JP2002314185A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JP2002314185A JP2002314185A JP2001112770A JP2001112770A JP2002314185A JP 2002314185 A JP2002314185 A JP 2002314185A JP 2001112770 A JP2001112770 A JP 2001112770A JP 2001112770 A JP2001112770 A JP 2001112770A JP 2002314185 A JP2002314185 A JP 2002314185A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ヘッダー部におけるサイドビームの反射が光ピ
ックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのな
い、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】レーザビームＬを出射するレーザチップ４
が載置されたヘッダー部３の先端面３２であって、反射
±１次ビームより生じ光学系を経て帰還する２つのサイ
ドビームL S1，L S2のうちヘッダー部３に向かって帰還
するサイドビームL S2が入射してくるサイドビーム入射
領域３５に、該サイドビームL S2を光学系外に向けて反
射する反射体７を取り付た。
ックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのな
い、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置及びその製
造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】レーザビームＬを出射するレーザチップ４
が載置されたヘッダー部３の先端面３２であって、反射
±１次ビームより生じ光学系を経て帰還する２つのサイ
ドビームL S1，L S2のうちヘッダー部３に向かって帰還
するサイドビームL S2が入射してくるサイドビーム入射
領域３５に、該サイドビームL S2を光学系外に向けて反
射する反射体７を取り付た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、１つのレー
ザビームを光学系で０次ビームと±１次ビームの３つの
ビームに分けて光学式記録媒体に向け照射し、該媒体か
ら反射される反射０次ビーム及び反射±１次ビームより
該媒体に記録された情報の検出や該検出時のトラッキン
グエラー情報の検出等を行う３ビーム方式の光ピックア
ップに用いられる半導体レーザ装置及びその製造方法に
関する。
及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、１つのレー
ザビームを光学系で０次ビームと±１次ビームの３つの
ビームに分けて光学式記録媒体に向け照射し、該媒体か
ら反射される反射０次ビーム及び反射±１次ビームより
該媒体に記録された情報の検出や該検出時のトラッキン
グエラー情報の検出等を行う３ビーム方式の光ピックア
ップに用いられる半導体レーザ装置及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、一般的な光ピックアップの構成に
ついて、その概略図である図５を参照して説明する。
ついて、その概略図である図５を参照して説明する。
【０００３】光ピックアップは、半導体レーザ装置Ａ
と、この半導体レーザ装置Ａから出射されるレーザビー
ムを制御する、例えば回折格子Ｂ、ビームスプリッター
Ｃ及び対物レンズＤから構成される光学系Ｅと、この光
学系Ｅの側方に配置され、光学式記録媒体Ｇから反射さ
れるビームより各種情報を検出する、例えば信号検出用
フォトダイオードからなる光検出器Ｆとを備えている。
と、この半導体レーザ装置Ａから出射されるレーザビー
ムを制御する、例えば回折格子Ｂ、ビームスプリッター
Ｃ及び対物レンズＤから構成される光学系Ｅと、この光
学系Ｅの側方に配置され、光学式記録媒体Ｇから反射さ
れるビームより各種情報を検出する、例えば信号検出用
フォトダイオードからなる光検出器Ｆとを備えている。
