JP2002328399A - 液晶表示素子およびその駆動方法 - Google Patents
液晶表示素子およびその駆動方法Info
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- JP2002328399A JP2002328399A JP2002033667A JP2002033667A JP2002328399A JP 2002328399 A JP2002328399 A JP 2002328399A JP 2002033667 A JP2002033667 A JP 2002033667A JP 2002033667 A JP2002033667 A JP 2002033667A JP 2002328399 A JP2002328399 A JP 2002328399A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ＯＣＢ型液晶表示素子では転移が確実でない
と輝点欠陥が発生する課題があった。 【解決手段】液晶表示装置の一対の基板１０２の一方
は、複数の画素電極２０４と、前記各画素電極に形成さ
れたＴＦＴ２０３と、前記ＴＦＴを動作させるためのゲ
ートライン２０２と、前記各画素電極に書き込むデータ
を供給するソース信号線２０１とを備え、前記ソース信
号線上には樹脂層が形成され、前記樹脂層上に前記各画
素電極が形成されており、前記他方の基板は対向電極２
０６を備え、前記対向電極と前記各画素電極との間に電
界を印加されると共に隣接する２つの前記画素電極には
逆極性の電圧が印加されることにより前記転移が行われ
る。
と輝点欠陥が発生する課題があった。 【解決手段】液晶表示装置の一対の基板１０２の一方
は、複数の画素電極２０４と、前記各画素電極に形成さ
れたＴＦＴ２０３と、前記ＴＦＴを動作させるためのゲ
ートライン２０２と、前記各画素電極に書き込むデータ
を供給するソース信号線２０１とを備え、前記ソース信
号線上には樹脂層が形成され、前記樹脂層上に前記各画
素電極が形成されており、前記他方の基板は対向電極２
０６を備え、前記対向電極と前記各画素電極との間に電
界を印加されると共に隣接する２つの前記画素電極には
逆極性の電圧が印加されることにより前記転移が行われ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶テレビ、液晶
モニター等に用いられる液晶表示素子に関するものであ
る。
モニター等に用いられる液晶表示素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子はＴＮ型液晶表示素
子が一般的に用いられてきた。
子が一般的に用いられてきた。
【０００３】また高速応答を特徴とする液晶表示素子と
して、ＯＣＢ型表示素子が検討されている。ＯＣＢ型液
晶表示素子は「社団法人電気通信学会 信学技報 EDI9
8-144 199頁」を参考にされたい。
して、ＯＣＢ型表示素子が検討されている。ＯＣＢ型液
晶表示素子は「社団法人電気通信学会 信学技報 EDI9
8-144 199頁」を参考にされたい。
【０００４】このＯＣＢ型液晶表示素子は基板間に液晶
が挟持されており、この基板上には電圧印加手段として
透明電極が形成されている。電源を入れる前の状態では
この液晶の配向状態はスプレイ配向と呼ばれる状態をな
している。この機器の電源を入れる時などに、この電圧
印加手段に比較的大きな電圧を短時間に印加して、液晶
の配向をベンド配向状態に転移させる。このベンド配向
状態を用いて表示を行うことがＯＣＢ型液晶表示モード
の特徴である。
が挟持されており、この基板上には電圧印加手段として
透明電極が形成されている。電源を入れる前の状態では
この液晶の配向状態はスプレイ配向と呼ばれる状態をな
している。この機器の電源を入れる時などに、この電圧
印加手段に比較的大きな電圧を短時間に印加して、液晶
の配向をベンド配向状態に転移させる。このベンド配向
状態を用いて表示を行うことがＯＣＢ型液晶表示モード
の特徴である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＯＣＢ型液晶表示素子
では、この転移が確実でなく、スプレイ配向のままの画
素が残留すると輝点欠陥のように見える問題があった。
では、この転移が確実でなく、スプレイ配向のままの画
素が残留すると輝点欠陥のように見える問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明に係る液晶表示素子は、一対の基板と一対の基板の間
に挟まれた液晶とを備え、液晶の電圧を印加しないとき
のゼロ電圧配向状態と、表示状態で用いる表示配向状態
とが異なり、ゼロ電圧配向状態から表示配向状態に転移
させて表示を行う液晶表示素子であって、一対の基板の
一方は、複数の画素電極と、各画素電極に形成されたＴ
ＦＴと、ＴＦＴを動作させるためのゲートラインと、各
