JP2002341044A - 放射線検査装置 - Google Patents

放射線検査装置

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JP2002341044A JP2001145150A JP2001145150A JP2002341044A JP 2002341044 A JP2002341044 A JP 2002341044A JP 2001145150 A JP2001145150 A JP 2001145150A JP 2001145150 A JP2001145150 A JP 2001145150A JP 2002341044 A JP2002341044 A JP 2002341044A
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Naoto Watanabe
直人 渡邊
Seiichiro Nagai
清一郎 永井
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Canon Medical Systems Corp
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Toshiba Corp
Toshiba Medical Systems Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明の目的は、放射線平面検出器の温度分
布の均一性を高めること、および温度制御機能の停止を
回避できる放射線検査装置を提供することにある。 【解決手段】本発明に係る放射線検査装置は、入射放射
線を電気信号に変換する放射線平面検出器20と、放射
線平面検出器の背面に離散的に配置された第1の吸熱/
発熱素子4Aと、放射線平面検出器の背面に離散的に配
置された第2の吸熱/発熱素子4Bと、第1、第2の吸
熱/発熱素子4A,4Bに対して個別に動作を制御する
コントローラ2A,2Bとを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、工業用の非破壊検
査装置、X線コンピュータ断層撮影装置やX線診断装置
等の医用診断装置に用いられる放射線検査装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】放射線検査装置は、例えば医用X線診断
装置では、透視画像を収集するために、X線検出部とし
て、被検者を透過したX線情報を、イメージ・インテン
シファイヤ(以下、I.I.と称す)で光学情報に変換
し、この光学情報を光学レンズで集光してTVカメラに
取り込み、電気信号に変換する構成が一般的である。ま
た、撮影像を得るためには従来フィルムが用いられてい
る。
【0003】このような放射線検査装置においては、よ
り微細な欠陥や病変を検出したいという強いニーズがあ
る。近年、この要求に応える新しい放射線平面検出器と
して半導体技術を駆使した放射線平面検出器が開発され
ている。この放射線平面検出器は、高解像度であるばか
りでなく、I.I.のように画像歪もなく、また、軽量
コンパクトであることから従来のI.I.やフィルムに
置き換わる検出器としてその期待が高まっている。
【0004】前述の放射線平面検出器は、入射放射線を
電気信号に変換するための半導体素子の他に、その出力
を増幅するためのプリアンプやアナログディジタルコン
バータ等の多くの電気回路を装備しており、稼動時はこ
れが発熱することにより、放射線検出感度特性を低下さ
せ、その結果、安定した画質で画像が得られないという
問題がある。また、これを防止するために冷却装置を設
けたとしても、その検出器の面内温度分布が均一になら
ないと感度ムラが生じ、この画質が低下してしまう。
【0005】また、例えば冷却素子自体または電源供給
系統が壊れて冷却機能が停止状態になった場合、検出器
の温度が上昇して検出器の感度特性が低下し、有用な検
査画像/臨床上有用な画像が突然撮れなくなるという事
態も起こりえる。
【0006】また、非稼動時は設置された環境によっ
て、放射線平面検出器温度も低くなる場合があるが、こ
の検出器はある温度以下で壊れる可能性があり、これを
防止するため加熱する手段も有する必要がある。このよ
うに加熱手段は非稼動時のみ必要となるが、電源供給系
統が故障して暴走することもあるかもしれない。フルパ
ワーで冷却または加熱が行われた場合、検出器の臨界温
度を超えて検出器自体が破壊される危険性もある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、放射
線平面検出器の温度分布の均一性を高めること、および
温度制御機能の停止を回避できる放射線検査装置を提供
することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係る放射線検査
装置は、入射放射線を電気信号に変換する放射線平面検
出器と、前記放射線平面検出器の背面に離散的に配置さ
れた吸熱と発熱の少なくとも一方で動作する第1の吸熱
/発熱素子と、前記放射線平面検出器の背面に離散的に
配置された吸熱と発熱の少なくとも一方で動作する第2
の吸熱/発熱素子と、前記第1、第2の吸熱/発熱素子
に対して個別に動作制御を行う制御系とを具備する。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る放射線検査装置を好ましい実施形態により説明する。
まず、放射線検査装置は、入射放射線を電気信号に変換
することを主目的とする装置であり、典型的には、工業
用の非破壊検査装置、X線コンピュータ断層撮影装置や
X線診断装置等の医用診断装置に装備される装置であ
る。放射線検査装置は、放射線検出器を有している。最
近の放射線検出器の多くは、温度変化に比較的敏感な半
導体素子で構成される。そのため、放射線検査装置で
は、放射線検出器の温度を制御することが必須とされ
る。本発明は、この温度制御に関する。
【0010】本実施形態装置の最大の特徴は、放射線平
面検出器に対して複数の冷却/加熱素子を離散的に設け
たこと、及び複数の冷却/加熱素子に対して個別に又は
グループ単位で電源供給系統を別系統で設けたことにあ
る。前者により放射線平面検出器の温度分布の均一性を
高めることが可能になり、また後者により、一つの冷却
/加熱素子又は電源供給系統が異常故障を起こしても、
それによる検出器に対する温度制御機能低下を、他の正
常な電源供給系統及びそれに接続されている冷却/加熱
素子の出力を高くすることで、完全ではないにしてもあ
る程度は補償して、放射線感度特性を一定以上に維持す
る又はその維持期間を延長することが可能になる。
【0011】図1、図2は、本発明の実施形態に係る放
射線検査装置の温度制御部分の構成を示している。この
例では、2つの温度制御システムA,Bが装備され、こ
れら2つの温度制御システムA,Bそれぞれの動作状態
を例えば電源3と素子4と間の電流値により個別に監視
器7で監視する。この監視結果は、表示器8により表示
される。
【0012】温度制御システムAは、放射線平面検出器
の温度を測定するための温度センサ1Aを有する。温度
センサ1Aは、放射線平面検出器の筐体表面、または検
出特性に影響を与える部品、つまり放射線を電気又は光
に変換する半導体放射線検出素子又はシンチレータ素子
そのものに取り付けられる。半導体放射線検出素子又は
シンチレータ素子は、典型的には矩形の受像面と同サイ
ズまたはそれ以上の大きさにアレイ又は光学的に分離さ
れている。温度センサ1Aは1個でもよいし、複数個を
離散的に配置するようにしてもよい。複数個設ける場合
は、最も温度の高い(または低い)センサ値を読み取っ
てもよいし、または複数個のセンサ値を平均するなどあ
る計算式に基づき算出した温度値を用いてもよい。
【0013】温度センサ1Aで検出した温度値はコント
ローラ2Aに送られる。コントローラ2Aには、予め冷
却温度値(冷却を開始する温度設定値)と加熱温度値
(加熱を開始する温度設定値)が与えられている。コン
トローラ2Aは、温度センサ1Aから送られてきた温度
値が冷却温度値より高いとき、オープンになっていたリ
レースイッチR1を閉じる(このとき、R2はオープ
ン)。これにより、冷却/加熱素子4Aに電源3Aから
電流が順方向に供給され、冷却動作が開始される。ま
た、ファン5も回転し、効率的に検出器は冷却される。
また、コントローラ2Aは、温度センサ1Aから送られ
てきた温度値が冷却温度値より小さくなると、リレース
イッチR1をオープンに切り替え、冷却動作を停止す
る。
【0014】冷却/加熱素子4Aとして、好ましくはペ
ルチェ素子が用いられる。ペルチェ素子は、周知のとお
り、順方向電流供給を受けて、表面で吸熱、背面で放熱
作用を起こし、逆方向電流供給を受けると、表面で放
熱、背面で吸熱作用を起こす。そして、ペルチェ素子の
能力を効率よく引き出すためにファン5Aによりペルチ
ェ素子の背面に風を吹き付ける。なお、ファン5AのO
N/OFFは冷却/加熱素子4Aの動作に必ずしも連動
している必要はなく、常時動作するように制御してもよ
い。
【0015】温度センサ1Aから送られてきた温度値が
加熱温度値より小さいとき、オープンになっていたリレ
ースイッチR2が閉じて(このときR1はオープン)、
ペルチェ素子4Aに冷却の時とは逆向きの電流が流れ、
それにより加熱動作が開始される。このときもファン5
は動作し、効率的に検出器は加熱される。その結果、温
度センサ1Aから送られてきた温度値が加熱温度値より
大きくなるとリレースイッチR2がオープンとなり、加
熱動作が停止する。温度センサ1Aから送られてきた温
