JP2002343637A - 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JP2002343637A JP2002343637A JP2001146088A JP2001146088A JP2002343637A JP 2002343637 A JP2002343637 A JP 2002343637A JP 2001146088 A JP2001146088 A JP 2001146088A JP 2001146088 A JP2001146088 A JP 2001146088A JP 2002343637 A JP2002343637 A JP 2002343637A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- thin film
- film
- soft magnetic
- thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 飽和磁束密度が高く、酸素濃度の増加に伴う
異方性磁界の増大を抑制し、透磁率の低下を防止し、し
かも、保磁力が小さく薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図
れる軟磁性薄膜を提供する。 【解決手段】 本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・
Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，
Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種であ
り、上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成される。
異方性磁界の増大を抑制し、透磁率の低下を防止し、し
かも、保磁力が小さく薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図
れる軟磁性薄膜を提供する。 【解決手段】 本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・
Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，
Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種であ
り、上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は軟磁性薄膜およびそ
れを用いた薄膜磁気ヘッドに関するものであり、特に飽
和磁束密度が高く、異方性磁界の増大を抑制し透磁率の
低下を防止でき、しかも保磁力が小さく、薄膜磁気ヘッ
ドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜に関する。
れを用いた薄膜磁気ヘッドに関するものであり、特に飽
和磁束密度が高く、異方性磁界の増大を抑制し透磁率の
低下を防止でき、しかも保磁力が小さく、薄膜磁気ヘッ
ドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年のハードディスク記録媒体への書き
込み記録の高密度化に伴い、磁気ヘッドの狭トラック化
や、書き込み媒体の高保磁力化が進んでいる。
込み記録の高密度化に伴い、磁気ヘッドの狭トラック化
や、書き込み媒体の高保磁力化が進んでいる。
【０００３】このような高密度記録での書き込みヘッド
において、十分な磁束を発生させるためには、書き込み
磁極に従来使用されているパーマロイよりも飽和磁束密
度の高い材料を使用する必要がある。
において、十分な磁束を発生させるためには、書き込み
磁極に従来使用されているパーマロイよりも飽和磁束密
度の高い材料を使用する必要がある。
【０００４】このような要望に応じる先行技術の一例と
して、特開平５−１４８５９５号公報には、高飽和磁束
密度、熱的安定性を有する軟磁性合金薄膜を提供するこ
とを目的として、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ組成やＦｅ−Ｃｏ
−Ｍ−Ｏ−Ｘ組成からなる軟磁性合金薄膜（ＭはＺｒ，
Ｈｆの内の少なくとも一種の元素または混合物；Ｘは
Ｙ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂの内の少なくとも一種の元素または
混合物）の提案がなされている。この提案によれば、最
大で２１．０ｋＧ程度の高い飽和磁束密度が得られてい
る。
して、特開平５−１４８５９５号公報には、高飽和磁束
密度、熱的安定性を有する軟磁性合金薄膜を提供するこ
とを目的として、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｍ−Ｏ組成やＦｅ−Ｃｏ
−Ｍ−Ｏ−Ｘ組成からなる軟磁性合金薄膜（ＭはＺｒ，
Ｈｆの内の少なくとも一種の元素または混合物；Ｘは
Ｙ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｂの内の少なくとも一種の元素または
混合物）の提案がなされている。この提案によれば、最
大で２１．０ｋＧ程度の高い飽和磁束密度が得られてい
る。
【０００５】しかしながら、上記のごとく酸素を含有さ
せたＦｅ−Ｃｏ系の薄膜では、膜中の酸素濃度の増加に
伴い、異方性磁界が増大してしまうという問題が生じて
しまう。これは膜の透磁率の低下を引き起こすことにも
なる。
せたＦｅ−Ｃｏ系の薄膜では、膜中の酸素濃度の増加に
伴い、異方性磁界が増大してしまうという問題が生じて
しまう。これは膜の透磁率の低下を引き起こすことにも
なる。
【０００６】また、本願と関連すると思われる先行技術
として、特開平１０−２５５３０号公報には、高周波な
どの磁性材料として高い比抵抗を有し、高周波数帯域で