【０００４】このようになる光ピックアップでは、半導
体レーザ装置ＡのレーザチップからレーザビームＬが出
射され、レーザビームＬは回折格子Ｂに入射し、ここで
０次ビームL0と±１次ビームL +1，L -1の３つのビーム
に分けられる。これら３つのビームL0，L +1，L -1は、
ビームスプリッターＣを透過して対物レンズＤに入射
し、ここで集束されて光学式記録媒体Ｇの記録面Ｈに照
射される。このようにして光学式記録媒体Ｇの記録面Ｈ
に照射された３つのビームL0，L +1，L -1は、記録面Ｈ
で反射され、再び対物レンズＤを経てビームスプリッタ
ーＣに入射する。ビームスプリッターＣに入射したそれ
らの反射光は、そのすべてがビームスプリッターＣで反
射されて側方の光検出器Ｆに入射するわけではなく、一
部がビームスプリッターＣを透過して半導体レーザ装置
Ａに帰還する。
体レーザ装置ＡのレーザチップからレーザビームＬが出
射され、レーザビームＬは回折格子Ｂに入射し、ここで
０次ビームL0と±１次ビームL +1，L -1の３つのビーム
に分けられる。これら３つのビームL0，L +1，L -1は、
ビームスプリッターＣを透過して対物レンズＤに入射
し、ここで集束されて光学式記録媒体Ｇの記録面Ｈに照
射される。このようにして光学式記録媒体Ｇの記録面Ｈ
に照射された３つのビームL0，L +1，L -1は、記録面Ｈ
で反射され、再び対物レンズＤを経てビームスプリッタ
ーＣに入射する。ビームスプリッターＣに入射したそれ
らの反射光は、そのすべてがビームスプリッターＣで反
射されて側方の光検出器Ｆに入射するわけではなく、一
部がビームスプリッターＣを透過して半導体レーザ装置
Ａに帰還する。
【０００５】次にその状況を、従来の半導体レーザ装置
を示す図６を参照して説明する。
を示す図６を参照して説明する。
【０００６】半導体レーザ装置Ａに帰還してくるビーム
は、前記０次ビームL0の反射光より生じるメインビーム
L m と、前記±１次ビームL +1，L -1の各反射光より生
じるサイドビームL s1,Ls2の３つである。これらのビー
ムL m ，L s1,Ls2が半導体レーザ装置Ａで反射し、再び
光学系Ｅに戻ると、また回折格子Ｂで回折されて光学式
記録媒体Ｇに達し、本来のビームとともに光検出器Ｆに
入射して、これらビーム間で干渉を起こしてしまう。こ
のようなことが起きると、光ピックアップの信号検出特
性や、サーボ特性が著しく低下するといった問題が生じ
る。
は、前記０次ビームL0の反射光より生じるメインビーム
L m と、前記±１次ビームL +1，L -1の各反射光より生
じるサイドビームL s1,Ls2の３つである。これらのビー
ムL m ，L s1,Ls2が半導体レーザ装置Ａで反射し、再び
光学系Ｅに戻ると、また回折格子Ｂで回折されて光学式
記録媒体Ｇに達し、本来のビームとともに光検出器Ｆに
入射して、これらビーム間で干渉を起こしてしまう。こ
のようなことが起きると、光ピックアップの信号検出特
性や、サーボ特性が著しく低下するといった問題が生じ
る。
【０００７】そこで、そのような問題を解決するため、
従来、レーザチップＪの出射端面Ｋに入射するメインビ
ームL m については、ここでの反射を抑えるために、レ
ーザチップＪに出射端面Ｋの反射率が低いものを用いた
り、出射端面Ｋに無反射コーティングを施したりしてい
た。また、２つのサイドビームL s1,Ls2のうち、ヘッダ
ー部Ｍに向かって帰還するサイドビームL s2について
は、その反射光L r が光学系Ｅに再入射しないように、
ヘッダー部Ｍの先端面Ｎにおけるサイドビームが入射す
る部分に傾斜面Ｐを設けていた（特許第２５６５１８５
号公報参照）。
従来、レーザチップＪの出射端面Ｋに入射するメインビ
ームL m については、ここでの反射を抑えるために、レ
ーザチップＪに出射端面Ｋの反射率が低いものを用いた
り、出射端面Ｋに無反射コーティングを施したりしてい
た。また、２つのサイドビームL s1,Ls2のうち、ヘッダ
ー部Ｍに向かって帰還するサイドビームL s2について
は、その反射光L r が光学系Ｅに再入射しないように、
ヘッダー部Ｍの先端面Ｎにおけるサイドビームが入射す
る部分に傾斜面Ｐを設けていた（特許第２５６５１８５
