JP2002344055A - 半導体光素子の測定方法及びその装置 - Google Patents
半導体光素子の測定方法及びその装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハ上に半導体発光素子が作製されたまま
の状態で発光特性の測定を可能にすること。 【解決手段】 隣接する半導体光素子４６，４７の表面
電極４６２，４７２各々に測定用ニードル４６１，４７
１を接触させて、第一の半導体レーザ４６に順方向バイ
アスを印加して発光（発振）させ第二の半導体レーザ４
７に逆方向バイアスを印加して受光させることにより、
第一の半導体レーザ４６の発光特性を第二の半導体レー
ザ４７により測定する。このように、半導体レーザをバ
ー状態にへき開することなく、ウエハ上に半導体レーザ
が作製されたままの状態で、半導体レーザの発光特性の
測定ができる。
の状態で発光特性の測定を可能にすること。 【解決手段】 隣接する半導体光素子４６，４７の表面
電極４６２，４７２各々に測定用ニードル４６１，４７
１を接触させて、第一の半導体レーザ４６に順方向バイ
アスを印加して発光（発振）させ第二の半導体レーザ４
７に逆方向バイアスを印加して受光させることにより、
第一の半導体レーザ４６の発光特性を第二の半導体レー
ザ４７により測定する。このように、半導体レーザをバ
ー状態にへき開することなく、ウエハ上に半導体レーザ
が作製されたままの状態で、半導体レーザの発光特性の
測定ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体光素子の測
定方法及びその装置に関し、より詳細には、半導体光素
子の測定における作業効率を向上させることにより半導
体光素子のコスト削減を可能にする半導体光素子の測定
方法及びその装置に関する。
定方法及びその装置に関し、より詳細には、半導体光素
子の測定における作業効率を向上させることにより半導
体光素子のコスト削減を可能にする半導体光素子の測定
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体光素子の作製・測定の工程
を素子として、半導体レーザを例にあげて説明する。図
１〜図４は、従来の半導体レーザの作製・測定工程を示
す図で、ＩｎＰウエハ基板１１上にｎ−ＩｎＰバッファ
層１２１、活性層１２２、ｐ−ＩｎＰクラッド層１２
３、およびｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コン
タクト層１２４をエピタキシャル成長する。その後、フ
ォトリソグラフィーとエッチングより幅が２μｍ程度の
メサ構造ａを加工し、そのメサ構造の両側を半絶縁性Ｆ
ｅドープＩｎＰ電流狭窄層１２５で埋め込む。このよう
にして図１に示すような半導体レーザ構造１２を形成す
る。
を素子として、半導体レーザを例にあげて説明する。図
１〜図４は、従来の半導体レーザの作製・測定工程を示
す図で、ＩｎＰウエハ基板１１上にｎ−ＩｎＰバッファ
層１２１、活性層１２２、ｐ−ＩｎＰクラッド層１２
３、およびｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コン
タクト層１２４をエピタキシャル成長する。その後、フ
ォトリソグラフィーとエッチングより幅が２μｍ程度の
メサ構造ａを加工し、そのメサ構造の両側を半絶縁性Ｆ
ｅドープＩｎＰ電流狭窄層１２５で埋め込む。このよう
にして図１に示すような半導体レーザ構造１２を形成す
る。
【０００３】その後、図２に示すように、分割された表
面電極１４２と、一体の裏面電極１４１を形成する。酸
化シリコン膜１３は表面を保護するために形成する。従
来、半導体レーザの発光は、半導体レーザの端面から出
射される。このとき、半導体レーザの端面は平坦である
ことが要求されるため、通常、へき開によって形成され
る。へき開とは、（０１１）面に沿って結晶を割ること
である。これは、主に半導体レーザに用いられるせん亜
鉛鉱構造を有する化合物半導体が、（０１１）面で割れ
やすいことに起因する。したがって、へき開によって得
られる面は原子オーダで平坦であるため、半導体レーザ
の反射（出射）端面に適する。
面電極１４２と、一体の裏面電極１４１を形成する。酸
化シリコン膜１３は表面を保護するために形成する。従
来、半導体レーザの発光は、半導体レーザの端面から出
射される。このとき、半導体レーザの端面は平坦である
ことが要求されるため、通常、へき開によって形成され
る。へき開とは、（０１１）面に沿って結晶を割ること
である。これは、主に半導体レーザに用いられるせん亜
鉛鉱構造を有する化合物半導体が、（０１１）面で割れ
やすいことに起因する。したがって、へき開によって得
られる面は原子オーダで平坦であるため、半導体レーザ
の反射（出射）端面に適する。
【０００４】そこで、半導体レーザの測定時には、図３
に示すように、出射光を取り出すために半導体レーザを
バー状態１５（出射端面が向かい合うように形成された
半導体レーザがアレイ状に配列した直方体）にへき開さ
れる。作製されたレーザの発光特性は、図４に示すよう
に、へき開により切り出されたバー状態の試料１５の端
面（へき開面）から出射される発光１７を受光素子１６
により測定される。
に示すように、出射光を取り出すために半導体レーザを
バー状態１５（出射端面が向かい合うように形成された
半導体レーザがアレイ状に配列した直方体）にへき開さ
れる。作製されたレーザの発光特性は、図４に示すよう
に、へき開により切り出されたバー状態の試料１５の端
面（へき開面）から出射される発光１７を受光素子１６
により測定される。
【０００５】このとき、１つのバー試料内では、受光素
子１６を順次移動させることにより個々の半導体レーザ
の発光特性を測定する。この作業を、バーを交換して１
つずつ行うことになるので、ウエハ全体を測定するため
には多大な時間と労力を要する。
子１６を順次移動させることにより個々の半導体レーザ
の発光特性を測定する。この作業を、バーを交換して１
つずつ行うことになるので、ウエハ全体を測定するため
には多大な時間と労力を要する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の半導体光素子の測定においては、半導体光素子をバー
状態にへき開することが必須であるため、その工程が増
えるとともに、測定の際にバーを順次交換して測定する
ために多大な労力と時間を要した。このことが半導体光
素子のコストの増加を招いた。
の半導体光素子の測定においては、半導体光素子をバー
状態にへき開することが必須であるため、その工程が増
えるとともに、測定の際にバーを順次交換して測定する
ために多大な労力と時間を要した。このことが半導体光
素子のコストの増加を招いた。
【０００７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、半導体発光素子を
バー状態にへき開することなく、ウエハ上に半導体発光
素子が作製されたままの状態で、半導体発光素子の発光
特性の測定が可能になり、容易に半導体発光素子の特性
の面内分布を自動的に測定できるようにした半導体光素
子の測定方法及びその装置を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、半導体発光素子を
バー状態にへき開することなく、ウエハ上に半導体発光
素子が作製されたままの状態で、半導体発光素子の発光
特性の測定が可能になり、容易に半導体発光素子の特性
の面内分布を自動的に測定できるようにした半導体光素
子の測定方法及びその装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、半導体
ウエハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方
法において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライ
エッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたも
のであって、対向する端面を有する少なくとも２個の半
導体光素子の各電極にそれぞれ測定用ニードルを接触さ
せ、該半導体光素子のうち第一の半導体光素子の電極に
第一の測定用ニードルを接触させて順方向バイアスを印
加し、同時に第二の半導体光素子の電極に第二の測定用
ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加することに
より、前記第一の半導体光素子の発光特性を前記第二の
半導体光素子の光電流によって測定することを特徴とす
る。（第１実施例）
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、半導体
ウエハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方
法において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライ
エッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたも
のであって、対向する端面を有する少なくとも２個の半
導体光素子の各電極にそれぞれ測定用ニードルを接触さ
せ、該半導体光素子のうち第一の半導体光素子の電極に
第一の測定用ニードルを接触させて順方向バイアスを印
加し、同時に第二の半導体光素子の電極に第二の測定用
ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加することに
より、前記第一の半導体光素子の発光特性を前記第二の
半導体光素子の光電流によって測定することを特徴とす
る。（第１実施例）
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記第二の半導体光素子の受光
特性をその光電流によって測定することを特徴とする。
（第２実施例）
に記載の発明において、前記第二の半導体光素子の受光
特性をその光電流によって測定することを特徴とする。
（第２実施例）
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、半導体ウ
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方法
において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライエ
ッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたもの
であって、光の伝播方向に並びそれぞれ対向する端面を
有する少なくとも３個の半導体光素子の各電極にそれぞ
れ測定用ニードルを接触させ、該半導体光素子のうち第
一の半導体光素子の電極に第一の測定用ニードルを接触
させて順方向バイアスを印加し、同時に第二の半導体光
素子の電極に第二の測定用ニードルを接触させて変調バ
イアスを印加し、第三の半導体光素子の電極に第三の測
定用ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加するこ
とにより、第二の半導体光素子の変調特性を前記第三の
半導体光素子の光電流によって測定することを特徴とす
る。（第４実施例）
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方法
において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライエ
ッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたもの
であって、光の伝播方向に並びそれぞれ対向する端面を
有する少なくとも３個の半導体光素子の各電極にそれぞ
れ測定用ニードルを接触させ、該半導体光素子のうち第
一の半導体光素子の電極に第一の測定用ニードルを接触
させて順方向バイアスを印加し、同時に第二の半導体光
素子の電極に第二の測定用ニードルを接触させて変調バ
イアスを印加し、第三の半導体光素子の電極に第三の測
定用ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加するこ
とにより、第二の半導体光素子の変調特性を前記第三の
半導体光素子の光電流によって測定することを特徴とす
