂはパイプ４２によって貯液タンク２
０の流通口２０ａに接続され、このパイプ４２は閉鎖型
メッキ処理カップ１０に対するメッキ液排出路を構成す
る。貯液タンク２０の流通口２０ｂはパイプ４３により
ポンプ装置３０の吸入口３０ｂに接続されている。
【００５２】閉鎖型メッキ処理カップ１０の具体例が図
２に示されている。この閉鎖型メッキ処理カップ１０
は、上部カップ１１０と下部カップ１２０を有し、これ
らのカップ１１０、１２０によって、閉鎖された処理室
１３０が構成される。上部カップ１１０は下部が開放さ
れた容器であり、その上部中央にはメッキ液流通口１０
ａが付設され、また、その両側にはメッキ液流通口１０
ｂが付設されている。メッキ液流通口１０ａはメッキ液
供給口であり、その下部にはメッキ液噴出部１１１が配
置されている。このメッキ液噴出部１１１は、下部を開
放した筒型部材で構成され、その開放端には、多数のメ
ッキ液噴出孔１１２を有するメッキ液噴出板１１３が設
けられており、このメッキ液噴出板１１３には、メッシ
ュアノード電極１１４が付設されている。上部カップ１
１０の下部には、カップ内のメッキ液を回収または洗浄
水を排出するドレイン配管１１５が設けられている。メ
ッキ液噴出部１１１の下端は間隙ｄを介して被メッキ部
材５０の上表面に対向しており、この間隙ｄを変えるこ
とによって、カップ１０内の液圧を変えることができ
る。
２に示されている。この閉鎖型メッキ処理カップ１０
は、上部カップ１１０と下部カップ１２０を有し、これ
らのカップ１１０、１２０によって、閉鎖された処理室
１３０が構成される。上部カップ１１０は下部が開放さ
れた容器であり、その上部中央にはメッキ液流通口１０
ａが付設され、また、その両側にはメッキ液流通口１０
ｂが付設されている。メッキ液流通口１０ａはメッキ液
供給口であり、その下部にはメッキ液噴出部１１１が配
置されている。このメッキ液噴出部１１１は、下部を開
放した筒型部材で構成され、その開放端には、多数のメ
ッキ液噴出孔１１２を有するメッキ液噴出板１１３が設
けられており、このメッキ液噴出板１１３には、メッシ
ュアノード電極１１４が付設されている。上部カップ１
１０の下部には、カップ内のメッキ液を回収または洗浄
水を排出するドレイン配管１１５が設けられている。メ
ッキ液噴出部１１１の下端は間隙ｄを介して被メッキ部
材５０の上表面に対向しており、この間隙ｄを変えるこ
とによって、カップ１０内の液圧を変えることができ
る。
【００５３】下部カップ１２０は板状に構成され、上部
カップ１１０の底部を塞ぐように、上部カップ１１０と
組み合わされている。下部カップ１２０の中央には、被
メッキ部材５０を載置する凹部１２１が形成されてい
る。この被メッキ部材５０は、例えば半導体ウエハ、プ
リント基板である。この被メッキ部材５０の外周部の上
面と上部カップ１１０の底面との間には、リング状のシ
ール部材１２２が配置され、処理室１３０からメッキ液
が漏出しないように、処理室１３０をシールしている。
また、このシール部材１２２の外周には、同じくリング
状の補助シール部材１２３が配置され、この補助シール
部材１２３は上部カップ１１０の底面と、下部カップ１
２０との間に挟まれている。
カップ１１０の底部を塞ぐように、上部カップ１１０と
組み合わされている。下部カップ１２０の中央には、被
メッキ部材５０を載置する凹部１２１が形成されてい
る。この被メッキ部材５０は、例えば半導体ウエハ、プ
リント基板である。この被メッキ部材５０の外周部の上
面と上部カップ１１０の底面との間には、リング状のシ
ール部材１２２が配置され、処理室１３０からメッキ液
が漏出しないように、処理室１３０をシールしている。
また、このシール部材１２２の外周には、同じくリング
状の補助シール部材１２３が配置され、この補助シール
部材１２３は上部カップ１１０の底面と、下部カップ１
２０との間に挟まれている。
【００５４】リング状のシール部材１２２には、図３に
拡大して示すように、カソードコンタクト１２４が付設
されている。このカソードコンタクト１２４は、リング
状のシール部材１２２の複数箇所にシール部材１２２を
貫通するように付設された針またはワイヤであり、被メ
ッキ部材５０に点接触して、それにカソード電位を与え
る。なお、メッキのための直流電源は図示されていない
が、その正極はメッシュアノード電極１１４に接続さ
れ、その負極がカソードコンタクト１２４に接続されて
いる。上部カップ１１０の底部には、ガスまたは純水噴
出しによるシール部材１２２のレリーズ１１６が設けら
れ、ガスまたは純水などの供給源に連通している。
拡大して示すように、カソードコンタクト１２４が付設
されている。このカソードコンタクト１２４は、リング
状のシール部材１２２の複数箇所にシール部材１２２を
貫通するように付設された針またはワイヤであり、被メ
ッキ部材５０に点接触して、それにカソード電位を与え
る。なお、メッキのための直流電源は図示されていない
が、その正極はメッシュアノード電極１１４に接続さ
れ、その負極がカソードコンタクト１２４に接続されて
いる。上部カップ１１０の底部には、ガスまたは純水噴
出しによるシール部材１２２のレリーズ１１６が設けら
れ、ガスまたは純水などの供給源に連通している。
【００５５】図４は、実施の形態１を用いて、被メッキ
部材５０にメッキ処理を行うメッキ処理方法のメッキ層
形成工程を示している。またこの図４は、半導体装置の
製造方法におけるメッキ工程をも示している。このメッ
キ工程において、被メッキ部材５０は例えば半導体ウエ
ハであり、例えばシリコン、ガリウム砒素などから構成
された半導体基体５１を有している。この半導体基体５
１は、多数の半導体基板部分を含んでいるが、図４には
２つの半導体基板部分５１Ａ、５１Ｂが仮想線で分離し
て示されている。これらの半導体基板部分５１Ａ、５１
Ｂは、完成した半導体装置においては、仮想線の位置で
個々に分離され、チップと呼ばれる各半導体装置の半導
体基板となる。メッキ液は符号６０で示されている。
部材５０にメッキ処理を行うメッキ処理方法のメッキ層
形成工程を示している。またこの図４は、半導体装置の
製造方法におけるメッキ工程をも示している。このメッ
キ工程において、被メッキ部材５０は例えば半導体ウエ
ハであり、例えばシリコン、ガリウム砒素などから構成
された半導体基体５１を有している。この半導体基体５
１は、多数の半導体基板部分を含んでいるが、図４には
２つの半導体基板部分５１Ａ、５１Ｂが仮想線で分離し
て示されている。これらの半導体基板部分５１Ａ、５１
Ｂは、完成した半導体装置においては、仮想線の位置で
個々に分離され、チップと呼ばれる各半導体装置の半導
体基板となる。メッキ液は符号６０で示されている。
【００５６】半導体ウエハ５０は、それぞれの半導体基
板部分５１Ａ、５１Ｂにバイアホール５２となるブライ
ンドホール５３を含んでいる。この各ブラインドホール
５３は下端が塞がれ、上端の開口が開放された状態で、
メッキ処理を受ける。半導体ウエハ５０は、各ブライン
ドホール５３の上端の開放された開口が上を向き、流通
するメッキ液６０と接するようにして、閉鎖型メッキ処
理カップ１０の処理室１３０に配置される。この各ブラ
インドホール５３の上端の開放された開口が上を向くよ
うに配置する方式は、フェイスアップ方式と呼ばれる。
板部分５１Ａ、５１Ｂにバイアホール５２となるブライ
ンドホール５３を含んでいる。この各ブラインドホール
５３は下端が塞がれ、上端の開口が開放された状態で、
メッキ処理を受ける。半導体ウエハ５０は、各ブライン
ドホール５３の上端の開放された開口が上を向き、流通
するメッキ液６０と接するようにして、閉鎖型メッキ処
理カップ１０の処理室１３０に配置される。この各ブラ
インドホール５３の上端の開放された開口が上を向くよ
うに配置する方式は、フェイスアップ方式と呼ばれる。
【００５７】このフェイスアップ方式は、各ブラインド
ホール５３の開放された開口を下に向けるフェイスダウ
ン方式に比べ、メッキ処理中、各ブラインドホール５３
内での気泡の発生を少なくするのに有効である。フェイ
スダウン方式では、各ブラインドホール５３の塞がれた
開口が上を向くため、ブラインドホール５３内に気泡が
捕捉され滞留する危険が高い。
ホール５３の開放された開口を下に向けるフェイスダウ
ン方式に比べ、メッキ処理中、各ブラインドホール５３
内での気泡の発生を少なくするのに有効である。フェイ
スダウン方式では、各ブラインドホール５３の塞がれた
開口が上を向くため、ブラインドホール５３内に気泡が
捕捉され滞留する危険が高い。
【００５８】半導体ウエハ５０の各ブラインドホール５
３の内表面５３ａを含む上面には、薄い給電層５４が予
め形成されており、この給電層５４にカソードコンタク
ト１２４からのカソード電位が与えられる。結果とし
て、メッキ層７０はこの給電層５４の上に形成される。
なお、半導体ウエハ５０は、メッキ処理が完了した後、
その底部が例えば研磨によって除去され、各バイアホー
ル５２が貫通孔となる状態まで薄くされる。なお、図５
のように、薄くした後に、バイアホールを形成する場合
には、バイアホールの形成前に研磨などにより、半導体
ウエハが薄くされる。
３の内表面５３ａを含む上面には、薄い給電層５４が予
め形成されており、この給電層５４にカソードコンタク
ト１２４からのカソード電位が与えられる。結果とし
て、メッキ層７０はこの給電層５４の上に形成される。
なお、半導体ウエハ５０は、メッキ処理が完了した後、
その底部が例えば研磨によって除去され、各バイアホー
ル５２が貫通孔となる状態まで薄くされる。なお、図５
のように、薄くした後に、バイアホールを形成する場合
には、バイアホールの形成前に研磨などにより、半導体
ウエハが薄くされる。
【００５９】フェイスアップ方式のメッキ処理装置にお
いても、なおブラインドホール５３内に気泡６１が発生
し、滞留することがある。半導体ウエハ５０において、
高いアスペクト比を持ったバイアホールを形成するもの
にあっては、ブラインドホール５３の幅が小さく、その
深さが大きくなるので、気泡６１が発生し、これが同じ
場所に滞留する危険が増す。図４（ａ）は、左側のブラ
インドホール５３に気泡６１が発生し、これがメッキ処
理中、滞留すれば、図４（ｂ）のメッキ欠陥部７１が発
生することを示したものである。
いても、なおブラインドホール５３内に気泡６１が発生
し、滞留することがある。半導体ウエハ５０において、
高いアスペクト比を持ったバイアホールを形成するもの
にあっては、ブラインドホール５３の幅が小さく、その
深さが大きくなるので、気泡６１が発生し、これが同じ
場所に滞留する危険が増す。図４（ａ）は、左側のブラ
インドホール５３に気泡６１が発生し、これがメッキ処
理中、滞留すれば、図４（ｂ）のメッキ欠陥部７１が発
生することを示したものである。
【００６０】なお、ガリウム砒素からなる半導体ウエハ
５０に対して、金（Ａｕ）のメッキ層７０を形成する場
合、メッキ液６０としては、亜硫酸系メッキ液、または
シアン系メッキ液が使用される。亜硫酸系メッキ液は例
えば、亜硫酸金ナトリウム、および亜硫酸ナトリウムを
主成分としたものであり、シアン系メッキ液は、例え
ば、シアン化金ナトリウムを主成分としたものである。
このメッキ液６０のメッキ処理中の温度は、４０から７
０℃、例えば５０℃、または６５℃が推奨値である。メ
ッキ液６０の、例えば６５℃における動粘度は、例えば
０．６から０．８平方ミリメータ／秒である。
５０に対して、金（Ａｕ）のメッキ層７０を形成する場
合、メッキ液６０としては、亜硫酸系メッキ液、または
シアン系メッキ液が使用される。亜硫酸系メッキ液は例
えば、亜硫酸金ナトリウム、および亜硫酸ナトリウムを
主成分としたものであり、シアン系メッキ液は、例え
ば、シアン化金ナトリウムを主成分としたものである。
このメッキ液６０のメッキ処理中の温度は、４０から７
０℃、例えば５０℃、または６５℃が推奨値である。メ
ッキ液６０の、例えば６５℃における動粘度は、例えば
０．６から０．８平方ミリメータ／秒である。
【００６１】閉鎖型メッキ処理カップ１０は、その内部
の処理室１３０において、メッキ液に、ある圧力と流速
を与えるのに有効であり、この閉鎖型メッキ処理カップ
１０の使用によって、ブラインドホール５３における気
泡６１の発生と滞留を少なくすることができる。この発
明によるメッキ処理装置では、閉鎖型メッキ処理カップ
１０の内部の処理室１３０におけるメッキ液の圧力は、
例えば１０００パスカル以上の高い圧力にされる。この
高い圧力は、ブラインドホール５３における気泡６１の
発生と滞留を少なくするのに有効である。
の処理室１３０において、メッキ液に、ある圧力と流速
を与えるのに有効であり、この閉鎖型メッキ処理カップ
１０の使用によって、ブラインドホール５３における気
泡６１の発生と滞留を少なくすることができる。この発
明によるメッキ処理装置では、閉鎖型メッキ処理カップ
１０の内部の処理室１３０におけるメッキ液の圧力は、
例えば１０００パスカル以上の高い圧力にされる。この
高い圧力は、ブラインドホール５３における気泡６１の
発生と滞留を少なくするのに有効である。
【００６２】この発明の実施の形態１において、閉鎖型
メッキ処理カップ１０の処理室１３０にメッキ液を供給
するポンプ装置３０として、脈動式ポンプが使用され
る。この脈動式ポンプ３０としては、具体的には、ベロ
ーズポンプ、またはダイヤフラムポンプが使用される。
ベローズポンプは、そのベローズの脈動によってメッキ
液を閉鎖型メッキ処理カップの処理室１３０に圧入する
もので、処理室１３０におけるメッキ液の圧力および流
速はその脈動の周期に伴って、周期的に変動する。また
ダイヤフラムポンプでも、ダイヤフラムの脈動に伴っ
て、同様に処理室１３０におけるメッキ液の圧力および
流速が周期的に変動する。これらのベローズポンプまた
はダイヤフラムポンプでは、処理室１３０におけるメッ
キ液の圧力は、パルス状に、脈動周期で変化する。
メッキ処理カップ１０の処理室１３０にメッキ液を供給
するポンプ装置３０として、脈動式ポンプが使用され
る。この脈動式ポンプ３０としては、具体的には、ベロ
ーズポンプ、またはダイヤフラムポンプが使用される。
ベローズポンプは、そのベローズの脈動によってメッキ
液を閉鎖型メッキ処理カップの処理室１３０に圧入する
もので、処理室１３０におけるメッキ液の圧力および流
速はその脈動の周期に伴って、周期的に変動する。また
ダイヤフラムポンプでも、ダイヤフラムの脈動に伴っ
て、同様に処理室１３０におけるメッキ液の圧力および
流速が周期的に変動する。これらのベローズポンプまた
はダイヤフラムポンプでは、処理室１３０におけるメッ
キ液の圧力は、パルス状に、脈動周期で変化する。
【００６３】このポンプ装置３０に、脈動式ポンプを使
用して、処理室１３０におけるメッキ液の圧力、流速を
周期的に変化させるメッキ処理装置およびメッキ処理方
法は、ブラインドホール５３内での気泡６１の発生を少
なくし、その滞留を少なくするのに有効である。特に、
気泡６１の滞留とは、発生した気泡６１がメッキ処理
中、同じ場所に留まることを意味するが、脈動式ポンプ
３０による処理室１３０のメッキ液の圧力と流速の周期
