JP2002333862A5 - - Google Patents

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第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線とを有する発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作しており、
１フレーム期間内に、前記第１のトランジスタのゲート電極とドレイン領域が接続されている期間が複数設けられていることを特徴とする発光装置。A light-emitting device having a first transistor, a second transistor, a light-emitting element capable of obtaining electroluminescence, and a power supply line,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors operate in a saturation region;
One frame period, the light emitting apparatus characterized by periods in which the gate electrode and the drain region of the first transistor is connected is provided with a plurality. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線とを有する発光装置であって、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作しており、
１フレーム期間内に、前記第１のトランジスタのゲート電極とドレイン領域が接続されている期間が複数設けられており、
前記第１のトランジスタのゲート電極とドレイン領域が接続されている前記期間において、前記第１のトランジスタのドレイン電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置。A light-emitting device having a first transistor, a second transistor, a light-emitting element capable of obtaining electroluminescence, and a power supply line,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors operate in a saturation region;
In one frame period, the period in which the gate electrode and the drain region of the first transistor is connected is provided with a plurality,
The luminance of the light emitting element is controlled by controlling the magnitude of the drain current of the first transistor in the period in which the gate electrode and the drain region of the first transistor are connected. Light emitting device. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作していることを特徴とする発光装置。A light emitting device having a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, and a scanning line Because
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The light emitting device, wherein the first and second transistors operate in a saturation region. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作しており、
前記第１のトランジスタのドレイン電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置。A light emitting device having a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, and a scanning line Because
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors operate in a saturation region;
The light-emitting device is characterized in that the luminance of the light-emitting element is controlled by controlling the magnitude of the drain current of the first transistor. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのドレイン領域に、他方は 前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作していることを特徴とする発光装置。A light emitting device having a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, and a scanning line Because
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, the drain region of the first transistor and the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The light emitting device, wherein the first and second transistors operate in a saturation region. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのドレイン領域に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作しており、
前記第１のトランジスタのドレイン電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置。A light emitting device having a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, and a scanning line Because
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, the drain region of the first transistor and the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors operate in a saturation region;
The light-emitting device is characterized in that the luminance of the light-emitting element is controlled by controlling the magnitude of the drain current of the first transistor. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作していることを特徴とする発光装置。A light emitting device having a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, and a scanning line Because
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, the gate electrode of the first transistor and the other is connected to a drain region of said first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The light emitting device, wherein the first and second transistors operate in a saturation region. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作しており、
前記第１のトランジスタのドレイン電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置。A light emitting device having a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, and a scanning line Because
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, the gate electrode of the first transistor and the other is connected to a drain region of said first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors operate in a saturation region;
The light-emitting device is characterized in that the luminance of the light-emitting element is controlled by controlling the magnitude of the drain current of the first transistor. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、第１走査線と、第２走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記第１走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第５のトランジスタのゲート電極は、前記第２走査線に接続されており、
前記第５のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記電源線に接続されており、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作していることを特徴とする発光装置。A first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a fifth transistor, a light-emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, A light emitting device having one scanning line and a second scanning line,
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol first scan line,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
A gate electrode of the fifth transistor is connected to the second scanning line;
The hand of a source region and a drain region of the fifth transistor is connected to the power line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
The light emitting device, wherein the first and second transistors operate in a saturation region. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、第１走査線と、第２走査線とを有する発光装置であって、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記第１走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第５のトランジスタのゲート電極は、前記第２走査線に接続されており、
前記第５のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記電源線に接続されており、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作しており、
前記第１のトランジスタのドレイン電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置。A first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a fifth transistor, a light-emitting element capable of obtaining electroluminescence , a power supply line, a signal line, A light emitting device having one scanning line and a second scanning line,
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol first scan line,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
