JP2002353472A - 光検出装置および方法 - Google Patents
光検出装置および方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光検出装置において、薄型でありながら、高
感度かつ高Ｓ／Ｎに光検出することを可能にする。 【解決手段】 記録光Ｌ１に対して透過性を有するガラ
ス基板１１、記録光Ｌ１に対して透過性を有する第１導
電層１２、記録光Ｌ１の照射を受けることにより導電性
を呈する光導電層１３、絶縁性を有する誘電体層１４、
読取光Ｌ２に対して透過性を有する第２導電層１５を、
この順に積層して静電記録体１を構成する。この静電記
録体１に電源６０により直流電圧を印加して両導電層１
２および１５を帯電させた後、記録光照射手段９０によ
り被写体９を照射し、光導電層１３と誘電体層１４との
界面に静電潜像を記録する。静電潜像が記録された後、
導電層１２および１５を短絡し同電位に帯電させて電荷
の再配分を行った後に読取用露光手段９２により読取光
Ｌ２を走査しながら露光して、静電記録体１から流れ出
す電流を電流検出手段７０で検出することにより静電潜
像を読み取る。
感度かつ高Ｓ／Ｎに光検出することを可能にする。 【解決手段】 記録光Ｌ１に対して透過性を有するガラ
ス基板１１、記録光Ｌ１に対して透過性を有する第１導
電層１２、記録光Ｌ１の照射を受けることにより導電性
を呈する光導電層１３、絶縁性を有する誘電体層１４、
読取光Ｌ２に対して透過性を有する第２導電層１５を、
この順に積層して静電記録体１を構成する。この静電記
録体１に電源６０により直流電圧を印加して両導電層１
２および１５を帯電させた後、記録光照射手段９０によ
り被写体９を照射し、光導電層１３と誘電体層１４との
界面に静電潜像を記録する。静電潜像が記録された後、
導電層１２および１５を短絡し同電位に帯電させて電荷
の再配分を行った後に読取用露光手段９２により読取光
Ｌ２を走査しながら露光して、静電記録体１から流れ出
す電流を電流検出手段７０で検出することにより静電潜
像を読み取る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファスセレ
ン光導電体を用いて高感度に光検出を行う光検出装置並
びにそれを用いた光検出方法に関するものである。
ン光導電体を用いて高感度に光検出を行う光検出装置並
びにそれを用いた光検出方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、高感度かつ高Ｓ／Ｎである光検出
装置として、アモルファスセレン光導電体を撮像管用光
導電ターゲットとして利用するSuper-HARP(High-gain A
valanche Rushing amorphous Photoconductor)撮像管が
開発されている(“超高感度Super-HARP撮像管”；テレ
ビジョン学会誌 Vol.46,No.9, pp.1189-1198)。このSup
er-HARP撮像管は、アモルファスセレン光導電体をター
ゲットとして用い、このアモルファスセレン光導電体に
高電圧を印加してアバランシェ増幅を起こさせることに
より、取り出し得る電荷量を飛躍的に多くすることがで
き、従来の撮像管と比較して一層高画質の画像を得るこ
とができるものである。
装置として、アモルファスセレン光導電体を撮像管用光
導電ターゲットとして利用するSuper-HARP(High-gain A
valanche Rushing amorphous Photoconductor)撮像管が
開発されている(“超高感度Super-HARP撮像管”；テレ
ビジョン学会誌 Vol.46,No.9, pp.1189-1198)。このSup
er-HARP撮像管は、アモルファスセレン光導電体をター
ゲットとして用い、このアモルファスセレン光導電体に
高電圧を印加してアバランシェ増幅を起こさせることに
より、取り出し得る電荷量を飛躍的に多くすることがで
き、従来の撮像管と比較して一層高画質の画像を得るこ
とができるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Super-
HARP撮像管は、真空管構造であり電子ビーム走査が必要
であるため装置が大型化してしまい、また、光検出部の
サイズも現状では１インチ程度の大きさが限度である。
HARP撮像管は、真空管構造であり電子ビーム走査が必要
であるため装置が大型化してしまい、また、光検出部の
サイズも現状では１インチ程度の大きさが限度である。
【０００４】そのため、薄型でありながら、高感度かつ
高Ｓ／Ｎの光検出装置が望まれている。
高Ｓ／Ｎの光検出装置が望まれている。
【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あって、薄型で高感度かつ高Ｓ／Ｎの光検出装置並びに
それを用いた光検出方法を提供することを目的とするも
のである。
あって、薄型で高感度かつ高Ｓ／Ｎの光検出装置並びに
それを用いた光検出方法を提供することを目的とするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による光検出装置
は、第１導電層、アモルファスセレンを主成分とする光
導電層、絶縁性を有する誘電体層、第２導電層をこの順
に積層してなる静電記録体と、第１導電層と第２導電層
との間を短絡する短絡手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
は、第１導電層、アモルファスセレンを主成分とする光
導電層、絶縁性を有する誘電体層、第２導電層をこの順
に積層してなる静電記録体と、第１導電層と第２導電層
との間を短絡する短絡手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
【０００７】本発明に使用される静電記録体は、上記の
第１導電層、光導電層、誘電体層、第２導電層以外に、
さらに他の層や微小導電部材（マイクロプレート）を積
層して成るものであってもかまわない。
第１導電層、光導電層、誘電体層、第２導電層以外に、
さらに他の層や微小導電部材（マイクロプレート）を積
層して成るものであってもかまわない。
【０００８】また、本発明による光検出装置は、光導電
層にアバランシェ増倍を生ぜしめる電圧を、第１導電層
と第２導電層との間に印加する電圧印加手段をさらに備
えたものとすることができる。
層にアバランシェ増倍を生ぜしめる電圧を、第１導電層
と第２導電層との間に印加する電圧印加手段をさらに備
えたものとすることができる。
【０００９】本発明による光検出装置において、第１導
電層および第２導電層のいずれか一方を、複数の光透過
性線状電極からなるストライプ電極を備えたものとする
こともできる。
電層および第２導電層のいずれか一方を、複数の光透過
性線状電極からなるストライプ電極を備えたものとする
こともできる。
【００１０】また、本発明による光検出装置において
は、静電記録体と読取光を照射する読取用露光手段とが
一体に形成されているものとしてもよく、その場合の読