る。（第４実施例）
【００１１】また、請求項４に記載の発明は、半導体ウ
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方法
において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライエ
ッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたもの
であって、対向する端面を有する第一および第二の半導
体光素子の各電極にそれぞれ測定用ニードルを接触さ
せ、該半導体光素子のうち第一の半導体光素子の電極に
第一の測定用ニードルを接触させて順方向バイアスを印
加し、同時に第二の半導体光素子の電極に第二の測定用
ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加し、該第一
の半導体光素子に隣接するがその発光を受光できない第
三の半導体光素子の電極に第三の測定用ニードルを接触
させ順方向バイアスを印加することにより、第一の半導
体光素子の発光特性、あるいは第二の半導体光素子の受
光特性を互いの光電流によって測定することを特徴とす
る。（第３実施例）
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方法
において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライエ
ッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたもの
であって、対向する端面を有する第一および第二の半導
体光素子の各電極にそれぞれ測定用ニードルを接触さ
せ、該半導体光素子のうち第一の半導体光素子の電極に
第一の測定用ニードルを接触させて順方向バイアスを印
加し、同時に第二の半導体光素子の電極に第二の測定用
ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加し、該第一
の半導体光素子に隣接するがその発光を受光できない第
三の半導体光素子の電極に第三の測定用ニードルを接触
させ順方向バイアスを印加することにより、第一の半導
体光素子の発光特性、あるいは第二の半導体光素子の受
光特性を互いの光電流によって測定することを特徴とす
る。（第３実施例）
【００１２】また、請求項５に記載の発明は、半導体ウ
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方法
において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライエ
ッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたもの
であって、光の伝播方向に並びそれぞれ対向する端面を
有する少なくとも３個の半導体素子の各電極にそれぞれ
測定用ニードルを接触させ、該半導体素子のうち第一と
第三の半導体光素子の電極にはそれぞれ第一と第三の測
定用ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加し、同
時に第二の半導体光素子の電極には第二の測定用ニード
ルを接触させて順方向バイアスを印加することにより、
第二の半導体光素子の発光特性を前記第一と第三の半導
体光素子の光電流によって測定することを特徴とする。
（第５実施例）
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定方法
において、前記半導体光素子の端面は、異方性ドライエ
ッチングによりウエハ面に対して垂直に形成されたもの
であって、光の伝播方向に並びそれぞれ対向する端面を
有する少なくとも３個の半導体素子の各電極にそれぞれ
測定用ニードルを接触させ、該半導体素子のうち第一と
第三の半導体光素子の電極にはそれぞれ第一と第三の測
定用ニードルを接触させて逆方向バイアスを印加し、同
時に第二の半導体光素子の電極には第二の測定用ニード
ルを接触させて順方向バイアスを印加することにより、
第二の半導体光素子の発光特性を前記第一と第三の半導
体光素子の光電流によって測定することを特徴とする。
（第５実施例）
【００１３】また、請求項６に記載の発明は、請求項１
乃至５いずれかに記載の発明において、前記隣接する複
数個の半導体光素子の各電極に接触させた複数個の測定
用ニードルを自動的に順次移動させることにより、各々
の半導体光素子の特性を順次自動的に測定することを特
徴とする。
乃至５いずれかに記載の発明において、前記隣接する複
数個の半導体光素子の各電極に接触させた複数個の測定
用ニードルを自動的に順次移動させることにより、各々
の半導体光素子の特性を順次自動的に測定することを特
徴とする。
【００１４】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
乃至５いずれかに記載の発明において、前記半導体ウエ
ハ基板が接地されていることを特徴とする。
乃至５いずれかに記載の発明において、前記半導体ウエ
ハ基板が接地されていることを特徴とする。
【００１５】また、請求項８に記載の発明は、半導体ウ
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定装置
において、前記半導体ウエハ基板上に隣接して互いに端
面が対向するように配列された複数の半導体光素子と、
該複数の半導体光素子の各々の電極に接触される複数の
測定用ニードルと、該複数の測定用ニードルの各々接続
され、前記複数の半導体光素子にうち一方の半導体光素
子に順方向バイアスを印加するとともに、他方の半導体
光素子に逆方向バイアスを印加する印加手段とを備え、
前記一方の半導体光素子の発光特性を前記他方の半導体
光素子の光電流から測定することを特徴とする。（第１
実施例）
エハ基板上に作製された複数の半導体光素子の測定装置
において、前記半導体ウエハ基板上に隣接して互いに端
面が対向するように配列された複数の半導体光素子と、
該複数の半導体光素子の各々の電極に接触される複数の
測定用ニードルと、該複数の測定用ニードルの各々接続
され、前記複数の半導体光素子にうち一方の半導体光素
子に順方向バイアスを印加するとともに、他方の半導体
光素子に逆方向バイアスを印加する印加手段とを備え、
前記一方の半導体光素子の発光特性を前記他方の半導体
光素子の光電流から測定することを特徴とする。（第１
実施例）
【００１６】また、請求項９に記載の発明は、請求項８
に記載の発明において、前記他方の半導体光素子の受光
特性をその光電流から測定することを特徴とする。（第
２実施例）
に記載の発明において、前記他方の半導体光素子の受光
特性をその光電流から測定することを特徴とする。（第
２実施例）
【００１７】また、請求項１０に記載の発明は、前記半
導体光素子と光結合しないように隣接して配列された補
正用の半導体光素子と、該補正用の半導体光素子に前記
他方の半導体光素子と同等の逆方向バイアスを印加する
印加手段と、前記他方の半導体光素子に流れる光電流か
ら前記補正用の半導体光素子に流れる光電流の差分から
他方の半導体光素子の光電流を測定する測定手段とを備
えたことを特徴とする。（第３実施例）
導体光素子と光結合しないように隣接して配列された補
正用の半導体光素子と、該補正用の半導体光素子に前記
他方の半導体光素子と同等の逆方向バイアスを印加する
印加手段と、前記他方の半導体光素子に流れる光電流か
ら前記補正用の半導体光素子に流れる光電流の差分から
他方の半導体光素子の光電流を測定する測定手段とを備
えたことを特徴とする。（第３実施例）
【００１８】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
８に記載の発明において、前記半導体光素子として互い
に同一の光軸上に隣接して配列された第一、第二、第三
の半導体光素子と、該第二の半導体光素子に順方向バイ
アスを印加するとともに、前記第一及び第三の半導体光
素子に逆方向バイアスを印加する印加手段とを備え、前
記第一及び第三の半導体光素子の光電流から前記第二の
半導体光素子の発光特性を測定することを特徴とする。
（第５実施例）
８に記載の発明において、前記半導体光素子として互い
に同一の光軸上に隣接して配列された第一、第二、第三
の半導体光素子と、該第二の半導体光素子に順方向バイ
アスを印加するとともに、前記第一及び第三の半導体光
素子に逆方向バイアスを印加する印加手段とを備え、前
記第一及び第三の半導体光素子の光電流から前記第二の
半導体光素子の発光特性を測定することを特徴とする。
（第５実施例）
【００１９】また、請求項１２に記載の発明は、半導体
ウエハ基板上に作製された複数の半導体光素子である半
導体光変調器の測定装置において、前記半導体ウエハ基
板上に隣接して互いに同一の光軸上に隣接して配列され
た第一、第二、第三の半導体光素子と、該複数の半導体
光素子の各々の電極に接触される複数の測定用ニードル
と、該複数の測定用ニードルの各々接続され、前記第一
の半導体光素子には順方向バイアスを印加するととも
に、前記変調特性を測定する第二の半導体光素子には変
調バイアスを印加し、第三に半導体光素子には逆バイア
スを印加する印加手段とを備え、前記第三の半導体光素
子に流れる変調電流から前記第二の半導体光素子の変調
特性を測定することを特徴とする。（第４実施例）
ウエハ基板上に作製された複数の半導体光素子である半
導体光変調器の測定装置において、前記半導体ウエハ基
板上に隣接して互いに同一の光軸上に隣接して配列され
た第一、第二、第三の半導体光素子と、該複数の半導体
光素子の各々の電極に接触される複数の測定用ニードル
と、該複数の測定用ニードルの各々接続され、前記第一
の半導体光素子には順方向バイアスを印加するととも
に、前記変調特性を測定する第二の半導体光素子には変
調バイアスを印加し、第三に半導体光素子には逆バイア
スを印加する印加手段とを備え、前記第三の半導体光素
子に流れる変調電流から前記第二の半導体光素子の変調
特性を測定することを特徴とする。（第４実施例）
【００２０】また、請求項１３に記載の発明は、請求項
８乃至１２いずれかに記載の発明において、前記複数の
半導体光素子に接続される複数の測定用ニードルを順次
移動させる移動手段を備え、前記半導体光素子の発光特
性又は変調特性を測定することを特徴とする。
８乃至１２いずれかに記載の発明において、前記複数の
半導体光素子に接続される複数の測定用ニードルを順次
移動させる移動手段を備え、前記半導体光素子の発光特
性又は変調特性を測定することを特徴とする。
【００２１】すなわち、本発明の半導体光素子の測定方
法は、半導体光素子の作製において光が出射する端面を
異方性ドライエッチングによりウエハ面に垂直に形成
し、かつ、隣接する複数の半導体光素子のうち１個ある
いは複数個の素子の電極に測定用ニードルを接触させて
順方向バイアスを印加して発光させ、同時にその他の１
個あるいは複数個の素子の電極に測定用ニードルを接触
させて受光することにより、複数個の素子のうち１個の
素子の特性を測定することを特徴とする。
法は、半導体光素子の作製において光が出射する端面を
異方性ドライエッチングによりウエハ面に垂直に形成
し、かつ、隣接する複数の半導体光素子のうち１個ある
いは複数個の素子の電極に測定用ニードルを接触させて
順方向バイアスを印加して発光させ、同時にその他の１
個あるいは複数個の素子の電極に測定用ニードルを接触
させて受光することにより、複数個の素子のうち１個の
素子の特性を測定することを特徴とする。
【００２２】この方法によれば、素子の電極に接触させ
たそれぞれの測定用ニードルを自動的に順次移動させる
ことにより、自動的に順次各素子の特性を測定すること
が可能になる。すなわち、半導体発光素子をバー状態に
へき開することなく、ウエハ上に半導体発光素子が作製
されたままの状態で、半導体発光素子の発光特性の自動
測定が可能になり、容易に半導体発光素子の特性のウエ
ハ面内分布を自動的に測定できる。
たそれぞれの測定用ニードルを自動的に順次移動させる
ことにより、自動的に順次各素子の特性を測定すること
が可能になる。すなわち、半導体発光素子をバー状態に
へき開することなく、ウエハ上に半導体発光素子が作製
されたままの状態で、半導体発光素子の発光特性の自動
測定が可能になり、容易に半導体発光素子の特性のウエ