画素電極に書き込むデータを供給するソース信号線とを
備え、ソース信号線上には樹脂層が形成され、樹脂層上
に各画素電極が形成されており、他方の基板は対向電極
を備え、対向電極と各画素電極との間に電界を印加され
ると共に隣接する２つの画素電極には逆極性の電圧が印
加されることにより転移が行われる。
明に係る液晶表示素子は、一対の基板と一対の基板の間
に挟まれた液晶とを備え、液晶の電圧を印加しないとき
のゼロ電圧配向状態と、表示状態で用いる表示配向状態
とが異なり、ゼロ電圧配向状態から表示配向状態に転移
させて表示を行う液晶表示素子であって、一対の基板の
一方は、複数の画素電極と、各画素電極に形成されたＴ
ＦＴと、ＴＦＴを動作させるためのゲートラインと、各
画素電極に書き込むデータを供給するソース信号線とを
備え、ソース信号線上には樹脂層が形成され、樹脂層上
に各画素電極が形成されており、他方の基板は対向電極
を備え、対向電極と各画素電極との間に電界を印加され
ると共に隣接する２つの画素電極には逆極性の電圧が印
加されることにより転移が行われる。
【０００７】ドット反転駆動により隣接する２つの画素
電極に逆極性の電圧が印加されることが好ましい。
電極に逆極性の電圧が印加されることが好ましい。
【０００８】隣接する２つの画素電極の間に横電界が直
接印加されることが好ましい。
接印加されることが好ましい。
【０００９】横電界により液晶に異なる方向の２種類の
ツイスト配向が形成されることが好ましい。
ツイスト配向が形成されることが好ましい。
【００１０】転移が行われる直前には液晶に電圧が印加
されないことが好ましい。
されないことが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】これまでに我々は転移の発生を確
実化するための転移核を形成する手法を検討してきた。
特願２０００−２９５７５６号（従来例１と称す）にお
いて、局所的にツイスト配向を形成することで転移の核
となることを見出し、これを提案した。またこのツイス
ト領域を形成するために横方向電界を印加する方式も提
案した。
実化するための転移核を形成する手法を検討してきた。
特願２０００−２９５７５６号（従来例１と称す）にお
いて、局所的にツイスト配向を形成することで転移の核
となることを見出し、これを提案した。またこのツイス
ト領域を形成するために横方向電界を印加する方式も提
案した。
【００１２】本発明では、横方向電界を印加しながら転
移させるために必要な液晶表示素子の駆動方式、画素構
造を提供する。
移させるために必要な液晶表示素子の駆動方式、画素構
造を提供する。
【００１３】以下、発明の実施の形態における表示装置
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００１４】ＯＣＢ型液晶表示素子は、上下基板にラビ
ング処理を行い、この方向を平行にすることを基本的な
構成としている。この素子において、初期の電圧を印加
しない状態では液晶分子がほぼ平行に並んだスプレイ配
向状態にある（図１（ａ））。図１が本液晶表示素子の
構成を示す概念図である。液晶１０１が基板（１０２）
間に挟持されており、その基板の外側に位相差板１０
３、偏光板１０４を有している。
ング処理を行い、この方向を平行にすることを基本的な
構成としている。この素子において、初期の電圧を印加
しない状態では液晶分子がほぼ平行に並んだスプレイ配
向状態にある（図１（ａ））。図１が本液晶表示素子の
構成を示す概念図である。液晶１０１が基板（１０２）
間に挟持されており、その基板の外側に位相差板１０
３、偏光板１０４を有している。
【００１５】電圧を印加しない状態では液晶はスプレイ
配向をしている（図１（ａ））。ここで基板には配向処
理を施すがこれは液晶分子が図のように並ぶようにパラ
レル配向処理とした。この液晶の配向を表示に用いるベ
ンド配向状態に転移させる（図１（ｂ））。この転移を
行なうために、比較的大きな転移電圧、例えば２５ｖ程
度、を液晶層に印加した。
配向をしている（図１（ａ））。ここで基板には配向処
理を施すがこれは液晶分子が図のように並ぶようにパラ
レル配向処理とした。この液晶の配向を表示に用いるベ
ンド配向状態に転移させる（図１（ｂ））。この転移を
行なうために、比較的大きな転移電圧、例えば２５ｖ程
度、を液晶層に印加した。
【００１６】このようにＯＣＢ型液晶表示素子は基板と
液晶を有し、液晶に電圧を印加することで表示を行い、
前記液晶の電圧を印加しないときのゼロ電圧配向状態
と、表示状態で用いる表示配向状態とが異なり、前記ゼ
ロ電圧配向状態から表示配向状態に転移電圧を印加する
ことによって転移させる液晶表示素子の一種である。
液晶を有し、液晶に電圧を印加することで表示を行い、
前記液晶の電圧を印加しないときのゼロ電圧配向状態
と、表示状態で用いる表示配向状態とが異なり、前記ゼ
ロ電圧配向状態から表示配向状態に転移電圧を印加する
ことによって転移させる液晶表示素子の一種である。
