JP2002344270A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. 基板上に共振器を製造する方法において、
   底部電極層を形成する工程と、
   前記底部電極層上に圧電（ＰＺ）層を作る工程と、
   前記ＰＺ層の選択された選択部分を部分的にエッチングし、前記ＰＺ層の前記選択部分上に表面電極を作るようにした共振器の製造方法。
2. 前記表面電極は、モリブデンを含むことを特徴とする、請求項１に記載の共振器の製造方法。
3. 前記ＰＺ層は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の共振器の製造方法。
4. 前記ＰＺ層の前記選択部分を部分的にエッチングする工程は、
   前記選択部分を除いて前記ＰＺ層をマスクによりマスキングする工程と、
   前記マスクと前記選択部分をエッチング剤で処理する工程と、
   前記マスクを除去する工程とを含むことを特徴とする、請求項１に記載の共振器の製造方法。
5. 前記マスクが、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことを特徴とする、請求項４に記載の共振器の製造方法。
6. 前記エッチング剤は、希釈されたフッ化水素酸（ＨＦ）を含むことを特徴とする、請求項４に記載の共振器の製造方法。
7. 前記ＰＺ層の厚さの１乃至３０％が、エッチングされることを特徴とする、請求項１に記載の共振器の製造方法。
8. 部分的なエッチングによって前記ＰＺ層の厚さを減らすことで、前記共振器の共振周波数を１乃至６％だけ増加させることを特徴とする、請求項１に記載の共振器の製造方法。
9. 共振器を製造する方法において、
   基板上に底部電極を形成する工程と、
   前記底部電極上に圧電（ＰＺ）層を堆積させる工程と、
   前記ＰＺ層の第２の部分をそのまま残し、前記ＰＺ層の第１の部分を最初の厚さから厚さ方向に除去する工程と、
   前記ＰＺ層の第１の部分上に第１の表面電極を形成して第１の共振周波数を有する第１の共振器を形成する工程と、
   前記ＰＺ層の第２の部分上に第２の表面電極を形成して第２の共振周波数を有する第２の共振器を形成する工程とを有することを特徴とする方法。
10. 前記表面電極は、モリブデンを含むことを特徴とする、請求項９に記載の共振器の製造方法。
11. 前記ＰＺ層は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むことを特徴とする、請求項９に記載の共振器の製造方法。
12. 前記ＰＺ層の第１の部分で前記ＰＺ層を厚さ方向に除去する工程は、ドライエッチング、ミリング、及びスパッタリングを含む群から選んだ技術によって実現されることを特徴とする、請求項９に記載の共振器の製造方法。
13. 前記ＰＺ層の第１の部分で前記ＰＺ層を厚さ方向に除去する工程は、
    前記ＰＺ層の選択された選択部分を除いて前記ＰＺ層をマスクによりマスキングする工程と、
    前記マスクと前記選択部分をエッチング剤にさらす工程と、
    前記マスクを除去する工程とを含むことを特徴とする、請求項９に記載の共振器の製造方法。
14. 前記マスクは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の共振器の製造方法。
15. 前記エッチング剤は、フッ化水素酸（ＨＦ）とされることを特徴とする、請求項１３に記載の共振器の製造方法。
16. 前記ＰＺ層の第１の部分で前記ＰＺ層を厚さ方向に除去する工程では、最初の厚さの１乃至６％を除去することを特徴とする、請求項１３に記載の共振器の製造方法。
17. 前記ＰＺ層の厚さを減少させることで、前記第１の共振器の共振周波数を１乃至６％だけ増加させることを特徴とする、請求項９に記載の共振器の製造方法。