的な変化は、発生した気泡６１を発生した場所から排出
し、同じ場所に滞留するのを防止するのに効果がある。
半導体装置の製造方法においては、メッキ欠陥を少なく
することができ、このメッキ欠陥の減少によって、この
メッキ工程を経て製造される半導体装置の製造歩留まり
を向上し、または半導体装置の性能の向上を図ることが
できる。
用して、処理室１３０におけるメッキ液の圧力、流速を
周期的に変化させるメッキ処理装置およびメッキ処理方
法は、ブラインドホール５３内での気泡６１の発生を少
なくし、その滞留を少なくするのに有効である。特に、
気泡６１の滞留とは、発生した気泡６１がメッキ処理
中、同じ場所に留まることを意味するが、脈動式ポンプ
３０による処理室１３０のメッキ液の圧力と流速の周期
的な変化は、発生した気泡６１を発生した場所から排出
し、同じ場所に滞留するのを防止するのに効果がある。
半導体装置の製造方法においては、メッキ欠陥を少なく
することができ、このメッキ欠陥の減少によって、この
メッキ工程を経て製造される半導体装置の製造歩留まり
を向上し、または半導体装置の性能の向上を図ることが
できる。
【００６４】具体的には、ポンプ３０として、ベローズ
ポンプを使用し、その吐出口３０ａにおけるメッキ液の
圧力を０．１２メガパスカル（ＭＰａ）とし、メッキ液
を１３リットル／分の流速で流通させるものとし、ベロ
ーズポンプの脈動周期を６８ショット／分としたものに
おいて、気泡６１の滞留によるメッキ欠陥を完全に解消
できた。なお、処理室１３０におけるメッキ液の圧力
は、図２における間隙距離ｄ、すなわちメッキ液噴出部
１１１の下端と被メッキ部材５０との間隙距離にも依存
するので、この距離ｄを５から６ミリメータと設定し
た。
ポンプを使用し、その吐出口３０ａにおけるメッキ液の
圧力を０．１２メガパスカル（ＭＰａ）とし、メッキ液
を１３リットル／分の流速で流通させるものとし、ベロ
ーズポンプの脈動周期を６８ショット／分としたものに
おいて、気泡６１の滞留によるメッキ欠陥を完全に解消
できた。なお、処理室１３０におけるメッキ液の圧力
は、図２における間隙距離ｄ、すなわちメッキ液噴出部
１１１の下端と被メッキ部材５０との間隙距離にも依存
するので、この距離ｄを５から６ミリメータと設定し
た。
【００６５】実施の形態２．この実施の形態２はこの発
明によるメッキ処理方法が工程順に示される。このメッ
キ処理方法では、実施の形態１に示したメッキ処理装置
が用いられる。この実施の形態２は、また半導体装置の
製造方法におけるメッキ工程を示している。この実施の
形態２では、各ブラインドホール５３の一端を蓋部材で
部分的にカバーした半導体ウエハ５０Ａが使用される。
図５（ａ）から（ｄ）は、この実施の形態２において、
このようなブラインドホール５３を持った半導体ウエハ
５０Ａのメッキ準備工程からメッキ処理工程までの工程
を示す。
明によるメッキ処理方法が工程順に示される。このメッ
キ処理方法では、実施の形態１に示したメッキ処理装置
が用いられる。この実施の形態２は、また半導体装置の
製造方法におけるメッキ工程を示している。この実施の
形態２では、各ブラインドホール５３の一端を蓋部材で
部分的にカバーした半導体ウエハ５０Ａが使用される。
図５（ａ）から（ｄ）は、この実施の形態２において、
このようなブラインドホール５３を持った半導体ウエハ
５０Ａのメッキ準備工程からメッキ処理工程までの工程
を示す。
【００６６】図５（ａ）は準備の第１工程であり、例え
ばガリウム砒素からなる３０から１５０ミクロンメータ
の厚さの半導体基体５１の下表面、すなわち裏面の所定
部分に金（Ａｕ）などからなる蓋部材５５を接合して形
成した状態である。蓋部材５５は、各バイアホール５２
を形成する位置に付着される。図５（ｂ）は準備の第２
工程であり、半導体基体５１の上表面にレジスト膜５６
を形成した状態を示す。このレジスト膜５６には、各バ
イアホールを形成する位置に開口５６ａが形成され、こ
の状態でエッチング処理を行い、バイアホール５２が形
成される。この各バイアホール５２は、半導体基体５１
を貫通するように形成されるが、その下端の開口は蓋部
材５５によって塞がれ、ブラインドホール５３を構成す
る。図５（ｃ）は、準備の第３工程であり、レジスト膜
５６は除去され、ブラインドホール５３の内表面５３ａ
を含む半導体基体５１の上表面に薄い給電層５４が形成
される。この給電層５４は例えばニッケル（Ｎｉ）／金
（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）／金（Ａｕ）またはクロム
（Ｃｒ）／金（Ａｕ）の薄層であり、スパッタ法、また
は無電解メッキ法によって形成される。
ばガリウム砒素からなる３０から１５０ミクロンメータ
の厚さの半導体基体５１の下表面、すなわち裏面の所定
部分に金（Ａｕ）などからなる蓋部材５５を接合して形
成した状態である。蓋部材５５は、各バイアホール５２
を形成する位置に付着される。図５（ｂ）は準備の第２
工程であり、半導体基体５１の上表面にレジスト膜５６
を形成した状態を示す。このレジスト膜５６には、各バ
イアホールを形成する位置に開口５６ａが形成され、こ
の状態でエッチング処理を行い、バイアホール５２が形
成される。この各バイアホール５２は、半導体基体５１
を貫通するように形成されるが、その下端の開口は蓋部
材５５によって塞がれ、ブラインドホール５３を構成す
る。図５（ｃ）は、準備の第３工程であり、レジスト膜
５６は除去され、ブラインドホール５３の内表面５３ａ
を含む半導体基体５１の上表面に薄い給電層５４が形成
される。この給電層５４は例えばニッケル（Ｎｉ）／金
（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）／金（Ａｕ）またはクロム
（Ｃｒ）／金（Ａｕ）の薄層であり、スパッタ法、また
は無電解メッキ法によって形成される。
【００６７】図５（ｄ）はメッキ工程を示す。例えば金
（Ａｕ）からなるメッキ層７０が、閉鎖型メッキ処理カ
ップ１０の処理室１３０において形成される。このメッ
キ工程において、半導体基体５１はブラインドホール５
３の開放された開口が上を向き、処理室１３０内で流通
するメッキ液と接した状態で、メッキ処理される。ポン
プ装置３０には、脈動式ポンプが使用され、処理室１３
０におけるメッキ液の圧力と流速が、その脈動周期で変
動させられ、気泡６１の滞留が解消される。
（Ａｕ）からなるメッキ層７０が、閉鎖型メッキ処理カ
ップ１０の処理室１３０において形成される。このメッ
キ工程において、半導体基体５１はブラインドホール５
３の開放された開口が上を向き、処理室１３０内で流通
するメッキ液と接した状態で、メッキ処理される。ポン
プ装置３０には、脈動式ポンプが使用され、処理室１３
０におけるメッキ液の圧力と流速が、その脈動周期で変
動させられ、気泡６１の滞留が解消される。
【００６８】プリント基板の製造方法も図５と同様であ
る。プリント基板は絶縁板で構成され、その一対の主面
には、所定の回路パターンが銅層などにより形成され、
あわせて所定部分には、絶縁板を貫通するように、スル
ーホールが形成される。このスルーホールがブラインド
ホールとされた状態で、図５（ｄ）と同様にして、メッ
キ処理が行われ、スルーホールの内表面のメッキ層が両
主面の所定の回路パターンを互いに電気的接続する結果
となる。プリント基板は、複数のスルーホールの一方の
開口を開放し、他方の開口を塞いだ、図５（ｃ）のよう
なブラインドホールの状態で、その一方の開放された開
口がメッキ液に接触するようにして、閉鎖型メッキカッ
プ１０の処理室１３０に、上向きに配置され、メッキ処
理される。ポンプ３０の脈動が、ブラインドホール内に
滞留する気泡を効果的に排出し、メッキ欠陥を少なくす
る。このメッキ欠陥を少なくする方法によって、プリン
ト基板の製造歩留まりが向上し、またはプリント基板の
性能向上を図ることができる。
る。プリント基板は絶縁板で構成され、その一対の主面
には、所定の回路パターンが銅層などにより形成され、
あわせて所定部分には、絶縁板を貫通するように、スル
ーホールが形成される。このスルーホールがブラインド
ホールとされた状態で、図５（ｄ）と同様にして、メッ
キ処理が行われ、スルーホールの内表面のメッキ層が両
主面の所定の回路パターンを互いに電気的接続する結果
となる。プリント基板は、複数のスルーホールの一方の
開口を開放し、他方の開口を塞いだ、図５（ｃ）のよう
なブラインドホールの状態で、その一方の開放された開
口がメッキ液に接触するようにして、閉鎖型メッキカッ
プ１０の処理室１３０に、上向きに配置され、メッキ処
理される。ポンプ３０の脈動が、ブラインドホール内に
滞留する気泡を効果的に排出し、メッキ欠陥を少なくす
る。このメッキ欠陥を少なくする方法によって、プリン
ト基板の製造歩留まりが向上し、またはプリント基板の
性能向上を図ることができる。
【００６９】実施の形態３．図６はこの発明によるメッ
キ処理装置の実施の形態３の全体構成図である。この実
施の形態３のメッキ装置は、この発明のメッキ処理方法
に使用され、またこの発明による半導体装置の製造方
法、プリント基板の製造方法でもそのメッキ工程で使用
される。この実施の形態３では、図１に示す実施の形態
１のメッキ処理装置にさらに改良が加えられる。図１と
同じ部分は同じ符号で示している。この実施の形態３で
は、閉鎖型メッキ処理カップ１０のメッキ液流通口１０
ｂ、すなわちメッキ液排出口に、流量絞り弁４４が設け
られている。
キ処理装置の実施の形態３の全体構成図である。この実
施の形態３のメッキ装置は、この発明のメッキ処理方法
に使用され、またこの発明による半導体装置の製造方
法、プリント基板の製造方法でもそのメッキ工程で使用
される。この実施の形態３では、図１に示す実施の形態
１のメッキ処理装置にさらに改良が加えられる。図１と
同じ部分は同じ符号で示している。この実施の形態３で
は、閉鎖型メッキ処理カップ１０のメッキ液流通口１０
ｂ、すなわちメッキ液排出口に、流量絞り弁４４が設け
られている。
【００７０】流量絞り弁４４は、閉鎖型メッキ処理カッ
プ１０のメッキ液排出口１０ｂにおけるメッキ液の流量
を制限し、閉鎖型メッキ処理カップ１０の処理室１３０
の内圧を高くする。この流量絞り弁４４によって、処理
室１３０におけるメッキ液の圧力を高く調整することが
容易になり、エアトラップによるメッキ欠陥部の発生を
解消するのに効果がある。この流量絞り弁４４は、メッ
キ液排出口１０ｂに限らず、それと貯液タンク２０を接
続するパイプ４２に設けることもできる。ただし、メッ
キ液排出口１０ｂに近い程、その効果は大きい。
プ１０のメッキ液排出口１０ｂにおけるメッキ液の流量
を制限し、閉鎖型メッキ処理カップ１０の処理室１３０
の内圧を高くする。この流量絞り弁４４によって、処理
室１３０におけるメッキ液の圧力を高く調整することが
容易になり、エアトラップによるメッキ欠陥部の発生を
解消するのに効果がある。この流量絞り弁４４は、メッ
キ液排出口１０ｂに限らず、それと貯液タンク２０を接
続するパイプ４２に設けることもできる。ただし、メッ
キ液排出口１０ｂに近い程、その効果は大きい。
【００７１】実施の形態４．図７はこの発明によるメッ
キ処理装置の実施の形態４の全体構成図である。この実
施の形態４のメッキ装置は、この発明のメッキ処理方法
に使用され、またこの発明による半導体装置の製造方
法、プリント基板の製造方法でもそのメッキ工程で使用
される。この実施の形態４では、閉鎖型メッキ処理カッ
プ１０にメッキ液を供給するポンプ装置３０として、２
つのポンプ３１、３２が使用される。ポンプ３１、３２
は何れも非脈動式のポンプであり、具体的にはマグネッ
トポンプと呼ばれるものであって、モータと同じ原理で
回転子を回転させ、メッキ液に圧力をかけて連続的に吐
き出すものである。メッキ液は脈動式とは違って、連続
的に吐出口３１ａ、３２ａから吐出される。なお、符号
３１ｂ、３２ｂはポンプ３１、３２の吸入口である。
キ処理装置の実施の形態４の全体構成図である。この実
施の形態４のメッキ装置は、この発明のメッキ処理方法
に使用され、またこの発明による半導体装置の製造方
法、プリント基板の製造方法でもそのメッキ工程で使用
される。この実施の形態４では、閉鎖型メッキ処理カッ
プ１０にメッキ液を供給するポンプ装置３０として、２
つのポンプ３１、３２が使用される。ポンプ３１、３２
は何れも非脈動式のポンプであり、具体的にはマグネッ
トポンプと呼ばれるものであって、モータと同じ原理で
回転子を回転させ、メッキ液に圧力をかけて連続的に吐
き出すものである。メッキ液は脈動式とは違って、連続
的に吐出口３１ａ、３２ａから吐出される。なお、符号
３１ｂ、３２ｂはポンプ３１、３２の吸入口である。
【００７２】ポンプ３１、３２は、閉鎖型メッキ処理カ
ップ１０の処理室１３０に対し、互いに逆方向にメッキ
液を供給するよう、接続される。ポンプ３１の吐出口３
１ａはパイプ４１によってメッキ液流通口１０ａに接続
され、またポンプ３２の吐出口３２ａはパイプ４２によ
ってメッキ液流通口１０ｂに接続されている。結果とし
て、処理室１３０において、ポンプ３１はその駆動時
に、メッキ液流通口１０ａから１０ｂに向かう矢印Ａの
方向にメッキ液を流通させ、またポンプ３２はその駆動
時に、メッキ液流通口１０ｂから１０ａに向かう矢印Ｂ
の方向にメッキ液を流通させる。
ップ１０の処理室１３０に対し、互いに逆方向にメッキ
液を供給するよう、接続される。ポンプ３１の吐出口３
１ａはパイプ４１によってメッキ液流通口１０ａに接続
され、またポンプ３２の吐出口３２ａはパイプ４２によ
ってメッキ液流通口１０ｂに接続されている。結果とし
て、処理室１３０において、ポンプ３１はその駆動時
に、メッキ液流通口１０ａから１０ｂに向かう矢印Ａの
方向にメッキ液を流通させ、またポンプ３２はその駆動
時に、メッキ液流通口１０ｂから１０ａに向かう矢印Ｂ
の方向にメッキ液を流通させる。
【００７３】ポンプ３１、３２は、交互に、間欠的に駆
動される。ポンプ３１が駆動されるときには、ポンプ３
２は休止され、ポンプ３２が駆動されるときには、ポン
プ３１は休止される。その結果として、処理室１３０に
おけるメッキ液の流通方向は、周期的逆転する。この流
通方向の逆転は、処理室１３０において、被メッキ部材
５０のブラインドホール５３に接して流通するメッキ液
の圧力と流速を逆転させ、ブラインドホール５３におけ
る気泡の発生と滞留を解消するのに効果がある。この処
理室１３０におけるメッキ液の流通方向の切り替えは、
メッキ液の一方の流通方向をプラスとしたとき、そのメ
ッキ液の圧力と流速をプラスからマイナスまで大きく変
化させるので、ブラインドホール５３から気泡を排出す
るのに有効である。
動される。ポンプ３１が駆動されるときには、ポンプ３
２は休止され、ポンプ３２が駆動されるときには、ポン
プ３１は休止される。その結果として、処理室１３０に
おけるメッキ液の流通方向は、周期的逆転する。この流
通方向の逆転は、処理室１３０において、被メッキ部材
５０のブラインドホール５３に接して流通するメッキ液
の圧力と流速を逆転させ、ブラインドホール５３におけ
る気泡の発生と滞留を解消するのに効果がある。この処