ハ面内分布を自動的に測定できる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。まず、本発明における半導体光
素子の特性の測定方法について、半導体発光素子である
ｎ型基板上に作製された半導体レーザを例にあげて説明
する。図５は、本発明における半導体レーザの発光特性
の測定方法について説明するための図で、互いに隣接し
端面が対向する関係にある第一の半導体レーザ２１と第
二の半導体レーザ２２を示している。ここで、活性層２
１１，２２１には、半導体レーザに適した構造が用いら
れる。
施例について説明する。まず、本発明における半導体光
素子の特性の測定方法について、半導体発光素子である
ｎ型基板上に作製された半導体レーザを例にあげて説明
する。図５は、本発明における半導体レーザの発光特性
の測定方法について説明するための図で、互いに隣接し
端面が対向する関係にある第一の半導体レーザ２１と第
二の半導体レーザ２２を示している。ここで、活性層２
１１，２２１には、半導体レーザに適した構造が用いら
れる。
【００２４】第一の半導体レーザ２１の表面電極２１５
に第一の測定用ニードル２１７を接触させる。同時に、
第二の半導体レーザ２２の表面電極２２５に第二の測定
用ニードル２２７を接触させる。次に、第一の測定用ニ
ードル２１７を用いて第一の半導体レーザ２１に順方向
バイアスを印加する。このとき、第一の半導体レーザ２
１における表面電極２１５から裏面電極２０２の方向に
順方向電流２１８が流れ、活性層２１１に順方向電流２
１８が注入される。この順方向電流２１８がしきい値電
流値に達すると第一の半導体レーザ２１が発光して端面
２１６からレーザ光２５が出射される。出射した光２５
は、隣接する第二の半導体レーザ２２の端面２２６から
第二の半導体レーザの活性層２２１に入射する。
に第一の測定用ニードル２１７を接触させる。同時に、
第二の半導体レーザ２２の表面電極２２５に第二の測定
用ニードル２２７を接触させる。次に、第一の測定用ニ
ードル２１７を用いて第一の半導体レーザ２１に順方向
バイアスを印加する。このとき、第一の半導体レーザ２
１における表面電極２１５から裏面電極２０２の方向に
順方向電流２１８が流れ、活性層２１１に順方向電流２
１８が注入される。この順方向電流２１８がしきい値電
流値に達すると第一の半導体レーザ２１が発光して端面
２１６からレーザ光２５が出射される。出射した光２５
は、隣接する第二の半導体レーザ２２の端面２２６から
第二の半導体レーザの活性層２２１に入射する。
【００２５】活性層に光２５が入射すると、光励起によ
って活性層２２１内にキャリア（ホール２３と電子２
４）が生成される。このとき、第二の測定用ニードル２
２７を用いて第二の半導体レーザ２２に逆方向バイアス
を印加すると、第二の半導体レーザ２２に光励起により
生成されたキャリアによる光電流（逆方向電流）２２８
が流れる。この光電流２２８は、第二の半導体レーザ２
２への入射光の強度、つまり、第一の半導体レーザ２１
の出射光の強度（光出力）に比例する。
って活性層２２１内にキャリア（ホール２３と電子２
４）が生成される。このとき、第二の測定用ニードル２
２７を用いて第二の半導体レーザ２２に逆方向バイアス
を印加すると、第二の半導体レーザ２２に光励起により
生成されたキャリアによる光電流（逆方向電流）２２８
が流れる。この光電流２２８は、第二の半導体レーザ２
２への入射光の強度、つまり、第一の半導体レーザ２１
の出射光の強度（光出力）に比例する。
【００２６】したがって、第二の半導体レーザ２２に流
れる光電流２２８を測定することにより、第一の半導体
レーザ２１の発光特性を測定することが可能になる。つ
まり、このとき、第二の半導体レーザ２２は受光素子と
して振舞うことになる。この場合、第二の素子（レー
ザ）は、その構造が通常の受光素子の構造とは異なるた
め受光（測定）感度は最善ではないが、ウエハ面内にお
ける特性分布などの素子の初期特性を測定する上では十
分な感度を有する。
れる光電流２２８を測定することにより、第一の半導体
レーザ２１の発光特性を測定することが可能になる。つ
まり、このとき、第二の半導体レーザ２２は受光素子と
して振舞うことになる。この場合、第二の素子（レー
ザ）は、その構造が通常の受光素子の構造とは異なるた
め受光（測定）感度は最善ではないが、ウエハ面内にお
ける特性分布などの素子の初期特性を測定する上では十
分な感度を有する。
【００２７】同様にして、受光素子（フォトダイオー
ド）の特性を測定することもできる。この場合、活性層
２１１，２２１には受光素子に適した構造が用いられ
る。半導体レーザの測定の場合と同様に、第一の素子の
発光（レーザ光）を第二の素子で受光して、第二の素子
の受光特性を測定する。この場合、第一の素子は、その
構造が通常の発光素子の構造とは異なるため発光出力は
最善ではないが、ウエハ面内における特性分布などの素
子の初期特性を測定する上では十分な発光出力を有す
る。
ド）の特性を測定することもできる。この場合、活性層
２１１，２２１には受光素子に適した構造が用いられ
る。半導体レーザの測定の場合と同様に、第一の素子の
発光（レーザ光）を第二の素子で受光して、第二の素子
の受光特性を測定する。この場合、第一の素子は、その
構造が通常の発光素子の構造とは異なるため発光出力は
最善ではないが、ウエハ面内における特性分布などの素
子の初期特性を測定する上では十分な発光出力を有す
る。
【００２８】上述した測定方法において、次のような補
正操作を行うとさらに有用な測定法となる。すなわち、
第一の素子２１に測定用ニードル２１７から注入された
電流２１８の一部が、第二の素子に流れ込み電流２２８
に影響を与える可能性がある。この場合、第二の素子に
より測定される電流は、電流２２８（Ｉ２２８）は入射
光２５による光電流Ｉｏだけでなく電流２１８の一部Ｉ
ｃをも含むため、Ｉｃの分だけ増加する。したがって、
第一の素子（レーザ）２１の発光特性を第二の素子２２
により正確に測定できない。
正操作を行うとさらに有用な測定法となる。すなわち、
第一の素子２１に測定用ニードル２１７から注入された
電流２１８の一部が、第二の素子に流れ込み電流２２８
に影響を与える可能性がある。この場合、第二の素子に
より測定される電流は、電流２２８（Ｉ２２８）は入射
光２５による光電流Ｉｏだけでなく電流２１８の一部Ｉ
ｃをも含むため、Ｉｃの分だけ増加する。したがって、
第一の素子（レーザ）２１の発光特性を第二の素子２２
により正確に測定できない。
【００２９】そこで、第一の素子２１から第二の素子２
２へ流れ込む電流Ｉｃ分を補正する必要がある。そのた
めには、第一の素子に隣接するがその発光を受光できな
い位置にある第三の素子を用いる。図６は、本発明にお
ける測定における補正方法を説明するための図である。
本発明における半導体素子の発光特性の測定における補
正方法において、第一の素子２１の表面電極２１５に第
一の測定用ニードル２１７を、第二の素子２２の表面電
極２２５に第二の測定用ニードル２２７を、第三の素子
２３の表面電極２３５に第三の測定用ニードル２３７を
接触させる。
２へ流れ込む電流Ｉｃ分を補正する必要がある。そのた
めには、第一の素子に隣接するがその発光を受光できな
い位置にある第三の素子を用いる。図６は、本発明にお
ける測定における補正方法を説明するための図である。
本発明における半導体素子の発光特性の測定における補
正方法において、第一の素子２１の表面電極２１５に第
一の測定用ニードル２１７を、第二の素子２２の表面電
極２２５に第二の測定用ニードル２２７を、第三の素子
２３の表面電極２３５に第三の測定用ニードル２３７を
接触させる。
【００３０】次に、上述したように、第一の測定用ニー
ドル２１７を用いて第一の素子２１に順方向バイアスを
印加し、第二の測定用ニードル２２７を用いて第二の素
子２２に逆方向バイアスを印加すると、第一の素子２１
のレーザ光により第二の素子２２に光電流Ｉｏが流れ
る。しかしながら、同時に、第一の素子２１に流れる順
方向電流２１８の一部Ｉｃが第二の素子に流れ込む。
ドル２１７を用いて第一の素子２１に順方向バイアスを
印加し、第二の測定用ニードル２２７を用いて第二の素
子２２に逆方向バイアスを印加すると、第一の素子２１
のレーザ光により第二の素子２２に光電流Ｉｏが流れ
る。しかしながら、同時に、第一の素子２１に流れる順
方向電流２１８の一部Ｉｃが第二の素子に流れ込む。
【００３１】そこで、この時に、第三の測定用ニードル
２３７を用いて第三の素子２３に逆方向バイアスを印加
すると、第三の素子にも第二の素子に流れ込む電流Ｉｃ
と同等の電流Ｉｃ’が流れ込む。この第三の素子に流れ
るＩｃ’（＝Ｉｃ）を測定して第二の素子に流れる総電
流Ｉ２２８から差し引くことにより、第二の素子に流れ
る光電流Ｉｏを求めることができ、第一の素子の特性を
正確に測定できるようになる。ここで第一の素子２１と
第二の素子２２の間の距離と第一の素子２１と第三の素
子２３の間の距離を同等にした方が測定の精度は向上す
る。
２３７を用いて第三の素子２３に逆方向バイアスを印加
すると、第三の素子にも第二の素子に流れ込む電流Ｉｃ
と同等の電流Ｉｃ’が流れ込む。この第三の素子に流れ
るＩｃ’（＝Ｉｃ）を測定して第二の素子に流れる総電
流Ｉ２２８から差し引くことにより、第二の素子に流れ
る光電流Ｉｏを求めることができ、第一の素子の特性を
正確に測定できるようになる。ここで第一の素子２１と
第二の素子２２の間の距離と第一の素子２１と第三の素
子２３の間の距離を同等にした方が測定の精度は向上す
る。
【００３２】次に、本発明の測定方法を半導体光変調器
の特性の測定に応用する場合について説明する。図７
は、本発明の測定方法を応用して半導体光変調器の特性
を測定する方法を説明するための図である。互いに隣接
し、かつ、端面が対向する関係にある第一、第二、第三
の素子が示されている。この３個の素子は光の伝播方向
に並び同一の光軸上に配列されている。ここで、活性層
は半導体光変調器に適した構造が用いられる。
の特性の測定に応用する場合について説明する。図７
は、本発明の測定方法を応用して半導体光変調器の特性
を測定する方法を説明するための図である。互いに隣接
し、かつ、端面が対向する関係にある第一、第二、第三
の素子が示されている。この３個の素子は光の伝播方向
に並び同一の光軸上に配列されている。ここで、活性層
は半導体光変調器に適した構造が用いられる。
【００３３】光変調器の特性の測定方法において、第一
の素子２１の表面電極２１５に第一の測定用ニードル２
１７を、第二の素子２２の表面電極２２５に第二の測定
用ニードル２２７を、第三の素子２４を表面電極２４５
に第三の測定用ニードル２４７を接触させる。次に、第
一の測定用ニードル２１７を用いて第一の素子２１に順
方向バイアスを印加し、第三の測定用ニードル２４７を
用いて第三の素子２４に逆方向バイアスを印加する。こ
のとき、第二の素子に変調器を動作させる変調バイアス
を印加すれば、第一の素子からの発光（レーザ光）を第
二の素子により変調して、その変調光を第三の素子によ
り受光できる。
の素子２１の表面電極２１５に第一の測定用ニードル２
１７を、第二の素子２２の表面電極２２５に第二の測定
用ニードル２２７を、第三の素子２４を表面電極２４５
に第三の測定用ニードル２４７を接触させる。次に、第
一の測定用ニードル２１７を用いて第一の素子２１に順
方向バイアスを印加し、第三の測定用ニードル２４７を
用いて第三の素子２４に逆方向バイアスを印加する。こ
のとき、第二の素子に変調器を動作させる変調バイアス
を印加すれば、第一の素子からの発光（レーザ光）を第
二の素子により変調して、その変調光を第三の素子によ
り受光できる。
【００３４】このように、第二の素子の変調特性を第三
の素子により測定できる。この場合、第一、第三の素子
は、その構造が通常の発光素子、受光素子の構造とは異
なるために最善ではないが、ウエハ面内における特性分
布などの素子の初期特性を測定する上では十分な発光出
力および受光感度を有する。
の素子により測定できる。この場合、第一、第三の素子
は、その構造が通常の発光素子、受光素子の構造とは異
なるために最善ではないが、ウエハ面内における特性分
布などの素子の初期特性を測定する上では十分な発光出
力および受光感度を有する。
【００３５】[実施例１]図８は、第一の実施例に用いる
ｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体レ
ーザの構造を示す図で、この２つの半導体レーザはそれ
