JP2002357801A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置

Info

Publication number
JP2002357801A
JP2002357801A JP2002048965A JP2002048965A JP2002357801A JP 2002357801 A JP2002357801 A JP 2002357801A JP 2002048965 A JP2002048965 A JP 2002048965A JP 2002048965 A JP2002048965 A JP 2002048965A JP 2002357801 A JP2002357801 A JP 2002357801A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
display device
crystal display
group
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002048965A
Other languages
English (en)
Inventor
Shintaro Takeda
新太郎 武田
Hiroyuki Kagawa
博之 香川
Kotaro Araya
康太郎 荒谷
Hitotsugu Oaku
仁嗣 大阿久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2002048965A priority Critical patent/JP2002357801A/ja
Publication of JP2002357801A publication Critical patent/JP2002357801A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K19/00—Liquid crystal materials
    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
    • C09K2019/0444—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group
    • C09K2019/0459—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit characterized by a linking chain between rings or ring systems, a bridging chain between extensive mesogenic moieties or an end chain group the linking chain being a -CF=CF- chain, e.g. 1,2-difluoroethen-1,2-diyl

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Substances (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】液晶組成物に高極性化合物を添加し、粘度の増
大の補償と比抵抗値の低下を抑制し、低駆動電圧を実現
する液晶表示装置の提供。 【解決手段】一対の基板間に挟持された液晶層と、前記
一対の少なくとも一方の基板に電極を配置し、該基板の
一方に能動素子を配置したアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、前記液晶層が分子内にシアノベンゼ
ン，モノフルオロシアノベンゼン，ジフルオロシアノベ
ンゼンで代表される構造を有する高極性化合物と、ジフ
ルオロスチルベン構造を有する化合物とを含む液晶組成
物からなるアクティブマトリクス型液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、少なくとも一方の基板
上に電極が形成された一対の基板間に液晶層を挟持する
よう構成されている。そして、液晶層に電界を印加し、
液晶層の配向状態を変化させることによって生ずる液晶
層の光学特性の変化を利用して表示する。
【０００３】既に知られている液晶表示装置の一例とし
ては、ツイステッドネマティック（ＴＮ）型液晶表示方
式，イン・プレーン・スイッチング（ＩＰＳ）型液晶表
示装置，垂直配向（ＶＡ）型液晶表示装置などがある。
【０００４】一方、基板上に容量素子と薄膜トランジス
タ（ＴＦＴ）に代表される能動素子を形成し、これによ
り液晶層に印加される電界が制御される駆動方法と、前
記の表示方法とを組み合わせた、高精細・高コントラス
トを実現するアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装
置がある。
【０００５】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
においては、液晶層は電気的には容量素子に相当する。
この容量素子、即ち、液晶層には、ある一定の選択周期
毎に電荷が注入され、その電荷により液晶層の配向状態
を保持する。従って、ある選択周期内で、電荷を保持す
るためには、液晶材料の比抵抗値が高い必要がある。
【０００６】ところで、ＩＰＳ型表示方式は、ＴＮ型表
示方式が基板に対して垂直に電界を発生させるのに対し
て、基板に対し平行に電界を発生させる。このことか
ら、ＩＰＳ型表示方式は、アクティブマトリクス駆動時
に容量素子としては液晶層だけでなく、基板や配向膜も
容量素子として利用することができる。つまり、ＴＮ型
では、アクティブマトリクス駆動時に前記のように高い
比抵抗値の液晶材料が必要であるが、ＩＰＳ型では、Ｔ
Ｎ型に比べて低い比抵抗値の液晶材料を使用できる可能
性を示している。
【０００７】このことは、ＴＮ型では比抵抗値の問題か
ら使用することができなかった液晶材料も、ＩＰＳ型で
は利用できることを示唆する。しかしながら、ＩＰＳ型
表示方式は、ＴＮ型表示方式に比べて駆動電圧が高いと
云う問題がある。
【０００８】ここでＩＰＳ型表示方式には、液晶表示装
置の駆動電圧および応答時間と、液晶材料の物性値との
間には下記の数式（２）および数式（３）で示す関係が
あることが報告されている（大江昌人，近藤克己：アプ
ライド・フィジクス・レターズ，６７巻，３８９５〜３
８９７頁，１９９５年、大江昌人，近藤克己：アプライ
ド・フィジクス・レターズ，６９巻，６２３〜６２５
頁，１９９６年）。
【０００９】
【数２】 Ｖth ∝ 〔ｌ×√（１／Δε）〕／ｄ …（２）
【００１０】
