JP2002329870A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002329870A5 JP2002329870A5 JP2001184310A JP2001184310A JP2002329870A5 JP 2002329870 A5 JP2002329870 A5 JP 2002329870A5 JP 2001184310 A JP2001184310 A JP 2001184310A JP 2001184310 A JP2001184310 A JP 2001184310A JP 2002329870 A5 JP2002329870 A5 JP 2002329870A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001184310A JP4993822B2 (ja) | 2000-06-19 | 2001-06-19 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000183817 | 2000-06-19 | ||
JP2000183817 | 2000-06-19 | ||
JP2001-57224 | 2001-03-01 | ||
JP2001057224 | 2001-03-01 | ||
JP2001057224 | 2001-03-01 | ||
JP2000-183817 | 2001-03-01 | ||
JP2001184310A JP4993822B2 (ja) | 2000-06-19 | 2001-06-19 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002329870A JP2002329870A (ja) | 2002-11-15 |
JP2002329870A5 true JP2002329870A5 (ja) | 2008-07-17 |
JP4993822B2 JP4993822B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=27343771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001184310A Expired - Fee Related JP4993822B2 (ja) | 2000-06-19 | 2001-06-19 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4993822B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7897482B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN101593686B (zh) * | 2008-05-30 | 2011-10-05 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 金属栅极形成方法 |
JP5562603B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP5590868B2 (ja) * | 2008-12-11 | 2014-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN102709184B (zh) * | 2011-05-13 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板 |
JP2015109343A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP7208779B2 (ja) | 2018-12-11 | 2023-01-19 | キオクシア株式会社 | 基板処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05109737A (ja) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP3910229B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2007-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体薄膜の作製方法 |
JP4601731B2 (ja) * | 1997-08-26 | 2010-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体装置を有する電子機器及び半導体装置の作製方法 |
JP4376331B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2009-12-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4386978B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2009-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2001
- 2001-06-19 JP JP2001184310A patent/JP4993822B2/ja not_active Expired - Fee Related