KR100609508B1 - 에어갭 타입 에프비에이알장치 및 그 제조방법 - Google Patents

에어갭 타입 에프비에이알장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 에어갭 타입 에프비에이알의 제조방법에 있어서, 실리콘기판 위에 마그네슘의 희생층을 형성하는 제1단계; 상기 마그네슘 희생층을 부분적으로 노출하면서 희생층 위에 실리콘나이트라이드 지지층을 형성하는 제2단계; 상기 희생층을 노출하면서 상기 지지층 위에 제1전극을 형성하는 제3단계; 상기 희생층을 노출하면서 상기 제1전극 위에 압전층을 형성하는 제4단계; 상기 희생층을 노출하면서 상기 압전층 위에 제2전극을 형성하는 제5단계; 상기 희생층을 에칭하여 에어갭을 형성하는 제6단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 에어갭 타입 에프비에이알장치를 제공한다.

Description

에어갭 타입 에프비에이알장치 및 그 제조방법{AIR GAP TYPE FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
도 1은 본 발명에 따른 에어갭 타입 FBAR장치의 단면도,
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 에어갭 타입 FBAR의 제조공정 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 에어갭 타입 FBAR장치의 결합 및 분해 사시도로, 도 4의(a)는 결합사시도, 도 4의 (b)는 분해사시도,
도 4는 종래 비어홀(via hole) 공정을 수반하는 FBAR의 개략적인 공정순서도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호 설명
11 : 기판(웨이퍼) 12' : 희생층
12 : 에어 갭 13 : 지지층
14a : 제1전극층 14b : 제2전극층
15 : 압전층
본 발명은 박막 필터용 에어갭형 FBAR(film bulk acoustic resonator)에 관한 것으로, 구조적으로 간단하고 복잡한 기존의 공정을 단순화된 에어갭 타입 에프비에이알장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통신기술의 발달함에 따라 보다 작고 성능이 우수한 공진기 제작을 위해 박막 필터용 FBAR의 수요가 급증하고 있으며, 필터의 소형화는 반도체 박막 웨이퍼 제조기술을 이용하여 MMIC(monolithic microwave integrated circuits)화를 가능하게 하는 특징을 가지면서 급속도로 발전하고 있다.
FBAR이란 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 위에 압전 유전체 물질을 직접 증착하여 그 압전 특성을 이용하여 공진을 유발시키는 박막형태의 소자를 필터로 구현한 것이다.
일반적인 에어갭형 FBAR 소자의 제조공정은 도 4에 나타낸 바와 같이, 먼저 기판(110) 위에 실리콘나이트라이트(120:Si3N4)를 증착한 후 RIE장비를 이용하여 드라이 에칭(dry etching)을 한다(도 4a). 이때 실리콘나이트라이드(120)는 보호층(Protected layer)으로 활용되며, 그 형성을 위해 마스크공정이 수반된다. 그리고, PS(130:Porous silicon)를 성장시키는데 전기화학적인 방법으로 PS를 성장한 후 불산(HF)용액에 넣어서 실리콘나이트라이트층(120)을 제거한다(도 4b). 지지층(140)으로 SiO2를 LPCVD(low pressure chemical vapor deposition)를 이용하여 성장 하고(도 4c), Pt전극을 하부전극(150) 층으로 스퍼터링법에 의해 증착하고(도 4d), 졸겔법을 이용하여 PZT박막(160)을 성장하며(도 4e), 상부전극(170)을 증착한다(도 4f). 그 후 SiO2층(180)을 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor deposition)를 이용하여 성장한다(도 4g). 공정의 핵심은 에어 갭을 채우고 있는 PS층을 제거하는 부분이다. 안쪽에 PS(130)를 에칭하기 위해서는 지금까지 증착했던 부분에 대해서 각각 층을 드라이에칭을 통해서 에칭하여 비어홀(via hole)을 형성한다(도 4h). 마지막으로, 비어홀을 통해 에칭액을 주입하여 PS(130)를 제거한다(도 4i).
