JP2002363788A5 - - Google Patents

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Description

【発明の名称】化学的処理装置
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、閉鎖型処理カップを用いて被処理部材に化学的処理を行う化学的処理装置に関するものである。
【０００９】
この発明は、このような残渣除去処理、無電解メッキ層、電解メッキ層などの欠陥部の発生を抑えることのできる改良された化学的処理装置を提案するものである。

Claims (11)

  1. ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通しながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カップと、前記処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液タンクから前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給するポンプとを備え、前記ポンプが前記閉鎖型処理カップ内の処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させるように構成されたことを特徴とする化学的処理装置。
  2. 前記ポンプが脈動式ポンプで構成され、この脈動式ポンプは前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とする請求項１記載の化学的処理装置。
  3. 前記脈動式ポンプがベローズポンプで構成され、このベローズポンプはベローズを周期的に脈動させて前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給し、前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とする請求項２記載の化学的処理装置。
  4. 前記脈動式ポンプがダイヤフラムポンプで構成され、このダイヤフラムポンプは、ダイヤフラムを周期的に脈動させて前記処理液を前記閉鎖型処理カップへ供給し、前記閉鎖型処理カップ内を流通する処理液の圧力と流速の少なくとも一方を周期的に変化させることを特徴とする請求項２記載の化学的処理装置。
  5. 前記閉鎖型処理カップに対する処理液の供給路と、前記閉鎖型処理カップに対する処理液の排出路と、前記処理液の排出路に設けられた流量絞り弁とを更に備えた請求項１から４の何れかに記載の化学的処理装置。
  6. ある圧力と流速をもって内部で処理液を流通しながら被処理部材に化学的処理を行う閉鎖型処理カップと、前記処理液を貯蔵する貯液タンクと、前記貯液タンクから前記処理液を前記閉鎖型処理カップに供給するポンプ装置とを備え、前記閉鎖型処理カップ内の処理液の流通方向が周期的に変化するように構成されたことを特徴とする化学的処理装置。
  7. 前記閉鎖型処理カップは第１、第２の処理液流通口を有し、前記ポンプ装置は第１、第２のポンプを有し、この第１のポンプは前記閉鎖型処理カップ内で処理液を前記第１の処理液流通口から前記第２の処理液流通口へ流通させ、また第２のポンプは前記閉鎖型処理カップ内で処理液を前記第２の処理液流通口から前記第１の処理液流通口へ流通させるように構成されている請求項６記載の化学的処理装置。
  8. 前記閉鎖型処理カップの第１、第２の処理液流通口にそれぞれ連通する第１、第２の処理液流通路と、これらの処理液流通路のそれぞれに設けられた第１、第２の流量制御弁とを備え、前記閉鎖型処理カップ内において、前記処理液が前記第１の処理液流通口から前記第２の処理液流通口へ流通する場合には、前記第２の処理液流通口に連通する前記第２の処理液流通路に設けられた前記第２の流量制御弁が流量絞り弁とされ、また前記処理液が前記第２の処理液流通口から前記第１の処理液流通口へ流通する場合には、前記第１の処理液流通口に連通する前記第１の処理液流通路に設けられた前記第１の流量制御弁が流量絞り弁とされる請求項７記載の化学的処理装置。
  9. 前記被処理部材が一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のブラインドホールを有し、各ブラインドホールの開放された開口が流通する処理液に接するようにして前記被処理部材を前記閉鎖型処理カップ内に配置して、各ブラインドホールの内表面を含む表面に化学的処理が行われることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の化学的処理装置。
  10. 前記被処理部材が半導体ウエハであり、この半導体ウエハは一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のバイアホールを有し、各バイアホールの開放された開口が流通する処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に配置され、各バイアホールの内表面を含む表面に化学的処理が行われることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の化学的処理装置。
  11. 前記被処理部材がプリント基板であり、このプリント基板は一方の開口が開放され他方の開口が塞がれた複数のスルーホールを有し、各スルーホールの開放された開口が流通する処理液に接するようにして前記閉鎖型処理カップ内に配置され、各スルーホールの内表面を含む表面に化学的処理が行われることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の化学的処理装置。
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TW091104068A TWI237070B (en) 2001-04-02 2002-03-05 Chemical processing apparatus, chemical processing method, and method of manufacturing semiconductor device using the same
US10/093,417 US20020139663A1 (en) 2001-04-02 2002-03-11 Chemical treatment system
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7883739B2 (en) 2003-06-16 2011-02-08 Lam Research Corporation Method for strengthening adhesion between dielectric layers formed adjacent to metal layers
US6881437B2 (en) * 2003-06-16 2005-04-19 Blue29 Llc Methods and system for processing a microelectronic topography
WO2004114386A2 (en) * 2003-06-16 2004-12-29 Blue29 Corporation Methods and system for processing a microelectronic topography
US6860944B2 (en) * 2003-06-16 2005-03-01 Blue29 Llc Microelectronic fabrication system components and method for processing a wafer using such components
CN100393917C (zh) * 2003-12-26 2008-06-11 台湾积体电路制造股份有限公司 化学电镀方法和装置
KR100832705B1 (ko) * 2006-12-23 2008-05-28 동부일렉트로닉스 주식회사 시스템 인 패키지의 비아 도금방법 및 그 시스템
US7776741B2 (en) * 2008-08-18 2010-08-17 Novellus Systems, Inc. Process for through silicon via filing
US9109295B2 (en) 2009-10-12 2015-08-18 Novellus Systems, Inc. Electrolyte concentration control system for high rate electroplating
US10472730B2 (en) 2009-10-12 2019-11-12 Novellus Systems, Inc. Electrolyte concentration control system for high rate electroplating
CN103880127A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 陈晓波 一种等离子管式液体表面放电水处理装置
JP2015178661A (ja) * 2014-03-19 2015-10-08 株式会社荏原製作所 無電解めっき方法
CN104328465B (zh) * 2014-11-10 2017-05-24 浙江振有电子股份有限公司 Hdi印制线路板高均匀性通孔电镀装置
US20200303748A1 (en) * 2017-04-24 2020-09-24 University Of North Texas Nanomanufacturing of metallic glasses for energy conversion and storage
TWI774797B (zh) 2017-07-10 2022-08-21 美商應用材料股份有限公司 具有減少的夾帶空氣的電鍍系統
US10692735B2 (en) 2017-07-28 2020-06-23 Lam Research Corporation Electro-oxidative metal removal in through mask interconnect fabrication
CN111560638B (zh) * 2020-07-06 2021-06-29 苏州清飙科技有限公司 晶圆电镀设备
CN112813482B (zh) * 2020-12-30 2021-11-02 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 芯片电镀系统及芯片电镀控制方法
CN113873774B (zh) * 2021-09-15 2023-08-29 江苏贺鸿电子有限公司 一种印刷电路板制作的水平沉铜装置
CN113930813B (zh) * 2021-11-17 2022-04-08 珠海市创智芯科技有限公司 一种应用于晶圆级封装的电镀铜溶液及其电镀工艺

