JP2002324968A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents

Method for manufacturing wiring board

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JP2002324968A
JP2002324968A JP2001126215A JP2001126215A JP2002324968A JP 2002324968 A JP2002324968 A JP 2002324968A JP 2001126215 A JP2001126215 A JP 2001126215A JP 2001126215 A JP2001126215 A JP 2001126215A JP 2002324968 A JP2002324968 A JP 2002324968A
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JP
Japan
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layer
plating
electrolytic
wiring board
plating layer
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Application number
JP2001126215A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuya Ito
達也 伊藤
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a wiring board in which the thickness of a conductive layer is substantially uniform on the wiring board which has a resin insulation layer; a field via which passes the layer and is formed by filling with plating; and the conductive layer formed thereon by plating. SOLUTION: A method for manufacturing a wiring board comprises: a step of forming a forming electrolytic Cu plating layer 35 with a field via plating agent; a step of thinning the first electrolytic Cu plating layer 35; a step of forming a plating resist layer 41 thereon; the step of forming a second electrolytic Cu plating layer 37 with conformal plating; a step of forming a guard metal layer 45 thereon; a step of removing a plating resist layer 41; the step of removing an unrequired plating layer by etching; and a step of removing a guard metal layer 45.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂絶縁層と、こ
れを貫通するビアと、これら樹脂絶縁層及びビアの上に
形成された導体層とを有する配線基板の製造方法に関
し、特に、ビア及び導体層がメッキで形成され、しか
も、ビアがメッキで充填されたフィルドビアである配線
基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board having a resin insulating layer, a via penetrating therethrough, and a conductor layer formed on the resin insulating layer and the via. Further, the present invention relates to a method for manufacturing a wiring board in which a conductive layer is formed by plating and the via is a filled via filled with plating.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、略板形状の樹脂絶縁層に、こ
れを貫通するフィルドビアがメッキで充填形成され、こ
れらの上に所定パターンの導体層がメッキで形成された
配線基板が知られている。例えば、図9に主面102側
の部分拡大断面図を示す配線基板101が挙げられる。
この配線基板101は、その中心に略板形状のコア基板
(樹脂絶縁層)103を備える。コア基板103の両面
には第1樹脂絶縁層105が積層され、さらにその上に
は、第2樹脂絶縁層107が積層されている。また、第
2樹脂絶縁層107上には、ソルダーレジスト層(樹脂
絶縁層)109が積層されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a wiring board in which a substantially plate-shaped resin insulating layer is filled with a filled via penetrating therethrough by plating, and a conductive layer of a predetermined pattern is formed on the filled via by plating. I have. For example, there is a wiring board 101 whose partial enlarged sectional view on the main surface 102 side is shown in FIG.
The wiring substrate 101 includes a substantially plate-shaped core substrate (resin insulating layer) 103 at the center thereof. A first resin insulating layer 105 is stacked on both surfaces of the core substrate 103, and a second resin insulating layer 107 is further stacked thereon. On the second resin insulation layer 107, a solder resist layer (resin insulation layer) 109 is laminated.

【0003】このうちコア基板103には、これを貫通
する略筒状のスルーホール導体111が所定の位置に複
数形成されている。また、第1樹脂絶縁層105には、
これを貫通する第1ビア用貫通孔113が所定の位置に
複数形成され、各第1ビア用貫通孔113には、第1フ
ィルドビア115がメッキにより充填形成されている。
同様に、第2樹脂絶縁層107には、第2ビア用貫通孔
117が所定の位置に複数形成され、各第2ビア貫通孔
117には、第2フィルドビア119が形成されてい
る。また、ソルダーレジスト層109には、これを貫通
するパッド用開口121が所定の位置に複数形成されて
いる。
A plurality of substantially cylindrical through-hole conductors 111 penetrating the core substrate 103 are formed at predetermined positions. In addition, the first resin insulating layer 105 includes
A plurality of first via-holes 113 penetrating therethrough are formed at predetermined positions, and each first via-hole 113 is filled with a first filled via 115 by plating.
Similarly, a plurality of second via-holes 117 are formed at predetermined positions in the second resin insulating layer 107, and a second filled via 119 is formed in each second via-hole 117. In the solder resist layer 109, a plurality of pad openings 121 penetrating therethrough are formed at predetermined positions.

【0004】コア基板103と第1樹脂絶縁層105と
の層間には、配線やパッド等の所定パターンの第1導体
層123が形成され、コア基板103のスルーホール導
体111や第1樹脂絶縁層105の第1フィルドビア1
15と接続している。また、第1樹脂絶縁層105と第
2樹脂絶縁層107との層間にも、配線126やパッド
124等の所定パターンの第2導体層125が形成さ
れ、第1樹脂絶縁層105の第1フィルドビア115や
第2樹脂絶縁層107の第2フィルドビア119と接続
している。また、第2樹脂絶縁層107とソルダーレジ
スト層109との層間にも、配線やパッド128等の所
定パターンの第3導体層127が形成され、第2樹脂絶
縁層107の第2フィルドビア119と接続している。
そして、第3導体層127のパッド128の一部は、こ
の配線基板101に電子部品を搭載するため、ソルダー
レジスト層109のパッド用開口121内に露出してい
る。
A first conductor layer 123 having a predetermined pattern such as wiring and pads is formed between the core substrate 103 and the first resin insulation layer 105, and the through-hole conductor 111 of the core substrate 103 and the first resin insulation layer 105 are formed. 105 first filled via 1
15 is connected. Further, a second conductor layer 125 having a predetermined pattern such as a wiring 126 and a pad 124 is also formed between the first resin insulating layer 105 and the second resin insulating layer 107, and the first filled via of the first resin insulating layer 105 is formed. 115 and the second filled via 119 of the second resin insulating layer 107. Further, a third conductor layer 127 having a predetermined pattern such as a wiring and a pad 128 is formed between the second resin insulating layer 107 and the solder resist layer 109, and is connected to the second filled via 119 of the second resin insulating layer 107. are doing.
A part of the pad 128 of the third conductor layer 127 is exposed in the pad opening 121 of the solder resist layer 109 for mounting an electronic component on the wiring board 101.

【0005】このような配線基板101のうち、第1樹
脂絶縁層105の内部や表面の第1フィルドビア115
及び第2導体層125は、次のようにして形成する。即
ち、まず、公知の手法により、コア基板103にスルー
ホール導体111を形成すると共に、コア基板103上
に第1導体層123を形成し、さらにこれらの上に、第
1ビア用貫通孔113を有する第1樹脂絶縁層105を
形成した基板131を用意する(図10参照)。
In such a wiring board 101, the first filled via 115 inside or on the surface of the first resin insulating layer 105.
The second conductor layer 125 is formed as follows. That is, first, the through-hole conductor 111 is formed on the core substrate 103 by a known method, the first conductor layer 123 is formed on the core substrate 103, and the first via-through hole 113 is formed thereon. A substrate 131 on which the first resin insulating layer 105 is formed is prepared (see FIG. 10).

【0006】次に、この基板131に、無電解Cuメッ
キを施し、第1樹脂絶縁層105の表面及び第1ビア用
貫通孔113内に、図中に太線で示す無電解Cuメッキ
層を形成する。そして、この無電解Cuメッキ層上に所
定パターンのメッキレジスト層133を形成する(図1
0参照)。その後、孔を含む部分にメッキをしたときに
孔外よりも孔内でメッキが成長する性質を有するメッキ
液(以下、本明細書では、このような性質を有するメッ
キ液をフィルドビア用メッキ液とも言う。)を用いて、
この基板131に電解Cuメッキを施す。そうすると、
図10に示すように、第1ビア用貫通孔113にメッキ
が充填され第1フィルドビア115が形成されると共
に、この第1フィルドビア115上及び第1樹脂絶縁層
105の無電解Cuメッキ層上に、電解Cuメッキ層が
形成される。
Next, the substrate 131 is subjected to electroless Cu plating to form an electroless Cu plating layer indicated by a bold line in the drawing on the surface of the first resin insulating layer 105 and in the first via hole 113. I do. Then, a plating resist layer 133 having a predetermined pattern is formed on the electroless Cu plating layer.
0). Thereafter, when plating is performed on a portion including the hole, a plating solution having a property that plating grows in the hole rather than outside the hole (hereinafter, in this specification, a plating solution having such a property is also referred to as a plating solution for filled via). Say))
This substrate 131 is subjected to electrolytic Cu plating. Then,
As shown in FIG. 10, the first via-hole 113 is filled with plating to form a first filled via 115, and on the first filled via 115 and on the electroless Cu plating layer of the first resin insulating layer 105. Then, an electrolytic Cu plating layer is formed.

【0007】なお、フィルドビア用メッキ液には、孔内
のメッキ成長を促進する一方、孔外でのメッキ成長を抑
制するために、N系高分子化合物等のレベラー(メッキ
抑制剤)などが通常含まれている。電解Cuメッキ後
は、メッキレジスト層133を除去して、メッキレジス
ト層133に覆われていた無電解Cuメッキ層をエッチ
ング除去すれば、所定パターンの第2導体層125がで
きる。このようにして、第1樹脂絶縁層105に第1フ
ィルドビア115及び第2導体層125が形成される。
[0007] In order to promote the plating growth inside the holes and suppress the plating growth outside the holes, a leveler (plating inhibitor) such as an N-based polymer compound is usually used in the plating solution for filled vias. include. After the electrolytic Cu plating, the plating resist layer 133 is removed, and the electroless Cu plating layer covered by the plating resist layer 133 is removed by etching, whereby the second conductor layer 125 having a predetermined pattern is formed. Thus, the first filled via 115 and the second conductor layer 125 are formed in the first resin insulating layer 105.

【0008】その後は、第1樹脂絶縁層105及び第2
導体層125の上に、第2樹脂絶縁層107を積層し、
上述した方法と同様にして、新たに第2フィルドビア1
19及び第3導体層127を形成する。そして、第2樹
脂絶縁層107及び第3導体層127の上に、パッド用
開口121を有するソルダーレジスト層109を形成す
れば、図9に示す配線基板101ができる。
Thereafter, the first resin insulating layer 105 and the second resin
A second resin insulating layer 107 is laminated on the conductor layer 125,
The second filled via 1 is newly added in the same manner as described above.
19 and the third conductor layer 127 are formed. Then, if a solder resist layer 109 having a pad opening 121 is formed on the second resin insulating layer 107 and the third conductor layer 127, the wiring board 101 shown in FIG. 9 is obtained.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フィル
ドビア用メッキ液を用いて、第1フィルドビア115及
び第2導体層125を形成すると、第2導体層125の
状態が、基板131内で場所により異なり不具合を生じ
る。これは、電解Cuメッキ時に基板131内で電流密
度が偏っていることが影響するものと考えられる。
However, if the first filled via 115 and the second conductor layer 125 are formed using a filled via plating solution, the state of the second conductor layer 125 varies depending on the location in the substrate 131, and the problem arises. Is generated. This is considered to be due to the fact that the current density is uneven in the substrate 131 during electrolytic Cu plating.

【0010】この不具合について、図10に示す基板1
31に即して具体的に説明すると、形成する配線126
やパッド124等の配置が粗となる部分、即ち、メッキ
レジスト層133のパターンが粗な部分(図中で左側の
部分)は、電解Cuメッキ時に電流密度が高くなり、メ
ッキ液中のレベラーをこの部分に吸着しやすい。このた
め、図10中で左側部分にある第1フィルドビア115
Lやその上の第2導体層125のパッド124L付近を
観察すると、図11に部分拡大断面図を示すように、パ
ッド124Lにおいてメッキ粒子の成長が抑えられ、そ
の結果、メッキ層の厚さ(パッド124L、即ち第2導
体層125の厚さ)も比較的薄くなる。また、メッキ粒
子の成長が抑えられた結果、粒径が0.1μm以下とい
うように極端に粒径の小さなメッキ粒子が偏在した領域
を生じさせることがある。
[0010] Regarding this problem, the substrate 1 shown in FIG.
More specifically, the wiring 126 to be formed will be described.
In the portion where the arrangement of the pads 124 and the like are rough, that is, in the portion where the pattern of the plating resist layer 133 is rough (the portion on the left side in the figure), the current density becomes high during electrolytic Cu plating, and the leveler in the plating solution is reduced. It is easy to adsorb to this part. Therefore, the first filled via 115 on the left side in FIG.
When L and the vicinity of the pad 124L of the second conductor layer 125 thereon are observed, as shown in a partially enlarged sectional view of FIG. 11, the growth of plating particles is suppressed in the pad 124L, and as a result, the thickness of the plating layer ( The pad 124L, that is, the thickness of the second conductor layer 125) is also relatively thin. Further, as a result of suppressing the growth of the plating particles, a region where plating particles having extremely small particle sizes such as 0.1 μm or less may be unevenly distributed may be generated.

