JP2002324814A - Ｃｏｆ半導体パッケージの樹脂封止方法および装置 - Google Patents
Ｃｏｆ半導体パッケージの樹脂封止方法および装置Info
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- JP2002324814A JP2002324814A JP2001128101A JP2001128101A JP2002324814A JP 2002324814 A JP2002324814 A JP 2002324814A JP 2001128101 A JP2001128101 A JP 2001128101A JP 2001128101 A JP2001128101 A JP 2001128101A JP 2002324814 A JP2002324814 A JP 2002324814A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 封止樹脂中のボイドの低減が可能であり、半
導体パッケージの信頼性を向上させることができるＣＯ
Ｆ半導体パッケージの樹脂封止方法および装置を提供す
る。 【解決手段】 ＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止装置
をテープを乾燥雰囲気中に暴露する第一処理槽とテープ
を予熱する第二処理槽とテープへ樹脂を塗布する第三処
理とその樹脂を塗布したテープを加熱する第四処理槽か
らなる構成とし、テープを乾燥雰囲気中に暴露する処理
槽を湿度６０％ＲＨ以下に制御し、かつテープ予熱温度
を８０〜２００℃に制御した。
導体パッケージの信頼性を向上させることができるＣＯ
Ｆ半導体パッケージの樹脂封止方法および装置を提供す
る。 【解決手段】 ＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止装置
をテープを乾燥雰囲気中に暴露する第一処理槽とテープ
を予熱する第二処理槽とテープへ樹脂を塗布する第三処
理とその樹脂を塗布したテープを加熱する第四処理槽か
らなる構成とし、テープを乾燥雰囲気中に暴露する処理
槽を湿度６０％ＲＨ以下に制御し、かつテープ予熱温度
を８０〜２００℃に制御した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップオンフィル
ム構造の半導体パッケージの樹脂封止方法および装置に
関するものである。
ム構造の半導体パッケージの樹脂封止方法および装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ノート・パソコンや携帯型ワープロ、液
晶パネルなどの電子機器分野では、小型化高機能化が強
く求められている。これらの要求を実現するため、テー
プ状の絶縁フィルムに半導体チップを搭載し、インナー
リードと接続したパッケージ、いわゆるテープキャリア
パッケージ（以下、ＴＣＰと称する）によって薄型化多
ピン化が図られている。現在のＴＣＰはＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープが使
用されているが、チップと接続するインナーリードがデ
バイスホールと呼ばれるテープに形成された穴の部分に
浮いたような構造となっており、そのリードの直線性確
保のために狭ピッチ化には限界があった。そこで最近で
はインナーリードがフィルム上に形成された、いわゆる
チップオンフィルム（以下、ＣＯＦと称する）構造の半
導体パッケージが開発されている（ＮＥＣ技報ｖｏｌ.
５４ Ｎｏ．３／２００１ ｐ.１５８）。
晶パネルなどの電子機器分野では、小型化高機能化が強
く求められている。これらの要求を実現するため、テー
プ状の絶縁フィルムに半導体チップを搭載し、インナー
リードと接続したパッケージ、いわゆるテープキャリア
パッケージ（以下、ＴＣＰと称する）によって薄型化多
ピン化が図られている。現在のＴＣＰはＴＡＢ（Ｔａｐ
ｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープが使
用されているが、チップと接続するインナーリードがデ
バイスホールと呼ばれるテープに形成された穴の部分に
浮いたような構造となっており、そのリードの直線性確
保のために狭ピッチ化には限界があった。そこで最近で
はインナーリードがフィルム上に形成された、いわゆる
チップオンフィルム（以下、ＣＯＦと称する）構造の半
導体パッケージが開発されている（ＮＥＣ技報ｖｏｌ.