度値が冷却温度値と加熱温度値の間にある時は、冷却/
加熱素子4Aは動作しない。
【0016】コントローラ2A又は電源3Aが故障し、
システムAが暴走した場合、冷却又は加熱動作が停止で
きず、過冷却又は過熱状態に陥る可能性がゼロではな
い。このとき、検出器温度は下降又は上昇を続け、結果
として検出器自体が壊れて二度と使えなくなってしまう
可能性もある。これを回避するために、電源3Aと冷却
/加熱素子4Aの間にバイメタルで実装される遮断器6
Aを挿入し、検出器破壊が起きる低温又は高温リミット
を下回る又は越えたとき、バイメタル6Aが電源3Aか
ら冷却/加熱素子4Aを離脱し、冷却又は加熱動作を強
制的に停止させる。図2には、冷却/加熱でバイメタル
6Aを共用しているが、過冷却回避用バイメタルと過熱
回避用バイメタルとを別々に設けるようにしてもよい。
【0017】上述の説明では、第1の温度制御システム
1Aの構成及び機能について説明した。第2の温度制御
システム1Bの構成及び機能は、第1の温度制御システ
ム1Aのそれと同じであるので説明は省略する。
【0018】図3には、冷却/加熱素子4A,4Bの配
置を示している。通常、検出器20の半導体放射線検出
素子又はシンチレータ素子は、矩形にアレイされてい
る。その対角線上に冷却/加熱素子4A,4Bが離間し
て配置される。このような配置により、冷却/加熱素子
4A,4Bにより検出器20を比較的均一に冷却又は加
熱することができる。
【0019】図4には、当該検査装置の部分断面図を示
す。半導体検出素子又はシンチレータ素子とフォトダイ
オードの2次元アレイ21は、筐体25内に収容され
る。この筐体25の前面に放射線入射窓が開けられ、こ
こに炭素繊維強化プラスティック(CFRP)26がは
め込まれている。CFRP26を透過した放射線はX線
変換部材で電気信号に変えられ、TAB(Tape Automat
ic Bonding)24を介して、バイアス回路、電荷読出し
回路、プリアンプ29等が集積された回路基板22に導
かれる。回路基板22は、素子アレイ21の背面に熱伝
導率の比較的低いスペーサ23を挟んで配置されてい
る。回路基板22において、プリアンプ29は最大の発
熱源であり、このプリアンプ29に、熱伝導性シート2
7、アルミ製のヒートパイプ28が取り付けられ、筐体
背面に導かれ、この熱をヒートパイプ28に対応する筐
体25の背面位置に取り付けた冷却/加熱素子4Aで冷
却するようになっている。
【0020】なお、上述では、温度センサ1A,1Bは
2つのシステムA,Bのコントローラ2A,2Bにそれ
ぞれ別々に接続されているが、温度センサ1A,1Bの
出力をコントローラ2A,2Bの両方に接続して温度セ
ンサ1A,1Bを2つのシステムA,Bで共有するよう
にしてもよい。また、温度センサ1A,1Bだけでな
く、コントローラ2A,2Bを1つのコントローラとし
て電源3A,3Bで共有するようにしてもよい。さらに
は、1台の電源を2つのシステムA,Bで共用するよう
にしてもよい。要するに、複数の冷却/加熱素子4A,
4Bに対して個別に電源供給系統を設ける構成になって
いればよい。
【0021】図5には、一方の温度制御システムBがシ
ステムダウンして冷却/加熱能力を失ったときの監視器
7の制御による他方の温度制御システムAの冷却/加熱
素子4Aに供給される電流変化を示している。システム
ダウンは、素子4Bの故障、電源3Bの故障、素子4B
と電源3Bとの間の断線、リレースイッチR1,R2の
故障、コントローラ2Bの故障等の様々な原因により発
生する。このとき、監視器7は、他の正常なシステムA
のコントローラ2Aに対して、冷却能力/加熱能力を高
くするために必要な制御信号を供給する。その制御信号
に従ってコントローラ2Aは、電源3Aを制御し、供給
電流を高くする。これにより、完全ではないにしてもあ
る程度は補償して、放射線感度特性を一定以上に維持す
る又はその維持期間を延長することを可能にする。
【0022】なお、上述したように1つのシステムに対
して1つの冷却/加熱素子を設けることには限定され
ず、図6に示すように、システムAに、複数、ここでは
2つの冷却/加熱素子4Aa、4Abを装備し、それに
合わせてファン5Aa,5Abも複数装備し、同様に、
システムBにも、複数、ここでは2つの冷却/加熱素子
4Ba、4Bbを装備し、それに合わせてファン5B
a,5Bbも複数装備するるようにしてもよい。特に、
冷却/加熱素子4Aa、4Abの一方、ファン5Aa,
5Abの一方が故障しても、他方の冷却/加熱機能はダ
ウンしないように、電源3Aに対して、冷却/加熱素子
4Aa、4Ab、ファン5Aa,5Abをそれぞれ直列
ではなく、並列に配置している。システムBについても
同様の配置になっている。
【0023】図7に示すように、システムAの冷却/加
熱素子4Aa、4Abは、検出器20の検出面の対角線