【００１７】本実施例で用いたアクティブマトリクス基
板の構成について図２を用いて説明する。図２は1つの
画素について拡大説明したものである。液晶表示素子に
は複数の画素電極204が形成され、この画素電極204には
ＴＦＴトランジスタ203を形成した。このトランジスタ
を動作させるためのゲートライン202をパネル横方向
に、画素電極に書き込むデータを供給するソース信号線
201をパネル縦方向にマトリクス状に形成した。
板の構成について図２を用いて説明する。図２は1つの
画素について拡大説明したものである。液晶表示素子に
は複数の画素電極204が形成され、この画素電極204には
ＴＦＴトランジスタ203を形成した。このトランジスタ
を動作させるためのゲートライン202をパネル横方向
に、画素電極に書き込むデータを供給するソース信号線
201をパネル縦方向にマトリクス状に形成した。
【００１８】（実施例１）このソースラインと画素電極
間に電界を印加する。このソースラインと画素電極間を
図３のように屈曲することが特徴である。このように屈
曲していることで、図中２方向の矢印のように液晶が２
種類の方向に配列し、この２つの領域の接触する個所か
ら転移が発生する。
間に電界を印加する。このソースラインと画素電極間を
図３のように屈曲することが特徴である。このように屈
曲していることで、図中２方向の矢印のように液晶が２
種類の方向に配列し、この２つの領域の接触する個所か
ら転移が発生する。
【００１９】電源投入時に前述したベンド転移を発生さ
せるために、対向電極に転移波形を印加した。このとき
の駆動波形は図４に示すような波形を印加した。転移波
形は対向電極に４０１のような波形を印加した。本実施
例では−２５V、1秒のパルスを印加した。もちろん、こ
の波形を複数回繰り返してもよく、こうすることで転移
の確実性はさらに増す。ただし初期化に要する時間は長
くなる。この転移波形を印加する際に、ゲート波形には
４０２のような波形を印加した。転移波形が印加される
期間において、本実施例での非線型素子たるTFTトラン
ジスタをＯＮさせるべくゲートレベルをＨにした。これ
によって全画面における画素電極とソース信号線は電気
的に導通状態になる。また転移波形が印加している期間
にソース信号線には４０３または４０４の３０Ｈｚ、±
７Ｖの矩形波を印加した。このとき複数あるソースライ
ンには交互に正負の逆符号の信号波形を印加した。これ
はカラム反転駆動をしながらゲートを全ラインＯＮにす
る駆動ということができる。
せるために、対向電極に転移波形を印加した。このとき
の駆動波形は図４に示すような波形を印加した。転移波
形は対向電極に４０１のような波形を印加した。本実施
例では−２５V、1秒のパルスを印加した。もちろん、こ
の波形を複数回繰り返してもよく、こうすることで転移
の確実性はさらに増す。ただし初期化に要する時間は長
くなる。この転移波形を印加する際に、ゲート波形には
４０２のような波形を印加した。転移波形が印加される
期間において、本実施例での非線型素子たるTFTトラン
ジスタをＯＮさせるべくゲートレベルをＨにした。これ
によって全画面における画素電極とソース信号線は電気
的に導通状態になる。また転移波形が印加している期間
にソース信号線には４０３または４０４の３０Ｈｚ、±
７Ｖの矩形波を印加した。このとき複数あるソースライ
ンには交互に正負の逆符号の信号波形を印加した。これ
はカラム反転駆動をしながらゲートを全ラインＯＮにす
る駆動ということができる。
【００２０】このような駆動方法を用いると、隣接する
画素のソース信号線と画素電極の間に横電界を印加する
ことができる。このときの横電界は１４Ｖであり、本実
施例では画素電極の右端とソース信号線との間で強力な
横電界を印加することができる。
画素のソース信号線と画素電極の間に横電界を印加する
ことができる。このときの横電界は１４Ｖであり、本実
施例では画素電極の右端とソース信号線との間で強力な
横電界を印加することができる。
【００２１】本発明の特徴は、転移電圧印加手段の動作
時において、前記複数のソース信号線の隣接するソース
信号線には互いに逆符号の電圧を印加することと、ゲー
ト線に前記非線型素子たるＴＦＴを導通状態に保つ信号
を印加することにある。
時において、前記複数のソース信号線の隣接するソース
信号線には互いに逆符号の電圧を印加することと、ゲー
ト線に前記非線型素子たるＴＦＴを導通状態に保つ信号
を印加することにある。
【００２２】本発明では基準電位を０Ｖとして正負なり
逆符合電圧なりを定義しているが、これに限るものでは
ない。例えば、基準電位を絶対電位の＋７Ｖにおき、０
Ｖと＋１４Ｖの間で駆動しても良い。これは基準電位を
どこに設定するかだけの問題である。一般に基準電位は
表示状態の対向電極Ｖｃｏｍの電位と考えて良く、０Ｖ
−１４Ｖの駆動を行う場合、表示状態のＶｃｏｍ電位は
約７Ｖとするのが通常である。ここで基準電位に対して
の電位を考慮すれば良い。