【数３】 τoff ∝ γ1／ｄ2 …（３） ここで、Ｖthはしきい値電圧、ｌはくし歯状の電極の電
極間隔（画素電極と共通電極の電極間隔）、Δεは液晶
の誘電率異方性、ｄは液晶層の厚さを表す。また、τof
f は電圧印加時から無印加時への液晶の応答時間、γ1
は、液晶材料の回転粘性係数を表す。
【００１１】なお、数式（２）中のＶthはしきい値電圧
を表し、液晶表示装置の駆動電圧を表していないが、Ｖ
thが増大すると駆動電圧が増大し、Ｖthの大小が駆動電
圧の大小にほぼ対応する。
【００１２】前記数式（２）から明らかのように、ＩＰ
Ｓ型表示方式において低駆動電圧化を図るためには、 液晶表示装置のｌを小さくする、 液晶表示装置のｄを大きくする、 液晶材料のΔεを大きくする、 の３つの方法がある。しかし、については、表示部の
透過率が低下すると云う弊害があり、極端に小さくする
ことはできない。
【００１３】一方、のｄを大きくすることは、数式
（３）に示すように応答時間τoff の増大が問題とな
る。さらに以上のような素子構成の変化による低電圧化
は、生産プロセスの変更を伴うと云う問題が生ずる。
【００１４】また、は液晶材料の開発により実現でき
るので、生産プロセスの変更を伴うことなく課題の克服
を図ることができる。具体的には、シアノベンゼン構造
を有する化合物を液晶組成物中に添加するか、特開２０
００−１０４０７１号公報に開示される液晶組成物中の
ジフルオロシアノベンゼン構造を有する化合物のような
高極性化合物を液晶組成物中に添加することが考えられ
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ＩＰＳ型表示方式にお
いて、低駆動電圧化と云う課題を克服するためにはシア
ノベンゼン構造や、前記特開２０００−１０４０７１号
公報に開示されるジフルオロシアノベンゼン構造を有す
る高極性化合物の添加が有効である。
【００１６】しかし、シアノ基を有する化合物に代表さ
れる高極性化合物は、その精製が困難であり、また、液
晶組成物の比抵抗値を低下する。そのため、ＴＮ型表示
装置に比べて低比抵抗値の液晶材料の使用が許容される
ＩＰＳ型液晶表示装置においても、高極性化合物の添加
量には限界がある。
【００１７】さらに前記高極性化合物はその粘度が高
い。それ故に液晶組成物に高極性化合物を添加すると、
液晶組成物の粘度が増大するため応答時間が増大する。
この増大した粘度を補償するためには、低極性低粘度の
化合物を添加することが有効である。
【００１８】この低極性低粘度の化合物の例としては、
４−プロピルーシクロヘキシル−４−エトキシベンゼン
（ＰＣＨ３０２）や、特開２０００−８０３６６号公報
に開示されるトリフルオロエチレン化合物がある。とこ
ろが、これらの化合物を用いて粘度の補償を行うと、粘
度の低下に伴い比抵抗値がさらに低下した。これは、粘
度の低下により、イオン性物質のような電荷の移動を担
うキャリアの移動度が増大するためと考えられる。
【００１９】以上の課題を纏めると、ＩＰＳ型表示方式
の低駆動電圧化において高極性化合物が有効ではある
が、応答時間の増大と比抵抗値低下を招くと云うことに
なる。
【００２０】従来、低粘度低極性化合物を用いて応答時
間と低駆動電圧を両立しようとすると、比抵抗値はさら
に低下し、アクティブマトリクス駆動したとき、ＩＰＳ
型表示方式においても電圧が保持できずにフリッカ（ち
らつき）などの表示不良を起こすことが分かっている。
【００２１】この高極性化合物を添加した液晶組成物の
比抵抗値低下は、ＩＰＳ型表示方式に限った問題ではな
く、アクティブマトリクス駆動を行うＴＦＴ−ＬＣＤ全
般に該当する問題であり、前記のＴＮ型表示方式や、Ｖ
Ａ（Vertical Arraignment）型表示方式などにおいても
解決しなければならない問題である。
【００２２】本発明の目的は、上記の課題を解決したア
クティブマトリクス型液晶表示装置の提供にある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らの検討によれば、ジフルオロスチルベン
骨格有する化合物を用いることにより、高極性化合物を
用いた時の比抵抗値低下の抑制に効果があることを見い
出した。
【００２４】図１は本発明の効果を説明する図である。
図１において、ＬＣ−１は高極性化合物を含有しない母
体液晶組成物（ここではメルク社製市販液晶組成物ＺＬ
Ｉ−４７９２を用いた）である。また、ＬＣ−２からＬ
Ｃ−６の組成比を表１に表した。
【００２５】
【表１】
【００２６】ＴＮ型液晶表示装置では、液晶組成物の比
抵抗値はおよそ１０の１３乗から１４乗以上の高比抵抗
値が必要であるのに対し、ＩＰＳ型液晶表示装置におい
ては、１０の１０乗程度の比抵抗値においても高い電圧
保持率を有する。
【００２７】ところが、液晶組成物の高極性化合物の含
有量が増加に伴い、即ち、図１中ＬＣ−１，ＬＣ−２，
ＬＣ−３の順で比抵抗値が低下し粘度が増大する。ＬＣ
−３では、比抵抗値がＩＰＳ型表示方式における比抵抗
値の許容範囲よりも低い比抵抗値であり、ＬＣ−３の使
用は表示不良の原因となる。
【００２８】一方、低粘度低極性化合物（ＰＣＨ３０
２）を用いて、ＬＣ−２の粘度をＬＣ−１の粘度まで低
粘度化すると、ＬＣ−６のように比抵抗値は、ＬＣ−２
に比べてさらに低下する。
【００２９】また、ＬＣ−６においても、ＬＣ−３と同
様に比抵抗値がＩＰＳ型表示方式における比抵抗値の許
容範囲よりも低い比抵抗値であるために、ＬＣ−６の使
用は難しい。
【００３０】ところが、表１に示すようにジフルオロス
チルベン骨格を有する化合物を添加すると、ＬＣ−４，
ＬＣ−５のように、高極性化合物による液晶組成物の粘
度増大を補償できると共に、比抵抗値を向上できること
が分かった。
【００３１】上記により、ＬＣ−３のように、より低駆
動電圧化が可能な液晶組成物で、比抵抗値が低いために
ＩＰＳ型液晶表示装置に使用が困難な場合であっても、
ジフルオロスチルベン骨格を有する化合物を添加するこ
とにより、ＩＰＳ型表示方式における比抵抗値の許容範
囲まで比抵抗値を向上させることができる。即ち、低駆
動電圧化に有効な高極性化合物とジフルオロスチルベン
骨格有する化合物により比抵抗値の制御ができ、かつ、
液晶表示装置のフリッカ等の表示不良を低減することが
できる。
【００３２】一方、ジフルオロスチルベン骨格を有する
化合物には、低粘度で、かつ、Δεが大きい構造の化合
物が存在し、従来の低粘度低極性化合物に比べて低駆動
電圧化に有効である。加えて、ジフルオロスチルベン骨
格を有する化合物は、従来、低粘度低極性化合物と同様
に低粘度であるために、高極性化合物により増大する液
晶組成物の粘度を補償することができる。
【００３３】具体的には、シアノベンゼン構造やモノフ