号公報参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術にあっては、ヘッダー部Ｍの先端面Ｎに傾斜面を
直接形成していたため、量産が極めて困難であり、生産
性において致命的な問題があった。以下、その問題につ
いて図７を参照して詳述する。
来技術にあっては、ヘッダー部Ｍの先端面Ｎに傾斜面を
直接形成していたため、量産が極めて困難であり、生産
性において致命的な問題があった。以下、その問題につ
いて図７を参照して詳述する。
【０００９】通常、ヘッダー部ＭはステムＱ上にプレス
成形により形成される。すなわち、ヘッダー部Ｍは、フ
ープ( 細長い薄板) 状の鉄材Ｒを金型Ｓでプレスするこ
とで成形されるが、もともと平板である鉄材Ｒにヘッダ
ー部Ｍとなる突起部を形成するのであるから、金型Ｓに
は非常に強い圧力をかけなければならず、特に、ヘッダ
ー部Ｍの先端面Ｎを平坦に保つために先端面に対向する
部分Ｔには最も大きな力がかかることになる。ここで、
ヘッダー部Ｍの先端面Ｎに上記の傾斜面Ｐを形成すると
なると、金型Ｓにもその傾斜面Ｐに対応した突起或いは
凹部からなる傾斜面形成部を設けておく必要がある。し
かし、この傾斜面形成部は、上記したように最大圧力が
かかる部分にあることから、容易に圧壊されてしまう。
このため、生産性が極めて悪いものとなっていたのであ
る。そして、最悪の場合には、金型Ｓ自体の破壊に繋が
ることもあるため、上記したような傾斜面Ｐが直接形成
されたヘッダー部ＭをもつステムＱを量産することは現
実的には不可能であった。
成形により形成される。すなわち、ヘッダー部Ｍは、フ
ープ( 細長い薄板) 状の鉄材Ｒを金型Ｓでプレスするこ
とで成形されるが、もともと平板である鉄材Ｒにヘッダ
ー部Ｍとなる突起部を形成するのであるから、金型Ｓに
は非常に強い圧力をかけなければならず、特に、ヘッダ
ー部Ｍの先端面Ｎを平坦に保つために先端面に対向する
部分Ｔには最も大きな力がかかることになる。ここで、
ヘッダー部Ｍの先端面Ｎに上記の傾斜面Ｐを形成すると
なると、金型Ｓにもその傾斜面Ｐに対応した突起或いは
凹部からなる傾斜面形成部を設けておく必要がある。し
かし、この傾斜面形成部は、上記したように最大圧力が
かかる部分にあることから、容易に圧壊されてしまう。
このため、生産性が極めて悪いものとなっていたのであ
る。そして、最悪の場合には、金型Ｓ自体の破壊に繋が
ることもあるため、上記したような傾斜面Ｐが直接形成
されたヘッダー部ＭをもつステムＱを量産することは現
実的には不可能であった。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み創案さ
れたものであって、ヘッダー部におけるサイドビームの
反射が光ピックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといっ
たことのない、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
れたものであって、ヘッダー部におけるサイドビームの
反射が光ピックアップの諸特性に悪影響を及ぼすといっ
たことのない、しかも生産性に優れた半導体レーザ装置
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明に係る半導体レーザ装置は、１つのレーザビーム
を光学系で０次ビームと±１次ビームの３つのビームに
分けて光学式記録媒体に向け照射し、該媒体から反射さ
れる反射０次ビーム及び反射±１次ビームより該媒体に
記録された情報の検出や該検出時のトラッキングエラー
情報の検出等を行う３ビーム方式の光ピックアップに用
いられる半導体レーザ装置において、前記レーザビーム
を出射するレーザチップが載置されたヘッダー部の先端
面であって、前記反射±１次ビームより生じ前記光学系
を経て帰還する２つのサイドビームのうちヘッダー部に
向かって帰還するサイドビームが入射してくるサイドビ
ーム入射領域に、該サイドビームを前記光学系外に向け
て反射する反射体が取り付けられたことを特徴とするも
のである。
本発明に係る半導体レーザ装置は、１つのレーザビーム
を光学系で０次ビームと±１次ビームの３つのビームに
分けて光学式記録媒体に向け照射し、該媒体から反射さ
れる反射０次ビーム及び反射±１次ビームより該媒体に
記録された情報の検出や該検出時のトラッキングエラー
