JP2002329353A - 光磁気ディスク製造装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁性膜の成膜から次の誘電体膜の成膜を開始
するまでの時間を最小かつ一定に保つ。 【解決手段】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１
の成膜室と、磁性膜を成膜する第２の成膜室と、第２の
誘電体膜を成膜する第３の成膜室と、反射膜を成膜する
第４の成膜室とがインラインで配され、第２の成膜室に
基板が搬入されて所定時間が経過してから第２の成膜室
において磁性膜の成膜を開始する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクの
製造装置及び製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気ディスクは、一般に、基板上に形
成された第１の誘電体膜、第１の磁性膜、第２の磁性
膜、非磁性膜、第３の磁性膜、第４の磁性膜、第２の誘
電体膜及び反射膜などの複数の薄膜の積層により構成さ
れ、このうちの磁性膜には、希土類−遷移金属アモルフ
ァス合金からなる垂直磁化薄膜が、その総合的な特性が
優れているために最も多く用いられている。このとき、
磁性膜は単層でもよく、複数の層であっても良いことと
する。今回は複数の磁性膜からなる光磁気ディスクにつ
いて説明する。

【０００３】このような光磁気ディスクの製造には、例
えば図１６に示すような製造装置１００が用いられる。
この製造装置１００は、順次搬入される円盤状の透明基
板１０２が複数枚固定されたキャリア１０１を、真空成
膜室に搬入するため、ＶＥＮＴ／ＰＵＮＰを繰り返すロ
ーディング室１０３と、透明基板１０２上に第１の誘電
体膜を成膜するための第１の成膜室１０４と、第１の磁
性膜を成膜するための第２の成膜室１０５と、第２の磁
性膜を成膜するための第３の成膜室１０６と、非磁性膜
を成膜するための第４の成膜室１０７と、第３の磁性膜
を成膜するための第５の成膜室１０８と、第４の磁性膜
を成膜するための第６の成膜室１０９と、第２の誘電体
膜を成膜する第７の成膜室１１０と、反射膜を成膜する
第８の成膜室１１１と、キャリア１０１を大気中に搬出
するため、ＶＥＮＴ／ＰＵＮＰを繰り返すアンローディ
ング室１１２とから構成される。

【０００４】そして、上記第１の成膜室１０４乃至上記
第８の成膜室１１１は連続して配されているとともに、
上記透明基板１０２は搬送手段によって上記第１の成膜
室１０４乃至上記第８の成膜室１１１にわたって搬送さ
れることで当該透明基板１０２上に上記第１の誘電体
膜、第１の磁性膜、第２の磁性膜、非磁性膜、第３の磁
性膜、第４の磁性膜、第２の誘電体膜及び反射膜がイン
ラインで連続して成膜されて光磁気ディスクが製造され
る。

【０００５】そして、このような製造装置１００によっ
て光磁気ディスクを製造する際の第２の成膜室における
フローチャートを図１７に示す。また、第２の成膜室１
０５乃至第４の成膜室１０７についてのタイムチャート
を図１８に示す。

【０００６】まず、図１７に示すように、第２の成膜室
１０５において、当該第２の成膜室１０５が空になり、
キャリア受け入れＯＫ状態になったことが確認される
（Step１）。

【０００７】次に、第１の成膜室１０４から第２の成膜
室１０５へとキャリア１０１が搬入される（Step２）。
そして、第２の成膜室１０５へのキャリア搬入の完了が
確認される（Step３）。

【０００８】そして、第２の成膜室１０５へのキャリア
搬入の搬入の完了されると、スパッタガスの供給がオン
になり（Step４）、パレットが回転を始める（Step
５）。そして、スパッタリングが行われる（Step６）。

【０００９】所定時間のスパッタリングが完了すると、
スパッタガスの供給がオフになり（Step７）、パレット
の回転が停止する（Step８）。

【００１０】そして、第３の成膜室１０６において、当
該第３の成膜室１０６が空になり、キャリア受け入れＯ
Ｋ状態になっているかどうかが確認される（Step９）。
第３の成膜室１０６が空になり、キャリア受け入れＯＫ
状態になるまで待機状態となる。

【００１１】第３の成膜室１０６において、当該第３の
成膜室１０６が空になり、キャリア受け入れＯＫ状態に
なったことが確認されると、第２の成膜室１０５から第
３の成膜室１０６へとキャリア１０１が搬出される（St
ep１０）。そして、第２の成膜室１０５から第３の成膜
室１０６へのキャリア搬出完了が確認される（Step１
１）。これにより、第２の成膜室１０５は空になり、第
１の成膜室１０４から次のキャリア受け入れＯＫ状態と
なり、再び上記のStep１に戻る。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この光
磁気ディスクの磁性膜の材料である希土類−遷移金属ア
モルファス合金は、非常に酸化されやすいものであり、
酸化されて著しく光磁気特性が低下することもある。例
えば、基板や装置部材等の中に含まれていたりする水や
酸素等の酸化性物質が、成膜中あるいは成膜直後の磁性
膜の表面に接触して酸化を引き起こし、結果的に記録媒
体の特性を低下させてしまうことは、良く知られた現象
である。

【００１３】上述したような従来の製造フローによる
と、第２の成膜室１０５において第１の磁性膜の成膜が
終了した後に、第３の成膜室１０６が空になり、キャリ
ア受け入れＯＫ状態になるまで待機状態となる。そのた
め、この方法では、第２の成膜室１０５で第１の磁性膜
が成膜されてから第３の成膜室１０６で第２の磁性膜を
成膜するまでの時間間隔があいてしまい、その間に第１
の磁性膜が酸化して特性劣化の原因となってしまうとい
う問題があった。また、上記第１の磁性膜が成膜されて
から第２の磁性膜を成膜するまでの時間間隔も均一では
ないため、第１の磁性膜の酸化状態にもばらつきが生
じ、これにより光磁気ディスクの特性も大きく変動する
ことになり、均一な特性の光磁気ディスクを得る妨げと
なっていた。

【００１４】本発明は、上述したような従来の実情に鑑
みて提案されたものであり、磁性膜の成膜から次の構成
膜の成膜を開始するまでの時間を、最小かつ一定に保つ
ことで、磁性膜の酸化を抑え、信号特性にばらつきの少
ない光磁気ディスクを安定して製造することができる製
造装置及び製造方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の光磁気ディスク
製造装置は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の
成膜室と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体
膜上に磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成
膜室で成膜された磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜する
第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第２の
誘電体膜上に反射膜を成膜する第４の成膜室とを備え、
上記第１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続して配さ
れているとともに、上記基板は搬送手段によって上記第
１の成膜室乃至上記第４の成膜室にわたって搬送される
ことで当該基板上に上記第１の誘電体膜、磁性膜、第２
の誘電体膜及び反射膜が連続して成膜されて光磁気ディ
スクが製造されるインライン型の光磁気ディスク製造装
置である。

【００１６】そして本発明の光磁気ディスク製造装置
は、上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の
成膜室での第２の誘電体膜の成膜が終了し、当該第２の
誘電体膜が成膜された基板が第３の成膜室から搬出され
て第３の成膜室が空になるまで待機し、第３の成膜室が
空になってから、上記第２の成膜室において磁性膜の成
膜を開始するように制御されていることを特徴とする。

【００１７】上述したような本発明にかかる光磁気ディ
スクの製造装置では、上記第２の成膜室に基板が搬入さ
れてから、第３の成膜室での第２の誘電体膜の成膜が終
了し、当該第２の誘電体膜が成膜された基板が第３の成
膜室から搬出されて第３の成膜室が空になるまで待機
し、第３の成膜室が空になってから、上記第２の成膜室
において磁性膜の成膜を開始するように制御されている
ので、磁性膜の成膜が終了してから次の第２の磁性膜の
成膜を開始するまでの時間を、最小かつ一定に保つこと
ができる。