理室１３０におけるメッキ液の流通方向の切り替えは、
メッキ液の一方の流通方向をプラスとしたとき、そのメ
ッキ液の圧力と流速をプラスからマイナスまで大きく変
化させるので、ブラインドホール５３から気泡を排出す
るのに有効である。
【００７４】実施の形態５．図８はこの発明によるメッ
キ処理装置の実施の形態５の全体構成図である。この実
施の形態５のメッキ装置も、この発明のメッキ処理方法
に使用され、またこの発明による半導体装置の製造方
法、プリント基板の製造方法でもそのメッキ工程で使用
される。この実施の形態５では、図７に示したメッキ処
理装置にさらに改良が加えられている。図７の実施の形
態４と同じ部分は同じ符号で示している。この実施の形
態５では、閉鎖型メッキ処理カップ１０のメッキ液流通
口１０ａ、１０ｂにそれぞれ流量制御弁４５、４６が設
けられている。これらの流量制御弁４５、４６は例えば
電磁制御弁であって、電気的に流量を制御することがで
き、ポンプ３１、３２の交互駆動に同期して、その流量
が制御される。
キ処理装置の実施の形態５の全体構成図である。この実
施の形態５のメッキ装置も、この発明のメッキ処理方法
に使用され、またこの発明による半導体装置の製造方
法、プリント基板の製造方法でもそのメッキ工程で使用
される。この実施の形態５では、図７に示したメッキ処
理装置にさらに改良が加えられている。図７の実施の形
態４と同じ部分は同じ符号で示している。この実施の形
態５では、閉鎖型メッキ処理カップ１０のメッキ液流通
口１０ａ、１０ｂにそれぞれ流量制御弁４５、４６が設
けられている。これらの流量制御弁４５、４６は例えば
電磁制御弁であって、電気的に流量を制御することがで
き、ポンプ３１、３２の交互駆動に同期して、その流量
が制御される。
【００７５】ポンプ３１が駆動されるときには、流通口
１０ｂに設けられた流量制御弁４６が流量絞り弁とさ
れ、処理室１３０からメッキ液を排出するメッキ液流通
口１０ｂの圧力を高くする。反対に、ポンプ３２が駆動
されるときには、流通口１０ａに設けられた流量制御弁
４５が流量絞り弁とされ、処理室１３０からメッキ液を
排出するメッキ液流通口１０ａの圧力を高くする。この
流量制御弁４５、４６により、処理室１３０においてメ
ッキ液をより高い圧力で、調整することが容易になり、
そのメッキ液の流通方向の切り替えとともに、ブライン
ドホール５３から効果的に気泡を排出する。
１０ｂに設けられた流量制御弁４６が流量絞り弁とさ
れ、処理室１３０からメッキ液を排出するメッキ液流通
口１０ｂの圧力を高くする。反対に、ポンプ３２が駆動
されるときには、流通口１０ａに設けられた流量制御弁
４５が流量絞り弁とされ、処理室１３０からメッキ液を
排出するメッキ液流通口１０ａの圧力を高くする。この
流量制御弁４５、４６により、処理室１３０においてメ
ッキ液をより高い圧力で、調整することが容易になり、
そのメッキ液の流通方向の切り替えとともに、ブライン
ドホール５３から効果的に気泡を排出する。
【００７６】実施の形態６．この実施の形態６は、半導
体装置のバイアホールの内表面を含む表面に残る残渣を
除去する残渣除去処理、半導体装置のバイアホールの内
表面に無電解メッキ層を形成する無電解メッキ処理およ
びプリント基板のスルーホールの内表面に無電解メッキ
層を形成する無電解メッキ処理に使用される化学的処理
装置である。この実施の形態６の化学的処理装置は、基
本的には実施の形態１に示すメッキ処理装置に類似して
おり、図１から３を援用して、相違点を中心に説明す
る。
体装置のバイアホールの内表面を含む表面に残る残渣を
除去する残渣除去処理、半導体装置のバイアホールの内
表面に無電解メッキ層を形成する無電解メッキ処理およ
びプリント基板のスルーホールの内表面に無電解メッキ
層を形成する無電解メッキ処理に使用される化学的処理
装置である。この実施の形態６の化学的処理装置は、基
本的には実施の形態１に示すメッキ処理装置に類似して
おり、図１から３を援用して、相違点を中心に説明す
る。
【００７７】この実施の形態６の化学的処理装置は、図
１から３に示したメッキ処理装置において、簡単には、
メッキ液６０が、残渣除去処理液、無電解メッキ処理液
に変更され、また被メッキ部材５０が、被処理部材とな
る。これに伴って、１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂは
処理液流通口となり、４０は処理液循環路となる。この
被処理部材５０は、例えば半導体ウエハ、プリント基板
である。また、閉鎖型メッキ処理カップ１０は、閉鎖型
処理カップとなるが、その構成は図１から３に示したも
のと殆ど同じである。ただ、この実施の形態６では、そ
の残渣除去処理、無電解メッキ処理とも、給電が不必要
であるので、リング状のシール部材１２２が除去され、
処理室１３０は補助シール部材１２３だけでシールされ
る。シール部材１２２の除去に伴い、カソードコンタク
ト１２４も除去され、またメッシュアノード電極１１４
も除去されるか、またはメッシュアノード電極に対する
直流電圧の供給も行われない。その他の構成は、図１か
ら３と同じである。
１から３に示したメッキ処理装置において、簡単には、
メッキ液６０が、残渣除去処理液、無電解メッキ処理液
に変更され、また被メッキ部材５０が、被処理部材とな
る。これに伴って、１０ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂは
処理液流通口となり、４０は処理液循環路となる。この
被処理部材５０は、例えば半導体ウエハ、プリント基板
である。また、閉鎖型メッキ処理カップ１０は、閉鎖型
処理カップとなるが、その構成は図１から３に示したも
のと殆ど同じである。ただ、この実施の形態６では、そ
の残渣除去処理、無電解メッキ処理とも、給電が不必要
であるので、リング状のシール部材１２２が除去され、
処理室１３０は補助シール部材１２３だけでシールされ
る。シール部材１２２の除去に伴い、カソードコンタク
ト１２４も除去され、またメッシュアノード電極１１４
も除去されるか、またはメッシュアノード電極に対する
直流電圧の供給も行われない。その他の構成は、図１か
ら３と同じである。
【００７８】この実施の形態６の化学的処理装置におい
て、ポンプ装置３０として脈動式ポンプが実施の形態１
と同様に使用され、例えばベローズポンプまたはダイヤ
フラムポンプが使用される。処理液６０は、このポンプ
によって閉鎖型処理カップ１０の処理室１３０に送られ
るが、脈動式ポンプの使用によってその圧力はパルス的
に周期的に変化し、その流速もそれに伴い周期的に変化
する。処理液６０の圧力、流速は実施の形態１で説明し
たのと同じにされる。この処理液６０の圧力、流速の周
期的変化により、残渣除去処理、無電解メッキ処理にお
いて、気泡が被処理部材、例えば半導体ウエハのバイア
ホール、プリント基板のスルーホールにある位置に滞留
するのを防止し、その気泡の滞留による残渣除去、無電
解メッキの処理欠陥の発生を解消できることは実施の形
態１で説明した通りである。
て、ポンプ装置３０として脈動式ポンプが実施の形態１
と同様に使用され、例えばベローズポンプまたはダイヤ
フラムポンプが使用される。処理液６０は、このポンプ
によって閉鎖型処理カップ１０の処理室１３０に送られ
るが、脈動式ポンプの使用によってその圧力はパルス的
に周期的に変化し、その流速もそれに伴い周期的に変化
する。処理液６０の圧力、流速は実施の形態１で説明し
たのと同じにされる。この処理液６０の圧力、流速の周
期的変化により、残渣除去処理、無電解メッキ処理にお
いて、気泡が被処理部材、例えば半導体ウエハのバイア
ホール、プリント基板のスルーホールにある位置に滞留
するのを防止し、その気泡の滞留による残渣除去、無電
解メッキの処理欠陥の発生を解消できることは実施の形
態１で説明した通りである。
【００７９】実施の形態７．実施の形態６で説明した化
学的処理装置による残渣除去処理の方法を実施の形態７
として説明する。この残渣除去処理は、図５に示した半
導体装置の製造方法の中で実施される。具体的には、図
５（ｂ）のエッチング工程の後で実施される。
学的処理装置による残渣除去処理の方法を実施の形態７
として説明する。この残渣除去処理は、図５に示した半
導体装置の製造方法の中で実施される。具体的には、図
５（ｂ）のエッチング工程の後で実施される。
【００８０】図５（ｂ）のエッチング工程は、例えばプ
ラズマエッチング、ＲＩＥによりガリウム砒素などの半
導体基体５１にバイアホール５２を形成するが、このエ
ッチング工程が終了した段階では、バイヤホール５２の
内表面に炭素、塩素などの残渣が残っている。実施の形
態７の残渣除去処理は、この残渣を除去する。なお、こ
の残渣除去処理は、レジスト膜５６を除去した後、蓋部
材５５を形成する前に行われるが、レジスト膜５６の除
去後に蓋部材５５を形成したブラインドホール５３に対
して実施するようにすることもできる。次のこの実施の
形態７の実施態様について説明する。
ラズマエッチング、ＲＩＥによりガリウム砒素などの半
導体基体５１にバイアホール５２を形成するが、このエ
ッチング工程が終了した段階では、バイヤホール５２の
内表面に炭素、塩素などの残渣が残っている。実施の形
態７の残渣除去処理は、この残渣を除去する。なお、こ
の残渣除去処理は、レジスト膜５６を除去した後、蓋部
材５５を形成する前に行われるが、レジスト膜５６の除
去後に蓋部材５５を形成したブラインドホール５３に対
して実施するようにすることもできる。次のこの実施の
形態７の実施態様について説明する。
【００８１】実施態様１．実施の形態７の実施態様１で
は、処理液６０として、東京応化株式会社製のＳ７１０
レジスト剥離剤が使用される。この処理液６０は、オル
トジクロルベンゼン、フェノール、アルキルベンゼンス
ルホン酸を含んだものである。この処理液６０を、段落
００６４で説明したと同じベローズポンプで、同じ圧
力、流速をもって処理室１３０に流通させ、処理室１３
０にフェイスアップ形態で配置した半導体基体５１の残
渣除去を行った。処理室１３０における液温は１００〜
１２０℃、処理時間は１０分とした。結果として、気泡
の滞留による残渣除去の欠陥は見られなかった。
は、処理液６０として、東京応化株式会社製のＳ７１０
レジスト剥離剤が使用される。この処理液６０は、オル
トジクロルベンゼン、フェノール、アルキルベンゼンス
ルホン酸を含んだものである。この処理液６０を、段落
００６４で説明したと同じベローズポンプで、同じ圧
力、流速をもって処理室１３０に流通させ、処理室１３
０にフェイスアップ形態で配置した半導体基体５１の残
渣除去を行った。処理室１３０における液温は１００〜
１２０℃、処理時間は１０分とした。結果として、気泡
の滞留による残渣除去の欠陥は見られなかった。
【００８２】実施態様２．実施の形態７の実施態様２で
は、処理液６０として、米国のＥＫＣ社製のＥＫＣ２６
５レジスト剥離剤を使用した。この処理液はエタノール
アミンを主成分とする処理液である。処理室１３０にお
ける液温は約８５℃、処理時間は１０分とした。その他
の条件を実施形態１と同じにして残渣除去を行った。結
果として、気泡の滞留による残渣除去の欠陥は見られな
かった。
は、処理液６０として、米国のＥＫＣ社製のＥＫＣ２６
５レジスト剥離剤を使用した。この処理液はエタノール
アミンを主成分とする処理液である。処理室１３０にお
ける液温は約８５℃、処理時間は１０分とした。その他
の条件を実施形態１と同じにして残渣除去を行った。結
果として、気泡の滞留による残渣除去の欠陥は見られな
かった。
【００８３】実施の形態８．実施の形態６で説明した化
学的処理装置による半導体装置の無電解メッキ処理の方
法を実施の形態８として説明する。この無電解メッキ処
理は、図５に示した半導体装置の製造方法の中で実施さ
れる。具体的には、図５（ｃ）の給電層５４を形成する
工程において実施される。
学的処理装置による半導体装置の無電解メッキ処理の方
法を実施の形態８として説明する。この無電解メッキ処
理は、図５に示した半導体装置の製造方法の中で実施さ
れる。具体的には、図５（ｃ）の給電層５４を形成する
工程において実施される。
【００８４】具体的には、バイアホール５２を蓋部材５
５によりブラインドホール５３とした状態で、給電層５
４を形成する工程で実施される。半導体基体５１は、フ
ェイスアップ形態で処理室１３０に設置され、処理液６
０は段落００６４で説明したと同じベローズポンプで、
同じ圧力、流速をもって処理室１３０に流通させて無電
解メッキ処理が行われる。この実施の形態８の半導体装
置に対する無電解メッキ処理は、詳細には、パラジウム
活性化工程、無電解メッキ工程、および置換金メッキ工
程の３つの工程をこの順番で実施して行われる。
５によりブラインドホール５３とした状態で、給電層５
４を形成する工程で実施される。半導体基体５１は、フ
ェイスアップ形態で処理室１３０に設置され、処理液６
０は段落００６４で説明したと同じベローズポンプで、
同じ圧力、流速をもって処理室１３０に流通させて無電
解メッキ処理が行われる。この実施の形態８の半導体装
置に対する無電解メッキ処理は、詳細には、パラジウム
活性化工程、無電解メッキ工程、および置換金メッキ工
程の３つの工程をこの順番で実施して行われる。
【００８５】パラジウム活性化工程は、メッキ処理をす
べき半導体基体５１の表面にパラジウム触媒を付与する
工程であり、実施の形態６で説明した化学的処理装置は
用いる必要がない。具体的には閉鎖型処理カップ１０と
は別の所定の容器中に塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）を
主成分とするパラジウム活性化液を入れ、この液中に半
導体基体５１を浸漬する。次の無電解メッキ工程は例え
ばニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）を無電解でメッキする工
程である。具体的には、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）と
次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）の混合液を６
０〜９０℃に加熱し、この液中にパラジウム活性化処理
を完了した半導体基体５１を浸漬し、Ｎｉ−Ｐメッキ層
を０．２〜０．５μｍの厚さで形成する。この無電解メ
ッキ工程では、水素ガスが発生してバイアホール５２内
の処理液は攪拌されるので、液を脈動させる必要はな
く、閉鎖型処理カップ１０とは別の容器で実施される。
最後の置換金メッキ工程は、実施の形態６で説明した化
学的処理装置を用いて実施される。この置換金メッキ工
程はＮｉ−Ｐメッキ層の表面を金に置換するものであ
り、この置換金メッキについて、次に実施態様を説明す
る。
べき半導体基体５１の表面にパラジウム触媒を付与する
工程であり、実施の形態６で説明した化学的処理装置は
用いる必要がない。具体的には閉鎖型処理カップ１０と
は別の所定の容器中に塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）を