ルオロシアノベンゼン構造、ジフルオロシアノベンゼン
構造に代表される構造を分子内に有する高極性化合物
と、下記の一般式〔１〕で表されるジフルオロスチルベ
ン構造有する化合物とを含有した液晶組成物を用いたア
クティブマトリクス型液晶表示装置により、本発明の目
的を達成するものである。
【００３４】
【化４】
【００３５】（但し、Ｙ1はハロゲン原子，シアノ基，
トリフルオロメチル基，トリフルオロメトキシ基，水素
原子，炭素数１〜８のアルキル基，アルコキシ基，アル
ケニル基またはアルケニルオキシ基であり、Ｘ1，Ｘ2は
それぞれ独立に水素原子，ハロゲン原子またはシアノ基
であり、Ｒ1は炭素数１〜８のアルキル基，アルコキシ
基，アルケニル基またはアルケニルオキシ基を表す）。
【００３６】低駆動電圧化のために母体液晶組成物に添
加する高極性化合物は、１重量％以上添加することが望
ましい。該高極性化合物は下記の一般式〔２〕で示され
る。
【００３７】
【化５】
【００３８】（但し、Ｙ2 はシアノ基，イソチオシアノ
基，トリフルオロメチル基，トリフルオロメトキシ基ま
たはハロゲン原子を表し、Ｘ3，Ｘ4はそれぞれ独立に水
素原子，シアノ基またはハロゲン原子を表し、Ｙ2，
Ｘ3，Ｘ4 の少なくとも一つはシアノ基，イソチオシア
ノ基，トリフルオロメチル基またはトリフルオロメトキ
シ基を表し、ｎ，ｍはそれぞれ独立に０または１を表
し、Ｓ1は−ＣＨ2−ＣＨ2−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ
−，−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−表し、Ｓ2は１，
４−フェニレン基，トランス−１，４−シクロヘキシレ
ン基または１，３−ジオキサン−１，５−ジイル基を表
し、Ｒ2 は炭素数１〜８のアルキル基，アルコキシ基，
アルケニル基またはアルケニルオキシ基を表す）。
【００３９】本発明においては、高極性化合物に対する
ジフルオロスチルベン構造有する化合物の添加量の比に
より、比抵抗値を制御することができる。高極性化合物
による比抵抗値低下を、高極性化合物を添加する前の母
体液晶組成物の比抵抗値とほぼ同等まで補償するために
は、高極性化合物の添加量（重量％）に対してジフルオ
ロスチルベン構造を有する化合物の添加量（重量％）を
１５倍量とすることが望ましい。
【００４０】さらに比抵抗値は、高極性化合物の含有量
の増大に伴い、ほぼ線形的に低下する。検討の結果、母
体液晶組成物に高極性化合物を３０重量％以上添加する
と、比抵抗値は母体液晶組成物に比べて約５桁低下し、
これ以上の比抵抗値低下はジフルオロスチルベン構造を
有する化合物を用いても、ＩＰＳ型表示方式で使用可能
な比抵抗値の許容範囲内に達することが難しいことが判
った。
【００４１】そこで、本発明の液晶組成物を、アクティ
ブマトリクス駆動の液晶表示装置に適用するためには、
高極性化合物の添加量は３０重量％以下であることが望
ましい。さらに、より表示不良の少ない液晶表示装置を
得るためには、２５重量％以下がより望ましい。
【００４２】一方、高極性化合物添加による液晶組成物
の粘度増大を補償するために必要なジフルオロスチルベ
ン構造を有する化合物の必要量は、以下のように考える
ことができる。
【００４３】液晶化合物、あるいは、液晶組成物におい
て、それらの混合物の粘度はほぼ加成則が成り立つ。い
ま、母体液晶組成物の粘度がジフルオロスチルベン構造
を有する化合物よりも大きく、高極性化合物より小さい
場合、高極性化合物を添加して増大する粘度を補償する
に必要なジフルオロスチルベン構造を有する化合物の量
は数式（１）で表すことができる。
【００４４】
【数４】 Ａ＝〔ｌｎ（ηp／ηm）〕／〔ｌｎ（ηm／ηd）〕 …（１） ここでＡは高極性化合物の添加量（重量％）に対するジ
フルオロスチルベン構造を有する化合物の添加量（重量
％）の比、ηpは高極性化合物の粘度、ηmは母体液晶組
成物の粘度、ηd はジフルオロスチルベン構造を有する
化合物の粘度である。
【００４５】高極性化合物により増大した液晶組成物の
粘度を補償して、高極性化合物を含まない母体液晶組成
物の粘度と等しくするためには、高極性化合物の添加量
（重量％）に対するジフルオロスチルベン構造を有する
化合物の添加量（重量％）の比が少なくともＡでなけれ
ばならない。なお、前記の添加量の比は、Ａ以上でもよ
く、この場合、母体液晶組成物よりも低粘度化すること
ができるために、応答時間が小さい液晶表示装置を得る
ことができる。
【００４６】以上より、ジフルオロスチルベン構造を有
する化合物の添加量は、数式〔１〕に従うことが望まし
く、ジフルオロスチルベン構造を有する化合物の含有量
は、高極性化合物の含有量のＡ倍以上であることが望ま
しい。
【００４７】従って、上記の条件を鑑み、高極性化合物
の含有量（重量％）に対するジフルオロスチルベン構造
を有する化合物の含有量（重量％）の比は、Ａ〜１５で
あることが望ましい。
【００４８】また、本発明を実施するに当たっては、ジ
フルオロスチルベン構造の化合物は高極性化合物の添加
量の０.５倍量（即ち、Ａが０.５以上）用いれば、高極
性化合物を添加したことによる粘度の増大を、おおよそ
補償することができる。
【００４９】上記のように、高極性化合物とジフルオロ
スチルベン構造を有する化合物により比抵抗値の制御を
行うことができるので、ＴＮ型液晶表示方式に比べて液
晶組成物の比抵抗値に対する許容範囲の広い表示方式が
望ましい。例えば、ＩＰＳ型表示方式のように、液晶層
以外に基板や配向膜を容量素子として用いることができ
る素子構成が望ましい。あるいは、画素の表示部におい
て絶縁層を介して共通基板と画素電極が重畳するような
素子構成でもよい。
【００５０】このような素子構成においては、液晶層と
電極間の絶縁層や配向膜が容量素子として用いることが
できるため、ＴＮ型液晶表示方式に比べて液晶組成物の
比抵抗値に対する許容範囲が広く、高極性化合物とジフ
ルオロスチルベン構造を有する化合物により、比抵抗値
の制御を行うことができる。なお、この場合、共通電極
と画素電極の距離が小さいので、素子構成と液晶組成物
の両方の効果により低駆動電圧化することができる。こ
のとき、画素表示部の透過領域を確保するため共通電極
と画素電極のいずれか一方を、透明電極で構成されるこ
とが望ましい。
【００５１】さらにＩＰＳ型表示方式のように、同一基
板上の一画素内に共通電極，画素電極を配置した場合、
前記のように容量素子として液晶層以外に基板，配向膜
を用いることができると云う利点がある。しかし、反
面、開口率が低下し透過光強度が低下すると云う問題も
ある。
【００５２】そこで、液晶層の透過率は、より高いこと