５４ Ｎｏ．３／２００１ ｐ.１５８）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＯＦ
パッケージには封止樹脂の中に直径数十μｍから数百μ
ｍの大きさのボイド（空隙）が存在することがあり、製
品の不良率を増大させていた。また、つぎのような過程
を経て信頼性に関わる問題が発生する。
パッケージには封止樹脂の中に直径数十μｍから数百μ
ｍの大きさのボイド（空隙）が存在することがあり、製
品の不良率を増大させていた。また、つぎのような過程
を経て信頼性に関わる問題が発生する。
【０００４】（１）パッケージは実際の使用環境下での
温度上昇・低下の繰返しを受けるために、その温度変化
に対応して、そのボイドは膨張収縮を繰返す。 （２）ボイドと封止樹脂の間には熱膨張率に差があるた
めにボイドの膨張収縮は封止樹脂に対して応力として作
用する。 （３）その応力が繰返し作用するために封止樹脂に割れ
が発生する。 （４）その割れが伝播し広がり、樹脂が欠落し、リード
配線、半導体チップなどが露出する。 （５）パッケージ内の腐食発生するに至り、パッケージ
の信頼性が損なわれてしまう。
温度上昇・低下の繰返しを受けるために、その温度変化
に対応して、そのボイドは膨張収縮を繰返す。 （２）ボイドと封止樹脂の間には熱膨張率に差があるた
めにボイドの膨張収縮は封止樹脂に対して応力として作
用する。 （３）その応力が繰返し作用するために封止樹脂に割れ
が発生する。 （４）その割れが伝播し広がり、樹脂が欠落し、リード
配線、半導体チップなどが露出する。 （５）パッケージ内の腐食発生するに至り、パッケージ
の信頼性が損なわれてしまう。
【０００５】本発明は、以上の従来技術における問題に
鑑みてなされたものであり、封止樹脂中のボイドの低減
が可能であり、半導体パッケージの信頼性を向上させ、
不良率の低減ができるＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封
止方法および装置を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、封止樹脂中のボイドの低減
が可能であり、半導体パッケージの信頼性を向上させ、
不良率の低減ができるＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封
止方法および装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願発明の発明者はＣＯ
Ｆ半導体パッケージにおける封止樹脂中のボイド低減に
ついて種々検討を行い、樹脂封止工程において樹脂を充
填した後に加熱によって樹脂硬化させる段階で、テープ
表層に吸着した水分が蒸発・気化し、樹脂中に残存した
結果としてボイドが形成されている現象を把握し、それ
を解決する方法および装置を完成させるに至った。
Ｆ半導体パッケージにおける封止樹脂中のボイド低減に
ついて種々検討を行い、樹脂封止工程において樹脂を充
填した後に加熱によって樹脂硬化させる段階で、テープ
表層に吸着した水分が蒸発・気化し、樹脂中に残存した
結果としてボイドが形成されている現象を把握し、それ
を解決する方法および装置を完成させるに至った。
【０００７】従来のＴＡＢ半導体パッケージでは樹脂封
止を行う際には、デバイスホールから樹脂を充填し封止
する構造で、封止樹脂が外部に開放されている面積が大
きいためにテープ基材の吸着水分が気化しても、そのガ
スは封止樹脂外に抜けやすい状態であった。したがっ
て、樹脂中に気化ガスが残存したボイドが発生しにくか
った。
止を行う際には、デバイスホールから樹脂を充填し封止
する構造で、封止樹脂が外部に開放されている面積が大
きいためにテープ基材の吸着水分が気化しても、そのガ
スは封止樹脂外に抜けやすい状態であった。したがっ
て、樹脂中に気化ガスが残存したボイドが発生しにくか
った。
【０００８】これに対して、ＣＯＦ半導体パッケージで
はテープ基材上にインナーリード配線を形成し、その上
に半導体チップを搭載接続した構成（以下、単にテープ
と称する）であり、そのテープについて封止樹脂を半導
体チップとテープ基材の間に充填する構造となってい
る。ＴＡＢ半導体パッケージの構造と比較すると、樹脂
は充填された時点でいずれもテープ基材と直接接触する
が、半導体チップとテープ基材の間のかなり狭い空間に
樹脂を注入する状態になり、テープ基材表層の吸着水分
が気化した場合にはそのガスが樹脂から抜け難い構造に
なっていた。これはＣＯＦ半導体パッケージという半導
体パッケージの小型化高機能化を追求した結果として発
生してきた問題であった。
はテープ基材上にインナーリード配線を形成し、その上
に半導体チップを搭載接続した構成（以下、単にテープ
と称する）であり、そのテープについて封止樹脂を半導
体チップとテープ基材の間に充填する構造となってい
る。ＴＡＢ半導体パッケージの構造と比較すると、樹脂
は充填された時点でいずれもテープ基材と直接接触する
が、半導体チップとテープ基材の間のかなり狭い空間に
樹脂を注入する状態になり、テープ基材表層の吸着水分
が気化した場合にはそのガスが樹脂から抜け難い構造に
なっていた。これはＣＯＦ半導体パッケージという半導
体パッケージの小型化高機能化を追求した結果として発
生してきた問題であった。
【０００９】また、テープ基材表層への水分の付着状態
は一定ではないため、ボイドの発生程度にもばらつきが
あり、半導体パッケージとしての信頼性の予測の困難さ
ももたらした。
は一定ではないため、ボイドの発生程度にもばらつきが
あり、半導体パッケージとしての信頼性の予測の困難さ
ももたらした。
【００１０】以上のようなボイドの発生原因に則り、本
件の問題を解決するためにつぎのような手段をとった。
すなわち、本願発明に係るＣＯＦパッケージの樹脂封止
方法にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露した後に
樹脂封止処理を行うことを特徴とする。
件の問題を解決するためにつぎのような手段をとった。
すなわち、本願発明に係るＣＯＦパッケージの樹脂封止
方法にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露した後に
樹脂封止処理を行うことを特徴とする。
【００１１】これにより、従来よりもテープ基材表層に
吸着している水分は蒸発しやすくなり、容易に除去され
る。また、雰囲気中に水分が含まれていないため、テー
プへのさらなる水分の吸着も防止される。その結果、テ
ープ基材表層の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中
のボイドの発生抑制が可能となる。
吸着している水分は蒸発しやすくなり、容易に除去され
る。また、雰囲気中に水分が含まれていないため、テー
プへのさらなる水分の吸着も防止される。その結果、テ