取用露光手段は、ＥＬ光を照射するものとすることがで
きる。
は、静電記録体と読取光を照射する読取用露光手段とが
一体に形成されているものとしてもよく、その場合の読
取用露光手段は、ＥＬ光を照射するものとすることがで
きる。
【００１１】本発明による第１の光検出方法は、記録光
が潜像電荷として記録された上記いずれかの光検出装置
から、静電記録体に読取光を照射することによって前記
潜像電荷を読み取る光検出方法において、読取光を照射
する前に、短絡手段により第１導電層と第２導電層との
間を短絡して同電位とすることを特徴とするものであ
る。
が潜像電荷として記録された上記いずれかの光検出装置
から、静電記録体に読取光を照射することによって前記
潜像電荷を読み取る光検出方法において、読取光を照射
する前に、短絡手段により第１導電層と第２導電層との
間を短絡して同電位とすることを特徴とするものであ
る。
【００１２】また、本発明による第２の光検出方法は、
記録光が潜像電荷として記録された、第１導電層および
第２導電層のいずれか一方を複数の光透過性線状電極か
らなるストライプ電極を備えたものとした光検出装置か
ら、静電記録体に読取光を照射することによって前記潜
像電荷を読み取る光検出方法において、読取光を照射す
る前に、短絡手段により第１導電層と第２導電層との間
を短絡して同電位とし、複数のストライプ電極のそれぞ
れに読取光を照射して各ストライプ電極毎に潜像電荷を
検出することにより潜像電荷の１次元情報を得ることを
特徴とするものである。
記録光が潜像電荷として記録された、第１導電層および
第２導電層のいずれか一方を複数の光透過性線状電極か
らなるストライプ電極を備えたものとした光検出装置か
ら、静電記録体に読取光を照射することによって前記潜
像電荷を読み取る光検出方法において、読取光を照射す
る前に、短絡手段により第１導電層と第２導電層との間
を短絡して同電位とし、複数のストライプ電極のそれぞ
れに読取光を照射して各ストライプ電極毎に潜像電荷を
検出することにより潜像電荷の１次元情報を得ることを
特徴とするものである。
【００１３】さらに、本発明による第３の光検出方法
は、記録光が潜像電荷として記録された、第１導電層お
よび第２導電層のいずれか一方を複数の光透過性線状電
極からなるストライプ電極を備えたものとした光検出装
置から、静電記録体に読取光を照射することによって前
記潜像電荷を読み取る光検出方法において、読取光を照
射する前に、短絡手段により第１導電層と第２導電層と
の間を短絡して同電位とし、複数のストライプ電極のそ
れぞれにストライプ長手方向に読取光を走査して各スト
ライプ電極毎に潜像電荷を検出することにより潜像電荷
の２次元情報を得ることを特徴とするものである。
は、記録光が潜像電荷として記録された、第１導電層お
よび第２導電層のいずれか一方を複数の光透過性線状電
極からなるストライプ電極を備えたものとした光検出装
置から、静電記録体に読取光を照射することによって前
記潜像電荷を読み取る光検出方法において、読取光を照
射する前に、短絡手段により第１導電層と第２導電層と
の間を短絡して同電位とし、複数のストライプ電極のそ
れぞれにストライプ長手方向に読取光を走査して各スト
ライプ電極毎に潜像電荷を検出することにより潜像電荷
の２次元情報を得ることを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の効果】本発明による光検出装置並びにそれを用
いた光検出方法は、第１導電層と第２導電層との間を短
絡する短絡手段をそなえ、潜像電荷を記録した後、読取
光を照射する前に、短絡手段により第１導電層と第２導
電層との間を短絡して同電位とするため、像の明部ほど
大きな電流が流れる系、すなわちポジ型の系となる。そ
のため、検出信号の平方根に比例するゆらぎ成分（ショ
ットノイズ）の影響を受けにくく、また、電源電圧変動
の影響がないため、薄型で、高感度かつ高Ｓ／Ｎな光検
出器とすることができる。
いた光検出方法は、第１導電層と第２導電層との間を短
絡する短絡手段をそなえ、潜像電荷を記録した後、読取
光を照射する前に、短絡手段により第１導電層と第２導
電層との間を短絡して同電位とするため、像の明部ほど
大きな電流が流れる系、すなわちポジ型の系となる。そ
のため、検出信号の平方根に比例するゆらぎ成分（ショ
ットノイズ）の影響を受けにくく、また、電源電圧変動
の影響がないため、薄型で、高感度かつ高Ｓ／Ｎな光検
出器とすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光検出装置の具体
的な実施の形態について図面を用いて説明する。図１は
本発明の第１の実施の形態による光検出装置を用いた記
録読取システム（静電潜像記録装置と静電潜像読取装置
を一体にしたもの）の概略構成図を示すものである。
的な実施の形態について図面を用いて説明する。図１は
本発明の第１の実施の形態による光検出装置を用いた記
録読取システム（静電潜像記録装置と静電潜像読取装置
を一体にしたもの）の概略構成図を示すものである。
【００１６】この記録読取システムは、静電記録体１、
記録光照射手段９０、電源６０、電流検出手段７０、読
取用露光手段９２並びに接続手段Ｓ１からなり、静電潜
像記録装置部分は静電記録体１、電源６０、記録光照射
手段９０並びに接続手段Ｓ１からなり、静電潜像読取装
置部分は静電記録体１並びに電流検出手段７０からな
る。
記録光照射手段９０、電源６０、電流検出手段７０、読
取用露光手段９２並びに接続手段Ｓ１からなり、静電潜
像記録装置部分は静電記録体１、電源６０、記録光照射
手段９０並びに接続手段Ｓ１からなり、静電潜像読取装
置部分は静電記録体１並びに電流検出手段７０からな
る。
【００１７】静電記録体１は、記録光Ｌ１に対して透過
性を有するガラス基板１１、記録光Ｌ１に対して透過性
を有する第１導電層１２、記録光Ｌ１の照射を受けるこ
とにより導電性を呈する光導電層１３、絶縁性を有する
誘電体層１４、読取光Ｌ２に対して透過性を有する第２
導電層１５を、この順に積層してなるものである。
性を有するガラス基板１１、記録光Ｌ１に対して透過性
を有する第１導電層１２、記録光Ｌ１の照射を受けるこ
とにより導電性を呈する光導電層１３、絶縁性を有する
誘電体層１４、読取光Ｌ２に対して透過性を有する第２
導電層１５を、この順に積層してなるものである。
【００１８】ここで、導電層１２および１５としては、
例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が適当であり、光
導電層１３としては、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）
等を主成分とし、アバランシェ増幅作用を呈する光導
電性物質が適当である。また、アモルファスセレンは５
００ｎｍ以下の波長に対する感度は高いが５００ｎｍ以
上の波長に対する感度は低いため、Ｔｅをドープするこ
とにより可視域全体に対して感度を持たせることが可能
である。
例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が適当であり、光