逆符合電圧なりを定義しているが、これに限るものでは
ない。例えば、基準電位を絶対電位の＋７Ｖにおき、０
Ｖと＋１４Ｖの間で駆動しても良い。これは基準電位を
どこに設定するかだけの問題である。一般に基準電位は
表示状態の対向電極Ｖｃｏｍの電位と考えて良く、０Ｖ
−１４Ｖの駆動を行う場合、表示状態のＶｃｏｍ電位は
約７Ｖとするのが通常である。ここで基準電位に対して
の電位を考慮すれば良い。
【００２３】また、この転移波形を印加する直前には、
液晶層、すなわち画素電極と対向電極間に電界を印加し
ないことが望ましい。これを実現するために、対向電
極、ソース信号線ともに０Ｖとした。このようにするこ
とで、液晶層に電圧を印加せず液晶の分子配列を対称な
初期配向状態に保つことが重要である。もし、横電界を
転移電圧に先行して印加していると、液晶層に横電界か
ら派生した電圧（本実施例では７Ｖ）が印加されるた
め、スプレイ配向が基板表面近傍に移行した局所安定状
態に落ち込み、これによって転移がしにくくなることを
見出した。よって重要なのは、転移波形を印加する直前
は液晶層に電圧を印加しないこと。そのためには横電界
を印加する電界も転移波形と同時に印加することが望ま
しい。ただし、厳密な検討では、横電界は転移波形より
もわずかに早く印加したほうが転移しやすい現象が見ら
れた。これは横電界で異なる方向の２種類のツイスト配
向を確実に形成した後に転移電圧を印加する意図であ
る。しかし、横電界を印加した後、転移電圧を印加する
までの時間は０．１秒以下であることが必要であり、望
ましくは０．０５秒以下であった。
液晶層、すなわち画素電極と対向電極間に電界を印加し
ないことが望ましい。これを実現するために、対向電
極、ソース信号線ともに０Ｖとした。このようにするこ
とで、液晶層に電圧を印加せず液晶の分子配列を対称な
初期配向状態に保つことが重要である。もし、横電界を
転移電圧に先行して印加していると、液晶層に横電界か
ら派生した電圧（本実施例では７Ｖ）が印加されるた
め、スプレイ配向が基板表面近傍に移行した局所安定状
態に落ち込み、これによって転移がしにくくなることを
見出した。よって重要なのは、転移波形を印加する直前
は液晶層に電圧を印加しないこと。そのためには横電界
を印加する電界も転移波形と同時に印加することが望ま
しい。ただし、厳密な検討では、横電界は転移波形より
もわずかに早く印加したほうが転移しやすい現象が見ら
れた。これは横電界で異なる方向の２種類のツイスト配
向を確実に形成した後に転移電圧を印加する意図であ
る。しかし、横電界を印加した後、転移電圧を印加する
までの時間は０．１秒以下であることが必要であり、望
ましくは０．０５秒以下であった。
【００２４】転移波形を印加する以前に液晶層に印加さ
れる電圧は完全に０であることが理想的であるが、実際
的には０．３Ｖ以下であれば問題なかった。
れる電圧は完全に０であることが理想的であるが、実際
的には０．３Ｖ以下であれば問題なかった。
【００２５】また本検討によれば、ソース信号線の電圧
を３０Ｈｚで変化させることによって転移が向上した。
このソース電圧の周波数は、本実施例では表示周波数と
した。これは最も簡易に電圧を変化させることのできる
手法であるからである。この３０Ｈｚの周波数には特に
意味はないが、このように電界を変動させることで、液
晶層に印加する電圧は、ＤＣバイアスされた交番電界を
印加することになり、この交番電界成分による擾乱によ
って転移が良好に進行したものと考えられる。この擾乱
は振幅幅が３Ｖ以上で効果があった。本実施の形態で
は、ソースドライバの最大振幅を印加し、これは±７Ｖ
であった。本実施の形態では、横電界の印加をソースド
ライバので行っている。このとき横電圧が大きいほど転
移が良好である結果が得られている。そこで本発明では
耐圧１５Ｖのソースドライバを使用し、これを±７Ｖで
使用することで最大の効果を発揮させた。さらにこのと
きには１４Ｖの電圧変動が発生するため、これによって
さらに転移を効率良く発生させることができた。
を３０Ｈｚで変化させることによって転移が向上した。
このソース電圧の周波数は、本実施例では表示周波数と
した。これは最も簡易に電圧を変化させることのできる
手法であるからである。この３０Ｈｚの周波数には特に
意味はないが、このように電界を変動させることで、液
晶層に印加する電圧は、ＤＣバイアスされた交番電界を
印加することになり、この交番電界成分による擾乱によ
って転移が良好に進行したものと考えられる。この擾乱
は振幅幅が３Ｖ以上で効果があった。本実施の形態で
は、ソースドライバの最大振幅を印加し、これは±７Ｖ
であった。本実施の形態では、横電界の印加をソースド
ライバので行っている。このとき横電圧が大きいほど転
移が良好である結果が得られている。そこで本発明では
耐圧１５Ｖのソースドライバを使用し、これを±７Ｖで
使用することで最大の効果を発揮させた。さらにこのと
きには１４Ｖの電圧変動が発生するため、これによって
