JP2002316114A - 半導体処理用薬品供給システムの洗浄装置及び方法 - Google Patents

半導体処理用薬品供給システムの洗浄装置及び方法

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JP2002316114A
JP2002316114A JP2001122512A JP2001122512A JP2002316114A JP 2002316114 A JP2002316114 A JP 2002316114A JP 2001122512 A JP2001122512 A JP 2001122512A JP 2001122512 A JP2001122512 A JP 2001122512A JP 2002316114 A JP2002316114 A JP 2002316114A
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cleaning liquid
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Gillard Jean-Marc
ジャンマルク・ジラルド
Masao Kimura
昌夫 木村
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LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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Air Liquide SA
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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Abstract

(57)【要約】 【課題】エネルギー効率、洗浄効率、及び信頼性に優れ
た半導体処理用薬品供給システムの洗浄装置及び方法を
提供する。 【解決手段】流路構成体12の流路内を洗浄する洗浄装
置30は、流路構成体12に着脱可能に接続される気密
なケーシング32を有する。ケーシング32には、ケー
シング32を介して流路構成体12の流路内に洗浄液を
供給するため、洗浄液供給ポート52が配設される。ま
た、ケーシング32には、超音波発振器42が取付けら
れ、ここに超音波を伝達すると共に振動に変換するため
の変換ホーン46が接続される。変換ホーン46は、ケ
ーシング32内から流路構成体12の流路内にほぼ同軸
状に延在する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体処理用薬品
供給システムの洗浄装置及び方法に関し、より具体的に
は、薬品容器、配管、バルブ、マニホルドのような薬品
供給システムの流路を構成する流路構成体内を洗浄する
ための装置及び方法に関する。なお、ここで、半導体処
理とは、半導体ウエハやLCD基板等の被処理基板上に
半導体層、絶縁層、導電層等を所定のパターンで形成す
ることにより、該被処理基板上に半導体デバイスや、半
導体デバイスに接続される配線、電極等を含む構造物を
製造するために実施される種々の処理を意味する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスや電子機器類の製造プロ
セス設備においては、ガスパージだけでは残留物の除去
が困難となるような、取扱いが容易でない化学薬品がし
ばしば原料液として使用される。即ち、このような原料
液が通過するマニホルドや蒸発器等の室内は、メンテナ
ンス或いは薬品の交換や変更に際して、単純なサイクル
ガスパージ(ガス加圧と真空排気との繰返し)だけでパ
ージ及び洗浄しようとしても、十分な処理を行うことが
できない。この問題に対応する技術として、対象室内を
良好にパージ及び洗浄するため、ガスパージに加えて、
溶剤を洗浄液として使用する技術が知られている。
【0003】米国特許第6,033,479或いは米国
特許第5,964,230には、高純度化学薬品の供給
系に洗浄機構が付設された装置が開示される。この装置
においては、通常、薬品源の近傍で供給ライン内に大量
の反応生成物や凝集物の堆積が観察されるという理由か