主成分とするパラジウム活性化液を入れ、この液中に半
導体基体５１を浸漬する。次の無電解メッキ工程は例え
ばニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）を無電解でメッキする工
程である。具体的には、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４）と
次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ４）の混合液を６
０〜９０℃に加熱し、この液中にパラジウム活性化処理
を完了した半導体基体５１を浸漬し、Ｎｉ−Ｐメッキ層
を０．２〜０．５μｍの厚さで形成する。この無電解メ
ッキ工程では、水素ガスが発生してバイアホール５２内
の処理液は攪拌されるので、液を脈動させる必要はな
く、閉鎖型処理カップ１０とは別の容器で実施される。
最後の置換金メッキ工程は、実施の形態６で説明した化
学的処理装置を用いて実施される。この置換金メッキ工
程はＮｉ−Ｐメッキ層の表面を金に置換するものであ
り、この置換金メッキについて、次に実施態様を説明す
る。
【００８６】実施態様１． （１）処理液 金属供給剤：シアン化金カリウム（数グラム／リット
ル） 安定剤：キレート剤、錯化剤（数十グラム／リットル） 添加剤：微量 ｐＨ：６−７ 処理室１３０の液温：８０−９０℃ （２）メッキ処理時間：５−１０分 （３）置換された金メッキ厚さ：０．１μｍ （４）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
ル） 安定剤：キレート剤、錯化剤（数十グラム／リットル） 添加剤：微量 ｐＨ：６−７ 処理室１３０の液温：８０−９０℃ （２）メッキ処理時間：５−１０分 （３）置換された金メッキ厚さ：０．１μｍ （４）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
【００８７】実施態様２． （１）処理液 金属供給剤：亜硫酸金（数グラム／リットル） 安定剤：キレート剤、錯化剤（数十グラム／リットル） 添加剤：微量 ｐＨ：７−８ 処理室１３０の液温：５０−７０℃ （２）メッキ処理時間：５−１０分 （３）置換された金メッキ厚さ：０．１μｍ （４）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
【００８８】何れの実施態様においても、処理液の脈動
により、ブラインドホールにも気泡の滞留が発生しなか
ったため、メッキ欠陥が発生しなかったと考えられる。
により、ブラインドホールにも気泡の滞留が発生しなか
ったため、メッキ欠陥が発生しなかったと考えられる。
【００８９】実施の形態９．実施の形態９は、プリント
基板に対する無電解メッキ処理方法である。このプリン
ト基板に対する無電解メッキ処理は、プリント基板にス
ルーホールを形成し、各スルーホールの一方の開口が閉
鎖されてブラインドホールとされた段階で、スルーホー
ルの内表面に無電解メッキ層を形成するために実施され
る。
基板に対する無電解メッキ処理方法である。このプリン
ト基板に対する無電解メッキ処理は、プリント基板にス
ルーホールを形成し、各スルーホールの一方の開口が閉
鎖されてブラインドホールとされた段階で、スルーホー
ルの内表面に無電解メッキ層を形成するために実施され
る。
【００９０】このプリント基板に対する無電解メッキ処
理は、詳細には、酸性脱脂工程、酸活性化工程、ソフト
エッチング工程、酸活性化工程、パラジウム活性化工
程、酸中和工程、無電解メッキ工程、置換金メッキ工
程、および厚付け金メッキ工程の順に行われる。酸性脱
脂工程はスルーホール内表面の脱脂処理工程、酸活性化
工程はスルーホール内表面を酸活性化処理する工程、ソ
フトエッチング工程はスルーホール内表面をエッチング
液で荒らす処理工程、パラジウム活性化工程は実施の形
態７で説明したと同様にスルーホール内表面にパラジウ
ム触媒を付与する工程、酸中和処理はパラジウム活性化
の後の酸を中和する工程、また無電解メッキ工程は実施
の形態７で説明したと同様にスルーホール内表面にＮｉ
−Ｐメッキ層を無電解メッキ法で形成する工程であり、
何れも実施の形態６で説明した化学的処理装置によらず
に実施される。
理は、詳細には、酸性脱脂工程、酸活性化工程、ソフト
エッチング工程、酸活性化工程、パラジウム活性化工
程、酸中和工程、無電解メッキ工程、置換金メッキ工
程、および厚付け金メッキ工程の順に行われる。酸性脱
脂工程はスルーホール内表面の脱脂処理工程、酸活性化
工程はスルーホール内表面を酸活性化処理する工程、ソ
フトエッチング工程はスルーホール内表面をエッチング
液で荒らす処理工程、パラジウム活性化工程は実施の形
態７で説明したと同様にスルーホール内表面にパラジウ
ム触媒を付与する工程、酸中和処理はパラジウム活性化
の後の酸を中和する工程、また無電解メッキ工程は実施
の形態７で説明したと同様にスルーホール内表面にＮｉ
−Ｐメッキ層を無電解メッキ法で形成する工程であり、
何れも実施の形態６で説明した化学的処理装置によらず
に実施される。
【００９１】置換金メッキ工程および厚付け金メッキ工
程は、何れも実施の形態６による化学的処理装置を用い
て実施される。置換金メッキ工程は、実施の形態８で説
明したのと同じに実施される。厚付け金メッキ工程は、
置換金メッキ工程で金をメッキした後に、さらにより厚
く金をメッキする工程である。この厚付け金メッキ工程
について、次に実施態様を示して説明する。
程は、何れも実施の形態６による化学的処理装置を用い
て実施される。置換金メッキ工程は、実施の形態８で説
明したのと同じに実施される。厚付け金メッキ工程は、
置換金メッキ工程で金をメッキした後に、さらにより厚
く金をメッキする工程である。この厚付け金メッキ工程
について、次に実施態様を示して説明する。
【００９２】実施態様１． （１）処理液 金属供給剤：シアン化金カリウム（数グラム／リット
ル） 安定剤：キレート剤、錯化剤（数十グラム／リットル） 還元剤：数グラム／リットル 添加剤：微量 ｐＨ：６−７ 処理室１３０の液温：約７０℃ （２）メッキ処理時間：６０分 （３）形成された金メッキ厚さ：約０．７μｍ （４）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
ル） 安定剤：キレート剤、錯化剤（数十グラム／リットル） 還元剤：数グラム／リットル 添加剤：微量 ｐＨ：６−７ 処理室１３０の液温：約７０℃ （２）メッキ処理時間：６０分 （３）形成された金メッキ厚さ：約０．７μｍ （４）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
【００９３】実施態様２． （１）処理液 金属供給剤：亜硫酸金（数グラム／リットル） 安定剤：キレート剤、錯化剤（数十グラム／リットル） 還元剤：数グラム／リットル 添加剤：微量 ｐＨ：７−８ 処理室１３０の液温：約７０℃ （２）メッキ処理時間：６０分 （３）形成された金メッキ厚さ：０．７μｍ （４）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （５）メッキ欠陥：なし
【００９４】何れの実施態様においても、処理液の脈動
により、ブラインドホールにも気泡の滞留が発生しなか
ったため、メッキ欠陥が発生しなかったと考えられる。
により、ブラインドホールにも気泡の滞留が発生しなか
ったため、メッキ欠陥が発生しなかったと考えられる。
【００９５】実施の形態１０．実施の形態１０は、プリ
ント基板のスルーホールに対する無電解銅メッキ方法で
ある。このプリント基板に対する無電解銅メッキ処理
は、詳細には、酸性脱脂工程、酸活性化工程、ソフトエ
ッチング工程、酸活性化工程、パラジウム活性化工程、
酸中和工程、無電解銅メッキ工程の順に行われる。酸性
脱脂工程はスルーホール内表面の脱脂処理工程、酸活性
化工程はスルーホール内表面を酸活性化処理する工程、
ソフトエッチング工程はスルーホール内表面をエッチン
グ液で荒らす処理工程、パラジウム活性化工程は実施の
形態８で説明したと同様にスルーホール内表面にパラジ
ウム触媒を付与する工程、酸中和処理はパラジウム活性
化の後の酸を中和する工程であり、これらの何れの工程
も実施の形態６で説明した化学的処理装置によらずに実
施される。
ント基板のスルーホールに対する無電解銅メッキ方法で
ある。このプリント基板に対する無電解銅メッキ処理
は、詳細には、酸性脱脂工程、酸活性化工程、ソフトエ
ッチング工程、酸活性化工程、パラジウム活性化工程、
酸中和工程、無電解銅メッキ工程の順に行われる。酸性
脱脂工程はスルーホール内表面の脱脂処理工程、酸活性
化工程はスルーホール内表面を酸活性化処理する工程、
ソフトエッチング工程はスルーホール内表面をエッチン
グ液で荒らす処理工程、パラジウム活性化工程は実施の
形態８で説明したと同様にスルーホール内表面にパラジ
ウム触媒を付与する工程、酸中和処理はパラジウム活性
化の後の酸を中和する工程であり、これらの何れの工程
も実施の形態６で説明した化学的処理装置によらずに実
施される。
【００９６】無電解銅メッキ工程は、スルーホール内表
面にＣｕメッキ層を無電解メッキ法で形成する工程であ
り、この工程は実施の形態６による化学的処理装置を用
いて実施される。この無電解銅メッキ工程について、次
に実施態様を示して説明する。 実施態様１． （１）処理液 金属供給剤：硫酸銅（約１０グラム／リットル） 安定剤：ＥＤＴＡ（約３０グラム／リットル） 還元剤：ホルムアルデヒド（数ミリグラム／リットル） 添加剤：２，２，ジピリジルなど（数ｐｐｍ） 添加剤：界面活性剤 ｐＨ：約１２ 処理室１３０の液温：７０℃ （２）メッキ処理速度：１〜３ミクロン／時間 （３）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （４）メッキ欠陥：なし この実施態様においても、処理液の脈動により、ブライ
ンドホールにも気泡の滞留が発生しなかったため、メッ
キ欠陥が発生しなかったと考えられる。
面にＣｕメッキ層を無電解メッキ法で形成する工程であ
り、この工程は実施の形態６による化学的処理装置を用
いて実施される。この無電解銅メッキ工程について、次
に実施態様を示して説明する。 実施態様１． （１）処理液 金属供給剤：硫酸銅（約１０グラム／リットル） 安定剤：ＥＤＴＡ（約３０グラム／リットル） 還元剤：ホルムアルデヒド（数ミリグラム／リットル） 添加剤：２，２，ジピリジルなど（数ｐｐｍ） 添加剤：界面活性剤 ｐＨ：約１２ 処理室１３０の液温：７０℃ （２）メッキ処理速度：１〜３ミクロン／時間 （３）処理液の脈動 段落００６４で説明したベローズポンプにより、同段落
で説明したと同じ圧力、流速とした。 （４）メッキ欠陥：なし この実施態様においても、処理液の脈動により、ブライ
ンドホールにも気泡の滞留が発生しなかったため、メッ
キ欠陥が発生しなかったと考えられる。
【００９７】他の実施の形態 半導体装置に対する残渣除去処理、無電解メッキ処理お
よびプリント基板に対する無電解メッキ処理に使用され
る化学的処理装置として、図６に示した実施の形態３に
よるメッキ処理装置、図７に示した実施の形態４による
メッキ処理装置および図８に示した実施の形態５による
メッキ処理装置を使用することができる。
よびプリント基板に対する無電解メッキ処理に使用され
る化学的処理装置として、図６に示した実施の形態３に
よるメッキ処理装置、図７に示した実施の形態４による
メッキ処理装置および図８に示した実施の形態５による
メッキ処理装置を使用することができる。
【００９８】この場合、図６、図７、図８に示したメッ
キ処理装置において、簡単には、メッキ液６０が、残渣
除去処理液、無電解メッキ処理液に変更され、また被メ
ッキ部材５０が、被処理部材となる。これに伴い、１０
ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂは処理液流通口となり、４
０は処理液循環路となる。この被処理部材５０は、半導
体ウエハ、プリント基板である。また、閉鎖型メッキ処
理カップ１０は、閉鎖型処理カップとなるが、その構成
は図１から３に示したものと殆ど同じである。ただ、こ
の実施の形態６では、その残渣除去処理、無電解メッキ
処理とも、給電が不必要であるので、リング状のシール
部材１２２が除去され、処理室１３０は補助シール部材
１２３だけでシールされる。シール部材１２２の除去に
伴い、カソードコンタクト１２４も除去され、またメッ
シュアノード電極１１４も除去されるか、またはメッシ
ュアノード電極１１４に対する直流電圧の供給も行われ
ない。その他の構成は、図１から３と同じである。
キ処理装置において、簡単には、メッキ液６０が、残渣
除去処理液、無電解メッキ処理液に変更され、また被メ
ッキ部材５０が、被処理部材となる。これに伴い、１０
ａ、１０ｂ、２０ａ、２０ｂは処理液流通口となり、４
０は処理液循環路となる。この被処理部材５０は、半導
体ウエハ、プリント基板である。また、閉鎖型メッキ処
理カップ１０は、閉鎖型処理カップとなるが、その構成
は図１から３に示したものと殆ど同じである。ただ、こ
の実施の形態６では、その残渣除去処理、無電解メッキ
処理とも、給電が不必要であるので、リング状のシール
部材１２２が除去され、処理室１３０は補助シール部材
１２３だけでシールされる。シール部材１２２の除去に
伴い、カソードコンタクト１２４も除去され、またメッ
シュアノード電極１１４も除去されるか、またはメッシ
ュアノード電極１１４に対する直流電圧の供給も行われ
ない。その他の構成は、図１から３と同じである。
【００９９】図６のメッキ処理装置に基づく化学的処理
装置は、流量絞り弁４４によって、処理室１３０におけ
る処理液の圧力を高く調整するのに有効であり、エアト
ラップのよる処理欠陥部の発生を解消するのに効果があ
る。また図７のメッキ処理装置に基づく化学的処理装置
は、ポンプ３１、３２が交互に、間欠的に駆動される結
果、処理室１３０の処理液の流通方向が周期的に逆転
し、ブラインドホールに接して流通する処理液の圧力と
流速が周期的に逆転して、ブラインドホールにおける気
泡の発生と滞留が解消される。さらに、図８に示すメッ
キ処理装置に基づく化学的処理装置は、ポンプ３１が駆
動されるときには、流量制御弁４６が、またポンプ３２
が駆動されるときには、流量制御弁４５がそれぞれ流量
絞り弁とされ、それぞれ処理液を排出する流通口１０
ｂ、１０ａの圧力を高くする結果、処理室１３０におけ
る処理液の圧力で調整することが容易になり、その処理
液の流通方向の切替えとともに、ブラインドホールから
効果的に気泡を排出できる。
装置は、流量絞り弁４４によって、処理室１３０におけ
る処理液の圧力を高く調整するのに有効であり、エアト
ラップのよる処理欠陥部の発生を解消するのに効果があ
る。また図７のメッキ処理装置に基づく化学的処理装置
は、ポンプ３１、３２が交互に、間欠的に駆動される結
果、処理室１３０の処理液の流通方向が周期的に逆転
し、ブラインドホールに接して流通する処理液の圧力と
流速が周期的に逆転して、ブラインドホールにおける気