【0011】これに対し、配線126やパッド124等
の配置が密になる部分、即ち、メッキレジスト層133
のパターンが密な部分(図中で右側の部分)は、電解C
uメッキ時の電流密度が低くなり、メッキ液中のレベラ
ーを吸着しにくい。このため、図10中で右側部分にあ
る第2導体層125の配線126R付近を観察すると、
図12に部分拡大断面図を示すように、メッキ粒子が比
較的大きく成長し、メッキ層の厚さ(配線126R、即
ち第2導体層125の厚さ)も比較的厚くなる。
On the other hand, a portion where the arrangement of the wiring 126 and the pad 124 becomes dense, that is, the plating resist layer 133
The part where the pattern is dense (the right part in the figure) is the electrolytic C
The current density during u plating is low, and it is difficult to adsorb levelers in the plating solution. Therefore, when observing the vicinity of the wiring 126R of the second conductor layer 125 on the right side in FIG.
As shown in a partially enlarged sectional view of FIG. 12, the plating particles grow relatively large, and the thickness of the plating layer (the thickness of the wiring 126R, that is, the thickness of the second conductor layer 125) also becomes relatively large.

【0012】また、個々のパッド124や配線126だ
けをみても、メッキレジスト層133は、レベラーを吸
着しにくい性質を有するので、図11及び図12に示す
ように、その近傍では、レベラーが集まりにくく、メッ
キ粒子が比較的大きく成長し、メッキ層の厚さも比較的
厚くなる。一方、メッキレジスト層133から離れた部
分(中央部)は、レベラーを吸着しやすいので、メッキ
粒子の成長が抑えられ、メッキ層の厚さも比較的薄くな
る。その結果、例えば、図11に示すパッド124Lで
は、その周縁部が中央部よりも跳ね上がった形状とな
る。また、図12に示す配線126Rでも、その両縁部
が中央部よりも跳ね上がった形状となる。
Further, the plating resist layer 133 has such a property that the leveler is hard to be attracted by looking at only the individual pads 124 and the wirings 126. Therefore, as shown in FIG. 11 and FIG. The plating particles grow relatively large, and the thickness of the plating layer also becomes relatively thick. On the other hand, the portion (central portion) away from the plating resist layer 133 easily absorbs the leveler, so that the growth of plating particles is suppressed and the thickness of the plating layer is relatively thin. As a result, for example, the pad 124L shown in FIG. 11 has a shape in which the peripheral edge portion jumps up from the central portion. Also, the wiring 126R shown in FIG. 12 also has a shape in which both edges thereof jump up from the center.

【0013】また、基板131のうち、電解メッキ用の
電極との接続点付近(図示しない)では、相対的に電流
密度が高くなり、レベラーを吸着しやすいので、メッキ
粒子の成長が抑えられ、メッキ層の厚さも比較的薄くな
るが、この電極の接続点から離れた所では、電流密度が
低くなり、レベラーが吸着しにくいので、メッキ粒子が
成長し、メッキ層の厚さも比較的厚くなる。このよう
に、導体層(第2導体層125)が、場所により厚くな
ったり薄くなったり、あるいは、パッド124の周縁部
や配線126の両縁部等で跳ね上がった形状となるの
で、導体層に外観不良をもたらす。また、電気的特性上
好ましくない。このことは、第3導体層127について
も同様に言えることである。
Further, in the vicinity of a connection point (not shown) of the substrate 131 with the electrode for electrolytic plating, the current density becomes relatively high and the leveler is easily absorbed, so that the growth of plating particles is suppressed. Although the thickness of the plating layer is also relatively thin, the current density is low and the leveler is difficult to adsorb at a location away from the connection point of this electrode, so that plating particles grow and the thickness of the plating layer is relatively thick . As described above, the conductor layer (the second conductor layer 125) becomes thicker or thinner depending on the location, or has a shape that jumps up at the peripheral portion of the pad 124, both edges of the wiring 126, or the like. Causes poor appearance. Further, it is not preferable in terms of electrical characteristics. This can be similarly applied to the third conductor layer 127.

【0014】さらに、第2導体層125等の上に第2樹
脂絶縁層107を積層する前、あるいは、第3導体層1
27等の上にソルダーレジスト層109を積層する前
に、第2導体層125または第3導体層127の表面を
エッチング粗化すると、第2,第3導体層125,12
7の表面のメッキ粒子の分布の不均一に起因して粗化ム
ラが生じ、外観不良となる。その上、例えば0.1μm
以下といった微細なメッキ粒子が集まった部分では、良
好な粗化面が形成されずに、第2導体層125と第2樹
脂絶縁層107との密着強度、あるいは、第3導体層1
27とソルダーレジスト層109との密着強度の低下を
招くこともある。また、例えば、図9において破線で囲
む第2導体層125のうち凸状に跳ね上がった周縁部な
どでは、第2樹脂絶縁層107を介してその上に形成さ
れた第3導体層127との絶縁間隔が小さくなって、上
下の導体層間でショート等の電気不良を生じることもあ
る。
Further, before laminating the second resin insulation layer 107 on the second conductor layer 125 or the like, or before the third conductor layer 1
If the surface of the second conductor layer 125 or the third conductor layer 127 is roughened by etching before the solder resist layer 109 is laminated on the second conductor layer 125, the second conductor layer 125,
Roughness unevenness occurs due to uneven distribution of plating particles on the surface of No. 7, resulting in poor appearance. In addition, for example, 0.1 μm
In a portion where fine plating particles are gathered as described below, a good roughened surface is not formed, and the adhesion strength between the second conductor layer 125 and the second resin insulating layer 107 or the third conductor layer 1
In some cases, the adhesion strength between the solder resist 27 and the solder resist layer 109 may be reduced. In addition, for example, in the peripheral portion of the second conductor layer 125 surrounded by a broken line in FIG. 9 which is raised in a convex shape, the insulation with the third conductor layer 127 formed thereon via the second resin insulation layer 107 is provided. The distance may be so small that an electrical failure such as a short circuit may occur between the upper and lower conductor layers.

【0015】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、樹脂絶縁層と、これを貫通しメッキにより充
填形成されたフィルドビアと、これらの上にメッキによ
り形成された所定パターンの導体層とを有する配線基板
において、導体層の厚さがほぼ均一な配線基板の製造方
法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above situation, and has a resin insulating layer, a filled via penetrating through the resin insulating layer, and a conductive layer having a predetermined pattern formed thereon by plating. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a wiring board having a conductive layer having a substantially uniform thickness.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層を貫通する貫通
孔内にメッキで充填形成されたフィルドビアと、上記樹
脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成された所定
パターンの導体層と、を備える配線基板の製造方法であ
って、上記貫通孔を有する樹脂絶縁層、並びに、上記貫
通孔内及び上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ
層、を備える基板のうち、上記無電解メッキ層上に、孔
を含む部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッ
キが成長する第1メッキ液により電解メッキを施し、上
記貫通孔をメッキで充填して上記フィルドビアを形成す
ると共に、このフィルドビア上及び上記樹脂絶縁層の無
電解メッキ層上の略全面に、第1電解メッキ層を形成す
る第1電解メッキ工程と、上記第1電解メッキ層を薄く
する第1電解メッキ層薄化工程と、薄くされた上記第1
電解メッキ層上に、所定パターンのメッキレジスト層を
形成するメッキレジスト層形成工程と、上記メッキレジ
スト層から露出する上記第1電解メッキ層上に、孔を含
む部分にメッキをしたときに孔内と同程度以上に孔外で
メッキが成長する第2メッキ液により電解メッキを施
し、所定パターンの第2電解メッキ層を形成する第2電
解メッキ工程と、上記第2電解メッキ層上に、所定パタ
ーンのガード金属層を形成するガード金属層形成工程
と、上記メッキレジスト層を除去するメッキレジスト層
除去工程と、上記ガード金属層を溶解しないエッチング
液を用いて、露出した上記第1電解メッキ層及びその下
の上記無電解メッキ層をエッチング除去するパターンニ
ング工程と、上記ガード金属層を除去し、上記第2電解
メッキ層と第1電解メッキ層と無電解メッキ層とからな
る上記所定パターンの導体層を形成するガード金属層除
去工程と、を備える配線基板の製造方法である。
Means for Solving the Problems, Action and Effect The solution is to provide a resin insulating layer, a filled via formed by plating in a through hole penetrating the resin insulating layer, and a method of forming a via on the resin insulating layer and the filled via. A conductive layer having a predetermined pattern formed by plating on the wiring board, comprising: a resin insulating layer having the through hole; and a resin insulating layer formed in the through hole and on the resin insulating layer. Electrolytic plating layer, of the substrate comprising, on the electroless plating layer, when performing plating on the portion including the hole, subjected to electrolytic plating with a first plating solution in which plating grows in the hole rather than outside the hole, Filling the through holes by plating to form the filled vias, and forming a first electrolytic plating layer on substantially the whole of the filled vias and the electroless plating layer of the resin insulating layer; A degree, a first electroless plating layer thinning step of thinning the first electroless plating layer, thinned the first
A plating resist layer forming step of forming a plating resist layer having a predetermined pattern on the electrolytic plating layer; and forming a plating resist layer on the first electrolytic plating layer exposed from the plating resist layer. A second electroplating step of performing electroplating with a second plating solution in which plating grows to the same degree or more outside the hole to form a second electroplate layer having a predetermined pattern; Forming a guard metal layer of a pattern, forming a guard metal layer, removing the plating resist layer, removing the plating resist layer, and exposing the first electrolytic plating layer using an etchant that does not dissolve the guard metal layer. And a patterning step of etching and removing the electroless plating layer thereunder; removing the guard metal layer to form a second electrolytic plating layer and a first electrolytic plating layer. A guard metal layer removing step of forming a conductive layer of the predetermined pattern consisting of a key layer and the electroless plating layer, a method of manufacturing a wiring board comprising a.

【0017】本発明では、まず、基板の無電解メッキ層
上に、孔外よりも孔内でメッキが成長する第1メッキ液
を使用して、フィルドビアと共に第1電解メッキ層を形
成する(第1電解メッキ工程)。第1メッキ液は、場所
によりメッキの成長を異ならせることで、貫通孔内を効
率よくメッキで充填することができるから、フィルドビ
アを形成するのに都合がよい。また、この工程では、従
来とは異なり、基板にメッキレジスト層が形成されてい
ないので、メッキレジスト層の存在に起因する場所によ
る厚さの違いや跳ね上がりなど導体層の厚さに変動がな
い。
In the present invention, first, the first electrolytic plating layer is formed on the electroless plating layer of the substrate together with the filled via by using the first plating solution in which the plating grows in the hole rather than the outside (see FIG. 1 electroplating step). The first plating solution can efficiently fill the inside of the through-hole with plating by making the growth of plating different from place to place, which is convenient for forming a filled via. Also, in this step, unlike the conventional case, since the plating resist layer is not formed on the substrate, there is no variation in the thickness of the conductor layer such as a difference in thickness or a jump due to a location due to the presence of the plating resist layer.

【0018】第1電解メッキ工程後は、略全面に形成し
た第1電解メッキ層を薄くする(第1電解メッキ層薄化
工程)。例えば、エッチングにより第1電解メッキ層を
薄くすると、第1電解メッキ層が部分的に厚くなってい
る所があっても、このような部分は、メッキ形成時のメ
ッキの成長が早く、メッキ粒子が大きくなっているの
で、エッチングにより除去されるメッキ量が他の部分よ
りも多くなる。従って、第1電解メッキ層の厚さの変動
がなくなる、あるいは小さくなって、ほぼ均一な厚さと
なる。また例えば、機械的研磨により第1電解メッキ層
を薄くすれば、第1電解メッキ層に厚さの変動があった
としても、物理的に第1電解メッキ層の厚さをほぼ均一
にすることができる。
After the first electrolytic plating step, the first electrolytic plating layer formed on substantially the entire surface is thinned (first electrolytic plating layer thinning step). For example, when the first electrolytic plating layer is thinned by etching, even if the first electrolytic plating layer is partially thickened, such a portion may cause a rapid growth of plating at the time of forming the plating, and a plating particle Is larger, the amount of plating removed by etching is larger than in other parts. Therefore, the thickness of the first electrolytic plating layer does not fluctuate or becomes small, and the thickness becomes substantially uniform. Further, for example, if the first electrolytic plating layer is thinned by mechanical polishing, the thickness of the first electrolytic plating layer can be made substantially uniform even if the thickness of the first electrolytic plating layer varies. Can be.