ぞれの端面が対向するように配列されている。すなわ
ち、半導体レーザ３１の光軸上に半導体レーザ３２があ
り、半導体レーザ３１からの出射光は半導体レーザ３２
に光学的に結合する配列となっている。
ｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体レ
ーザの構造を示す図で、この２つの半導体レーザはそれ
ぞれの端面が対向するように配列されている。すなわ
ち、半導体レーザ３１の光軸上に半導体レーザ３２があ
り、半導体レーザ３１からの出射光は半導体レーザ３２
に光学的に結合する配列となっている。
【００３６】符号３００は、ｎ−ＩｎＰ基板、３０１は
ｎ−ＩｎＰバッファ層、３１１，３２１は発光波長が
１．３μｍである活性層、３１２，３２２はｐ−ＩｎＰ
クラッド層、３１３，３２３はｐ−ＩｎＧａＡｓ（Ｉｎ
Ｐと格子整合）コンタクト層、３１４，３２４は酸化シ
リコン膜、３１５，３２５はＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミ
ック電極、３１６，３２６は半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ
電流狭窄層、３０２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電
極を示す。活性層３１１はＩｎＧａＡｓＰ四元混晶層
（組成波長１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）、６層のＩｎ
ＧａＡｓＰ四元混晶量子井戸層（層厚６ｎｍ）、５層の
ＩｎＧａＡｓＰ四元混晶障壁層（組成波長１．１μｍ、
層厚１０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ四元混晶層（組成波長
１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）からなる。
ｎ−ＩｎＰバッファ層、３１１，３２１は発光波長が
１．３μｍである活性層、３１２，３２２はｐ−ＩｎＰ
クラッド層、３１３，３２３はｐ−ＩｎＧａＡｓ（Ｉｎ
Ｐと格子整合）コンタクト層、３１４，３２４は酸化シ
リコン膜、３１５，３２５はＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミ
ック電極、３１６，３２６は半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ
電流狭窄層、３０２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電
極を示す。活性層３１１はＩｎＧａＡｓＰ四元混晶層
（組成波長１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）、６層のＩｎ
ＧａＡｓＰ四元混晶量子井戸層（層厚６ｎｍ）、５層の
ＩｎＧａＡｓＰ四元混晶障壁層（組成波長１．１μｍ、
層厚１０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ四元混晶層（組成波長
１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）からなる。
【００３７】図９〜図１２は、第一の実施例における半
導体レーザの作製・評価工程を説明する図である。Ｉｎ
Ｐウエハ基板４１上にｎ−ＩｎＰバッファ層４２１、活
性層４２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層４２３、およびｐ−
ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタクト層４２４
をエピタキシャル成長する。その後、フォトリソグラフ
ィーとエッチングにより幅が２μｍ程度のメサ構造ａを
加工し、そのメサ構造の両側を半絶縁性ＦｅドープＩｎ
Ｐ電流狭窄層４２５で埋め込む。
導体レーザの作製・評価工程を説明する図である。Ｉｎ
Ｐウエハ基板４１上にｎ−ＩｎＰバッファ層４２１、活
性層４２２、ｎ−ＩｎＰクラッド層４２３、およびｐ−
ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタクト層４２４
をエピタキシャル成長する。その後、フォトリソグラフ
ィーとエッチングにより幅が２μｍ程度のメサ構造ａを
加工し、そのメサ構造の両側を半絶縁性ＦｅドープＩｎ
Ｐ電流狭窄層４２５で埋め込む。
【００３８】このようにして図９に示すような半導体レ
ーザ構造４２を形成する。その後、図１０に示すように
分割された表面電極４４２と一体の裏面電極４４１を形
成する。酸化シリコン膜４３は表面を保護するために形
成する。次に、異方性エッチング（例えば、ドライエッ
チング）により素子間に溝４５を形成するとともにレー
ザの端面を形成する（図１１）。この際、異方性エッチ
ング（例えば、ドライエッチング）にはＢｒガスやクロ
ライト系、炭化水素系のガスを用いた反応性イオンビー
ムエッチングを用いることにより、ウエハ面に対して垂
直で、かつ平坦な端面を形成できる（参考文献：S.Oku
et al.,J.Electron.Mater.25pp.585-591(1996)）。
ーザ構造４２を形成する。その後、図１０に示すように
分割された表面電極４４２と一体の裏面電極４４１を形
成する。酸化シリコン膜４３は表面を保護するために形
成する。次に、異方性エッチング（例えば、ドライエッ
チング）により素子間に溝４５を形成するとともにレー
ザの端面を形成する（図１１）。この際、異方性エッチ
ング（例えば、ドライエッチング）にはＢｒガスやクロ
ライト系、炭化水素系のガスを用いた反応性イオンビー
ムエッチングを用いることにより、ウエハ面に対して垂
直で、かつ平坦な端面を形成できる（参考文献：S.Oku
et al.,J.Electron.Mater.25pp.585-591(1996)）。
【００３９】隣接する半導体光素子４６，４７の表面電
極４６２，４７２各々に測定用ニードル４６１，４７１
を接触させて、第一の半導体レーザ４６に順方向バイア
スを印加して発光（発振）させ第二の半導体レーザ４７
に逆方向バイアスを印加して受光させることにより、第
一の半導体レーザ４６の発光特性を第二の半導体レーザ
４７により測定する（図１２）。このように、半導体レ
ーザをバー状態にへき開することなく、ウエハ上に半導
体レーザが作製されたままの状態で、半導体レーザの発
光特性の測定ができる。
極４６２，４７２各々に測定用ニードル４６１，４７１
を接触させて、第一の半導体レーザ４６に順方向バイア
スを印加して発光（発振）させ第二の半導体レーザ４７
に逆方向バイアスを印加して受光させることにより、第
一の半導体レーザ４６の発光特性を第二の半導体レーザ
４７により測定する（図１２）。このように、半導体レ
ーザをバー状態にへき開することなく、ウエハ上に半導
体レーザが作製されたままの状態で、半導体レーザの発
光特性の測定ができる。
【００４０】図１３（ａ）〜（ｃ）は、第一の実施例に
おいて隣接する半導体レーザの特性を自動的に測定する
方法を説明するための図で、まず、半導体レーザ５１に
順方向バイアスを印加するために、測定用ニードル
（針）５６を電極５１１に接触させる。同時に、半導体
レーザ５２に逆方向バイアスを印加するために、測定用
ニードル（針）５７を電極５２１に接触させる。
おいて隣接する半導体レーザの特性を自動的に測定する
方法を説明するための図で、まず、半導体レーザ５１に
順方向バイアスを印加するために、測定用ニードル
（針）５６を電極５１１に接触させる。同時に、半導体
レーザ５２に逆方向バイアスを印加するために、測定用
ニードル（針）５７を電極５２１に接触させる。
【００４１】次に、測定用ニードル５６により半導体レ
ーザ５１に順方向バイアスを印加して順方向電流を注入
する。このとき、順方向バイアスを徐々に増加させて注
入電流を徐々に増加させる。この注入電流がしきい値電
流値に達すると半導体レーザ５１が発光する。さらに注
入電流を注入すると、半導体レーザ５１の発光強度が増
加する。同時に、測定用ニードル５７により半導体レー
ザ５２に逆方向バイアスを印加する。この逆方向バイア
スは通常一定値とする（図１３（ａ））。
ーザ５１に順方向バイアスを印加して順方向電流を注入
する。このとき、順方向バイアスを徐々に増加させて注
入電流を徐々に増加させる。この注入電流がしきい値電
流値に達すると半導体レーザ５１が発光する。さらに注
入電流を注入すると、半導体レーザ５１の発光強度が増
加する。同時に、測定用ニードル５７により半導体レー
ザ５２に逆方向バイアスを印加する。この逆方向バイア
スは通常一定値とする（図１３（ａ））。
【００４２】このようにして、半導体レーザ５１からの
出射光を半導体レーザ５２に受光させると、半導体レー
ザ５２において光励起により発生したキャリアが光電流
として流れる。この光電流は半導体レーザ５１の発光強
度に比例して変化する。つまり、半導体レーザ５２を受
光素子として半導体レーザ５１の発光特性を測定するこ
とができる。したがって、半導体レーザ５１の注入電流
を横（ｘ）軸、半導体レーザ５２に発生する光電流を縦
（ｙ）軸にプロットすることにより、図１４に示すよう
に、半導体５１の電流−光出力特性（Ｉ−Ｌ特性）を得
ることができる。
出射光を半導体レーザ５２に受光させると、半導体レー
ザ５２において光励起により発生したキャリアが光電流
として流れる。この光電流は半導体レーザ５１の発光強
度に比例して変化する。つまり、半導体レーザ５２を受
光素子として半導体レーザ５１の発光特性を測定するこ
とができる。したがって、半導体レーザ５１の注入電流
を横（ｘ）軸、半導体レーザ５２に発生する光電流を縦
（ｙ）軸にプロットすることにより、図１４に示すよう
に、半導体５１の電流−光出力特性（Ｉ−Ｌ特性）を得
ることができる。
【００４３】同様の動作を、測定用ニードル５６をレー
ザ５２の電極５２１、測定用ニードル５７をレーザ５３
の電極５３１に移動させて行えば、レーザ５３を受光素
子に用いてレーザ５２の発光特性を測定することができ
る（図１３（ｂ））。同様の動作を、測定用ニードル５
６をレーザ５３，５４…、測定用ニードル５７をレーザ
５４，５５…に順次自動的に移動させて行えば、自動的
に半導体レーザの特性のウエハ面内分布を測定すること
ができる（図１３（ｃ））。
ザ５２の電極５２１、測定用ニードル５７をレーザ５３
の電極５３１に移動させて行えば、レーザ５３を受光素
子に用いてレーザ５２の発光特性を測定することができ
る（図１３（ｂ））。同様の動作を、測定用ニードル５
６をレーザ５３，５４…、測定用ニードル５７をレーザ
５４，５５…に順次自動的に移動させて行えば、自動的
に半導体レーザの特性のウエハ面内分布を測定すること
ができる（図１３（ｃ））。
【００４４】図１５は、第一の実施例の測定により得ら
れた半導体レーザの特性のウエハ面内分布を示す図であ
る。色の濃淡がしきい値電流の分布を表し、数値が相対
的な出力強度（最大を１００とする）を表す。このよう
に、ウエハ面内の半導体レーザの特性を測定することが
できる。
れた半導体レーザの特性のウエハ面内分布を示す図であ
る。色の濃淡がしきい値電流の分布を表し、数値が相対
的な出力強度（最大を１００とする）を表す。このよう
に、ウエハ面内の半導体レーザの特性を測定することが
できる。
【００４５】[実施例２]図１６は、第二の実施例に用い
るｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体
導波型ｐｉｎフォトダイオード構造を示す図である（参
考文献：K.Katoet al. IEEE Photon.Technol.Lett.Vol.
3(1991) p.473）。この２つの半導体導波型ｐｉｎフォ
トダイオードは、それぞれの端面が対向するように配列
されている。すなわち、半導体導波型ｐｉｎフォトダイ
オード７１の光軸上に半導体導波型ｐｉｎフォトダイオ
ード７２があり、半導体導波型ｐｉｎフォトダイオード
７１からの出射光は半導体導波型ｐｉｎフォトダイオー
ド７２に光学的に結合する配列となっている。
るｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体
導波型ｐｉｎフォトダイオード構造を示す図である（参
考文献：K.Katoet al. IEEE Photon.Technol.Lett.Vol.