さらに転移を効率良く発生させることができた。
【００２６】またこの擾乱の周波数は３０Ｈｚに限るも
のではない。本検討によれば、１Ｈｚから１００ｋＨｚ
で効果が見られた。ただし本発明では、液晶表示素子が
通常に有している通常表示駆動の機構と兼用することで
システムの合理化を図った。このとき周波数はフィール
ド周波数と同じとなる。本実施例ではこの周波数が３０
Ｈｚであった。
のではない。本検討によれば、１Ｈｚから１００ｋＨｚ
で効果が見られた。ただし本発明では、液晶表示素子が
通常に有している通常表示駆動の機構と兼用することで
システムの合理化を図った。このとき周波数はフィール
ド周波数と同じとなる。本実施例ではこの周波数が３０
Ｈｚであった。
【００２７】また横電界を効率的に印加するためには、
ピッチが電極間隔以上であることが必要であった。ピッ
チが小さすぎると斜め方向に電界が良好に印加されず、
全体的に平行な電気力線分布になるためである。また、
前記屈曲しているピッチが前記電極間隔の2倍以上であ
ることが望ましい。
ピッチが電極間隔以上であることが必要であった。ピッ
チが小さすぎると斜め方向に電界が良好に印加されず、
全体的に平行な電気力線分布になるためである。また、
前記屈曲しているピッチが前記電極間隔の2倍以上であ
ることが望ましい。
【００２８】また横電界を印加する電極間隔は近すぎる
と製造プロセス上の困難が発生するため前記ソース電極
と画素電極の間隔が3ミクロン以上であることが必要で
あった。また遠すぎると電界が弱くなるため、転移を良
好にするためにはソース電極と画素電極の間隔が６ミク
ロン以下であることが望ましかった。
と製造プロセス上の困難が発生するため前記ソース電極
と画素電極の間隔が3ミクロン以上であることが必要で
あった。また遠すぎると電界が弱くなるため、転移を良
好にするためにはソース電極と画素電極の間隔が６ミク
ロン以下であることが望ましかった。
【００２９】また、この屈曲角度が大きいと転移が良好
に発生しなかった。１４０度では90度の転移確率の半分
であった。実用的には120度以下である必要があった。
また角度が鋭角すぎると転移は発生しやすいが、合わせ
ずれに弱い問題があり実用上には６５度以上である必要
があった。図では90°として表記している。
に発生しなかった。１４０度では90度の転移確率の半分
であった。実用的には120度以下である必要があった。
また角度が鋭角すぎると転移は発生しやすいが、合わせ
ずれに弱い問題があり実用上には６５度以上である必要
があった。図では90°として表記している。
【００３０】（実施の形態２）本実施の形態では、この
ソースラインと画素電極間に電界を印加するが、画素電
極の両側で転移を発生させることができた。実施の形態
１では、画素電極の右側のみで転移を発生させた。
ソースラインと画素電極間に電界を印加するが、画素電
極の両側で転移を発生させることができた。実施の形態
１では、画素電極の右側のみで転移を発生させた。
【００３１】画素構造は実施の形態１と同様である。本
実施の形態では図５のような駆動波形を印加した。対向
電圧は同様に５０１の波形を印加した。このときゲート
信号線５０２には転移中も通常動作を行った。ここでゲ
ートを全ｏｎしないことから、ソース信号線には本実施
の形態では２３ｋＨｚ（５０４）の矩形波を印加した。
これはドット反転駆動を用いた場合の駆動波形と同じも
のである。このとき、画素電極電圧は1フィールドだけ
保持されるため、３０Ｈｚの矩形波（５０３）となる。
実施の形態では図５のような駆動波形を印加した。対向
電圧は同様に５０１の波形を印加した。このときゲート
信号線５０２には転移中も通常動作を行った。ここでゲ
ートを全ｏｎしないことから、ソース信号線には本実施
の形態では２３ｋＨｚ（５０４）の矩形波を印加した。
これはドット反転駆動を用いた場合の駆動波形と同じも
のである。このとき、画素電極電圧は1フィールドだけ
保持されるため、３０Ｈｚの矩形波（５０３）となる。
【００３２】ソースラインが２３ｋＨｚの高周波矩形波
であり、画素電極が３０Ｈｚの矩形波であるため、この
ときソース信号線の両側では横電界が発生する。これに
よって転移の発生個所は2倍になる。ただし、実効的な
横電界振幅が低下するため一箇所から発生する転移確率
は実施の形態１よりも低下した。
であり、画素電極が３０Ｈｚの矩形波であるため、この
ときソース信号線の両側では横電界が発生する。これに
よって転移の発生個所は2倍になる。ただし、実効的な
横電界振幅が低下するため一箇所から発生する転移確率
は実施の形態１よりも低下した。
【００３３】本実施の形態の駆動方法の特徴は、複数の
ソース信号線の隣接するソース信号線には互いに逆符号
の電圧を印加することを特徴とし、前記ゲート線を時系
列に順次走査する表示方式を行うことを特徴とし、順次
走査のたびに逆符号の電圧をソース信号線に印加するこ
とを特徴とする液晶表示素子の駆動方法である。
ソース信号線の隣接するソース信号線には互いに逆符号