ら、同部分において供給ラインに対して溶剤からなる洗
浄液のラインが配設される。
【0004】米国特許第5,676,762には、高純
度ガス供給系のクリーニング方法が開示される。この方
法の場合、溶剤を洗浄液としてガス供給系の流路内の各
部材を洗浄しており、これは腐食性ガスの供給系のクリ
ーニングに対して非常に有用となる。
【0005】一方、洗浄効率を向上させるため、超音波
振動を補助的に使用する方法も知られている。米国特許
第6,182,519には、薬品容器の容器バルブを評
価する方法が開示され、ここで、容器バルブは評価時に
高い安全性で洗浄される。この際、容器バルブの洗浄効
率を向上させるため、超音波がバルブ構成体を介して流
体に付与される。
【0006】米国特許第4,326,553或いは米国
特許第5,927,306には、半導体ウエハW等の基
板の表面を洗浄するための装置が開示される。この装置
においては、洗浄効率を向上させるため、洗浄ノズル内
で洗浄液に対して超音波振動が付与される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】米国特許第5,67
6,762のような、溶剤からなる洗浄液により残留物
を除去する方法においては、その除去効率は主に溶剤に
対して残留物が溶解する速度に依存する。このため、残
留物の種類によっては、除去効率が非常に悪い、或いは
溶剤が限定される等の問題が発生する。
【0008】米国特許第6,182,519のような、
超音波をステンレス鋼等のバルブ構成体を介して流体に
付与する機構においては、バルブ構成体が超音波を吸収
するため、超音波の伝達効率、即ちエネルギー効率が低
下する。また、バルブ構成体の振動はその機能を低下さ
せ、開閉動作の誤作動や流体の漏れ等の問題をもたらす
原因となる。
【0009】米国特許第5,927,306のような、
超音波振動を付与した状態で洗浄液をノズルから供給す
る方法においては、その洗浄効率はノズルに対する洗浄
対象の向きや露出状況にかなり左右される。このため、
この方法は、薬品容器、配管、バルブ、マニホルド等の
流路構成体内のような凹凸や隠れた部分が多い部位の洗
浄には適していない。
【0010】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、エネルギー効率、洗浄効率、及
び信頼性に優れた半導体処理用薬品供給システムの洗浄
装置及び方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の視点は、
半導体処理用薬品供給システムの洗浄装置であって、洗
浄対象となる薬品供給システムの流路を構成する流路構
成体に気密に接続される気密なケーシングと、前記ケー
シングを介して前記流路内に洗浄液を供給するため、前
記ケーシングに配設された洗浄液供給ポートと、前記ケ
ーシングに取付けられた超音波発振器と、前記超音波発
振器に接続され且つ前記ケーシング内から前記流路内に
延びるように配設された、超音波を伝達すると共に振動
に変換するための変換ホーンと、を具備することを特徴
とする。
【0012】本発明の第2の視点は、第1の視点の装置
において、前記変換ホーンは中空の棒体からなることを
特徴とする。
【0013】本発明の第3の視点は、第1または第2の
視点の装置において、前記流路構成体に対して前記ケー
シングを着脱可能に接続するための接続部を更に具備す
る。
【0014】本発明の第4の視点は、半導体処理用薬品
供給システムの洗浄方法であって、洗浄対象となる薬品
供給システムの流路を構成する流路構成体に気密なケー
シングを気密に接続する工程と、前記ケーシングに配設
された洗浄液供給ポートから、前記ケーシングを介して
前記流路内に洗浄液を供給すると共に、前記ケーシング
に取付けられた超音波発振器から、前記超音波発振器に
接続され且つ前記ケーシング内から前記流路内に延びる
ように配設された変換ホーンに、超音波を付与すること
により、前記変換ホーンから前記洗浄液に超音波振動を
直接伝達しながら、前記流路内の洗浄を行う工程と、を
具備することを特徴とする。
【0015】本発明の第5の視点は、第4の視点の方法
において、前記流路内の洗浄を行う工程は、前記洗浄液
を前記ポートから前記流路を介して回収部まで連続的に