3(1991) p.473）。この２つの半導体導波型ｐｉｎフォ
トダイオードは、それぞれの端面が対向するように配列
されている。すなわち、半導体導波型ｐｉｎフォトダイ
オード７１の光軸上に半導体導波型ｐｉｎフォトダイオ
ード７２があり、半導体導波型ｐｉｎフォトダイオード
７１からの出射光は半導体導波型ｐｉｎフォトダイオー
ド７２に光学的に結合する配列となっている。
【００４６】符号７００はｎ−ＩｎＰ基板、７０１はｎ
−ＩｎＰバッファ層、７１１，７２１は１．５５μｍを
受光する波長とする活性層、７１２，７２２はｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層、７１３，７２３はｐ−ＩｎＧａＡｓ（Ｉ
ｎＰと格子整合）コンタクト層、７１４，７２４は酸化
シリコン膜、７１５，７２５はＡｕＺｎＮｉのｐ型オー
ミック電極、７１６，７２６は半絶縁性ＦｅドープＩｎ
Ｐ電流狭窄層、７０２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック
電極を示す。活性層７１１，７２１はＩｎＧａＡｓＰ四
元混晶層（組成波長１．３μｍ、層厚６００ｎｍ）、Ｉ
ｎＧａＡｓ三元混晶（層厚５００ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶層（組成波長１．３μｍ、層厚６００ｎｍ）
からなる。
−ＩｎＰバッファ層、７１１，７２１は１．５５μｍを
受光する波長とする活性層、７１２，７２２はｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層、７１３，７２３はｐ−ＩｎＧａＡｓ（Ｉ
ｎＰと格子整合）コンタクト層、７１４，７２４は酸化
シリコン膜、７１５，７２５はＡｕＺｎＮｉのｐ型オー
ミック電極、７１６，７２６は半絶縁性ＦｅドープＩｎ
Ｐ電流狭窄層、７０２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック
電極を示す。活性層７１１，７２１はＩｎＧａＡｓＰ四
元混晶層（組成波長１．３μｍ、層厚６００ｎｍ）、Ｉ
ｎＧａＡｓ三元混晶（層厚５００ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶層（組成波長１．３μｍ、層厚６００ｎｍ）
からなる。
【００４７】第一の実施例と同様に、第一の素子７１の
発光（レーザ光）を第二の素子で受光して、第二の素子
７２の受光特性を測定する。このとき、第一の素子７１
に一定の電流を注入して発光させることが第一の実施例
と異なる。この場合、第一の素子の活性層７１１は、そ
の構造が通常の発光素子の構造とは異なるため発光出力
は最善ではないが、ウエハ面内における特性分布などの
素子の初期特性を測定する上では十分な発光出力を有す
る。さらに、第一の実施例と同様に、第一、第二の素子
に接触させた各々の測定用ニードルを自動的に移動させ
ることにより、半導体導波型ｐｉｎフォトダイオードの
特性のウエハ面内における分布を自動的に測定すること
ができる。
発光（レーザ光）を第二の素子で受光して、第二の素子
７２の受光特性を測定する。このとき、第一の素子７１
に一定の電流を注入して発光させることが第一の実施例
と異なる。この場合、第一の素子の活性層７１１は、そ
の構造が通常の発光素子の構造とは異なるため発光出力
は最善ではないが、ウエハ面内における特性分布などの
素子の初期特性を測定する上では十分な発光出力を有す
る。さらに、第一の実施例と同様に、第一、第二の素子
に接触させた各々の測定用ニードルを自動的に移動させ
ることにより、半導体導波型ｐｉｎフォトダイオードの
特性のウエハ面内における分布を自動的に測定すること
ができる。
【００４８】[実施例３]図１７は、第三の実施例に用い
るｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体
レーザの構造を示す図で、この３つの半導体レーザのう
ち半導体レーザ８１と８２はそれぞれの端面が対向する
ように配列され、半導体レーザ８３は隣接するがその発
光を受光できない位置に配列されている。すなわち、半
導体レーザ８１の光軸上に半導体レーザ８２があり、半
導体レーザ８１からの出射光は半導体レーザ８２に光学
的に結合する配列となっており、半導体レーザ８３は半
導体レーザ８１，８２の光軸上に位置せず、半導体レー
ザ８１からの出射光は半導体レーザ８３に光学的に結合
しない配列となっている。
るｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体
レーザの構造を示す図で、この３つの半導体レーザのう
ち半導体レーザ８１と８２はそれぞれの端面が対向する
ように配列され、半導体レーザ８３は隣接するがその発
光を受光できない位置に配列されている。すなわち、半
導体レーザ８１の光軸上に半導体レーザ８２があり、半
導体レーザ８１からの出射光は半導体レーザ８２に光学
的に結合する配列となっており、半導体レーザ８３は半
導体レーザ８１，８２の光軸上に位置せず、半導体レー
ザ８１からの出射光は半導体レーザ８３に光学的に結合
しない配列となっている。
【００４９】符号８００はｎ−ＩｎＰ基板、８０１はｎ
−ＩｎＰバッファ層、８１１，８２１，８３１は発光波
長が１．３μｍである活性層、８１２，８２２，８３２
はｐ−ＩｎＰクラッド層、８１３，８２３，８３３はｐ
−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタクト層、８
１４，８２４，８３４は酸化シリコン膜、８１５，８２
５，８３５はＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極、８１
６，８２６，８３６は半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭
窄層、８０２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極を示
す。
−ＩｎＰバッファ層、８１１，８２１，８３１は発光波
長が１．３μｍである活性層、８１２，８２２，８３２
はｐ−ＩｎＰクラッド層、８１３，８２３，８３３はｐ
−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタクト層、８
１４，８２４，８３４は酸化シリコン膜、８１５，８２
５，８３５はＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極、８１
６，８２６，８３６は半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭
窄層、８０２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極を示
す。
【００５０】活性層８１１，８２１，８３１は、ＩｎＧ
ａＡｓＰ四元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚１００
ｎｍ）、６層のＩｎＧａＡｓＰ四元混晶量子井戸層（層
厚６ｎｍ）、５層のＩｎＧａＡｓＰ四元混晶障壁層（組
成波長１．１μｍ、層厚１０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ四
元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）から
なる。
ａＡｓＰ四元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚１００
ｎｍ）、６層のＩｎＧａＡｓＰ四元混晶量子井戸層（層
厚６ｎｍ）、５層のＩｎＧａＡｓＰ四元混晶障壁層（組
成波長１．１μｍ、層厚１０ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓＰ四
元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）から
なる。
【００５１】図１８は、第一の実施例に示した本発明の
測定方法における補正方法である第三の実施例を説明す
るための図である。本発明における半導体素子の発光特
性の測定における補正方法において、第一の素子９１の
表面電極９１１に第一の測定用ニードル９０１を、第二
の素子９２の表面電極９２１に第二の測定用ニードル９
０２を、第三の素子９３の表面電極９３１に第三の測定
用ニードル９０３を接触させる。
測定方法における補正方法である第三の実施例を説明す
るための図である。本発明における半導体素子の発光特
性の測定における補正方法において、第一の素子９１の
表面電極９１１に第一の測定用ニードル９０１を、第二
の素子９２の表面電極９２１に第二の測定用ニードル９
０２を、第三の素子９３の表面電極９３１に第三の測定
用ニードル９０３を接触させる。
【００５２】次に、上述したように、第一の測定用ニー
ドル９０１を用いて第一の素子９１に順方向バイアス、
第二の測定用ニードル９０２を用いて第二の素子９２に
逆方向バイアス、第三の測定用ニードル９０３を用いて
第三の素子９３に第二の素子９２に印加した逆方向バイ
アスと同等の逆バイアスを印加する。このとき、第二の
素子９２に流れる電流Ｉ９２、第三の素子９３に流れる
電流Ｉ９３を測定した後、Ｉ９２からＩ９３を差し引い
た電流が、第一の素子９１のレーザ光により第二の素子
９９に流れる光電流Ｉｏ（＝Ｉ９２−Ｉ９３）となる。
ドル９０１を用いて第一の素子９１に順方向バイアス、
第二の測定用ニードル９０２を用いて第二の素子９２に
逆方向バイアス、第三の測定用ニードル９０３を用いて
第三の素子９３に第二の素子９２に印加した逆方向バイ
アスと同等の逆バイアスを印加する。このとき、第二の
素子９２に流れる電流Ｉ９２、第三の素子９３に流れる
電流Ｉ９３を測定した後、Ｉ９２からＩ９３を差し引い
た電流が、第一の素子９１のレーザ光により第二の素子
９９に流れる光電流Ｉｏ（＝Ｉ９２−Ｉ９３）となる。
【００５３】このように第三の素子９３を用いて補正す
ることにより、第一の素子９１の発光特性を第二の素子
９２を用いてより正確に測定できる。さらに、第一、第
二、第三の素子に接触させた各々の測定用ニードル９０
１，９０２，９０３を自動的に順次移動させることによ
り、半導体レーザの特性のウエハ面内における分布を自
動的に正確に測定することができる。
ることにより、第一の素子９１の発光特性を第二の素子
９２を用いてより正確に測定できる。さらに、第一、第
二、第三の素子に接触させた各々の測定用ニードル９０
１，９０２，９０３を自動的に順次移動させることによ
り、半導体レーザの特性のウエハ面内における分布を自
動的に正確に測定することができる。
【００５４】[実施例４]図１９は、第四の実施例に用い
るｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体
光変調器の構造を示す図で、この３つの半導体光変調器
は光の伝播方向に並び同一の光軸上に配列されている。
すなわち、半導体光変調器１０１の光軸上に半導体光変
調器１０２，１０３があり、半導体光変調器１０１から
の出射光は半導体光変調器１０２に結合する配列になっ
ており、半導体光変調器１０２に変調されて出射された
変調器は半導体光変調器１０３に光学的に結合する配列
となっている。
るｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された隣接する半導体
光変調器の構造を示す図で、この３つの半導体光変調器
は光の伝播方向に並び同一の光軸上に配列されている。
すなわち、半導体光変調器１０１の光軸上に半導体光変
調器１０２，１０３があり、半導体光変調器１０１から
の出射光は半導体光変調器１０２に結合する配列になっ
ており、半導体光変調器１０２に変調されて出射された
変調器は半導体光変調器１０３に光学的に結合する配列
となっている。
【００５５】符号１０００はｎ−ＩｎＰ基板、１００１
はｎ−ＩｎＰバッファ層、１０１１，１０２１，１０３
１は波長１．５５μｍに対する活性層、１０１２，１０
２２，１０３２はｐ−ＩｎＰクラッド層、１０１３，１
０２３，１０３３はｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層、１０１４，１０２４，１０３４は酸
化シリコン膜、１０１５，１０２５，１０３５はＡｕＺ
ｎＮｉのｐ型オーミック電極、１０１６，１０２６，１
０３６は半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層、１００
２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極を示す。
はｎ−ＩｎＰバッファ層、１０１１，１０２１，１０３
１は波長１．５５μｍに対する活性層、１０１２，１０
２２，１０３２はｐ−ＩｎＰクラッド層、１０１３，１
０２３，１０３３はｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層、１０１４，１０２４，１０３４は酸
化シリコン膜、１０１５，１０２５，１０３５はＡｕＺ
ｎＮｉのｐ型オーミック電極、１０１６，１０２６，１
０３６は半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層、１００
２はＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極を示す。
【００５６】活性層１０１１，１０２１，１０３１は、
ＩｎＧａＡｓＰ四元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚
１００ｎｍ）、１０層のＩｎＧａＡｓ四元混晶量子井戸
層（層厚１２ｎｍ）、９層のＩｎＡｌＡｓ三元混晶障壁
層（組成波長１．１μｍ、層厚７ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）
からなる。
ＩｎＧａＡｓＰ四元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚
１００ｎｍ）、１０層のＩｎＧａＡｓ四元混晶量子井戸
層（層厚１２ｎｍ）、９層のＩｎＡｌＡｓ三元混晶障壁
層（組成波長１．１μｍ、層厚７ｎｍ）、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶層（組成波長１．１μｍ、層厚１００ｎｍ）
からなる。
【００５７】図２０は、第四の実施例において隣接する
半導体光変調器の特性を自動的に測定する方法を説明す
るための図で、まず、測定用ニードル（針）１１０１を
電極１１１１に、測定用ニードル（針）１１０２を電極
１１２１に、測定用ニードル（針）１１０３を電極１１
３１に接触させる。次に、測定用ニードル１１０１によ
り半導体光変調器１１１に一定の順方向バイアスを印加
して一定の順方向電流を注入して半導体光変調器１１１
を一定の発光強度で発振（発光）させる。同時に、測定
用ニードル１１０２により半導体光変調器１１２に高周
波バイアスを印加して半導体光変調器１１２を動作さ
せ、半導体光変調器１１１からの発光を変調する。
半導体光変調器の特性を自動的に測定する方法を説明す
るための図で、まず、測定用ニードル（針）１１０１を
電極１１１１に、測定用ニードル（針）１１０２を電極
１１２１に、測定用ニードル（針）１１０３を電極１１
３１に接触させる。次に、測定用ニードル１１０１によ
り半導体光変調器１１１に一定の順方向バイアスを印加
して一定の順方向電流を注入して半導体光変調器１１１
を一定の発光強度で発振（発光）させる。同時に、測定
用ニードル１１０２により半導体光変調器１１２に高周
波バイアスを印加して半導体光変調器１１２を動作さ