が望ましい。いまクロスニコルに配置した偏光板の間に
液晶層を配置し、液晶層の複屈折を利用した表示方式の
場合、透過光強度は数式（４）で表されることが知られ
ている。
【００５３】数式（４）より、透過光強度が最大になる
条件は数式（５）で表される。
【００５４】
【数５】 Ｉ ∝ sin2（πΔｎｄ／λ） …（４）
【００５５】
【数６】 Δｎｄ／λ＝ｍ＋０.５ …（５） （但し、ｍ＝０，１，２，…） ここで、Ｉは透過光強度、Δｎは液晶材料の屈折率異方
性、ｄは液晶層の厚さ、λは透過光の波長である。
【００５６】本発明の液晶表示装置において、高極性化
合物と一般式〔４〕で表される化合物を含有する液晶組
成物のΔｎと液晶層の厚さｄは、Δｎｄ＝λ／２，３λ
／２，５λ／２，…の条件を満たすことが望ましい。
【００５７】特に、可視光の領域の波長（４００〜８０
０ｎｍ）において、波長依存性が小さく、白色光を得る
ためにはΔｎｄ＝λ／２、即ち、Δｎｄが０.２〜０.４
であることがより望ましい。
【００５８】さらに、本発明の液晶表示装置の構成は、
更に透過率を向上させるため、くし歯状に形成される共
通電極を信号電極と液晶層の間に形成、すなわち信号電
極上に共通電極を重畳し開口部の面積を増大できという
ものである。
【００５９】
【発明の実施の形態】本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を実施例に基づき説明する。図２は実施例
１で用いた液晶表示装置の構成を説明する画素部分の詳
細を表す横断面と平面の模式図である。また、図３は実
施例１に用いた液晶表示装置の電極構造を示す模式図、
図６は実施例１，実施例４で用いた液晶表示装置の構成
を説明するカラーフィルタ部の断面と平面の模式図であ
る。
【００６０】〔実施例１〕図２，図３に示すように本実
施例の液晶表示装置は一対のガラス製の基板４，５と、
該基板４，５の間に配置される液晶層と、基板４の上に
形成された共通電極９，画素電極８、および、信号電極
１０と能動素子であるＴＦＴ１９と、ガラス製基板４，
５の液晶層に接触する面上に形成された液晶層の配向を
制御する配向膜と、液晶層の配向状態に応じて液晶表示
装置の光学特性を変える光学手段である偏光板６を有す
る。
【００６１】さらに、本実施例の液晶表示装置は、ＴＦ
Ｔ１９の作用により、共通電極９と画素電極８との間に
基板面に対しほぼ平行な電界（図２中の符号１６で模式
的に示す）を発生させて、液晶層の液晶分子１を電界１
６により基板４とほぼ平行な面内で回転させることによ
って画像表示を行う。
【００６２】次に、本実施例の液晶表示装置の製法と、
その構成について図２，図３、および、図５を用いて説
明する。
【００６３】本実施例においては、基板４，５としては
厚さ０.７mm の表面を研磨したガラス板を用いた。基板
４上には電極８，９，１０，１８の短絡を防止する絶縁
膜１５を形成した。
【００６４】図３は、ＴＦＴ１９，電極８，９，１０，
１８の構造を示し、図３（Ａ）は平面図、図３（Ｂ）は
Ａ−Ａ′線に沿った断面図、図３（Ｃ）はＢ−Ｂ′線に
沿った断面図である。
【００６５】ＴＦＴ１９は、信号電極１０，画素電極
８，走査電極１８およびアモルファスシリコン１７で構
成される。共通電極９と走査電極１８はアルミニウム
膜，信号電極１０と画素電極８はクロム膜をパターンニ
ングして形成した。
【００６６】保護絶縁膜１１，絶縁膜１５は窒化珪素で
形成され、膜厚はそれぞれ０.８μm，０.２μｍ であ
る。画素電極８は図３（Ａ）において、３本の共通電極
９の間に配置されている。
【００６７】図６は、カラーフィルタ１２を形成する基
板の構成を示すものである。図６（Ｇ）は平面図、図６
（Ｈ）はＥ−Ｅ′線に沿った断面図、図６（Ｉ）はＦ−
Ｆ′線に沿った断面図を表している。
【００６８】基板１０５の液晶層に接触する面側には、
ブラックマトリクス７が付いたカラーフィルタ保護膜３
を形成し、その上にカラーフィルタ１２を形成した。
【００６９】次に、ガラス基板４，５上に配向膜２をそ
れぞれ８０ｎｍの膜厚で形成し、その表面は液晶を配向
させるためのラビング処理を施した。
【００７０】ガラス基板４，５における配向膜２のラビ
ング方向をお互いにほぼ平行とし、かつ、電界の方向１
４とラビング方向１３との成す角を７５度とした。これ
らの基板間に平均粒径３.０μｍ の高分子ビーズをスペ
ーサとして分散し、基板４，５を配向膜２が向き合うよ
うに重ね合わせた。
【００７１】ガラス基板４，５を挟む偏光板６はクロス
ニコルに配置した。そして、本実施例の液晶表示装置に
おいては、低電圧で暗状態，高電圧で明状態となるノー
マリクローズ特性を採用した。
【００７２】本実施例の液晶表示装置のガラス基板間に
挟持される液晶組成物は、以下のとおり調製した。
【００７３】市販液晶組成物であるＺＬＩ−４７９２
（メルク社製）の８０重量％に、式〔４〕で示される化
合物１０重量％、式〔５〕で示される化合物１０重量％
を加えた。なお、本実施例、および、以下の実施例２,
３,４においては、前記の一般式〔１〕から一般式
〔３〕で規定される構造の化合物の代表例として、式
〔４〕，式〔５〕で示される化合物と、上記のＺＬＩ−
４７９２を用いた。
【００７４】
【化６】
【００７５】上記の液晶組成物の物性値は表２に示し
た。以下、特に断らない限り、液晶物性値、および、液
晶表示装置の駆動電圧，応答時間は２５℃における測定
値、Δｎは５８９ｎｍの波長における値である。
【００７６】
【表２】
【００７７】実施例１の液晶表示装置において、液晶組
成物の比抵抗値は３.１ ×１０10Ωcmであり、液晶表示
装置の透過率が最大となるときの電圧は８.１Ｖであっ
た。また応答時間は１４.６ｍsecであった。
【００７８】〔比較例１〕本比較例の液晶表示装置の構
成は、液晶組成物の組成が異なること以外は、実施例１
のものと同じである。使用した液晶組成物は、市販液晶
組成物ＺＬＩ−４７９２(メルク社製）を用いた。この
とき、液晶組成物の比抵抗値は、２.５×１０12Ωcm、
液晶表示装置の透過率が最大となる時の電圧は１２.０
Ｖ であり、応答時間は１５.２ｍsecであった。
【００７９】本比較例の液晶表示装置で用いた液晶組成
物（ＺＬＩ−４７９２）は、本発明において規定される
高極性化合物を含まないために、実施例１に比べて駆動
電圧が高かった。
【００８０】〔比較例２〕本比較例の液晶表示装置の構
成は、液晶組成物の組成が異なること以外は、実施例１
のものと同じである。使用した液晶組成物は、市販液晶
組成物ＺＬＩ−４７９２（メルク社製）の９０重量％
に、前記式〔４〕で示される化合物１０重量％を加えて
調製したものを用いた。
【００８１】このときの液晶組成物の比抵抗値は、２.