이러한 종래 공정에 따른 에어갭 타입 FBAR 소자의 제조공정은 비어홀 형성공정이 반듯이 필요하게 된다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 그 목적은 상기 비어홀공정이 생략되므로 기존의 제조방법을 단축할 수 있도록 된 에어갭 타입 에프비에이알장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 에어갭 타입 에프비에이알의 제조방법에 있어서, 실리콘기판 위에 마그네슘의 희생층을 형성하는 제1단계; 상기 마그네슘 희생층을 부분적으로 노출하면서 희생층 위에 실리콘나이트라이드 지지층을 형성하는 제2단계; 상기 희생층을 노출하면서 상기 지지층 위에 제1전극을 형성하는 제3단계; 상기 희생층을 노출하면서 상기 제1전극 위에 압전층을 형성하는 제4단계; 상기 희생층을 노출하면서 상기 압전층 위에 제2전극을 형성하는 제5단계; 상기 희생층을 에칭하여 에어갭을 형성하는 제6단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조되는 에어갭 타입 에프비에이알장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 상기 희생층 증착 단계는 상기 실리콘기판 위에 희생층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고, 스퍼터링(sputtering) 또는 증발법(evaporating)에 의해 마그네슘의 희생층을 증착하며, 희생층 증착후, 마스크를 제거하는 단계로 이루어진다.
또한, 상기 지지층 증착 단계는 상기 희생층이 형성된 실리콘기판 위에 지지층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고, 유도결합 플라즈마 기상 증착법에 의해 실리콘나이트라이드(Si3N4)를 증착하며, 지지층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어진다.
또한, 상기 제1전극층을 증착하는 단계는, 상기 희생층과 지지층이 형성된 실리콘기판 위에 제1전극층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고, 스퍼터링 또는 증발법을 이용하여 알루미늄(Al)을 증착하며, 제1전극층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어진다.
또한, 상기 압전층 증착 단계는, 상기 희생층과 지지층 및 제1전극이 형성된 실리콘기판 위에 압전층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고, PZT, ZnO, AlN 중 어느 하나인 압전물질을 증착하며, 압전층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어진다.
또한, 상기 제2전극층을 증착하는 단계는, 상기 희생층과 지지층 제1전극층 및 압전층이 형성된 실리콘기판 위에 제2전극층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고, 스퍼터링 또는 증발법을 이용하여 알루미늄(Al)을 증착하며, 제2전극층 증착후, 마스크를 제거하는 단계로 이루어진다.
또한, 상기 희생층을 에칭하는 단계는, 질산용액과 증류수를 1:20으로 희석한 에칭액을 사용하여 이루어지는데, 에칭액을 상기 희생층상에 직접 적용시킴으로써 이루어지게 된다.
이하, 도면을 참조로 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 최종적인 에어 갭형 FBAR소자를 도시한 단면도로, 바람직하게는 실리콘 기판(11)과, 이 실리콘 기판(11) 위의 지지층(13), 이 지지층(13) 위의 제1전극층(14a), 이 제1전극층(14a) 위의 압전층(15), 이 압전층(15) 위의 제2전극층(14b) 및, 상기 지지층(13)과 기판(11)에 의해 에워싸이며 형성된 에어 갭(12')을 구비하여 이루어지는 에어갭 타입 에프비에이알(FBAR)장치가 제공된다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 에어갭 타입 FBAR장치의 제조공정 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 에어갭 타입 FBAR의 결합 및 분해 사시도로이다.
본 발명에 의한 제조방법에서 사용되는 기판을 마련하는 단계에서 기판(일반 적으로, 실리콘 웨이퍼가 사용됨)은 오가닉 세척(organic cleaning)이 필수적으로 수반되어야 한다.
제조공정 순으로 이를 설명하면, 우선, 기판(11) 위에 희생층(12)을 증착한다. 도 2의 (a)는 상기 오가닉 세척된 기판(11)위에 희생층(12)이 형성된 상태를 도시한다.
희생층(12)은 마스크를 사용하여 증착하게 되는데 희생층(12)의 패턴의 모양이 직사각형 모양이므로 이에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 제작한다. 마스크는 이후의 희생층(12)에 대한 습식에칭(wet-etching)시 양 측면으로 에칭액이 침투하여 보다 효과적으로 단시간 내에 에칭작업을 수행할 수 있도록 하기 위해 길게 제작된다(도 3 참조). 상기 마스크의 개구 사이즈는 바람직하게는 가로와 세로가 150㎛ * 600㎛ 이며 이들의 길이에 따라서 희생층(12)의 공칭면적을 조절할 수 있다.
여기서, 상기 희생층(12)은 마그네슘(Mg)으로 형성하였다. 이는 마그네슘이 이후의 습식에칭공정에서 에어 갭 형성을 위해 에칭되기 용이한 물질이기 때문이다. 또한 에어 갭의 두께를 결정하는 것은 마그네슘 희생층(12)의 증착두께이다. 본 발명에서 상기 마그네슘 희생층(12)의 두께는 0.1-3㎛가 바람직하다.