【００１８】また、本発明の光磁気ディスク製造装置
は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に
磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成膜室で
成膜された磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜する第３の
成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第２の誘電体
膜上に反射膜を成膜する第４の成膜室とを備え、上記第
１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続して配されてい
るとともに、上記基板は搬送手段によって上記第１の成
膜室乃至上記第４の成膜室にわたって搬送されることで
当該基板上に上記第１の誘電体膜、磁性膜、第２の誘電
体膜及び反射膜が連続して成膜されて光磁気ディスクが
製造されるインライン型の光磁気ディスク製造装置であ
る。

【００１９】そして本発明の光磁気ディスク製造装置
は、上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経
過してから第２の成膜室において磁性膜の成膜を開始す
るように制御されていることを特徴とする。

【００２０】上述したような本発明に係る光磁気ディス
ク製造装置では、上記第２の成膜室に基板が搬入され、
所定時間が経過してから第２の成膜室において磁性膜の
成膜を開始するように制御されているので、磁性膜の成
膜が終了してから次の第２の誘電体膜の成膜を開始する
までの時間を、最小かつ一定に保つことができる。

【００２１】また、本発明の光磁気ディスク製造装置
は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に
第１の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成
膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の磁性膜を成膜
する第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第
２の磁性膜上に非磁性膜を成膜する第４の成膜室と、上
記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第３の磁性膜
を成膜する第５の成膜室と、上記第５の成膜室で成膜さ
れた第３の磁性膜上に第４の磁性膜を成膜する第６の成
膜室と、上記第６の成膜室で成膜された第４の磁性膜上
に第２の誘電体膜を成膜する第７の成膜室と、上記第７
の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射膜を成膜
する第８の成膜室とを備え、上記第１の成膜室乃至上記
第８の成膜室は連続して配されているとともに、上記基
板は搬送手段によって上記第１の成膜室乃至上記第８の
成膜室にわたって搬送されることで当該基板上に上記第
１の誘電体膜、第１の磁性膜、第２の磁性膜、非磁性
膜、第３の磁性膜、第４の磁性膜、第２の誘電体膜及び
反射膜が連続して成膜されて光磁気ディスクが製造され
るインライン型の光磁気ディスク製造装置である。

【００２２】そして本発明の光磁気ディスク製造装置
は、上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の
成膜室での第２の磁性膜の成膜が終了し、当該第２の磁
性膜が成膜された基板が第３の成膜室から搬出されて第
３の成膜室が空になるまで待機し、第３の成膜室が空に
なってから、上記第２の成膜室において第１の磁性膜の
成膜を開始するように制御されていることを特徴とす
る。

【００２３】上述したような本発明に係る光磁気ディス
ク製造装置では、上記第２の成膜室に基板が搬入されて
から、第３の成膜室での第２の磁性膜の成膜が終了し、
当該第２の磁性膜が成膜された基板が第３の成膜室から
搬出されて第３の成膜室が空になるまで待機し、第３の
成膜室が空になってから、上記第２の成膜室において第
１の磁性膜の成膜を開始するように制御されているの
で、第１の磁性膜の成膜が終了してから次の第２の磁性
膜の成膜を開始するまでの時間を、最小かつ一定に保つ
ことができる。

【００２４】また、本発明の光磁気ディスク製造装置
は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に
第１の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成
膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の磁性膜を成膜
する第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第
２の磁性膜上に非磁性膜を成膜する第４の成膜室と、上
記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第３の磁性膜
を成膜する第５の成膜室と、上記第５の成膜室で成膜さ
れた第３の磁性膜上に第４の磁性膜を成膜する第６の成
膜室と、上記第６の成膜室で成膜された第４の磁性膜上
に第２の誘電体膜を成膜する第７の成膜室と、上記第７
の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射膜を成膜
する第８の成膜室とを備え、上記第１の成膜室乃至上記
第８の成膜室は連続して配されているとともに、上記基
板は搬送手段によって上記第１の成膜室乃至上記第８の
成膜室にわたって搬送されることで当該基板上に上記第
１の誘電体膜、第１の磁性膜、第２の磁性膜、非磁性
膜、第３の磁性膜、第４の磁性膜、第２の誘電体膜及び
反射膜が連続して成膜されて光磁気ディスクが製造され
るインライン型の光磁気ディスク製造装置である。

【００２５】そして本発明の光磁気ディスク製造装置
は、上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経
過してから第２の成膜室において第１の磁性膜の成膜を
開始するように制御されていることを特徴とする。

【００２６】上述したような本発明に係る光磁気ディス
ク製造装置では、上記第２の成膜室に基板が搬入され、
所定時間が経過してから第２の成膜室において第１の磁
性膜の成膜を開始するように制御されているので、第１
の磁性膜の成膜が終了してから次の第２の磁性膜の成膜
を開始するまでの時間を、最小かつ一定に保つことがで
きる。

【００２７】また、本発明の光磁気ディスク製造方法
は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に
磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成膜室で
成膜された磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜する第３の
成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第２の誘電体
膜上に反射膜を成膜する第４の成膜室とを備え、上記第
１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続してインライン
で配されているような成膜装置を用い、上記基板は搬送
手段によって上記第１の成膜室乃至上記第４の成膜室に
わたって搬送されることで当該基板上に上記第１の誘電
体膜、磁性膜、第２の誘電体膜及び反射膜を連続に成膜
して光磁気ディスクとする光磁気ディスク製造方法であ
る。

【００２８】そして本発明の光磁気ディスクの製造方法
は、上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の
成膜室での第２の誘電体膜の成膜が終了し、当該第２の
誘電体膜が成膜された基板が第３の成膜室から搬出され
て第３の成膜室が空になるまで待機し、第３の成膜室が
空になってから、上記第２の成膜室において磁性膜の成
膜を開始することを特徴とする。

【００２９】上述したような本発明にかかる光磁気ディ
スクの製造方法では、上記第２の成膜室に基板が搬入さ
れてから、第３の成膜室での第２の誘電体膜の成膜が終
了し、当該第２の誘電体膜が成膜された基板が第３の成
膜室から搬出されて第３の成膜室が空になるまで待機
し、第３の成膜室が空になってから、上記第２の成膜室
において磁性膜の成膜を開始することで、磁性膜の成膜
が終了してから次の第２の磁性膜の成膜を開始するまで
の時間を、最小かつ一定に保つことができる。

【００３０】また、本発明の光磁気ディスク製造方法
は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に
磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成膜室で
成膜された磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜する第３の
成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第２の誘電体
膜上に反射膜を成膜する第４の成膜室とを備え、上記第
１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続してインライン
で配されているような成膜装置を用い、上記基板は搬送
手段によって上記第１の成膜室乃至上記第４の成膜室に
わたって搬送されることで当該基板上に上記第１の誘電
体膜、磁性膜、第２の誘電体膜及び反射膜を連続に成膜
して光磁気ディスクとする光磁気ディスク製造方法であ
る。

【００３１】そして本発明の光磁気ディスク製造方法
は、上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経
過してから第２の成膜室において磁性膜の成膜を開始す
ることを特徴とする。

【００３２】上述したような本発明に係る光磁気ディス
ク製造方法では、上記第２の成膜室に基板が搬入され、
所定時間が経過してから第２の成膜室において磁性膜の
成膜を開始することで、第１の磁性膜の成膜が終了して
から次の第２の磁性膜の成膜を開始するまでの時間を、
最小かつ一定に保つことができる。

【００３３】また、本発明の光磁気ディスク製造方法
は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に
第１の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成
膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の磁性膜を成膜
する第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第
２の磁性膜上に非磁性膜を成膜する第４の成膜室と、上
記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第３の磁性膜
を成膜する第５の成膜室と、上記第５の成膜室で成膜さ
れた第３の磁性膜上に第４の磁性膜を成膜する第６の成
膜室と、上記第６の成膜室で成膜された第４の磁性膜上
に第２の誘電体膜を成膜する第７の成膜室と、上記第７
の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射膜を成膜
する第８の成膜室とを備え、上記第１の成膜室乃至上記
第８の成膜室は連続してインラインで配されているよう
な成膜装置を用い、上記基板は搬送手段によって上記第
１の成膜室乃至上記第８の成膜室にわたって搬送される
ことで当該基板上に上記第１の誘電体膜、第１の磁性
膜、第２の磁性膜、非磁性膜、第３の磁性膜、第４の磁
性膜、第２の誘電体膜及び反射膜を連続に成膜して光磁
気ディスクとする光磁気ディスク製造方法である。