ープ基材表層の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中
のボイドの発生抑制が可能となる。
【００１２】また、本願発明に係るＣＯＦパッケージの
樹脂封止方法にあっては、テープを予熱した後に樹脂封
止処理を行うことを特徴とする。
樹脂封止方法にあっては、テープを予熱した後に樹脂封
止処理を行うことを特徴とする。
【００１３】テープが予熱されることにより、樹脂硬化
段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水分が蒸
発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生抑制が
可能になる。
段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水分が蒸
発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生抑制が
可能になる。
【００１４】さらに、本願発明に係るＣＯＦパッケージ
の樹脂封止方法にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴
露し、テープを予熱した後に樹脂封止処理を行うことを
特徴とする。
の樹脂封止方法にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴
露し、テープを予熱した後に樹脂封止処理を行うことを
特徴とする。
【００１５】テープが乾燥雰囲気に暴露されることによ
り、従来よりもテープ基材表層に吸着している水分は蒸
発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲気中に
水分が含まれていないため、テープへのさらなる水分の
吸着も防止される。さらに、テープが予熱されるため、
樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着
水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中のボイ
ドの発生がさらに抑制される。
り、従来よりもテープ基材表層に吸着している水分は蒸
発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲気中に
水分が含まれていないため、テープへのさらなる水分の
吸着も防止される。さらに、テープが予熱されるため、
樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着
水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中のボイ
ドの発生がさらに抑制される。
【００１６】本願発明に係るＣＯＦパッケージの樹脂封
止方法にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露する第
一工程とテープを予熱する第二工程とテープへ樹脂を塗
布する第三工程とその樹脂を塗布したテープを加熱する
第四工程とからなることを特徴とする。
止方法にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露する第
一工程とテープを予熱する第二工程とテープへ樹脂を塗
布する第三工程とその樹脂を塗布したテープを加熱する
第四工程とからなることを特徴とする。
【００１７】テープが乾燥雰囲気に暴露されることによ
り、従来よりもテープ基材表層に吸着している水分は蒸
発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲気中に
水分が含まれていないため、テープへのさらなる水分の
吸着も防止される。次いで、テープが予熱されるため、
樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着
水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中のボイ
ドの発生がさらに抑制される。また、予熱後に続けて樹
脂封止工程に入ることによって、予熱を封止樹脂硬化の
ための熱として活用できるため、エネルギー面で無駄に
ならない。
り、従来よりもテープ基材表層に吸着している水分は蒸
発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲気中に
水分が含まれていないため、テープへのさらなる水分の
吸着も防止される。次いで、テープが予熱されるため、
樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着
水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中のボイ
ドの発生がさらに抑制される。また、予熱後に続けて樹
脂封止工程に入ることによって、予熱を封止樹脂硬化の
ための熱として活用できるため、エネルギー面で無駄に
ならない。
【００１８】さらに本願発明に係るＣＯＦパッケージの
樹脂封止方法にあっては、不活性ガスを充填することに
よってテープを暴露する雰囲気を乾燥させることが望ま
しい。
樹脂封止方法にあっては、不活性ガスを充填することに
よってテープを暴露する雰囲気を乾燥させることが望ま
しい。
【００１９】通常、クリーンルーム内の湿度は６０％Ｒ
Ｈ以下に調整されているが、その湿度レベルではボイド
抑制に対しては不充分であった。乾燥した不活性ガスを
テープ供給室に充填し、その供給室内の湿度を極力０％
ＲＨに近づけてやることによってボイド低減に効果が認
められた。なお、ここで不活性ガスとは窒素ガス、アル
ゴンガスなどである。また、不活性ガスに代えて、乾燥
空気でもよく、あるいはその雰囲気を加熱して乾燥させ
てもよい。
Ｈ以下に調整されているが、その湿度レベルではボイド
抑制に対しては不充分であった。乾燥した不活性ガスを
テープ供給室に充填し、その供給室内の湿度を極力０％
ＲＨに近づけてやることによってボイド低減に効果が認
められた。なお、ここで不活性ガスとは窒素ガス、アル
ゴンガスなどである。また、不活性ガスに代えて、乾燥
空気でもよく、あるいはその雰囲気を加熱して乾燥させ
てもよい。
【００２０】さらに本願発明に係るＣＯＦ半導体パッケ
ージの樹脂封止方法にあっては、テープを予熱する際に
テープを８０〜２００℃にすることが望ましい。
ージの樹脂封止方法にあっては、テープを予熱する際に
テープを８０〜２００℃にすることが望ましい。
【００２１】予熱温度として８０℃よりも低い場合は、
水分の蒸発速度が小さいために水分除去の効率が悪く、
ボイド低減効果も小さい。一方、予熱温度が２００℃を
超えた場合はテープへの熱影響が大きく、テープ基材が
変質してしまう。予熱温度範囲として８０〜２００℃で
ボイド低減効果があるが、さらに好ましくは１００〜１
５０℃がよい。
水分の蒸発速度が小さいために水分除去の効率が悪く、