せ、半導体光変調器１１１からの発光を変調する。
【００５８】このとき、測定用ニードル１１０３により
半導体光変調器１１３に逆方向バイアスを印加して、半
導体光変調器１１２からの変調光を半導体光変調器１１
３に受光させると、半導体光変調器１１３において光励
起により発生したキャリアが変調電流として流れる。
半導体光変調器１１３に逆方向バイアスを印加して、半
導体光変調器１１２からの変調光を半導体光変調器１１
３に受光させると、半導体光変調器１１３において光励
起により発生したキャリアが変調電流として流れる。
【００５９】つまり、半導体光変調器１１１を発光素
子、半導体光変調器１１３を受光素子として半導体光変
調器１１２の変調特性を測定することができる。同様の
動作を、測定用ニードル１１０１を光変調器１１２の電
極１１２１、測定用ニードル１１０２を光変調器１１３
の電極１１３１、測定用ニードル１１０３を光変調器１
１４の電極１１４１に移動させて行えば、半導体光変調
器１１２を発光素子、半導体光変調器１１４を受光素子
として半導体光変調器１１３の変調特性を測定すること
ができる。
子、半導体光変調器１１３を受光素子として半導体光変
調器１１２の変調特性を測定することができる。同様の
動作を、測定用ニードル１１０１を光変調器１１２の電
極１１２１、測定用ニードル１１０２を光変調器１１３
の電極１１３１、測定用ニードル１１０３を光変調器１
１４の電極１１４１に移動させて行えば、半導体光変調
器１１２を発光素子、半導体光変調器１１４を受光素子
として半導体光変調器１１３の変調特性を測定すること
ができる。
【００６０】同様の動作を、測定用ニードル１１０１を
光変調器１１３，１１４…、測定用ニードル１１０２を
光変調器１１４，１１５…、測定用ニードル１１０３を
光変調器１１５，１１６…に順次自動的に移動させて行
えば、自動的に半導体光変調器の特性のウエハ面内分布
を測定することができる。
光変調器１１３，１１４…、測定用ニードル１１０２を
光変調器１１４，１１５…、測定用ニードル１１０３を
光変調器１１５，１１６…に順次自動的に移動させて行
えば、自動的に半導体光変調器の特性のウエハ面内分布
を測定することができる。
【００６１】[実施例５]図２１は、第五の実施例を説明
するための図である。第五の実施例は第一の実施例にお
ける測定誤差を補正するためのものである。第一の実施
例において、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、素子
５２を発光させて素子５３に受光させて素子５２の発光
特性を測定する場合、素子５２の発光特性が良好であっ
ても素子５３の受光特性が劣化すると、あたかも素子５
２の特性が劣化しているような誤った測定結果が得られ
る可能性がある。
するための図である。第五の実施例は第一の実施例にお
ける測定誤差を補正するためのものである。第一の実施
例において、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、素子
５２を発光させて素子５３に受光させて素子５２の発光
特性を測定する場合、素子５２の発光特性が良好であっ
ても素子５３の受光特性が劣化すると、あたかも素子５
２の特性が劣化しているような誤った測定結果が得られ
る可能性がある。
【００６２】この問題を解決するための測定法を図２１
に示す。この場合には、光の伝播方向に並び、それぞれ
対向する端面をもつ３個の素子を用いる。すなわち、こ
の３個の素子は同一の光軸上に並び互いに光学的に結合
している。素子１２２の発光特性を測定する場合、素子
１２２の発光は素子１２３側（発光１２２４）だけでな
く素子１２１側（発光１２２３）にも出射する。したが
って、素子１２３だけでなく素子１２１も用いて素子１
２２の発光特性を測定することにより上述のような測定
誤差が生じる可能性を低減することができる。この場
合、素子１２１，１２２，１２３それぞれに測定用ニー
ドル１２０１，１２０２，１２０３を接触させ、１２２
に順方向電流を注入するのと同時に、素子１２１と１２
３に逆方向バイアスを印加する。
に示す。この場合には、光の伝播方向に並び、それぞれ
対向する端面をもつ３個の素子を用いる。すなわち、こ
の３個の素子は同一の光軸上に並び互いに光学的に結合
している。素子１２２の発光特性を測定する場合、素子
１２２の発光は素子１２３側（発光１２２４）だけでな
く素子１２１側（発光１２２３）にも出射する。したが
って、素子１２３だけでなく素子１２１も用いて素子１
２２の発光特性を測定することにより上述のような測定
誤差が生じる可能性を低減することができる。この場
合、素子１２１，１２２，１２３それぞれに測定用ニー
ドル１２０１，１２０２，１２０３を接触させ、１２２
に順方向電流を注入するのと同時に、素子１２１と１２
３に逆方向バイアスを印加する。
【００６３】第一の実施例と同様の作用により、素子１
２２の発光を素子１２１と素子１２３で受光してそれぞ
れの光電流を測定する。一般的に素子の受光特性が劣化
する場合、その素子に発生する光電流は著しく低減し、
増加することはほとんどない。したがって、上記の素子
１２１と素子１２３それぞれについて測定される光電流
を比較して、光電流量の多い方を正常な値として採用す
れば、受光用の素子の劣化による測定誤差を低減でき
る。
２２の発光を素子１２１と素子１２３で受光してそれぞ
れの光電流を測定する。一般的に素子の受光特性が劣化
する場合、その素子に発生する光電流は著しく低減し、
増加することはほとんどない。したがって、上記の素子
１２１と素子１２３それぞれについて測定される光電流
を比較して、光電流量の多い方を正常な値として採用す
れば、受光用の素子の劣化による測定誤差を低減でき
る。
【００６４】また、第五の実施例は、第二の実施例にお
ける測定した場合素子１２１あるいは１２３を発光させ
て素子１２２の受光特性を測定する場合において、素子
１２１の発光を用いた場合の素子１２２の受光特性と素
子１２３の発光を用いた場合の素子１２２の受光特性を
比較することにより、素子１２１あるいは素子１２３の
発光特性の劣化により生じる素子１２２の受光特性の測
定誤差の低減に適用できる。
ける測定した場合素子１２１あるいは１２３を発光させ
て素子１２２の受光特性を測定する場合において、素子
１２１の発光を用いた場合の素子１２２の受光特性と素
子１２３の発光を用いた場合の素子１２２の受光特性を
比較することにより、素子１２１あるいは素子１２３の
発光特性の劣化により生じる素子１２２の受光特性の測
定誤差の低減に適用できる。
【００６５】図２２は、第一の実施例における半導体光
素子のウエハ面内分布の自動測定装置の構成図である。
符号１３０１は試料台、１３０２は試料台を自動で移動
させるための駆動装置、１３１０はウエハ、１３１１，
１３１２，１３１３は各素子、１３２１，１３２２は測
定用ニードル、１３３１，１３３２は測定用電流計、１
３４１，１３４２は電源、１３５０はＡ／Ｄコンバー
タ、１３６０は制御用パソコンである。
素子のウエハ面内分布の自動測定装置の構成図である。
符号１３０１は試料台、１３０２は試料台を自動で移動
させるための駆動装置、１３１０はウエハ、１３１１，
１３１２，１３１３は各素子、１３２１，１３２２は測
定用ニードル、１３３１，１３３２は測定用電流計、１
３４１，１３４２は電源、１３５０はＡ／Ｄコンバー
タ、１３６０は制御用パソコンである。
【００６６】素子１３１１の特性の測定において、電源
１３４１により測定用ニードル１３２１を通して素子１
３１１の順方向電流を注入する。この注入電流は電流計
１３３１により測定され、Ａ／Ｄコンバータ１３５０を
通して、パソコン１３６０にデータとして記録される。
一方、電源１３４２により測定用ニードル１３２２を通
して素子１３１２に逆バイアスを印加する。このとき、
素子１３１１の発光により素子１３１２内に生じる光電
流は電流計１３３２により測定されＡ／Ｄコンバータ１
３５０を通して、パソコン１３６０にデータとして記録
される。同時にウエハ内での素子１３１１に位置は駆動
装置１３０２を通してパソコン１３６０にデータとして
記録される。
１３４１により測定用ニードル１３２１を通して素子１
３１１の順方向電流を注入する。この注入電流は電流計
１３３１により測定され、Ａ／Ｄコンバータ１３５０を
通して、パソコン１３６０にデータとして記録される。
一方、電源１３４２により測定用ニードル１３２２を通
して素子１３１２に逆バイアスを印加する。このとき、
素子１３１１の発光により素子１３１２内に生じる光電
流は電流計１３３２により測定されＡ／Ｄコンバータ１
３５０を通して、パソコン１３６０にデータとして記録
される。同時にウエハ内での素子１３１１に位置は駆動
装置１３０２を通してパソコン１３６０にデータとして
記録される。
【００６７】次に、ウエハ１３１０面内における素子の
自動測定のために、パソコン１３６０により駆動装置１
３０２制御して試料台１３０１を自動的に移動させ、測
定用ニードル１３２１が素子１３１２、測定用ニードル
１３２２が素子１３１３に接するようにする。この後、
上述したように素子１３１２への注入電流、発光特性す
なわち素子１３１３に発生する光電流、素子１３１２の
位置をパソコン１３６０に記録する。以上をウエハ１３
１０面内において繰り返すことにより、ウエハ面内にお
ける素子特性の分布を測定することが可能になる。
自動測定のために、パソコン１３６０により駆動装置１
３０２制御して試料台１３０１を自動的に移動させ、測
定用ニードル１３２１が素子１３１２、測定用ニードル
１３２２が素子１３１３に接するようにする。この後、
上述したように素子１３１２への注入電流、発光特性す
なわち素子１３１３に発生する光電流、素子１３１２の
位置をパソコン１３６０に記録する。以上をウエハ１３
１０面内において繰り返すことにより、ウエハ面内にお
ける素子特性の分布を測定することが可能になる。
【００６８】また、上述した自動測定は、素子１３１１
を一定量の注入電流により一定の発光強度で発振させる
ことにより、第二の実施例への適用も可能である。ま
た、上述した自動測定は、測定用ニードルを３本、電流
計、電源を３台用いることにより、第三、第四、第五の
実施例への適用も可能である。
を一定量の注入電流により一定の発光強度で発振させる
ことにより、第二の実施例への適用も可能である。ま
た、上述した自動測定は、測定用ニードルを３本、電流
計、電源を３台用いることにより、第三、第四、第五の
実施例への適用も可能である。
【００６９】なお、本実施例では半導体発光素子として
半導体レーザの場合で説明したが、発光ダイオードにつ
いても可能である。また、化合物半導体としてＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体であるＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰの場合
で説明したが、その他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であ
るＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、
ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＧａＩｎＮＡｓなど、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体で
あるＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅなどの場合でも可能
である。また、半絶縁性結晶を用いた埋め込み型素子の
場合で説明したが、ｐｎ接合を用いた埋め込み型素子に
ついても可能である。
半導体レーザの場合で説明したが、発光ダイオードにつ
いても可能である。また、化合物半導体としてＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体であるＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰの場合
で説明したが、その他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であ
るＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、
ＡｌＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａ
Ｎ、ＧａＩｎＮＡｓなど、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体で
あるＺｎＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅなどの場合でも可能
である。また、半絶縁性結晶を用いた埋め込み型素子の
場合で説明したが、ｐｎ接合を用いた埋め込み型素子に
ついても可能である。
【００７０】また、埋め込み型の素子の場合で説明した
が、リッジ型の素子についても可能である。また、本実
施例では１．３μｍ波長帯の場合で説明したが、１．５
μｍなどの他の波長帯を有する素子構造についても可能
である。また、活性層には６層の井戸層と５層の障壁層
を有する多重量子井戸構造を用いたが井戸層数、障壁層
数に限りはなく、また多重量子構造をもたないダブルヘ
テロ構造（たとえば活性層が単一の組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶層からなるダブルヘテロ構造）を用いてもか
まわない。ｐ型基板の場合でも、積層構造の伝導型をｎ
基板の場合に対して逆にすれば、本発明を適用できるこ
とは言うまでもない。
が、リッジ型の素子についても可能である。また、本実
施例では１．３μｍ波長帯の場合で説明したが、１．５
μｍなどの他の波長帯を有する素子構造についても可能
である。また、活性層には６層の井戸層と５層の障壁層
を有する多重量子井戸構造を用いたが井戸層数、障壁層
数に限りはなく、また多重量子構造をもたないダブルヘ
テロ構造（たとえば活性層が単一の組成のＩｎＧａＡｓ
Ｐ四元混晶層からなるダブルヘテロ構造）を用いてもか
まわない。ｐ型基板の場合でも、積層構造の伝導型をｎ
基板の場合に対して逆にすれば、本発明を適用できるこ
とは言うまでもない。
【００７１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体光素子の端面は、異方性ドライエッチングによりウ
エハ面に対して垂直に形成されたものであって、対向す
る端面を有する少なくとも２個の半導体光素子の各電極
にそれぞれ測定用ニードルを接触させ、半導体光素子の
うち第一の半導体光素子の電極に第一の測定用ニードル
を接触させて順方向バイアスを印加し、同時に第二の半
導体光素子の電極に第二の測定用ニードルを接触させて
逆方向バイアスを印加することにより、第一の半導体光
素子の発光特性を前記第二の半導体光素子の光電流によ
って測定するようにしたので、半導体発光素子をバー状
態にへき開することなく、ウエハ上に半導体発光素子が
作製されたままの状態で、半導体発光素子の発光特性の
測定が可能になり、容易に半導体発光素子の特性の面内
分布を自動的に測定できる。したがって、半導体レーザ
の測定の工程が簡略化されるため労力と時間を削減でき
る。このことが半導体発光素子のコストの低減を可能に
する。
導体光素子の端面は、異方性ドライエッチングによりウ
エハ面に対して垂直に形成されたものであって、対向す
る端面を有する少なくとも２個の半導体光素子の各電極
にそれぞれ測定用ニードルを接触させ、半導体光素子の
うち第一の半導体光素子の電極に第一の測定用ニードル