の電圧を印加することを特徴とし、前記ゲート線を時系
列に順次走査する表示方式を行うことを特徴とし、順次
走査のたびに逆符号の電圧をソース信号線に印加するこ
とを特徴とする液晶表示素子の駆動方法である。
【００３４】本発明では基準電位を０Ｖとして正負を定
義しているが、これに限るものではない。例えば、基準
電位を絶対電位の＋７Ｖにおき、０Ｖと＋１４Ｖの間で
駆動しても良い。これは基準電位をどこに設定するかだ
けの問題である。一般に基準電位は表示状態の対向電極
Ｖｃｏｍの電位と考えて良く、０Ｖ−１４Ｖの駆動を行
う場合、表示状態のＶｃｏｍ電位は約７Ｖとするのが通
常である。
義しているが、これに限るものではない。例えば、基準
電位を絶対電位の＋７Ｖにおき、０Ｖと＋１４Ｖの間で
駆動しても良い。これは基準電位をどこに設定するかだ
けの問題である。一般に基準電位は表示状態の対向電極
Ｖｃｏｍの電位と考えて良く、０Ｖ−１４Ｖの駆動を行
う場合、表示状態のＶｃｏｍ電位は約７Ｖとするのが通
常である。
【００３５】本発明はこれに限るものではない。もちろ
ん、この波形を複数回繰り返してもよく、こうすること
で転移の確実性はさらに増す。ただし初期化に要する時
間は長くなる。また、本実施の形態ではドット反転駆動
の機構をそのまま利用したがこれに限るものでもない。
ここで２３ｋＨｚは1走査に要する時間で交互に電圧符
号を変化させた場合である。周波数は任意である。また
横電界の振幅は±７Ｖとしたが、これは本実施の形態で
用いたソースドライバの最大振幅である。基本的に横電
界を強くすると転移は確実化するが、消費電力は増加す
る。また対向電圧も−２５Ｖに限るものではなく、低消
費電力を狙うならば低電圧化が、転移の確実化を狙うな
らば高電圧が望ましい。
ん、この波形を複数回繰り返してもよく、こうすること
で転移の確実性はさらに増す。ただし初期化に要する時
間は長くなる。また、本実施の形態ではドット反転駆動
の機構をそのまま利用したがこれに限るものでもない。
ここで２３ｋＨｚは1走査に要する時間で交互に電圧符
号を変化させた場合である。周波数は任意である。また
横電界の振幅は±７Ｖとしたが、これは本実施の形態で
用いたソースドライバの最大振幅である。基本的に横電
界を強くすると転移は確実化するが、消費電力は増加す
る。また対向電圧も−２５Ｖに限るものではなく、低消
費電力を狙うならば低電圧化が、転移の確実化を狙うな
らば高電圧が望ましい。
【００３６】本実施の形態においても、転移波形が印加
される直前には液晶層に電圧が印加されない期間を設
け、転移を向上させた。
される直前には液晶層に電圧が印加されない期間を設
け、転移を向上させた。
【００３７】（実施の形態３）本実施の形態では、平坦
化構造を用いることで、画素電極と画素電極間に横電界
を印加した。平坦化構造とはソース信号線等の形成した
後に、比較的厚い樹脂層を形成し、その樹脂層上に画素
電極を形成する構造である。これによって隣接する画素
電極を近接して形成できることが特徴となる。これによ
って画素電極間に横電界を直接印加することができる。
このときの駆動波形は実施の形態２と同様である。ここ
で駆動方式はドット反転駆動とし、隣接する画素には逆
極性の電圧が印加できるようにした。
化構造を用いることで、画素電極と画素電極間に横電界
を印加した。平坦化構造とはソース信号線等の形成した
後に、比較的厚い樹脂層を形成し、その樹脂層上に画素
電極を形成する構造である。これによって隣接する画素
電極を近接して形成できることが特徴となる。これによ
って画素電極間に横電界を直接印加することができる。
このときの駆動波形は実施の形態２と同様である。ここ
で駆動方式はドット反転駆動とし、隣接する画素には逆
極性の電圧が印加できるようにした。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、転移が確
実となり輝点欠陥の少ない液晶表示素子を提供すること
ができる。
実となり輝点欠陥の少ない液晶表示素子を提供すること
ができる。
【図１】本発明の液晶表示素子を示す断面図
【図２】本発明の液晶表示素子の画素構造を示す概念図
【図３】本発明の一実施の形態の画素構造を示す概念図
【図４】本発明の液晶表示素子における基本的な印加波
形を示す概念図
形を示す概念図
【図５】本発明の液晶表示素子における基本的な印加波
形を示す概念図
形を示す概念図
【図６】本発明の一実施の形態の画素構造を示す概念図
１０１ 液晶 １０２ 基板 １０３ 位相差板 １０４ 偏光板 ２０１ ソース信号線 ２０２ ゲート信号線 ２０３ ＴＦＴトランジスタ ２０４ 画素電極 ２０５ 補助容量 ２０６ 対向電極 ２０７ 液晶層 ４０１ 対向電極波形 ４０２ ゲート信号線波形 ４０３ ソース信号線波形 ４０４ ソース信号線波形 ５０１ 対向電極波形 ５０２ ゲート信号線波形 ５０３ 画素電極波形 ５０４ ソース信号線波形