희생층(12)를 증착하기 위한 방법은 스퍼터링(sputtering) 또는 증발법(evaporating)등이 사용될 수 있다. 본 발명에서는, 바람직하게는 마그네슘 희생층(12)을 증발법으로 증착하였고, 그에 따른 제작공정은 증착 전 저진공(10-3 torr) 과 고진공(5*10-6 torr) 순으로 진공도를 유지하고 전류를 증가시켜 텅스텐 포트 위에 마그네슘을 융점(melting point)까지 가열시킨 후 박막을 증착하였다. 이 때의 전류원은 130[A]였고 증착장비의 두께 게이지(thickness gage)를 이용하여 두께 조절을 하였다.
희생층(12)이 기판위에 증착된 후 마스크는 제거된다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이 기판(11) 상에 희생층이 직사각형(띠)형상으로 증착된다.
다음에 지지층(13)을 증착한다. 도 2의 (b)는 지지층(13)을 형성한 상태를 나타낸 도면이다.
지지층(13)은 마스크를 사용하여 증착하게 되는데 상기 희생층(12)이 증착된 기판(13) 위에 지지층(13) 패턴 모양에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시킨 상태에서 증착이 이루어진다.
지지층(13)의 형성 물질은 실리콘나이트라이드(Si3N4) 박막이고, 유도결합플라즈마 기상 증착법(inductively coulped plasma chemical vapor deposition)을 이용하여 증착하였으며, 증착조건은 기판온도 300도와 RF power 200W, 가스비는 SiH4:H4:NH3=6:44:60이고, 증착시간은 1시간으로 행했다.
지지층(13)의 두께는 그 상부에 형성되는 구조를 지지할 수 있는 정도의 두께로 형성해야 한다. 그 이유는 지지층(13) 두께에 따른 다른 주파수가 공진할 수 있기 때문이고 또한 삽입손실에 영향이 있기 때문이다. 본 발명에 있어서는 지지층(12)의 두께가 200nm로 형성되어 박막의 붕괴(collapse)가 없도록 하였다. 그리 고, 상기 마스크의 개구 사이즈는 바람직하게는 200㎛ * 200㎛의 정사각형 모양으로 제작되는데 상기 희생층(12)을 덮는 부분은 폭이 감소되므로, 마스크의 개구형상은 대략 H형상을 이루게 된다.
지지층(13)이 형성 후 상기 마스크는 제거된다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이, 희생층(12)이 부부적으로 노출되면서, H형상의 지지층(13)이 기판(11)과 희생층(12) 상에 증착된다.
그 다음, 제1전극층(14a)을 증착한다. 도 2의 (c)는 제1전극(14a)을 형성하는 단계를 나타낸 도면이다.
제1전극층(14a)은 마스크를 사용하여 증착하게 되는데 제1전극층(14a)의 패턴 모양에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 제작한다. 마스크의 개구 사이즈는 150㎛ * 150㎛이 바람직하며 이에 따라 제1전극층(14a)의 공칭면적이 조절된다.
본 발명에 있어서, 제1전극층(14a)의 두께는 50-200nm인데, 통신소자설계에 있어서 전극두께에 따른 주파수 감소를 고려해야 하므로 설계자의 의도에 맞춰 두께를 조절할 수 있다. 다만, 본 발명의 FBAR 소자 제작을 위해 50, 100, 150 200nm 두께를 이용하여 제작하였다. 여기서, 상기 제1전극층(14a)은 알루미늄(Al)으로 형성하는 것이 바람직하다.
제1전극층(14a)을 증착하기 위한 방법은 스퍼터링(sputtering) 또는 증발법(evaporating)등이 사용될 수 있다. 본 발명에서는, 바람직하게는 제1전극층(14a)을 증발법으로 증착하였고, 그에 따른 제작공정은 증착 전 저진공(10-3 torr)과 고 진공(5*10-6 torr) 순으로 진공도를 유지하고 알루미늄(Al)을 융점(melting point)까지 가열시킨 후 박막을 증착하였다. 이 때의 전류원은 130[A]였고 증착장비의 두께 게이지(thickness gage)를 이용하여 두께 조절을 하였다. 제1전극층(14a)의 공정조건은 상기 희생층(12)을 제작하는 조건과 동일하게 이루어졌지만, 이에 한정하는 것은 아니다.
제1전극층(14a)이 형성된 후 마스크는 제거된다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이 희생층(12)이 부분적으로 노출되면서 제1전극층(14a)이 지지층(13) 상에 증착된다.
그 다음, 압전층(15)을 형성한다. 도 4의 (d)는 압전층(15)을 형성하는 단계를 나타낸 도면이다.
