JP2002363746A - 基板を加熱する方法 - Google Patents
基板を加熱する方法Info
- Publication number
- JP2002363746A JP2002363746A JP2002129481A JP2002129481A JP2002363746A JP 2002363746 A JP2002363746 A JP 2002363746A JP 2002129481 A JP2002129481 A JP 2002129481A JP 2002129481 A JP2002129481 A JP 2002129481A JP 2002363746 A JP2002363746 A JP 2002363746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heating
- glass
- vapor deposition
- heating device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板を加熱するための経済的で環境に優しい
方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る基板を加熱する方法では、
ａ）コーティングされる基板のコーティングされる表面
を、ガラスセラミックプレートでカバーされ該基板に対
応した凹部を有する加熱装置に配置し、ｂ）その基板を
下方から加熱してそのコーティングに必要なプロセス温
度にし、ｃ）その基板を該加熱装置から外し、コーティ
ング室に入れてコーティングする。
方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る基板を加熱する方法では、
ａ）コーティングされる基板のコーティングされる表面
を、ガラスセラミックプレートでカバーされ該基板に対
応した凹部を有する加熱装置に配置し、ｂ）その基板を
下方から加熱してそのコーティングに必要なプロセス温
度にし、ｃ）その基板を該加熱装置から外し、コーティ
ング室に入れてコーティングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板を加熱する方法
に関する。本発明はまた、外部予熱に関する。
に関する。本発明はまた、外部予熱に関する。
【０００２】
【従来の技術】特にガラス部品を加熱するための従来の
方法においては、加熱が多大のエネルギーを消費し、時
間がかかるプロセスで行なわれる。
方法においては、加熱が多大のエネルギーを消費し、時
間がかかるプロセスで行なわれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は基板を
加熱するための経済的で環境に優しい方法を提供するこ
とである。
加熱するための経済的で環境に優しい方法を提供するこ
とである。
【０００４】
【解題を解決するための手段】この目的は、 ａ）コーティングされる基板のコーティングされる表面
を、ガラス−セラミックプレートでカバーされ該基板に
対応した凹部を有する加熱装置上に配置し、 ｂ）その基板を下方から加熱してそのコーティングに必
要なプロセス温度にし、 ｃ）その基板を該加熱装置から外し、コーティング室に
入れてコーティングする、基板を加熱する方法によって
達成される。 本発明に係る装置はコーティングのプロセス時間をかな
り短縮する。このプロセスはエネルギーを節約する。こ
の加熱はコーティング装置の摩耗を軽減する。コーティ
ングの品質が改良される。必要とされる温度調節はプロ
セス時間に影響を与えずに実施することができる。この
プロセスは安定したプロセス管理を可能にする。
を、ガラス−セラミックプレートでカバーされ該基板に
対応した凹部を有する加熱装置上に配置し、 ｂ）その基板を下方から加熱してそのコーティングに必
要なプロセス温度にし、 ｃ）その基板を該加熱装置から外し、コーティング室に
入れてコーティングする、基板を加熱する方法によって
達成される。 本発明に係る装置はコーティングのプロセス時間をかな
り短縮する。このプロセスはエネルギーを節約する。こ
の加熱はコーティング装置の摩耗を軽減する。コーティ
ングの品質が改良される。必要とされる温度調節はプロ
セス時間に影響を与えずに実施することができる。この
プロセスは安定したプロセス管理を可能にする。
【０００５】本発明の好ましい構成は、基板ホルダーを
有するガラス−セラミックプレートの複数の凹部から成
っている。その低熱伝導率のために、該ガラス−セラミ
ックプレートは特にこの方法に適している。本発明の好
ましい構成は、互いの上面に配置され、異なった開口を
有する少なくとも２つのプレートを有するガラス−セラ
ミックプレートである。この異なったサイズの開口を有
するガラス−セラミックプレートが互いの上面に配置さ
れれば、基板ホルダーが形成される。２枚のプレートを
使用すると、加熱ロスが付加的に軽減される。そのため
該基板ホルダーの製造がより容易に行なわれる。本発明
の好ましい構成は、５００℃〜８００℃の温度で調整さ
れるプロセス用である。良好な結果がこの温度範囲内で
達成される。本発明は、少なくとも一層でコーティング
される基板のための用意がなされている。
有するガラス−セラミックプレートの複数の凹部から成
っている。その低熱伝導率のために、該ガラス−セラミ
ックプレートは特にこの方法に適している。本発明の好
ましい構成は、互いの上面に配置され、異なった開口を