【0019】第1電解メッキ層薄化工程後は、メッキレ
ジスト層を形成し(メッキレジスト層形成工程)、薄く
された第1電解メッキ層上に、孔内と同程度に孔外でメ
ッキが成長する、または、孔内よりも孔外でメッキが成
長する第2メッキ液を使用して、第2電解メッキ層を形
成する(第2電解メッキ工程)。その際、メッキはほぼ
均一に成長するので、均一な厚さの第2電解メッキ層を
形成することができる。従って、第1電解メッキ層と第
2電解メッキ層とを合わせて見ても、その厚さはほぼ均
一となる。
After the first electrolytic plating layer thinning step, a plating resist layer is formed (plating resist layer forming step), and plating is performed on the thinned first electrolytic plating layer outside the holes to the same extent as in the holes. A second electrolytic plating layer is formed using a second plating solution that grows or plating grows outside the holes rather than inside the holes (second electrolytic plating step). At this time, the plating grows substantially uniformly, so that the second electrolytic plating layer having a uniform thickness can be formed. Therefore, even when the first electrolytic plating layer and the second electrolytic plating layer are viewed together, the thickness is substantially uniform.

【0020】第2電解メッキ工程後は、第2電解メッキ
層上に、エッチング液に溶解しないガード金属層を形成
する(ガード金属層形成工程)。従って、その後のパタ
ーンニング工程において、メッキレジスト層で覆われて
いた第1電解メッキ層とその下の無電解メッキ層のみを
エッチング除去することができる。第2,第1電解メッ
キ層及び無電解メッキ層のうちガード金属層に覆われた
部分は、エッチング液から保護されるためである。この
ような方法を採れば、後に所定パターンの導体層となる
部分の第2電解メッキ層の表面が溶解しないので、不要
な第1電解メッキ層及び無電解メッキ層だけを確実に除
去することができる。
After the second electrolytic plating step, a guard metal layer that does not dissolve in the etchant is formed on the second electrolytic plating layer (guard metal layer forming step). Therefore, in the subsequent patterning step, only the first electrolytic plating layer covered with the plating resist layer and the electroless plating layer thereunder can be removed by etching. This is because the portion of the second and first electrolytic plating layers and the electroless plating layer that is covered with the guard metal layer is protected from the etchant. By employing such a method, since the surface of the second electrolytic plating layer in a portion which will later become a conductor layer of a predetermined pattern does not dissolve, it is possible to reliably remove only the unnecessary first electrolytic plating layer and the unnecessary electroless plating layer. it can.

【0021】パターンニング工程後は、ガード金属層を
除去して、所定パターンの導体層を形成する(ガード金
属層除去工程)。このようにして導体層を形成すると、
第1,第2電解メッキ層が共にほぼ均一な厚さとなるあ
るから、ごく薄い無電解メッキ層を含めた導体層全体に
ついても、その厚さがほぼ均一となり、外観が良好とな
る。また、ガード金属層により第2電解メッキ層の表面
を保護しながら、パターンニングをしているので、第2
電解メッキ層が薄くなることがなく、従って、導体層全
体が薄くなることもない。
After the patterning step, the guard metal layer is removed to form a conductor pattern having a predetermined pattern (guard metal layer removing step). When the conductor layer is formed in this way,
Since both the first and second electrolytic plating layers have substantially uniform thicknesses, the thickness of the entire conductor layer including the very thin electroless plating layer becomes substantially uniform, and the appearance is improved. In addition, since the patterning is performed while protecting the surface of the second electrolytic plating layer with the guard metal layer, the second
The electroplated layer does not become thin, and therefore the entire conductor layer does not become thin.

【0022】なお、ガード金属層は、パターンニング工
程で用いるエッチング液に不溶なものであれば、いずれ
の金属層でも良い。例えば、ハンダやSn、Ni、Cr
などからなるガード金属層が挙げられる。このうちSn
/PbハンダやSnからなるガード金属層は、ガード金
属層除去工程において、硝酸系やフッ素系の剥離液によ
り容易に除去することができるので、これらの金属を利
用するのが好適である。
The guard metal layer may be any metal layer as long as it is insoluble in the etching solution used in the patterning step. For example, solder, Sn, Ni, Cr
And the like. Of these, Sn
Since the guard metal layer made of / Pb solder or Sn can be easily removed with a nitric acid-based or fluorine-based stripping solution in the guard metal layer removing step, it is preferable to use these metals.

【0023】また、パターンニング工程で用いるエッチ
ング液は、ガード金属層を溶解しないものであれば、い
ずれのものを用いてもよいが、酸性のエッチング液を用
いた場合には、ガード金属層として上述のハンダやS
n、Ni、Crなどを用いることができない、つまり、
これらを金属を溶解してしまうので、ガード金属層に用
いる金属の選択肢が少なくなる。従って、ハンダやS
n、Ni、Crなどを溶解しないようなアルカリ系のエ
ッチング液を利用するのが好ましい。
As the etchant used in the patterning step, any etchant may be used as long as it does not dissolve the guard metal layer. The above-mentioned solder and S
n, Ni, Cr, etc. cannot be used, that is,
Since these dissolve metals, the choice of metals used for the guard metal layer is reduced. Therefore, solder or S
It is preferable to use an alkaline etching solution that does not dissolve n, Ni, Cr and the like.

【0024】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記第1電解メッキ層薄化工程において、前記第1
電解メッキ層と無電解メッキ層とを合わせた厚さが約3
〜10μmとなるように、上記第1電解メッキ層を薄く
する配線基板の製造方法とすると良い。さらに好ましく
は、前記第1電解メッキ層と無電解メッキ層とを合わせ
た厚さが約3〜5μmとなるようにするのが良い。
Further, in the above-mentioned method for manufacturing a wiring board, the first electrolytic plating layer thinning step may include the step of:
The total thickness of the electrolytic plating layer and the electroless plating layer is about 3
It is preferable to adopt a method for manufacturing a wiring board in which the first electrolytic plating layer is thinned so as to have a thickness of 10 to 10 μm. More preferably, the total thickness of the first electrolytic plating layer and the electroless plating layer is about 3 to 5 μm.

【0025】第1電解メッキ層薄化工程において、第1
電解メッキ層を極端に薄くすると、その薄くする際のバ
ラツキにより、メッキ層(薄化された第1電解メッキ層
及びその下の無電解メッキ層)の一部に穴やハゲが生じ
やすい。一方、第1電解メッキ層をあまり薄くしない
と、つまり厚く残っていると、パターンニングする際の
サイドエッチングを考慮する必要がでてくるため、パタ
ーンの精度が低くならざるを得なくなる。これに対し、
本発明では、第1電解メッキ層薄化工程において、第1
電解メッキ層と無電解メッキ層とを合わせた厚さが約3
μm以上となるように、第1電解メッキ層を薄くするの
で、メッキ層に穴やハゲが生じにくい。一方、第1電解
メッキ層と無電解メッキ層とを合わせた厚さが約10μ
m以下となるように、第1電解メッキ層を薄くするの
で、パターンニングする際のサイドエッチングが少なく
なり、パターン精度を向上させることができる。また、
第1電解メッキ層と無電解メッキ層とを合わせた厚さが
約5μm以下となるように第1電解メッキ層を薄くする
と、さらにパターン精度を向上させることができるため
好ましい。
In the first electrolytic plating layer thinning step,
If the electrolytic plating layer is extremely thin, holes and baldness are likely to be formed in a part of the plating layer (the thinned first electrolytic plating layer and the electroless plating layer thereunder) due to the variation in the thickness. On the other hand, if the first electrolytic plating layer is not too thin, that is, if the first electrolytic plating layer remains thick, it is necessary to consider side etching during patterning, so that the precision of the pattern must be lowered. In contrast,
In the present invention, in the first electrolytic plating layer thinning step, the first
The total thickness of the electrolytic plating layer and the electroless plating layer is about 3
Since the first electrolytic plating layer is thinned so as to have a thickness of at least μm, holes and baldness hardly occur in the plating layer. On the other hand, the total thickness of the first electrolytic plating layer and the electroless plating layer is about 10 μm.
Since the first electrolytic plating layer is thinned so as to be not more than m, side etching during patterning is reduced, and pattern accuracy can be improved. Also,
It is preferable to reduce the thickness of the first electrolytic plating layer so that the total thickness of the first electrolytic plating layer and the electroless plating layer is about 5 μm or less, because the pattern accuracy can be further improved.

【0026】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記パターンニング工程において、エッチングレー
トが約1〜5μm/分の前記エッチング液を用いて、前
記露出した第1電解メッキ層及びその下の無電解メッキ
層をエッチング除去する配線基板の製造方法とすると良
い。
Further, in the above-mentioned method for manufacturing a wiring board, in the patterning step, the exposed first electrolytic plating layer and a portion under the first electrolytic plating layer are etched using the etching solution having an etching rate of about 1 to 5 μm / min. It is preferable to use a method for manufacturing a wiring board in which the electroless plating layer is removed by etching.

【0027】例えば、従来より汎用されている銅アンモ
ニア錯体を含有するアルカリ性のエッチング液は、エッ
チングレートが約30〜45μm/分と高い。従って、
不要なメッキ層(第1電解メッキ層及び無電解メッキ
層)は、短時間のうちに完全にエッチング除去される。
このため、エッチング時間が僅かに変化したりエッチン
グ液の濃度が僅かに変化するなど、エッチング条件が僅
かに変化することで、導体層のうちガード金属層によっ
て保護されていない部分、即ち、導体層の配線やパッド
等の側面部の抉れ具合が異なってくる。また、不要なメ
ッキ層が完全に除去されずに残る場合もある。つまり、
エッチング条件のコントロールが難しく、導体層の配線
やパッド等の幅のバラツキが大きくなる。
For example, an alkaline etching solution containing a copper-ammonia complex, which has been widely used, has a high etching rate of about 30 to 45 μm / min. Therefore,
Unnecessary plating layers (the first electrolytic plating layer and the electroless plating layer) are completely removed by etching in a short time.
For this reason, the etching conditions slightly change, such as a slight change in the etching time and a slight change in the concentration of the etchant, so that the portion of the conductor layer that is not protected by the guard metal layer, that is, the conductor layer The degree of digging of the side portions such as the wiring and the pads differs. In addition, an unnecessary plating layer may remain without being completely removed. That is,
It is difficult to control the etching conditions, and the width of the wiring and pads of the conductor layer varies widely.

【0028】これに対し、本発明では、エッチングレー
トが約1〜5μm/分のエッチング液を用いてパターン
ニングする。このようにエッチングレート低いエッチン
グ液を用いれば、比較的長い時間を掛けてエッチングす
ることとなるので、エッチング時間が僅かに変化したり
エッチング液の濃度が僅かに変化するなど、エッチング
条件が僅かに変化しても、不要なメッキ層(第1電解メ
ッキ層及び無電解メッキ層)を確実に除去することがで
き、導体層の配線やパッド等の側面部における抉れ具合
のバラツキ(サイドエッチングによるバラツキ)が少な
くなる。つまり、本発明によれば、所定形状の導体層を
より確実に形成することができる。
On the other hand, in the present invention, patterning is performed using an etching solution having an etching rate of about 1 to 5 μm / min. If an etching solution with a low etching rate is used, the etching takes a relatively long time, so that the etching conditions are slightly changed, such as a slight change in the etching time or a slight change in the concentration of the etching solution. Even if it changes, unnecessary plating layers (the first electrolytic plating layer and the electroless plating layer) can be surely removed, and irregularities in the degree of digging (side etching) on the side surfaces of the wiring and pads of the conductor layer. Variation). That is, according to the present invention, a conductor layer having a predetermined shape can be formed more reliably.