流しながら、前記変換ホーンから前記洗浄液に超音波振
動を直接伝達する工程を具備することを特徴とする。
【0016】本発明の第6の視点は、第4の視点の方法
において、前記流路内の洗浄を行う工程は、前記流路内
を前記洗浄液で満たした状態で前記変換ホーンから前記
洗浄液に超音波振動を直接伝達する工程と、前記流路内
から前記洗浄液を回収部へ排出する工程と、を具備する
ことを特徴とする。
【0017】本発明の第7の視点は、第4乃至第6の視
点のいずれかの方法において、前記変換ホーンは中空の
棒体からなることを特徴とする。
【0018】本発明の第8の視点は、第4乃至第7の視
点のいずれかの方法において、前記流路内の洗浄を行う
工程後、前記流路構成体から前記ケーシングを取外す工
程を更に具備することを特徴とする。
【0019】更に、本発明の実施の形態には種々の段階
の発明が含まれており、開示される複数の構成要件にお
ける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得
る。例えば、実施の形態に示される全構成要件から幾つ
かの構成要件が省略されることで発明が抽出された場
合、その抽出された発明を実施する場合には省略部分が
周知慣用技術で適宜補われるものである。
【0020】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、以下の説明におい
て、略同一の機能及び構成を有する構成要素について
は、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行
う。
【0021】図1は本発明の実施の形態に係る洗浄装置
を半導体処理用薬品供給システムの流路を構成する流路
構成体に取付けた状態で示す概略図である。図2は同洗
浄装置を流路構成体から取外した状態で示す概略図であ
る。
【0022】図1及び図2図示の如く、この実施の形態
において、洗浄装置30は半導体処理用薬品供給システ
ムの流路を構成するバルブ及びこれに接続される配管等
からなる流路構成体12に取付けられる。流路構成体1
2の端部には、洗浄装置30を取付けるため、フランジ
F18が付設された開口部18が形成される。開口部1
8は、通常の運転状態において、図2図示の如く、フラ
ンジF18に取付けられた盲フランジFbによって気密
に閉鎖される。
【0023】流路構成体12には、薬品容器22へのラ
イン14と、プロセス設備26へのライン16とが接続
される。プロセス設備26へのライン16にはバルブV
16、V26及び3方バルブV17が配設される。ライ
ン16には、3方バルブV17により、ライン16に窒
素ガス等の不活性ガスを供給するための不活性ガスライ
ン17が接続される。一方、薬品容器22へのライン1
4にはバルブV14が配設されると共に、薬品容器22
及び廃棄ライン23が分岐状態で接続される。薬品容器
22には容器バルブVsが配設され、廃棄ライン23に
はバルブV23が配設される。ライン23は、液体トラ
ップ(液体回収部)24を介してダイアフラム式または
オイルロータリー式の真空ポンプ25に接続される。真
空ポンプ25からのガスは除害設備28に送られる。
【0024】洗浄装置30は両端部が開口した円筒形状
の気密なケーシング32を具備する。ケーシング32は
金属、金属合金、合成樹脂等の材料から形成することが
できる。ケーシング32の両端の開口部34、36に
は、フランジF34、F36が夫々付設される。フラン
ジF34は、ケーシング32を流路構成体12に対して
気密に接続できるように、フランジF18に適合する仕
様で設計される。一方、フランジF36には、超音波発
振器42を支持するフランジF42が取付けられ、これ
により、開口部36が気密に閉鎖される。
【0025】なお、フランジF18、F34の例として
は、VCR継手(Cajon社製)、UJR及びUPG
継手(株式会社フジキン製)をあげることができる。ま
た、フランジF36、F42の例としては、JIS真空
フランジ(日本工業規格B2290−1968)をあげ
ることができる。
【0026】超音波発振器42は高周波電源44により
起動され、周波数が15kHz〜5MHzの超音波を発
生する。超音波発振器42には、超音波を伝達すると共
に振動に変換するための変換ホーン46が接続される。