透磁率が高い軟磁性合金を提供することを目的とし、具
体的実施例として、（Ｃｏ0. 72Ｆｅ0.28）59Ｈｆ16Ｏ20
Ｃ5が提示されている。しかしながら、このものはＣｏ
リッチであるために、Ｆｅリッチと比較して飽和磁束密
度が低いという不都合がある。
として、特開平１０−２５５３０号公報には、高周波な
どの磁性材料として高い比抵抗を有し、高周波数帯域で
透磁率が高い軟磁性合金を提供することを目的とし、具
体的実施例として、（Ｃｏ0. 72Ｆｅ0.28）59Ｈｆ16Ｏ20
Ｃ5が提示されている。しかしながら、このものはＣｏ
リッチであるために、Ｆｅリッチと比較して飽和磁束密
度が低いという不都合がある。
【０００７】また、特開平８−２７３９３０号公報に
は、適度の大きさの一軸磁気異方性を有し、かつ大きな
電気抵抗と高い飽和磁化とを有し、透磁率の高周波特性
の優れた磁性膜を提供することを目的とし、Ｆｅ−Ｃｏ
系軟磁性薄膜において、種々の元素の添加を示唆する提
案がなされている。当該公報には、広く炭素と酸素の含
有の可能性を思わせる記載があるものの、好ましいの
は、ＺｒとＳｉの組み合わせ、ＺｒとＧｅの組み合わ
せ、ＺｒとＳｎの組み合わせ、ＨｆとＳｉの組み合わせ
との記載があり、実際に開示されている実施例サンプル
は、ＺｒとＳｉの組み合わせのみであり、炭素と酸素の
含有による特異的な効果は実質的に明示されていない。
は、適度の大きさの一軸磁気異方性を有し、かつ大きな
電気抵抗と高い飽和磁化とを有し、透磁率の高周波特性
の優れた磁性膜を提供することを目的とし、Ｆｅ−Ｃｏ
系軟磁性薄膜において、種々の元素の添加を示唆する提
案がなされている。当該公報には、広く炭素と酸素の含
有の可能性を思わせる記載があるものの、好ましいの
は、ＺｒとＳｉの組み合わせ、ＺｒとＧｅの組み合わ
せ、ＺｒとＳｎの組み合わせ、ＨｆとＳｉの組み合わせ
との記載があり、実際に開示されている実施例サンプル
は、ＺｒとＳｉの組み合わせのみであり、炭素と酸素の
含有による特異的な効果は実質的に明示されていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このような実状のもと
に本発明は創案されたものであり、その目的は、飽和磁
束密度が高く、酸素濃度の増加に伴う異方性磁界の増大
を抑制し、透磁率の低下を防止し、しかも、保磁力が小
さく薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜を
提供することにある。
に本発明は創案されたものであり、その目的は、飽和磁
束密度が高く、酸素濃度の増加に伴う異方性磁界の増大
を抑制し、透磁率の低下を防止し、しかも、保磁力が小
さく薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb
・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎ
ｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，
Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種であり、上記
ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成される。
るために、本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb
・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎ
ｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，
Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種であり、上記
ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成される。
【００１０】また、本発明のより好ましい態様として、
前記Ｍは、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒから選ばれた
少なくとも１種として構成される。
前記Ｍは、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒから選ばれた
少なくとも１種として構成される。
【００１１】また、本発明のより好ましい態様として、
前記炭素の含有量ｄは、０．５≦ｄ≦７．０となるよう
に構成される。
前記炭素の含有量ｄは、０．５≦ｄ≦７．０となるよう
に構成される。
【００１２】また、本発明は、環状磁気回路を形成する
ための軟磁性薄膜からなる磁気コアと、環状磁気回路の
一部に形成された磁気的ギャップとを有する薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記磁気コアを構成する全部または一部
の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏe
で示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから
選ばれた少なくとも１種であり、上記ａ〜ｄの各原子％
の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成される。
ための軟磁性薄膜からなる磁気コアと、環状磁気回路の
一部に形成された磁気的ギャップとを有する薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、前記磁気コアを構成する全部または一部
の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏe
で示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから
選ばれた少なくとも１種であり、上記ａ〜ｄの各原子％