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
US5290423A (en) * 1992-04-27 1994-03-01 Hughes Aircraft Company Electrochemical interconnection
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
DE19534521C1 (de) * 1995-09-06 1996-11-21 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von sich in Werkstücke erstreckende Löcher oder Vertiefungen mit flüssigen Behandlungsmitteln und Anwendung des Verfahrens zur Behandlung von Leiterplatten
KR200224866Y1 (ko) * 1996-04-10 2001-11-30 김영환 반도체 웨이퍼 처리액 공급장치
KR100202191B1 (ko) * 1996-07-18 1999-06-15 문정환 반도체 웨이퍼 습식 처리장치
JP3490238B2 (ja) * 1997-02-17 2004-01-26 三菱電機株式会社 メッキ処理装置およびメッキ処理方法
JP3462970B2 (ja) * 1997-04-28 2003-11-05 三菱電機株式会社 メッキ処理装置およびメッキ処理方法
TW405158B (en) * 1997-09-17 2000-09-11 Ebara Corp Plating apparatus for semiconductor wafer processing
US6616774B2 (en) * 1997-12-26 2003-09-09 Spc Electronics Wafer cleaning device and tray for use in wafer cleaning device
JP3523197B2 (ja) * 1998-02-12 2004-04-26 エーシーエム リサーチ，インコーポレイティド メッキ設備及び方法
US6395152B1 (en) * 1998-07-09 2002-05-28 Acm Research, Inc. Methods and apparatus for electropolishing metal interconnections on semiconductor devices
EP1070159A4 (en) * 1998-10-14 2004-06-09 Faraday Technology Inc ELECTRIC COATING OF METALS IN SMALL CUTOUTS USING MODULATED ELECTRICAL FIELDS
US6454918B1 (en) * 1999-03-23 2002-09-24 Electroplating Engineers Of Japan Limited Cup type plating apparatus
KR100293239B1 (ko) * 1999-06-23 2001-06-15 김무 반도체 기질 도금장치 및 방법

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