ボイド低減効果も小さい。一方、予熱温度が２００℃を
超えた場合はテープへの熱影響が大きく、テープ基材が
変質してしまう。予熱温度範囲として８０〜２００℃で
ボイド低減効果があるが、さらに好ましくは１００〜１
５０℃がよい。
【００２２】本願発明に係るＣＯＦ半導体パッケージの
樹脂封止装置にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露
する処理槽と樹脂封止処理槽とを備えることを特徴とす
る。
樹脂封止装置にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露
する処理槽と樹脂封止処理槽とを備えることを特徴とす
る。
【００２３】乾燥雰囲気暴露処理槽内では、従来よりも
テープ基材表層に吸着している水分は蒸発しやすくな
り、容易に除去される。また、雰囲気中に水分が含まれ
ていないため、テープへのさらなる水分の吸着も防止さ
れる。その結果、テープ基材表層の吸着水分が低減され
るため、封止樹脂中のボイドの発生抑制が可能となる。
テープ基材表層に吸着している水分は蒸発しやすくな
り、容易に除去される。また、雰囲気中に水分が含まれ
ていないため、テープへのさらなる水分の吸着も防止さ
れる。その結果、テープ基材表層の吸着水分が低減され
るため、封止樹脂中のボイドの発生抑制が可能となる。
【００２４】本願発明に係るＣＯＦ半導体パッケージの
樹脂封止装置にあっては、テープ予熱槽と樹脂封止処理
槽とを備えることを特徴とする。
樹脂封止装置にあっては、テープ予熱槽と樹脂封止処理
槽とを備えることを特徴とする。
【００２５】予熱槽でテープが予熱され、樹脂硬化段階
の加熱によって気化する可能性のある吸着水分が蒸発・
除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生抑制が可能
になる。
の加熱によって気化する可能性のある吸着水分が蒸発・
除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生抑制が可能
になる。
【００２６】本願発明に係るＣＯＦ半導体パッケージの
樹脂封止装置にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露
する処理槽と、テープ予熱槽と、樹脂封止処理槽とを備
えることを特徴とする。
樹脂封止装置にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露
する処理槽と、テープ予熱槽と、樹脂封止処理槽とを備
えることを特徴とする。
【００２７】乾燥雰囲気暴露処理槽とテープ予熱槽の二
重の効果で、ボイド低減効果も倍増し、装置としての処
理効率も向上する。
重の効果で、ボイド低減効果も倍増し、装置としての処
理効率も向上する。
【００２８】本願発明に係るＣＯＦ半導体パッケージの
樹脂封止装置にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露
する第一処理槽とテープを予熱する第二処理槽とテープ
へ樹脂を塗布する第三処理とその樹脂を塗布したテープ
を加熱する第四処理槽とからなることを特徴とする。
樹脂封止装置にあっては、テープを乾燥雰囲気中に暴露
する第一処理槽とテープを予熱する第二処理槽とテープ
へ樹脂を塗布する第三処理とその樹脂を塗布したテープ
を加熱する第四処理槽とからなることを特徴とする。
【００２９】乾燥雰囲気暴露処理槽とテープ予熱槽の二
重の効果で、ボイド低減効果も倍増し、装置としての処
理効率も向上する。また、予熱槽を経て樹脂封止処理工
程に入ることによって、予熱を封止樹脂硬化のための熱
として活用できるため、エネルギー面で無駄にならな
い。
重の効果で、ボイド低減効果も倍増し、装置としての処
理効率も向上する。また、予熱槽を経て樹脂封止処理工
程に入ることによって、予熱を封止樹脂硬化のための熱
として活用できるため、エネルギー面で無駄にならな
い。
【００３０】さらに本願発明に係るＣＯＦパッケージの
樹脂封止装置にあっては、不活性ガスを充填することに
よってテープを暴露する雰囲気を乾燥させることが望ま
しい。
樹脂封止装置にあっては、不活性ガスを充填することに
よってテープを暴露する雰囲気を乾燥させることが望ま
しい。
【００３１】通常、クリーンルーム内の湿度は６０％Ｒ
Ｈ以下に調整されているが、その湿度レベルではボイド
抑制に対しては不充分であった。乾燥した不活性ガスを
テープ供給室に充填し、その供給室内の湿度を極力０％
ＲＨに近づけてやることによってボイド低減に効果が認
められた。なお、ここで不活性ガスとは窒素ガス、アル
ゴンガスなどである。また、不活性ガスに代えて、乾燥
空気でもよく、あるいはその雰囲気を加熱して乾燥させ
てもよい。
Ｈ以下に調整されているが、その湿度レベルではボイド
抑制に対しては不充分であった。乾燥した不活性ガスを
テープ供給室に充填し、その供給室内の湿度を極力０％
ＲＨに近づけてやることによってボイド低減に効果が認
められた。なお、ここで不活性ガスとは窒素ガス、アル
ゴンガスなどである。また、不活性ガスに代えて、乾燥
空気でもよく、あるいはその雰囲気を加熱して乾燥させ
てもよい。
【００３２】さらに本願発明に係るＣＯＦ半導体パッケ
ージの樹脂封止装置にあっては、テープを予熱する際に
テープを８０〜２００℃にすることが望ましい。
ージの樹脂封止装置にあっては、テープを予熱する際に
テープを８０〜２００℃にすることが望ましい。
【００３３】予熱温度として８０℃よりも低い場合は、
水分の蒸発速度が小さいために水分除去の効率が悪く、
ボイド低減効果も小さい。一方、予熱温度が２００℃を
超えた場合はテープへの熱影響が大きく、テープ基材が
変質してしまう。予熱温度範囲として８０〜２００℃で
ボイド低減効果があるが、さらに好ましくは１００〜１
５０℃がよい。
水分の蒸発速度が小さいために水分除去の効率が悪く、
ボイド低減効果も小さい。一方、予熱温度が２００℃を
超えた場合はテープへの熱影響が大きく、テープ基材が
変質してしまう。予熱温度範囲として８０〜２００℃で
ボイド低減効果があるが、さらに好ましくは１００〜１
５０℃がよい。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るＣＯＦ半導
体パッケージの樹脂封止装置の一実施の形態を図１をも
とに説明する。図１を参照して、本発明に係るＣＯＦ半
導体パッケージの樹脂封止装置の構成を説明する。この
実施の形態の樹脂封止装置は図示していない乾燥窒素ガ
ス供給ラインおよびバルブおよび排気バルブを備え、テ
ープ６を収納する密閉されたテープ供給部兼乾燥雰囲気
暴露槽１とテープ予熱処理槽２と塗布ステージ３１、ポ
ッティング装置３２からなる樹脂塗布処理槽３とベーク
処理槽４とテープ収納部５とテープ供給部兼乾燥雰囲気
暴露槽１、電熱ヒーターを備えたテープ予熱処理槽２、
塗布ステージ３１、ポッティング装置３２、電熱ヒータ