導電層１３としては、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）
等を主成分とし、アバランシェ増幅作用を呈する光導
電性物質が適当である。また、アモルファスセレンは５
００ｎｍ以下の波長に対する感度は高いが５００ｎｍ以
上の波長に対する感度は低いため、Ｔｅをドープするこ
とにより可視域全体に対して感度を持たせることが可能
である。
【００１９】さらに、静電記録体１は上記の層構成に限
らず、例えば光導電層１３の下層および、または誘電体
層１４の上層に電荷注入阻止層を設けるものとしてもよ
い。
らず、例えば光導電層１３の下層および、または誘電体
層１４の上層に電荷注入阻止層を設けるものとしてもよ
い。
【００２０】静電記録体１の第２導電層１５は電源６０
の負極に接続されている。電源６０の正極は接続手段Ｓ
１を介して接地されるとともに、電流検出手段７０に接
続されている。また、第１導電層１２は電流検出手段７
０に接続されている。電流検出手段７０はオペアンプか
らなる検出アンプ７０ａと帰還抵抗７０ｂとからなり、
いわゆる電流電圧変換回路を構成している。
の負極に接続されている。電源６０の正極は接続手段Ｓ
１を介して接地されるとともに、電流検出手段７０に接
続されている。また、第１導電層１２は電流検出手段７
０に接続されている。電流検出手段７０はオペアンプか
らなる検出アンプ７０ａと帰還抵抗７０ｂとからなり、
いわゆる電流電圧変換回路を構成している。
【００２１】ガラス基板１１の下面側には被写体９が配
設され、被写体９は記録光Ｌ１に対して透過性を有する
部分９ａと透過性を有しない遮断部（遮光部）９ｂが存
在する。記録光照射手段９０は記録光Ｌ１を被写体９に
一様に照射するものである。
設され、被写体９は記録光Ｌ１に対して透過性を有する
部分９ａと透過性を有しない遮断部（遮光部）９ｂが存
在する。記録光照射手段９０は記録光Ｌ１を被写体９に
一様に照射するものである。
【００２２】なお、記録光Ｌ１により静電潜像が記録さ
れた静電記録体１の第２導電層１５に一様の読取光を照
射して静電潜像を読み取る場合は、記録光Ｌ１を検出す
る０次元センサとして機能する。また、記録光Ｌ１によ
り静電潜像が記録された静電記録体１の第２導電層１５
を読取光で線状走査して静電潜像を読み取る場合は、記
録光Ｌ１を検出する１次元センサとして機能する。
れた静電記録体１の第２導電層１５に一様の読取光を照
射して静電潜像を読み取る場合は、記録光Ｌ１を検出す
る０次元センサとして機能する。また、記録光Ｌ１によ
り静電潜像が記録された静電記録体１の第２導電層１５
を読取光で線状走査して静電潜像を読み取る場合は、記
録光Ｌ１を検出する１次元センサとして機能する。
【００２３】本実施の形態においては、読取用露光手段
９２は赤外線レーザ光等の読取光Ｌ２を図１中の矢印方
向へ走査露光するものであり、読取光Ｌ２は細径に収束
されたビーム形状をしていることが望ましい。
９２は赤外線レーザ光等の読取光Ｌ２を図１中の矢印方
向へ走査露光するものであり、読取光Ｌ２は細径に収束
されたビーム形状をしていることが望ましい。
【００２４】次に、上記構成の記録読取システムにおけ
る静電潜像記録過程並びに静電潜像読取過程について説
明する。最初に静電潜像記録過程について電荷モデル
（図２）を参照しつつ説明する。図１において、接続手
段Ｓ１を電源６０側に接続し、導電層１２と導電層１５
との間に電源６０による直流電圧Ｅｄを印加し、電源６
０から負の電荷を導電層１５に、正の電荷を導電層１２
に帯電させる（図２（Ａ）参照）。これにより、静電記
録体１には導電層１２と１５との間に平行な電場が形成
される。このとき直流電圧Ｅｄを、光導電層１３に対し
て約１００Ｖ／μｍの電界強度が加わるような電圧にす
ることにより、光導電層１３内でアバランシェ増幅作用
が働くようなり、これにより、発生電荷量を増幅させる
ことが可能となり、十分大きな信号を得ることができる
と同時に、明電流と暗電流の比を増大させ、Ｓ／Ｎよく
信号を得ることができる。
る静電潜像記録過程並びに静電潜像読取過程について説
明する。最初に静電潜像記録過程について電荷モデル
（図２）を参照しつつ説明する。図１において、接続手
段Ｓ１を電源６０側に接続し、導電層１２と導電層１５
との間に電源６０による直流電圧Ｅｄを印加し、電源６
０から負の電荷を導電層１５に、正の電荷を導電層１２
に帯電させる（図２（Ａ）参照）。これにより、静電記
録体１には導電層１２と１５との間に平行な電場が形成
される。このとき直流電圧Ｅｄを、光導電層１３に対し
て約１００Ｖ／μｍの電界強度が加わるような電圧にす
ることにより、光導電層１３内でアバランシェ増幅作用
が働くようなり、これにより、発生電荷量を増幅させる
ことが可能となり、十分大きな信号を得ることができる
と同時に、明電流と暗電流の比を増大させ、Ｓ／Ｎよく
信号を得ることができる。
【００２５】次に記録光照射手段９０から記録光Ｌ１を
被写体９に向けて一様に照射する。記録光Ｌ１は被写体
９の透過部９ａを透過し、さらにガラス基板１１および
導電層１２をも透過する。光導電層１３はこの透過した
記録光Ｌ１を受け導電性を呈するようになる。これは記
録光Ｌ１の光量に応じて可変の抵抗値を示す可変抵抗器
として作用することで理解され、抵抗値は記録光Ｌ１に
よって電子（負電荷）とホール（正電荷）の電荷対が生
じることに依存し、被写体９を透過した記録光Ｌ１の光
量が少なければ大きな抵抗値を示すものである（図２
（Ｂ）参照）。なお、Ｘ線等の放射線を記録光Ｌ１とし
て使用したときは線量と表現すべきであるが、ここでは
線量も含めて光量として表現するものとする。また、記
録光Ｌ１によって生成される負電荷（−）および正電荷
（＋）を、図面上では−または＋を○で囲んで表すもの
とする。
被写体９に向けて一様に照射する。記録光Ｌ１は被写体
９の透過部９ａを透過し、さらにガラス基板１１および
導電層１２をも透過する。光導電層１３はこの透過した
記録光Ｌ１を受け導電性を呈するようになる。これは記
録光Ｌ１の光量に応じて可変の抵抗値を示す可変抵抗器
として作用することで理解され、抵抗値は記録光Ｌ１に
よって電子（負電荷）とホール（正電荷）の電荷対が生
じることに依存し、被写体９を透過した記録光Ｌ１の光
量が少なければ大きな抵抗値を示すものである（図２
（Ｂ）参照）。なお、Ｘ線等の放射線を記録光Ｌ１とし
て使用したときは線量と表現すべきであるが、ここでは
線量も含めて光量として表現するものとする。また、記
録光Ｌ１によって生成される負電荷（−）および正電荷
（＋）を、図面上では−または＋を○で囲んで表すもの
とする。
【００２６】光導電層１３中に生じた負電荷は光導電層
１３中を導電層１２に向かって高速に移動し、導電層１
２と光導電層１３との界面で導電層１２に帯電している
正電荷と電荷再結合して消滅する（図２（Ｃ）、（Ｄ）
を参照）。一方、光導電層１３中に生じた正電荷は光導
電層１３中を誘電体層１４に向かって移動する。誘電体
層１４は絶縁体として作用するものであるから、光導電