압전층(15)은 마스크를 사용하여 증착하게 되는데 압전층(15)의 패턴 모양에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 제작한다. 마스크의 개구 사이즈는 200㎛ * 200 ㎛이 바람직하며 이에 따라 압전층(15)의 공칭면적이 조절된다.
압전층(15)의 압전 물질로는 PZT, ZnO, AlN가 모두 가능하며, 본 발명에서는 PZT 박막을 압전층(15)으로 이용하여 소자를 제작하였다. 압전층(15)의 두께는 공진주파수와 반비례관계에 있으므로 두께 조절이 상당히 중요하다. 본 발명에서는 RF 스퍼터링을 이용하여 압전층(15)의 두께를 500nm로 증착하였고, 증착조건으로서 가스비는 아르곤과 산소비가 16:4, RF power는 150W, 기판온도는 300도, 증착시간은 40분으로 행했다. 증착 후 PZT의 결정화를 높이기 위해 후 열처리를 500도 에서 산소가스를 30sccm를 투입하여 RTA(rapid thermal annealing)를 이용하여 10분간 열처리를 실시했다.
압전층(15)의 증착 후 마스크는 제거된다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이, 희생층(12)이 노출되면서, 압전층(15)이 희생층(12)과 지지층(13) 및 제1전극(14b) 상에 증착된다.
그 다음, 제2전극(14b)을 형성한다. 도 2의 (e)는 제2전극(14b)이 형성된 상태를 나타낸 도면으로, 제2전극(14b)의 형성은 도 2의 (c)에 나타낸 제1전극(14a)과 동일하게 이루어진다.
즉, 제2전극(14b)은 마스크를 사용하여 증착하게 되는데 제2전극(14b)의 패턴 모양에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 제작한다. 마스크의 개구 사이즈는 150㎛ * 150㎛이 바람직하며, 이에 따라 제2전극(14b)의 공칭면적이 조절된다.
본 발명에 있어서, 제2전극(14b)의 두께는 50-200nm인데, 통신소자설계에 있어서 전극두께에 따른 주파수 감소를 고려해야 하므로 설계자의 의도에 맞춰 두께를 조절할 수 있다. 다만, 본 발명의 FBAR 소자 제작을 위해 50, 100, 150 200nm 두께를 이용하여 제작하였다. 여기서, 상기 제2전극(14b)은 알루미늄(Al)으로 형성하는 것이 바람직하다.
제2전극(14b)을 증착하기 위한 방법은 스퍼터링(sputtering) 또는 증발법(evaporating)등이 사용될 수 있다. 본 발명에서는, 바람직하게는 제2전극(14b)을 증발법으로 증착하였고, 그에 따른 제작공정은 증착 전 저진공(10-3 torr)과 고진공 (5*10-6 torr) 순으로 진공도를 유지하고 전류를 증가시켜 알루미늄(Al)을 융점(melting point)까지 가열시킨 후 박막을 증착하였다. 이 때의 전류원은 130[A]였고 증착장비의 두께 게이지(thickness gage)를 이용하여 두께 조절을 하였다.
제2전극(14b)이 형성된 후 마스크가 제거된다. 이에 따라, 도 3에 나타낸 바와 같이 희생층(12)이 부분적으로 누출되면서 제2전극(14b)이 압전층(15) 상에 증착된다.
그 다음, 상기 공정중 외부로 노출된 마그네슘(Mg) 희생층(12)이 습식에칭에 의해 제거된다. 마그네슘 희생층(12)을 에칭하는 단계에서 에칭액으로 질산용액에 증류수를 1:20으로 희석하여 사용한다. 이는 질산용액이 마그네슘을 용이하게 에칭할 수 있기 때문이다. 이 때 주의할 사항은 소닉(sonic)을 이용한 에칭은 피해야 한다. 왜냐하면 소닉에 의한 내부응력 작용으로 에어 갭 부분에 무리가 생길 수 있기 때문이다. 한편 에칭 시 압전층(15)의 피해를 최소화하기 위해 실드를 할 수도 있는데, 실드는 실리콘 왁스를 사용하여 테프론으로 처리한 뒤 에칭할 수 있다. 에칭타임은 1분이 소요되었다.
상기와 같이 외부로 노출된 마그네슘(Mg) 희생층(12)의 습식에칭에 있어서, 상기 질산용액의 에칭액은 직접 희생층(12)에 인가된다. 즉, 도 3에 나타낸 바와 같이, 화살표 방향으로부터 희생층(12)쪽으로 에칭액이 주입되면서 에칭작업이 이루어지게 된다.