【0029】なお、エッチング液としては、例えば蟻酸
などの有機酸と、例えばアミン系などの錯化剤とを含有
するアルカリ系エッチング液を利用するのが好ましい。
このようなエッチング液は、アンモニア錯体を含有する
エッチング液等に比して、エッチグレートが低いからで
ある。
As the etchant, it is preferable to use an alkaline etchant containing an organic acid such as formic acid and a complexing agent such as an amine.
This is because such an etchant has a lower etch rate than an etchant containing an ammonia complex or the like.

【0030】さらに、前記の配線基板の製造方法であっ
て、前記パターンニング工程において、前記露出した第
1電解メッキ層及びその下の無電解メッキ層を、約0.
5〜5分間でエッチング除去する配線基板の製造方法と
すると良い。
Further, in the above-described method for manufacturing a wiring board, in the patterning step, the exposed first electrolytic plating layer and the electroless plating layer thereunder may be formed to a thickness of about 0.1 mm.
It is preferable to use a method for manufacturing a wiring board in which etching is removed in 5 to 5 minutes.

【0031】上述したように、パターンニング工程にお
いて、不要なメッキ層(第1電解メッキ層及び無電解メ
ッキ層)を短時間、具体的には約0.5分間よりも短い
時間でエッチング除去すると、エッチング条件が僅かに
変化しただけで、導体層の配線やパッド等の側面部にお
ける抉れ具合のバラツキが特に大きくなる。また、不要
なメッキ層が完全に除去されずに残る場合がある。一
方、エッチング時間が余り長いと、具体的には約5分よ
りも長いと、パターンニング工程に要する時間か長くな
るので、生産性に劣る。これに対し、本発明では、露出
した不要なメッキ層を約0.5〜5分間でエッチング除
去するので、エッチング条件が僅かに変化しても、不要
なメッキ層を確実に除去することができ、導体層の配線
やパッド等の側面部における抉れ具合のバラツキ(サイ
ドエッチングによるバラツキ)は少なくなる。従って、
所定形状の導体層をより確実に形成することができる。
また、パターンニング工程を短くし、生産性を向上させ
ることができる。
As described above, in the patterning step, unnecessary plating layers (first electrolytic plating layer and electroless plating layer) are removed by etching in a short time, specifically, in a time shorter than about 0.5 minute. Even if the etching conditions are slightly changed, the variation in the degree of digging on the side surfaces of the wiring and pads of the conductor layer becomes particularly large. In addition, an unnecessary plating layer may remain without being completely removed. On the other hand, if the etching time is too long, specifically, if it is longer than about 5 minutes, the time required for the patterning step becomes longer, resulting in poor productivity. On the other hand, in the present invention, the exposed unnecessary plating layer is removed by etching in about 0.5 to 5 minutes, so that even if the etching conditions slightly change, the unnecessary plating layer can be reliably removed. In addition, variations in the degree of digging (variations due to side etching) on the side surfaces of the wiring and pads of the conductor layer are reduced. Therefore,
A conductor layer having a predetermined shape can be more reliably formed.
Further, the patterning step can be shortened, and the productivity can be improved.

【0032】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記ガード金属層除去工程よりも
後に、前記導体層の表面をエッチング粗化する粗化工程
と、粗化された上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に、上
部樹脂絶縁層を形成する上部絶縁層形成工程と、を備え
る配線基板の製造方法とすると良い。
Further, in the method for manufacturing a wiring board according to any one of the above, a roughening step of etching and roughening the surface of the conductor layer after the guard metal layer removing step is provided. It is preferable to provide a method of manufacturing a wiring board, comprising: an upper insulating layer forming step of forming an upper resin insulating layer on the conductor layer and the resin insulating layer.

【0033】粗化工程前の導体層の表面付近のメッキ粒
子(第2電解メッキ層のメッキ粒子)は、ほぼ均一な大
きさとなっているので、粗化工程で導体層の表面をエッ
チング粗化したときに、その表面はほぼ均一な粗さの粗
化面となる。従って、上部絶縁層形成工程で上部樹脂絶
縁層を形成したときに、粗化された導体層と上部樹脂絶
縁層との密着強度に不均一がない。
Since the plating particles near the surface of the conductor layer before the roughening step (plating particles of the second electrolytic plating layer) have a substantially uniform size, the surface of the conductor layer is etched and roughened in the roughening step. Then, the surface becomes a roughened surface having a substantially uniform roughness. Therefore, when the upper resin insulating layer is formed in the upper insulating layer forming step, there is no uneven adhesion strength between the roughened conductor layer and the upper resin insulating layer.

【0034】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記第2電解メッキ工程において、粒径約1μm以
上のメッキ粒子よりなる前記第2電解メッキ層を形成す
る配線基板の製造方法とすると良い。
Further, in the above-described method for manufacturing a wiring board, it is preferable that the second electrolytic plating step includes forming the second electrolytic plating layer made of plated particles having a particle size of about 1 μm or more. good.

【0035】導体層の表面付近の第2電解メッキ層のメ
ッキ粒子が極端に小さいと、粗化工程で所望の粗さを有
する粗化面が得られず、導体層と上部樹脂絶縁層との密
着強度が低下することがある。これに対し、本発明で
は、導体層の表面付近を形成する第2電解メッキ層のメ
ッキ粒子の粒径を、約1μm以上と大きくしているの
で、粗化工程で所望の粗さの粗化面を形成することがで
きる。従って、導体層と上部樹脂絶縁層の密着強度を向
上させることができる。
If the plating particles of the second electrolytic plating layer in the vicinity of the surface of the conductor layer are extremely small, a roughened surface having a desired roughness cannot be obtained in the roughening step. Adhesion strength may decrease. On the other hand, in the present invention, the particle size of the plating particles of the second electrolytic plating layer forming the vicinity of the surface of the conductor layer is increased to about 1 μm or more. A surface can be formed. Therefore, the adhesion strength between the conductor layer and the upper resin insulation layer can be improved.

【0036】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記上部樹脂絶縁層上に上部導体
層を形成する上部導体層形成工程を備える配線基板の製
造方法とすると良い。
Further, in any one of the above-described methods for manufacturing a wiring board, it is preferable that the method further includes an upper conductor layer forming step of forming an upper conductor layer on the upper resin insulating layer.

【0037】前述したように、導体層は、厚さに変動が
なく、ほぼ均一な厚さとすることができる。従って、こ
の上に上部絶縁層を形成して、さらにその上に上部導体
層を形成しても、この導体層と上部樹脂絶縁層を介して
形成した上部導体層との間には、従来のように絶縁間隔
の小さくなる所がない。よって、これらの上下の導体層
間でショートや絶縁抵抗の低下等の電気不良が生じにく
い。さらに、電気的特性も安定する。
As described above, the thickness of the conductor layer does not vary and can be made substantially uniform. Therefore, even if an upper insulating layer is formed thereon and an upper conductor layer is further formed thereon, the conventional conductor layer and the upper conductor layer formed with the upper resin insulating layer interposed therebetween have a conventional structure. There is no place where the insulation interval is reduced as described above. Therefore, electrical defects such as a short circuit and a decrease in insulation resistance between these upper and lower conductor layers hardly occur. Further, the electric characteristics are stabilized.

【0038】[0038]

【発明の実施の形態】(実施形態)以下、本発明の実施
の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の配
線基板1について、図1に主面2側の部分拡大断面図を
示す。この配線基板1は、主面2と図示しない裏面とを
有する略矩形の略板形状をなし、その中心には、ガラス
繊維布にエポキシ樹脂を含浸させた複合材からなる略板
形状の厚さ約600μmのコア基板(樹脂絶縁層)5を
備える。そして、その両面には、エポキシ樹脂等からな
る第1樹脂絶縁層7がそれぞれ積層され、その上には、
同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約35μmの第2樹
脂絶縁層9が積層されている。また、第2樹脂絶縁層9
上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約25μmのソル
ダーレジスト層(樹脂絶縁層)11が積層されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a partially enlarged cross-sectional view of the wiring board 1 of the present embodiment on the main surface 2 side. The wiring board 1 has a substantially rectangular substantially plate shape having a main surface 2 and a back surface (not shown), and has a substantially plate-like thickness formed of a composite material obtained by impregnating a glass fiber cloth with an epoxy resin at the center thereof. A core substrate (resin insulating layer) 5 of about 600 μm is provided. A first resin insulating layer 7 made of an epoxy resin or the like is laminated on both surfaces thereof, and
Similarly, a second resin insulation layer 9 made of epoxy resin or the like and having a thickness of about 35 μm is laminated. Also, the second resin insulation layer 9
A solder resist layer (resin insulating layer) 11 made of epoxy resin or the like and having a thickness of about 25 μm is laminated thereon.

【0039】このうちコア基板5には、これを貫通する
直径約250μmのスルーホール導体用貫通孔14が所
定の位置に複数形成され、それらの内周面には、略筒状
のスルーホール導体15がそれぞれ形成されている。そ
して、各スルーホール導体15内には、エポキシ樹脂等
からなる略円柱形状の樹脂製穴埋め材16が充填されて
いる。第1樹脂絶縁層7には、これを貫通する直径約7
0μm、高さ(長さ)約35μmの第1ビア用貫通孔1
8が所定の位置に複数形成され、各第1ビア用貫通孔1
8には、略円柱形状の第1フィルドビア19がCuメッ
キにより充填形成されている。同様に、第2樹脂絶縁層
9にも、これを貫通する直径約70μm、高さ約35μ
mの第2ビア用貫通孔22が所定の位置に複数形成さ
れ、各第2ビア用貫通孔22には、Cuメッキで充填さ
れた略円柱形状の第2フィルドビア23が形成されてい
る。また、ソルダーレジスト層11には、これを貫通す
るパッド用開口25が所定の位置に複数形成されてい
る。
The core substrate 5 has a plurality of through-hole conductor through-holes 14 having a diameter of about 250 μm penetrating therethrough at predetermined positions, and the inner peripheral surface thereof has a substantially cylindrical through-hole conductor. 15 are formed respectively. Each through-hole conductor 15 is filled with a substantially cylindrical resin filling material 16 made of epoxy resin or the like. The first resin insulating layer 7 has a diameter of about 7
0 μm, first via hole 1 with height (length) of about 35 μm
8 are formed at predetermined positions, and each first via through hole 1
8, a substantially filled first filled via 19 is filled and formed by Cu plating. Similarly, the second resin insulating layer 9 also has a diameter of about 70 μm and a height of about 35 μ
A plurality of m second via-holes 22 are formed at predetermined positions, and a substantially cylindrical second filled via 23 filled with Cu plating is formed in each second via-hole 22. In the solder resist layer 11, a plurality of pad openings 25 penetrating therethrough are formed at predetermined positions.

【0040】コア基板5と第1樹脂絶縁層7との層間に
は、配線やパッド等の所定パターンの第1導体層27が
形成され、コア基板5のスルーホール導体15や第1樹
脂絶縁層7の第1フィルドビア19と接続している。ま
た、第1樹脂絶縁層7と第2樹脂絶縁層9との層間に
も、配線30やパッド28等の所定パターンの第2導体
層29が形成され、第1樹脂絶縁層7の第1フィルドビ
ア19や第2樹脂絶縁層9の第2フィルドビア23と接
続している。また、第2樹脂絶縁層9とソルダーレジス
ト層11との層間にも、配線34やパッド32等の所定
パターンの第3導体層31が形成され、第2樹脂絶縁層
9の第2フィルドビア23と接続している。第3導体層
31の一部のパッド32は、この配線基板1にICチッ
プなど電子部品を搭載するため、ソルダーレジスト層1
1のパッド用開口25内に露出している。なお、このパ
ッド32の表面には、酸化防止のためNiメッキ層が形
成され、さらにその上にAuメッキ層が形成されている
(図示しない)。なお、パッド用開口25には、例えば
Sn−Ag系のハンダ材からなり、ソルダーレジスト層
11より穴出するハンダバンプ(図示しない)を形成し
ても良い。
A first conductor layer 27 having a predetermined pattern such as wiring and pads is formed between the core substrate 5 and the first resin insulation layer 7, and the through-hole conductor 15 of the core substrate 5 and the first resin insulation layer 7 are formed. 7 is connected to the first filled via 19. A second conductor layer 29 having a predetermined pattern such as a wiring 30 and a pad 28 is also formed between the first resin insulating layer 7 and the second resin insulating layer 9, and the first filled via of the first resin insulating layer 7 is formed. 19 and the second filled via 23 of the second resin insulating layer 9. Further, a third conductor layer 31 having a predetermined pattern such as a wiring 34 and a pad 32 is also formed between the second resin insulating layer 9 and the solder resist layer 11, and the second filled via 23 of the second resin insulating layer 9 is formed. Connected. Some of the pads 32 of the third conductor layer 31 are used to mount electronic components such as IC chips on the wiring board 1.
It is exposed in one pad opening 25. It should be noted that a Ni plating layer is formed on the surface of the pad 32 to prevent oxidation, and an Au plating layer is formed thereon (not shown). The pad opening 25 may be made of, for example, an Sn-Ag solder material, and may be formed with a solder bump (not shown) protruding from the solder resist layer 11.