情報の検出等を行う３ビーム方式の光ピックアップに用
いられる半導体レーザ装置において、前記レーザビーム
を出射するレーザチップが載置されたヘッダー部の先端
面であって、前記反射±１次ビームより生じ前記光学系
を経て帰還する２つのサイドビームのうちヘッダー部に
向かって帰還するサイドビームが入射してくるサイドビ
ーム入射領域に、該サイドビームを前記光学系外に向け
て反射する反射体が取り付けられたことを特徴とするも
のである。
【００１２】このような本発明によれば、ステム及びヘ
ッダー部を金型でプレス加工により成形したのち、ヘッ
ダー部の先端面に、ステムとは別体である反射体を取り
付けることになるので、従来の金型で発生していた傾斜
面形成部の圧壊や金型自体の破壊といった不具合が生じ
ず、量産が可能となる。また、サイドビームは反射体に
よって光学系外に向けて反射されるので、光ピックアッ
プの諸特性が損なわれるおそれもない。
ッダー部を金型でプレス加工により成形したのち、ヘッ
ダー部の先端面に、ステムとは別体である反射体を取り
付けることになるので、従来の金型で発生していた傾斜
面形成部の圧壊や金型自体の破壊といった不具合が生じ
ず、量産が可能となる。また、サイドビームは反射体に
よって光学系外に向けて反射されるので、光ピックアッ
プの諸特性が損なわれるおそれもない。
【００１３】上記の反射体は、その反射面とレーザチッ
プの出射端面における発光点との距離が５０μｍ以上１
５０μｍ以下となるようヘッダー部の先端面に取り付け
られているとよい。
プの出射端面における発光点との距離が５０μｍ以上１
５０μｍ以下となるようヘッダー部の先端面に取り付け
られているとよい。
【００１４】反射体の取付位置をこのような範囲に設定
することで、この半導体レーザ装置が使用される光ピッ
クアップの特性に左右されることなくサイドビームを光
学系外に反射することができる。
することで、この半導体レーザ装置が使用される光ピッ
クアップの特性に左右されることなくサイドビームを光
学系外に反射することができる。
【００１５】反射体は、その反射面が、０次ビームより
生じ光学系を経て帰還するメインビームに対する垂直面
に対して少なくとも１０度の角度を有する傾斜面とされ
ているとよく、これによって、サイドビームの光学系へ
の再入射が有効に防止できる。
生じ光学系を経て帰還するメインビームに対する垂直面
に対して少なくとも１０度の角度を有する傾斜面とされ
ているとよく、これによって、サイドビームの光学系へ
の再入射が有効に防止できる。
【００１６】反射体は、その断面形状を鋸歯状とした、
複数段の傾斜面を有するものであってもよい。このよう
な形状とすることで、反射体の、ヘッダー部の先端面か
らの突出高さを抑制することができ、反射体が後工程で
邪魔になるといったことがない。
複数段の傾斜面を有するものであってもよい。このよう
な形状とすることで、反射体の、ヘッダー部の先端面か
らの突出高さを抑制することができ、反射体が後工程で
邪魔になるといったことがない。
【００１７】また、反射体は、合成樹脂又は金属のいず
れの材料であってもよく、さらに接着剤によりヘッダー
部に容易に接着できる材料であればなおよい。
れの材料であってもよく、さらに接着剤によりヘッダー
部に容易に接着できる材料であればなおよい。
【００１８】反射体に用いる合成樹脂として熱硬化性樹
脂を採用してもよい。この場合、反射体取付後の組立工
程、或いは外部回路との接続のための半田付け工程にお
いて加熱処理が施されても、熱硬化性樹脂であることか
ら、反射体がヘッダー部から剥離しない。
脂を採用してもよい。この場合、反射体取付後の組立工
程、或いは外部回路との接続のための半田付け工程にお
いて加熱処理が施されても、熱硬化性樹脂であることか
ら、反射体がヘッダー部から剥離しない。
【００１９】反射体に用いる金属としては、ヘッダー部
を構成する金属より硬度の低い金属でもよい。このよう
な金属としては、例えば、ヘッダー部が主に鉄から構成
されている場合は、インジウム、金、アルミニウム、銀
等が挙げられる。このような金属を用いれば、接着剤を
使用せずに反射体をヘッダー部に取り付けることができ
る。
を構成する金属より硬度の低い金属でもよい。このよう
な金属としては、例えば、ヘッダー部が主に鉄から構成
されている場合は、インジウム、金、アルミニウム、銀