【００３４】そして本発明の光磁気ディスク製造方法
は、上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の
成膜室での第２の磁性膜の成膜が終了し、当該第２の磁
性膜が成膜された基板が第３の成膜室から搬出されて第
３の成膜室が空になるまで待機し、第３の成膜室が空に
なってから、上記第２の成膜室において第１の磁性膜の
成膜を開始することを特徴とする。

【００３５】上述したような本発明に係る光磁気ディス
ク製造方法では、上記第２の成膜室に基板が搬入されて
から、第３の成膜室での第２の磁性膜の成膜が終了し、
当該第２の磁性膜が成膜された基板が第３の成膜室から
搬出されて第３の成膜室が空になるまで待機し、第３の
成膜室が空になってから、上記第２の成膜室において第
１の磁性膜の成膜を開始することで、第１の磁性膜の成
膜が終了してから次の第２の磁性膜の成膜を開始するま
での時間を、最小かつ一定に保つことができる。

【００３６】また、本発明の光磁気ディスク製造方法
は、基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１の成膜室
と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に
第１の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の成
膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の磁性膜を成膜
する第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第
２の磁性膜上に非磁性膜を成膜する第４の成膜室と、上
記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第３の磁性膜
を成膜する第５の成膜室と、上記第５の成膜室で成膜さ
れた第３の磁性膜上に第４の磁性膜を成膜する第６の成
膜室と、上記第６の成膜室で成膜された第４の磁性膜上
に第２の誘電体膜を成膜する第７の成膜室と、上記第７
の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射膜を成膜
する第８の成膜室とを備え、上記第１の成膜室乃至上記
第８の成膜室は連続してインラインで配されているよう
な成膜装置を用い、上記基板は搬送手段によって上記第
１の成膜室乃至上記第８の成膜室にわたって搬送される
ことで当該基板上に上記第１の誘電体膜、第１の磁性
膜、第２の磁性膜、非磁性膜、第３の磁性膜、第４の磁
性膜、第２の誘電体膜及び反射膜を連続に成膜して光磁
気ディスクとする光磁気ディスク製造方法である。

【００３７】そして本発明の光磁気ディスク製造方法
は、上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経
過してから第２の成膜室において第１の磁性膜の成膜を
開始することを特徴とする。

【００３８】上述したような本発明に係る光磁気ディス
ク製造方法では、上記第２の成膜室に基板が搬入され、
所定時間が経過してから第２の成膜室において第１の磁
性膜の成膜を開始することで、第１の磁性膜の成膜が終
了してから次の第２の磁性膜の成膜を開始するまでの時
間を、最小かつ一定に保つことができる。

【００３９】

【発明の実施の形態】〈第１の実施の形態〉以下、本発
明を適用した光磁気ディスク製造装置及び製造方法の実
施の形態について説明する。

【００４０】まず、本発明を適用して製造される光磁気
記録媒体の一構成例を図１に示す。この光磁気ディスク
１は、透明基板２上に、第１の誘電体膜３と、第１の磁
性膜４と、第２の磁性膜５と、非磁性膜６と、第３の磁
性膜７と、第４の磁性膜８と、第の誘電体膜９と、反射
膜１０とが順次積層されてなる。

【００４１】透明基板２は、レーザ光に対する透光性を
有する硬質材料によって、全体略円板状に形成されてい
る。透明基板２を形成する材料としては、例えば、アク
リル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹
脂、エポキシ樹脂等の各種樹脂材料や、石英ガラス等の
ガラス材料等が用いられる。

【００４２】第１の誘電体膜３は、例えば、Ｓｉ
_３Ｎ_４、ＳｉＮ、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＳｉＮＯ、
ＨｆＯ_２、ＺｎＳ、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ_２、ＭｇＦ_２、ＬｉＦ等の材料を用いて、各種スパッ
タリング法等の薄膜形成技術により薄膜状に形成されて
なる。ただし、第１の誘電体膜３を形成する材料として
は、記録信号の記録再生を行うために入射されるレーザ
光に対して透光性を有し、酸素及び水分子が透過せず、
酸素を含まない材料を用いることが望ましく、ＳｉＮ、
Ｓｉ_３Ｎ_４あるいはＡｌＮ等を用いることが望ましい。

【００４３】第１の磁性膜４は、第１の誘電体膜３上に
薄膜状に形成されている。磁性膜は、キュリー温度を超
えた温度上昇によって保磁力が減少して外部磁界の方向
に磁化反転するとともに、カー効果やファラデー効果等
の磁気光学特性を有する材料によって形成され、例え
ば、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ、
ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ等の希土類−遷移金属アモルファス
合金によって形成されている。

【００４４】第２の磁性膜５は、第１の磁性膜４上に薄
膜状に形成されている。この第２の磁性膜５は、上述の
第１の磁性膜４と同様に、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、Ｔｂ
ＦｅＣｏＣｒ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅ等の
希土類−遷移金属アモルファス合金によって形成されて
いる。

【００４５】非磁性膜６は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｙ等の
非磁性を有する材料によって、第２の磁性膜５上に薄膜
状に形成されている。

【００４６】第３の磁性膜７は、第１の磁性膜４と同様
な群より選ばれた材料によって、非磁性膜６上に薄膜状
に形成されている。

【００４７】第４の磁性膜８は、第１の磁性膜４と同様
な材料によって、第３の磁性膜７上に薄膜状に形成され
る。

【００４８】第２の誘電体膜９は、第１の誘電体膜３と
同様な群より選ばれた材料によって、第４の磁性膜８上
に薄膜状に形成されている。

【００４９】反射膜１０は、第２の誘電体膜９上に薄膜
状に形成されている。反射膜１０は、磁性膜及び誘電体
膜を透過したレーザ光を反射する反射膜としての機能を
有するとともに、磁性膜に向けて照射されたレーザ光に
よって、この磁性膜に熱が蓄熱されることを防止するヒ
ートシンクとしての機能を有する。反射膜１０を形成す
る材料としては、熱的に良導体である非磁性金属元素又
はその化合物を単独で、あるいは複合させて用いること
が望ましく、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣ
ｕ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｕ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ等によっ
て形成されている。

【００５０】なお、光磁気ディスク１においては、上述
した各層に加えて、反射膜１０上に保護膜１１が薄膜状
に形成されていてもよい。これにより、光磁気ディスク
１は、磁性膜及び反射膜１０の酸化等による劣化が抑制
される。また、光磁気ディスク１は、保護膜１１が形成
されることによって、上述した各層に傷が生じることを
防止できる。保護膜１１は、例えば、スピンコーターに
より塗布された紫外線硬化樹脂を硬化させること等によ
って形成する。

【００５１】そして、この光磁気ディスク１に対して情
報信号を記録するときは、保護膜１１の側から磁性膜に
磁界を印加するとともに、透明基板２の側から磁性膜に
光ビームを照射する。これにより、情報信号は、磁性膜
の磁化の状態として記録される。

【００５２】また、光磁気ディスク１に記録された情報
信号を再生するときには、透明基板２の側から磁性膜に
光ビームを照射し、当該光ビームの戻り光を検出する。
このとき、カー効果により、磁性膜の磁化状態に依存し
て、戻り光の偏光面が回転する。そこで、この偏光面の
回転角を検出することにより、磁性膜の磁化状態が検出
され、これにより、磁性膜の磁化状態として記録された
情報信号が読み出されることとなる。

【００５３】そして、以上のような構成を有する光磁気
ディスク１の製造は、透明基板２上に、上述したような
材料からなる各層を例えばスパッタリング法により順次
成膜、積層していくことにより行われる。この光磁気デ
ィスク１は、つぎのような製造装置２０を用いて製造さ
れる。