層１３中を移動してきた正電荷は光導電層１３と誘電体
層１４との界面で停止し、この界面に蓄積されることに
なる（図２（Ｃ）、（Ｄ）を参照）。蓄積される電荷量
は光導電層１３中に生じる正電荷の量、即ち、記録光Ｌ
１の被写体９を透過した光量によって定まるものであ
る。
１３中を導電層１２に向かって高速に移動し、導電層１
２と光導電層１３との界面で導電層１２に帯電している
正電荷と電荷再結合して消滅する（図２（Ｃ）、（Ｄ）
を参照）。一方、光導電層１３中に生じた正電荷は光導
電層１３中を誘電体層１４に向かって移動する。誘電体
層１４は絶縁体として作用するものであるから、光導電
層１３中を移動してきた正電荷は光導電層１３と誘電体
層１４との界面で停止し、この界面に蓄積されることに
なる（図２（Ｃ）、（Ｄ）を参照）。蓄積される電荷量
は光導電層１３中に生じる正電荷の量、即ち、記録光Ｌ
１の被写体９を透過した光量によって定まるものであ
る。
【００２７】一方、記録光Ｌ１は被写体９の遮光部９ｂ
を透過しないから、静電記録体１の遮光部９ｂの上部に
あたる部分は何ら変化を生じない（図２（Ｂ）〜（Ｄ）
を参照）。
を透過しないから、静電記録体１の遮光部９ｂの上部に
あたる部分は何ら変化を生じない（図２（Ｂ）〜（Ｄ）
を参照）。
【００２８】このようにして、被写体９に記録光Ｌ１を
照射することにより、被写体像に応じた電荷を光導電層
１３と誘電体層１４との界面に蓄積することができるよ
うになる。尚、この蓄積せしめられた電荷による被写体
像を静電潜像という。上記説明で明らかなように、本発
明にかかる静電記録体１に静電潜像を記録する装置の構
成は極めて簡単なものであり、記録作業も極めて簡単な
ものとなる。
照射することにより、被写体像に応じた電荷を光導電層
１３と誘電体層１４との界面に蓄積することができるよ
うになる。尚、この蓄積せしめられた電荷による被写体
像を静電潜像という。上記説明で明らかなように、本発
明にかかる静電記録体１に静電潜像を記録する装置の構
成は極めて簡単なものであり、記録作業も極めて簡単な
ものとなる。
【００２９】次に静電潜像読取過程について電荷モデル
（図３）を参照しつつ説明する。接続手段Ｓ１を開放し
電源供給を停止し、上記説明のようにして静電潜像が記
録された静電記録体１の導電層１２および１５を同電位
にして電荷の再配分を行う（図３（Ａ）参照）。
（図３）を参照しつつ説明する。接続手段Ｓ１を開放し
電源供給を停止し、上記説明のようにして静電潜像が記
録された静電記録体１の導電層１２および１５を同電位
にして電荷の再配分を行う（図３（Ａ）参照）。
【００３０】読取用露光手段９２により読取光Ｌ２を静
電記録体１の導電層１５側から走査しながら露光する
と、読取光Ｌ２は導電層１５および誘電体層１４を透過
し、この透過した読取光Ｌ２が照射された光導電層１３
は走査露光に応じて導電性を呈するようになる（図３
（Ｂ）を参照）。なお、記録過程と同様に、読取光Ｌ２
によって生成される負電荷（−）および正電荷（＋）
を、図面上では−または＋を○で囲んで表すものとす
る。
電記録体１の導電層１５側から走査しながら露光する
と、読取光Ｌ２は導電層１５および誘電体層１４を透過
し、この透過した読取光Ｌ２が照射された光導電層１３
は走査露光に応じて導電性を呈するようになる（図３
（Ｂ）を参照）。なお、記録過程と同様に、読取光Ｌ２
によって生成される負電荷（−）および正電荷（＋）
を、図面上では−または＋を○で囲んで表すものとす
る。
【００３１】光導電層１３中に生じた正電荷は光導電層
１３中を導電層１２に向かって高速に移動し、導電層１
２と光導電層１３との界面で導電層１２に帯電している
負電荷と電荷再結合して消滅する（図３（Ｃ）を参
照）。一方、光導電層１３中に生じた負電荷は光導電層
１３中を誘電体層１４に向かって移動し、光導電層１３
と誘電体層１４との界面で蓄積電荷と電荷再結合をし消
滅する（図３（Ｃ）を参照）。このように、静電記録体
１に蓄積されていた電荷が消滅した結果、電界のバラン
スを保つために電流Ｉが導電層１５から導電層１２に向
かって流れ、これを電流検出手段７０で電圧に変換して
検出する。
１３中を導電層１２に向かって高速に移動し、導電層１
２と光導電層１３との界面で導電層１２に帯電している
負電荷と電荷再結合して消滅する（図３（Ｃ）を参
照）。一方、光導電層１３中に生じた負電荷は光導電層
１３中を誘電体層１４に向かって移動し、光導電層１３
と誘電体層１４との界面で蓄積電荷と電荷再結合をし消
滅する（図３（Ｃ）を参照）。このように、静電記録体
１に蓄積されていた電荷が消滅した結果、電界のバラン
スを保つために電流Ｉが導電層１５から導電層１２に向
かって流れ、これを電流検出手段７０で電圧に変換して
検出する。
【００３２】また、一般に、静電潜像を読み取る際に
は、蓄積電荷が消滅することにより生じる信号電流の他
に、静電記録体に蓄積している全電荷の量に比例する暗
電流も流れ、信号電流は暗電流に重畳して検出されるこ
ととなる。これは、読み取られた静電潜像に暗電流によ
るノイズが含まれることを意味する。さらに、このよう
にして静電潜像が読み出された後の静電記録体１には、
理想的には蓄積電荷は存在しないことになるから、静電
記録体１に改めて静電潜像を記録するに際して消去を行
うプロセスが不要であり、直ちに上記記録過程を行うこ
とが可能である。しかし、実際はわずかに静電潜像が残
留することがあるが、その場合は、もう一度読取光を照
射することにより消去可能である。
は、蓄積電荷が消滅することにより生じる信号電流の他
に、静電記録体に蓄積している全電荷の量に比例する暗
電流も流れ、信号電流は暗電流に重畳して検出されるこ
ととなる。これは、読み取られた静電潜像に暗電流によ
るノイズが含まれることを意味する。さらに、このよう
にして静電潜像が読み出された後の静電記録体１には、
理想的には蓄積電荷は存在しないことになるから、静電
記録体１に改めて静電潜像を記録するに際して消去を行
うプロセスが不要であり、直ちに上記記録過程を行うこ
とが可能である。しかし、実際はわずかに静電潜像が残
留することがあるが、その場合は、もう一度読取光を照
射することにより消去可能である。
【００３３】次に図４から図６を参照して本発明の第２
の実施の形態による光検出装置を用いた記録読取システ
ムについて詳細に説明する。なお、図４から図６におい
て、図１中の要素と同等の要素には同番号を付し、それ
らについての説明は特に必要のない限り省略する。
の実施の形態による光検出装置を用いた記録読取システ
ムについて詳細に説明する。なお、図４から図６におい
て、図１中の要素と同等の要素には同番号を付し、それ
らについての説明は特に必要のない限り省略する。
【００３４】図４は第２の実施の形態にかかる静電記録
体２の斜視図であり、導電層１２が複数の光透過性線状
電極からなるストライプ電極を備えたものである点にお
いて、上記第１の実施の形態にかかる静電記録体１と異
なる。
体２の斜視図であり、導電層１２が複数の光透過性線状
電極からなるストライプ電極を備えたものである点にお
いて、上記第１の実施の形態にかかる静電記録体１と異