上に離間して配置される。同様に、システムBの冷却/
加熱素子4Ba、4Bbも、検出器20の検出面の他の
対角線上に離間して配置される。このように4つの素子
4Aa、4Ab、4Ba、4Bbを離間して配置するこ
とで温度分布の均一性を向上させることが可能である。
また、システムAの素子4Aa、4Abと、システムB
の素子4Ba、4Bbを、同じシステムの素子どうしが
隣り合わないように、交互に配置することで、一方がシ
ステムダウンした場合でも、温度分布の偏りを極力抑え
ることができる。
【0024】次に1つの温度制御システムA又はBが故
障した場合の検出器20の感度特性低下と、故障発生時
からの経過時間との関係を推定し、表示する機能につい
て説明する。図8はその機能実現のための構成を示し、
図9には温度センサ1A,1Bにより検出された検出器
の温度値の経時的な変化を示している。図9において、
冷却温度値(冷却動作を開始する温度設定値)と、加熱
温度値(加熱動作を開始する温度設定値)は、検出素子
の感度特性が一定以上確保されえる温度範囲に基づいて
温度設定器9を介して予め設定されており、冷却温度値
以上になると冷却動作を行い、加熱温度値以上になると
加熱動作を行なう。
【0025】また、高温リミットと低温リミットは、検
出素子の感度特性が画像収集不能に陥る程度まで低下す
る境界温度、又は破壊される臨界温度を示している。通
常動作ではあり得ないセンサ温度値を示した場合、すな
わち異常温度(高温または低温)に達したときは温度制
御システムA,Bの一部が故障またはダウンしたと判断
する。そして、ある一定時間前の温度値との差分から、
時間当たりの温度変化量を算出し、高温リミットまたは
低温リミットになるまでどれくらいの時間が掛かるかを
記録/算出器10で推定する。
【0026】図9のA点は異常温度(高温)に達した状
態を示し、B点はこの瞬間からΔt時間前の状態を示
す。尚、Δt1時間前とΔt2時間前の温度値から温度
変化曲線を推定し、リミットまでの時間を算出してもよ
い。そして、画像収集できなくなるまでの時間及びそれ
までの性能劣化(感度率)と時間の関係を以下の表1に
示すように、表示器8に表示する。
【0027】
【表1】
【0028】上述したように温度設定器9で冷却温度値
/加熱温度値、異常温度値(高温)/(低温)、高温リ
ミット/低温リミットの温度設定を可能とする。記録/
算出器10で温度と時間の情報を記録し、また、温度制
御システムAまたは温度制御システムBがダウンした時
は、温度設定値および検出特性と温度のデータテーブル
11の情報をもとに上記時間および性能低下を算出して
表示する。
【0029】(変形例)本発明は、上述した実施形態に
限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱
しない範囲で種々変形して実施することが可能である。
さらに、上記実施形態には種々の段階が含まれており、
開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせに
より種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示
される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても
よい。
【0030】
【発明の効果】本発明によれば、放射線平面検出器の温
度分布の均一性を高めること、および温度制御機能の停
止を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る放射線検査装置に装
備される温度制御装置のブロック図。
【図2】図1の温度制御システムの構成を示すブロック
図。
【図3】図2の冷却/加熱素子の配置を示す図。
【図4】本実施形態に係る放射線検査装置の部分断面
図。
【図5】本実施形態において、一方の温度制御システム
がシステムダウン(故障)したときの温度制御システム
の冷却/加熱素子に供給される電流変化を示す図。
【図6】図1の温度制御システムの他の構成を示すブロ
ック図。
【図7】図6の冷却/加熱素子の配置を示す図。
【図8】本実施形態の変形例による放射線検査装置の温
度制御装置のブロック図。
【図9】図8の記録/算出器による検出機能ダウンまで
の時間推定法を説明するための検出器の温度時間変化を
示す図。
【符号の説明】
A…第1温度制御システム、 B…第2温度制御システム、 1A,1B…温度センサ、 2A,2B…コントローラ、 3A,3B…電源、 4A,4B…冷却/加熱素子(ペルチェ素子)、 5A,5B…ファン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永井 清一郎 東京都北区赤羽2丁目16番4号 東芝医用 システムエンジニアリング株式会社内 Fターム(参考) 2G088 EE01 EE29 FF02 GG21 JJ05 JJ09 LL21 MM10