を接触させて順方向バイアスを印加し、同時に第二の半
導体光素子の電極に第二の測定用ニードルを接触させて
逆方向バイアスを印加することにより、第一の半導体光
素子の発光特性を前記第二の半導体光素子の光電流によ
って測定するようにしたので、半導体発光素子をバー状
態にへき開することなく、ウエハ上に半導体発光素子が
作製されたままの状態で、半導体発光素子の発光特性の
測定が可能になり、容易に半導体発光素子の特性の面内
分布を自動的に測定できる。したがって、半導体レーザ
の測定の工程が簡略化されるため労力と時間を削減でき
る。このことが半導体発光素子のコストの低減を可能に
する。
【図１】従来の半導体レーザの作製・測定工程を示す図
（その１）である。
（その１）である。
【図２】従来の半導体レーザの作製・測定工程を示す図
（その２）である。
（その２）である。
【図３】従来の半導体レーザの作製・測定工程を示す図
（その３）である。
（その３）である。
【図４】従来の半導体レーザの作製・測定工程を示す図
（その４）である。
（その４）である。
【図５】本発明における半導体発光素子の発光特性の測
定方法を説明するための図（その１）である。
定方法を説明するための図（その１）である。
【図６】本発明における半導体発光素子の発光特性の測
定方法を説明するための図（その２）である。
定方法を説明するための図（その２）である。
【図７】本発明における半導体発光素子の発光特性の測
定方法を説明するための図（その３）である。
定方法を説明するための図（その３）である。
【図８】第一の実施例を説明するための図で、作製され
た隣接する半導体レーザの構造を示す図である。
た隣接する半導体レーザの構造を示す図である。
【図９】第一の実施例における半導体レーザの作製・測
定工程を示す図（その１）である。
定工程を示す図（その１）である。
【図１０】第一の実施例における半導体レーザの作製・
測定工程を示図（その２）であるす。
測定工程を示図（その２）であるす。
【図１１】第一の実施例における半導体レーザの作製・
測定工程を示図（その３）であるす。
測定工程を示図（その３）であるす。
【図１２】第一の実施例における半導体レーザの作製・
測定工程を示す図（その４）である。
測定工程を示す図（その４）である。
【図１３】第一の実施例において隣接する半導体レーザ
の特性を自動的に測定する方法を説明するための図で、
（ａ）は第１の手順、（ｂ）は第２の手順、（ｃ）第３
の手順をそれぞれ示す図である。
の特性を自動的に測定する方法を説明するための図で、
（ａ）は第１の手順、（ｂ）は第２の手順、（ｃ）第３
の手順をそれぞれ示す図である。
【図１４】第一の実施例の測定により得られた半導体レ
ーザの電流−光出力特性を示す図である。
ーザの電流−光出力特性を示す図である。
【図１５】第一の実施例の測定により得られた半導体レ
ーザの特性のウエハ面内分布を示す図である。
ーザの特性のウエハ面内分布を示す図である。
【図１６】第二の実施例に用いるｎ−ＩｎＰウエハ基板
上に作製された隣接する半導体導波型ｐｉｎフォトダイ
オードの構造を示す図である。
上に作製された隣接する半導体導波型ｐｉｎフォトダイ
オードの構造を示す図である。
【図１７】第三の実施例に用いるｎ−ＩｎＰウエハ基板
上に作製された隣接する半導体レーザの構造を示す図で
ある。
上に作製された隣接する半導体レーザの構造を示す図で
ある。
【図１８】第一の実施例に示した本発明の測定方法にお
ける補正方法である第三の実施例を説明するための図で
ある。
ける補正方法である第三の実施例を説明するための図で
ある。
【図１９】第四の実施例に用いるｎ−ＩｎＰウエハ基板
上に作製された隣接する半導体光変調器の構造を示す図
である。
上に作製された隣接する半導体光変調器の構造を示す図
である。
【図２０】第四の実施例において隣接する半導体光変調
器の特性を自動的に測定する方法を説明するための図で
ある。
器の特性を自動的に測定する方法を説明するための図で
ある。
【図２１】第五の実施例を説明するための図である。
【図２２】第一の実施例における半導体光素子のウエハ
面内分布の自動測定装置の構成図である。
面内分布の自動測定装置の構成図である。
１１ ｎ−ＩｎＰ基板 １２ ｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された半導体レー
ザ構造 １２１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 １２２ 活性層 １２３ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １２４ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタ
クト層 １２５ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 １３ 酸化シリコン膜 １４１ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 １４２ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック表面電極 １５ 半導体レーザのバー １６ 測定用受光装置 １７ 半導体レーザバーから出射されるレーザ光 １８ 半導体レーザバーに電流注入するための測定用ニ
ードル １９ 試料ホルダー ２００ ｎ−ＩｎＰ基板 ２０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ２１，２２ 第一，第二の半導体レーザ ２１１，２２１ 発光波長が１．３μｍである活性層 ２１２，２２２ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２１３，２２３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層 ２１４，２２４ 酸化シリコン膜 ２１５，２２５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極 ２１６，２２６ 半導体レーザの端面 ２１７，２２７ 半導体レーザに電流を注入するための
測定用ニードル ２１８ 第一の半導体レーザに注入される順方向電流 ２２８ 光励起により第二の半導体レーザに生成される
光電流（逆方向電流） ２０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ２５ 第一の半導体レーザのレーザ光 ３００ ｎ−ＩｎＰ基板 ３０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ３１１，３２１ 発光波長が１．３μｍである活性層 ３１２，３２２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３１３，３２３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層 ３１４，３２４ 酸化シリコン膜 ３１５，３２５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極 ３１６，３２６ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 ３０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ４１ ｎ−ＩｎＰ基板 ４２ ｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された半導体レー
ザ構造 ４２１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ４２２ 活性層 ４２３ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ４２４ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタ
クト層 ４２５ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 ４３ 酸化シリコン膜 ４４１ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ４４２ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック表面電極 ４５ 隣接する半導体レーザ間にドライエッチングによ
り形成された溝 ４６，４７ それぞれ隣接する第一、第二の半導体レー
ザ ４６１，４７１ 半導体レーザに電流を注入するための
測定用ニードル ４６２，４７２ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック表面電
極 ４６３，４７３ 酸化シリコン膜 ４８ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ５１，５２，５３，５４，５５ 各々第一、第二、第
三、第四、第五のレーザ ５１１，５２１ 測定用ニードル（針） ５１２，５２２ 表面電極 ７００ ｎ−ＩｎＰ基板 ７０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ７１１，７２１ １．５５μｍを受光する波長とする活
性層 ７１２，７２２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７１３，７２３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層 ７１４，７２４ 酸化シリコン膜 ７１５，７２５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極 ７１６，７２６ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 ７０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極 ８００ ｎ−ＩｎＰ基板 ８０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ８１１，８２１，８３１ 発光波長が１．３μｍである
活性層 ８１２，８２２，８３２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ８１３，８２３，８３３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと
格子整合）コンタクト層 ８１４，８２４，８３４ 酸化シリコン膜 ８１５，８２５，８３５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミッ
ク電極 ８１６，８２６，８３６ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電
流狭窄層 ８０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極 ９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７，９８ 各
素子 ９１１，９２１，９３１，９４１，９５１，９６１，９
７１，９８１ 各素子の表面電極 ９０１，９０２，９０３ 測定用ニードル １０００ ｎ−ＩｎＰ基板 １００１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 １０１１，１０２１，１０３１ 波長１．５５μｍに対
応する活性層 １０１２，１０２２，１０３２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １０１３，１０２３，１０３３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（Ｉ
ｎＰと格子整合）コンタクト層 １０１４，１０２４，１０３４ 酸化シリコン膜 １０１５，１０２５，１０３５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オ
ーミック電極 １０１６，１０２６，１０３６ 半絶縁性ＦｅドープＩ
ｎＰ電流狭窄層 １００２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極 １１１，１１２，１１３，１１４ 各半導体光変調器 １１１１，１１２１，１１３１，１１４１ 各素子の表
面電極 １１０１，１１０２，１１０３ 測定用ニードル １２１，１２２，１２３，１２４ 各半導体光変調器 １２１１，１２２１，１２３１，１２４１ 各素子の表
面電極 １２０１，１２０２，１２０３ 測定用ニードル １２２３，１２２４ 素子１２２の発光 １３０１ 試料台 １３０２ 試料台を自動で移動させるための駆動装置 １３１０ ウエハ １３１１，１３１２，１３１３ 各素子 １３２１，１３２２ 測定用ニードル １３３１，１３３２ 測定用電流計 １３４１，１３４２ 電源 １３５０ Ａ／Ｄコンバータ １３６０ 制御用パソコン
ザ構造 １２１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 １２２ 活性層 １２３ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １２４ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタ
クト層 １２５ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 １３ 酸化シリコン膜 １４１ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 １４２ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック表面電極 １５ 半導体レーザのバー １６ 測定用受光装置 １７ 半導体レーザバーから出射されるレーザ光 １８ 半導体レーザバーに電流注入するための測定用ニ
ードル １９ 試料ホルダー ２００ ｎ−ＩｎＰ基板 ２０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ２１，２２ 第一，第二の半導体レーザ ２１１，２２１ 発光波長が１．３μｍである活性層 ２１２，２２２ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２１３，２２３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層 ２１４，２２４ 酸化シリコン膜 ２１５，２２５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極 ２１６，２２６ 半導体レーザの端面 ２１７，２２７ 半導体レーザに電流を注入するための
測定用ニードル ２１８ 第一の半導体レーザに注入される順方向電流 ２２８ 光励起により第二の半導体レーザに生成される
光電流（逆方向電流） ２０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ２５ 第一の半導体レーザのレーザ光 ３００ ｎ−ＩｎＰ基板 ３０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ３１１，３２１ 発光波長が１．３μｍである活性層 ３１２，３２２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ３１３，３２３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層 ３１４，３２４ 酸化シリコン膜 ３１５，３２５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極 ３１６，３２６ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 ３０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ４１ ｎ−ＩｎＰ基板 ４２ ｎ−ＩｎＰウエハ基板上に作製された半導体レー