なる。
【００３５】本実施の形態による静電記録体２として
は、以下のようにして製造されたものを使用する。
は、以下のようにして製造されたものを使用する。
【００３６】ガラス基板１１上に、導電層１２としてＩ
ＴＯをスパッタ等で製膜した後、エッチング処理を行っ
て、ストライプ電極１２ａを形成する。次に光導電層１
３として、ストライプ電極１２ａ上にアモルファスセレ
ンを４〜２５μｍの厚さで熱蒸着する。次に誘電体層１
４として、光導電層１３上にＰＥＴまたはポリイミド塗
布または蒸着して製膜する。最後に導電層１５として、
誘電体層１４上にＩＴＯを製膜する。
ＴＯをスパッタ等で製膜した後、エッチング処理を行っ
て、ストライプ電極１２ａを形成する。次に光導電層１
３として、ストライプ電極１２ａ上にアモルファスセレ
ンを４〜２５μｍの厚さで熱蒸着する。次に誘電体層１
４として、光導電層１３上にＰＥＴまたはポリイミド塗
布または蒸着して製膜する。最後に導電層１５として、
誘電体層１４上にＩＴＯを製膜する。
【００３７】ここで、導電層１２と光導電層１３との間
にＣｅＯ２薄膜などによる電荷注入阻止層を製膜しても
よい。
にＣｅＯ２薄膜などによる電荷注入阻止層を製膜しても
よい。
【００３８】なお、記録光Ｌ１により静電潜像が記録さ
れた静電記録体２の第２導電層１５に一様の読取光を照
射して静電潜像を読み取る場合は、記録光Ｌ１を検出す
る１次元センサとして機能する。また、記録光Ｌ１によ
り静電潜像が記録された静電記録体２の第２導電層１５
を読取光で線状走査して静電潜像を読み取る場合は、記
録光Ｌ１を検出する２次元センサとして機能する。
れた静電記録体２の第２導電層１５に一様の読取光を照
射して静電潜像を読み取る場合は、記録光Ｌ１を検出す
る１次元センサとして機能する。また、記録光Ｌ１によ
り静電潜像が記録された静電記録体２の第２導電層１５
を読取光で線状走査して静電潜像を読み取る場合は、記
録光Ｌ１を検出する２次元センサとして機能する。
【００３９】本実施の形態においては、静電記録体２を
２次元センサとして機能させる態様について説明する。
２次元センサとして機能させる態様について説明する。
【００４０】次に静電記録体２の静電潜像記録過程およ
び読取過程について、図５に示す記録読取システムを参
照して説明する。図５に示すように、このシステムは、
静電記録体２、電流検出手段７１、図示しない記録光照
射手段および読取用露光手段９３からなり、読取用露光
手段９３は、ライン状に略一様な読取光Ｌ２を導電層１
２のストライプ電極１２ａの長手方向と概略直交させつ
つ、ストライプ電極１２ａの長手方向、即ち図中の矢印
で示す走査方向に走査露光するものである（このような
露光手段をライン状露光手段という）。このように静電
記録体２を用いれば、レーザビームによることなく、読
取用露光手段９３をライン状露光手段による構成とする
ことが可能であり、走査光学系の構成が極めて簡易で低
コストなもので読取装置を構成することが可能となる。
また、インコヒーレントな光源が使用できることになる
ため、ガラス基板１１内で生じる干渉縞ノイズの発生を
防止することも可能となる。尚、上述の図１のようなビ
ーム状の読取光を走査露光する装置により構成すること
も可能である。
び読取過程について、図５に示す記録読取システムを参
照して説明する。図５に示すように、このシステムは、
静電記録体２、電流検出手段７１、図示しない記録光照
射手段および読取用露光手段９３からなり、読取用露光
手段９３は、ライン状に略一様な読取光Ｌ２を導電層１
２のストライプ電極１２ａの長手方向と概略直交させつ
つ、ストライプ電極１２ａの長手方向、即ち図中の矢印
で示す走査方向に走査露光するものである（このような
露光手段をライン状露光手段という）。このように静電
記録体２を用いれば、レーザビームによることなく、読
取用露光手段９３をライン状露光手段による構成とする
ことが可能であり、走査光学系の構成が極めて簡易で低
コストなもので読取装置を構成することが可能となる。
また、インコヒーレントな光源が使用できることになる
ため、ガラス基板１１内で生じる干渉縞ノイズの発生を
防止することも可能となる。尚、上述の図１のようなビ
ーム状の読取光を走査露光する装置により構成すること
も可能である。
【００４１】図６は、静電記録体２の側断面とともに電
流検出手段７１を詳細に示したブロック図である。
流検出手段７１を詳細に示したブロック図である。
【００４２】図６に示すように、電流検出手段７１は導
電層１２の各ストライプ電極１２ａ毎に接続された多数
の電流検出アンプ７１ａを有しており、読取光Ｌ２の露
光により各ストライプ電極１２ａに流れる電流を各スト
ライプ電極１２ａ毎に並列的に検出するものである。静
電記録体２の導電層１５は電源７１ｃの負極に接続され
ている。電源７１ｃの正極は接続手段７１ｂを介して接
地されるとともに、電流検出アンプ７１ａに接続されて
いる。
電層１２の各ストライプ電極１２ａ毎に接続された多数
の電流検出アンプ７１ａを有しており、読取光Ｌ２の露
光により各ストライプ電極１２ａに流れる電流を各スト
ライプ電極１２ａ毎に並列的に検出するものである。静
電記録体２の導電層１５は電源７１ｃの負極に接続され
ている。電源７１ｃの正極は接続手段７１ｂを介して接
地されるとともに、電流検出アンプ７１ａに接続されて
いる。
【００４３】以下図６を参照して、静電記録体２に静電
潜像を記録し、該静電記録体２から静電潜像を読み取る
方法について説明する。
潜像を記録し、該静電記録体２から静電潜像を読み取る
方法について説明する。
【００４４】先ず接続手段７１ｂを電源７１ｃの正極側
に接続して第１の実施の形態と同様の方法により静電潜
像を静電記録体２に記録する。記録終了後、接続手段７
１ｂを静電記録体２の導電層１５側に接続する。読取用
露光手段９３により読取光Ｌ２を走査露光することによ
り、静電記録体２の導電層１５から電流検出アンプ７１
ａを介して導電層１２の各ストライプ電極１２ａに電流
Ｉが流れる。各電流検出アンプ７１ａにおいては、この
電流Ｉによって積分コンデンサ７１ｅが充電され、流れ
る電流量に応じて積分コンデンサ７１ｅに電荷が蓄積さ
れ、積分コンデンサ７１ｅの両端の電圧が変化する。し
たがって、走査露光中の画素と画素の間に接続手段７１
ｆをオンして積分コンデンサ７１ｅに蓄積された電荷を
放電させることにより、積分コンデンサ７１ｅの両端に
は次々と画素毎の蓄積電荷に対応して電圧の変化が観測
されることとなる。この電圧の変化は、静電記録体２に
蓄積されていた各画素毎の電荷と対応するものである。
さらに、各ストライプ電極１２ａ毎に接続された各電流
検出アンプ７１ａの出力をマルチプレクサ２０に入力し
て合成し、ＡＤ変換器２１によりデジタル変換すること
により、静電記録体２に記録された静電潜像が表す２次
元画像を得ることができる。
に接続して第１の実施の形態と同様の方法により静電潜
像を静電記録体２に記録する。記録終了後、接続手段７
１ｂを静電記録体２の導電層１５側に接続する。読取用
露光手段９３により読取光Ｌ２を走査露光することによ