【0041】この配線基板1のうち、第1樹脂絶縁層7
の内部及び表面の第1フィルドビア19と第2導体層2
9について、図2及び図3を参照しつつ詳述する。図2
は、図1中で左側に示した第1フィルドビア19L及び
その上に形成された第2導体層29のパッド28L付近
を示す。この第1フィルドビア19Lは、孔を含む部分
にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成長す
る性質を有するフィルドビア用メッキ液(第1メッキ
液)により、第1ビア用貫通孔18にCuメッキで充填
形成されている。このため、第1ビア用貫通孔18内で
は、メッキが早く成長し、メッキ粒子の平均粒径が約1
〜2μmと比較的大きく、粒度分布がほぼ均一である。
The first resin insulating layer 7 of the wiring board 1
Filled via 19 and second conductor layer 2 inside and on the surface of
9 will be described in detail with reference to FIGS. FIG.
1 shows the first filled via 19L shown on the left side in FIG. 1 and the vicinity of the pad 28L of the second conductor layer 29 formed thereon. This first filled via 19L is filled with a first via through-hole 18 using a filled via plating solution (first plating solution) having a property that plating grows in the hole rather than outside the hole when the portion including the hole is plated. Is filled with Cu plating. For this reason, plating grows quickly in the first via through hole 18 and the average particle diameter of the plating particles is about 1%.
大 き く 2 μm, which is relatively large, and the particle size distribution is almost uniform.

【0042】この第1フィルドビア19L上のパッド2
8Lは、図中に太線で示す厚さ約0.7μmの無電解C
uメッキ層33と2層の電解Cuメッキ層とを有する。
即ち、パッド28Lの下部には、第1フィルドビア19
上及び無電解Cuメッキ層33上に、第1フィルドビア
19Lと同様にフィルドビア用メッキ液により形成され
た第1電解Cuメッキ層35が存在し、その上には、孔
を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度にまたは
それ以上に孔外でメッキが成長する性質を有するコンフ
ォーマルメッキ液(第2メッキ液)により形成された第
2電解Cuメッキ層37が存在する。
Pad 2 on first filled via 19L
8L is an electroless C having a thickness of about 0.7 μm indicated by a thick line in the figure.
It has a u plating layer 33 and two electrolytic Cu plating layers.
That is, the first filled via 19 is located below the pad 28L.
On the upper and electroless Cu plating layers 33, there is a first electrolytic Cu plating layer 35 formed by a filled via plating solution as in the case of the first filled via 19L, and a portion including a hole is plated thereon. Sometimes there is a second electrolytic Cu plating layer 37 formed by a conformal plating solution (second plating solution) having a property that plating grows to the same extent or more outside the hole.

【0043】このうち第1電解Cuメッキ層35は、フ
ィルドビア用メッキ液を用いて形成されているので、場
所によりメッキの成長が異なることもある。しかし、そ
の上面36は、エッチングされてほぼ平坦であり、ま
た、その厚さも約5μmと均一である。一方、第2電解
Cuメッキ層37は、コンフォーマルメッキ液を用いて
形成されているので、メッキ粒子の粒径が、場所に拘わ
らず約1〜2μmとほぼ均一な大きさで、また、粒度分
布が場所によらずほぼ均一で、厚さも約15μmとほぼ
均一である。
Since the first electrolytic Cu plating layer 35 is formed by using a filled via plating solution, the plating growth may vary depending on the location. However, the upper surface 36 is substantially flat after being etched, and has a uniform thickness of about 5 μm. On the other hand, since the second electrolytic Cu plating layer 37 is formed by using a conformal plating solution, the plating particles have a substantially uniform size of about 1 to 2 μm regardless of the location. The distribution is substantially uniform irrespective of the location, and the thickness is also substantially uniform at about 15 μm.

【0044】従って、パッド28L全体としてみても、
従来(図11参照)とは異なり、跳ね上がり等がなく、
厚さがほぼ均一で、外観が良好である。具体的には、従
来はおよそ20μmの厚さの導体層を形成すると、最大
約18μmの厚みの差が生じていたのに対し、本実施形
態では、最大約2μmの厚みの差しか生じていない。
Therefore, even if the pad 28L is viewed as a whole,
Unlike the conventional (see FIG. 11), there is no jumping up,
The thickness is almost uniform and the appearance is good. Specifically, conventionally, when a conductor layer having a thickness of about 20 μm is formed, a difference in thickness of up to about 18 μm has occurred. In the present embodiment, only a difference of up to about 2 μm has occurred. .

【0045】また、パッド28Lを形成する際のエッチ
ングが不十分であると、不要なメッキ層が第1樹脂絶縁
層7上に残ることがあるが、この配線基板1では、その
ようなメッキ層の残渣は存在しない。また、パッド28
Lの側面部は、パッド28Lを形成する際のエッチング
により若干抉られることがあるが、その抉れ具合にバラ
ツキは見られず、所定形状となっている。なお、パッド
28Lの表面は、第2導体層29と第2樹脂絶縁層9と
の密着強度を向上させるために、エッチング粗化によ
り、中心線平均表面粗さRaが約0.5μmに荒らさ
れ、しかも均一に荒らされている。
If the etching at the time of forming the pad 28L is insufficient, an unnecessary plating layer may remain on the first resin insulating layer 7, but in this wiring board 1, such a plating layer No residue is present. Also, pad 28
The side surface of L may be slightly hollowed out by etching when forming the pad 28L, but has no variation in the shape of the hollowing and has a predetermined shape. The surface of the pad 28L is roughened by etching so that the center line average surface roughness Ra is reduced to about 0.5 μm in order to improve the adhesion strength between the second conductor layer 29 and the second resin insulating layer 9. Moreover, it is evenly roughened.

【0046】図3は、図1中で右側に示した第2導体層
29の配線30R付近を示す。この配線30Rは、上記
パッド28Lと同様に、図中に太線で示す無電解Cuメ
ッキ層33と、その上にフィルドビアメッキ液により形
成された第1電解Cuメッキ層35と、その上にコンフ
ォーマルメッキ液により形成された第2電解Cuメッキ
層37とを有する。
FIG. 3 shows the vicinity of the wiring 30R of the second conductor layer 29 shown on the right side in FIG. Similar to the pad 28L, the wiring 30R has an electroless Cu plating layer 33 indicated by a thick line in the drawing, a first electrolytic Cu plating layer 35 formed thereon by a filled via plating solution, and a capacitor And a second electrolytic Cu plating layer 37 formed by a formal plating solution.

【0047】このうち第1電解Cuメッキ層35は、上
記パッド28Lと同様に、その上面36がエッチングさ
れてほぼ平坦であり、また、その厚さも約5μmでほぼ
均一である。また、配線30Rの第2電解Cuメッキ層
37も、上記パッド28Lと同様に、メッキ粒子の粒径
が、場所に拘わらず約1〜2μmとほぼ均一な大きさ
で、また、その厚さも約15μmとほぼ均一である。従
って、配線30R全体としてみても、従来(図12参
照)とは異なり、ほぼ均一な厚さで、外観が良好であ
る。
The first electrolytic Cu plating layer 35 has a substantially flat upper surface 36 etched similarly to the pad 28L, and has a thickness of about 5 μm and is substantially uniform. Also, similarly to the pad 28L, the second electrolytic Cu plating layer 37 of the wiring 30R has a substantially uniform size of plating particles of about 1 to 2 μm irrespective of the location, and has a thickness of about 1 to 2 μm. It is almost uniform at 15 μm. Therefore, unlike the conventional wiring (see FIG. 12), the wiring 30R as a whole has a substantially uniform thickness and a good appearance.

【0048】また、配線30Rを形成する際のエッチン
グが不十分であると、不要なメッキ層が第1樹脂絶縁層
7上に残ることがあるが、この配線基板1では、そのよ
うなメッキ層の残渣は存在しない。また、配線30Rの
側面部は、配線30Rを形成する際のエッチングにより
若干抉られることがあるが、その抉れ具合にバラツキは
見られず、所定形状となっている。なお、配線30Rの
表面も、パッド28と同様に、エッチング粗化により表
面が荒らされ、中心線平均表面粗さRaが約0.5μm
でほぼ均一な粗さである。
If the etching at the time of forming the wiring 30R is insufficient, an unnecessary plating layer may remain on the first resin insulating layer 7; No residue is present. Further, the side surface of the wiring 30R may be slightly hollowed out by etching when forming the wiring 30R, but the shape of the hollowing does not show any variation and has a predetermined shape. The surface of the wiring 30R is also roughened by etching roughening similarly to the pad 28, and the center line average surface roughness Ra is about 0.5 μm.
Is almost uniform.

【0049】さらに、従来の配線基板101では、配線
126やパッド124等が密に配置された部分は、これ
らが粗に配置された部分に比べて、メッキの成長が早
く、メッキ層の厚さも厚くなっていた(図11及び図1
2参照)。これに対し、本実施形態の配線基板1では、
図3に示した配線30Rのように、配線30やパッド2
8が密な部分と、図2に示したパッド28Lのように、
配線30やパッド28が粗な部分とで、ほぼ均一な厚さ
となっている。また、その上に形成された第2電解Cu
メッキ層37もほぼ均一な厚さとなっている。従って、
配線30やパッド28等、第2導体層29の厚さは、場
所に拘わらずほぼ均一である。なお、詳細な説明は省略
するが、第2樹脂絶縁層9に形成する第2フィルドビア
23及び第3導体層31についても、第1フィルドビア
19及び第2導体層29と同様なことが言える(図2及
び図3参照)。
Further, in the conventional wiring board 101, the portion where the wirings 126 and the pads 124 and the like are densely arranged has a faster plating growth and the thickness of the plating layer than the portion where the wirings 126 and the pads 124 are coarsely arranged. (FIGS. 11 and 1
2). On the other hand, in the wiring board 1 of the present embodiment,
Like the wiring 30R shown in FIG.
8 and the pad 28L shown in FIG.
The wiring 30 and the pad 28 have a substantially uniform thickness with the rough portion. In addition, the second electrolytic Cu formed thereon
The plating layer 37 also has a substantially uniform thickness. Therefore,
The thickness of the second conductor layer 29 such as the wiring 30 and the pad 28 is substantially uniform regardless of the location. Although detailed description is omitted, the same can be said for the second filled via 23 and the third conductor layer 31 formed in the second resin insulating layer 9 as for the first filled via 19 and the second conductor layer 29 (FIG. 2 and FIG. 3).

【0050】次に、上記配線基板1の製造方法につい
て、図を参照しつつ説明する。まず、コア基板5の両面
にCu箔が張られた略板形状の両面銅張のコア基板5を
用意し、スルーホール導体用貫通孔14を所定の位置に
複数形成する(図4参照)。次に、公知の手法により、
コア基板5の両面の略全面にメッキ層を形成すると共
に、スルーホール導体用貫通孔14の内周面に略筒状の
スルーホール導体15を形成する。その後、スルーホー
ル導体15内に、エポキシ樹脂等からなる樹脂製穴埋め
材16を充填形成する。その後、上記メッキ層上に所定
パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジス
ト層から露出するメッキ層をエッチング除去して、コア
基板5上に所定パターンの第1導体層27を形成する
(図4参照)。
Next, a method for manufacturing the wiring board 1 will be described with reference to the drawings. First, a substantially double-sided copper-clad core substrate 5 in which a Cu foil is stretched on both surfaces of the core substrate 5 is prepared, and a plurality of through-hole conductor through holes 14 are formed at predetermined positions (see FIG. 4). Next, by a known method,
A plating layer is formed on substantially the entire surface of both sides of the core substrate 5, and a substantially cylindrical through-hole conductor 15 is formed on the inner peripheral surface of the through-hole conductor through-hole 14. Thereafter, a resin filling material 16 made of epoxy resin or the like is filled and formed in the through-hole conductor 15. Thereafter, an etching resist layer having a predetermined pattern is formed on the plating layer, and the plating layer exposed from the resist layer is removed by etching to form a first conductor layer 27 having a predetermined pattern on the core substrate 5 (FIG. 4). reference).