【００５４】即ち、この製造装置２０は、図２に示すよ
うに、順次搬入される円盤状の透明基板２が複数枚固定
されたキャリア４０を、真空成膜室に搬入するため、Ｖ
ＥＮＴ／ＰＵＮＰを繰り返すローディング室２１と、透
明基板２上に第１の誘電体膜３を成膜するための第１の
成膜室２２と、第１の磁性膜４を成膜するための第２の
成膜室２３と、第２の磁性体膜５を成膜するための第３
の成膜室２４と、非磁性膜６を成膜するための第４の成
膜室２５と、第３の磁性膜７を成膜するための第５の成
膜室２６と、第４の磁性膜８を成膜するための第６の成
膜室２７と、第２の誘電体膜９を成膜するための第７の
成膜室２８と、反射膜１０を成膜するための第８の成膜
室２９と、キャリア４０を大気中に搬出するため、ＶＥ
ＮＴ／ＰＵＮＰを繰り返すアンローディング室３０とか
ら構成されてなる。

【００５５】これらローディング室２１、第１の成膜室
２２乃至第８の成膜室２９及びアンローディング室３０
は、図２中横方向に並列して互いに接続されるととも
に、各空間毎に所定の真空度に保たれるように仕切られ
ている。このうち、上記ローディング室２１の側面に
は、図示しないキャリア搬入口が設けられており、当該
キャリア搬入口を介して複数のキャリア４０が順次送り
込まれる。

【００５６】キャリア４０は、上記第１の成膜室２２に
順次送り出され、上記第１の成膜室２２内で当該キャリ
ア４０上に配設された透明基板２に対して第１の誘電体
膜３の成膜が行われた後、上記第２の成膜室２３内に送
られる。従って、上述のようにローディング室２１内に
複数のキャリア４０を待機させることにより、上記第１
の成膜室２２での成膜、更には上記第２の成膜室２３乃
至第８の成膜室２９での成膜がインラインで連続して行
われるようになされている。

【００５７】上記キャリア４０は、図３及び図４に示す
ように、円盤状のパレット４１を有し、当該パレット４
１の一主面上に複数（本実施例では８枚）の透明基板２
が等間隔に配設されている。そして、このキャリア４０
は、レール４２上を走行することにより、ローディング
室２１から第１の成膜室２２乃至第８の成膜室２９を経
てアンローディング室３０へと搬送される。

【００５８】一方、上記第１の成膜室２２の上壁面に
は、図示しないＡｒガス導入口又はＮ _２ガス導入口がそ
れぞれ設けられており、これらＡｒガス導入口又はＮ_２
ガス導入口を介して内部にＡｒガス若しくはＮ_２ガスが
適宜導入され、所望の雰囲気に制御されるようになされ
ている。

【００５９】また、この第１の成膜室２２に搬入される
キャリア４０と対向する壁面には、内部にターゲットが
配設されている。そして、このターゲットと、キャリア
４０上に固定された透明基板２との間でスパッタリング
が行われて上記透明基板２上に第１の誘電体膜３が形成
される。

【００６０】そして、この第１の誘電体膜３が設けられ
た上記透明基板２を保持した上記キャリア４０は、上記
第１の誘電体膜３の成膜後、上記第１の成膜室２２に隣
接して配設される上記第２の成膜室２３内に送り込まれ
る。この第２の成膜室２３の上壁面には、図示しないＡ
ｒガス導入口及び成膜室排気系がそれぞれ設けられてお
り、上記Ａｒガス導入口を介して内部にＡｒガスが適宜
導入され、所望の雰囲気に制御される。

【００６１】また、この第２の成膜室２３の壁面には、
内部にターゲットが配設されている。そして、このター
ゲットと、上記第２の成膜室２３内に送り込まれたキャ
リア４０上に固定された透明基板２との間でスパッタリ
ングが行われ、上記第１の誘電体膜３上に第１の磁性膜
４が成膜される。

【００６２】そして、この第１の磁性膜４が設けられた
上記透明基板２を保持した上記キャリア４０は、上記第
１の磁性膜４の成膜後、上記第２の成膜室２３に隣接し
て配設される上記第３の成膜室２４内に送り込まれる。

【００６３】この第３の成膜室２４は、上記第２の成膜
室２３と同じ構成を有しており、上壁面には図示しない
Ａｒガス導入口及び成膜室排気系がそれぞれ設けられて
おり、上記Ａｒガス導入口を介して内部にＡｒガスが適
宜導入され、所望の雰囲気に制御される。

【００６４】また、この第３の成膜室２４の壁面には、
内部にターゲットが配設されている。そして、このター
ゲットと、上記第３の成膜室２４内に送り込まれたキャ
リア４０上に固定された透明基板２との間でスパッタリ
ングが行われ、上記第１の磁性膜４上に第２の磁性膜５
が成膜される。

【００６５】そして、この第２の磁性膜５が設けられた
上記透明基板２を保持した上記キャリア４０は、上記第
２の磁性膜５の成膜後、上記第３の成膜室２４に隣接し
て配設される上記第４の成膜室２５内に送り込まれる。

【００６６】この第４の成膜室２５は、上記第１の成膜
室２２と同じ構成を有しており、上壁面に設けられた図
示しないＡｒガス導入口又はＮ_２ガス導入口により内部
が所望の雰囲気に制御されるとともに、壁面の内部にタ
ーゲットが配設され、当該第４の成膜室２５内に送り込
まれたキャリア４０上に固定された透明基板２との間で
スパッタリングが行われて上記第２の磁性膜５上に非磁
性膜６が形成される。

【００６７】そして、この非磁性膜６が設けられた上記
透明基板２を保持した上記キャリア４０は、上記非磁性
膜６の成膜後、上記第４の成膜室２５に隣接して配設さ
れる上記第５の成膜室２６内に送り込まれる。

【００６８】この第５の成膜室２６の上壁面には、図示
しないＡｒガス導入口及び成膜室排気系がそれぞれ設け
られており、上記Ａｒガス導入口を介して内部にＡｒガ
スが適宜導入され、所望の雰囲気に制御される。

【００６９】また、この第５の成膜室２６の壁面には、
内部にターゲットが配設されている。そして、このター
ゲットと、上記第５の成膜室２６内に送り込まれたキャ
リア４０上に固定された透明基板２との間でスパッタリ
ングが行われ、上記非磁性膜６上に第３の磁性膜７が成
膜される。

【００７０】そして、この第３の磁性膜７が設けられた
上記透明基板２を保持した上記キャリア４０は、上記第
３の磁性膜７の成膜後、更に上記第５の成膜室２６に隣
接して配設される上記第６の成膜室２７内に送り込まれ
る。

【００７１】この第６の成膜室２７の上壁面には、図示
しないＡｒガス導入口及び成膜室排気系がそれぞれ設け
られており、上記Ａｒガス導入口を介して内部にＡｒガ
スが適宜導入され、所望の雰囲気に制御される。

【００７２】また、この第６の成膜室２７の壁面には、
内部にターゲットが配設されている。そして、このター
ゲットと、上記第６の成膜室２７内に送り込まれたキャ
リア４０上に固定された透明基板２との間でスパッタリ
ングが行われ、上記第３の磁性膜７上に第４の磁性膜８
が成膜される。

【００７３】そして、この第４の磁性膜８が設けられた
上記透明基板２を保持した上記キャリア４０は、上記第
４の磁性膜８の成膜後、上記第６の成膜室２７に隣接し
て配設される上記第７の成膜室２８内に送り込まれる。

【００７４】この第７の成膜室２８の上壁面には、図示
しないＡｒガス導入口が設けられており、このＡｒガス
導入口を介して内部にＡｒガスが導入され、所望の雰囲
気に制御されるようになされている。

【００７５】また、この第７の成膜室２８の壁面には、
内部にターゲットが配設される。そして、このターゲッ
トと、上記第７の成膜室２８内に送り込まれたキャリア
４０上に固定された透明基板２との間でスパッタリング
が行われ、上記第４の磁性膜８上に第２の誘電体膜９が
成膜される。

【００７６】そして、この第２の誘電体膜９が設けられ
た上記透明基板２を保持した上記キャリア４０は、上記
第２の誘電体膜９の成膜後、上記第７の成膜室２８に隣
接して配設される上記第８の成膜室２９内に送り込まれ
る。