り、静電記録体２の導電層１５から電流検出アンプ７１
ａを介して導電層１２の各ストライプ電極１２ａに電流
Ｉが流れる。各電流検出アンプ７１ａにおいては、この
電流Ｉによって積分コンデンサ７１ｅが充電され、流れ
る電流量に応じて積分コンデンサ７１ｅに電荷が蓄積さ
れ、積分コンデンサ７１ｅの両端の電圧が変化する。し
たがって、走査露光中の画素と画素の間に接続手段７１
ｆをオンして積分コンデンサ７１ｅに蓄積された電荷を
放電させることにより、積分コンデンサ７１ｅの両端に
は次々と画素毎の蓄積電荷に対応して電圧の変化が観測
されることとなる。この電圧の変化は、静電記録体２に
蓄積されていた各画素毎の電荷と対応するものである。
さらに、各ストライプ電極１２ａ毎に接続された各電流
検出アンプ７１ａの出力をマルチプレクサ２０に入力し
て合成し、ＡＤ変換器２１によりデジタル変換すること
により、静電記録体２に記録された静電潜像が表す２次
元画像を得ることができる。
【００４５】次に図７を参照して本発明の第３の実施の
形態による光検出装置を用いた記録読取システムについ
て詳細に説明する。なお、図７において、図１中の要素
と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明
は特に必要のない限り省略する。
形態による光検出装置を用いた記録読取システムについ
て詳細に説明する。なお、図７において、図１中の要素
と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明
は特に必要のない限り省略する。
【００４６】図７は第３の実施の形態にかかる記録読取
システム（記録光照射手段は図示省略）の構成図であ
り、静電記録体２と面状光源３０とが一体に形成された
点において、上記第２の実施の形態にかかる記録読取シ
ステムと異なる。
システム（記録光照射手段は図示省略）の構成図であ
り、静電記録体２と面状光源３０とが一体に形成された
点において、上記第２の実施の形態にかかる記録読取シ
ステムと異なる。
【００４７】図８は本実施の形態の静電記録体２および
面状光源３０の概略構成を示す図であって、図８（Ａ）
は静電記録体２および面状光源３０を断面図で示した
図、図８図（Ｂ）は図８（Ａ）におけるＰ−Ｐ線断面図
である。
面状光源３０の概略構成を示す図であって、図８（Ａ）
は静電記録体２および面状光源３０を断面図で示した
図、図８図（Ｂ）は図８（Ａ）におけるＰ−Ｐ線断面図
である。
【００４８】面状光源３０は、多数のライン状微小ＥＬ
発光体３７とガラス製の基板３１とから構成されてい
る。各ライン状微小ＥＬ発光体３７は、ストライプ電極
３４ａと、ＥＬ層３５と、平板電極３６とからなる。
発光体３７とガラス製の基板３１とから構成されてい
る。各ライン状微小ＥＬ発光体３７は、ストライプ電極
３４ａと、ＥＬ層３５と、平板電極３６とからなる。
【００４９】本実施の形態による記録読取システムに用
いられる面状光源３０としては、以下のようにして製造
されたものを使用する。
いられる面状光源３０としては、以下のようにして製造
されたものを使用する。
【００５０】先ず、ガラス基板３１のライン状微小ＥＬ
発光体３７が配される側の面に、プレス成形により、底
面が湾曲形状の多数の微小凹溝３８を１００μｍピッチ
で形成する。
発光体３７が配される側の面に、プレス成形により、底
面が湾曲形状の多数の微小凹溝３８を１００μｍピッチ
で形成する。
【００５１】次に、ガラス基板３１に、絶縁層３３を塗
布などによって製膜する。この絶縁層３３としては、耐
エッチング性の強いものを使用する。また、絶縁層３３
として、屈折率の適当な材質（本例においては、ガラス
基板３１よりも屈折率の大きなもの）を選ぶことによ
り、ガラス基板３１との界面３２で光が屈折し、ガラス
基板３１の各微小凹溝３８部がそれぞれシリンドリカル
レンズとして作用する。
布などによって製膜する。この絶縁層３３としては、耐
エッチング性の強いものを使用する。また、絶縁層３３
として、屈折率の適当な材質（本例においては、ガラス
基板３１よりも屈折率の大きなもの）を選ぶことによ
り、ガラス基板３１との界面３２で光が屈折し、ガラス
基板３１の各微小凹溝３８部がそれぞれシリンドリカル
レンズとして作用する。
【００５２】次に、絶縁層３３上に、アモルファス状光
透過性酸化膜である、ＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-
metal Oxide ；出光興産（株））を製膜した後、各微小
凹溝３８の光学中心が電極の中心と合致するように、Ｉ
ＤＩＸＯに対してエッチング処理を行って、ＩＤＩＸＯ
からなるストライプ電極３４ａを形成する。
透過性酸化膜である、ＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-
metal Oxide ；出光興産（株））を製膜した後、各微小
凹溝３８の光学中心が電極の中心と合致するように、Ｉ
ＤＩＸＯに対してエッチング処理を行って、ＩＤＩＸＯ
からなるストライプ電極３４ａを形成する。
【００５３】ＩＤＩＸＯはエッチングし易い膜であり、
ストライプ電極３４ａをなす電極部材としてこのＩＤＩ
ＸＯを用いると、エッチング処理の際に、絶縁層３３を
溶かす虞れが少なくなり、絶縁層３３の選択範囲も広く
なる。
ストライプ電極３４ａをなす電極部材としてこのＩＤＩ
ＸＯを用いると、エッチング処理の際に、絶縁層３３を
溶かす虞れが少なくなり、絶縁層３３の選択範囲も広く
なる。
【００５４】次に、ガラス基板３１のストライプ電極３
４ａ側にＥＬ層３５を製膜する。このＥＬ層３５は、無
機材料で形成された無機ＥＬ層であってもよいし、有機
材料で形成された有機ＥＬ層であってもよい。
４ａ側にＥＬ層３５を製膜する。このＥＬ層３５は、無
機材料で形成された無機ＥＬ層であってもよいし、有機
材料で形成された有機ＥＬ層であってもよい。
【００５５】最後にＥＬ層３５上に平板電極３６が形成
されるように導電層を製膜する。平板電極３６は、ＥＬ
層３５から発せられるＥＬ光を略全反射させるＭｇＡｇ
で形成するのが好ましい。
されるように導電層を製膜する。平板電極３６は、ＥＬ
層３５から発せられるＥＬ光を略全反射させるＭｇＡｇ
で形成するのが好ましい。
【００５６】このようにして製造された面状光源３０と
静電記録体２とを、導電層１５およびガラス基板３１同
士が対向し、静電記録体２のストライプ電極１２ａと面
状光源３０のストライプ電極３４ａとが直交するように
貼り合わせて、両者を一体化させる。
静電記録体２とを、導電層１５およびガラス基板３１同
士が対向し、静電記録体２のストライプ電極１２ａと面
状光源３０のストライプ電極３４ａとが直交するように
貼り合わせて、両者を一体化させる。
【００５７】また、面状光源３０の各ストライプ電極３
４ａおよび平板電極３６は、光源制御手段４０に接続さ
れる。光源制御手段４０は、各ストライプ電極３４ａを
順次切り替えながら、夫々のストライプ電極３４ａと平
板電極３６との間に所定の直流電圧を印加する。この直
流電圧の印加によりストライプ電極３４ａと平板電極３