이와 같은 마그네슘 희생층(12)의 제거에 따라, 에어 갭(12')이 형성된 도 1 에 도시된 단면 구조 및 도 3의 (a)에 나타낸 3차원 형상을 갖는 에어갭 타입 FBAR 소자가 형성된다.
마그네슘 희생층(12)의 에칭된 파단면의 이하의 사진과 같으며, 실리콘 기판(11)과 실리콘나이트라이트(Si3N4))의 지지층(13) 사이에 뚜렷이 에어 갭(Air gap)의 형상을 확인할 수 있다.
Figure 112004061410460-pat00001
상술한 본 발명은 압전체 내에 존재하는 트랜스파를 이용한 공진기를 제작하는데 있어 에어갭을 용이하게 형성할 수 있고 FBAR소자 제작의 공정단계를 줄임으로서 공정시간이 단축 가능한 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 에어갭 타입 에프비에이알의 제조방법에 있어서,
    실리콘기판 위에 마그네슘의 희생층을 형성하는 제1단계;
    상기 마그네슘 희생층을 부분적으로 노출하면서 희생층 위에 실리콘나이트라이드 지지층을 형성하는 제2단계;
    상기 희생층을 노출하면서 상기 지지층 위에 제1전극을 형성하는 제3단계;
    상기 희생층을 노출하면서 상기 제1전극 위에 압전층을 형성하는 제4단계;
    상기 희생층을 노출하면서 상기 압전층 위에 제2전극을 형성하는 제5단계;
    상기 희생층을 에칭하여 에어갭을 형성하는 제6단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 희생층 증착 단계는 상기 실리콘기판 위에 희생층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고,
    스퍼터링(sputtering) 또는 증발법(evaporating)에 의해 마그네슘의 희생층을 증착하며,
    희생층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 마스크의 개구 사이즈는 가로와 세로가 150㎛ * 600㎛인 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 마그네슘 희생층은 0.1-3㎛ 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 희생층 증착 단계는 증착 전 저진공(10-3 torr)과 고진공(5*10-6 torr) 순으로 진공도를 유지하고 마그네슘을 융점까지 증가시킨 후 박막을 증착하는 것을 트징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지층 증착 단계는 상기 희생층이 형성된 실리콘기판 위에 지지층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고,
    유도결합 플라즈마 기상 증착법에 의해 실리콘나이트라이드(Si3N4)를 증착하며,
    지지층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 실리콘나이트라이드(Si3N4)를 증착은 기판온도 300도와 RF power 200W, 가스비는 SiH4:H4:NH3=6:44:60이고, 증착시간은 1시간으로 행해지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 마스크의 개구 사이즈는 가로와 세로가 200㎛ * 200㎛이고, 상기 희생층을 덮는 부분은 그 폭이 감소되어 마스크의 개구형상이 대략 H형상인 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 지지층은 200nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극층을 증착하는 단계는, 상기 희생층과 지지층이 형성된 실리콘기판 위에 제1전극층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고,
    스퍼터링 또는 증발법을 이용하여 알루미늄(Al)을 증착하며,
    제1전극층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 마스크의 개구 사이즈는 가로와 세로가 150㎛ * 150㎛인 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극층은 50~200nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 에어갭 타 입 에프비에이알장치의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 압전층 증착 단계는, 상기 희생층과 지지층 및 제1전극이 형성된 실리콘기판 위에 압전층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고,
    PZT, ZnO, AlN 중 어느 하나인 압전물질을 증착하며,
    압전층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 마스크의 개구 사이즈는 가로와 세로가 200㎛ * 200㎛인 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 압전층은 500nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극층을 증착하는 단계는, 상기 희생층과 지지층 제1전극층 및 압전층이 형성된 실리콘기판 위에 제2전극층의 크기에 대응하는 개구가 형성된 마스크를 위치시키고,
    스퍼터링 또는 증발법을 이용하여 알루미늄(Al)을 증착하며,
    제2전극층 증착후, 마스크를 제거하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 마스크의 개구 사이즈는 가로와 세로가 150㎛ * 150㎛인 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극층은 50~200nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  19. 제1항에 있어서,
    희생층을 에칭하는 단계는, 질산용액과 증류수를 1:20으로 희석한 에칭액을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 에어갭 타입 에프비에이알장치의 제조방법.
  20. 실리콘 기판과, 이 실리콘 기판 위의 지지층, 이 지지층 위의 제1전극층, 이 제1전극층 위의 압전층, 이 압전층 위의 제2전극층 및, 상기 지지층과 기판에 의해 에워싸이며 형성된 에어 갭을 구비하여 이루어지는 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따라 제조된 에어갭 타입 에프비에이알장치.
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