【００７７】この第８の成膜室２９の上壁面には、図示
しないＡｒガス導入口が設けられており、このＡｒガス
導入口を介して内部にＡｒガスが導入され、所望の雰囲
気に制御されるようになされている。

【００７８】また、この第８の成膜室２９の壁面には、
内部にターゲットが配設される。そして、このターゲッ
トと、上記第８の成膜室２９内に送り込まれたキャリア
４０上に固定された透明基板２との間でスパッタリング
が行われ、上記第２の誘電体膜９上に反射膜１０が成膜
される。

【００７９】更に、この反射膜１０が設けられた上記透
明基板２を保持した上記キャリア４０は、当該反射膜１
０の成膜後、アンローディング室３０へと送られる。そ
の後、別工程にて、例えばスピンコートによって反射膜
１０上に保護膜が１１が形成されて図１に示したような
光磁気ディスク１が製造される。

【００８０】ここで、上述したように、従来の製造フロ
ーによると、第２の成膜室２３において第１の磁性膜の
成膜が終了した後に、第３の成膜室２４が空になり、キ
ャリア受け入れＯＫ状態になるまで待機状態となってし
まう。そのため、この方法では、第２の成膜室２３で磁
性膜が成膜されてから第３の成膜室２４で第２の磁性膜
５を成膜するまでの時間間隔があいてしまい、その間に
第１の磁性膜が酸化して特性劣化の原因となってしまう
という問題があった。また、上記磁性膜が成膜されてか
ら第２の磁性膜５を成膜するまでの時間間隔も均一では
ないため、磁性膜の酸化状態にもばらつきが生じ、これ
により光磁気ディスクの特性も大きく変動することにな
り、均一な特性の光磁気ディスクを得る妨げとなってい
た。

【００８１】そこで、本発明では、各プロセス間での時
間的関係を調整することにより、磁性膜の成膜が終了し
てから次の誘電体膜の成膜を開始するまでの時間を最小
かつ一定とし、これにより磁性膜の酸化を抑え、信号特
性にばらつきの少ない光磁気ディスク１を安定して製造
することができることを見出した。

【００８２】本実施の形態に係る成膜プロセスの時間的
関係について説明する。なお、以下の説明では、第２の
成膜室２３、第３の成膜室２４及び第４の成膜室２５に
おけるプロセスを抜き出し、第２の成膜室２３を中心と
した当該第２、第３及び第４の成膜室２３，２４，２５
におけるプロセスの時間的関係について述べる。また、
以下の説明では、各成膜室におけるキャリア４０の搬入
時間及び搬出時間をともに１分間とし、第２の成膜室に
おける成膜プロセスの時間を３分間として、１サイクル
を６分間としたような場合を例に挙げて説明している
が、本発明はこれに限定されるものではない。

【００８３】第２の成膜室２３におけるフローチャート
を図５に示す。また、第２の成膜室２３乃至第４の成膜
室２５についてのタイムチャートを図６に示す。

【００８４】まず、図５に示すように、第２の成膜室２
３において、当該第２の成膜室２３が空になり、キャリ
ア受け入れＯＫ状態になったことが確認される（Step
１）。

【００８５】次に、第１の成膜室２２から第２の成膜室
２３へとキャリア４０が搬入される（Step２）。そし
て、第２の成膜室２３へのキャリア搬入の完了が確認さ
れる（Step３）。

【００８６】ここで、搬入の完了が確認された後、所定
の間、待機状態となる（Step４）。このStep４における
待機時間としては、第２の成膜室２３より下流側の各成
膜室の各成膜プロセスにおける最長のタクト時間（Ｔ
１）から、第２の成膜室２３で行われる第２の成膜プロ
セスのタクト時間（Ｔ２）をひいた時間（Ｔ１−Ｔ２）
となる。

【００８７】上記所定時間の待機状態の後、スパッタガ
スの供給がオンになり（Step５）、パレットが回転を始
める（Step６）。そして、スパッタリングが行われる
（Step７）。

【００８８】所定時間のスパッタリングが完了すると、
スパッタガスの供給がオフになり（Step８）、パレット
の回転が停止する（Step９）。

【００８９】そして、第３の成膜室２４において、当該
第３の成膜室２４が空になり、キャリア受け入れＯＫ状
態になっているかどうかが確認される（Step１０）。

【００９０】第３の成膜室２４において、当該第３の成
膜室２４が空になり、キャリア受け入れＯＫ状態になっ
たことが確認されると、第２の成膜室２３から第３の成
膜室２４へとキャリア４０が搬出される（Step１１）。
そして、第２の成膜室２３から第３の成膜室２４へのキ
ャリア搬出完了が確認される（Step１２）。これによ
り、第２の成膜室２３は空になり、第１の成膜室２２か
ら次のキャリア受け入れＯＫ状態となり、再び上記のSt
ep１に戻る。

【００９１】このように、第１の磁性膜４の成膜が終了
した時点で、第３の成膜室２４がキャリア受け入れＯＫ
となっているように、第２の成膜室２３でのプロセス開
始時間を調整することで、第１の磁性膜４を成膜してか
ら第２の磁性膜５を成膜するまでの時間を、ほぼキャリ
ア４０の搬送時間だけとすることができ、第１の磁性膜
４の成膜が終了してから次の第２の磁性膜５の成膜を開
始するまでの時間を、最小かつ一定に保つことができ
る。これにより、本発明では磁性膜の酸化を抑え、信号
特性にばらつきの少ない光磁気ディスク１を安定して製
造することができる。

【００９２】下流側にキャリア４０が残っている場合で
も、キャリア４０が更に下流側の成膜室に搬送されて上
流側の成膜室からのキャリア受け入れが可能になる時間
は予測できるため、その時間を見込んで、第１の磁性膜
の成膜を開始してもよい。但し、その時間は第１の磁性
膜４の成膜に必要な時間以下でなければならない。

【００９３】なお、上述した説明では、第１の磁性膜４
を成膜する第２の成膜室２３を中心とした当該第２、第
３及び第４の成膜室２３，２４，２５におけるプロセス
の時間的関係について述べたが、第３の磁性膜７を成膜
する第５の成膜室２６を中心とした当該第５、第６及び
第７の成膜室２６，２７，２８におけるプロセスの時間
的関係についても、第２、第３及び第４の成膜室２３，
２４，２５におけるプロセスの時間的関係と同様に行う
ことで、磁性膜と磁性膜との間に酸化層を作らずに安定
化することができ、本発明の目的を達成することができ
る。

【００９４】また、上述した第１の実施の形態では、複
数の磁性膜を有し、磁性膜及び誘電体膜の組み合わせが
多層構造の信号記録部を備えた光磁気ディスクを例に挙
げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、磁性膜を１つのみ有し、磁性膜及び誘電体膜の組み
合わせが単数の信号記録部を備えた光磁気ディスクや、
信号記録部が磁性膜のみによって単層で形成されている
ような構成の光磁気ディスクの製造についても、適用可
能である。

【００９５】〈第２の実施の形態〉つぎに、本発明の第
２の実施の形態について説明する。

【００９６】まず、本発明を適用して製造される光磁気
記録媒体の一構成例を図７に示す。ここでは複数の磁性
膜からなる光磁気ディスクを例に挙げる。

【００９７】この光磁気ディスク５０は、透明基板５１
上に、第１の誘電体膜５２と、磁性膜５３と、第２の誘
電体膜５４と、反射膜５５と、保護膜５６とが順次積層
されてなる。この光磁気ディスク５０における透明基板
５１、第１の誘電体膜５２、磁性膜５３、第２の誘電体
膜５４及び反射膜５５は、上述した光磁気ディスク１に
おける透明基板２、第１の誘電体膜３、第１の磁性膜
４、第２の誘電体膜９と、反射膜１０とそれぞれほぼ同
様とされているので、ここではその説明は省略する。