泡の発生と滞留が解消される。さらに、図８に示すメッ
キ処理装置に基づく化学的処理装置は、ポンプ３１が駆
動されるときには、流量制御弁４６が、またポンプ３２
が駆動されるときには、流量制御弁４５がそれぞれ流量
絞り弁とされ、それぞれ処理液を排出する流通口１０
ｂ、１０ａの圧力を高くする結果、処理室１３０におけ
る処理液の圧力で調整することが容易になり、その処理
液の流通方向の切替えとともに、ブラインドホールから
効果的に気泡を排出できる。
【０１００】これまでの説明で明らかなように、図１か
ら図３に示したメッキ装置および図６、図７、図８に示
したメッキ装置は、何れも電解メッキおよび無電解メッ
キに使用される。この電解メッキ、無電解メッキはとも
に、半導体装置の製造方法およびプリント基板の製造方
法の中で実施される。無電解メッキに使用される場合に
は、閉鎖型処理カップにおける給電機構は不必要で、除
去することができる。また、図１から図３に示したメッ
キ装置および図６、図７、図８に示したメッキ装置は、
半導体装置の製造工程で、残渣除去にも使用される。こ
の残渣除去でも、閉鎖型処理カップにおける給電機構は
不必要で、除去することができる。
ら図３に示したメッキ装置および図６、図７、図８に示
したメッキ装置は、何れも電解メッキおよび無電解メッ
キに使用される。この電解メッキ、無電解メッキはとも
に、半導体装置の製造方法およびプリント基板の製造方
法の中で実施される。無電解メッキに使用される場合に
は、閉鎖型処理カップにおける給電機構は不必要で、除
去することができる。また、図１から図３に示したメッ
キ装置および図６、図７、図８に示したメッキ装置は、
半導体装置の製造工程で、残渣除去にも使用される。こ
の残渣除去でも、閉鎖型処理カップにおける給電機構は
不必要で、除去することができる。
【０１０１】
【発明の効果】以上のようにこの発明による化学的処理
装置は、ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通し
ながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カップ
を備え、閉鎖型処理カップに処理液を供給するポンプが
閉鎖型処理カップ内に処理液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させるようにしたものであり、被処
理部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による
処理欠陥を少なくできる効果がある。
装置は、ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通し
ながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カップ
を備え、閉鎖型処理カップに処理液を供給するポンプが
閉鎖型処理カップ内に処理液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させるようにしたものであり、被処
理部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による
処理欠陥を少なくできる効果がある。
【０１０２】また、ポンプを脈動式ポンプで構成し、ま
たはこの脈動式ポンプをベローズポンプ、ダイヤフラム
ポンプで構成し、これのポンプがその脈動により処理液
を閉鎖型処理カップに処理液を供給し、閉鎖型処理カッ
プ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を
周期的に変化させるものでは、脈動式ポンプによって閉
鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少な
くとも一方を効果的に変化させ、被処理部材への気泡の
滞留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少なく
できる効果がある。
たはこの脈動式ポンプをベローズポンプ、ダイヤフラム
ポンプで構成し、これのポンプがその脈動により処理液
を閉鎖型処理カップに処理液を供給し、閉鎖型処理カッ
プ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を
周期的に変化させるものでは、脈動式ポンプによって閉
鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少な
くとも一方を効果的に変化させ、被処理部材への気泡の
滞留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少なく
できる効果がある。
【０１０３】また、閉鎖型処理カップに対する処理液の
排出路に流量絞り弁を備えたものでは、閉鎖型処理カッ
プ内の処理液の圧力をより高い状態で調整でき、圧力と
流速の少なくとも一方の周期的な変化とともに、効果的
に被処理部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留
による処理欠陥を少なくできる効果がある。
排出路に流量絞り弁を備えたものでは、閉鎖型処理カッ
プ内の処理液の圧力をより高い状態で調整でき、圧力と
流速の少なくとも一方の周期的な変化とともに、効果的
に被処理部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留
による処理欠陥を少なくできる効果がある。
【０１０４】また、閉鎖型処理カップ内を流通する処理
液の流通方向を周期的に変化させるものでは、処理液の
流速を方向をも含めてより大きく変化させて、効果的に
被処理部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留に
よる処理欠陥を少なくできる効果がある。
液の流通方向を周期的に変化させるものでは、処理液の
流速を方向をも含めてより大きく変化させて、効果的に
被処理部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留に
よる処理欠陥を少なくできる効果がある。
【０１０５】また、２つのポンプを使用して閉鎖型処理
カップ内の処理液の流通方向を周期的に変化させるもの
では、効果的に処理液の流通方向を変化させることがで
き、さらに閉鎖型処理カップの各処理液流通路に流量制
御弁を設け、２つのポンプの切替動作に伴って、それぞ
れ処理液排出路となる側の流量制御弁を流量絞り弁とす
るものでは、閉鎖型処理カップ内の処理液の圧力をより
高い状態で調整でき、圧力と流速の少なくとも一方の周
期的な変化とともに、効果的に被処理部材への気泡の滞
留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少なくで
きる効果がある。
カップ内の処理液の流通方向を周期的に変化させるもの
では、効果的に処理液の流通方向を変化させることがで
き、さらに閉鎖型処理カップの各処理液流通路に流量制
御弁を設け、２つのポンプの切替動作に伴って、それぞ
れ処理液排出路となる側の流量制御弁を流量絞り弁とす
るものでは、閉鎖型処理カップ内の処理液の圧力をより
高い状態で調整でき、圧力と流速の少なくとも一方の周
期的な変化とともに、効果的に被処理部材への気泡の滞
留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少なくで
きる効果がある。
【０１０６】また、被処理部材が複数のブラインドホー
ルを有し、このブラインドホールの開放された開口が処
理液に接するようにして閉鎖型処理カップ内に配置し、
ブラインドホールの内表面を含む表面を処理するもので
は、ブラインドホール内での気泡の滞留を効果的に防止
して、気泡の滞留による処理欠陥を少なくでき、またバ
イアホールの一方の開口を塞いだ半導体ウエハ、または
スルーホールの一方の開口を塞いだプリント基板に対し
て同様に処理をするものでも、同様にバイアホール、ス
ルーホール内での気泡の滞留を少なくし、気泡の滞留に
よる処理欠陥を少なくできる。
ルを有し、このブラインドホールの開放された開口が処
理液に接するようにして閉鎖型処理カップ内に配置し、
ブラインドホールの内表面を含む表面を処理するもので
は、ブラインドホール内での気泡の滞留を効果的に防止
して、気泡の滞留による処理欠陥を少なくでき、またバ
イアホールの一方の開口を塞いだ半導体ウエハ、または
スルーホールの一方の開口を塞いだプリント基板に対し
て同様に処理をするものでも、同様にバイアホール、ス
ルーホール内での気泡の滞留を少なくし、気泡の滞留に
よる処理欠陥を少なくできる。
【０１０７】また、この発明によるメッキ処理装置は、
電解メッキ、無電解メッキに使用され、ある圧力と流速
をもって内部でメッキ液を流通しながら被メッキ部材に
メッキ処理を行う閉鎖型メッキ処理カップを備え、閉鎖
型メッキ処理カップにメッキ液を供給するポンプが閉鎖
型メッキ処理カップ内にメッキ液の圧力と流速の少なく
とも一方を周期的に変化させるようにしたものであり、
被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留
によるメッキ欠陥を少なくできる効果がある。
電解メッキ、無電解メッキに使用され、ある圧力と流速
をもって内部でメッキ液を流通しながら被メッキ部材に
メッキ処理を行う閉鎖型メッキ処理カップを備え、閉鎖
型メッキ処理カップにメッキ液を供給するポンプが閉鎖
型メッキ処理カップ内にメッキ液の圧力と流速の少なく
とも一方を周期的に変化させるようにしたものであり、
被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留
によるメッキ欠陥を少なくできる効果がある。
【０１０８】また、ポンプを脈動式ポンプで構成し、ま
たはこの脈動式ポンプをベローズポンプ、ダイヤフラム
ポンプで構成し、これのポンプがその脈動によりメッキ
液を閉鎖型メッキ処理カップにメッキ液を供給し、閉鎖
型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速
の少なくとも一方を周期的に変化させるものでは、脈動
式ポンプによって閉鎖型メッキ処理カップ内を流通する
メッキ液の圧力と流速の少なくとも一方を効果的に変化
させ、被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡
の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効果がある。
たはこの脈動式ポンプをベローズポンプ、ダイヤフラム
ポンプで構成し、これのポンプがその脈動によりメッキ
液を閉鎖型メッキ処理カップにメッキ液を供給し、閉鎖
型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速
の少なくとも一方を周期的に変化させるものでは、脈動
式ポンプによって閉鎖型メッキ処理カップ内を流通する
メッキ液の圧力と流速の少なくとも一方を効果的に変化
させ、被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡
の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効果がある。
【０１０９】また、閉鎖型メッキ処理カップに対するメ
ッキ液の排出路に流量絞り弁を備えたものでは、閉鎖型
メッキ処理カップ内のメッキ液の圧力をより高い状態で
調整でき、圧力と流速の少なくとも一方の周期的な変化
とともに、効果的に被メッキ部材への気泡の滞留を少な
くして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効
果がある。
ッキ液の排出路に流量絞り弁を備えたものでは、閉鎖型
メッキ処理カップ内のメッキ液の圧力をより高い状態で
調整でき、圧力と流速の少なくとも一方の周期的な変化
とともに、効果的に被メッキ部材への気泡の滞留を少な
くして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効
果がある。
【０１１０】また、閉鎖型メッキ処理カップ内を流通す
るメッキ液の流通方向を周期的に変化させるものでは、
メッキ液の流速を方向をも含めてより大きく変化させ
て、効果的に被メッキ部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効果が
ある。
るメッキ液の流通方向を周期的に変化させるものでは、
メッキ液の流速を方向をも含めてより大きく変化させ
て、効果的に被メッキ部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効果が
ある。
【０１１１】また、２つのポンプを使用して閉鎖型メッ
キ処理カップ内のメッキ液の流通方向を周期的に変化さ
せるものでは、効果的にメッキ液の流通方向を変化させ
ることができ、さらに閉鎖型メッキ処理カップの各メッ
キ液流通路に流量制御弁を設け、２つのポンプの切替動
作に伴って、それぞれメッキ液排出路となる側の流量制
御弁を流量絞り弁とするものでは、閉鎖型メッキ処理カ
ップ内のメッキ液の圧力をより高い状態で調整でき、圧
力と流速の少なくとも一方の周期的な変化とともに、効
果的に被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡
の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効果がある。
キ処理カップ内のメッキ液の流通方向を周期的に変化さ
せるものでは、効果的にメッキ液の流通方向を変化させ
ることができ、さらに閉鎖型メッキ処理カップの各メッ
キ液流通路に流量制御弁を設け、２つのポンプの切替動
作に伴って、それぞれメッキ液排出路となる側の流量制
御弁を流量絞り弁とするものでは、閉鎖型メッキ処理カ
ップ内のメッキ液の圧力をより高い状態で調整でき、圧
力と流速の少なくとも一方の周期的な変化とともに、効
果的に被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡
の滞留によるメッキ欠陥を少なくできる効果がある。
【０１１２】また、被メッキ部材が複数のブラインドホ
ールを有し、このブラインドホールの開放された開口が
メッキ液に接するようにして閉鎖型メッキ処理カップ内
に配置し、ブラインドホールの内表面を含む表面にメッ
キ層を形成するものでは、ブラインドホール内での気泡
の滞留を効果的に防止して、気泡の滞留によるメッキ欠
陥を少なくでき、またバイアホールの一方の開口を塞い
だ半導体ウエハ、またはスルーホールの一方の開口を塞
いだプリント基板に対して同様にメッキ層を形成するも
のでも、同様にバイアホール、スルーホール内での気泡
の滞留を少なくし、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少な
くできる。
ールを有し、このブラインドホールの開放された開口が
メッキ液に接するようにして閉鎖型メッキ処理カップ内