ーを備えたベーク処理槽４、テープ収納部５を制御する
図示していない制御装置から構成される。
体パッケージの樹脂封止装置の一実施の形態を図１をも
とに説明する。図１を参照して、本発明に係るＣＯＦ半
導体パッケージの樹脂封止装置の構成を説明する。この
実施の形態の樹脂封止装置は図示していない乾燥窒素ガ
ス供給ラインおよびバルブおよび排気バルブを備え、テ
ープ６を収納する密閉されたテープ供給部兼乾燥雰囲気
暴露槽１とテープ予熱処理槽２と塗布ステージ３１、ポ
ッティング装置３２からなる樹脂塗布処理槽３とベーク
処理槽４とテープ収納部５とテープ供給部兼乾燥雰囲気
暴露槽１、電熱ヒーターを備えたテープ予熱処理槽２、
塗布ステージ３１、ポッティング装置３２、電熱ヒータ
ーを備えたベーク処理槽４、テープ収納部５を制御する
図示していない制御装置から構成される。
【００３５】つぎに、本発明のＣＯＦ半導体パッケージ
の樹脂封止装置の作用について図１に基づいて説明す
る。テープ６を巻いてコイル状態にしたものをテープ供
給部兼乾燥雰囲気暴露槽１に収納した後に、制御装置に
て前記樹脂封止装置の構成機器を起動させて樹脂封止装
置の運転が可能な状態にさせてから、制御装置にて樹脂
封止装置の運転を開始する。
の樹脂封止装置の作用について図１に基づいて説明す
る。テープ６を巻いてコイル状態にしたものをテープ供
給部兼乾燥雰囲気暴露槽１に収納した後に、制御装置に
て前記樹脂封止装置の構成機器を起動させて樹脂封止装
置の運転が可能な状態にさせてから、制御装置にて樹脂
封止装置の運転を開始する。
【００３６】まず、テープ供給部兼乾燥雰囲気暴露槽１
の乾燥窒素ガス供給バルブを開き、テープ供給部兼乾燥
雰囲気暴露槽１室内に乾燥窒素ガスを供給し、排気バル
ブから室内空気を排気しつつ、室内に乾燥窒素ガスを充
満させる。
の乾燥窒素ガス供給バルブを開き、テープ供給部兼乾燥
雰囲気暴露槽１室内に乾燥窒素ガスを供給し、排気バル
ブから室内空気を排気しつつ、室内に乾燥窒素ガスを充
満させる。
【００３７】ついで、テープ供給部兼乾燥雰囲気暴露槽
１からテープ６を巻きだしテープ予熱処理槽２へ搬送す
る。テープ予熱処理槽２内では電熱ヒーターが設置され
ており、その熱によってテープ６を加熱する構造となっ
ていて、テープ予熱処理槽２の出側でのテープ６温度が
１００℃になるように加熱されている。なお、テープ６
の予熱温度はテープ６の搬送速度とテープ予熱処理槽２
内の加熱条件によって決定される。ここでテープ予熱処
理槽２内の加熱条件とは電熱ヒーターの発熱条件、電熱
ヒーターとテープ６との距離、テープ予熱処理槽２の長
さなどである。
１からテープ６を巻きだしテープ予熱処理槽２へ搬送す
る。テープ予熱処理槽２内では電熱ヒーターが設置され
ており、その熱によってテープ６を加熱する構造となっ
ていて、テープ予熱処理槽２の出側でのテープ６温度が
１００℃になるように加熱されている。なお、テープ６
の予熱温度はテープ６の搬送速度とテープ予熱処理槽２
内の加熱条件によって決定される。ここでテープ予熱処
理槽２内の加熱条件とは電熱ヒーターの発熱条件、電熱
ヒーターとテープ６との距離、テープ予熱処理槽２の長
さなどである。
【００３８】予熱されたテープ６は樹脂塗布処理槽３内
に搬送され、塗布ステージ３１上でポッティング装置３
２からテープ６に封止樹脂が塗布される。封止樹脂が塗
布されたテープ６はさらにベーク処理槽４に搬送され
て、その処理槽内の電熱ヒーターによってテープ６を１
５０℃に加熱し、封止樹脂を硬化させる。
に搬送され、塗布ステージ３１上でポッティング装置３
２からテープ６に封止樹脂が塗布される。封止樹脂が塗
布されたテープ６はさらにベーク処理槽４に搬送され
て、その処理槽内の電熱ヒーターによってテープ６を１
５０℃に加熱し、封止樹脂を硬化させる。
【００３９】封止樹脂の硬化が終了したテープ６は最終
的にテープ収納部５に搬送され、巻き取られ封止樹脂の
工程が完了する。なお、テープ６の予熱が不要な場合に
は電熱ヒーターをオフにして、加熱しないままテープ予
熱処理槽２内をテープ６を搬送すればよい。また、テー
プ６の乾燥雰囲気への暴露が不要の場合にはテープ供給
部兼乾燥雰囲気暴露槽１へ乾燥窒素ガスを供給せずにそ
のままテープ６を搬送すればよい。
的にテープ収納部５に搬送され、巻き取られ封止樹脂の
工程が完了する。なお、テープ６の予熱が不要な場合に
は電熱ヒーターをオフにして、加熱しないままテープ予
熱処理槽２内をテープ６を搬送すればよい。また、テー
プ６の乾燥雰囲気への暴露が不要の場合にはテープ供給
部兼乾燥雰囲気暴露槽１へ乾燥窒素ガスを供給せずにそ
のままテープ６を搬送すればよい。
【００４０】つぎに、前記実施例で示した工程で作成し
たＣＯＦ半導体パッケージサンプルと図２に示す従来の
工程で作成したＣＯＦ半導体パッケージの封止樹脂中の
ボイドサンプルを調査した。サンプルの作成にあたって
は表１に示す条件で作成し、調査としてサンプル１ピー
ス当りの封止樹脂中のボイド数を測定した。
たＣＯＦ半導体パッケージサンプルと図２に示す従来の
工程で作成したＣＯＦ半導体パッケージの封止樹脂中の
ボイドサンプルを調査した。サンプルの作成にあたって
は表１に示す条件で作成し、調査としてサンプル１ピー
ス当りの封止樹脂中のボイド数を測定した。
【００４１】ここで、図２はＣＯＦ半導体パッケージの
樹脂封止装置の従来の実施の形態における構成を示す平
面概略図であり、図１の本願発明の実施例の構成と比べ
ると、乾燥窒素ガス供給ラインおよびバルブおよび排気
バルブ、テープ予熱処理槽２、窒素ガス供給バルブ、テ
ープ予熱処理槽２に関する制御装置がない構成となって
いる。また、従来の樹脂封止工程では、テープ６をテー
プ供給部１０から巻き出し搬送し、テープ収納部５で巻
き取るまでの間に樹脂封止する点では前記実施例と同様
であるが、テープ供給部１０でテープ６を乾燥雰囲気に
暴露しない点およびテープ予熱を行わない点で異なる。
樹脂封止装置の従来の実施の形態における構成を示す平
面概略図であり、図１の本願発明の実施例の構成と比べ
ると、乾燥窒素ガス供給ラインおよびバルブおよび排気
バルブ、テープ予熱処理槽２、窒素ガス供給バルブ、テ
ープ予熱処理槽２に関する制御装置がない構成となって
いる。また、従来の樹脂封止工程では、テープ６をテー
プ供給部１０から巻き出し搬送し、テープ収納部５で巻
き取るまでの間に樹脂封止する点では前記実施例と同様
であるが、テープ供給部１０でテープ６を乾燥雰囲気に
暴露しない点およびテープ予熱を行わない点で異なる。
【００４２】
【表１】（ボイド数評価サンプルの樹脂封止条件）
【００４３】調査の結果、従来のＣＯＦ半導体パッケー
ジでは１ピース当り１０個程度のボイドが発生していた
が、本願発明の実施例１−１、１−２、１−３いずれに
おいてもボイド数の低減が確認された。また、ボイド数
の低減効果として、乾燥雰囲気への暴露、テープ予熱そ
れぞれ単独でも低減効果が確認されているが、乾燥雰囲
気への暴露とテープ予熱の両方を実施した条件のものが