等が挙げられる。このような金属を用いれば、接着剤を
使用せずに反射体をヘッダー部に取り付けることができ
る。
【００２０】また、本発明に係る半導体レーザ装置の製
造方法は、ヘッダー部の先端面における反射サイドビー
ム入射領域に、このヘッダー部を構成する金属よりも軟
性の金属又は硬化前の合成樹脂からなる反射体の母材を
貼り付けたのち、この母材を所定の形状を有する反射体
に成形加工するものである。
造方法は、ヘッダー部の先端面における反射サイドビー
ム入射領域に、このヘッダー部を構成する金属よりも軟
性の金属又は硬化前の合成樹脂からなる反射体の母材を
貼り付けたのち、この母材を所定の形状を有する反射体
に成形加工するものである。
【００２１】この方法によれば、量産が極めて容易にな
るだけでなく、反射体に用いる材料の量を必要最小限に
抑えることが可能となり、コストの削減も図れる。
るだけでなく、反射体に用いる材料の量を必要最小限に
抑えることが可能となり、コストの削減も図れる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００２３】＜実施の形態１＞本実施の形態を、図１及
び図２を参照して説明する。図１は、本発明に係る半導
体レーザ装置を、そのキャップを取り外して示す斜視
図、図２は、ヘッダー部の部分拡大概略断面図である。
び図２を参照して説明する。図１は、本発明に係る半導
体レーザ装置を、そのキャップを取り外して示す斜視
図、図２は、ヘッダー部の部分拡大概略断面図である。
【００２４】この半導体レーザ装置１は、円盤状のステ
ム２と、その略中央部に突設されたヘッダー部３と、そ
の上面３１に載置されたレーザチップ４とからその主要
部が構成されている。
ム２と、その略中央部に突設されたヘッダー部３と、そ
の上面３１に載置されたレーザチップ４とからその主要
部が構成されている。
【００２５】ヘッダー部３は、金型を用いて鉄材をプレ
ス加工することによりステム２と一体成形されている。
このヘッダー部３の上面３１と先端面３２とは、図２に
示すように、直角をなす平坦面に成形されている。なお
図示例では、両側面３３，３３は傾斜面、下面３４は湾
曲面にそれぞれ成形されているが、これらの面はこれに
限定されない。
ス加工することによりステム２と一体成形されている。
このヘッダー部３の上面３１と先端面３２とは、図２に
示すように、直角をなす平坦面に成形されている。なお
図示例では、両側面３３，３３は傾斜面、下面３４は湾
曲面にそれぞれ成形されているが、これらの面はこれに
限定されない。
【００２６】レーザチップ４は、従来のレーザチップが
採用されるが、その出射端面４１の反射率が低いもの、
又は出射端面４１に無反射コーティングが施されたもの
が、メインビームL m の反射を抑えるうえで好ましい。
このレーザチップ４は、その出射端面４１がヘッダー部
３の先端面３２と面一となるようヘッダー部３の上面３
１に、例えばロウ材や銀ペースト等のダイボンド材料に
より固定されており、ステム２からヘッダー部３の両側
に突設された一対のリード５１，５２のうち一方のリー
ド５１と金線６で結線されている。
採用されるが、その出射端面４１の反射率が低いもの、
又は出射端面４１に無反射コーティングが施されたもの
が、メインビームL m の反射を抑えるうえで好ましい。
このレーザチップ４は、その出射端面４１がヘッダー部
３の先端面３２と面一となるようヘッダー部３の上面３
１に、例えばロウ材や銀ペースト等のダイボンド材料に
より固定されており、ステム２からヘッダー部３の両側
に突設された一対のリード５１，５２のうち一方のリー
ド５１と金線６で結線されている。
【００２７】ヘッダー部３の先端面３２には、反射体７
が取り付けられている。この反射体７は、図２に示すよ
うに、反射±１次ビームより生じ光学系を経て帰還する
２つのサイドビームL s1,Ls2のうちヘッダー部３に向か
って帰還するサイドビームL s2を光学系外に向けて反射L
r するためのものである。したがって、反射体７は、
ヘッダー部３の先端面３２における、サイドビームL s2
が入射してくるサイドビーム入射領域３５に取り付けら
れている。
が取り付けられている。この反射体７は、図２に示すよ
うに、反射±１次ビームより生じ光学系を経て帰還する