【0051】次に、第1絶縁層形成工程において、コア
基板5及び第1導体層27上に、第1ビア用貫通孔18
を有する第1樹脂絶縁層7を形成する(図4参照)。具
体的には、コア基板5の両面に、感光性エポキシ樹脂等
からなるシート状の未硬化樹脂を重ね、加熱処理して半
硬化させる。その後、所定パターンのマスクを用いて、
半硬化樹脂絶縁層を露光・現像し、さらに、これを加熱
・硬化させて、第1ビア用貫通孔18を有する第1樹脂
絶縁層7を形成する。なお、第1ビア用貫通孔18等の
ビア用貫通孔は、レーザ加工により形成しても良い。次
に、無電解メッキ工程において、第1樹脂絶縁層7の表
面及び第1ビア用貫通孔18内に、図中に太線で示すよ
うに、厚さ約0.7μmの無電解Cuメッキ層33を形
成する(図4参照)。
Next, in the first insulating layer forming step, the first via hole 18 is formed on the core substrate 5 and the first conductor layer 27.
Is formed (see FIG. 4). Specifically, a sheet-shaped uncured resin made of a photosensitive epoxy resin or the like is overlaid on both surfaces of the core substrate 5 and is semi-cured by heat treatment. Then, using a mask of a predetermined pattern,
The semi-cured resin insulating layer is exposed and developed, and is further heated and cured to form the first resin insulating layer 7 having the first via hole 18. The via-holes such as the first via-hole 18 may be formed by laser processing. Next, in the electroless plating step, the electroless Cu plating layer 33 having a thickness of about 0.7 μm is formed on the surface of the first resin insulating layer 7 and in the first via through hole 18 as shown by a thick line in the drawing. Is formed (see FIG. 4).

【0052】次に、第1電解メッキ工程において、この
基板43に電解Cuメッキを施し、図4に示すように、
無電解Cuメッキ層33上に、第1ビア用貫通孔18が
完全にメッキで埋まるまでメッキを形成する。この工程
では、メッキ液として、孔を含む部分にメッキをしたと
きに孔外よりも孔内でメッキが成長するフィルドビア用
メッキ液(第1メッキ液)を使用する。これにより、第
1ビア用貫通孔18がメッキで充填されて第1フィルド
ビア19が形成されると共に、この第1フィルドビア1
9上及び第1樹脂絶縁層7の表面の無電解Cuメッキ層
33上に、厚さ約12μmの第1電解Cuメッキ層35
が形成される。
Next, in a first electrolytic plating step, the substrate 43 is subjected to electrolytic Cu plating, and as shown in FIG.
Plating is formed on the electroless Cu plating layer 33 until the first via-hole 18 is completely filled with plating. In this step, a plated via plating solution (first plating solution) is used in which plating is performed in the hole rather than outside the hole when the portion including the hole is plated. As a result, the first via-through hole 18 is filled with plating to form the first filled via 19 and the first filled via 1
9 and the electroless Cu plating layer 33 on the surface of the first resin insulating layer 7, a first electrolytic Cu plating layer 35 having a thickness of about 12 μm.
Is formed.

【0053】なお、この工程の際には、従来とは異な
り、基板43にメッキレジスト層が形成されていないの
で、メッキレジスト層の存在に起因するメッキ液中のレ
ベラー(メッキ抑制剤)の集まりやすさの違いにより、
第1電解Cuメッキ層35の厚さが場所により変化した
り、あるいは、第1電解Cuメッキ層35に跳ね上がり
などができることはない。但し、第1フィルドビア19
の付近などは、メッキの成長がばらつきやすいので、第
1電解Cuメッキ層35が部分的に僅かに厚くなるな
ど、第1電解Cuメッキ層35に僅かな厚さの変動が生
じることはある。
In this step, unlike the related art, since the plating resist layer is not formed on the substrate 43, the concentration of levelers (plating inhibitor) in the plating solution caused by the presence of the plating resist layer. Due to the difference in ease,
The thickness of the first electrolytic Cu plating layer 35 does not change depending on the location, or the first electrolytic Cu plating layer 35 does not jump up. However, the first filled via 19
The thickness of the first electrolytic Cu plating layer 35 may be slightly varied, for example, the first electrolytic Cu plating layer 35 may become slightly thicker, for example, because the plating growth is likely to vary in the vicinity of.

【0054】次に、第1電解メッキ層薄化工程におい
て、図5に示すように、第1電解Cuメッキ層35をエ
ッチングにより薄くする。具体的には、第1電解Cuメ
ッキ層35の厚さが約4μmになるまでエッチングす
る。これにより、無電解Cuメッキ層33と第1電解メ
ッキ層35を合わせた厚さは、約4.7μmとなる。こ
のように第1電解メッキ層35と無電解メッキ層33と
を合わせた厚さが約3μm以上となるようにすれば、加
工の際に第1電解メッキ層35の一部に穴があいたりハ
ゲが生じたりして下地の第1樹脂絶縁層7が露出するこ
とがない。
Next, in the first electrolytic plating layer thinning step, as shown in FIG. 5, the first electrolytic Cu plating layer 35 is thinned by etching. Specifically, the etching is performed until the thickness of the first electrolytic Cu plating layer 35 becomes about 4 μm. Thereby, the total thickness of the electroless Cu plating layer 33 and the first electrolytic plating layer 35 is about 4.7 μm. If the combined thickness of the first electrolytic plating layer 35 and the electroless plating layer 33 is set to about 3 μm or more, a hole may be formed in a part of the first electrolytic plating layer 35 during processing. The first resin insulating layer 7 as a base is not exposed due to generation of baldness.

【0055】また、第1電解メッキ工程で第1電解Cu
メッキ層35がほぼ均一な厚さに形成されていれば、第
1電解Cuメッキ層35は、ほぼ均一にエッチングさ
れ、ほぼ均一な薄さとなる。一方、第1電解Cuメッキ
層35に僅かな厚さの変動があった場合でも、厚い部分
はメッキ粒子が大きいから、他の部分よりも大きくエッ
チングされ、その結果、厚さの変動がなくなり、あるい
は十分に小さくなるので、第1電解Cuメッキ層35
は、ほぼ均一な厚さとなる。なお、この工程で用いるエ
ッチング液は、硫酸−過酸化水素系の酸性のエッチング
液である。
In the first electrolytic plating step, the first electrolytic Cu
If the plating layer 35 is formed to have a substantially uniform thickness, the first electrolytic Cu plating layer 35 is substantially uniformly etched to have a substantially uniform thickness. On the other hand, even when the first electrolytic Cu plating layer 35 has a slight change in thickness, the thick portion is etched more than the other portions because the plating particles are large, and as a result, the thickness does not change, Alternatively, the first electrolytic Cu plating layer 35
Has a substantially uniform thickness. The etching solution used in this step is a sulfuric acid-hydrogen peroxide based acidic etching solution.

【0056】次に、メッキレジスト層形成工程におい
て、この薄くされた第1電解Cuメッキ層35上に所定
パターンのメッキレジスト層41を形成する(図6参
照)。上記第1電解メッキ層薄化工程では、第1樹脂絶
縁層7上のメッキ層(第1電解Cuメッキ層35及び無
電解Cuメッキ層33)を、完全には除去せずに薄くし
て残している。このため、このメッキレジスト層形成工
程前に、改めて第1樹脂絶縁層7上に無電解Cuメッキ
層を別途形成する必要はなく、従って、効率よく配線基
板1を製造することができる。
Next, in a plating resist layer forming step, a plating resist layer 41 having a predetermined pattern is formed on the thinned first electrolytic Cu plating layer 35 (see FIG. 6). In the first electrolytic plating layer thinning step, the plating layers (the first electrolytic Cu plating layer 35 and the electroless Cu plating layer 33) on the first resin insulating layer 7 are left thin without being completely removed. ing. Therefore, it is not necessary to separately form an electroless Cu plating layer on the first resin insulating layer 7 before this plating resist layer forming step, and therefore, the wiring board 1 can be manufactured efficiently.

【0057】次に、第2電解メッキ工程において、電解
Cuメッキを施し、図6に示すように、メッキレジスト
層41から露出する第1電解Cuメッキ層35上に、所
定パターンの第2電解Cuメッキ層37を形成する。そ
の際、メッキ液としては、第1電解メッキ工程とは異な
り、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程度に
あるいはそれ以上に孔外でメッキが成長するコンフォー
マルメッキ液(第2メッキ液)を使用する。この工程で
は、およそ15μmの厚さの第2電解Cuメッキ層37
を第1電解Cuメッキ層35上に形成する。この第2電
解Cuメッキ層37は、ほぼ均一な厚さで形成されるの
で、第1電解Cuメッキ層35と第2電解Cuメッキ層
37とを合わせて見ても、ほぼ均一な厚さとなる。
Next, in a second electrolytic plating step, electrolytic Cu plating is performed, and as shown in FIG. 6, a second electrolytic Cu plating having a predetermined pattern is formed on the first electrolytic Cu plating layer 35 exposed from the plating resist layer 41. The plating layer 37 is formed. At this time, unlike the first electrolytic plating step, the plating solution is a conformal plating solution (a second plating solution) in which when a portion including a hole is plated, plating grows to the same extent or more outside the hole. 2 plating solution). In this step, the second electrolytic Cu plating layer 37 having a thickness of about 15 μm is formed.
Is formed on the first electrolytic Cu plating layer 35. Since the second electrolytic Cu plating layer 37 is formed with a substantially uniform thickness, the first electrolytic Cu plating layer 35 and the second electrolytic Cu plating layer 37 have a substantially uniform thickness when viewed together. .

【0058】次に、ガード金属層形成工程において、S
nメッキを施し、図7に示すように、第2電解Cuメッ
キ層37上に、後述するエッチング液に不溶なSnから
なる所定パターンのガード金属層45を形成する。この
ガード金属層45の厚さは、約5μmとする。次に、メ
ッキレジスト層除去工程において、メッキレジスト層4
1を除去する。
Next, in the guard metal layer forming step, S
N plating is performed, and a guard metal layer 45 having a predetermined pattern made of Sn, which is insoluble in an etchant described later, is formed on the second electrolytic Cu plating layer 37 as shown in FIG. The thickness of the guard metal layer 45 is about 5 μm. Next, in the plating resist layer removing step, the plating resist layer 4 is removed.
Remove one.

【0059】次に、パターンニング工程において、基板
にエッチング液を噴射し、図8に示すように、メッキレ
ジスト層41を除去することで露出した導体層(第1電
解メッキ層35及び無電解メッキ層33)を、エッチン
グ除去する。エッチング時間は、約3分間である。ここ
で、エッチング液には、Cuを溶解するがSnからなる
ガード金属層45を溶解しないものであり、かつ、エッ
チングレートが約1〜5μm/分のエッチング液を用い
る。例えば、メック株式会社製のメックブライトSF−
5420あるいはメックエッチボンドCZ−8500を
使用するとよい。これらのエッチング液は、蟻酸などの
有機酸と、アミン系などの錯化剤とを含有するアルカリ
系エッチング液であり、エッチングレートが約1.5〜
3μm/分と低く、Snからなるガード金属層39を溶
解しない。
Next, in the patterning step, an etching solution is sprayed onto the substrate, and as shown in FIG. 8, the conductor layer (first electrolytic plating layer 35 and electroless plating Layer 33) is etched away. The etching time is about 3 minutes. Here, an etchant that dissolves Cu but does not dissolve the guard metal layer 45 made of Sn and has an etch rate of about 1 to 5 μm / min is used. For example, Mec Bright SF-
5420 or Mech-etch bond CZ-8500 may be used. These etching solutions are alkaline etching solutions containing an organic acid such as formic acid and a complexing agent such as an amine, and have an etching rate of about 1.5 to 1.5.
It is as low as 3 μm / min, and does not dissolve the guard metal layer 39 made of Sn.