の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００１４】本発明における軟磁性薄膜は、いわゆる薄
膜磁気ヘッド用に組成設計されており、当該軟磁性薄膜
は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示される。
膜磁気ヘッド用に組成設計されており、当該軟磁性薄膜
は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示される。
【００１５】上記組成式において、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，
Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種以上を
示している。本発明において、Ｍとして上記元素を採択
することにより、少量の添加で膜の結晶粒を微細化でき
るため、飽和磁束密度の値を高レベルに維持した状態
で、保磁力を下げることができ、かつ所望の比抵抗値を
得ることができる。
ａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，
Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種以上を
示している。本発明において、Ｍとして上記元素を採択
することにより、少量の添加で膜の結晶粒を微細化でき
るため、飽和磁束密度の値を高レベルに維持した状態
で、保磁力を下げることができ、かつ所望の比抵抗値を
得ることができる。
【００１６】上記Ｍ元素群の中で、特に好ましいのは、
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒである。
Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒである。
【００１７】上記組成式におけるａ〜ｅは、各原子の％
表示（原子％：ａｔ％）を示したものであり、これらの
値は、それぞれ、以下のような範囲に設定される。
表示（原子％：ａｔ％）を示したものであり、これらの
値は、それぞれ、以下のような範囲に設定される。
【００１８】５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００
【００１９】上記ａ値が９５．０を超える、あるいは５
１．０未満となると、飽和磁束密度Ｂｓが低下するとい
う不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ａ値の好ま
しい範囲は、６０．０≦ａ≦８０．０である。
１．０未満となると、飽和磁束密度Ｂｓが低下するとい
う不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ａ値の好ま
しい範囲は、６０．０≦ａ≦８０．０である。
【００２０】上記ｂ値が４９．０を超える、あるいは
５．０未満となると、飽和磁束密度Ｂｓが低下するとい
う不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ｂ値の好ま
しい範囲は、１０．０≦ｂ≦３５．０である。
５．０未満となると、飽和磁束密度Ｂｓが低下するとい
う不都合が生じる傾向がある。さらに、上記ｂ値の好ま
しい範囲は、１０．０≦ｂ≦３５．０である。
【００２１】上記ｃ値が１５．０を超えると、結晶粒が
微細化され過ぎるために飽和磁束密度Ｂｓが低下すると
いう不都合が生じる傾向がある。また、上記ｃ値が０．
５未満となると、膜の結晶粒が微細にならないために保
磁力Ｈｃが増大するという不都合が生じる傾向がある。
さらに、上記ｃ値の好ましい範囲は、０．５≦ｃ≦８．
０である。
微細化され過ぎるために飽和磁束密度Ｂｓが低下すると
いう不都合が生じる傾向がある。また、上記ｃ値が０．
５未満となると、膜の結晶粒が微細にならないために保
磁力Ｈｃが増大するという不都合が生じる傾向がある。
さらに、上記ｃ値の好ましい範囲は、０．５≦ｃ≦８．
０である。
【００２２】上記ｄ値が１０．０を超えると、飽和磁束
密度Ｂｓが低下したり、異方性磁界が小さくなり過ぎて
適度な一軸異方性が無くなってしまうという不都合が生
じる傾向がある。また、上記ｄ値が０．５未満となる
と、異方性磁界が増大するという不都合が生じる傾向が
ある。さらに、上記ｄ値の好ましい範囲は、０．５≦ｄ
≦７．０である。
密度Ｂｓが低下したり、異方性磁界が小さくなり過ぎて
適度な一軸異方性が無くなってしまうという不都合が生
じる傾向がある。また、上記ｄ値が０．５未満となる
と、異方性磁界が増大するという不都合が生じる傾向が
ある。さらに、上記ｄ値の好ましい範囲は、０．５≦ｄ
≦７．０である。
【００２３】上記ｅ値が２０．０を超えると、飽和磁束
密度Ｂｓが低下するとともに、異方性磁界が増大すると
いう不都合が生じる傾向がある。また、上記ｅ値が０．
５未満となると、保磁力Ｈｃが増大するという不都合が
生じる傾向がある。さらに、上記ｅ値の好ましい範囲
は、０．５≦ｅ≦１８．０である。
密度Ｂｓが低下するとともに、異方性磁界が増大すると
いう不都合が生じる傾向がある。また、上記ｅ値が０．
５未満となると、保磁力Ｈｃが増大するという不都合が
生じる傾向がある。さらに、上記ｅ値の好ましい範囲
は、０．５≦ｅ≦１８．０である。
【００２４】本発明では、炭素と酸素の複合添加によ
り、特に、膜の飽和磁束密度を大きく低下させることな
く、保磁力を小さくすることができる。さらに、酸素濃
度に応じて、炭素の添加量を適宜調整することにより膜
の応力を制御することが可能となる。従って、歪に誘導
される異方性磁界を制御することが可能になる（異方性
磁界の増大を抑制し、透磁率の低下を防止することがで
きる）。
り、特に、膜の飽和磁束密度を大きく低下させることな
く、保磁力を小さくすることができる。さらに、酸素濃
度に応じて、炭素の添加量を適宜調整することにより膜