ザ構造 ４２１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ４２２ 活性層 ４２３ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ４２４ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整合）コンタ
クト層 ４２５ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 ４３ 酸化シリコン膜 ４４１ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ４４２ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック表面電極 ４５ 隣接する半導体レーザ間にドライエッチングによ
り形成された溝 ４６，４７ それぞれ隣接する第一、第二の半導体レー
ザ ４６１，４７１ 半導体レーザに電流を注入するための
測定用ニードル ４６２，４７２ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック表面電
極 ４６３，４７３ 酸化シリコン膜 ４８ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック裏面電極 ５１，５２，５３，５４，５５ 各々第一、第二、第
三、第四、第五のレーザ ５１１，５２１ 測定用ニードル（針） ５１２，５２２ 表面電極 ７００ ｎ−ＩｎＰ基板 ７０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ７１１，７２１ １．５５μｍを受光する波長とする活
性層 ７１２，７２２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７１３，７２３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと格子整
合）コンタクト層 ７１４，７２４ 酸化シリコン膜 ７１５，７２５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミック電極 ７１６，７２６ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電流狭窄層 ７０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極 ８００ ｎ−ＩｎＰ基板 ８０１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ８１１，８２１，８３１ 発光波長が１．３μｍである
活性層 ８１２，８２２，８３２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ８１３，８２３，８３３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（ＩｎＰと
格子整合）コンタクト層 ８１４，８２４，８３４ 酸化シリコン膜 ８１５，８２５，８３５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オーミッ
ク電極 ８１６，８２６，８３６ 半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ電
流狭窄層 ８０２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極 ９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７，９８ 各
素子 ９１１，９２１，９３１，９４１，９５１，９６１，９
７１，９８１ 各素子の表面電極 ９０１，９０２，９０３ 測定用ニードル １０００ ｎ−ＩｎＰ基板 １００１ ｎ−ＩｎＰバッファ層 １０１１，１０２１，１０３１ 波長１．５５μｍに対
応する活性層 １０１２，１０２２，１０３２ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １０１３，１０２３，１０３３ ｐ−ＩｎＧａＡｓ（Ｉ
ｎＰと格子整合）コンタクト層 １０１４，１０２４，１０３４ 酸化シリコン膜 １０１５，１０２５，１０３５ ＡｕＺｎＮｉのｐ型オ
ーミック電極 １０１６，１０２６，１０３６ 半絶縁性ＦｅドープＩ
ｎＰ電流狭窄層 １００２ ＡｕＧｅＮｉのｎ型オーミック電極 １１１，１１２，１１３，１１４ 各半導体光変調器 １１１１，１１２１，１１３１，１１４１ 各素子の表
面電極 １１０１，１１０２，１１０３ 測定用ニードル １２１，１２２，１２３，１２４ 各半導体光変調器 １２１１，１２２１，１２３１，１２４１ 各素子の表
面電極 １２０１，１２０２，１２０３ 測定用ニードル １２２３，１２２４ 素子１２２の発光 １３０１ 試料台 １３０２ 試料台を自動で移動させるための駆動装置 １３１０ ウエハ １３１１，１３１２，１３１３ 各素子 １３２１，１３２２ 測定用ニードル １３３１，１３３２ 測定用電流計 １３４１，１３４２ 電源 １３５０ Ａ／Ｄコンバータ １３６０ 制御用パソコン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA06 AB00 AD07 AG03 5F041 AA46 CA74 5F073 DA24 DA31 HA02 HA11
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体ウエハ基板上に作製された複数の
半導体光素子の測定方法において、前記半導体光素子の
端面は、異方性ドライエッチングによりウエハ面に対し
て垂直に形成されたものであって、対向する端面を有す
る少なくとも２個の半導体光素子の各電極にそれぞれ測
定用ニードルを接触させ、該半導体光素子のうち第一の
半導体光素子の電極に第一の測定用ニードルを接触させ
て順方向バイアスを印加し、同時に第二の半導体光素子
の電極に第二の測定用ニードルを接触させて逆方向バイ
アスを印加することにより、前記第一の半導体光素子の
発光特性を前記第二の半導体光素子の光電流によって測
定することを特徴とする半導体光素子の測定方法。 - 【請求項２】 前記第二の半導体光素子の受光特性をそ
の光電流によって測定することを特徴とする請求項１に
記載の半導体光素子の測定方法。 - 【請求項３】 半導体ウエハ基板上に作製された複数の
半導体光素子の測定方法において、前記半導体光素子の
端面は、異方性ドライエッチングによりウエハ面に対し
て垂直に形成されたものであって、光の伝播方向に並び
それぞれ対向する端面を有する少なくとも３個の半導体
光素子の各電極にそれぞれ測定用ニードルを接触させ、
該半導体光素子のうち第一の半導体光素子の電極に第一
の測定用ニードルを接触させて順方向バイアスを印加
し、同時に第二の半導体光素子の電極に第二の測定用ニ
ードルを接触させて変調バイアスを印加し、第三の半導
体光素子の電極に第三の測定用ニードルを接触させて逆
方向バイアスを印加することにより、第二の半導体光素
子の変調特性を前記第三の半導体光素子の光電流によっ
て測定することを特徴とする半導体光素子の測定方法。 - 【請求項４】 半導体ウエハ基板上に作製された複数の
半導体光素子の測定方法において、前記半導体光素子の
端面は、異方性ドライエッチングによりウエハ面に対し
て垂直に形成されたものであって、対向する端面を有す
る第一および第二の半導体光素子の各電極にそれぞれ測
定用ニードルを接触させ、該半導体光素子のうち第一の
半導体光素子の電極に第一の測定用ニードルを接触させ
て順方向バイアスを印加し、同時に第二の半導体光素子
の電極に第二の測定用ニードルを接触させて逆方向バイ
アスを印加し、該第一の半導体光素子に隣接するがその
発光を受光できない第三の半導体光素子の電極に第三の
測定用ニードルを接触させ順方向バイアスを印加するこ
とにより、第一の半導体光素子の発光特性、あるいは第
二の半導体光素子の受光特性を互いの光電流によって測
定することを特徴とする半導体光素子の測定方法。 - 【請求項５】 半導体ウエハ基板上に作製された複数の
半導体光素子の測定方法において、前記半導体光素子の
端面は、異方性ドライエッチングによりウエハ面に対し
て垂直に形成されたものであって、光の伝播方向に並び
それぞれ対向する端面を有する少なくとも３個の半導体
素子の各電極にそれぞれ測定用ニードルを接触させ、該
半導体素子のうち第一と第三の半導体光素子の電極には
それぞれ第一と第三の測定用ニードルを接触させて逆方
向バイアスを印加し、同時に第二の半導体光素子の電極
には第二の測定用ニードルを接触させて順方向バイアス
を印加することにより、第二の半導体光素子の発光特性
を前記第一と第三の半導体光素子の光電流によって測定
することを特徴とする半導体光素子の測定方法。 - 【請求項６】 前記隣接する複数個の半導体光素子の各
電極に接触させた複数個の測定用ニードルを自動的に順
次移動させることにより、各々の半導体光素子の特性を
順次自動的に測定することを特徴とする請求項１乃至５
いずれかに記載の半導体光素子の測定方法。 - 【請求項７】 前記半導体ウエハ基板が接地されている
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の半導
体光素子の測定方法。 - 【請求項８】 半導体ウエハ基板上に作製された複数の
半導体光素子の測定装置において、前記半導体ウエハ基
板上に隣接して互いに端面が対向するように配列された
複数の半導体光素子と、該複数の半導体光素子の各々の
電極に接触される複数の測定用ニードルと、該複数の測
定用ニードルの各々接続され、前記複数の半導体光素子
にうち一方の半導体光素子に順方向バイアスを印加する
とともに、他方の半導体光素子に逆方向バイアスを印加
する印加手段とを備え、前記一方の半導体光素子の発光
特性を前記他方の半導体光素子の光電流から測定するこ
とを特徴とする半導体光素子の測定装置。 - 【請求項９】 前記他方の半導体光素子の受光特性をそ
の光電流から測定することを特徴とする請求項８に記載
の半導体光素子の測定装置。 - 【請求項１０】 前記半導体光素子と光結合しないよう
に隣接して配列された補正用の半導体光素子と、該補正
用の半導体光素子に前記他方の半導体光素子と同等の逆
方向バイアスを印加する印加手段と、前記他方の半導体
光素子に流れる光電流から前記補正用の半導体光素子に
流れる光電流の差分から他方の半導体光素子の光電流を
測定する測定手段とを備えたことを特徴とする請求項８
に記載の半導体光素子の測定装置。 - 【請求項１１】 前記半導体光素子として互いに同一の
光軸上に隣接して配列された第一、第二、第三の半導体
光素子と、該第二の半導体光素子に順方向バイアスを印
加するとともに、前記第一及び第三の半導体光素子に逆
方向バイアスを印加する印加手段とを備え、前記第一及
び第三の半導体光素子の光電流から前記第二の半導体光
素子の発光特性を測定することを特徴とする請求項８に
記載の半導体光素子の測定装置。 - 【請求項１２】 半導体ウエハ基板上に作製された複数
の半導体光素子である半導体光変調器の測定装置におい
て、前記半導体ウエハ基板上に隣接して互いに同一の光
軸上に隣接して配列された第一、第二、第三の半導体光
素子と、該複数の半導体光素子の各々の電極に接触され
る複数の測定用ニードルと、該複数の測定用ニードルの
各々接続され、前記第一の半導体光素子には順方向バイ
アスを印加するとともに、前記変調特性を測定する第二
の半導体光素子には変調バイアスを印加し、第三に半導
体光素子には逆バイアスを印加する印加手段とを備え、
前記第三の半導体光素子に流れる変調電流から前記第二
の半導体光素子の変調特性を測定することを特徴とする
半導体光素子の測定装置。 - 【請求項１３】 前記複数の半導体光素子に接続される
複数の測定用ニードルを順次移動させる移動手段を備
え、前記半導体光素子の発光特性又は変調特性を測定す
ることを特徴とする請求項８乃至１２いずれかに記載の
半導体光素子の測定装置。
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| JP2001146561A JP3898463B2 (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 半導体光素子の測定方法及びその装置 |
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| JP2002344055A true JP2002344055A (ja) | 2002-11-29 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006114812A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体デバイスの特性測定方法および測定装置 |
| JP2009044108A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子端面の誘電体薄膜膜厚評価方法 |
| JP2019507953A (ja) * | 2016-02-11 | 2019-03-22 | ツェットカーヴェー グループ ゲーエムベーハー | 照明装置の、少なくとも２つのｌｅｄを含むモジュールを検査するための方法およびｉｃｔ装置 |
| WO2020096150A1 (ko) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 구조물 및 이의 제조방법 |
-
2001
- 2001-05-16 JP JP2001146561A patent/JP3898463B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| JP4615283B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2011-01-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスの特性測定方法 |
| JP2009044108A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-02-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子端面の誘電体薄膜膜厚評価方法 |
| JP2019507953A (ja) * | 2016-02-11 | 2019-03-22 | ツェットカーヴェー グループ ゲーエムベーハー | 照明装置の、少なくとも２つのｌｅｄを含むモジュールを検査するための方法およびｉｃｔ装置 |
| WO2020096150A1 (ko) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 구조물 및 이의 제조방법 |
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