【0060】このようにエッチングレート低いエッチン
グ液を用いれば、比較的長い時間を掛けて露出した導体
層をエッチングをすることとなるので、エッチング時間
が僅かに変化したりエッチング液の濃度が僅かに変化す
るなど、エッチング条件が変化しても、不要なメッキ層
を確実に除去することができ、パターンニングされた導
体層(第2電解メッキ層37、第1電解メッキ層35及
び無電解メッキ層33)の側面部における抉れ具合のバ
ラツキは少なくなる。特に、本実施形態では、エッチン
グ除去するメッキ層(第1電解メッキ層35及び無電解
Cuメッキ層33)の厚さ(約4.7μm)が、サイド
エッチングによるパターン精度の低下を抑制するため、
約10μm以下と薄い。しかし、エッチング液のエッチ
ングレートが約1〜5μm/分と低いので、比較的長い
時間を掛けてエッチングをすることができる。従って、
エッチング条件が変化しても、不要なメッキ層を確実に
除去することができ、パターンニングされた導体層の側
面部における抉れ具合のバラツキ(サイドエッチングに
よるバラツキ)は少なくなる。また、本実施形態では、
このパターンニング工程において、露出した不要なメッ
キ層を約0.5〜5分間でエッチング除去するので、エ
ッチング条件が僅かに変化しても、不要なメッキ層を確
実に除去することができ、導体層の配線やパッド等の側
面部における抉れ具合のバラツキは少なくなる。一方、
パターンニング工程に長い時間を要しないので、生産性
がよい。
When an etching solution with a low etching rate is used, the exposed conductor layer is etched over a relatively long time, so that the etching time slightly changes or the concentration of the etching solution slightly decreases. Even if the etching conditions change, such as changes, the unnecessary plating layer can be reliably removed, and the patterned conductor layers (the second electrolytic plating layer 37, the first electrolytic plating layer 35, and the electroless plating layer The variation in the degree of gouging on the side surface portion of 33) is reduced. In particular, in the present embodiment, the thickness (about 4.7 μm) of the plating layer (the first electrolytic plating layer 35 and the electroless Cu plating layer 33) to be removed by etching suppresses a decrease in pattern accuracy due to side etching.
It is as thin as about 10 μm or less. However, since the etching rate of the etching solution is as low as about 1 to 5 μm / min, the etching can be performed for a relatively long time. Therefore,
Even if the etching conditions change, unnecessary plating layers can be reliably removed, and variations in the degree of digging (variations due to side etching) on the side surfaces of the patterned conductor layer are reduced. In this embodiment,
In this patterning step, the exposed unnecessary plating layer is removed by etching in about 0.5 to 5 minutes, so that even if the etching conditions slightly change, the unnecessary plating layer can be reliably removed, and Variations in the degree of gouging on the side surfaces of the layer wiring and pads are reduced. on the other hand,
Since a long time is not required for the patterning step, productivity is high.

【0061】次に、ガード金属層除去工程において、メ
ック株式会社製のメックリムーバーS−1728により
ガード金属層45を除去して、第2電解Cuメッキ層3
7、第1電解メッキ層35及び無電解Cuメッキ層33
からなる所定パターンの第2導体層29を形成する(図
1〜図3参照)。上述したように、第1電解Cuメッキ
層35も第2電解Cuメッキ層37も、その厚さがそれ
ぞれほぼ均一であるので、この第2導体層29も、ほぼ
均一な厚さで、外観が良好である。
Next, in a guard metal layer removing step, the guard metal layer 45 is removed by a Mech Remover S-1728 manufactured by Mec Co., Ltd.
7. First electrolytic plating layer 35 and electroless Cu plating layer 33
A second conductor layer 29 having a predetermined pattern is formed (see FIGS. 1 to 3). As described above, both the first electrolytic Cu plating layer 35 and the second electrolytic Cu plating layer 37 have substantially uniform thicknesses. Therefore, the second conductor layer 29 also has a substantially uniform thickness and an appearance. Good.

【0062】また、この第2導体層29の配線やパッド
は、上述のパターンニング工程で、それらの側面部にお
ける抉れ具合のバラツキは少なくされている。また、第
2導体層29の表面はガード金属層45によってエッチ
ングから保護されていたので、第2導体層29が薄くな
ることも防止されている。つまり、第2導体層29を確
実に形成することができる。また、ガード金属層45
は、Snからなるものであるので、上記のメックリムー
バーS−1728のように、硝酸系やフッ素系の剥離液
により容易に除去することができる。
The wiring and pads of the second conductor layer 29 are reduced in the degree of digging on their side surfaces in the above-described patterning step. Further, since the surface of the second conductor layer 29 is protected from etching by the guard metal layer 45, the thickness of the second conductor layer 29 is also prevented from becoming thin. That is, the second conductor layer 29 can be reliably formed. Also, the guard metal layer 45
Is composed of Sn, so that it can be easily removed with a nitric acid-based or fluorine-based stripping solution as in the above-mentioned Mech Remover S-1728.

【0063】次に、粗化工程において、第2導体層29
の表面をエッチング粗化して、その中心線平均表面粗さ
Raを約0.5μmとする(図2及び図3参照)。その
際、第2導体層29の表面付近、即ち、第2電解Cuメ
ッキ層37は、メッキ粒子が約1〜2μmと大きく、し
かも均一であるので、粗化面にムラができにくく、所望
の粗さの均一なエッチング粗化面を得ることができる。
Next, in the roughening step, the second conductor layer 29
Is roughened by etching so that its center line average surface roughness Ra is about 0.5 μm (see FIGS. 2 and 3). In this case, the plating particles in the vicinity of the surface of the second conductor layer 29, that is, in the second electrolytic Cu plating layer 37, are large and uniform, about 1 to 2 μm, so that the roughened surface is hardly uneven, and the desired An etched rough surface having a uniform roughness can be obtained.

【0064】次に、第2絶縁層形成工程において、第1
樹脂絶縁層形成工程と同様にして、第1樹脂絶縁層7及
び第2導体層29上に、第2ビア用貫通孔22を有する
第2樹脂絶縁層9を形成する。その際、上記の粗化工程
で、第2導体層29の表面は、表面粗さが大きくほぼ均
一な粗化面とされているので、第2導体層29と第2樹
脂絶縁層9との密着強度に不均一がなく、しかも、密着
強度が高くなる。
Next, in the second insulating layer forming step, the first insulating layer is formed.
Similarly to the resin insulating layer forming step, the second resin insulating layer 9 having the second via through-hole 22 is formed on the first resin insulating layer 7 and the second conductor layer 29. At this time, in the above-described roughening step, the surface of the second conductor layer 29 is made to have a substantially uniform roughened surface with a large surface roughness. There is no unevenness in the adhesion strength, and the adhesion strength is increased.

【0065】その後は、第1樹脂絶縁層7に第1フィル
ドビア19や第2導体層29を形成した方法に準じて、
第2樹脂絶縁層9に第2フィルドビア23や第3導体層
31を形成する。即ち、無電解メッキ工程、第1電解メ
ッキ工程、第1電解メッキ層薄化工程、メッキレジスト
層形成工程、第2電解メッキ工程、ガード金属層形成工
程、メッキレジスト層除去工程、パターンニング工程、
ガード金属層除去工程、及び、粗化工程を順次行う。
Thereafter, according to the method of forming the first filled via 19 and the second conductor layer 29 in the first resin insulating layer 7,
The second filled via 23 and the third conductor layer 31 are formed in the second resin insulating layer 9. That is, an electroless plating step, a first electrolytic plating step, a first electrolytic plating layer thinning step, a plating resist layer forming step, a second electrolytic plating step, a guard metal layer forming step, a plating resist layer removing step, a patterning step,
The guard metal layer removing step and the roughening step are sequentially performed.

【0066】その後、ソルダーレジスト層形成工程にお
いて、第2樹脂絶縁層9及び第3導体層31上に、パッ
ド用開口25を有するソルダーレジスト層11を形成す
る。具体的には、第2樹脂絶縁層9及び第3導体層31
上に、半硬化のソルダーレジスト層を形成し、この開口
に対応した所定パターンのマスクを用いて露光し、現像
する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、パッド用
開口25を有するソルダーレジスト層11を形成する。
Thereafter, in a solder resist layer forming step, a solder resist layer 11 having a pad opening 25 is formed on the second resin insulating layer 9 and the third conductor layer 31. Specifically, the second resin insulation layer 9 and the third conductor layer 31
A semi-cured solder resist layer is formed thereon, and is exposed and developed using a mask having a predetermined pattern corresponding to the opening. Thereafter, the solder resist layer 11 having a pad opening 25 is formed by further heating and curing.

【0067】このように、第2フィルドビア23及び第
3導体層31は、第1フィルドビア19や第2導体層2
9の形成方法に準じて形成しているので、これらと同様
な効果を得ることができる。さらには、第3導体層31
を形成したときに、第2導体層29は、厚さがほぼ均一
で凸状の跳ね上がり等がないので、第2導体層29と第
3導体層31との絶縁間隔は、基板全体にわたり十分に
確保されている。従って、これら上下の導体層間でショ
ートや絶縁不良の低下等の電気不良が生じにくい。さら
に、電気的特性も安定する。
As described above, the second filled via 23 and the third conductor layer 31 are formed by the first filled via 19 and the second conductor layer 2.
Since it is formed according to the forming method of No. 9, the same effects as those described above can be obtained. Further, the third conductor layer 31
Is formed, the second conductor layer 29 has a substantially uniform thickness and does not have a convex jump. Therefore, the insulation interval between the second conductor layer 29 and the third conductor layer 31 is sufficient over the entire substrate. Is secured. Therefore, electrical failure such as short-circuiting and reduced insulation failure between these upper and lower conductor layers hardly occurs. Further, the electric characteristics are stabilized.

【0068】ソルダーレジスト層11を形成した後は、
Ni−Auメッキ工程において、ソルダーレジスト層1
1から露出するパッド32等に、酸化防止のため、Ni
メッキ層を形成し、さらにその上にAuメッキ層を形成
する。このようにして、配線基板1が完成する。なお、
ソルダーレジスト層11から露出するパッド32には、
ハンダなどでピンを立設したり、あるいはハンダバンプ
を形成してもよい。
After the formation of the solder resist layer 11,
In the Ni-Au plating step, the solder resist layer 1
The pad 32 and the like exposed from 1 are coated with Ni to prevent oxidation.
A plating layer is formed, and an Au plating layer is further formed thereon. Thus, the wiring board 1 is completed. In addition,
The pads 32 exposed from the solder resist layer 11 include:
The pins may be erected with solder or the like, or solder bumps may be formed.

【0069】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適
用できることはいうまでもない。例えば、上記実施形態
では、第1電解メッキ層薄化工程において、エッチング
により第1電解Cuメッキ層35を薄くしたが、機械的
研磨によりこれを薄くすることもできる。その場合に
も、第1電解Cuメッキ層35を均一な厚さにすること
ができるので、第2導体層29全体も均一な厚さとする
ことができる。第3導体層31を形成する場合も同様で
ある。
In the above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and it is needless to say that the present invention can be appropriately modified and applied without departing from the gist thereof. Nor. For example, in the above embodiment, in the first electrolytic plating layer thinning step, the first electrolytic Cu plating layer 35 was thinned by etching, but it can be thinned by mechanical polishing. Also in this case, the first electrolytic Cu plating layer 35 can have a uniform thickness, so that the entire second conductor layer 29 can also have a uniform thickness. The same applies to the case where the third conductor layer 31 is formed.

【0070】また、上記実施形態では、ガード金属層4
5として、Snからなるものを形成したが、エッチング
液で溶解しないものであれば、他の金属を利用すること
もできる。例えば、Sn/Pb等のハンダやNi、Cr
などからなるガード金属層を形成しても良い。
In the above embodiment, the guard metal layer 4
Although a material made of Sn was formed as 5, other metals can be used as long as they do not dissolve in the etching solution. For example, solder such as Sn / Pb, Ni, Cr
For example, a guard metal layer made of such as may be formed.