の応力を制御することが可能となる。従って、歪に誘導
される異方性磁界を制御することが可能になる（異方性
磁界の増大を抑制し、透磁率の低下を防止することがで
きる）。
【００２５】本発明の薄膜の製造に際しては、スパッ
タ、蒸着等の薄膜形成装置が用いられる。スパッタ装置
としては、例えば、ＲＦ２極スパッタ、ＤＣスパッタ、
マグネトロンスパッタ、３極スパッタ、イオンビームス
パッタ、対向ターゲット式スパッタ等が挙げられる。本
発明において、酸素および炭素を膜中に含有させる方法
としては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ2、ＣＯ2ガスを混
合した混合ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッ
タが好適例として例示できる。
タ、蒸着等の薄膜形成装置が用いられる。スパッタ装置
としては、例えば、ＲＦ２極スパッタ、ＤＣスパッタ、
マグネトロンスパッタ、３極スパッタ、イオンビームス
パッタ、対向ターゲット式スパッタ等が挙げられる。本
発明において、酸素および炭素を膜中に含有させる方法
としては、Ａｒ等の不活性ガス中にＯ2、ＣＯ2ガスを混
合した混合ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッ
タが好適例として例示できる。
【００２６】また、所定の元素を含む合金ターゲット
（例えば、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＭ、ＦｅＣｏＭ
Ｃ）の上にＦｅあるいはＭの酸化物を配置した複合ター
ゲットを用いてスパッタ成膜してもよい。
（例えば、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＭ、ＦｅＣｏＭ
Ｃ）の上にＦｅあるいはＭの酸化物を配置した複合ター
ゲットを用いてスパッタ成膜してもよい。
【００２７】このような本発明の薄膜（軟磁性薄膜）
は、薄膜磁気ヘッドに用いられる。すなわち、本発明の
薄膜磁気ヘッドは、環状磁気回路を形成するための軟磁
性薄膜からなる磁気コアと、環状磁気回路の一部に形成
された磁気的ギャップとを有し、前記磁気コアを構成す
る全部または一部の軟磁性薄膜が、上述した本発明の薄
膜組成から形成される。なお、薄膜磁気ヘッドの構造
は、一般によく知られており、ここでは特に図面を用い
た説明は省略する。
は、薄膜磁気ヘッドに用いられる。すなわち、本発明の
薄膜磁気ヘッドは、環状磁気回路を形成するための軟磁
性薄膜からなる磁気コアと、環状磁気回路の一部に形成
された磁気的ギャップとを有し、前記磁気コアを構成す
る全部または一部の軟磁性薄膜が、上述した本発明の薄
膜組成から形成される。なお、薄膜磁気ヘッドの構造
は、一般によく知られており、ここでは特に図面を用い
た説明は省略する。
【００２８】なお、上記薄膜磁気ヘッドの構成要件にお
いて、「磁気コアを構成する全部または一部」とした理
由は、次のとおりである。通常、磁気コアは、薄膜コイ
ルを挟持する形で上部磁性薄膜と下部磁性薄膜との組み
合わせから形成されるが、これらの上部または下部の磁
性薄膜のいずれか一方が少なくとも本発明の薄膜組成を
満足していればよい。一般的には、上部および下部の磁
性薄膜の双方が本発明の薄膜組成を満足することが望ま
しい。
いて、「磁気コアを構成する全部または一部」とした理
由は、次のとおりである。通常、磁気コアは、薄膜コイ
ルを挟持する形で上部磁性薄膜と下部磁性薄膜との組み
合わせから形成されるが、これらの上部または下部の磁
性薄膜のいずれか一方が少なくとも本発明の薄膜組成を
満足していればよい。一般的には、上部および下部の磁
性薄膜の双方が本発明の薄膜組成を満足することが望ま
しい。
【００２９】
【実施例】以下に具体的実施例を示し、本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３０】〔実験例１〕以下の要領で、ガラス基板の
上に、下記表１に示されるような組成からなる磁性薄膜
（軟磁性薄膜）を形成した。
上に、下記表１に示されるような組成からなる磁性薄膜
（軟磁性薄膜）を形成した。
【００３１】すなわち、Ｆｅ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＭ、
ＦｅＣｏＭＣ（Ｍは表１に示されるごとく任意に選定）
のターゲットを、磁性薄膜形成用ターゲット材料として
用い、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製；
形式７９６０ＦＬ）にて、ガラス基板上に磁性薄膜を成
膜した。
ＦｅＣｏＭＣ（Ｍは表１に示されるごとく任意に選定）
のターゲットを、磁性薄膜形成用ターゲット材料として
用い、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製；
形式７９６０ＦＬ）にて、ガラス基板上に磁性薄膜を成
膜した。
【００３２】スパッタガスとしては、Ａｒ、Ａｒ＋
Ｏ2、Ａｒ＋ＣＯ2混合ガスを用いて、成膜中のガス圧力
は０．２Ｐａ〜０．８Ｐａ、投入電力は２００〜２００
０Ｗとした。成膜レートは５〜１００ｎｍ／ｍｉｎの範
囲とした。
Ｏ2、Ａｒ＋ＣＯ2混合ガスを用いて、成膜中のガス圧力
は０．２Ｐａ〜０．８Ｐａ、投入電力は２００〜２００
０Ｗとした。成膜レートは５〜１００ｎｍ／ｍｉｎの範
囲とした。
【００３３】得られた磁性薄膜各サンプルについて、下
記の要領で、（１）飽和磁束密度（ＶＳＭで測定）、
（２）保磁力（Ｂ−Ｈトレーサで測定）、（３）比抵抗
（四端針法で測定）、（４）異方性磁界（Ｂ−Ｈトレー
サで測定）をそれぞれ測定した。上記の各評価結果を表
１に示した。
記の要領で、（１）飽和磁束密度（ＶＳＭで測定）、
（２）保磁力（Ｂ−Ｈトレーサで測定）、（３）比抵抗
（四端針法で測定）、（４）異方性磁界（Ｂ−Ｈトレー
サで測定）をそれぞれ測定した。上記の各評価結果を表