４×１０10Ωcm、液晶表示装置の透過率が最大となる時
の電圧は８.０Ｖ で、応答時間は１６.２ｍsecであっ
た。
【００８２】本比較例の液晶表示装置は、前記式〔４〕
で示される高極性化合物を添加することにより、比較例
１に示す液晶表示装置に比べて低電圧化することができ
た。しかし、比抵抗値が著しく低下し、さらに応答時間
が増大した。
【００８３】本発明の実施例１では、前記式〔５〕の化
合物と前記式〔４〕の化合物との含有量の比は１：１と
した。この値は前記数式（１）に示すＡの値(＝０.６）
以上であるため、式〔４〕で示される化合物により増大
した粘度を補償することができた。このために、比較例
１，２に示す液晶表示装置よりも応答時間が小さく、か
つ、低駆動電圧のものを得ることができた。
【００８４】さらに、比較例２の液晶表示装置に用いた
液晶組成物の比抵抗値よりも、実施例１の液晶表示装置
の液晶組成物では比抵抗値が上昇した。
【００８５】つまり、実施例１においては、応答時間が
大きくならずに低駆動電圧化が実現でき、さらに、比抵
抗値が改善されることにより表示不良の少ない液晶表示
装置を得ることができた。
【００８６】また、前記式〔４〕で示される化合物にお
いて、Ｒ1 は炭素原子数３と５のアルキル基、前記式
〔５〕で示される化合物において、Ｒ2 は炭素原子数
１，２または３のアルキル基についても実施したが、同
様に応答時間が大きくなることなく、低駆動電圧化が実
現できた。さらに比抵抗値が改善されることにより、表
示不良の少ない液晶表示装置を得ることができた。
【００８７】〔実施例２〕本実施例の液晶表示装置は、
スペーサとして分散される高分子ビーズの平均粒径が
２.５μｍ であることと、液晶組成物の組成が異なるこ
と以外は、実施例１の液晶表示装置の構成と同じであ
る。
【００８８】本実施例の液晶表示装置のガラス基板間に
挟持される液晶組成物は、以下のとおり調製した。
【００８９】市販液晶組成物ＺＬＩ−４７９２（メルク
社製）７０重量％に、前記式〔４〕で示される化合物１
０重量％、前記式〔５〕で示される化合物２０重量％を
加えた。この液晶組成物の物性値を表３に示した。
【００９０】該液晶組成物の比抵抗値は４.３×１０10
Ωcmであり、液晶表示装置の透過率が最大になるときの
電圧は１０.０Ｖであった。また、応答時間は１０.５ｍ
secであった。
【００９１】
【表３】
【００９２】〔比較例３〕本比較例の液晶表示装置の構
成は、液晶組成物の組成が異なる以外は、実施例２の液
晶表示装置と同じである。液晶組成物は、市販液晶組成
物ＺＬＩ−4792（メルク社製）を用いた。
【００９３】このときの液晶組成物の比抵抗値は、２.
５×１０12Ωcm、液晶表示装置の透過率が最大となる時
の電圧は１２.０Ｖであり、応答時間は１５.２ｍsecで
あった。
【００９４】実施例２の液晶表示装置と本比較例を比較
したとき、実施例２のものが、より低駆動電圧化が可能
となった。さらに、前記式〔４〕で示される化合物の含
有量（重量％）に対する前記式〔５〕で示される化合物
の含有量（重量％）比は１：２であり、前記数式（１）
で規定される式から得られる値以上であるために、比較
例３よりも応答時間を改善することができた。
【００９５】また、実施例２の液晶表示装置において
は、前記式〔４〕で表される化合物を１０重量％添加し
たため、比較例３の液晶表示装置よりも比抵抗値が低下
した。しかし、実施例１の液晶表示装置に比べて、前記
式〔４〕で表される化合物の添加量を増大させたことに
より、比抵抗値が改善された。
【００９６】〔実施例３〕本実施例の液晶表示装置の構
成は、スペーサとして分散した高分子ビーズの平均粒径
が２.０μｍ であることと、液晶組成物の組成が異なる
以外は、実施例１での液晶表示装置と同じである。
【００９７】本実施例の液晶表示装置のガラス基板間に
挟持される液晶組成物は以下のとおり調製した。
【００９８】市販液晶組成物ＺＬＩ−４７９２（メルク
社製）５０重量％に、前記式〔４〕で示される化合物を
１０重量％、前記式〔５〕で示される化合物４０重量％
を加えた。この液晶組成物の物性値を表４に示した。
【００９９】
【表４】
【０１００】本実施例の液晶表示装置における液晶組成
物の比抵抗値は８.８×１０10Ωcmであった。
【０１０１】図８は、Δεと比抵抗値との関係を示すグ
ラフである。実施例３の液晶表示装置の液晶組成物は、
比較例１に比べ、比抵抗値は低下したが、Δεが増大
し、低駆動電圧化に有効であった。また、前記式〔４〕
で示される化合物に対する前記式〔５〕で示される化合
物の重量比を変化させることにより、比抵抗値を制御す
ることができた。
【０１０２】これにより、実施例１，２とほぼ同じΔε
でありながら実施例３では、より高い比抵抗値の液晶組
成物を用いることができ、より表示不良の少ない液晶表
示装置を得ることができた。
【０１０３】さらに、図９の粘度と比抵抗値との関係を