【0071】また、エッチング液は、導体層を溶解しガ
ード金属層45を溶解しないで、かつ、エッチングレー
トが低い(約1〜5μm/分)ものであれば、いずれの
ものを用いてもよいが、ガード金属層45に用いる金属
の選択幅を考慮して、アルカリ系のエッチング液を使用
するのが好ましい。中でも、有機酸と錯化剤を含有する
アルカリ系エッチング液は、エッチングレートが低いの
で特に好ましい。
Any etchant may be used as long as it dissolves the conductor layer and does not dissolve the guard metal layer 45 and has a low etching rate (about 1 to 5 μm / min). However, it is preferable to use an alkali-based etchant in consideration of the selection range of the metal used for the guard metal layer 45. Among them, an alkaline etching solution containing an organic acid and a complexing agent is particularly preferable because of its low etching rate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態に係る配線基板の部分拡大断面図であ
る。
FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to an embodiment.

【図2】実施形態に係る配線基板のうち、第1フィルド
ビア及び第2導体層のパッド付近の部分拡大断面図であ
る。
FIG. 2 is a partial enlarged cross-sectional view of a first filled via and a pad of a second conductor layer in the vicinity of a pad in the wiring board according to the embodiment;

【図3】実施形態に係る配線基板のうち、第2導体層の
配線付近の部分拡大断面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to an embodiment, in the vicinity of a wiring of a second conductor layer.

【図4】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、第
1メッキ液により電解Cuメッキを施した後の様子を示
す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a state after performing electrolytic Cu plating with a first plating solution in the method for manufacturing a wiring board according to the embodiment;

【図5】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、第
1電解Cuメッキ層を薄くした後の様子を示す説明図で
ある。
FIG. 5 is an explanatory view showing a state after the first electrolytic Cu plating layer is thinned in the method for manufacturing a wiring board according to the embodiment.

【図6】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、第
2メッキ液により電解Cuメッキを施した後の様子を示
す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing a state after performing electrolytic Cu plating with a second plating solution in the method of manufacturing a wiring board according to the embodiment.

【図7】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、ガ
ード金属層を形成した後の様子を示す説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a state after a guard metal layer is formed in the method for manufacturing a wiring board according to the embodiment.

【図8】実施形態に係る配線基板の製造方法に関し、パ
ターンニングをした後の様子を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory view showing a state after patterning in the method of manufacturing a wiring board according to the embodiment;

【図9】従来技術に係る配線基板の部分拡大断面図であ
る。
FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to the related art.

【図10】従来技術に係る配線基板の製造方法に関し、
電解Cuメッキ層を形成した様子を示す説明図である。
FIG. 10 relates to a method for manufacturing a wiring board according to the related art.
It is explanatory drawing which shows a mode that the electrolytic Cu plating layer was formed.

【図11】従来技術に係る配線基板の製造方法に関し、
電解Cuメッキ層を形成した基板のうち、第1フィルド
ビア及び第2導体層のパッド付近を示す部分拡大断面図
である。
FIG. 11 relates to a method for manufacturing a wiring board according to the related art;
FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing the vicinity of pads of a first filled via and a second conductor layer in a substrate having an electrolytic Cu plating layer formed thereon.

【図12】従来技術に係る配線基板の製造方法に関し、
電解Cuメッキ層を形成した基板のうち、第2導体層の
配線付近を示す部分拡大断面図である。
FIG. 12 relates to a method for manufacturing a wiring board according to the related art;
FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing the vicinity of a wiring of a second conductor layer in a substrate on which an electrolytic Cu plating layer is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 配線基板 5 コア基板 7 第1樹脂絶縁層 9 第2樹脂絶縁層 11 ソルダーレジスト層(樹脂絶縁層) 19 第1フィルドビア 23 第2フィルドビア 27 第1導体層 29 第2導体層 33 無電解Cuメッキ層 35 (第2導体層の)第1電解Cuメッキ層 37 (第2導体層の)第2電解Cuメッキ層 31 第3導体層 REFERENCE SIGNS LIST 1 wiring board 5 core board 7 first resin insulating layer 9 second resin insulating layer 11 solder resist layer (resin insulating layer) 19 first filled via 23 second filled via 27 first conductor layer 29 second conductor layer 33 electroless Cu plating Layer 35 First electrolytic Cu plating layer (of second conductor layer) 37 Second electrolytic Cu plating layer (of second conductor layer) 31 Third conductor layer

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/38 H05K 3/38 B 5E346 3/42 620 3/42 620B 3/46 3/46 B N Fターム(参考) 4K024 BB11 5E314 AA24 BB01 CC01 FF01 GG11 GG12 5E317 AA24 BB02 BB12 CC32 CC33 CD15 CD23 CD25 CD27 CD32 GG01 GG03 GG09 5E339 AB02 AC01 AD03 AD05 AE01 BC02 BD02 BD03 BD08 BE13 CD05 CE17 5E343 AA02 AA12 BB17 BB24 BB52 BB71 CC62 DD33 DD43 DD76 EE52 ER11 ER12 ER18 GG01 GG04 GG06 GG08 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB15 CC32 CC54 CC55 CC58 DD23 DD24 DD32 DD33 DD47 DD48 EE06 EE18 EE19 EE33 EE38 FF13 FF14 GG15 GG17 GG18 GG22 GG23 GG27 GG28 HH11 HH25 HH26 HH31Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05K 3/38 H05K 3/38 B 5E346 3/42 620 3/42 620B 3/46 3/46 BNF term (Reference) 4K024 BB11 5E314 AA24 BB01 CC01 FF01 GG11 GG12 5E317 AA24 BB02 BB12 CC32 CC33 CD15 CD23 CD25 CD27 CD32 GG01 GG03 GG09 5E339 AB02 AC01 AD03 AD05 AE01 BC02 BD02 BD03 BD08 BE13 CD52 CE17 5E343 A52 DD33 A52 DD33 ER12 ER18 GG01 GG04 GG06 GG08 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB15 CC32 CC54 CC55 CC58 DD23 DD24 DD32 DD33 DD47 DD48 EE06 EE18 EE19 EE33 EE38 FF13 FF14 GG15 GG17 H28 GG18 H25 GG18

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】樹脂絶縁層と、 上記樹脂絶縁層を貫通する貫通孔内にメッキで充填形成
されたフィルドビアと、 上記樹脂絶縁層及びフィルドビア上にメッキで形成され
た所定パターンの導体層と、を備える配線基板の製造方
法であって、 上記貫通孔を有する樹脂絶縁層、並びに、上記貫通孔内
及び上記樹脂絶縁層上に形成された無電解メッキ層、を
備える基板のうち、上記無電解メッキ層上に、孔を含む
部分にメッキをしたときに孔外よりも孔内でメッキが成
長する第1メッキ液により電解メッキを施し、上記貫通
孔をメッキで充填して上記フィルドビアを形成すると共
に、このフィルドビア上及び上記樹脂絶縁層の無電解メ
ッキ層上の略全面に、第1電解メッキ層を形成する第1
電解メッキ工程と、 上記第1電解メッキ層を薄くする第1電解メッキ層薄化
工程と、 薄くされた上記第1電解メッキ層上に、所定パターンの
メッキレジスト層を形成するメッキレジスト層形成工程
と、 上記メッキレジスト層から露出する上記第1電解メッキ
層上に、孔を含む部分にメッキをしたときに孔内と同程
度以上に孔外でメッキが成長する第2メッキ液により電
解メッキを施し、所定パターンの第2電解メッキ層を形
成する第2電解メッキ工程と、 上記第2電解メッキ層上に、所定パターンのガード金属
層を形成するガード金属層形成工程と、 上記メッキレジスト層を除去するメッキレジスト層除去
工程と、 上記ガード金属層を溶解しないエッチング液を用いて、
露出した上記第1電解メッキ層及びその下の上記無電解
メッキ層をエッチング除去するパターンニング工程と、 上記ガード金属層を除去し、上記第2電解メッキ層と第
1電解メッキ層と無電解メッキ層とからなる上記所定パ
ターンの導体層を形成するガード金属層除去工程と、を
備える配線基板の製造方法。
A resin insulating layer; a filled via formed by plating in a through hole penetrating the resin insulating layer; a conductor layer having a predetermined pattern formed by plating on the resin insulating layer and the filled via; A method of manufacturing a wiring board, comprising: a resin insulating layer having the through hole; and an electroless plating layer formed in the through hole and on the resin insulating layer. On the plating layer, when a portion including a hole is plated, electrolytic plating is performed with a first plating solution in which plating grows in the hole rather than outside the hole, and the through hole is filled with plating to form the filled via. At the same time, a first electrolytic plating layer is formed on substantially the entire surface of the filled via and on the electroless plating layer of the resin insulating layer.
An electrolytic plating step, a first electrolytic plating layer thinning step of thinning the first electrolytic plating layer, and a plating resist layer forming step of forming a plating resist layer of a predetermined pattern on the thinned first electrolytic plating layer Electroplating with a second plating solution in which, when plating is performed on a portion including a hole on the first electrolytic plating layer exposed from the plating resist layer, plating grows outside the hole at least as much as inside the hole. A second electrolytic plating step of forming a second electrolytic plating layer of a predetermined pattern, a guard metal layer forming step of forming a guard metal layer of a predetermined pattern on the second electrolytic plating layer, Using a plating resist layer removing step for removing, and an etching solution that does not dissolve the guard metal layer,
A patterning step of etching and removing the exposed first electrolytic plating layer and the electroless plating layer thereunder; removing the guard metal layer, and forming the second electrolytic plating layer, the first electrolytic plating layer and the electroless plating; A guard metal layer removing step of forming a conductor layer having the above-mentioned predetermined pattern.
【請求項2】請求項1に記載の配線基板の製造方法であ
って、 前記第1電解メッキ層薄化工程において、前記第1電解
メッキ層と無電解メッキ層とを合わせた厚さが約3〜1
0μmとなるように、上記第1電解メッキ層を薄くする
配線基板の製造方法。
2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein in the first electrolytic plating layer thinning step, a total thickness of the first electrolytic plating layer and the electroless plating layer is about 3 to 1
A method for manufacturing a wiring board, wherein the thickness of the first electrolytic plating layer is reduced to 0 μm.
【請求項3】請求項2に記載の配線基板の製造方法であ
って、 前記パターンニング工程において、エッチングレートが
約1〜5μm/分の前記エッチング液を用いて、前記露
出した第1電解メッキ層及びその下の無電解メッキ層を
エッチング除去する配線基板の製造方法。
3. The method for manufacturing a wiring board according to claim 2, wherein in the patterning step, the exposed first electrolytic plating is performed using the etching solution having an etching rate of about 1 to 5 μm / min. A method for manufacturing a wiring board, wherein a layer and an electroless plating layer thereunder are removed by etching.
【請求項4】請求項1または請求項2に記載の配線基板
の製造方法であって、 前記パターンニング工程において、前記露出した第1電
解メッキ層及びその下の無電解メッキ層を、約0.5〜
5分間でエッチング除去する配線基板の製造方法。
4. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein in the patterning step, the exposed first electrolytic plating layer and the electroless plating layer thereunder are reduced to about 0%. .5-
A method of manufacturing a wiring board in which etching is removed in 5 minutes.
【請求項5】請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載
の配線基板の製造方法であって、 前記ガード金属層除去工程よりも後に、前記導体層の表
面をエッチング粗化する粗化工程と、 粗化された上記導体層及び前記樹脂絶縁層上に、上部樹
脂絶縁層を形成する上部絶縁層形成工程と、を備える配
線基板の製造方法。
5. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the surface of the conductor layer is etched and roughened after the step of removing the guard metal layer. A method of manufacturing a wiring board, comprising: a step of forming an upper insulating layer on the roughened conductor layer and the resin insulating layer.
【請求項6】請求項5に記載の配線基板の製造方法であ
って、 前記第2電解メッキ工程において、粒径約1μm以上の
メッキ粒子よりなる前記第2電解メッキ層を形成する配
線基板の製造方法。
6. The method of manufacturing a wiring board according to claim 5, wherein in the second electrolytic plating step, the second electrolytic plating layer is formed of plated particles having a particle size of about 1 μm or more. Production method.
【請求項7】請求項5または請求項6に記載の配線基板
の製造方法であって、 前記上部樹脂絶縁層上に上部導体層を形成する上部導体
層形成工程を備える配線基板の製造方法。
7. The method for manufacturing a wiring board according to claim 5, wherein said method further comprises a step of forming an upper conductor layer on said upper resin insulating layer.
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