変換ホーン46は、ケーシング32よりも十分に大きい
長さを有し、ケーシング32に対してほぼ同軸状に配置
される。このため、洗浄装置30が流路構成体12に取
付けられた状態において、変換ホーン46は、ケーシン
グ32内から開口部34を通して流路構成体12の流路
内に侵入し、同流路に対してほぼ同軸状に延在する。な
お、超音波と変換ホーン46との組み合わせを考慮する
と、超音波の周波数は、望ましくは20kHz〜1MH
zに設定される。
【0027】変換ホーン46は、金属;SS316L
(JIS規格)やハステロイのような金属合金;ガラ
ス;テフロン(R)のような合成樹脂;SiCやAl2
3 のようなセラミック;金属とセラミックとの複合材
料からなる群から選択した材料から形成することができ
る。変換ホーン46の材料は、発振器42との共振条件
や、化学的な腐食や物理的な侵食に対する耐性等を考慮
して選択される。
【0028】変換ホーン46は中空または中実の棒体、
即ちチューブまたはワイヤとしての形態をなす。なお、
振動による構成材料の疲労に対する耐性を考慮すると、
変換ホーン46は中空、即ちチューブからなることが望
ましい。また、変換ホーン46は直線状のものに限られ
ず、波状や螺旋状のようなものであってもよい。変換ホ
ーン46の直径は0.1mm〜50mm、望ましくは
0.5mm〜5mmに設定される。ケーシング32の開
口部34から外部に延出す変換ホーン46の部分の長さ
は、汚染された配管及びコンポーネントの長さに合わせ
て、1mm〜2000mmの範囲で調節する。
【0029】ケーシング32の側部には、ケーシング3
2及び開口部34を介して流路構成体12内に洗浄液を
供給するため、洗浄液供給ポート52が配設される。ポ
ート52には洗浄液源54からの洗浄液供給ライン56
がコネクタ58を介して着脱可能に接続される。ライン
56にはバルブV56が配設される。洗浄液源54は気
密なタンクからなり、ここに、洗浄液を圧送するため、
窒素ガス等の不活性ガスからなる加圧ガスを供給する加
圧ライン57が接続される。供給ライン56と、加圧ラ
イン57とは、バルブV59及びオリフィスOR59が
配設されたバイパスライン59により接続される。
【0030】洗浄液源54内に貯蔵される洗浄液は、流
路構成体12内に存在しているであろう残留物に対する
溶解能力等を考慮して選択される。洗浄液の例は、有機
溶剤、純水、酸またはアルカリの水溶液等である。
【0031】上述の洗浄装置30は、特に、取扱いが容
易でない高純度の化学薬品を供給する半導体処理用薬品
供給システムの流路を構成する流路構成体内を洗浄する
のに適したものとなる。このような化学薬品の例は、有
機金属液、例えばPET(ペンタエトキシタンタル:T
a(OC2 5 5 )や、腐食性ガス、例えばHCl、
HBr、Cl2 である。このような薬品は、流路構成体
内において、分解により腐食性及び/または反応性の、
固体或いはゲル状の副生成物(残留物)を発生させる。
【0032】また、半導体処理用薬品供給システムの流
路を構成する流路構成体とは、単なる薬品の移送に関わ
る部材だけでなく、薬品の様々な処理、例えば精製、気
化、物理的な特性のモニタ等において、その内部に薬品
が流れる或いは滞留する部材を意味する。これ等の部材
の例は、薬品容器、配管、マニホルド、容器バルブ、ラ
インバルブ、圧力調節器、フィルタ、気化器、圧力セン
サ等である。対象となる流路構成体の内径、即ち流路の
径は特に限定されるものではないが、望ましくは半導体
処理用薬品供給システムの流路の典型的な径である0.
5mm〜30mm、より望ましくは1mm〜15mmで
ある。
【0033】次に、図1及び図2図示の洗浄装置30を
用いる本発明の実施の形態に係る半導体処理用薬品供給
システムの洗浄方法について説明する。
【0034】薬品供給システムの通常の運転モードにお
いて、洗浄装置30は、図2図示の如く、流路構成体1
2の配管継手から取外された状態にある。この場合、薬
品供給システムのバルブV14、V16、Vsを開放す
ると共に、バルブV23を閉鎖するように設定する。こ
の状態で、例えば、薬品がガスであれば、薬品容器22
とプロセス設備26との差圧を利用して、薬品容器22
から流路構成体12を介してプロセス設備26へ薬品を
供給する。