最も優れた結果が得られた。
ジでは１ピース当り１０個程度のボイドが発生していた
が、本願発明の実施例１−１、１−２、１−３いずれに
おいてもボイド数の低減が確認された。また、ボイド数
の低減効果として、乾燥雰囲気への暴露、テープ予熱そ
れぞれ単独でも低減効果が確認されているが、乾燥雰囲
気への暴露とテープ予熱の両方を実施した条件のものが
最も優れた結果が得られた。
【００４４】
【表２】（１ピース当りの封止樹脂中のボイド数（個／
ピース））
ピース））
【発明の効果】請求項１のＣＯＦ半導体パッケージの樹
脂封止方法によれば、従来よりもテープ基材表層に吸着
している水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。
また、雰囲気中に水分が含まれていないため、テープへ
のさらなる水分の吸着も防止される。その結果、テープ
基材表層の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボ
イドの発生抑制が可能となる。
脂封止方法によれば、従来よりもテープ基材表層に吸着
している水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。
また、雰囲気中に水分が含まれていないため、テープへ
のさらなる水分の吸着も防止される。その結果、テープ
基材表層の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボ
イドの発生抑制が可能となる。
【００４５】請求項２のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止方法によれば、テープが予熱されることにより、樹
脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水
分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制が可能になる。
封止方法によれば、テープが予熱されることにより、樹
脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水
分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制が可能になる。
【００４６】請求項３のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱される
ため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のあ
る吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中
のボイドの発生がさらに抑制される。
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱される
ため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のあ
る吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中
のボイドの発生がさらに抑制される。
【００４７】請求項４のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱される
ため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のあ
る吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中
のボイドの発生がさらに抑制される。
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱される
ため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のあ
る吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中
のボイドの発生がさらに抑制される。
【００４８】請求項５のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。その結果、テープ基材表層の
吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制に効果がある。
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。その結果、テープ基材表層の
吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制に効果がある。
【００４９】請求項６のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止方法によれば、テープが予熱されることにより、樹
脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水
分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制に効果がある。
封止方法によれば、テープが予熱されることにより、樹
脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水
分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制に効果がある。
【００５０】請求項７のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱される
ため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のあ
る吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中
のボイドの発生がさらに抑制される。
封止方法によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露されるこ
とにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している水
分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰囲
気中に水分が含まれていないため、テープへのさらなる
水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱される
ため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のあ
る吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂中
のボイドの発生がさらに抑制される。