１に示した。
【００３４】
【表１】
【００３５】なお、表１に示されるＭ元素以外の本願の
他の元素を用いても表１の実施例サンプルと略同等な効
果が発現することが確認できた。
他の元素を用いても表１の実施例サンプルと略同等な効
果が発現することが確認できた。
【００３６】
【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa
・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，
Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種であ
り、上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成されているので、飽和磁束密
度が高く、酸素濃度の増加に伴う異方性磁界の増大を抑
制し、透磁率の低下を防止し、しかも、保磁力が小さく
薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜を提供
することができる。
ある。すなわち、本発明の軟磁性薄膜は、組成式Ｆｅa
・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔ
ａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，
Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少なくとも１種であ
り、上記ａ〜ｄの各原子％の値が、それぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなるように構成されているので、飽和磁束密
度が高く、酸素濃度の増加に伴う異方性磁界の増大を抑
制し、透磁率の低下を防止し、しかも、保磁力が小さく
薄膜磁気ヘッドの特性の向上が図れる軟磁性薄膜を提供
することができる。
フロントページの続き (72)発明者 山口 淳 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA03 CA01 5E041 AA05 CA05 HB00 NN01 NN02 5E049 AA01 BA12 GC06 HC00
Claims (4)
- 【請求項１】 組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで
示され、 Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少
なくとも１種であり、上記ａ〜ｄの各原子％の値が、そ
れぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 前記Ｍは、Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃ
ｒから選ばれた少なくとも１種である請求項１に記載の
軟磁性薄膜。 - 【請求項３】 前記炭素の含有量ｄは、０．５≦ｄ≦
７．０、である請求項１または請求項２に記載の軟磁性
薄膜。 - 【請求項４】 環状磁気回路を形成するための軟磁性薄
膜からなる磁気コアと、環状磁気回路の一部に形成され
た磁気的ギャップとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気コアを構成する全部または一部の軟磁性薄膜
は、組成式Ｆｅa・Ｃｏb・Ｍc・Ｃd・Ｏeで示され、 Ｍは、Ｔｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，
Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｚｒ，Ｙ，Ｓｉ，Ｂから選ばれた少
なくとも１種であり、上記ａ〜ｄの各原子％の値が、そ
れぞれ、 ５１．０≦ａ≦９５．０、 ５．０≦ｂ≦４９．０、 ０．５≦ｃ≦１５．０、 ０．５≦ｄ≦１０．０、 ０．５≦ｅ≦２０．０、 ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００ を満たしてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001146088A JP3796137B2 (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド |
| US10/139,377 US6815096B2 (en) | 2001-05-16 | 2002-05-07 | Soft magnetic thin film and thin film magnetic head using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001146088A JP3796137B2 (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002343637A true JP2002343637A (ja) | 2002-11-29 |
| JP3796137B2 JP3796137B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=18991796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001146088A Expired - Fee Related JP3796137B2 (ja) | 2001-05-16 | 2001-05-16 | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3796137B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007155477A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Fujikura Ltd | 表面プラズモン共鳴センサ |