示すグラフから明らかなように、前記式〔４〕で示され
る化合物による粘度増大を補償することができた。よっ
て本発明の液晶表示装置においては、比抵抗値が高く低
駆動電圧で、かつ、応答時間の小さい液晶表示装置を得
ることができた。
【０１０４】〔実施例４〕図４，図５に示すように本実
施例の液晶表示装置は一対のガラス製基板１０４，１０
５と、該基板間に配置される液晶層と、基板１０４上に
形成された共通電極１０９，画素電極１０８、および、
信号電極１１０と能動素子であるＴＦＴ１１９と、基板
１０４，１０５の液晶層との接触面上に形成された液晶
層の配向を制御する配向膜１０２を有し、液晶層の配向
状態に応じて液晶表示装置の光学特性を変える光学手段
の偏光板１０６を備えている。
【０１０５】さらに、本実施例の液晶表示装置では、Ｔ
ＦＴ１１９の作用により共通電極９と画素電極８との間
に、基板面に対しほぼ平行な電界（図４中の符号１１６
で模式的に示す）を発生させて、液晶層の液晶分子１０
１を電界１１６により基板１０４とほぼ平行な面内で回
転させることで画像表示を行う。
【０１０６】以下、本実施例の液晶表示装置の製法と、
その構成について図４，図５を用いて説明する。
【０１０７】本実施例の液晶表示装置は、基板１０４，
１０５として厚さ０.７mm で、表面を研磨したガラス板
を用いた。基板１０４上には、電極１０８，１０９，１
１０，１１８の短絡を防止するための絶縁膜１１５を形
成した。
【０１０８】図５は、ＴＦＴ１１９，電極１０８，１０
９，１１０，１１８の構成を示し、図５（Ｄ）は平面
図、図５（Ｅ）はＣ−Ｃ′線に沿った断面図、図５
（Ｆ）はＤ−Ｄ′線に沿った断面図を示す。
【０１０９】ＴＦＴ１９は、信号電極１１０，画素電極
１０８，走査電極１１８およびアモルファスシリコン１
１７から構成される。走査電極１１８はアルミニウム膜
を、信号電極１１０はクロム膜をそれぞれパターンニン
グし、共通電極１０９と画素電極１０８は透明電極であ
るＩＴＯ（Indium Tin Oxide）をパターンニングして形
成する。
【０１１０】保護絶縁膜１１１，絶縁膜１１５は窒化珪
素で形成され、膜厚はそれぞれ0.8μｍ，０.２μｍ で
ある。画素電極１０８は図５（Ａ）において、３本の共
通電極１０９の間に配置されている。なお、本実施例で
は、共通電極は３本であるが、くし歯状の画素電極の電
極間隔を小さくし、共通電極の本数を増やすことも可能
である。また逆に、画素電極の電極間隔を大きくし、共
通電極の本数を減らすことも可能である。
【０１１１】図６はカラーフィルタ１２を形成する基板
の構造を示す模式図である。図６（Ｇ）は平面図、図６
（Ｈ）はＥ−Ｅ′線に沿った断面図、図６（Ｉ）はＦ−
Ｆ′線に沿った断面図を示す。
【０１１２】基板１０５の液晶層に接触する面側には、
ブラックマトリクス７の付いたカラーフィルタ１２を形
成し、さらにカラーフィルタ保護膜３を形成した。
【０１１３】次に、ガラス基板１０４，１０５上に配向
膜１０２をそれぞれ８０ｎｍの膜厚で形成し、その表面
には液晶を配向させるためのラビング処理を施した。
【０１１４】ガラス基板１０４，１０５における配向膜
１０２のラビング方向をお互いにほぼ平行とし、かつ、
電界の方向１１４とラビング方向１１３との成す角を７
５度とした。
【０１１５】これらの基板間に平均粒径３.０μｍ の高
分子ビーズをスペーサとして分散し、基板１０４，１０
５を、配向膜１０２が向き合うように重ね合わせた。
【０１１６】ガラス基板１０４，１０５を挟む偏光板１
０６はクロスニコルに配置し、低電圧で暗状態，高電圧
で明状態となるノーマリクローズ特性を採用した。
【０１１７】液晶表示装置のガラス基板間に挟持される
液晶組成物は実施例１と同様に調製した。
【０１１８】本実施例の液晶表示装置においては、液晶
組成物の比抵抗値は３.１×１０10Ωcmであり、液晶表
示装置の透過率が最大となる電圧は５.０Ｖであった。
なお、図７に本発明の液晶表示装置の回路システムの一
例を表す。
【０１１９】〔比較例４〕本比較例の液晶表示装置の構
成は、液晶組成物の組成が異なる以外は、実施例４の液
晶表示装置の構成と同じである。
【０１２０】さらに本比較例で使用した液晶組成物は、
比較例１と同様に市販液晶組成物ＺＬＩ−４７９２（メ
ルク社製）を用いた。このときの液晶組成物の比抵抗値
は、２.５×１０12Ωcm、透過率が最大となる電圧は７.
８Ｖであった。
【０１２１】〔比較例５〕本比較例の液晶表示装置の構
成は、液晶組成物の組成が異なる以外は、実施例４の液
晶表示装置の構成と同じである。
【０１２２】本比較例で使用した液晶組成物は、市販液
晶組成物ＺＬＩ−４７９２（メルク社製）９０重量％
に、前記式〔４〕で示される化合物１０重量％を加えて
調製した液晶組成物を用いた。該液晶組成物の比抵抗値
は２.４ ×１０10Ωcm、透過率が最大となる電圧は５.