【００５１】請求項８のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止装置によれば、従来よりもテープ基材表層に吸着し
ている水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。ま
た、雰囲気中に水分が含まれていないため、テープへの
さらなる水分の吸着も防止される。その結果、テープ基
材表層の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボイ
ドの発生抑制が可能となる。
封止装置によれば、従来よりもテープ基材表層に吸着し
ている水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。ま
た、雰囲気中に水分が含まれていないため、テープへの
さらなる水分の吸着も防止される。その結果、テープ基
材表層の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボイ
ドの発生抑制が可能となる。
【００５２】請求項９のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂
封止装置によれば、テープが予熱されることにより、樹
脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水
分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制が可能になる。
封止装置によれば、テープが予熱されることにより、樹
脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着水
分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発生
抑制が可能になる。
【００５３】請求項１０のＣＯＦ半導体パッケージの樹
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱され
るため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性の
ある吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂
中のボイドの発生がさらに抑制される。
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱され
るため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性の
ある吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂
中のボイドの発生がさらに抑制される。
【００５４】請求項１１のＣＯＦ半導体パッケージの樹
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱され
るため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性の
ある吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂
中のボイドの発生がさらに抑制される。
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱され
るため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性の
ある吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂
中のボイドの発生がさらに抑制される。
【００５５】請求項１２のＣＯＦ半導体パッケージの樹
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。その結果、テープ基材表層
の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボイドの発
生抑制に効果がある。
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。その結果、テープ基材表層
の吸着水分が低減されるため、封止樹脂中のボイドの発
生抑制に効果がある。
【００５６】請求項１３のＣＯＦ半導体パッケージの樹
脂封止装置によれば、テープが予熱されることにより、
樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着
水分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発
生抑制に効果がある。
脂封止装置によれば、テープが予熱されることにより、
樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性のある吸着
水分が蒸発・除去されるため、封止樹脂中のボイドの発
生抑制に効果がある。
【００５７】請求項１４のＣＯＦ半導体パッケージの樹
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱され
るため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性の
ある吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂
中のボイドの発生がさらに抑制される。
脂封止装置によれば、テープが乾燥雰囲気に暴露される
ことにより、従来よりもテープ基材表層に吸着している
水分は蒸発しやすくなり、容易に除去される。また、雰
囲気中に水分が含まれていないため、テープへのさらな
る水分の吸着も防止される。さらに、テープが予熱され
るため、樹脂硬化段階の加熱によって気化する可能性の
ある吸着水分が蒸発・除去される。その結果、封止樹脂
中のボイドの発生がさらに抑制される。
【図１】本発明に係るＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封
止装置の一実施形態における構成を示す平面概略図であ
る。
止装置の一実施形態における構成を示す平面概略図であ
る。
【図２】ＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止装置の従来
の実施形態における構成を示す平面概略図である。
の実施形態における構成を示す平面概略図である。
１ … テープ供給部兼乾燥雰囲気暴露処理槽 １０ … テープ供給部 ２ … テープ予熱処理槽 ３ … 樹脂塗布処理槽 ３１ … 塗布ステージ ３２ … ポッティング装置 ４ … ベーク処理槽 ５ … テープ収納部 ６ … テープ
Claims (14)
- 【請求項１】 テープを乾燥雰囲気中に暴露した後に樹
脂封止処理を行うことを特徴とするＣＯＦ半導体パッケ