有する少なくとも２つのプレートを有するガラス−セラ
ミックプレートである。この異なったサイズの開口を有
するガラス−セラミックプレートが互いの上面に配置さ
れれば、基板ホルダーが形成される。２枚のプレートを
使用すると、加熱ロスが付加的に軽減される。そのため
該基板ホルダーの製造がより容易に行なわれる。本発明
の好ましい構成は、５００℃〜８００℃の温度で調整さ
れるプロセス用である。良好な結果がこの温度範囲内で
達成される。本発明は、少なくとも一層でコーティング
される基板のための用意がなされている。
【０００６】本発明によれば、基板のコーティング法
が、以下のプロセス：すなわちＣＤＶ（化学的蒸着）、
ＰＶＤ（物理的蒸着）、ＰＥＣＶＤ（プラズマ強化化学
的蒸着）、ＰＩＣＶＤ（プラズマ・インパルス化学的蒸
着）、ＬＰＣＶＤ（低圧化学的蒸着）、あるいはＴＣＶ
Ｄ（熱化学的蒸着）のうちの少なくとも１種の方法から
なる。本発明によれば、基板を加熱する装置があり、そ
の加熱装置はガラス−セラミックプレートでカバーさ
れ、該基板に対応した凹部を有している。本発明の好ま
しい構成は、基板ホルダーを有するガラス−セラミック
プレートの複数の凹部にある。この整合基板ホルダーは
かなりの量のエネルギーを節約する。本発明の好ましい
構成は、互いに上面に配置され、異なった開口を有する
少なくとも２枚のプレートを有する加熱装置にある。こ
の装置は熱損失を低減する。本発明の好ましい構成は、
加熱ラジエータが赤外高温ラジエータである装置であ
る。これらの高温ラジエータは長い使用寿命がある。以
下の工程でコーティングされる基板を加熱する装置の使
用も、本発明である。ガラス基板を加熱する装置の用途
は本発明により提供される。本発明は図面と実施例を参
照してより詳細に説明される。図面は基板を加熱する装
置を示している。
が、以下のプロセス：すなわちＣＤＶ（化学的蒸着）、
ＰＶＤ（物理的蒸着）、ＰＥＣＶＤ（プラズマ強化化学
的蒸着）、ＰＩＣＶＤ（プラズマ・インパルス化学的蒸
着）、ＬＰＣＶＤ（低圧化学的蒸着）、あるいはＴＣＶ
Ｄ（熱化学的蒸着）のうちの少なくとも１種の方法から
なる。本発明によれば、基板を加熱する装置があり、そ
の加熱装置はガラス−セラミックプレートでカバーさ
れ、該基板に対応した凹部を有している。本発明の好ま
しい構成は、基板ホルダーを有するガラス−セラミック
プレートの複数の凹部にある。この整合基板ホルダーは
かなりの量のエネルギーを節約する。本発明の好ましい
構成は、互いに上面に配置され、異なった開口を有する
少なくとも２枚のプレートを有する加熱装置にある。こ
の装置は熱損失を低減する。本発明の好ましい構成は、
加熱ラジエータが赤外高温ラジエータである装置であ
る。これらの高温ラジエータは長い使用寿命がある。以
下の工程でコーティングされる基板を加熱する装置の使
用も、本発明である。ガラス基板を加熱する装置の用途
は本発明により提供される。本発明は図面と実施例を参
照してより詳細に説明される。図面は基板を加熱する装
置を示している。
【０００７】
【発明の実施形態】実施例 加熱装置と、２枚のガラス−セラミックプレートと、赤
外高温ラジエータを備えるガラス基板を加熱する装置を
５００℃の温度で作動した。上流加熱で１時間当たり５
３００部品がコーティングされることになった。 対照例 基板をコーティング設備で加熱した従来の方法では、１
時間当たり３２００部品をコーティングすることが可能
だった。上記実施例と本比較例との間の比較により本発
明に係る方法を使用して、コーティングされた基板の歩
留りが６５％上昇した。加熱のためのエネルギー消費が
５０％低下した。 図面 図は基板用の本発明の加熱装置を示している。基板を加
熱する装置（１）は、加熱装置（３）をカバーするため
に使用されるガラス−セラミックプレート（２）を有す
る。該ガラス−セラミックプレート（２）は保持される
予定の基板に対応する凹部（４）を有している。この凹
部（４）は基板ホルダーに相当する。ガラス−セラミッ
クプレート（２）は、互いの上面にゆったりと配置さ
れ、２つの異なった開口（４）を有する少なくとも２枚
のプレートを備えている。該加熱装置（３）の内部領域
に配置された加熱ラジエータ（３）は赤外高温ラジエー
タである。
外高温ラジエータを備えるガラス基板を加熱する装置を
５００℃の温度で作動した。上流加熱で１時間当たり５
３００部品がコーティングされることになった。 対照例 基板をコーティング設備で加熱した従来の方法では、１
時間当たり３２００部品をコーティングすることが可能
だった。上記実施例と本比較例との間の比較により本発
明に係る方法を使用して、コーティングされた基板の歩
留りが６５％上昇した。加熱のためのエネルギー消費が
５０％低下した。 図面 図は基板用の本発明の加熱装置を示している。基板を加
熱する装置（１）は、加熱装置（３）をカバーするため
に使用されるガラス−セラミックプレート（２）を有す
る。該ガラス−セラミックプレート（２）は保持される
予定の基板に対応する凹部（４）を有している。この凹
部（４）は基板ホルダーに相当する。ガラス−セラミッ
クプレート（２）は、互いの上面にゆったりと配置さ
れ、２つの異なった開口（４）を有する少なくとも２枚
のプレートを備えている。該加熱装置（３）の内部領域
に配置された加熱ラジエータ（３）は赤外高温ラジエー
タである。
【図１】本発明に係る基板用の加熱装置を示す図であ
る。
る。
１…基板加熱用装置、２…ガラス−セラミックプレー