【0035】一方、流路構成体12の流路内を洗浄する
場合、流路構成体12に洗浄装置30を取付けて洗浄処
理を行う。ここで、洗浄装置30の取付けの際、配管内
に水分や酸素が混入すると、残留薬品と反応して反応生
成物を発生させる可能性がある。このため、下記のよう
な態様で、洗浄装置30の取付けの準備を行う。
【0036】即ち、先ず、薬品容器22の容器バルブ
(図示せず)を閉鎖して薬品の供給を停止する。また、
ライン16側では、バルブV16を開放したまま、バル
ブV26を閉鎖する一方、3方バルブV17を不活性ガ
スライン17側に開放するように設定する。また、ライ
ン14側では、バルブVsを閉鎖すると共に、バルブV
23を開放するように設定する。
【0037】この状態で、ライン17から不活性ガスを
導入し、同不活性ガスをライン16、流路構成体12を
介して廃棄ライン23側へ流す。これにより、ライン1
6及び流路構成体12内をパージすると共に、これ等の
内部に残留する薬品を液体トラップ24へ回収する。ラ
イン16及び流路構成体12内のパージを十分に行った
後、ライン17からの不活性ガスの導入を継続したま
ま、バルブ14を閉鎖する。これに続いて、フランジF
18から盲フランジFbを取外し、開口部18から不活
性ガスを噴出させながら、開口部18を開放する。
【0038】開口部18から不活性ガスを噴出させた状
態を維持したままで、次に、洗浄装置30を流路構成体
12に取付ける。ここで、洗浄装置30のフランジF3
4を流路構成体12のフランジF18に取付けることに
より、洗浄装置30のケーシング32を流路構成体12
に気密に接続する。この際、洗浄装置30の変換ホーン
46を、開口部18から流路構成体12の流路内に挿入
し、同流路に対してほぼ同軸状に配置する。
【0039】洗浄装置30を流路構成体12に気密に接
続した後、バルブ56を開放し、洗浄液を、洗浄液源5
4から、ポート52、ケーシング32内、開口部34を
介して、流路構成体12の流路内に供給する。次に、高
周波電源44により超音波発振器42を起動し、周波数
が15kHz〜5MHz、望ましくは20kHz〜1M
Hzの超音波を変換ホーン46に付与する。そして、超
音波発振器42からの超音波を、変換ホーン46を介し
て超音波振動として、流路構成体12の流路内の洗浄液
に直接伝達する。超音波振動は、洗浄液に対して熱エネ
ルギーを付与すると共に、洗浄液を介して流路構成体1
2の流路内の残留物に対して物理的な衝撃を付与する。
これ等の効果及びこれ等に伴うキャビテーション効果に
より、洗浄液に対して残留物が溶解する速度や、残留物
が流路構成体12から剥離する確率が高くなり、即ち残
留物の除去効率が向上する。
【0040】流路構成体12の流路内を洗浄する際、洗
浄液の供給及び超音波の付与の関係は下記の2つの態様
のいずれかとすることができる。
【0041】その1つは、ポート52から流路構成体1
2を介して廃棄ライン23側へ洗浄液を連続的に流しな
がら、変換ホーン46から超音波を付与する方法であ
る。この場合、バルブV14、V23を開放したままで
洗浄作業を行い、使用後の洗浄液を連続的に液体トラッ
プ24に回収する。ここで、洗浄液の流量は、内径4m
mの配管を洗浄する場合、0.01cm3 /sec〜1
00cm3 /sec、望ましくは0.1cm3 /sec
〜5cm3 /secに設定される。
【0042】他の1つは、流路構成体12の流路内を洗
浄液で満たした状態で超音波を付与する工程と、同流路
内から洗浄液を排出する工程とを繰返す方法である。こ
の場合、従って、バルブV14の開閉を何度か繰返しな
がら洗浄作業を行い、使用後の洗浄液を間欠的に液体ト
ラップ24に回収する。
【0043】より具体的には、先ず、バルブV56、V
59、V16を閉鎖する一方、バルブ14、V23を開
放した状態で、洗浄箇所を真空ポンプ25により真空引
きする。なお、真空ポンプ25としては、洗浄液の常温
での蒸気圧程度の真空到達度を有する、ダイアフラム式
またはオイルロータリー式の真空ポンプを使用する。次
に、バルブ14を閉鎖する一方、バルブV56を開放
し、洗浄液源54からポート52を介して流路構成体1
2内に洗浄液を導入する。
【0044】次に、バルブV56を閉鎖する一方、バル
ブV14、V23を開放した状態でバルブV59を開放
し、バイパスライン59からの乾燥不活性ガスをポート
52から流路構成体12内に導入し、廃棄ライン23側
へ流す。これにより、流路構成体12内をパージすると
共に、この内部を満たす洗浄液を液体トラップ24へ回
収する。この時、ポンプ25に過負荷が掛らないよう
に、乾燥不活性ガスの流量をオリフィスOR59等の流
量制御器によって調節する。
【0045】このような、洗浄液の充填とパージとを複
数回繰返すことにより、流路構成体12内の洗浄を十分
に行う。バルブV14の開閉の繰り返し回数は1回〜1
000回、望ましくは2回〜10回に設定される。流路
構成体12の流路内を洗浄液で満たした状態を維持する
時間(概ね超音波を付与する時間に等しい)は0.1秒
〜1000秒、望ましくは5秒〜100秒に設定され
る。
【0046】洗浄作業終了後、バルブV56を閉鎖する
一方、バルブV59、V14、V23を開放した状態
で、しばらくの間、バイパスライン59からの乾燥不活
性ガスをポート52から流路構成体12内に導入し、廃
棄ライン23側へ流す。これにより、変換ホーン46及
び洗浄箇所を乾燥不活性ガスにより乾燥させる。
【0047】乾燥工程後、バルブV59、V14、V2
3を閉鎖する一方、3方バルブV17を不活性ガスライ
ン17側に開放するように設定する。この状態で、ライ
ン17からの不活性ガスを流路構成体12内に導入しな
がら、洗浄装置30のフランジF34をフランジF18
から取外す。これにより、開口部18から不活性ガスを
噴出させながら、洗浄装置30の取外しを行う。そし
て、開口部18から不活性ガスを噴出させた状態を維持
したままで、次に、フランジF18に盲フランジFbを
取付けることにより、通常の運転モードを開始可能な図
2図示の状態を回復する。
【0048】上述のように、本発明の実施の形態に係る
洗浄装置及び洗浄方法によれば、超音波発振器42から
の超音波は、変換ホーン46から超音波振動として、洗
浄対象の流路構成体内の洗浄液に直接伝達される。超音
波振動は、洗浄液に対する熱エネルギーや残留物に対す
る物理的な衝撃となって、残留物の除去効率を向上させ
る。超音波は、流路構成体自身に直接付与されないた
め、超音波の伝達効率、即ちエネルギー効率が向上する
と共に、構成体の機能を低下させる可能性は低くなる。
【0049】なお、図1及び図2図示の洗浄装置30に
おいて、洗浄液源54及び洗浄液ライン56は、洗浄対
象の流路構成体が設置された工場の既存の設備を使用す
ることができる。また、乾燥不活性ガス源とそのライ
ン、液体トラップ24、真空ポンプ25及び除害設備2
8も、同様に工場の既存の設備を使用することができ
る。即ち、洗浄装置30は、少なくともケーシング32
に固定された部材(例えば、超音波発振器42や変換ホ
ーン46)を有するユニットとして、種々の現場に持ち
込んで使用することが可能となる。但し、洗浄装置30
は、特定の流路構成体に対して固定し、専用の洗浄装置
として使用することも可能である。この場合、変換ホー
ン46は、薬品供給システムの通常の運転モードにおい
ても、薬品が通る流路構成体内に露出したままの状態と
なる。
【0050】その他、本発明の思想の範疇において、当
業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るも
のであり、それら変更例及び修正例についても本発明の
範囲に属するものと了解される。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エネルギー効率、洗浄効率、及び信頼性に優れた半導体
処理用薬品供給システムの洗浄装置及び方法を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る洗浄装置を半導体処
理用薬品供給システムの流路を構成する流路構成体に取
付けた状態で示す概略図。
【図2】図1図示の洗浄装置を流路構成体から取外した
状態で示す概略図。
【符号の説明】