ージの樹脂封止方法。 - 【請求項２】 テープを予熱した後に樹脂封止処理を行
うことを特徴とするＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止
方法。 - 【請求項３】 テープを乾燥雰囲気中に暴露し、テープ
を予熱した後に樹脂封止処理を行うことを特徴とするＣ
ＯＦ半導体パッケージの樹脂封止方法。 - 【請求項４】 テープを乾燥雰囲気中に暴露する第一工
程と、 テープを予熱する第二工程と、 テープへ樹脂を塗布する第三工程と、 その樹脂を塗布したテープを加熱する第四工程とからな
ることを特徴とするＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止
方法。 - 【請求項５】 乾燥不活性ガスを供給することによって
乾燥雰囲気とすることを特徴とする請求項１または請求
項３または請求項４に記載のＣＯＦ半導体パッケージの
樹脂封止方法。 - 【請求項６】 テープを予熱する際にテープを８０〜２
００℃にすることを特徴とする請求項２〜４のいずれか
一つに記載のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止方法。 - 【請求項７】 乾燥不活性ガスを供給することによって
テープを暴露する乾燥雰囲気とすること、およびテープ
を予熱する際にテープを８０〜２００℃にすることを特
徴とする請求項３または請求項４に記載のＣＯＦ半導体
パッケージの樹脂封止方法。 - 【請求項８】 テープを乾燥雰囲気中に暴露する処理槽
と樹脂封止処理槽とを備えることを特徴とするＣＯＦ半
導体パッケージの樹脂封止装置。 - 【請求項９】 テープ予熱槽と樹脂封止処理槽とを備え
ることを特徴とするＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止
装置。 - 【請求項１０】 テープを乾燥雰囲気中に暴露する処理
槽と、テープ予熱槽と、樹脂封止処理槽とを備えること
を特徴とするＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止装置。 - 【請求項１１】 テープを乾燥雰囲気中に暴露する第一
処理槽と、 テープを予熱する第二処理槽と、 テープへ樹脂を塗布する第三処理と、 その樹脂を塗布したテープを加熱する第四処理槽とから
なることを特徴とするＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封
止装置。 - 【請求項１２】 テープを乾燥雰囲気中に暴露する処理
槽へ乾燥不活性ガスが供給充填される処理槽であること
を特徴とする請求項８または請求項１０または請求項１
１に記載のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止装置。 - 【請求項１３】 テープ予熱温度が８０〜２００℃に制
御されることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一
つに記載のＣＯＦ半導体パッケージの樹脂封止装置。 - 【請求項１４】 テープを乾燥雰囲気中に暴露する処理
槽へ乾燥不活性ガスが供給充填されること、およびテー
プ予熱温度が８０〜２００℃に制御されることを特徴と
する請求項１０または請求項１１に記載のＣＯＦ半導体
パッケージの樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128101A JP2002324814A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | Ｃｏｆ半導体パッケージの樹脂封止方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001128101A JP2002324814A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | Ｃｏｆ半導体パッケージの樹脂封止方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002324814A true JP2002324814A (ja) | 2002-11-08 |
Family
ID=18976858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001128101A Pending JP2002324814A (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | Ｃｏｆ半導体パッケージの樹脂封止方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002324814A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014167949A1 (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 日東電工株式会社 | 封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286277A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nippon Rekku Kk | 真空印刷装置及び真空印刷方法 |
| JP2000323533A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Sharp Corp | テープキャリア並びにテープキャリア型半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-04-25 JP JP2001128101A patent/JP2002324814A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000286277A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Nippon Rekku Kk | 真空印刷装置及び真空印刷方法 |
| JP2000323533A (ja) * | 1999-05-14 | 2000-11-24 | Sharp Corp | テープキャリア並びにテープキャリア型半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014167949A1 (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-16 | 日東電工株式会社 | 封止シート貼付け方法および封止シート貼付け装置 |
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