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６８０ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６８０Ｈ ５Ｃ０８０ 3/36 3/36 (72)発明者 石原 將市 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田中 好紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 服部 勝治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上村 強 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 分元 博文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 津田 圭介 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田窪 米治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 鈴木 大一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 木村 雅典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 深海 徹夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 山北 裕文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 塩田 昭教 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 HA02 HA08 MA04 2H090 HD05 LA01 LA04 MA04 MA15 2H092 GA17 JA24 JB56 NA01 PA01 PA02 PA06 2H093 NA16 NA42 NC34 ND09 NE01 NE02 NE03 NE04 5C006 AC24 AC25 AC26 BA19 BB16 5C080 AA10 BB05 DD01 DD09 FF11 FF12 JJ02 JJ04 JJ06
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の基板と前記一対の基板の間に挟ま
れた液晶とを備え、前記液晶の電圧を印加しないときの
ゼロ電圧配向状態と、表示状態で用いる表示配向状態と
が異なり、前記ゼロ電圧配向状態から前記表示配向状態
に転移させて表示を行う液晶表示素子であって、前記一
対の基板の一方は、 複数の画素電極と、 前記各画素電極に形成されたＴＦＴと、 前記ＴＦＴを動作させるためのゲートラインと、 前記各画素電極に書き込むデータを供給するソース信号
線とを備え、 前記ソース信号線上には樹脂層が形成され、前記樹脂層
上に前記各画素電極が形成されており、前記他方の基板
は対向電極を備え、 前記対向電極と前記各画素電極との間に電界を印加され
ると共に隣接する２つの前記画素電極には逆極性の電圧
が印加されることにより前記転移が行われる、液晶表示
装置。 - 【請求項２】 ドット反転駆動により隣接する２つの前
記画素電極に逆極性の電圧が印加される、請求項１に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 隣接する２つの前記画素電極の間に横電
界が直接印加される、請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記横電界により前記液晶に異なる方向
の２種類のツイスト配向が形成される、請求項３に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記転移が行われる直前には前記液晶に
電圧が印加されない、請求項１に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002033667A JP3319467B1 (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 液晶表示素子およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002033667A JP3319467B1 (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 液晶表示素子およびその駆動方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001001077A Division JP4564178B2 (ja) | 2000-12-19 | 2001-01-09 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3319467B1 JP3319467B1 (ja) | 2002-09-03 |