| KR20180011723A (ko) * | 2016-07-25 | 2018-02-02 | 티디케이가부시기가이샤 | 고투자율 자성 시트 |
-
2001
- 2001-05-16 JP JP2001146088A patent/JP3796137B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007155477A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Fujikura Ltd | 表面プラズモン共鳴センサ |
| KR20180011723A (ko) * | 2016-07-25 | 2018-02-02 | 티디케이가부시기가이샤 | 고투자율 자성 시트 |
| KR101962024B1 (ko) | 2016-07-25 | 2019-03-25 | 티디케이가부시기가이샤 | 고투자율 자성 시트 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3796137B2 (ja) | 2006-07-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6171716B1 (en) | Soft magnetic film, and thin film magnetic head, planer magnetic element, and filter using the soft magnetic film | |
| JP2963003B2 (ja) | 軟磁性合金薄膜及びその製造方法 | |
| JP2692088B2 (ja) | 軟磁性積層膜 | |
| JPH07116563B2 (ja) | Ｆｅ基軟磁性合金 | |
| JP3796137B2 (ja) | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド | |
| JP2508489B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JPS6129105A (ja) | 磁性合金薄膜 | |
| US6088196A (en) | Magnetoresistive head and manufacturing method therefor | |
| JPH0653039A (ja) | 耐食性磁性膜およびこれを用いた磁気ヘッド | |
| JP3796136B2 (ja) | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド | |
| JP3232592B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP3796140B2 (ja) | 軟磁性薄膜およびそれを用いた薄膜磁気ヘッド | |
| JP2000215432A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| JPWO2003096359A1 (ja) | 高飽和磁束密度軟磁性材料 | |
| JPH0636928A (ja) | 軟磁性材料 | |
| KR960012243B1 (ko) | 연자성 합금막 | |
| JP2771674B2 (ja) | 軟磁性合金膜 | |
| JP3439519B2 (ja) | 軟磁性合金およびそれを用いた磁気ヘッド | |
| US6815096B2 (en) | Soft magnetic thin film and thin film magnetic head using the same | |
| JP2551008B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2771664B2 (ja) | 軟磁性合金膜 | |
| JP3880000B2 (ja) | 高飽和磁束密度軟磁性材料 | |
| JPH07249519A (ja) | 軟磁性合金膜と磁気ヘッドおよび軟磁性合金膜の熱膨張係数の調整方法 | |
| JPH04252006A (ja) | 耐食軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JP2000100622A (ja) | 磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050816 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051005 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060411 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060414 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090421 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100421 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110421 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120421 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130421 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140421 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |