JP2002318705A - 不揮発性メモリにおけるデータ配置方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 不揮発性メモリの使用メモリ容量を削減する
ことができる不揮発性メモリにおけるデータ配置方法を
提供する。 【解決手段】 デバイスに特有な書き換え処理を記載し
た書き換えプログラムをデバイスに依存しない共通プロ
グラムから呼び出されるサブルーチンとし、その書き換
えプログラムを不揮発性メモリ内の固定アドレスに配置
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、不揮発性メモリ内
にデータを配置する不揮発性メモリにおけるデータ配置
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ダイヤルアップルータ、携帯電話機等の
組み込み装置では、ファームウェア（プログラム）のバ
ージョンアップ（書き換え）機能を備えたものが多く、
電気的制御により格納されているデータを容易に書き換
え可能な不揮発性メモリが用いられていることが多い。
また、不揮発性メモリは、製品出荷後のプログラムのバ
ージョンアップが容易であるとの理由により、様々な機
器で使用されている。このような不揮発性メモリとし
て、例えば、フラッシュメモリ（フラッシュＲＯＭ）、
ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｅｒａｓａｂｌｅ
Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅ
ｍｏｒｙ）がある。

【０００３】不揮発性メモリが用いられる場合に、製品
の設計や製造等の面から、製品製造開始時に使用された
不揮発性メモリと同一のものが安定して供給されること
が好ましい。ところが、メモリの価格上昇、入手困難
性、生産中止等の理由により、最初に使用されたものと
同一の不揮発性メモリが安定して供給されない場合が生
ずる。そのため、不揮発性メモリの変更を余儀なくされ
ることがある。このとき、変更後の不揮発性メモリと変
更前の不揮発性メモリのデバイス動作が同一であること
が望ましいが、デバイス動作や動作仕様等は、不揮発性
メモリ毎に異なるというのが一般的である。

【０００４】例えば、不揮発性メモリがフラッシュＲＯ
Ｍ等の場合には、以下のような相違がありうる。即ち、
（１）不揮発性メモリ毎にバンク構成が異なる。（２）
不揮発性メモリ毎に書き込み、消去コマンドＩＤが異な
る。（３）新たな不揮発性メモリには、拡張コマンドが
追加されることが多く、その追加コマンドを使用した方
が処理時間が短くなる。このような相違がある場合に
は、不揮発性メモリ毎に異なった書き換え処理が要求さ
れる。

【０００５】書き換え処理の一例について、図８を参照
して説明する。図８には、不揮発性メモリとして、記憶
容量が１Ｍビット（１２８Ｋバイト）のフラッシュＲＯ
Ｍ５Ａ（以下、単にＲＯＭ５Ａと呼ぶ。）およびフラッ
シュＲＯＭ５Ｂ（以下、単にＲＯＭ５Ｂと呼ぶ。）が例
示されている。ＲＯＭ５ＡとＲＯＭ５Ｂとは、ブロック
構成が異なる。即ち、ＲＯＭ５Ａは、下位アドレス（０
００００Ｈ番地）から上位アドレス（１ＦＦＦＦＨ番
地）に向かって順に、１６Ｋバイト、１６Ｋバイト・・
・１６Ｋバイト、４Ｋバイト、４Ｋバイト、８Ｋバイト
のブロックで区切られたブロック構造を有し、ＲＯＭ５
Ｂは、８Ｋバイト、４Ｋバイト、４Ｋバイト、１６Ｋバ
イト、１６Ｋバイト・・・１６Ｋバイトで区切られたブ
ロック構造を有する。

【０００６】データ書き換えの動作例として、ＲＯＭ５
ＡおよびＲＯＭ５Ｂのアドレス０００００Ｈ（Ｈｅｘ：
１６進数）番地の内容を書き換える場合を想定する。こ
のとき、ＲＯＭ５ＡおよびＲＯＭ５Ｂは、フラッシュＲ
ＯＭであるので、ブロック単位でしかデータを消去する
ことができない。そのため、例えば、図９に示すフロー
チャートに示すような手順によって書き換えられる。デ
ータ書き換えは、一般に、組み込み装置内に設けられて
いるＣＰＵによって行われる。

【０００７】ＣＰＵは、ＲＯＭ５ＡおよびＲＯＭ５Ｂ内
のアドレス０００００Ｈ番地を含むブロック内のデータ
をＲＡＭ等の一時待避領域に待避させ（ステップＳ６
１）、ＲＯＭ５ＡおよびＲＯＭ５Ｂ内のアドレス０００
００Ｈ番地を含むブロック内のデータを消去し（ステッ
プＳ６２）、一時待避領域上でアドレス０００００Ｈ番
地に相当するデータの書き換えを行い（ステップＳ６
３）、その書き換えられたデータを一時待避領域からＲ
ＯＭ５ＡおよびＲＯＭ５Ｂに書き戻す（ステップＳ６
４）。

【０００８】具体的には、ＲＯＭ５Ａの場合には、アド
レス０００００Ｈ番地を含むブロック（アドレス０００
００Ｈ番地〜０３ＦＦＦＨ番地）に格納されている１６
Ｋバイトの待避および書き戻しが為され（ステップＳ６
１〜Ｓ６４）、ＲＯＭ５Ｂの場合には、アドレス０００
００Ｈ番地を含むブロック（アドレス０００００Ｈ番地
〜０１ＦＦＦＨ番地）に格納されている８Ｋバイトのデ
ータの待避および書き戻しが為される（ステップＳ６１
〜Ｓ６４）。このように、不揮発性メモリの構成が異な
れば、データ書き換え方法も異なる。

【０００９】近年、不揮発性メモリの記憶容量は増大の
傾向にあるので、不揮発性メモリに蓄積されるプログラ
ムのデータ量も増加の傾向にある。そのため、不揮発性
メモリに記憶されたプログラムの書き換えに要する時間
が長くなる傾向にある。なお、全ての種類の不揮発性メ
モリに対応した共通の書き換え方法が存在すれば、不揮
発性メモリ固有の問題について考慮する必要がないが、
上述のように、実際には、共通した書き換え方法は存在
しない。

【００１０】また、同じ製造元（メーカ）が提供する不
揮発性メモリでは、同一のコマンド体系が採用されてい
ることが多く、新たに提供される不揮発性メモリにあっ
ては、従来品との互換を保つための標準コマンドととも
に従来品よりも高速に書き換え動作をすることができる
拡張コマンドが採用されることが多い。このとき、拡張
コマンドを使用しないとするならば、つまり、標準コマ
ンドのみを使用するとするならば、同一のメーカが提供
する不揮発性メモリに限っては、共通の書き換え方法が
存在することになる。しかしながら、標準コマンドを使
用すると書き換え処理に極端に時間を要することがある
ので、拡張コマンドを使用しないとするのは、近年の不
揮発性メモリの容量増大化の傾向の下では好ましくな
い。

【００１１】従って、不揮発性メモリが組み込まれた組
み込み装置の生産効率を向上させるために、組み込み装
置の生産開始時に用いられていた不揮発性メモリのデー
タ書き換え方法とは異なるデータ書き換え方法が適用さ
れる不揮発性メモリを用いざるをえない場合には、不揮
発性メモリに格納されるプログラムを変更することが望
ましい。ところが、用いられる不揮発性メモリが、適用
されるデータ書き換えプログラムが異なるものに切り替
わるたびにプログラムを変更していたのでは、そのたび
にプログラムを作成しなければならず、設計上の非効率
が生ずることになる。

【００１２】そこで、組み込み装置内のＣＰＵが不揮発
性メモリに割り振られているデバイスＩＤを読出し、そ
のデバイスＩＤに応じてデータ書き換え処理を分岐する
という方法が提案されている。その方法の一例につい
て、図１０を参照して説明する。

【００１３】図１０には、不揮発性メモリとしてフラッ
シュＲＯＭ７０（以下、単にＲＯＭ７０という。）が例
示されている。不揮発性メモリがＥＥＰＲＯＭであって
も同様である。ＲＯＭ７０には、不揮発性メモリの種類
に依存しないＯＳ（オペレーティングシステム）や装置
制御のためのプログラム等を含む共通プログラム、複数
種類のＲＯＭのそれぞれに対応した書き換えプログラム
が格納されている。図１０に示す例では、ＩＤ＝１のＲ
ＯＭに対応した書き換えプログラムおよびＩＤ＝２のＲ
ＯＭに対応した書き換えプログラムが格納されている。
この場合、ＲＯＭ７０のＩＤは、１または２である。

【００１４】ＣＰＵは、共通プログラムの実行中に、プ
ログラム（共通プログラム）の書き換え要求が発生した
場合には、接続されている不揮発性メモリのＩＤを読出
し、そのＩＤに対応した書き換えプログラムを実行する
ことによって、不揮発性メモリの書き換えを行う。例え
ば、ＲＯＭ７０のＩＤが１である場合には、ＣＰＵは、
ＩＤ＝１に対応した書き換えプログラムを実行すること
でＲＯＭ７０内のデータの書き換えを行い、ＲＯＭ７０
のＩＤが２である場合には、ＣＰＵは、ＩＤ＝２に対応
した書き換えプログラムを実行することでＲＯＭ７０内
のデータの書き換えを行う。

【００１５】このように、一つの不揮発性メモリ内に、
複数の不揮発性メモリに対応した書き換えプログラムを
格納して置き、ＣＰＵが不揮発性ＲＯＭのＩＤに対応し
た書き換えプログラムを実行することで、ＲＯＭの変更
に対して対処することができる。なお、このような方法
は、一般的なＲＯＭライタ等において使用されているこ
とが多い。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、不揮発性メモ
リの種類が増加しつつあり、このような状況下におい
て、図１０に示すような方法を採用するとなると、多数
の種類のＲＯＭ（多数のＩＤ）に対応した書き換えプロ
グラムを１つの不揮発性メモリに格納させることにな
り、不揮発性メモリの記憶領域を無駄に消費し、記憶容
量が大きい不揮発性メモリが必要になる。そうなると、
装置に装着される不揮発性メモリの価格は上昇するの
で、組み込み装置の価格も上昇してしまい、製品流通市
場における価格競争力を失う恐れがある。

【００１７】そこで、本発明は、不揮発性メモリの使用
メモリ容量を削減することができる不揮発性メモリにお
けるデータ配置方法を提供することを目的とする。

【００１８】なお、特開平７−１３８７１号公報には、
ＩＣメモリカード用マイクロコンピュータ（以下、カー
ド用マイコンという。）に内臓されているＥＥＰＲＯＭ
内の機密性が高いデータの不正な改ざんを防止するため
の構成が開示されている。そのカード用マイコンは、Ｅ
ＥＰＲＯＭの他に、別のＲＯＭ（別ＲＯＭ）を備えてい
る。別ＲＯＭは、アプリケーションプログラムが格納さ
れたユーザプログラムＲＯＭ領域、ＥＥＰＲＯＭの書き
換えを行うための処理ルーチンが格納されたコントロー
ルＲＯＭ領域および処理ルーチンの先頭アドレスが格納
されたジャンプテーブルを備えている。カード用マイコ
ンは、ユーザプログラムＲＯＭ領域に格納されているエ
ントリーアドレスと予め設定されているオフセットとに
基づいてジャンプテーブルにアクセスし、該ジャンプテ
ーブルに格納されているアドレスに基づいて処理プログ
ラムを実行する。このような構成にすることにより、Ｅ
ＥＰＲＯＭ内の機密性が高いデータの不正な改ざんを防
止することができ、セキュリティの向上を図ることがで
きる。

【００１９】しかし、特開平７−１３８７１号公報に記
載されている方法は、複数種類のデータ書き換えプログ
ラムのうちから特定のデータ書き換えプログラムを選択
するための方法であって、選択に際してユーザプログラ
ム（共通プログラム）を変更する必要はないものの、分
岐処理によって特定のデータ書き換えプログラムを選択
する方法と本質的な相違はない。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明による不揮発性メ
モリにおけるデータ配置方法は、不揮発性メモリに特有
な書き換え処理を記載した書き換えプログラムを不揮発
性メモリに依存しない共通プログラムから呼び出される
サブルーチンとするステップと、書き換えプログラムを
不揮発性メモリ内の固定アドレスに配置するステップと
を有することを特徴とする。

【００２１】不揮発性メモリは、電気的制御によりデー
タ書き換えが可能なメモリである。このような不揮発性
メモリとして、例えば、フラッシュＲＯＭ、ＥＥＰＲＯ
Ｍ等がある。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、不揮発性メモリが
組み込まれた組み込み装置の一構成例を示すブロック図
である。図１に示す組み込み装置として、例えば、携帯
電話機、ダイヤルアップルータ、無線ＬＡＮのアクセス
ポイント等の組み込み系の通信機器がある。

【００２３】図１に示す組み込み装置は、ＣＰＵ（中央
演算処理装置）１、フラッシュＲＯＭ２（不揮発性メモ
リ）およびＲＡＭ３を備える。ＣＰＵ１、フラッシュＲ
ＯＭ２およびＲＡＭ３は、内部バス４に接続されてい
る。フラッシュＲＯＭ２は、電気的制御により格納され
ているデータの書き換えが可能な不揮発性メモリであ
る。ＲＡＭ３は、ＣＰＵ１のワーク領域として使用され
るとともに、フラッシュＲＯＭ２のデータ書き換え時の
データ待避領域としても使用される。また、図１には、
図示していないが、内部バス４には、外部と情報の送受
信を行うためのデータインタフェースが接続されてい
る。そのようなデータインタフェースとして、例えば、
ＲＳ２３２−ＣインタフェースやＬＡＮインタフェース
等がある。

【００２４】組み込み装置内のメモリ配置構成は図２に
示すとおりである。組み込み装置では、アドレス０００
００Ｈ番地〜３ＦＦＦＦＨ番地までの空間がＲＡＭ３の
領域（ＲＡＭ領域１１）、アドレス４００００Ｈ番地〜
ＥＦＦＦＦＨ番地までの空間が空き領域１２、アドレス
Ｆ００００Ｈ番地〜ＦＦＦＦＦＨ番地までの空間がフラ
ッシュＲＯＭ２の領域（ＲＯＭ領域１３）として使用さ
れる。ＲＯＭ領域１３には、共通プログラム格納領域、
空き領域（未使用領域）および固有プログラム領域が設
けられている。ＲＯＭ領域１３のメモリ配置構成の詳細
については、後述する。

【００２５】ＲＯＭ領域１３におけるメモリ配置構成
は、図３に示すとおりである。ＲＯＭ領域１３は、共通
プログラムが格納される共通プログラム領域２１、未使
用領域（空き領域）２２、デバイス固有（不揮発性メモ
リ）の書き換えプログラムが格納される書き換えプログ
ラム領域２３および未使用領域２４から成る。

【００２６】図３に示すように、ＲＯＭ２では、アドレ
スＦ００００Ｈ番地に共通プログラムが配置され、書き
換えプログラムが固定アドレスＦＦ０００Ｈ番地に配置
される。共通プログラムは、ＲＯＭ２の種類や製造元
（メーカ）に依存しないプログラムであり、例えば、Ｏ
Ｓ（オペレーションシステム）等である。書き換えプロ
グラムは、ＲＯＭ２の種類やメーカに依存する書き換え
プログラムである。書き換えプログラムは、共通プログ
ラムの実行中に書き換え要求が発生した場合に、ＣＰＵ
１によってサブルーチンコールされる。

【００２７】本実施の形態では、ＲＯＭ２として、図４
に示すようなフラッシュＲＯＭ２Ａ（以下、単にＲＯＭ
２Ａいう。）およびフラッシュＲＯＭ２Ｂ（以下、単に
ＲＯＭ２Ｂという。）のうち何れかの不揮発性メモリが
使用されることを想定する。図４は、フラッシュＲＯＭ
のブロック構成を示す説明図である。

【００２８】ＲＯＭ２Ａは、３２Ｋバイトのブロック
１、１６Ｋバイトのブロック２および１６Ｋバイトのブ
ロック３から成るブロック構成を有する。ブロック１の
実アドレスは、Ｆ００００Ｈ番地〜Ｆ７ＦＦＦＨ番地で
あり、ブロック２の実アドレスは、Ｆ８０００Ｈ番地〜
ＦＢＦＦＦＨ番地であり、ブロック３の実アドレスは、
ＦＣ０００Ｈ番地〜ＦＦＦＦＦＨ番地である。ＲＯＭ２
Ａのデバイス固有のＩＤを１とする。

【００２９】ＲＯＭ２Ｂは、１６Ｋバイトのブロック
１、１６Ｋバイトのブロック２および３２Ｋバイトのブ
ロック３から成るブロック構成を有する。ブロック１の
実アドレスは、Ｆ００００Ｈ番地〜Ｆ３ＦＦＦＨ番地で
あり、ブロック２の実アドレスは、Ｆ４０００Ｈ番地〜
Ｆ７ＦＦＦＨ番地であり、ブロック３の実アドレスは、
Ｆ８０００Ｈ番地〜ＦＦＦＦＦＨ番地である。ＲＯＭ２
Ｂのデバイス固有のＩＤを２とする。

【００３０】ＲＯＭ２ＡおよびＲＯＭ２Ｂのメモリ配置
構成を図５に示す。図５に示すように、ＲＯＭ２Ａおよ
びＲＯＭ２Ｂにおいては、アドレスＦ００００Ｈ番地
に、ＲＯＭ２Ａ（ＩＤ＝１）およびＲＯＭ（ＩＤ＝２）
に共通した共通プログラム１００が配置されている。Ｒ
ＯＭ２Ａにおいては、固定アドレスＦＦ０００Ｈ番地に
ＩＤ＝１用の書き換えプログラム１１０が配置され、Ｒ
ＯＭ２Ｂにおいては、固定アドレスＦＦ０００Ｈ番地に
ＩＤ＝２用の書き換えプログラム１２０が配置されてい
る。書き換えプログラム１１０および１２０は、共通プ
ログラムの実行中に書き換え要求が発生した場合に、サ
ブルーチンコールされる。書き換えプログラム１１０お
よび１２０は、それぞれ、ＲＯＭ２ＡおよびＲＯＭ２Ｂ
に格納されているデータを書き換えるためのＲＯＭ２Ａ
およびＲＯＭ２Ｂ特有のプログラムである。

【００３１】ここで、不揮発性メモリの書き換え処理
は、不揮発性メモリ毎に異なる。例えば、フラッシュＲ
ＯＭは、１バイト単位でのデータ書き込みはできるが、
データの消去はブロック単位でしか行えない。そのた
め、ブロック構造が異なるフラッシュＲＯＭでは、書き
換え処理が異なる。また、フラッシュＲＯＭに対するコ
マンド番号（コマンドＩＤ）やコマンドの与え方も、フ
ラッシュＲＯＭの種類やメーカによって異なる。そのた
め、書き換えプログラムは、フラッシュメモリの種類や
メーカによって異なる。例えば、書き換えプログラム１
１０と書き換えプログラム１２０とでは、書き換え処理
の方法が異なる。

【００３２】共通プログラムおよび書き換えプログラム
は、例えば、ＲＯＭライタ等によってフラッシュＲＯＭ
内に書き込まれる。この場合、ＲＯＭライタは、パーソ
ナルコンピュータ等の外部の情報処理装置から共通プロ
グラムおよび書き換えプログラムを受信し、共通プログ
ラムおよび書き換えプログラムをフラッシュＲＯＭに書
きこむ。このとき、ＲＯＭライタは、外部情報処理装置
から指定されたアドレスに書きこむ。

【００３３】次に、動作について説明する。まず、ＲＯ
Ｍ２Ａが使用された場合を想定する。図６は、書き換え
プログラム１１０の動作を説明するためのフローチャー
トである。

【００３４】ＣＰＵ１は、通常時には、ＲＯＭ２Ａに組
み込まれている共通プログラムに基づいて動作する。そ
して、共通プログラムの実行中に、プログラムの書き換
え要求が発生した場合には、ＣＰＵ１は、共通プログラ
ムに基づいて書き換えプログラム１１０をサブルーチン
コールし、書き換えプログラム１１０を実行する。プロ
グラムの書き換え要求は、プログラムの不具合を改善す
るとき等において、外部装置（図示していない。）から
の割り込み要求やユーザからの書き換え指示等によって
発生する。

【００３５】ＣＰＵ１は、書き換え要求がＲＯＭ２Ａの
ブロック１（Ｆ００００Ｈ番地〜Ｆ７ＦＦＦＨ番地）に
対するものであるか否かを判断する（ステップＳ３
１）。

【００３６】ブロック１に対するデータ書き換え要求で
ある場合には、ＣＰＵ１は、ブロック１に格納されてい
るデータをＲＡＭ３に待避させ（ステップＳ３１１）、
ＲＯＭ２Ａのブロック１内の格納データを消去し（ステ
ップＳ３１２）、ＲＡＭ３上で対象となるデータを書き
換え（ステップＳ３１３）、ＲＡＭ３上で書き換えられ
たデータをＲＯＭ２Ａのブロック１に対して書き戻す
（ステップＳ３１４）。そして、書き換えプログラム１
１０の処理を終了させる（正常終了）。このとき、ステ
ップＳ３１３において、ＣＰＵ１は、外部インタフェー
スを介して外部から書き換え対象のデータを取得し、そ
のデータに基づいてＲＡＭ３上でデータの書き換えを行
う。

【００３７】ブロック１のデータの書き換え要求でない
場合には、ＣＰＵ１は、書き換え要求がブロック２（Ｆ
８０００Ｈ番地〜ＦＢＦＦＦＨ番地）に対するものであ
るか否かを判断する（ステップＳ３２）。ブロック２に
対する書き換え要求でない場合には、ＣＰＵ１は、処理
を終了させる（異常終了）。つまり、ＣＰＵ１は、ブロ
ック３に対する書き換えを禁止する。

【００３８】書き換え要求がブロック２に対するもので
ある場合には、ＣＰＵ１は、ブロック２に格納されてい
るデータをＲＡＭ３に待避させ（ステップＳ３２１）、
ＲＯＭ２Ａのブロック２内の格納データを消去し（ステ
ップＳ３２２）、ＲＡＭ３上で対象となるデータを書き
換え（ステップＳ３２３）、ＲＡＭ３上で書き換えられ
たデータをＲＯＭ２Ａのブロック２に対して書き戻す
（ステップＳ３２４）。そして、ＣＰＵ１は、書き換え
プログラム１の処理を終了させる（正常終了）。

【００３９】次に、ＲＯＭ２Ｂが使用された場合を想定
する。図７は、書き換えプログラム１２０の動作を説明
するためのフローチャートである。

【００４０】ＣＰＵ１は、共通プログラムの実行中に書
き換え要求が発生した場合には、書き換えプログラム１
２０をサブルーチンコールし、書き換えプログラムを実
行する。ＣＰＵ１は、書き換え要求がＲＯＭ２Ｂのブロ
ック１（Ｆ００００Ｈ〜Ｆ３ＦＦＦＨ）に対するもので
あるか否かを判断する（ステップＳ４１）。

【００４１】書き換え要求がＲＯＭ２Ｂのブロック１に
対するものである場合には、ＣＰＵ１は、ＲＯＭ２Ａの
場合と同様に、ブロック１に格納されているデータをＲ
ＡＭ３に待避させ（ステップＳ４１１）、ＲＯＭ２Ｂの
ブロック１内の格納データを消去し（ステップＳ４１
２）、ＲＡＭ３上で対象となるデータを書き換え（ステ
ップＳ４１３）、ＲＡＭ３上で書き換えられたデータを
ＲＯＭ２Ｂのブロック１に対して書き戻す（ステップＳ
４１４）。

【００４２】書き換え要求がＲＯＭ２Ｂのブロック２に
対するものでない場合には、ＣＰＵ１は、書き換え要求
がブロック２（Ｆ４０００Ｈ〜Ｆ７ＦＦＦＨ）に対する
ものであるか否かを判断する（ステップＳ４２）。ブロ
ック２に対する書き換え要求でない場合には、ＣＰＵ１
は、処理を終了させる（異常終了）。つまり、ブロック
３に対する書き換えは禁止される。

【００４３】書き換え要求がブロック２に対するもので
ある場合には、ＣＰＵ１は、ＲＯＭ２Ａの場合と同様
に、ブロック２のデータをブロック２に格納されている
データをＲＡＭ３に待避させ（ステップＳ４２１）、Ｒ
ＯＭ２Ｂのブロック２内の格納データを消去し（ステッ
プＳ４２２）、ＲＡＭ３上で対象となるデータを書き換
え（ステップＳ４２３）、ＲＡＭ３上で書き換えられた
データをＲＯＭ２Ｂのブロック２に対して書き戻す（ス
テップＳ４２４）。

【００４４】なお、図６および図７に示すフローチャー
ト中において、ブロック３に対する書き換え要求が発生
した場合に異常終了として扱われているのは、書き換え
プログラム１１０および１２０は、ＲＯＭ２ＡおよびＲ
ＯＭ２Ｂにおける固定アドレスＦＦ０００Ｈ番地（ブロ
ック３）に配置されているからである。もし、ブロック
３に対する書き換えを実行するとなると、消去処理（ス
テップＳ３１２、３２２、４１２、４２２）が実行され
た時点で書き換えプログラム１１０および１２０自身が
消去されるので、ＣＰＵ１は、暴走動作してしまう。そ
のような事態を防止するために、固定アドレスＦＦ００
０Ｈ番地を含むブロック３に対する書き換えは、禁止さ
れている。

【００４５】以上のように、本実施の形態によれば、フ
ラッシュＲＯＭに固有の書き換えプログラムをフラッシ
ュＲＯＭの種類に依存しない共通プログラムから独立さ
せてサブルーチンとし、その書き換えプログラムをフラ
ッシュＲＯＭの固定のアドレスに配置し、書き換えプロ
グラムをフラッシュＲＯＭ内に配置されている共通プロ
プログラムからサブルーチンコールさせるようにするこ
とで、フラッシュＲＯＭは、他のフラッシュＲＯＭに固
有の書き換えプログラムを保持する必要が無くなる。例
えば、図６に示すように、ＩＤ＝１のＲＯＭ７０は、Ｉ
Ｄ＝１以外のＲＯＭの書き換えプログラムを格納する必
要がなくなる。それにより、フラッシュＲＯＭの使用メ
モリ容量を削減することができる。

【００４６】また、データ書き換えを行う場合、ＣＰＵ
１は、共通プログラムから書き換えプログラムをサブル
ーチンコールするだけでよい。従って、従来の書き換え
方法のように、ＣＰＵ１は、デバイスＩＤを読み取るこ
とで不揮発性メモリの種類を判断し、その判断結果に応
じて書き換え処理を選択する必要が無くなる。それによ
り、ＣＰＵ１の負担を軽減させることができる。また、
不揮発性メモリの種類が異なっても共通プログラムを変
更する必要はない。

【００４７】なお、上記の実施の形態では、フラッシュ
ＲＯＭとしてＲＯＭ２ＡおよびＲＯＭ２Ｂが使用された
場合について例示したが、これらと異なるブロック構造
を持つフラッシュＲＯＭに対しても本実施の形態を同様
に適用することができる。例えば、８Ｋバイトのブロッ
クを８個備えるフラッシュＲＯＭ（ＩＤ＝３とする。）
に対しても適用することができる。この場合、ＩＤ＝３
用のフラッシュＲＯＭに対応した書き換えプログラムを
そのフラッシュＲＯＭの固定アドレスＦＦ０００Ｈ番地
に配置すればよい。

【００４８】また、図６および図７のフローチャートに
示すように、ＲＯＭ２ＡおよびＲＯＭ２Ｂのブロック３
に対する書き換え要求が発生した場合には異常終了する
例について示したが、ブロック３に格納されている書き
換えプログラムをＲＡＭ３上に展開し、ＣＰＵ１が、Ｒ
ＡＭ３上に展開された書き換えプログラムに基づいて動
作するように構成すれば、ＲＯＭ２ＡおよびＲＯＭ２Ｂ
のブロック３に対する書き換えが可能になる。

【００４９】さらに、図６および図７のフローチャート
に示すように、ＲＯＭ２ＡおよびＲＯＭ２Ｂのブロック
消去（ステップＳ３１２、Ｓ３２２，Ｓ４１２、Ｓ４２
２）および書き込み（ステップＳ３１４、Ｓ３２４、Ｓ
４１４、Ｓ４２４）が一動作で実現されるように示した
が、それぞれの動作は、ＲＯＭ２ＡおよびＲＯＭ２Ｂへ
の複数のコマンド発行という一連の処理にて実現され
る。

【００５０】また、不揮発性メモリとしてフラッシュＲ
ＯＭを用いた場合を例にしたが、不揮発性メモリは、フ
ラッシュＲＯＭに限定されない。例えば、不揮発性メモ
リは、ＥＥＰＲＯＭであってもよい。

【００５１】

【発明の効果】本発明のように、不揮発性メモリに特有
な書き換え処理を記載した書き換えプログラムを不揮発
異性メモリに依存しない共通プログラムから呼び出され
るサブルーチンにし、その書き換えプログラムを不揮発
性メモリ内の固定アドレスに配置する方法を採用すれ
ば、不揮発性メモリは、他の不揮発性メモリに固有の書
き換えプログラムを格納する必要がなくなる。従って、
不揮発性メモリにおける使用メモリ容量を削減させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 不揮発性メモリが組み込まれた組み込み装置
の一構成例を示すブロック図である。

【図２】 組み込み装置におけるメモリ配置構成の一例
を示すメモリマップである。

【図３】 フラッシュＲＯＭにおけるメモリ配置構成の
一例を示すメモリマップである。

【図４】 フラッシュＲＯＭにおけるブロック構成の相
違を説明するための説明図である。

【図５】 フラッシュＲＯＭにおけるメモリ配置構成の
一例を示すメモリマップである。

【図６】 書き換えプログラムの動作を説明するための
フローチャートである。

【図７】 書き換えプログラムの動作を説明するための
フローチャートである。

【図８】 フラッシュＲＯＭのブロック構成の相違を説
明するための説明図である。

【図９】 フラッシュＲＯＭにおけるデータ書き換え動
作を説明するためのフローチャートである。

【図１０】 従来のフラッシュメモリにおけるメモリ配
置構成を示すメモリマップである。

【符号の説明】

１ ＣＰＵ ２ フラッシュＲＯＭ ３ ＲＡＭ ４ 内部バス ２１ 共通プログラム ２２ 未使用領域 ２３ デバイス固有書き換えプログラム ２４ 未使用領域

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 不揮発性メモリ内にデータを配置する不
   揮発性メモリにおけるデータ配置方法であって、 前記不揮発性メモリに特有な書き換え処理を記載した書
   き換えプログラムを不揮発性メモリに依存しない共通プ
   ログラムから呼び出されるサブルーチンとするステップ
   と、 前記書き換えプログラムを不揮発性メモリ内の固定アド
   レスに配置するステップとを有することを特徴とする不
   揮発性メモリにおけるデータ配置方法。
2. 【請求項２】 不揮発性メモリは、電気的制御によりデ
   ータ書き換えが可能なメモリである請求項１記載の不揮
   発性メモリにおけるデータ配置方法。