に配置し、ブラインドホールの内表面を含む表面にメッ
キ層を形成するものでは、ブラインドホール内での気泡
の滞留を効果的に防止して、気泡の滞留によるメッキ欠
陥を少なくでき、またバイアホールの一方の開口を塞い
だ半導体ウエハ、またはスルーホールの一方の開口を塞
いだプリント基板に対して同様にメッキ層を形成するも
のでも、同様にバイアホール、スルーホール内での気泡
の滞留を少なくし、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少な
くできる。
【０１１３】また、この発明による化学的処理方法は、
複数のブラインドホールを有する被処理部材に対して化
学的処理を行う方法であって、各ブラインドホールの開
放された一方の開口が流通する処理液に接するようにし
て閉鎖型処理カップ内に配置すること、この閉鎖型処理
カップ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期
的に変化させることを含んでおり、被処理部材への気泡
の滞留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少な
くできる効果がある。
複数のブラインドホールを有する被処理部材に対して化
学的処理を行う方法であって、各ブラインドホールの開
放された一方の開口が流通する処理液に接するようにし
て閉鎖型処理カップ内に配置すること、この閉鎖型処理
カップ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期
的に変化させることを含んでおり、被処理部材への気泡
の滞留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少な
くできる効果がある。
【０１１４】また、閉鎖型処理カップ内の処理液の流通
方向を周期的に切り替えることを含んだ化学的処理方法
では、処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化さ
せて、効果的に被処理部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくできる効果があ
る。
方向を周期的に切り替えることを含んだ化学的処理方法
では、処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化さ
せて、効果的に被処理部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくできる効果があ
る。
【０１１５】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、複数のバイアホールの内表面を含む表面を化学処
理する処理工程を含み、この処理工程が、各バイアホー
ルの開放された一方の開口が流通する処理液に接するよ
うにして閉鎖型処理カップ内に配置すること、この閉鎖
型処理カップ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方
を周期的に変化させることを含んでおり、ブラインドホ
ールへの気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による処
理欠陥を少なくでき、また閉鎖型処理カップ内の処理液
の流通方向を周期的に切り替えることを含む方法では、
処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化させて、
効果的にブラインドホールへの気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくでき、ともに半
導体装置の性能の向上、または製造歩留まりの向上を図
ることができる。
法は、複数のバイアホールの内表面を含む表面を化学処
理する処理工程を含み、この処理工程が、各バイアホー
ルの開放された一方の開口が流通する処理液に接するよ
うにして閉鎖型処理カップ内に配置すること、この閉鎖
型処理カップ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方
を周期的に変化させることを含んでおり、ブラインドホ
ールへの気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による処
理欠陥を少なくでき、また閉鎖型処理カップ内の処理液
の流通方向を周期的に切り替えることを含む方法では、
処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化させて、
効果的にブラインドホールへの気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくでき、ともに半
導体装置の性能の向上、または製造歩留まりの向上を図
ることができる。
【０１１６】さらに、この発明によるプリント基板の製
造方法は、複数のスルーホールの内表面を含む表面を化
学的処理する処理工程を含み、この処理工程が、各スル
ーホールの開放された一方の開口が流通する処理液に接
するようにして閉鎖型処理カップ内に配置すること、こ
の閉鎖型処理カップ内の処理液の圧力と流速の少なくと
も一方を周期的に変化させることを含んでおり、スルー
ホールへの気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による
処理欠陥を少なくでき、また閉鎖型処理カップ内の処理
液の流通方向を周期的に切り替えることを含む方法で
は、処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化させ
て、効果的にスルーホールへの気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくでき、ともにプ
リント基板の性能の向上、または製造歩留まりの向上を
図ることができる。
造方法は、複数のスルーホールの内表面を含む表面を化
学的処理する処理工程を含み、この処理工程が、各スル
ーホールの開放された一方の開口が流通する処理液に接
するようにして閉鎖型処理カップ内に配置すること、こ
の閉鎖型処理カップ内の処理液の圧力と流速の少なくと
も一方を周期的に変化させることを含んでおり、スルー
ホールへの気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による
処理欠陥を少なくでき、また閉鎖型処理カップ内の処理
液の流通方向を周期的に切り替えることを含む方法で
は、処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化させ
て、効果的にスルーホールへの気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくでき、ともにプ
リント基板の性能の向上、または製造歩留まりの向上を
図ることができる。
【０１１７】また、この発明によるメッキ処理方法は、
電解メッキ、無電解メッキに使用され、複数のブライン
ドホールを有する被メッキ部材に対してメッキを行う方
法であって、各ブラインドホールの開放された一方の開
口が流通するメッキ液に接するようにして閉鎖型メッキ
処理カップ内に配置すること、この閉鎖型メッキ処理カ
ップ内のメッキ液の圧力と流速の少なくとも一方を周期
的に変化させることを含んでおり、被メッキ部材への気
泡の滞留を少なくして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を
少なくできる効果がある。
電解メッキ、無電解メッキに使用され、複数のブライン
ドホールを有する被メッキ部材に対してメッキを行う方
法であって、各ブラインドホールの開放された一方の開
口が流通するメッキ液に接するようにして閉鎖型メッキ
処理カップ内に配置すること、この閉鎖型メッキ処理カ
ップ内のメッキ液の圧力と流速の少なくとも一方を周期
的に変化させることを含んでおり、被メッキ部材への気
泡の滞留を少なくして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を
少なくできる効果がある。
【０１１８】また、閉鎖型メッキ処理カップ内のメッキ
液の流通方向を周期的に切り替えることを含んだメッキ
処理方法では、メッキ液の流速を方向をも含めてより大
きく変化させて、効果的に被メッキ部材への気泡の滞留
を少なくして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくで
きる効果がある。
液の流通方向を周期的に切り替えることを含んだメッキ
処理方法では、メッキ液の流速を方向をも含めてより大
きく変化させて、効果的に被メッキ部材への気泡の滞留
を少なくして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくで
きる効果がある。
【０１１９】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、複数のバイアホールの内表面を含む表面にメッキ
層を形成するメッキ工程を含み、このメッキ工程が、各
バイアホールの開放された一方の開口が流通するメッキ
液に接するようにして閉鎖型メッキ処理カップ内に配置
すること、この閉鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の
圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させること
を含んでおり、被メッキ部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくでき、また閉
鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の流通方向を周期的
に切り替えることを含むメッキ方法では、メッキ液の流
速を方向をも含めてより大きく変化させて、効果的に被
メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留に
よるメッキ欠陥を少なくでき、ともに半導体装置の性能
の向上、または製造歩留まりの向上を図ることができ
る。
法は、複数のバイアホールの内表面を含む表面にメッキ
層を形成するメッキ工程を含み、このメッキ工程が、各
バイアホールの開放された一方の開口が流通するメッキ
液に接するようにして閉鎖型メッキ処理カップ内に配置
すること、この閉鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の
圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させること
を含んでおり、被メッキ部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくでき、また閉
鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の流通方向を周期的
に切り替えることを含むメッキ方法では、メッキ液の流
速を方向をも含めてより大きく変化させて、効果的に被
メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留に
よるメッキ欠陥を少なくでき、ともに半導体装置の性能
の向上、または製造歩留まりの向上を図ることができ
る。
【０１２０】さらに、この発明によるプリント基板の製
造方法は、複数のスルーホールの内表面を含む表面にメ
ッキ層を形成するメッキ工程を含み、このメッキ工程
が、各スルーホールの開放された一方の開口が流通する
メッキ液に接するようにして閉鎖型メッキ処理カップ内
に配置すること、この閉鎖型メッキ処理カップ内のメッ
キ液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させ
ることを含んでおり、被メッキ部材への気泡の滞留を少
なくして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくでき、
また閉鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の流通方向を
周期的に切り替えることを含むメッキ方法では、メッキ
液の流速を方向をも含めてより大きく変化させて、効果
的に被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の
滞留によるメッキ欠陥を少なくでき、ともにプリント基
板の性能の向上、または製造歩留まりの向上を図ること
ができる。
造方法は、複数のスルーホールの内表面を含む表面にメ
ッキ層を形成するメッキ工程を含み、このメッキ工程
が、各スルーホールの開放された一方の開口が流通する
メッキ液に接するようにして閉鎖型メッキ処理カップ内
に配置すること、この閉鎖型メッキ処理カップ内のメッ
キ液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させ
ることを含んでおり、被メッキ部材への気泡の滞留を少
なくして、気泡の滞留によるメッキ欠陥を少なくでき、
また閉鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の流通方向を
周期的に切り替えることを含むメッキ方法では、メッキ
液の流速を方向をも含めてより大きく変化させて、効果
的に被メッキ部材への気泡の滞留を少なくして、気泡の
滞留によるメッキ欠陥を少なくでき、ともにプリント基
板の性能の向上、または製造歩留まりの向上を図ること
ができる。
【０１２１】また、この発明による残渣除去処理方法
は、複数のブラインドホールを有する被処理部材に対し
て残渣除去を行う方法であって、各ブラインドホールの
開放された一方の開口が流通する処理液に接するように
して閉鎖型処理カップ内に配置すること、この閉鎖型処
理カップ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周
期的に変化させることを含んでおり、被処理部材への気
泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少
なくできる効果がある。
は、複数のブラインドホールを有する被処理部材に対し
て残渣除去を行う方法であって、各ブラインドホールの
開放された一方の開口が流通する処理液に接するように
して閉鎖型処理カップ内に配置すること、この閉鎖型処
理カップ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周
期的に変化させることを含んでおり、被処理部材への気
泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による処理欠陥を少
なくできる効果がある。
【０１２２】また、閉鎖型処理カップ内の処理液の流通
方向を周期的に切り替えることを含んだ残渣除去処理方
法では、処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化