ト、３…ラジエータ、４…凹部。
ト、３…ラジエータ、４…凹部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハルトムート エッゲルト ドイツ、55270 オーベル−オルム、ゲー テシュトラーセ 45 (72)発明者 アルミン クンケル ドイツ、55452 リュンメルスハイム、ジ ルファネルヴェーク 10 (72)発明者 ユルゲン フォグト ドイツ、55413 オーベルハイムバッハ、 フォルストヴェーク （番地なし) (72)発明者 ロルフ メイヤー ドイツ、37581 バート ガンデルスハイ ム、アドルフ−ミューヘ−ヴェーク ９ (72)発明者 ペーター ヴェルナー ドイツ、55116 マインツ、ノイトルシュ トラーセ 17 Ｆターム(参考） 4K029 AA09 DA08 FA06 4K030 CA06 DA02 FA01 FA10 KA24 KA46
Claims (12)
- 【請求項１】 ａ）コーティングされる基板のコーティ
ングされる表面を、ガラス‐セラミックプレートでカバ
ーされ該基板に対応した凹部を有する加熱装置に配置
し、 ｂ）前記基板を下方から加熱してコーティングに必要な
プロセス温度にし、 ｃ）該基板を該加熱装置から外し、コーティング室に入
れてコーティングすることを特徴とする基板を加熱する
方法。 - 【請求項２】 前記ガラス−セラミックプレートの該凹
部は基板ホルダーを有することを特徴とする請求項１記
載の方法。 - 【請求項３】 前記ガラス−セラミックプレートは、互
いの上面にゆったりと配置される少なくとも２枚のプレ
ートを有することを特徴とする請求項１又は請求項２記
載の方法。 - 【請求項４】 前記加熱装置の内部領域の温度が５００
℃〜８００℃であることを特徴とする請求項１〜請求項
３のいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 前記基板は少なくとも一層をコーティン
グされることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれ
か１項記載の方法。 - 【請求項６】 前記コーティングは、ＣＤＶ（化学的蒸
着）、ＰＶＤ（物理的蒸着）、ＰＥＣＶＤ（プラズマ補
強化学的蒸着）、ＰＩＣＶＤ（プラズマ・インパルス化
学的蒸着）、ＬＰＣＶＤ（低圧化学的蒸着）、あるいは
ＴＣＶＤ（熱化学的蒸着）のうちの少なくとも１種のプ
ロセスからなることを特徴とする請求項１〜請求項５の
いずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 加熱装置はガラス−セラミックプレート
でカバーされ、前記基板に対応するする凹部を有するこ
とを特徴とする加熱装置。 - 【請求項８】 前記ガラス−セラミックプレートの凹部
は基板ホルダーを有することを特徴とする請求項７記載
の装置。 - 【請求項９】 前記加熱装置は互いの上面にゆったり配
置される２枚のプレートを有しており、該２枚のプレー
トが異なった開口を有する請求項７又は請求項８記載の
装置。 - 【請求項１０】 前記加熱ラジエータは、赤外高温ラジ
エータである請求項７ないし請求項９のいずれか１項記
載の装置。 - 【請求項１１】 次に、コーティングされる基板を加熱
するための装置の使用。 - 【請求項１２】 ガラス基板を加熱するための装置の使
用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10125675.2 | 2001-05-25 | ||
| DE10125675A DE10125675C1 (de) | 2001-05-25 | 2001-05-25 | Verfahren zur Aufheizung von Substraten |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002363746A true JP2002363746A (ja) | 2002-12-18 |
Family
ID=7686222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002129481A Pending JP2002363746A (ja) | 2001-05-25 | 2002-05-01 | 基板を加熱する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6511717B2 (ja) |
| EP (1) | EP1262575B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002363746A (ja) |
| CN (1) | CN1389592A (ja) |
| DE (2) | DE10125675C1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2432836A1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-13 | Robert W. Langlois | Method of powder coating |
| DE102008051478A1 (de) * | 2008-10-13 | 2010-06-02 | Eos Gmbh Electro Optical Systems | Rahmen für eine Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts und Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Objekts mit einem solchen Rahmen |
| CN102560373B (zh) * | 2010-12-16 | 2014-12-17 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法及基片处理设备 |
| CN106471609B (zh) * | 2014-07-02 | 2019-10-15 | 应用材料公司 | 用于使用嵌入光纤光学器件及环氧树脂光学散射器的基板温度控制的装置、系统与方法 |
| US10973088B2 (en) | 2016-04-18 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Optically heated substrate support assembly with removable optical fibers |
| CN112921278B (zh) * | 2021-01-04 | 2022-05-17 | 北京航空航天大学 | 基于eb-pvd的高温合金单晶叶片叶尖的修复方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4081313A (en) * | 1975-01-24 | 1978-03-28 | Applied Materials, Inc. | Process for preparing semiconductor wafers with substantially no crystallographic slip |
| JPS56167332A (en) * | 1980-05-26 | 1981-12-23 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| US4350578A (en) * | 1981-05-11 | 1982-09-21 | International Business Machines Corporation | Cathode for etching |
| JPS6169116A (ja) * | 1984-09-13 | 1986-04-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング用サセプター |
| US4978567A (en) * | 1988-03-31 | 1990-12-18 | Materials Technology Corporation, Subsidiary Of The Carbon/Graphite Group, Inc. | Wafer holding fixture for chemical reaction processes in rapid thermal processing equipment and method for making same |
| US5137610A (en) * | 1991-04-15 | 1992-08-11 | Motorola, Inc. | Sputter chamber with extended protection plate and method of use |
| JPH06101050A (ja) * | 1991-10-17 | 1994-04-12 | Toshiba Mach Co Ltd | Ｌｃｄガラス基板用常圧ｃｖｄ装置 |
| JP2701767B2 (ja) * | 1995-01-27 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| US5976258A (en) * | 1998-02-05 | 1999-11-02 | Semiconductor Equipment Group, Llc | High temperature substrate transfer module |
-
2001
- 2001-05-25 DE DE10125675A patent/DE10125675C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-12 EP EP20020007695 patent/EP1262575B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-12 DE DE50201384T patent/DE50201384D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-01 JP JP2002129481A patent/JP2002363746A/ja active Pending
- 2002-05-03 US US10/139,298 patent/US6511717B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-05-24 CN CN02120077A patent/CN1389592A/zh active Pending
- 2002-10-04 US US10/264,406 patent/US6642484B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10125675C1 (de) | 2002-10-02 |
| DE50201384D1 (de) | 2004-12-02 |
| EP1262575B1 (de) | 2004-10-27 |
| US6511717B2 (en) | 2003-01-28 |
| US6642484B2 (en) | 2003-11-04 |
| EP1262575A1 (de) | 2002-12-04 |
| CN1389592A (zh) | 2003-01-08 |
| US20020176942A1 (en) | 2002-11-28 |
| US20030026901A1 (en) | 2003-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080047489A1 (en) | Chemical vapor deposition reactor that pre-heats applied gas and substrate before reaction | |
| MY151676A (en) | Substrate support having dynamic temperature control | |
| WO2006017596A3 (en) | Heated gas box for pecvd applications | |
| EP1067587A3 (en) | Thermally processing a substrate | |
| JP2002363746A (ja) | 基板を加熱する方法 | |
| JP2001089172A5 (ja) | ガラス板の曲げ成形装置および曲げ成形方法 | |
| CN107400859B (zh) | 一种蒸发源 | |
| IL135550A0 (en) | Method and apparatus for temperature controlled vapor deposition on a substrate | |
| CN109355628A (zh) | 蒸镀坩埚 | |
| EP3530138A1 (en) | Water compensating assembly for hair straightener, and water compensating hair straightener | |
| JP2003163201A5 (ja) | ||
| MX171806B (es) | Viga distribuidora con control de temperatura para el deposito de vapor quimico | |
| JPH07194965A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JPH05306466A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| CN201406463Y (zh) | 用于真空线源蒸发镀膜设备的加热装置 | |
| CN218478679U (zh) | 一种钢化炉内热气流输送装置 | |
| JP2003229369A (ja) | 真空処理装置におけるプラズマ安定化方法及びダミー基板 | |
| JPS6119117A (ja) | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング処理方法 | |
| JPH0666276B2 (ja) | 薄膜生成用マスク | |
| CN106544650A (zh) | 基座分体式控温盘 | |
| JP3022190U (ja) | 常圧化学蒸着用トレー | |
| MX2021013466A (es) | Elemento de vidrio o vidrio ceramico que comprende un sustrato de vidrio o vidrio ceramico y recubrimiento, y un metodo para producir y utilizar el mismo. | |
| JPH01154515A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH09143744A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP2004186346A (ja) | 円形平板試料の均熱加熱方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040922 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050831 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051207 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060228 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20060306 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20060310 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060802 |