【００９８】そして、この光磁気ディスク１は、つぎの
ような製造装置６０を用いて製造される。即ち、この製
造装置６０は、図８に示すように、ローディング室６１
と、透明基板５１上に第１の誘電体膜５２を成膜するた
めの第１の成膜室６２と、磁性膜５３を成膜するための
第２の成膜室６３と、第２の誘電体膜５４を成膜するた
めの第３の成膜室６４と、反射膜５５を成膜するための
第４の成膜室６５と、アンローディング室６６とから構
成されてなる。

【００９９】ここで、本発明が適用される光磁気ディス
ク５０の製造装置及び製造工程については、上述した第
１の実施の形態における光磁気ディスク１の製造装置及
び製造工程とほぼ同様とされているので、ここではその
説明は省略し、上述した第１の実施の形態と異なる、各
プロセス間での時間的関係について説明する。

【０１００】各プロセス間での時間的関係を後述するよ
うに調整することで、磁性膜の成膜が終了してから次の
第２の誘電体膜の成膜を開始するまでの時間を最小かつ
一定とすることができる。これにより、本発明では磁性
膜の酸化を抑え、信号特性にばらつきの少ない光磁気デ
ィスク１を安定して製造することができる。

【０１０１】本実施の形態に係る成膜プロセスの時間的
関係について説明する。なお、以下の説明では、磁性膜
４を成膜する第２の成膜室６３、第３の成膜室６４及び
第４の成膜室６５におけるプロセスを抜き出し、第２の
成膜室６３を中心とした当該第２、第３及び第４の成膜
室６３，６４，６５におけるプロセスの時間的関係につ
いて述べる。

【０１０２】また、以下の説明では、各成膜室における
キャリア４０の搬入時間及び搬出時間をともに１分間と
し、第２の成膜室６３における成膜プロセスの時間を３
分間とし、１サイクルを６．５分間としたような場合を
例に挙げて説明しているが、本発明はこれに限定される
ものではない。

【０１０３】第２の成膜室６３におけるフローチャート
を図９に示す。また、第２の成膜室６３乃至第４の成膜
室６５についてのタイムチャートを図１０に示す。

【０１０４】まず、図９に示すように、第２の成膜室６
３において、当該第２の成膜室６３が空になり、キャリ
ア受け入れＯＫ状態になったことが確認される（Step
１）。

【０１０５】次に、第１の成膜室６２から第２の成膜室
６３へとキャリア４０が搬入される。（Step２）そし
て、第２の成膜室６３へのキャリア搬入の完了が確認さ
れる（Step３）。

【０１０６】ここで、第２の成膜室６３へのキャリア４
０の搬入完了が確認された後、第３の成膜室６４におい
て、当該第３の成膜室６４が空になり、キャリア受け入
れＯＫ状態になったか否かが確認される（Step４）。

【０１０７】キャリア受け入れＯＫ状態になったことが
確認されると、スパッタガスの供給がオンになり（Step
５）、パレットが回転を始める(Step６)。そして、スパ
ッタリングが行われる（Step７）。

【０１０８】所定時間のスパッタリングが完了すると、
スパッタガスの供給がオフになり（Step８）、パレット
の回転が停止する（Step９）。

【０１０９】そして、第２の成膜室６３から第３の成膜
室６４へとキャリア４０が搬出される（Step１０）。そ
して、第２の成膜室６３から第３の成膜室６４へのキャ
リア搬出完了が確認される（Step１１）。これにより、
第２の成膜室６３は第１の成膜室６２から次のキャリア
受け入れＯＫ状態となり、再び上記のStep１に戻る。

【０１１０】このように、第３の成膜室６４での成膜プ
ロセスを終えたキャリア４０が第４の成膜室６５に搬送
されて第２の成膜室６３からのキャリア受け入れが可能
になった時点で、磁性膜５３の成膜を開始することで、
磁性膜５３を成膜してから第２の誘電体膜５４を成膜す
るまでの時間を、ほぼキャリア４０の搬送時間だけとす
ることができ、磁性膜５３の成膜が終了してから次の第
２の誘電体膜５４の成膜を開始するまでの時間を、最小
かつ一定に保つことができる。これにより、本発明では
磁性膜の酸化を抑え、信号品質にばらつきの少ない光磁
気ディスク１を安定して製造することができる。

【０１１１】また、この方法によると、下流側の成膜プ
ロセスにおいてトラブルによるプロセス停止があった場
合にでも、第３の成膜室６４にキャリア４０が残ってい
ると磁性膜５３の成膜プロセスは開始しないため、特性
不良品の発生を抑えることができる。

【０１１２】また、上述した第２の実施の形態では、磁
性膜を１つのみ有し、磁性膜及び誘電体膜の組み合わせ
が単数の信号記録部を備えた光磁気ディスクを例に挙げ
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、信号記録部が磁性膜のみによって単層で形成されて
いるような構成の光磁気ディスクや、複数の磁性膜を有
し、磁性膜及び誘電体膜の組み合わせが多層構造の信号
記録部を備えた光磁気ディスクの製造についても、適用
可能である。

【０１１３】〈実験例〉つぎに、各プロセス間の時間的
関係を上述したように制御しながら光磁気ディスクを作
製し、その光磁気ディスクの特性を評価した実験例につ
いて述べる。

【０１１４】図１に示したような複数の磁性膜を有する
光磁気ディスクを、滞留時間を変えて作製した場合に、
滞留時間と出来上がった光磁気ディスクの記録パワーマ
ージンとの関係を図１１に示す。なお、図１１において
は、ディスクを複数枚作製した場合の各ディスクの特性
ばらつきをも併せて示している。

【０１１５】ここで、滞留時間とは、第１の磁性膜を成
膜してから、第２の磁性膜を成膜するまでの時間のこと
を示す。

【０１１６】また、一般的に、光磁気ディスクの記録パ
ワーとバイトエラーレートとの関係は、図１２に示すよ
うになる。そして、記録パワーを増やしていってバイト
エラーレートが一番小さくなるところが最適値となる。
バイトエラーレートの設定ポイントになる記録パワーは
２点あり、この範囲の中心値に対して±Ｘ（％）で表す
ことができる。このＸ（％）のことを記録パワーマージ
ンと定義する。

【０１１７】図１１から明らかなように、滞留時間が短
いほど、記録パワーマージンが大きくなっていることが
わかる。

【０１１８】従来の方法及び本発明の方法で光磁気ディ
スクを作製する場合の滞留時間を測定したところ、従来
の方法によれば、滞留時間は約１２０秒であった。それ
に対し、各プロセス間の時間的関係を第１の実施の形態
で述べたように制御しながら光磁気ディスクを作製した
場合においては、滞留時間は約６０秒であり、従来の方
法に比べて滞留時間を約半分に抑えることができている
ことがわかる。

【０１１９】従って、本発明を適用して光磁気ディスク
を作製することで、第１の磁性膜の成膜が終了してから
次の第２の磁性膜の成膜を開始するまでの時間を最小に
することができ、これにより、第１の磁性膜の酸化を抑
え、優れた特性を有する光磁気ディスクを得ることがで
きることがわかった。

【０１２０】また、ディスクを複数枚作製した場合の各
ディスクの特性ばらつきについては、図１１から明らか
なように、従来の方法による場合に比べて、本発明の方
法によると、ばらつきの幅が小さくなっている。

【０１２１】従って、本発明では、第１の磁性膜の成膜
が終了してから次の第２の磁性膜の成膜を開始するまで
の時間を一定に保つことができ、これにより、信号特性
にばらつきの少ない光磁気ディスクを得ることができる
ことがわかった。

【０１２２】つぎに、磁性膜を１つのみ有し、磁性膜及
び誘電体膜の組み合わせが単数の信号記録部を備えた光
磁気ディスクについても同様に、各プロセス間の時間的
関係を制御しながら光磁気ディスクを作製し、その光磁
気ディスクの特性を評価した。

【０１２３】ここで用いた光磁気ディスクは、例えばポ
リカーボネートからなる透明基板上に、ＳｉＮからなる
第１の誘電体膜と、磁性膜と、ＳｉＮからなる第２の誘
電体膜と、Ａｌからなる反射膜と、保護膜とが順次積層
されてなる。