させて、効果的に被処理部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくできる効果があ
る。
方向を周期的に切り替えることを含んだ残渣除去処理方
法では、処理液の流速を方向をも含めてより大きく変化
させて、効果的に被処理部材への気泡の滞留を少なくし
て、気泡の滞留による処理欠陥を少なくできる効果があ
る。
【０１２３】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、複数のバイアホールの内表面を含む表面に残渣除
去処理を行う残渣除去処理工程を含み、この残渣除去処
理工程が、各バイアホールの開放された一方の開口が流
通する処理液に接するようにして閉鎖型処理カップ内に
配置すること、この閉鎖型処理カップ内の処理液の圧力
と流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを含
んでおり、バイアホールへの気泡の滞留を少なくして、
気泡の滞留による残渣除去欠陥を少なくでき、また閉鎖
型処理カップ内の処理液の流通方向を周期的に切り替え
ることを含む残渣除去処理方法では、処理液の流速を方
向をも含めてより大きく変化させて、効果的にバイアホ
ールへの気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による残
渣除去欠陥を少なくでき、ともに半導体装置の性能の向
上、または製造歩留まりの向上を図ることができる。
法は、複数のバイアホールの内表面を含む表面に残渣除
去処理を行う残渣除去処理工程を含み、この残渣除去処
理工程が、各バイアホールの開放された一方の開口が流
通する処理液に接するようにして閉鎖型処理カップ内に
配置すること、この閉鎖型処理カップ内の処理液の圧力
と流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを含
んでおり、バイアホールへの気泡の滞留を少なくして、
気泡の滞留による残渣除去欠陥を少なくでき、また閉鎖
型処理カップ内の処理液の流通方向を周期的に切り替え
ることを含む残渣除去処理方法では、処理液の流速を方
向をも含めてより大きく変化させて、効果的にバイアホ
ールへの気泡の滞留を少なくして、気泡の滞留による残
渣除去欠陥を少なくでき、ともに半導体装置の性能の向
上、または製造歩留まりの向上を図ることができる。
【図１】 この発明による化学的処理装置（メッキ処理
装置）の実施の形態１の全体構成図。
装置）の実施の形態１の全体構成図。
【図２】 実施の形態１の閉鎖型処理カップ（閉鎖型メ
ッキ処理カップ）の構成を示す断面図。
ッキ処理カップ）の構成を示す断面図。
【図３】 実施の形態１の閉鎖型処理カップ（閉鎖型メ
ッキ処理カップ）の一部を拡大して示す断面図。
ッキ処理カップ）の一部を拡大して示す断面図。
【図４】 実施の形態１を用いた化学的処理（メッキ処
理）法を示す断面図。
理）法を示す断面図。
【図５】 この発明による化学的処理方法（メッキ処理
方法）の実施の形態２を工程順に示す断面図。
方法）の実施の形態２を工程順に示す断面図。
【図６】 この発明による化学的処理装置（メッキ処理
装置）の実施の形態３の全体構成図。
装置）の実施の形態３の全体構成図。
【図７】 この発明による化学的処理装置（メッキ処理
装置）の実施の形態４の全体構成図。
装置）の実施の形態４の全体構成図。
【図８】 この発明による化学的処理装置（メッキ処理
装置）の実施の形態５の全体構成図。
装置）の実施の形態５の全体構成図。
１０ 閉鎖型処理カップ（閉鎖型メッキ処理カップ）、
１０ａ，１０ｂ 処理液流通口（メッキ液流通口）、
２０ 貯液タンク、 ２０ａ，２０ｂ 処理液流通口
（メッキ液流通口）、 ３０ ポンプ装置、 ３１，３
２ ポンプ、３０ａ，３１ａ，３２ａ 吐出口、 ３０
ｂ，３１ｂ，３２ｂ 吸入口、 ４０処理液循環路（メ
ッキ液循環路）、 ４１，４２，４３ パイプ、 ４４
流量絞り弁、 ４５，４６ 流量制御弁、 ５０ 被
処理部材（被メッキ部材）、５１ 半導体ウエハ、 ５
２ バイアホール、 ５３ ブラインドホール、６０
処理液（メッキ液）、 １１０ 上部カップ、 １２０
下部カップ、１３０ 処理室。
１０ａ，１０ｂ 処理液流通口（メッキ液流通口）、
２０ 貯液タンク、 ２０ａ，２０ｂ 処理液流通口
（メッキ液流通口）、 ３０ ポンプ装置、 ３１，３
２ ポンプ、３０ａ，３１ａ，３２ａ 吐出口、 ３０
ｂ，３１ｂ，３２ｂ 吸入口、 ４０処理液循環路（メ
ッキ液循環路）、 ４１，４２，４３ パイプ、 ４４
流量絞り弁、 ４５，４６ 流量制御弁、 ５０ 被
処理部材（被メッキ部材）、５１ 半導体ウエハ、 ５
２ バイアホール、 ５３ ブラインドホール、６０
処理液（メッキ液）、 １１０ 上部カップ、 １２０
下部カップ、１３０ 処理室。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｍ Ｆターム(参考） 4K022 AA41 AA42 BA03 BA14 BA16 BA35 BA36 CA06 CA07 CA21 DA01 DA03 DB02 DB18 4K024 AA11 BB12 CA01 CA04 CB01 CB04 CB15 CB16 4M104 AA01 AA05 BB04 BB05 BB13 DD08 DD22 DD37 DD52 DD53 FF13 HH14 HH20 5E343 AA07 BB23 BB24 BB55 CC73 DD33 FF16 FF17 GG11
Claims (38)
- 【請求項１】 ある圧力と流速をもって内部で処理液を
流通しながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理
カップと、前記処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯
液タンクから前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給
するポンプとを備え、前記ポンプが前記閉鎖型処理カッ
プ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に
変化させるように構成されたことを特徴とする化学的処
理装置。 - 【請求項２】 前記ポンプが脈動式ポンプで構成され、
この脈動式ポンプは前記閉鎖型処理カップ内を流通する
処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化さ
せることを特徴とする請求項１記載の化学的処理装置。 - 【請求項３】 前記脈動式ポンプがベローズポンプで構
成され、このベローズポンプはベローズを周期的に脈動
させて前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給し、前
記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の
少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とする
請求項２記載の化学的処理装置。 - 【請求項４】 前記脈動式ポンプがダイヤフラムポンプ
で構成され、このダイヤフラムポンプは、ダイヤフラム
を周期的に脈動させて前記処理液を前記閉鎖型処理カッ
プへ供給し、前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液
の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させるこ
とを特徴とする請求項２記載の化学的処理装置。 - 【請求項５】 前記閉鎖型処理カップに対する処理液の
供給路と、前記閉鎖型処理カップに対する処理液の排出
路と、前記処理液の排出路に設けられた流量絞り弁とを
更に備えた請求項１から４の何れかに記載の化学的処理
装置。 - 【請求項６】 ある圧力と流速をもって内部で処理液を
流通しながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理
カップと、前記処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯
液タンクから前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給
するポンプ装置とを備え、前記閉鎖型処理カップ内の処
理液の流通方向が周期的に変化するように構成されたこ
とを特徴とする化学的処理装置。 - 【請求項７】 前記閉鎖型処理カップは第１、第２の処
理液流通口を有し、前記ポンプ装置は第１、第２のポン
プを有し、この第１のポンプは前記閉鎖型処理カップ内
で処理液を前記第１の処理液流通口から前記第２の処理
液流通口へ流通させ、また第２のポンプは前記閉鎖型処
理カップ内で処理液を前記第２の処理液流通口から前記
第１の処理液流通口へ流通させるように構成されている
請求項６記載の化学的処理装置。 - 【請求項８】 前記閉鎖型処理カップの第１、第２の処
理液流通口にそれぞれ連通する第１、第２の処理液流通
路と、これらの処理液流通路のそれぞれに設けられた第
１、第２の流量制御弁とを備え、前記閉鎖型処理カップ
内において、前記処理液が前記第１の処理液流通口から
前記第２の処理液流通口へ流通する場合には、前記第２
の処理液流通口に連通する前記第２の処理液流通路に設
けられた前記第２の流量制御弁が流量絞り弁とされ、ま
た前記処理液が前記第２の処理液流通口から前記第１の
処理液流通口へ流通する場合には、前記第１の処理液流
通口に連通する前記第１の処理液流通路に設けられた前
記第１の流量制御弁が流量絞り弁とされる請求項７記載
の化学的処理装置。 - 【請求項９】 前記被処理部材が一方の開口が開放され
他方の開口が塞がれた複数のブラインドホールを有し、
各ブラインドホールの開放された開口が流通する処理液
に接するようにして前記被処理部材を前記閉鎖型処理カ
ップ内に配置して、各ブラインドホールの内表面を含む
表面に化学的処理が行われることを特徴とする請求項１
から８の何れかに記載の化学的処理装置。 - 【請求項１０】 前記被処理部材が半導体ウエハであ
り、この半導体ウエハは一方の開口が開放され他方の開
口が塞がれた複数のバイアホールを有し、各バイアホー
ルの開放された開口が流通する処理液に接するようにし
て前記閉鎖型処理カップ内に配置され、各バイアホール
の内表面を含む表面に化学的処理が行われることを特徴
とする請求項１から８の何れかに記載の化学的処理装
置。 - 【請求項１１】 前記被処理部材がプリント基板であ
り、このプリント基板は一方の開口が開放され他方の開
口が塞がれた複数のスルーホールを有し、各スルーホー
ルの開放された開口が流通する処理液に接するようにし
て前記閉鎖型処理カップ内に配置され、各スルーホール
の内表面を含む表面に化学的処理が行われることを特徴
とする請求項１から８の何れかに記載の化学的処理装
置。 - 【請求項１２】 ある圧力と流速をもって内部でメッキ
液を流通しながら被メッキ部材にメッキ処理を行う閉鎖
型メッキ処理カップと、前記メッキ液を貯蔵する貯液タ
ンクと、前記貯液タンクから前記メッキ液を前記閉鎖型
メッキ処理カップに供給するポンプとを備え、前記ポン
プが前記閉鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の圧力と
流速の少なくとも一方を周期的に変化させるように構成
されたことを特徴とするメッキ処理装置。 - 【請求項１３】 前記ポンプが脈動式ポンプで構成さ
れ、この脈動式ポンプは前記閉鎖型メッキ処理カップ内
を流通するメッキ液の圧力と流速の少なくとも一方を周
期的に変化させることを特徴とする請求項１２記載のメ
ッキ処理装置。 - 【請求項１４】 前記脈動式ポンプがベローズポンプで
構成され、このベローズポンプはベローズを周期的に脈
動させて前記メッキ液を前記閉鎖型メッキ処理カップに
供給し、前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッ
キ液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させ
ることを特徴とする請求項１３記載のメッキ処理装置。 - 【請求項１５】 前記脈動式ポンプがダイヤフラムポン
プで構成され、このダイヤフラムポンプは、ダイヤフラ
ムを周期的に脈動させて前記メッキ液を前記閉鎖型メッ
キ処理カップへ供給し、前記閉鎖型メッキ処理カップ内
を流通するメッキ液の圧力と流速の少なくとも一方を周
期的に変化させることを特徴とする請求項１３記載のメ
ッキ処理装置。 - 【請求項１６】 前記閉鎖型メッキ処理カップに対する
メッキ液の供給路と、前記閉鎖型メッキ処理カップに対
するメッキ液の排出路と、前記メッキ液の排出路に設け
られた流量絞り弁とを更に備えた請求項１２から１５の
何れかに記載のメッキ処理装置。 - 【請求項１７】 ある圧力と流速をもって内部でメッキ
液を流通しながら被メッキ部材にメッキ処理を行う閉鎖
型メッキ処理カップと、前記メッキ液を貯蔵する貯液タ
ンクと、前記貯液タンクから前記メッキ液を前記閉鎖型
メッキ処理カップに供給するポンプ装置とを備え、前記
閉鎖型メッキ処理カップ内のメッキ液の流通方向が周期
的に変化するように構成されたことを特徴とするメッキ
処理装置。 - 【請求項１８】 前記閉鎖型メッキ処理カップは第１、
第２のメッキ液流通口を有し、前記ポンプ装置は第１、
第２のポンプを有し、この第１のポンプは前記閉鎖型メ
ッキ処理カップ内でメッキ液を前記第１のメッキ液流通
口から前記第２のメッキ液流通口へ流通させ、また第２
のポンプは前記閉鎖型メッキ処理カップ内でメッキ液を
前記第２のメッキ液流通口から前記第１のメッキ液流通
口へ流通させるように構成されている請求項１７記載の
メッキ処理装置。 - 【請求項１９】 前記閉鎖型メッキ処理カップの第１、
第２のメッキ液流通口にそれぞれ連通する第１、第２の
メッキ液流通路と、これらのメッキ液流通路のそれぞれ
に設けられた第１、第２の流量制御弁とを備え、前記閉
鎖型メッキ処理カップ内において、前記メッキ液が前記
第１のメッキ液流通口から前記第２のメッキ液流通口へ
流通する場合には、前記第２のメッキ液流通口に連通す
る前記第２のメッキ液流通路に設けられた前記第２の流
量制御弁が流量絞り弁とされ、また前記メッキ液が前記
第２のメッキ液流通口から前記第１のメッキ液流通口へ
流通する場合には、前記第１のメッキ液流通口に連通す
る前記第１のメッキ液流通路に設けられた前記第１の流
量制御弁が流量絞り弁とされる請求項１８記載のメッキ
処理装置。 - 【請求項２０】 前記被メッキ部材が一方の開口が開放
され他方の開口が塞がれた複数のブラインドホールを有
し、各ブラインドホールの開放された開口が流通するメ
ッキ液に接するようにして前記被メッキ部材を前記閉鎖
型メッキ処理カップ内に配置して、各ブラインドホール
の内表面を含む表面にメッキが行われることを特徴とす
る請求項１２から１９の何れかに記載のメッキ処理装