12…流路構成体 22…薬品容器 24…液体トラップ(液体回収部) 25…真空ポンプ 26…プロセス設備 28…除害設備 30…洗浄装置 32…ケーシング 42…超音波発振器 44…高周波電源 46…変換ホーン 52…洗浄液供給ポート 54…洗浄液源 58…コネクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 昌夫 茨城県土浦市港町2−9−29−411 Fターム(参考) 3B116 AA13 AA21 BB03 BB77 BB83 CC03 CD31 3B201 AA13 BB03 BB77 BB83 BB92 BB93 BB95 BB96 BB99 CC12 CD36 3J071 AA21 BB02 BB14 CC11 DD36 FF11 5D107 AA03 BB11 FF03

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】洗浄対象となる薬品供給システムの流路を
    構成する流路構成体に気密に接続される気密なケーシン
    グと、 前記ケーシングを介して前記流路内に洗浄液を供給する
    ため、前記ケーシングに配設された洗浄液供給ポート
    と、 前記ケーシングに取付けられた超音波発振器と、 前記超音波発振器に接続され且つ前記ケーシング内から
    前記流路内に延びるように配設された、超音波を伝達す
    ると共に振動に変換するための変換ホーンと、を具備す
    ることを特徴とする半導体処理用薬品供給システムの洗
    浄装置。
  2. 【請求項2】前記変換ホーンは中空の棒体からなること
    を特徴とする請求項1に記載の半導体処理用薬品供給シ
    ステムの洗浄装置。
  3. 【請求項3】前記流路構成体に対して前記ケーシングを
    着脱可能に接続するための接続部を更に具備することを
    特徴とする請求項1または2に記載の半導体処理用薬品
    供給システムの洗浄装置。
  4. 【請求項4】洗浄対象となる薬品供給システムの流路を
    構成する流路構成体に気密なケーシングを気密に接続す
    る工程と、 前記ケーシングに配設された洗浄液供給ポートから、前
    記ケーシングを介して前記流路内に洗浄液を供給すると
    共に、前記ケーシングに取付けられた超音波発振器か
    ら、前記超音波発振器に接続され且つ前記ケーシング内
    から前記流路内に延びるように配設された変換ホーン
    に、超音波を付与することにより、前記変換ホーンから
    前記洗浄液に超音波振動を直接伝達しながら、前記流路
    内の洗浄を行う工程と、を具備することを特徴とする半
    導体処理用薬品供給システムの洗浄方法。
  5. 【請求項5】前記流路内の洗浄を行う工程は、前記洗浄
    液を前記ポートから前記流路を介して回収部まで連続的
    に流しながら、前記変換ホーンから前記洗浄液に超音波
    振動を直接伝達する工程を具備することを特徴とする請
    求項4に記載の半導体処理用薬品供給システムの洗浄方
    法。
  6. 【請求項6】前記流路内の洗浄を行う工程は、前記流路
    内を前記洗浄液で満たした状態で前記変換ホーンから前
    記洗浄液に超音波振動を直接伝達する工程と、前記流路
    内から前記洗浄液を回収部へ排出する工程と、を具備す
    ることを特徴とする請求項4に記載の半導体処理用薬品
    供給システムの洗浄方法。
  7. 【請求項7】前記変換ホーンは中空の棒体からなること
    を特徴とする請求項4乃至6のいずれかに記載の半導体
    処理用薬品供給システムの洗浄方法。
  8. 【請求項8】前記流路内の洗浄を行う工程後、前記流路
    構成体から前記ケーシングを取外す工程を更に具備する
    ことを特徴とする請求項4乃至7のいずれかに記載の半
    導体処理用薬品供給システムの洗浄方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012192386A (ja) * 2011-03-18 2012-10-11 Miura Co Ltd 洗浄装置
CN104033730A (zh) * 2014-05-28 2014-09-10 中广核核电运营有限公司 发电机定子线棒吹扫装置及方法
JP2020139637A (ja) * 2019-02-26 2020-09-03 Toa株式会社 音響滴下除去装置及び音響滴下除去方法

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