【０１２４】滞留時間を変えてディスクを作製し、その
滞留時間と出来上がった光磁気ディスクの特性を評価し
た。ここで、滞留時間とは、磁性膜を成膜してから、第
２の誘電体膜を成膜するまでの時間のことを示す。

【０１２５】まず、滞留時間と信号ノイズ比（ＣＮＲ）
との関係を図１３に示す。ここで信号ノイズ比は、記録
信号のキャリアとノイズとの比を表す。また、滞留時間
と記録感度（Ｐｔｈ）との関係を図１４に示す。ここで
記録感度は、記録時に信号が書き込まれる最低のパワー
のことであり、最適パワーとはことなるがほぼ比例関係
にある。また、滞留時間とディスクのグルーブ部での反
射率（Ｉｇ）との関係を図１５に示す。この反射率は、
記録感度すなわち信号品質に影響する。

【０１２６】図１３から明らかなように、滞留時間が短
いほど、信号ノイズ比がが大きくなっていることがわか
る。また、図１４から明らかなように、滞留時間が短い
ほど、記録感度にばらつきの少なくなることがわかる。
また、図１５から明らかなように、滞留時間が短いほ
ど、反射率が大きくなっていることがわかる。

【０１２７】従来の方法及び本発明の方法で光磁気ディ
スクを作製する場合の滞留時間を測定したところ、従来
の方法によれば、滞留時間は約１２０秒であった。それ
に対し、各プロセス間の時間的関係を第１の実施の形態
で述べたように制御しながら光磁気ディスクを作製した
場合においては、滞留時間は３０〜６０秒であり、従来
の方法に比べて滞留時間を約半分に抑えることができて
いることがわかる。

【０１２８】従って、本発明を適用して光磁気ディスク
を作製することで、磁性膜の成膜が終了してから次の第
２の誘電体膜の成膜を開始するまでの時間を最小にする
ことができ、これにより、磁性膜の酸化を抑え、優れた
特性を有する光磁気ディスクを得ることができることが
わかった。

【０１２９】また、ディスクを複数枚作製した場合の各
ディスクの特性ばらつきについては、従来の方法による
場合に比べて、本発明の方法によると、ばらつきの幅が
小さくなっていることも確認された。

【０１３０】従って、本発明では、磁性膜の成膜が終了
してから次の第２の誘電体膜の成膜を開始するまでの時
間を一定に保つことができ、これにより、信号特性にば
らつきの少ない光磁気ディスクを得ることができること
がわかった。

【０１３１】

【発明の効果】本発明では、第２の成膜室に基板が搬入
され、所定の時間が経過してから、上記第２の成膜室に
おいて磁性膜の成膜を開始するように制御されているの
で、磁性膜の成膜が終了してから次の構成膜の成膜を開
始するまでの時間を、最小かつ一定に保つことができ
る。

【０１３２】これにより、本発明では磁性膜の酸化を抑
え、信号特性にばらつきの少ない光磁気ディスクを安定
して製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用して製造される光磁気ディスクの
一構成例を示す断面図である。

【図２】光磁気ディスクの製造装置の一構成例を示す模
式図である。

【図３】図２の製造装置のキャリアの一構成例を示す平
面図である。

【図４】図２の製造装置のキャリアの一構成例を示す側
面図である。

【図５】第１の実施の形態に係る製造プロセスについて
第２の成膜室２３におけるフローチャートである。

【図６】第１の実施の形態に係る製造プロセスについて
第２の成膜室乃至第４の成膜室についてのタイムチャー
トである。

【図７】本発明を適用して製造される光磁気ディスクの
一構成例を示す断面図である。

【図８】光磁気ディスクの製造装置の一構成例を示す模
式図である。

【図９】第２の実施の形態に係る製造プロセスについて
第２の成膜室におけるフローチャートである。

【図１０】第２の実施の形態に係る製造プロセスについ
て第２の成膜室乃至第４の成膜室においてのタイムチャ
ートである。

【図１１】滞留時間と光磁気ディスクの記録パワーマー
ジンとの関係を示す特性図である。

【図１２】光磁気ディスクの記録パワーとバイトエラー
レートとの関係を示す特性図である。

【図１３】滞留時間と信号ノイズ比との関係を示す特性
図である。

【図１４】滞留時間と記録感度との関係を示す特性図で
ある。

【図１５】滞留時間とディスクのグルーブ部での反射率
との関係を示す特性図である。

【図１６】従来の光磁気ディスクの製造装置の一構成例
を示す模式図である。

【図１７】従来の製造プロセスについて第２の成膜室に
おけるフローチャートである。

【図１８】従来の製造プロセスについて第２の成膜室乃
至第４の成膜室においてのタイムチャートである。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク、 ２ 透明基板、 ３ 第１の誘
電体膜、 ４ 第１の磁性膜、 ５ 第２の磁性膜、
６ 非磁性膜、 ７ 第３の磁性膜、 ８ 第４の磁性
膜、 ９ 第２の誘電体膜、 １０ 反射膜、 １１
保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA11 BA03 BA24 BA26 BA35 BA58 BC06 BD12 CA05 5D075 EE03 GG01 GG03 GG12 GG16