置。 - 【請求項２１】 前記被メッキ部材が半導体ウエハであ
り、この半導体ウエハは一方の開口が開放され他方の開
口が塞がれた複数のバイアホールを有し、各バイアホー
ルの開放された開口が流通するメッキ液に接するように
して前記閉鎖型メッキ処理カップ内に配置され、各バイ
アホールの内表面を含む表面にメッキが行われることを
特徴とする請求項１２から１９の何れかに記載のメッキ
処理装置。 - 【請求項２２】 前記被メッキ部材がプリント基板であ
り、このプリント基板は一方の開口が開放され他方の開
口が塞がれた複数のスルーホールを有し、各スルーホー
ルの開放された開口が流通するメッキ液に接するように
して前記閉鎖型メッキ処理カップ内に配置され、各スル
ーホールの内表面を含む表面にメッキが行われることを
特徴とする請求項１２から１９の何れかに記載のメッキ
処理装置。 - 【請求項２３】 一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有する被処理部材に対
して、前記各ブラインドホールの内表面を含む表面に化
学的処理を行う化学的処理方法であって、閉鎖型メッキ
処理内に処理液をある圧力と流速をもって流通させるこ
と、前記各ブラインドホールの開放された一方の開口が
処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に前
記被処理部材を配置すること、および前記閉鎖型処理カ
ップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方
を周期的に変化させることを含んでいる化学的処理方
法。 - 【請求項２４】 一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有する被処理部材に対
して、前記各ブラインドホールの内表面を含む表面に化
学的処理を行う化学的処理方法であって、閉鎖型処理カ
ップ内に処理液をある圧力と流速をもって流通させるこ
と、前記各ブラインドホールの開放された一方の開口が
処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に前
記被処理部材を配置すること、および前記閉鎖型処理カ
ップ内を流通する処理液の流通方向を周期的に切り替え
ることを含んでいる化学的処理方法。 - 【請求項２５】 半導体基板を貫通するバイアホールを
有する半導体装置の製造方法であって、前記バイアホー
ルの内表面を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工
程を有し、この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内
に処理液をある圧力と流速をもって流通させること、前
記各バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞い
だ状態でその開放された開口が処理液に接するようにし
て前記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半
導体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処理カッ
プ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を
周期的に変化させることを含んでいる半導体装置の製造
方法。 - 【請求項２６】 半導体基板を貫通するバイアホールを
有する半導体装置の製造方法であって、前記バイアホー
ルの内表面を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工
程を有し、この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内
に処理液をある圧力と流速をもって流通させること、前
記各バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞い
だ状態でその開放された開口が処理液に接するようにし
て前記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含んだ半
導体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処理カッ
プ内を流通する処理液の流通方向を周期的に変化させる
ことを含んでいる半導体装置の製造方法。 - 【請求項２７】 基板を貫通するスルーホールを有する
プリント基板の製造方法であって、前記バイアホールの
内表面を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を
有し、この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処
理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
スルーホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状
態でその開放された開口が処理液に接するようにして前
記閉鎖型処理カップ内に前記基板を配置すること、およ
び前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流
速の少なくとも一方を周期的に変化させることを含んで
いるプリント基板の製造方法。 - 【請求項２８】 基板を貫通するスルーホールを有する
プリント基板の製造方法であって、前記バイアホールの
内表面を含む表面に化学的処理を行う化学的処理工程を
有し、この化学的処理工程が、閉鎖型処理カップ内に処
理液をある圧力と流速をもって流通させること、前記各
スルーホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ状
態でその開放された開口が処理液に接するようにして前
記閉鎖型処理カップ内に前記基板を配置すること、およ
び前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の流通方向
を周期的に変化させることを含んでいるプリント基板の
製造方法。 - 【請求項２９】 一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有する被メッキ部材に
対して、前記各ブラインドホールの内表面を含む表面に
メッキを行うメッキ処理方法であって、閉鎖型メッキ処
理カップ内にメッキ液をある圧力と流速をもって流通さ
せること、前記各ブラインドホールの開放された一方の
開口がメッキ液に接するようにして前記閉鎖型メッキ処
理カップ内に前記被メッキ部材を配置すること、および
前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の圧
力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを
含んでいるメッキ処理方法。 - 【請求項３０】 一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有する被メッキ部材に
対して、前記各ブラインドホールの内表面を含む表面に
メッキを行うメッキ処理方法であって、閉鎖型メッキ処
理カップ内にメッキ液をある圧力と流速をもって流通さ
せること、前記各ブラインドホールの開放された一方の
開口がメッキ液に接するようにして前記閉鎖型メッキ処
理カップ内に前記被メッキ部材を配置すること、および
前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の流
通方向を周期的に切り替えることを含んでいるメッキ処
理方法。 - 【請求項３１】 半導体基板を貫通するバイアホールを
有する半導体装置の製造方法であって、前記バイアホー
ルの内表面を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を
有し、このメッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内に
メッキ液をある圧力と流速をもって流通させること、前
記各バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞い
だ状態でその開放された開口がメッキ液に接するように
して前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記半導体基板を
含んだ半導体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型
メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の圧力と流速の
少なくとも一方を周期的に変化させることを含んでいる
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３２】 半導体基板を貫通するバイアホールを
有する半導体装置の製造方法であって、前記バイアホー
ルの内表面を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を
有し、このメッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内に
メッキ液をある圧力と流速をもって流通させること、前
記各バイアホール一方の開口を開放し他方の開口を塞い
だ状態でその開放された開口がメッキ液に接するように
して前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記半導体基板を
含んだ半導体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型
メッキ処理カップ内を流通するメッキ液の流通方向を周
期的に変化させることを含んでいる半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３３】 基板を貫通するスルーホールを有する
プリント基板の製造方法であって、前記バイアホールの
内表面を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有
し、このメッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメ
ッキ液をある圧力と流速をもって流通させること、前記
各スルーホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ
状態でその開放された開口がメッキ液に接するようにし
て前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記基板を配置する
こと、および前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通する
メッキ液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化
させることを含んでいるプリント基板の製造方法。 - 【請求項３４】 基板を貫通するスルーホールを有する
プリント基板の製造方法であって、前記バイアホールの
内表面を含む表面にメッキ処理を行うメッキ工程を有
し、このメッキ工程が、閉鎖型メッキ処理カップ内にメ
ッキ液をある圧力と流速をもって流通させること、前記
各スルーホール一方の開口を開放し他方の開口を塞いだ
状態でその開放された開口がメッキ液に接するようにし
て前記閉鎖型メッキ処理カップ内に前記基板を配置する
こと、および前記閉鎖型メッキ処理カップ内を流通する
メッキ液の流通方向を周期的に変化させることを含んで
いるプリント基板の製造方法。 - 【請求項３５】 一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有する被処理部材に対
して、前記各ブラインドホールの内表面を含む表面に残
渣除去処理を行う残渣除去処理方法であって、閉鎖型処
理カップ内に処理液をある圧力と流速をもって流通させ
ること、前記各ブラインドホールの開放された一方の開
口が処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カップ内
に前記被処理部材を配置すること、および前記閉鎖型処
理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させることを含んでいる残渣除去処
理方法。 - 【請求項３６】 一方の開口が開放され他方の開口が塞
がれた複数のブラインドホールを有する被処理部材に対
して、前記各ブラインドホールの内表面を含む表面に残
渣除去処理を行う残渣除去処理方法であって、閉鎖型処
理カップ内に処理液をある圧力と流速をもって流通させ
ること、前記各ブラインドホールの開放された一方の開
口が処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カップ内
に前記被処理部材を配置すること、および前記閉鎖型処
理カップ内を流通する処理液の流通方向を周期的に切り
替えることを含んでいる残渣除去処理方法。 - 【請求項３７】 半導体基板を貫通するバイアホールを
有する半導体装置の製造方法であって、前記バイアホー
ルの内表面を含む表面に残渣除去処理を行う残渣除去処
理工程を有し、この残渣除去処理工程が、閉鎖型処理カ
ップ内に処理液をある圧力と流速をもって流通させるこ
と、前記各バイアホール一方の開口を開放し他方の開口
を塞いだ状態でその開放された開口が処理液に接するよ
うにして前記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含
んだ半導体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処
理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも
一方を周期的に変化させることを含んでいる半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３８】 半導体基板を貫通するバイアホールを
有する半導体装置の製造方法であって、前記バイアホー
ルの内表面を含む表面に残渣除去処理を行う残渣除去処
理工程を有し、この残渣除去処理工程が、閉鎖型処理カ
ップ内に処理液をある圧力と流速をもって流通させるこ
と、前記各バイアホール一方の開口を開放し他方の開口
を塞いだ状態でその開放された開口が処理液に接するよ
うにして前記閉鎖型処理カップ内に前記半導体基板を含
んだ半導体ウエハを配置すること、および前記閉鎖型処
理カップ内を流通する処理液の流通方向を周期的に変化
させることを含んでいる半導体装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
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