６とに挟まれたＥＬ層３５からＥＬ光が発せられる。ス
トライプ電極３４ａはライン状（線状）になっているか
ら、ストライプ電極３４ａを透過したＥＬ光はライン状
の読取光として利用できる。つまり、面状光源３０は、
ストライプ電極３４ａ、ＥＬ層３５および平板電極３６
からなるライン状微小ＥＬ発光体３７が多数配列された
ものとして構成され、ストライプ電極３４ａを順次切り
替えてＥＬ層３５からＥＬ発光させることにより、ライ
ン状の読取光で静電記録体２を電気的に走査することが
できるようになる。
４ａおよび平板電極３６は、光源制御手段４０に接続さ
れる。光源制御手段４０は、各ストライプ電極３４ａを
順次切り替えながら、夫々のストライプ電極３４ａと平
板電極３６との間に所定の直流電圧を印加する。この直
流電圧の印加によりストライプ電極３４ａと平板電極３
６とに挟まれたＥＬ層３５からＥＬ光が発せられる。ス
トライプ電極３４ａはライン状（線状）になっているか
ら、ストライプ電極３４ａを透過したＥＬ光はライン状
の読取光として利用できる。つまり、面状光源３０は、
ストライプ電極３４ａ、ＥＬ層３５および平板電極３６
からなるライン状微小ＥＬ発光体３７が多数配列された
ものとして構成され、ストライプ電極３４ａを順次切り
替えてＥＬ層３５からＥＬ発光させることにより、ライ
ン状の読取光で静電記録体２を電気的に走査することが
できるようになる。
【００５８】上記説明においては、静電記録体の第１導
電層に正電荷を、第２導電層に負電荷を帯電させて、光
導電層と誘電体層との界面に正電荷を蓄積せしめるもの
について説明したが、本発明は必ずしもこのようなもの
に限るものではなく、それぞれが逆極性の電荷であって
も良く、このように極性を逆転させる際には、記録時の
電源の極性を逆転させる等の若干の変更を行うことで、
上記説明と同様の記録および読取装置を実現することが
できる。
電層に正電荷を、第２導電層に負電荷を帯電させて、光
導電層と誘電体層との界面に正電荷を蓄積せしめるもの
について説明したが、本発明は必ずしもこのようなもの
に限るものではなく、それぞれが逆極性の電荷であって
も良く、このように極性を逆転させる際には、記録時の
電源の極性を逆転させる等の若干の変更を行うことで、
上記説明と同様の記録および読取装置を実現することが
できる。
【００５９】また、上記説明は、記録光を第１導電層側
に照射するものについて説明したものであるが、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではない。具体的に
は、第２導電層，誘電体層を記録光に対して透過性を有
するものとすれば、第２導電層側から記録光を照射し
て、光導電層が導電性を呈するようにすることが可能で
ある。すなわち、本発明による静電記録体は、第１導電
層或いは第２導電層の何れの方向からでも記録光を照射
することが可能であるように構成することができる。
に照射するものについて説明したものであるが、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではない。具体的に
は、第２導電層，誘電体層を記録光に対して透過性を有
するものとすれば、第２導電層側から記録光を照射し
て、光導電層が導電性を呈するようにすることが可能で
ある。すなわち、本発明による静電記録体は、第１導電
層或いは第２導電層の何れの方向からでも記録光を照射
することが可能であるように構成することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による光検出装置を
用いた記録読取システム（静電潜像記録装置と静電潜像
読取装置を一体にしたもの）の構成図
用いた記録読取システム（静電潜像記録装置と静電潜像
読取装置を一体にしたもの）の構成図
【図２】静電記録体に静電潜像を記録する方法を説明す
る図
る図
【図３】静電記録体に記録された静電潜像を読み取る方
法を説明する図
法を説明する図
【図４】本発明の第２の実施の形態による光検出装置を
用いた記録読取システムの静電記録体の斜視図
用いた記録読取システムの静電記録体の斜視図
【図５】本発明の第２の実施の形態による光検出装置を
用いた記録読取システムの構成図
用いた記録読取システムの構成図
【図６】本発明の第２の実施の形態による光検出装置を
用いた記録読取システムの構成図
用いた記録読取システムの構成図
【図７】本発明の第３の実施の形態による光検出装置を
用いた記録読取システムの構成図
用いた記録読取システムの構成図
【図８】本発明の第３の実施の形態による光検出装置を
用いた記録読取システムの構成図
用いた記録読取システムの構成図
１、２ 静電記録体 ９ 被写体 １１ ガラス基板 １２ 第１の導電層 １３ 光導電層 １４ 誘電体層 １５ 第２の導電層 ２０ マルチプレクサ ２１ ＡＤ変換器 ３０ 面状光源 ３１ ガラス基板 ３３ 絶縁層 ３４ａ ストライプ電極 ３５ ＥＬ層 ３６ 平板電極 ３７ ライン状微小ＥＬ発光体３７ ４０ 光源制御手段 ６０ 直流電源 ７０，７１ 電流検出手段 ９０ 記録光照射手段 ９２、９３ 読取用露光手段 Ｓ１ 接続手段 Ｌ１ 記録光 Ｌ２ 読取光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/08 Ｈ０１Ｌ 31/08 Ｒ
Claims (8)
- 【請求項１】 第１導電層、アモルファスセレンを主成
分とする光導電層、絶縁性を有する誘電体層、第２導電
層をこの順に積層してなる静電記録体と、 前記第１導電層と前記第２導電層との間を短絡する短絡
手段とを備えたことを特徴とする光検出装置。 - 【請求項２】 前記光導電層にアバランシェ増幅を生ぜ
しめる電圧を、前記第１導電層と前記第２導電層との間
に印加する電圧印加手段をさらに備えたことを特徴とす
る請求項１記載の光検出装置。 - 【請求項３】 前記第１導電層および前記第２導電層の
いずれか一方が、複数の光透過性線状電極からなるスト
ライプ電極を備えたものであることを特徴とする請求項
１または２記載の光検出装置。 - 【請求項４】 前記静電記録体と読取光を照射する読取
用露光手段とが一体に形成されていることを特徴とする
請求項１から３のいずれか１項記載の光検出装置。 - 【請求項５】 前記読取用露光手段が、ＥＬ光を照射す
るものであることを特徴とする請求項４記載の光検出装
置。 - 【請求項６】 記録光が潜像電荷として記録された請求
項１から５のいずれか１項記載の光検出装置から、前記
静電記録体に読取光を照射することによって前記潜像電
荷を読み取る光検出方法において、 前記読取光を照射する前に、前記短絡手段により前記第
１導電層と前記第２導電層との間を短絡して同電位とす
ることを特徴とする光検出方法。 - 【請求項７】 記録光が潜像電荷として記録された請求
項３記載の光検出装置から、前記静電記録体に読取光を
照射することによって前記潜像電荷を読み取る光検出方
法において、 前記読取光を照射する前に、前記短絡手段により前記第
１導電層と前記第２導電層との間を短絡して同電位と
し、 前記複数のストライプ電極のそれぞれに前記読取光を照