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１
   の成膜室と、 上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に磁性
   膜を成膜する第２の成膜室と、 上記第２の成膜室で成膜された磁性膜上に第２の誘電体
   膜を成膜する第３の成膜室と、 上記第３の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射
   膜を成膜する第４の成膜室とを備え、 上記第１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続して配さ
   れているとともに、上記基板は搬送手段によって上記第
   １の成膜室乃至上記第４の成膜室にわたって搬送される
   ことで当該基板上に上記第１の誘電体膜、磁性膜、第２
   の誘電体膜及び反射膜が連続して成膜されて光磁気ディ
   スクが製造されるインライン型の光磁気ディスク製造装
   置において、 上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の成膜
   室での第２の誘電体膜の成膜が終了し、当該第２の誘電
   体膜が成膜された基板が第３の成膜室から搬出されて第
   ３の成膜室が空になるまで待機し、 第３の成膜室が空になってから、上記第２の成膜室にお
   いて磁性膜の成膜を開始するように制御されていること
   を特徴とする光磁気ディスク製造装置。
2. 【請求項２】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１
   の成膜室と、 上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に磁性
   膜を成膜する第２の成膜室と、 上記第２の成膜室で成膜された磁性膜上に第２の誘電体
   膜を成膜する第３の成膜室と、 上記第３の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射
   膜を成膜する第４の成膜室とを備え、 上記第１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続して配さ
   れているとともに、上記基板は搬送手段によって上記第
   １の成膜室乃至上記第４の成膜室にわたって搬送される
   ことで当該基板上に上記第１の誘電体膜、磁性膜、第２
   の誘電体膜及び反射膜が連続して成膜されて光磁気ディ
   スクが製造されるインライン型の光磁気ディスク製造装
   置において、 上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経過し
   てから第２の成膜室において磁性膜の成膜を開始するよ
   うに制御されていることを特徴とする光磁気ディスク製
   造装置。
3. 【請求項３】 上記所定時間は、第３の成膜室乃至第４
   の成膜室における最長のタクト時間をＴ１とし、第２の
   成膜室における成膜タクト時間をＴ２としたときに、Ｔ
   １−Ｔ２であることを特徴とする請求項２記載の光磁気
   ディスク製造装置。
4. 【請求項４】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１
   の成膜室と、 上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に第１
   の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、 上記第２の成膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の
   磁性膜を成膜する第３の成膜室と、 上記第３の成膜室で成膜された第２の磁性膜上に非磁性
   膜を成膜する第４の成膜室と、 上記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第３の磁性
   膜を成膜する第５の成膜室と、 上記第５の成膜室で成膜された第３の磁性膜上に第４の
   磁性膜を成膜する第６の成膜室と、 上記第６の成膜室で成膜された第４の磁性膜上に第２の
   誘電体膜を成膜する第７の成膜室と、 上記第７の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射
   膜を成膜する第８の成膜室とを備え、 上記第１の成膜室乃至上記第８の成膜室は連続して配さ
   れているとともに、上記基板は搬送手段によって上記第
   １の成膜室乃至上記第８の成膜室にわたって搬送される
   ことで当該基板上に上記第１の誘電体膜、第１の磁性
   膜、第２の磁性膜、非磁性膜、第３の磁性膜、第４の磁
   性膜、第２の誘電体膜及び反射膜が連続して成膜されて
   光磁気ディスクが製造されるインライン型の光磁気ディ
   スク製造装置において、 上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の成膜
   室での第２の磁性膜の成膜が終了し、当該第２の磁性膜
   が成膜された基板が第３の成膜室から搬出されて第３の
   成膜室が空になるまで待機し、 第３の成膜室が空になってから、上記第２の成膜室にお
   いて第１の磁性膜の成膜を開始するように制御されてい
   ることを特徴とする光磁気ディスク製造装置。
5. 【請求項５】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１
   の成膜室と、 上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電体膜上に第１
   の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、 上記第２の成膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の
   磁性膜を成膜する第３の成膜室と、 上記第３の成膜室で成膜された第２の磁性膜上に非磁性
   膜を成膜する第４の成膜室と、 上記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第３の磁性
   膜を成膜する第５の成膜室と、 上記第５の成膜室で成膜された第３の磁性膜上に第４の
   磁性膜を成膜する第６の成膜室と、 上記第６の成膜室で成膜された第４の磁性膜上に第２の
   誘電体膜を成膜する第７の成膜室と、 上記第７の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に反射
   膜を成膜する第８の成膜室とを備え、 上記第１の成膜室乃至上記第８の成膜室は連続して配さ
   れているとともに、上記基板は搬送手段によって上記第
   １の成膜室乃至上記第８の成膜室にわたって搬送される
   ことで当該基板上に上記第１の誘電体膜、第１の磁性
   膜、第２の磁性膜、非磁性膜、第３の磁性膜、第４の磁
   性膜、第２の誘電体膜及び反射膜が連続して成膜されて
   光磁気ディスクが製造されるインライン型の光磁気ディ
   スク製造装置において、 上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経過し
   てから第２の成膜室において第１の磁性膜の成膜を開始
   するように制御されていることを特徴とする光磁気ディ
   スク製造装置。
6. 【請求項６】 上記所定時間は、第３の成膜室乃至第８
   の成膜室における最長のタクト時間をＴ１とし、第２の
   成膜室における成膜タクト時間をＴ２としたときに、Ｔ
   １−Ｔ２であることを特徴とする請求項５記載の光磁気
   ディスク製造装置。
7. 【請求項７】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１
   の成膜室と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電
   体膜上に磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の
   成膜室で成膜された磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜す
   る第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第２
   の誘電体膜上に反射膜を成膜する第４の成膜室とを備
   え、上記第１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続して
   インラインで配されているような成膜装置を用い、 上記基板は搬送手段によって上記第１の成膜室乃至上記
   第４の成膜室にわたって搬送されることで当該基板上に
   上記第１の誘電体膜、磁性膜、第２の誘電体膜及び反射
   膜を連続に成膜して光磁気ディスクとする光磁気ディス
   ク製造方法において、 上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の成膜
   室での第２の誘電体膜の成膜が終了し、当該第２の誘電
   体膜が成膜された基板が第３の成膜室から搬出されて第
   ３の成膜室が空になるまで待機し、 第３の成膜室が空になってから、上記第２の成膜室にお
   いて磁性膜の成膜を開始することを特徴とする光磁気デ
   ィスク製造方法。
8. 【請求項８】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第１
   の成膜室と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘電
   体膜上に磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上記第２の
   成膜室で成膜された磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜す
   る第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成膜された第２
   の誘電体膜上に反射膜を成膜する第４の成膜室とを備
   え、上記第１の成膜室乃至上記第４の成膜室は連続して
   インラインで配されているような成膜装置を用い、 上記基板は搬送手段によって上記第１の成膜室乃至上記
   第４の成膜室にわたって搬送されることで当該基板上に
   上記第１の誘電体膜、磁性膜、第２の誘電体膜及び反射
   膜を連続に成膜して光磁気ディスクとする光磁気ディス
   ク製造方法において、 上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経過し
   てから第２の成膜室において磁性膜の成膜を開始するこ
   とを特徴とする光磁気ディスク製造方法。
9. 【請求項９】 上記所定時間は、第３の成膜室乃至第４
   の成膜室における最長のタクト時間をＴ１とし、第１の
   成膜室における成膜タクト時間をＴ２としたときに、Ｔ
   １−Ｔ２であることを特徴とする請求項８記載の光磁気
   ディスク製造方法。
10. 【請求項１０】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第
    １の成膜室と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘
    電体膜上に第１の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上
    記第２の成膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の磁
    性膜を成膜する第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成
    膜された第２の磁性膜上に非磁性膜を成膜する第４の成
    膜室と、上記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第
    ３の磁性膜を成膜する第５の成膜室と、上記第５の成膜
    室で成膜された第３の磁性膜上に第４の磁性膜を成膜す
    る第６の成膜室と、上記第６の成膜室で成膜された第４
    の磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜する第７の成膜室
    と、上記第７の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に
    反射膜を成膜する第８の成膜室とを備え、上記第１の成
    膜室乃至上記第８の成膜室は連続してインラインで配さ
    れているような成膜装置を用い、 上記基板は搬送手段によって上記第１の成膜室乃至上記
    第８の成膜室にわたって搬送されることで当該基板上に
    上記第１の誘電体膜、第１の磁性膜、第２の磁性膜、非
    磁性膜、第３の磁性膜、第４の磁性膜、第２の誘電体膜
    及び反射膜を連続に成膜して光磁気ディスクとする光磁
    気ディスク製造方法において、 上記第２の成膜室に基板が搬入されてから、第３の成膜
    室での第２の磁性膜の成膜が終了し、当該第２の磁性膜
    が成膜された基板が第３の成膜室から搬出されて第３の
    成膜室が空になるまで待機し、 第３の成膜室が空になってから、上記第２の成膜室にお
    いて第１の磁性膜の成膜を開始することを特徴とする光
    磁気ディスク製造方法。
11. 【請求項１１】 基板上に第１の誘電体膜を成膜する第
    １の成膜室と、上記第１の成膜室で成膜された第１の誘
    電体膜上に第１の磁性膜を成膜する第２の成膜室と、上
    記第２の成膜室で成膜された第１の磁性膜上に第２の磁
    性膜を成膜する第３の成膜室と、上記第３の成膜室で成
    膜された第２の磁性膜上に非磁性膜を成膜する第４の成
    膜室と、上記第４の成膜室で成膜された非磁性膜上に第
    ３の磁性膜を成膜する第５の成膜室と、上記第５の成膜
    室で成膜された第３の磁性膜上に第４の磁性膜を成膜す
    る第６の成膜室と、上記第６の成膜室で成膜された第４
    の磁性膜上に第２の誘電体膜を成膜する第７の成膜室
    と、上記第７の成膜室で成膜された第２の誘電体膜上に
    反射膜を成膜する第８の成膜室とを備え、上記第１の成
    膜室乃至上記第８の成膜室は連続してインラインで配さ
    れているような成膜装置を用い、 上記基板は搬送手段によって上記第１の成膜室乃至上記
    第８の成膜室にわたって搬送されることで当該基板上に
    上記第１の誘電体膜、第１の磁性膜、第２の磁性膜、非
    磁性膜、第３の磁性膜、第４の磁性膜、第２の誘電体膜
    及び反射膜を連続に成膜して光磁気ディスクとする光磁
    気ディスク製造方法において、 上記第２の成膜室に基板が搬入され、所定時間が経過し
    てから第２の成膜室において第１の磁性膜の成膜を開始
    することを特徴とする光磁気ディスク製造方法。
12. 【請求項１２】 上記所定時間は、第３の成膜室乃至第
    ８の成膜室における最長のタクト時間をＴ１とし、第２
    の成膜室における成膜タクト時間をＴ２としたときに、
    Ｔ１−Ｔ２であることを特徴とする請求項１１記載の光
    磁気ディスク製造方法。