【特許請求の範囲】
【請求項１】 一つの処理室における処理時間を複数に分割し、各処理の間に待機時間をあけることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】 各処理の時間を不均等に設定することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】 各処理の間の待機時間を不均等に設定することを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】 各処理の時間のうち、ｎ番目の時間をｔｎ とし、（ｎ＋１）番目の時間をｔ（ｎ＋１） として、ｔｎ ＞ｔ（ｎ＋１） に設定することを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】 各処理の間の待機時間のうち、ｎ番目の時間をＴｎ とし、（ｎ＋１）番目の時間をＴ（ｎ＋１） として、Ｔｎ ＞Ｔ（ｎ＋１） に設定することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】 各処理の時間のうち、ｎ番目の時間をｔｎ とし、ｍ番目の時間をｔｍ とし、各処理の間の待機時間のうち、ｎ番目の時間をＴｎ とし、ｍ番目の時間をＴｍ として、ｔｎ ＞ｔｍ の関係を満たすｎとｍのすべての組み合わせについて、Ｔｎ ＞Ｔｍ の関係を満たすことを特徴とする請求項２又は３記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】 各処理において投入される電力のうち、ｎ番目の電力をＰｎ とし、（ｎ＋１）番目の時間をＰ（ｎ＋１） として、Ｐｎ ＞Ｐ（ｎ＋１） に設定することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】 複数の処理室でプラズマ処理を行うとともに、各処理室にて連続してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、一度に連続処理すると基板温度が最高許容温度以上になる処理室におけるプラズマ処理について、請求項１〜７の何れかに記載のプラズマ処理方法を用いることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】 複数の処理室でプラズマ処理を行うとともに、各処理室にて連続してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、一度に連続処理すると基板温度が最高許容温度以上になる処理室におけるプラズマ処理について、請求項１〜７の何れかに記載のプラズマ処理方法を用い、かつそれ以外の処理室におけるプラズマ処理については個々の処理室における処理時間を複数に分割しないことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】 複数の処理室でプラズマ処理を行うとともに、各処理室にて連続してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、複数の連続した処理室において同じ処理を行う場合に、複数の処理室のうちで、少なくとも何れかの後続する処理室における合計処理時間を、先行する処理室における合計処理時間よりも短くすることを特徴とするプラズマ処理方法。
[Claims]
1. A plasma processing method, wherein a processing time in one processing chamber is divided into a plurality of times, and a standby time is provided between each processing.
2. The plasma processing method according to claim 1, wherein the time of each processing is set unequally.
3. The plasma processing method according to claim 1, wherein a standby time between each processing is set unequally.
4. The method according to claim 2, wherein, among the processing times, the n-th time is tn, the (n + 1) -th time is t (n + 1), and tn> t (n + 1). The plasma processing method as described above.
5. The method according to claim 1, wherein the n-th time is Tn, the (n + 1) -th time is T (n + 1), and Tn> T (n + 1). The plasma processing method according to claim 3.
6. An n-th time in each processing time is represented by tn, an m-th time is represented by tm, and an n-th time in the waiting time between the processings is represented by Tn. The plasma processing method according to claim 2, wherein Tm is defined as Tm, and for all combinations of n and m that satisfy the relationship of tn> tm, the relationship of Tn> Tm is satisfied. 5.
7. The power supplied in each process is set as Pn> P (n + 1), where Pn is the nth power and P (n + 1) is the (n + 1) th time. The plasma processing method according to claim 1.
8. A plasma processing method in which plasma processing is performed in a plurality of processing chambers and plasma processing is continuously performed in each of the processing chambers. A plasma processing method using the plasma processing method according to any one of claims 1 to 7 for the plasma processing.
9. A plasma processing method in which plasma processing is performed in a plurality of processing chambers and plasma processing is continuously performed in each of the processing chambers. The plasma processing, wherein the plasma processing method according to any one of claims 1 to 7 is used, and the plasma processing in the other processing chamber does not divide the processing time in each processing chamber into a plurality of pieces. Processing method.
10. A plasma processing method in which plasma processing is performed in a plurality of processing chambers and the plasma processing is performed continuously in each of the processing chambers. A plasma processing method, wherein a total processing time in at least one of the following processing chambers is shorter than a total processing time in a preceding processing chamber.
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリング、ＣＶＤ、ドライエッチングなどのプラズマを用いて処理を行うプラズマ処理方法に関するものである。
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates sputtering, CVD, a plasma treatment how to perform the process using a plasma such as dry etching.
本発明は、上記従来の問題に鑑み、基板の最高到達温度を低減できるプラズマ処理方法を提供することを目的としている。
In view of the above-described conventional problems, and its object is to provide a plasma processing how that can reduce the maximum temperature of the substrate.
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプラズマ処理方法の一実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of a plasma processing how the present invention will be described with reference to FIGS.
次に、本発明のプラズマ処理方法の他の実施形態について、図４を参照して説明する。
Next, another embodiment of a plasma treatment how the present invention will be described with reference to FIG.
【００４０】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法によれば、以上のように基板に対するプラズマ処理を複数回に分けて行い、処理の間の休止時間に基板を冷却しながら処理を行うことで基板の最高到達温度を低く抑えることができる。
[0040]
【The invention's effect】
According to the plasma treatment how the present invention, the maximum temperature of the substrate by performing the process while cooling the substrate to a plasma treatment to the substrate is performed a plurality of times, the pause time between the processing as described above It can be kept low.
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明のプラズマ処理方法をスパッタリング装置に適用した一実施形態の概略構成図である。
【図２】
同実施形態における成膜工程の一例の説明図である。
【図３】
同実施形態における各種成膜工程による基板の最高到達温度の低減効果を示す説明図である。
【図４】
本発明のプラズマ処理方法の他の実施形態の概略構成を示す平面図である。
【図５】
従来例のスパッタリング装置の概略構成図である。
【図６】
同従来例における成膜工程の説明図である。
【符号の説明】
１ 真空処理室
４ ターゲット
７ 基板
８ 遮蔽板
[Brief description of the drawings]
FIG.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is the schematic block diagram of one Embodiment which applied the plasma processing method of this invention to the sputtering device.
FIG. 2
It is explanatory drawing of an example of the film-forming process in the embodiment.
FIG. 3
It is explanatory drawing which shows the reduction effect of the maximum attainment temperature of a board | substrate by various film-forming processes in the same embodiment.
FIG. 4
FIG. 9 is a plan view illustrating a schematic configuration of another embodiment of the plasma processing method of the present invention.
FIG. 5
It is a schematic structure figure of the conventional sputtering device.
FIG. 6
It is explanatory drawing of the film-forming process in the same prior art example.
[Explanation of symbols]
1 vacuum processing chamber 4 target 7 substrate 8 shielding plate