A gate electrode of the fifth transistor is connected to the second scanning line;
The hand of a source region and a drain region of the fifth transistor is connected to the power line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
The first and second transistors operate in a saturation region;
The light-emitting device is characterized in that the luminance of the light-emitting element is controlled by controlling the magnitude of the drain current of the first transistor. 請求項９又は１０において、In claim 9 or 10,
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第３のトランジスタを介して前記信号線に接続されていることを特徴とする発光装置。One of the source region and the drain region of the fourth transistor is connected to the signal line through the third transistor. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、第１走査線と、第２走査線とを有する発光装置であって、A first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a fifth transistor, a light-emitting element capable of obtaining electroluminescence, a power supply line, a signal line, A light emitting device having one scanning line and a second scanning line,
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記第１走査線に接続されており、A gate electrode of the third transistor and a gate electrode of the fourth transistor are connected to the first scanning line;
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、One of the source region and the drain region of the third transistor is connected to the signal line, and the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第３のトランジスタを介して、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続されており、One of a source region and a drain region of the fourth transistor is connected to the signal line through the third transistor, and the other is connected to a source region or a drain region of the first transistor,
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、The gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the second transistor are connected,
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、The source region of the first transistor and the source region of the second transistor are connected to the power line;
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element;
前記第５のトランジスタのゲート電極は、前記第２走査線に接続されており、A gate electrode of the fifth transistor is connected to the second scanning line;
前記第５のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記電源線に接続されており、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、One of a source region and a drain region of the fifth transistor is connected to the power supply line, and the other is connected to a gate electrode of the first transistor,
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作していることを特徴とする発光装置。The light emitting device, wherein the first and second transistors operate in a saturation region. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第５のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、第１走査線と、第２走査線とを有する発光装置であって、A first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a fifth transistor, a light-emitting element capable of obtaining electroluminescence, a power supply line, a signal line, A light emitting device having one scanning line and a second scanning line,
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記第１走査線に接続されており、A gate electrode of the third transistor and a gate electrode of the fourth transistor are connected to the first scanning line;
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方はOne of the source region and the drain region of the third transistor is connected to the signal line, and the other is 前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、Connected to the gate electrode of the first transistor;
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第３のトランジスタを介して、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続されており、One of a source region and a drain region of the fourth transistor is connected to the signal line through the third transistor, and the other is connected to a source region or a drain region of the first transistor,
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、The gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the second transistor are connected,
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、The source region of the first transistor and the source region of the second transistor are connected to the power line;
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element;
前記第５のトランジスタのゲート電極は、前記第２走査線に接続されており、A gate electrode of the fifth transistor is connected to the second scanning line;
前記第５のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記電源線に接続されており、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、One of a source region and a drain region of the fifth transistor is connected to the power supply line, and the other is connected to a gate electrode of the first transistor,
前記第１及び第２のトランジスタは、飽和領域で動作しており、The first and second transistors operate in a saturation region;
前記第１のトランジスタのドレイン電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置。The light-emitting device is characterized in that the luminance of the light-emitting element is controlled by controlling the drain current of the first transistor. 請求項９乃至１３のいずれか一において、In any one of Claims 9 thru | or 13,
前記第５のトランジスタは、前記発光素子の発光を消去する機能を有することを特徴とする発光装置。The light-emitting device, wherein the fifth transistor has a function of erasing light emitted from the light-emitting element. 請求項２、４、６、８、１０、及び１３のいずれか一において、In any one of claims 2, 4, 6, 8, 10, and 13,
前記第１のトランジスタのドレイン電流の大きさを、デジタルビデオ信号により制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置。The light-emitting device is characterized in that the luminance of the light-emitting element is controlled by controlling the magnitude of the drain current of the first transistor using a digital video signal. 請求項３乃至請求項１５のいずれか一において、前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタの極性が同じであることを特徴とする発光装置。In any one of claims 3 to 15, the light emitting device, wherein the polarity of said third transistor and said fourth transistor are the same. 請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの極性が同じであることを特徴とする発光装置。In any one of claims 1 to 16, the light emitting device, wherein the polarity of said first transistor a second transistor are the same. 請求項１乃至請求項１７のいずれか一に記載の発光装置を用いることを特徴とする電子機器。An electronic device characterized by using the light emission device according to any one of claims 1 to 17. 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有し、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作する発光装置の駆動方法であって、