０Ｖであった。
【０１２３】実施例４、および、比較例４，５に示す液
晶表示装置においては、容量素子として共通電極１０９
と画素電極１０８間の保護絶縁膜１１１，１１５を用い
ることができる。実施例１〜３の液晶表示装置と同様
に、液晶組成物の比抵抗値に対する許容範囲が広くする
ことが可能である。
【０１２４】比較例５の液晶表示装置は、前記式〔４〕
で示される高極性化合物を添加することにより、比較例
４の液晶表示装置に比べて、低駆動電圧化することが可
能になった。しかし、比較例５の液晶表示装置は比抵抗
値が著しく低下した。
【０１２５】一方、実施例４では、前記式〔５〕で示さ
れる化合物を高極性化合物と同量加えた液晶組成物を用
いた。駆動電圧は比較例４の液晶表示装置よりも低下
し、かつ、比較例５の液晶表示装置とほぼ同等であっ
た。
【０１２６】比較例５の液晶表示装置に用いた液晶組成
物に比べ、実施例４の液晶表示装置に用いた液晶組成物
は比抵抗値が増大した。このことから実施例４の液晶表
示装置では、比較例５の液晶表示装置に比べて、より表
示不良の少ない液晶表示装置を得ることができた。
【０１２７】さらに、実施例４では、実施例１の液晶表
示装置よりも低駆動電圧であり、共通電極に透明電極を
用いたことで、透過光強度が大きく明るい表示の液晶表
示装置を得ることができた。
【０１２８】〔実施例５〕実施例５に実施される液晶表
示装置の構成を図１０ａ，図１０ｂに示す。この液晶表
示装置の作成方法は、実施例１に実施される液晶表示装
置とほぼ同じである。また用いた液晶組成物は実施例１
と同様である。
【０１２９】実施例５に実施される液晶表示装置の構成
では、共通電極と信号電極が重畳した分だけ、画素内の
開口部、すなわち電極により透過光が遮蔽される領域が
低減されるので透過率を高くすることができる。さら
に、本発明にかかる液晶組成物を用いることにより、比
抵抗値が高く低駆動電圧で、かつ、応答時間の小さい液
晶表示装置を得ることができた。
【０１３０】〔実施例６〕実施例６に実施される液晶表
示装置の構成を図１１ａ，図１１ｂに示す。この液晶表
示装置の作成方法および用いた液晶組成物は、実施例５
に実施される液晶表示装置と同じである。
【０１３１】実施例６に実施される液晶表示装置の構成
は、実施例５に記載される液晶表示装置とほぼ同様であ
るが、くし歯状に形成された画素電極と共通電極が同一
の層上に形成され、かつ前記画素電極および共通電極と
液晶層の間には配向膜形成されている。実施例５と比較
すると、実施例６では、画素電極と液晶層の間に、保護
絶縁層が存在しないため、低電圧化が可能である。さら
に実施例５と同様に、共通電極と信号電極が重畳した分
だけ、画素内の開口部、すなわち電極により透過光が遮
蔽される領域が低減されるので透過率を高くすることが
できる。さらに、本発明にかかる液晶組成物を用いるこ
とにより、比抵抗値が高く低駆動電圧で、かつ、応答時
間の小さい液晶表示装置を得ることができた。
【０１３２】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＰＳ型表示装置で代
表されるアクティブマトリクス駆動のＴＦＴ−ＬＣＤに
おいて、高極性化合物を用いた際の課題であった比抵抗
値の低下を抑制し、応答性を妨げることなく低駆動電圧
を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の効果を説明するグラフ
である。
【図２】実施例１，２に用いた液晶表示装置の断面と電
極付き基板平面の概略を表す模式図である。
【図３】実施例１，２に用いた液晶表示装置の電極構造
の概略を表す模式図である。
【図４】実施例４に用いた液晶表示装置の断面と電極付
き基板平面の概略を表す模式図である。
【図５】実施例４に用いた液晶表示装置の電極構造の概
略を表す模式図である。
【図６】本発明の液晶表示装置のカラーフィルタ付き基
板の構造を示す模式図である。
【図７】実施例における液晶表示装置の回路システムの
一例を表す図である。
【図８】実施例１〜３、および、比較例１，２における
液晶組成物のΔεと比抵抗値の関係を示すグラフであ
る。
【図９】実施例１〜３、および、比較例１，２における
液晶組成物の粘度と比抵抗値の関係を示すグラフであ
る。
【図１０】実施例５に用いた液晶表示装置の断面と電極
付き基板平面の概略を表す模式図である。
【図１１】実施例６に用いた液晶表示装置の断面と電極
付き基板平面の概略を表す模式図である。
【符号の説明】
１，１０１…液晶分子、２，３０５…配向膜、３，３０
９…カラーフィルタ保護膜、４，５，１０４，１０５，
３０１，３０２…基板、６，１０６，３０８…偏光板、
７，１０７，３１１…ブラックマトリクス、８，１０
８，３１３…画素電極、９，１０９，２０７，３１５…
共通電極、１０，１１０，２０８，３１６…信号電極、
１１，１５，１１１，１１５，３０３，３０４…保護絶
縁膜、１２，３１０…カラーフィルタ、１３，１１３…
ラビング方向、１４，１１４…電界方向、１６，１１６
…電界、１７，１１７，３１４…アモルファスシリコ
ン、１８，１１８，２０６，３１２…走査電極、１９，
１１９，２０５，３０７…薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、２０１…コントロール回路、２０２…信号電極駆
動用回路、２０３…走査電極駆動用回路、２０４…共通
電極駆動用回路、２０９…表示部、３０６…液晶層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荒谷 康太郎 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 大阿久 仁嗣 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 2H088 HA03 HA08 JA04 KA06 KA07 MA20 2H092 GA14 JA24 JB22 JB31 JB51 KA05 NA01 NA26 NA29 PA02 PA03 PA08 QA06

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一対の基板と、該基板間に挟持された液晶
    層と、前記基板の少なくとも一方に、共通電極，画素電
    極，映像信号電極を配置し、前記共通電極と前記画素電
    極との間に電圧を印加し、前記液晶層の配向を制御して
    表示するアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
    て、 前記一対の基板の一方に能動素子を配置し、 前記液晶層は一般式〔１〕 【化１】 （但し、Ｙ1はハロゲン原子，シアノ基，トリフルオロ
    メチル基，トリフルオロメトキシ基，水素原子，炭素数
    １〜８のアルキル基，アルコキシ基，アルケニル基また
    はアルケニルオキシ基であり、Ｘ1，Ｘ2はそれぞれ独立
    に水素原子，ハロゲン原子またはシアノ基であり、Ｒ1
    は炭素数１〜８のアルキル基，アルコキシ基，アルケニ
    ル基またはアルケニルオキシ基を表す）で示される化合
    物と、 一般式〔２〕 【化２】 （但し、Ｙ2 はシアノ基，イソチオシアノ基，トリフル
    オロメチル基，トリフルオロメトキシ基またはハロゲン
    原子を表し、Ｘ3，Ｘ4はそれぞれ独立に水素原子，シア
    ノ基またはハロゲン原子を表し、Ｙ2，Ｘ3，Ｘ4 の少な
    くとも一つはシアノ基，イソチオシアノ基，トリフルオ
    ロメチル基またはトリフルオロメトキシ基を表し、ｎ，
    ｍはそれぞれ独立に０または１を表し、Ｓ1は−ＣＨ2−
    ＣＨ2−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ＝ＣＨ−ま
    たは−Ｃ≡Ｃ−表し、Ｓ2 は１，４−フェニレン基，ト
    ランス−１，４−シクロヘキシレン基または１，３−ジ
    オキサン−１，５−ジイル基を表し、Ｒ2 は炭素数１〜
    ８のアルキル基，アルコキシ基，アルケニル基またはア
    ルケニルオキシ基を表す）で示される正の誘電率異方性
    を有する高極性化合物とを含有し、 前記一般式〔１〕で示される化合物は、前記一般式
    〔２〕で示される高極性化合物に対して重量比でＡ〜１
    ５含有され、 前記Ａは数式（１） 【数１】 Ａ＝〔ｌｎ（ηp／ηm）〕／〔ｌｎ（ηm／ηd）〕 …（１） （但し、ηpは高極性化合物の粘度、ηdは一般式〔１〕
    で表される化合物の粘度、ηｍは高極性化合物と一般式
    〔１〕で表される化合物を除いた液晶組成物の粘度を示
    し、かつ、ηp＞ηm＞ηd である）で規定されるもので
    あることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示
    装置。