| JP2002328399A true JP2002328399A (ja) | 2002-11-15 |
Family
ID=19192540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002033667A Expired - Fee Related JP3319467B1 (ja) | 2002-02-12 | 2002-02-12 | 液晶表示素子およびその駆動方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319467B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100768196B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2007-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Ｏｃｂ 액정표시패널의 전이구동방법 및 그 장치 |
| JP2009058793A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の駆動方法、液晶駆動用集積回路装置および電子機器 |
| US7629953B2 (en) | 2005-04-27 | 2009-12-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| US7907240B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-03-15 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal device and electronic apparatus having a liquid crystal layer of varying thickness |
| US8004642B2 (en) | 2007-03-01 | 2011-08-23 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device comprising transition electrodes having a same potential as a corresponding one of the scanning lines |
-
2002
- 2002-02-12 JP JP2002033667A patent/JP3319467B1/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7629953B2 (en) | 2005-04-27 | 2009-12-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| KR100768196B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2007-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Ｏｃｂ 액정표시패널의 전이구동방법 및 그 장치 |
| US7907240B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-03-15 | Seiko Epson Corporation | Transflective liquid crystal device and electronic apparatus having a liquid crystal layer of varying thickness |
| US8004642B2 (en) | 2007-03-01 | 2011-08-23 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device comprising transition electrodes having a same potential as a corresponding one of the scanning lines |
| JP2009058793A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、液晶装置の駆動方法、液晶駆動用集積回路装置および電子機器 |
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|---|---|
| JP3319467B1 (ja) | 2002-09-03 |
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