１フレーム期間内に、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオンになる期間と、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオフになる期間とを複数有し、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオンになる期間において、前記信号線に流れる電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置の駆動方法。A first transistor, possess a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light-emitting element electroluminescence Yumi net sense is obtained, a power supply line, a signal line, a scan line,
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors are driving methods of a light emitting device operating in a saturation region ,
In one frame period, a plurality a period in which the third transistor and the fourth transistor is turned on, the third transistor and the fourth transistor and a period off,
In the third transistor and the fourth transistor is turned on period, by controlling the amount of current flowing through the signal line, driving of the light emitting device and controls the brightness of the light emitting element Way . 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有し、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのドレイン領域に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作する発光装置の駆動方法であって、
１フレーム期間内に、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオンになる期間と、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオフになる期間とを複数有し、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオンになる期間において、前記信号線に流れる電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置の駆動方法。A first transistor, possess a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light-emitting element electroluminescence Yumi net sense is obtained, a power supply line, a signal line, a scan line,
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to a drain region of said first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, the drain region of the first transistor and the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors are driving methods of a light emitting device operating in a saturation region ,
In one frame period, a plurality a period in which the third transistor and the fourth transistor is turned on, the third transistor and the fourth transistor and a period off,
In the third transistor and the fourth transistor is turned on period, by controlling the amount of current flowing through the signal line, driving of the light emitting device and controls the brightness of the light emitting element Way . 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有し、
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作する発光装置の駆動方法であって、
１フレーム期間内に、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオンになる期間と、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオフになる期間とを複数有し、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタがオンになる期間において、前記信号線に流れる電流の大きさを制御することで、前記発光素子の輝度を制御することを特徴とする発光装置の駆動方法。A first transistor, possess a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, a light-emitting element electroluminescence Yumi net sense is obtained, a power supply line, a signal line, a scan line,
The gate electrode of the gate electrode and the fourth transistor of the third transistor is connected to the front Symbol scan lines,
Hand of a source region and a drain region of the third transistor, to the signal line, the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
The hand of a source region and a drain region of the fourth transistor, the gate electrode of the first transistor and the other is connected to a drain region of said first transistor,
A gate electrode of the first transistor, the Gate electrode of the second transistor is connected,
The source region of the first transistor, and source over source region of the second transistor being connected to said power supply line,
A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element ;
The first and second transistors are driving methods of a light emitting device operating in a saturation region ,
In one frame period, a plurality a period in which the third transistor and the fourth transistor is turned on, the third transistor and the fourth transistor and a period off,
In the third transistor and the fourth transistor is turned on period, by controlling the amount of current flowing through the signal line, driving of the light emitting device and controls the brightness of the light emitting element Way . 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジA first transistor, a second transistor, a third transistor, and a fourth transistor; スタと、エレクトロユミネッセンスが得られる発光素子と、電源線と、信号線と、走査線とを有し、And a light emitting element capable of obtaining electroluminescence, a power supply line, a signal line, and a scanning line,
前記第３のトランジスタのゲート電極及び第４のトランジスタのゲート電極は、前記走査線に接続されており、The gate electrode of the third transistor and the gate electrode of the fourth transistor are connected to the scanning line,
前記第３のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記信号線に、他方は前記第１のトランジスタのゲート電極に接続されており、One of the source region and the drain region of the third transistor is connected to the signal line, and the other is connected to the gate electrode of the first transistor,
前記第４のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極に、他方は前記第１のトランジスタのドレイン領域に接続されており、One of the source region and the drain region of the fourth transistor is connected to the gate electrode of the first transistor, and the other is connected to the drain region of the first transistor,
前記第１のトランジスタのゲート電極と、前記第２のトランジスタのゲート電極とは接続されており、The gate electrode of the first transistor and the gate electrode of the second transistor are connected,
前記第１のトランジスタのソース領域、及び前記第２のトランジスタのソース領域は前記電源線に接続されており、The source region of the first transistor and the source region of the second transistor are connected to the power line;
前記第２のトランジスタのドレイン領域は、前記発光素子の電極に接続されており、A drain region of the second transistor is connected to an electrode of the light emitting element;
前記第１及び第２のトランジスタは飽和領域で動作する発光装置の駆動方法であって、The first and second transistors are driving methods of a light emitting device operating in a saturation region,
１フレーム期間内に書き込み期間と表示期間とを複数有し、It has multiple writing periods and display periods within one frame period,
前記書き込み期間では前記信号線と、前記電源線との間に電流が流れ、前記電流は前記第１のトランジスタが飽和領域で動作するように、前記信号線に流れる電流の大きさを制御し、前記電流と同じ大きさの電流が前記第２のトランジスタを介して前記発光素子に流れ、In the writing period, a current flows between the signal line and the power supply line, and the current controls the magnitude of the current flowing in the signal line so that the first transistor operates in a saturation region, A current having the same magnitude as the current flows to the light emitting element through the second transistor,
前記表示期間では、前記第１のトランジスタのドレイン領域はフローティング状態となり、前記第２のトランジスタで保持された前記電流が前記発光素子に流れることを特徴とする発光装置の駆動方法。In the display period, the drain region of the first transistor is in a floating state, and the current held by the second transistor flows through the light-emitting element.
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