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入射放射線を電気信号に変換する放射線
    平面検出器と、 前記放射線平面検出器の背面に離散的に配置された吸熱
    と発熱の少なくとも一方で動作する第1の吸熱/発熱素
    子と、 前記放射線平面検出器の背面に離散的に配置された吸熱
    と発熱の少なくとも一方で動作する第2の吸熱/発熱素
    子と、 前記第1、第2の吸熱/発熱素子に対して個別に動作制
    御を行う制御系とを具備することを特徴とする放射線検
    査装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の吸熱/発熱素子と前記第2の
    吸熱/発熱素子とは前記放射線平面検出器上に交互に配
    置されていることを特徴とする請求項1記載の放射線検
    査装置。
  3. 【請求項3】 前記第1の吸熱/発熱素子は前記放射線
    平面検出器上で対角に配置され、前記第2の吸熱/発熱
    素子は前記放射線平面検出器上で他の対角に配置されて
    いることを特徴とする請求項1記載の放射線検査装置。
  4. 【請求項4】 前記放射線平面検出器の温度を測定する
    温度センサをさらに備えることを特徴とする請求項1記
    載の放射線検査装置。
  5. 【請求項5】 前記制御系は、前記温度センサにより測
    定された前記放射線平面検出器の温度に基づいて、前記
    第1、第2の吸熱/発熱素子を個別に制御するコントロ
    ーラをさらに備えることを特徴とする請求項4記載の放
    射線検査装置。
  6. 【請求項6】 前記温度センサにより測定された前記放
    射線平面検出器の温度を表示する表示器をさらに備える
    ことを特徴とする請求項4記載の放射線検査装置。
  7. 【請求項7】 前記制御系は、前記第1、第2の吸熱/
    発熱素子の電源供給状態を個別に監視し、一方の電源供
    給状態に異常が生じたとき、他方の電源供給状態を変化
    させることを特徴とする請求項1記載の放射線検査装
    置。
  8. 【請求項8】 前記第1、第2の吸熱/発熱素子の電源
    供給状態を表示する表示器をさらに備えることを特徴と
    する請求項7記載の放射線検査装置。
  9. 【請求項9】 前記第1、第2の吸熱/発熱素子の一方
    の温度又は電源供給状態に異常が生じたとき、異常発生
    時点からの時間経過にともなう前記放射線平面検出器の
    特性の低下率を推定する算出器と、前記推定した特性低
    下率を表示する表示器とをさらに備えることを特徴とす
    る請求項7記載の放射線検査装置。
  10. 【請求項10】 前記第1、第2の吸熱/発熱素子の一
    方の温度又は電源供給状態に異常が生じたとき、異常発
    生時点から前記放射線平面検出器の特性が所定レベルに
    低下するまでの時間を推定する算出器と、前記推定した
    時間を表示する表示器とをさらに備えることを特徴とす
    る請求項7記載の放射線検査装置。
  11. 【請求項11】 前記放射線平面検出器の温度が上限値
    又は下限値に達したとき、前記第1、第2の吸熱/発熱
    素子を電源から遮断する遮断器をさらに備えることを特
    徴とする請求項1記載の放射線検査装置。
  12. 【請求項12】 前記遮断器は、バイメタルであること
    を特徴とする請求項11記載の放射線検査装置。
  13. 【請求項13】 前記第1、第2の吸熱/発熱素子は、
    ペルチェ素子であるることを特徴とする請求項1記載の
    放射線検査装置。
  14. 【請求項14】 前記ペルチェ素子の背面を空冷するフ
    ァンをさらに備えることを特徴とする請求項13記載の
    放射線検査装置。
  15. 【請求項15】 前記ペルチェ素子の背面に風を吹きつ
    けるファンをさらに備えることを特徴とする請求項13
    記載の放射線検査装置。
  16. 【請求項16】 前記吸熱/発熱素子は、前記放射線平
    面検出器の発熱源に直接又は間接的に接続されているこ
    とを特徴とする請求項1記載の放射線検査装置。
  17. 【請求項17】 入射放射線を電気信号に変換する放射
    線平面検出器と、 前記放射線平面検出器の温度を制御するための第1の温
    度制御システムと、 前記第1の温度制御システムとは独立して、前記放射線
    平面検出器の温度を制御するための第2の温度制御シス
    テムとを具備することを特徴とする放射線検査装置。
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