JP2002359219A - ウェハー洗浄方法およびウェハー洗浄装置 - Google Patents

ウェハー洗浄方法およびウェハー洗浄装置

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JP2002359219A
JP2002359219A JP2001163804A JP2001163804A JP2002359219A JP 2002359219 A JP2002359219 A JP 2002359219A JP 2001163804 A JP2001163804 A JP 2001163804A JP 2001163804 A JP2001163804 A JP 2001163804A JP 2002359219 A JP2002359219 A JP 2002359219A
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Makoto Kusakisako
真 草木迫
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウェハーの高い洗浄能力とともに、薬
液およびフィルターの交換頻度を抑えてコスト削減を実
現する。 【解決手段】 ウェハーを薬液により洗浄する前に、純
水により予備洗浄すべく純水洗浄槽4が新たに設けられ
ている。また、純水供給手段が設けられ、純水洗浄槽4
には対して純水が常に供給されて、純水洗浄槽4からは
純水が常時オーバーフローしている。ウェハーはたとえ
ば表面研磨やスクライビングが行われた後、まず純水洗
浄槽4に搬入されて、槽内の純水によりあらかじめ洗浄
され、ウェハーに付着している異物30がある程度、除
去される。その上で、ウェハーは純水洗浄槽4から薬液
洗浄槽14に搬送され、薬液洗浄槽14に貯留した薬液
によって異物30がウェハーから除去される。その後、
純水洗浄槽16で薬液が除去され、さらに乾燥装置18
により乾燥される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハーの
洗浄方法および洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、半導体ウェ
ハー(単にウェハーともいう)の表面研磨を行った後
や、ウェハーをダイシングするためにスクライビングを
行った後などに、薬液を用いてウェハーの洗浄が行わ
れ、ウェハーに付着したパーティクル、金属片、有機物
などの異物や、ウェハー表面に形成された自然酸化膜が
除去される。
【0003】図5はこのような従来のウェハー洗浄装置
の一例を示す構成図である。図5に示したように、従来
のウェハー洗浄装置12は、薬液洗浄槽14、純水洗浄
槽16、乾燥装置18を含み、さらに、薬液洗浄槽14
に関連して、薬液中の異物を除去するためのフィルター
20、薬液洗浄槽14内の薬液の濃度を計測して計測結
果を表す電気信号を出力する薬液濃度計22、薬液を貯
留させたタンク24、ならびに薬液洗浄槽14とタンク
24とを連結する配管26の途中に配設されたバルブ2
8を備えている。薬液洗浄槽14には、ウェハーを洗浄
するための酸性溶液あるいはアルカリ性溶液が薬液とし
て貯留されている。純水洗浄槽16には、薬液洗浄槽1
4でウェハーを洗浄した後、ウェハーに付着している薬
液を除去するための純水が貯留されている。
【0004】このような構成において、異物30が付着
したウェハー25は、薬液洗浄槽14内に搬入され(矢
印S1)、薬液洗浄槽14に貯留した薬液によって異物
30がウェハーから除去される。その後、ウェハーは不
図示の搬送手段により純水洗浄槽16内に搬入され(矢
印S2)、槽内の純水によりウェハーに付着した薬液が
除去される。そして、最後にウェハーは不図示の搬送手
段により乾燥装置18の箇所に搬送され(矢印S3)、
乾燥装置18により乾燥されて、洗浄工程が終了する。
【0005】薬液洗浄槽14でウェハーから除去された
異物30は、薬液に溶け込むが、この異物30はフィル
ター20により排除され、次に薬液洗浄槽14内に搬入
されたウェハーに付着し、ウェハーが汚染されてしまう
ことが防止される。また、薬液洗浄槽14内の薬液の濃
度は薬液濃度計22により常時監視され、薬液濃度計2
2は濃度の計測結果を表す電気信号を出力する。バルブ
28はこの電気信号にもとづき、薬液洗浄槽14内の薬
液の濃度が基準値以下となった場合には開放状態とな
り、タンク24内の薬液が配管26を通じて薬液洗浄槽
14内に供給される。これにより薬液洗浄槽14内の薬
液濃度は常に一定水準に維持される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、薬液洗浄槽1
4におけるウェハーの洗浄回数が多くなってくると、薬
液中の不純物の増加などによって、上述のようにタンク
24から薬液を追加するだけでは薬液洗浄槽14内の薬
液純度を保つことが困難となり、ウェハーの洗浄能力が
低下して異物30や表面酸化膜を充分に除去できなくな
る。また、ウェハーから排除され薬液に混入した異物3
0はフィルター20により除去されるが、洗浄回数が多
くなると、フィルター20に付着する異物30が多くな
りフィルター20の目詰まりが発生する。その結果、薬
液中の異物30の排除が困難となり、異物30がウェハ
ーに再付着してしまう。
【0007】したがって、従来は、ウェハーの充分な洗
浄のためには薬液洗浄槽14の薬液およびフィルター2
0を頻繁に交換しなければならず、材料費が嵩むととも
に、薬液およびフィルターの交換のために人手による作
業を行う必要があった。さらに交換作業中は工程が一時
停止するので洗浄工程の効率低下を招き、結局、ウェハ
ー洗浄工程におけるコストが増大する結果となってい
た。本発明はこのような問題を解決するためになされた
もので、その目的は、高い洗浄能力とともに、薬液およ
びフィルターの交換頻度を抑えてコスト削減を実現する
ウェハー洗浄方法およびウェハー洗浄装置を提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、半導体から成るウェハーを、薬液洗浄槽内に
貯留した薬液に浸漬して洗浄する薬液洗浄工程と、前記
薬液洗浄工程の後、前記ウェハーに付着した前記薬液を
除去する薬液除去工程とを含むウェハー洗浄方法であっ
て、前記薬液洗浄工程の前に、前記ウェハーを純水によ
り洗浄する純水洗浄工程を含むことを特徴とする。
【0009】また、本発明は、半導体から成るウェハー
を洗浄するための薬液を貯留させた薬液洗浄槽と、前記
薬液洗浄槽で前記ウェハーを洗浄した後、前記ウェハー
に付着した前記薬液を除去する薬液除去手段とを含むウ
ェハー洗浄装置であって、前記ウェハーを前記薬液洗浄
槽内に搬入する前に、前記ウェハーを浸漬して前記ウェ
ハーを洗浄する純水を貯留させた第1の純水洗浄槽を含
むことを特徴とする。
【0010】本発明のウェハー洗浄方法では、純水洗浄
工程により、薬液洗浄工程の前にウェハーを純水により
あらかじめ洗浄する。また、本発明のウェハー洗浄装置
では、ウェハーを薬液洗浄槽で薬液により洗浄する前
に、第1の純水洗浄槽の純水にウェハーを浸漬して洗浄
することができる。したがって、本発明ではウェハーを
薬液洗浄槽に搬入する前に、ウェハーに付着した異物が
あらかじめ純水によりある程度洗浄され、除去される。
よって、薬液洗浄槽でウェハーを洗浄する際にウェハー
から排除されて薬液に混入する異物が少なくなり、薬液
洗浄槽での洗浄中にウェハーに再付着する異物が減少し
て、洗浄能力が大幅に向上する。さらに、薬液洗浄槽で
ウェハーを洗浄する際に薬液に混入する異物が少なくな
ることから、薬液およびフィルターの交換頻度を抑える
ことができ、材料費および工数を抑制するとともに工程
の頻繁な停止を回避して、コスト削減を実現できる。
【0011】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態例につい
て図面を参照して説明する。図1は本発明によるウェハ
ー洗浄装置の一例を示す構成図である。図中、図1と同
一の要素には同一の符号が付されており、それらに関す
る詳しい説明はここでは省略する。以下では図1を参照
して本発明によるウェハー洗浄装置の一例について説明
するとともに、本発明のウェハー洗浄方法の実施の形態
例について説明する。
【0012】図1に示したように、本実施の形態例のウ
ェハー洗浄装置2が、図5に示したウェハー洗浄装置と
特に異なるのは、純水洗浄槽4(本発明に係わる第1の
純水洗浄槽)を新たに追加した点であり、純水洗浄槽4
は、ウェハー25を薬液洗浄槽14に搬入する前に、ウ
ェハーを投入してウェハーを純水により洗浄すべく設け
られている。この純水洗浄槽4に対して、本実施の形態
例では図2に示したように、純水洗浄槽4に純水を供給
して純水洗浄槽4から純水4Aをオーバーフローさせる
純水供給装置6(図1には示さず)が設けられている。
また、本実施の形態例では、純水洗浄槽4からウェハー
を薬液洗浄槽14に搬送する不図示の搬送手段が設けら
れている。
【0013】このような構成において、ウェハーはたと
えば表面研磨やスクライビングが行われた後、まず純水
洗浄槽4に搬入され(矢印S4)、槽内の純水に浸漬し
てあらかじめ洗浄され、ウェハーに付着している異物3
0がある程度、除去される。その上で、ウェハーは従来
と同様の手順により洗浄される。すなわち、ウェハーは
純水洗浄槽4から搬送手段(図示せず)によって薬液洗
浄槽14に移され(矢印S1)、薬液洗浄槽14に貯留
した薬液によって異物がウェハーから除去される。その
後、ウェハーは純水洗浄槽16(本発明に係わる第2の
純水洗浄槽)に搬入され(矢印S2)、槽内の純水によ
りウェハーに付着した薬液が除去される。そして、最後
に乾燥装置18により乾燥されて(矢印S3)、洗浄工
程が終了する。
【0014】したがって、本実施の形態例では、ウェハ
ーを薬液洗浄槽14に搬入する前に、ウェハーに付着し
た異物30があらかじめ純水洗浄槽4で純水によりある
程度洗浄され、除去される。よって、薬液洗浄槽14で
ウェハーを洗浄する際にウェハーから排除されて薬液に
混入する異物30が少なくなり、薬液洗浄槽14での洗
浄中にウェハーに再付着する異物が減少して、洗浄能力
が大幅に向上する。さらに、薬液洗浄槽14でウェハー
を洗浄する際に薬液に混入する異物が少なくなることか
ら、薬液およびフィルターの交換頻度を抑えることがで
き、材料費および工数を抑制するとともに工程の頻繁な
停止を回避して、コスト削減を実現できる。また、本実
施の形態例では、純水洗浄槽4では常に純水をオーバー
フローさせているので、ウェハーから除去され純水に混
入した異物30は、純水洗浄槽4からただちに除去さ
れ、したがって、純水洗浄槽4で異物30がウェハーに
再付着することがない。
【0015】なお、本実施の形態例では純水洗浄槽4を
設けてウェハーの予備洗浄を行うので、この点でコスト
増となるが、薬液およびフィルター20は高価であるた
め、それらの交換頻度が低下することの効果は大きく、
また、薬液およびフィルター20の交換作業の工数を削
減できることの効果も大きい。さらに、これらの交換作
業にともなうウェハー洗浄作業の総停止時間も短くな
る。よって、全体として従来よりコスト減となる。
【0016】フィルター20、薬液濃度計22、ならび
にバルブ28などの働きは図5に示した従来のウェハー
洗浄装置の場合と同じである。すなわち、薬液洗浄槽1
4でウェハーから除去された異物は、薬液に溶け込む
が、この異物はフィルター20により排除され、次に薬
液洗浄槽14に搬入されたウェハーに付着し、ウェハー
が汚染されることが防止される。また、薬液洗浄槽14
内の薬液の濃度は薬液濃度計22により常時監視され、
薬液濃度計22は濃度の計測結果を表す電気信号を出力
する。バルブ28はこの電気信号にもとづき、薬液洗浄
槽14内の薬液の濃度が基準値以下となった場合には開
放状態となり、タンク24内の薬液が配管26を通じて
薬液洗浄槽14内に供給される。これにより薬液洗浄槽
14内の薬液濃度は常に一定水準に維持される。
【0017】
【実施例】純水洗浄槽4におけるウェハーの洗浄時間は
たとえば約60秒とし、また、薬液洗浄槽14内の薬液
にウェハーを浸漬しておく時間はたとえば約10分とす
ることで、通常必要とされる程度にまでウェハーに付着
残留する異物の数を減らし、また自然酸化膜を充分に除
去することができる。
【0018】[表1]は、図1に示したウェハー洗浄装
置2において、2回の洗浄処理を行い、洗浄後、各処理
ごとにウェハーに付着残留している異物の個数を計数し
た結果を示し、図3は[表1]に示した異物の計数結果
をプロットしたグラフである。また、この実験では、純
水洗浄槽4による洗浄を行わなかった場合(従来)の異
物も計数した。図3において、縦軸は100mmウェハ
ー(7850mm)に付着した粒径0.3μm以上の
ダストの総個数を表し、プロット1は薬液洗浄のみの場
合を示し、プロット2、3、4はそれぞれ純水洗浄槽4
におけるウェハーの洗浄時間を30秒、60秒、90秒
とした場合を示している。
【0019】
【表1】 [表1]および図3から分かるように、純水洗浄槽4に
おけるウェハーの洗浄時間を30秒とすると、付着異物
の数は半分程度に低下し、60秒以上とするとさらに大
幅に低下している。
【0020】また、[表2]は、図1に示したウェハー
洗浄装置2において、2回の洗浄処理を行い、洗浄後、
各処理ごとにウェハーに付着残留している異物の個数を
計数した結果を示し、図4は[表2]に示した異物の計
数結果をプロットしたグラフであるが、ここでは、純水
洗浄槽4における洗浄の後、薬液洗浄槽14で洗浄を行
うまでのウェハーの搬送時間の影響を調べている。図4
において、図3と同様、縦軸はウェハーに付着している
異物の単位面積当たりの個数を表し、プロット5は搬送
時間が5秒の場合を示し、プロット6、7、8はそれぞ
れ搬送時間が10秒、15秒、20秒の場合を示してい
る。
【0021】
【表2】 [表2]および図4から分かるように、純水洗浄槽4に
おけるウェハーの洗浄後、10秒以内に薬液洗浄槽14
での洗浄を行うことで、ウェハーに残留付着している異
物の数が充分かつ安定的に低下する。
【0022】なお、このように搬送時間を短くする方が
良好な結果が得られるのは次のような理由によると考え
られる。すなわち、純水洗浄の後、ウェハーの表面には
厚さ0.02mm程度の純水膜が形成され、ウェハー表
面はこの純水膜により覆われるため、搬送時のダストな
どの付着が阻止される。そして、この純水膜は、純水洗
浄槽4から薬液洗浄槽14への搬送時間が長いほど、蒸
発量が多くなり膜厚が薄くなって、その効果が低下す
る。よって搬送時間を短くするほうが有利となる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように本発明のウェハー洗
浄方法では、純水洗浄工程により、薬液洗浄工程の前に
ウェハーを純水によりあらかじめ洗浄する。また、本発
明のウェハー洗浄装置では、ウェハーを薬液洗浄槽で薬
液により洗浄する前に、第1の純水洗浄槽の純水にウェ
ハーを浸漬して洗浄することができる。したがって、本
発明ではウェハーを薬液洗浄槽に搬入する前に、ウェハ
ーに付着した異物があらかじめ純水によりある程度洗浄
され、除去される。よって、薬液洗浄槽でウェハーを洗
浄する際にウェハーから排除されて薬液に混入する異物
が少なくなり、薬液洗浄槽での洗浄中にウェハーに再付
着する異物が減少して、洗浄能力が大幅に向上する。さ
らに、薬液洗浄槽でウェハーを洗浄する際に薬液に混入
する異物が少なくなることから、薬液およびフィルター
の交換頻度を抑えることができ、材料費および工数を抑
制するとともに工程の頻繁な停止を回避して、コスト削
減を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるウェハー洗浄装置の一例を示す構
成図である。
【図2】純水洗浄槽周辺を示す概念図である。
【図3】[表1]に示した異物の計数結果をプロットし
たグラフである。
【図4】[表2]に示した異物の計数結果をプロットし
たグラフである。
【図5】従来のウェハー洗浄装置の一例を示す構成図で
ある。
【符号の説明】
2……ウェハー洗浄装置、4……純水洗浄槽、6……純
水供給装置、12……ウェハー洗浄装置、14……薬液
洗浄槽、16……純水洗浄槽、18……乾燥装置、20
……フィルター、22……薬液濃度計、24……タン
ク、26……配管、28……バルブ、30……異物。

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体から成るウェハーを、薬液洗浄槽
    内に貯留した薬液に浸漬して洗浄する薬液洗浄工程と、
    前記薬液洗浄工程の後、前記ウェハーに付着した前記薬
    液を除去する薬液除去工程とを含むウェハー洗浄方法で
    あって、 前記薬液洗浄工程の前に、前記ウェハーを純水により洗
    浄する純水洗浄工程を含むことを特徴とするウェハー洗
    浄方法。
  2. 【請求項2】 前記純水洗浄工程では60秒以上、前記
    ウェハーを洗浄することを特徴とする請求項1記載のウ
    ェハー洗浄方法。
  3. 【請求項3】 前記純水洗浄工程の後、10秒以内に前
    記薬液洗浄工程を行うことを特徴とする請求項1記載の
    ウェハー洗浄方法。
  4. 【請求項4】 前記薬液は酸性溶液またはアルカリ性溶
    液であることを特徴とする請求項1記載のウェハー洗浄
    方法。
  5. 【請求項5】 前記薬液除去工程では純水により前記ウ
    ェハーを洗浄することを特徴とする請求項1記載のウェ
    ハー洗浄方法。
  6. 【請求項6】 前記純水洗浄工程は、前記ウェハーの表
    面を研磨した後、または前記ウェハーのダイシングのた
    めに前記ウェハーに対しスクライビングを行った後に実
    行することを特徴とする請求項1記載のウェハー洗浄方
    法。
  7. 【請求項7】 前記薬液除去工程の後に、前記ウェハー
    を乾燥させる乾燥工程を含むことを特徴とする請求項1
    記載のウェハー洗浄方法。
  8. 【請求項8】 半導体から成るウェハーを洗浄するため
    の薬液を貯留させた薬液洗浄槽と、前記薬液洗浄槽で前
    記ウェハーを洗浄した後、前記ウェハーに付着した前記
    薬液を除去する薬液除去手段とを含むウェハー洗浄装置
    であって、 前記ウェハーを前記薬液洗浄槽内に搬入する前に、前記
    ウェハーを浸漬して前記ウェハーを洗浄する純水を貯留
    させた第1の純水洗浄槽を含むことを特徴とするウェハ
    ー洗浄装置。
  9. 【請求項9】 前記第1の純水洗浄槽では60秒以上、
    前記ウェハーを洗浄することを特徴とする請求項8記載
    のウェハー洗浄装置。
  10. 【請求項10】 前記第1の純水洗浄槽から前記ウェハ
    ーを搬出し、前記薬液洗浄槽内に搬入する搬送手段を含
    むことを特徴とする請求項8記載のウェハー洗浄装置。
  11. 【請求項11】 前記搬送手段は、前記ウェハーを前記
    第1の純水洗浄槽から搬出して10秒以内に前記薬液洗
    浄槽内に搬入することを特徴とする請求項10記載のウ
    ェハー洗浄装置。
  12. 【請求項12】 前記第1の純水洗浄槽に純水を供給し
    て前記第1の純水洗浄槽から純水をオーバーフローさせ
    る純水供給手段を含むことを特徴とする請求項8記載の
    ウェハー洗浄装置。
  13. 【請求項13】 前記薬液は酸性溶液またはアルカリ性
    溶液であることを特徴とする請求項8記載のウェハー洗
    浄装置。
  14. 【請求項14】 前記薬液除去手段は、前記ウェハーを
    浸漬させて洗浄する純水を貯留させた第2の純水洗浄槽
    を含むことを特徴とする請求項8記載のウェハー洗浄装
    置。
  15. 【請求項15】 前記第1の純水洗浄槽で洗浄される前
    記ウェハーは、表面研磨が行われた後のウェハー、また
    はウェハーのダイシングのためにスクライビングが行わ
    れた後のウェハーであることを特徴とする請求項8記載
    のウェハー洗浄装置。
  16. 【請求項16】 前記薬液除去手段により薬液が除去さ
    れた前記ウェハーを乾燥させるウェハー乾燥手段をさら
    に含むことを特徴とする請求項8記載のウェハー洗浄装
    置。
  17. 【請求項17】 前記薬液洗浄槽に貯留した前記薬液に
    含まれる異物を除去するフィルターを含むことを特徴と
    する請求項8記載のウェハー洗浄装置。
  18. 【請求項18】 前記薬液洗浄槽に前記薬液を供給すべ
    く前記薬液を貯留させたタンクと、前記タンクから前記
    薬液洗浄槽に前記薬液を供給する配管と、前記配管の途
    中に設けられたバルブと、前記薬液洗浄槽内の前記薬液
    の濃度を計測して計測結果を表す電気信号を出力する薬
    液濃度計とを含み、前記バルブは前記電気信号にもとづ
    き、前記薬液洗浄槽内の前記薬液の濃度が基準値以下と
    なったとき開放されることを特徴とする請求項8記載の
    ウェハー洗浄装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114769199A (zh) * 2022-04-22 2022-07-22 福建北电新材料科技有限公司 晶片清洗方法和装置

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CN114769199A (zh) * 2022-04-22 2022-07-22 福建北电新材料科技有限公司 晶片清洗方法和装置

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