射して各ストライプ電極毎に前記潜像電荷を検出するこ
とにより前記潜像電荷の１次元情報を得ることを特徴と
する光検出方法。 - 【請求項８】 記録光が潜像電荷として記録された請求
項３記載の光検出装置から、前記静電記録体に読取光を
照射することによって前記潜像電荷を読み取る光検出方
法において、 前記読取光を照射する前に、前記短絡手段により前記第
１導電層と前記第２導電層との間を短絡して同電位と
し、 前記複数のストライプ電極のそれぞれにストライプ長手
方向に前記読取光を走査して各ストライプ電極毎に前記
潜像電荷を検出することにより前記潜像電荷の２次元情
報を得ることを特徴とする光検出方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001158314A JP2002353472A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 光検出装置および方法 |
| US10/153,792 US7301135B2 (en) | 2001-05-28 | 2002-05-24 | Photodetector having an electrostatic recording body and photodetecting method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001158314A JP2002353472A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 光検出装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353472A true JP2002353472A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=19002055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001158314A Pending JP2002353472A (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 光検出装置および方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7301135B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002353472A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US8707434B2 (en) | 2011-08-17 | 2014-04-22 | Mcafee, Inc. | System and method for indirect interface monitoring and plumb-lining |
| KR102255739B1 (ko) | 2016-01-07 | 2021-05-27 | 더 리서치 파운데이션 포 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴욕 | 멀티-웰 셀레늄 장치 및 이의 제조방법 |
| US10651334B2 (en) * | 2017-02-14 | 2020-05-12 | International Business Machines Corporation | Semitransparent chalcogen solar cell |
Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
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| DE3236137A1 (de) * | 1982-09-29 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Bildaufnahmeeinrichtung |
| US5492783A (en) * | 1989-11-17 | 1996-02-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Electrostatic information-recording media and process for recording and reproducing electrostatic information |
| EP0898421A3 (en) * | 1997-08-19 | 2001-12-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Electrostatic recording member, electrostatic latent image recording apparatus, and electrostatic latent image read-out apparatus |
| JP3462135B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2003-11-05 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置 |
| EP1067401A3 (en) * | 1999-07-08 | 2003-04-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for reading and recording image information |
| JP3907914B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2007-04-18 | 富士フイルム株式会社 | 画像撮像装置 |
| US6838690B2 (en) * | 2001-05-30 | 2005-01-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for recording and reading out an electrostatic latent image |
| JP2003215736A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像撮像装置 |
-
2001
- 2001-05-28 JP JP2001158314A patent/JP2002353472A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-24 US US10/153,792 patent/US7301135B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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