  2. 【請求項２】前記液晶層に含有される前記高極性化合物
    の少なくとも一種が一般式〔３〕 【化３】 （但し、Ｘ5 はフッ素原子，水素原子またはシアノ基を
    表し、ｏ，ｐはそれぞれ独立に０または１を表し、Ｓ3
    は−ＣＨ2−ＣＨ2−，−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−，−ＣＨ
    ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、Ｓ4 は１，４−フェ
    ニレン基，トランス−１，４−シクロヘキシレン基また
    は１，３−ジオキサン−１，５−ジイル基を表し、Ｒ3
    は炭素数１〜８のアルキル基，アルコキシ基，アルケニ
    ル基またはアルケニルオキシ基を表す）で示されるフル
    オロシアノベンゼン構造を分子内に有し、 該一般式〔３〕の高極性化合物は、前記液晶層に対し
    ０.５ 〜１５重量％含有されている請求項１に記載のア
    クティブマトリクス型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】前記液晶層に含まれる前記一般式〔２〕ま
    たは前記一般式〔３〕で示される高極性化合物が液晶層
    を構成する液晶組成物に０.５ 〜３０重量％含有されて
    いる請求項１または２に記載のアクティブマトリクス型
    液晶表示装置。
  4. 【請求項４】前記一対の基板のうち一方の基板に、共通
    電極および画素電極をそれぞれ配置し、両電極間に電界
    を印加することにより液晶の配向を制御するよう構成さ
    れた請求項１，２または３に記載のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】前記共通電極と画素電極のいずれか一方
    が、くし歯状に形成されている請求項４に記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  6. 【請求項６】前記共通電極と画素電極の少なくとも一方
    が透明電極で形成されている請求項５に記載のアクティ
    ブマトリクス型液晶表示装置。
  7. 【請求項７】前記液晶層の厚さ(ｄ)と該液晶層を構成す
    る液晶組成物の屈折率異方性(Δｎ)の積（Δｎｄ）が
    ０.２〜０.４である請求項１〜６のいずれかに記載のア
    クティブマトリクス型液晶表示装置。
  8. 【請求項８】請求項５から７に記載の液晶表示装置にお
    いて、共通電極と信号電極が重畳しており、共通電極と
    信号電極の間には絶縁層を含むことを特徴とした液晶表
    示装置。
  9. 【請求項９】請求項８に記載の液晶表示装置において、
    共通電極と画素電極は、くし歯状に形成されかつ、該共
    通電極と該画素電極とは同層にあって、該共通電極と該
    画素電極と液晶層の間に、配向膜が形成されることを特
    徴とした液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】請求項８に記載の液晶表示装置におい
    て、共通電極と画素電極は、くし歯状に形成されかつ、
    該共通電極は、該画素電極と異なる層上に形成され、か
    つ該共通電極と液晶層の間に、配向膜が形成されること
    を特徴とした液晶表示装置。
JP2002048965A 2001-02-26 2002-02-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置 Pending JP2002357801A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002048965A JP2002357801A (ja) 2001-02-26 2002-02-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-50479 2001-02-26
JP2001050479 2001-02-26
JP2002048965A JP2002357801A (ja) 2001-02-26 2002-02-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002357801A true JP2002357801A (ja) 2002-12-13

Family

ID=26610104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002048965A Pending JP2002357801A (ja) 2001-02-26 2002-02-26 アクティブマトリクス型液晶表示装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002357801A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002180048A (ja) * 2000-12-04 2002-06-26 Merck Patent Gmbh 液晶性媒体
JP2019534354A (ja) * 2016-10-24 2019-11-28 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 液晶媒体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002180048A (ja) * 2000-12-04 2002-06-26 Merck Patent Gmbh 液晶性媒体
JP2019534354A (ja) * 2016-10-24 2019-11-28 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 液晶媒体
JP7097878B2 (ja) 2016-10-24 2022-07-08 メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング 液晶媒体
US11667840B2 (en) 2016-10-24 2023-06-06 Merck Patent Gmbh Liquid-crystalline medium

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3543351B2 (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3296426B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JPH07181439A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
WO2016017569A1 (ja) 液晶表示素子
KR100745115B1 (ko) 액정표시장치
JP6209807B2 (ja) 液晶表示素子
JP6164716B2 (ja) 液晶表示素子
JP6414723B2 (ja) 液晶表示素子
JPH07306417A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
WO2015072368A1 (ja) 液晶表示素子
JP6670458B1 (ja) 液晶表示素子
JP2005070729A (ja) 双安定キラルスプレーネマチック液晶表示装置
CN109143690A (zh) 液晶显示面板及其制作方法
JP3145938B2 (ja) 液晶表示装置
JP2013117700A (ja) 液晶表示装置
JP4174951B2 (ja) 液晶表示装置
JPWO2011052257A1 (ja) 液晶表示素子
JP3985399B2 (ja) 液晶表示装置
CN108329929B (zh) 一种具有极低的负介电各向异性的液晶组合物及其应用
JP2002357801A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3900779B2 (ja) 液晶表示装置
JP5374930B2 (ja) 液晶材料、液晶表示素子及び液晶表示装置
JP2009185175A (ja) 液晶表示装置
JPWO2017099124A1 (ja) 光学応答を改善する方法及びそれを用いた液晶表示素子
JP6197983B1 (ja) 液晶表示素子

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060419

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060912

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070123