２つのサイドビームL s1,Ls2のうちヘッダー部３に向か
って帰還するサイドビームL s2を光学系外に向けて反射L
r するためのものである。したがって、反射体７は、
ヘッダー部３の先端面３２における、サイドビームL s2
が入射してくるサイドビーム入射領域３５に取り付けら
れている。
【００２８】反射体７は、本実施の形態では三角柱状に
成形されており、ヘッダー部３の上記した位置に接着剤
を用いて貼り付けられている。この反射体７の材料とし
ては、接着剤でヘッダー部３に貼り付けることのできる
ものであれば、金属であっても合成樹脂であってもよ
い。
成形されており、ヘッダー部３の上記した位置に接着剤
を用いて貼り付けられている。この反射体７の材料とし
ては、接着剤でヘッダー部３に貼り付けることのできる
ものであれば、金属であっても合成樹脂であってもよ
い。
【００２９】また、反射体７は、その反射面７１の上端
縁７１１がレーザチップ４の出射端面４１における発光
点４２から５０μｍ（図中ａで示す）のところに位置
し、下端縁７１２が発光点４２から１５０μｍ（図中ｂ
で示す）のところに位置するような大きさとされてい
る。つまり、反射体７の反射面７１とレーザチップ４の
発光点４２との距離が５０μｍ以上１５０μｍ以下とな
るようヘッダー部３の先端面３２に取り付けられてい
る。
縁７１１がレーザチップ４の出射端面４１における発光
点４２から５０μｍ（図中ａで示す）のところに位置
し、下端縁７１２が発光点４２から１５０μｍ（図中ｂ
で示す）のところに位置するような大きさとされてい
る。つまり、反射体７の反射面７１とレーザチップ４の
発光点４２との距離が５０μｍ以上１５０μｍ以下とな
るようヘッダー部３の先端面３２に取り付けられてい
る。
【００３０】さらに、反射体７の反射面７１の傾斜角、
つまり、０次ビームより生じ光学系を経て帰還するメイ
ンビームL m に対する垂直面に対する角度（図中θで示
す）が、少なくとも１０度に設定されている。これによ
って、サイドビームL s2の光学系への再入射が有効に防
止できる。
つまり、０次ビームより生じ光学系を経て帰還するメイ
ンビームL m に対する垂直面に対する角度（図中θで示
す）が、少なくとも１０度に設定されている。これによ
って、サイドビームL s2の光学系への再入射が有効に防
止できる。
【００３１】なお、反射体７のヘッダー部３への取付
は、レーザチップ４のヘッダー部３への取付の前であっ
ても後であってもかまわない。
は、レーザチップ４のヘッダー部３への取付の前であっ
ても後であってもかまわない。
【００３２】以上のようになる半導体レーザ装置１は、
図示しないキャップが装着され、気密封止され、光ピッ
クアップに供される。
図示しないキャップが装着され、気密封止され、光ピッ
クアップに供される。
【００３３】なお、反射体７に用いる合成樹脂としては
熱硬化性樹脂を採用してもよい。この場合、熱硬化性樹
脂をヘッダー部３の先端面３２にポッティングし、山盛
り状に硬化させ、これによって形成される傾斜面を反射
面７１とする。このように、反射体７に熱硬化性樹脂を
用いた場合は、反射体７取付後の組立工程、或いは外部
回路との接続のための半田付け工程において加熱処理が
施されても、熱硬化性樹脂であることから、反射体７が
ヘッダー部３から剥離しない。
熱硬化性樹脂を採用してもよい。この場合、熱硬化性樹
脂をヘッダー部３の先端面３２にポッティングし、山盛
り状に硬化させ、これによって形成される傾斜面を反射
面７１とする。このように、反射体７に熱硬化性樹脂を
用いた場合は、反射体７取付後の組立工程、或いは外部
回路との接続のための半田付け工程において加熱処理が
施されても、熱硬化性樹脂であることから、反射体７が
ヘッダー部３から剥離しない。
【００３４】＜実施の形態２＞次に、本発明に係る半導
体レーザ装置の実施の形態２及びその製造方法につい
て、図３を参照して説明する。図３は、ヘッダー部の部
分拡大概略断面図である。なお、実施の形態１で示した
ものと同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省
略する。
体レーザ装置の実施の形態２及びその製造方法につい
て、図３を参照して説明する。図３は、ヘッダー部の部
分拡大概略断面図である。なお、実施の形態１で示した
ものと同一の部材には同一の符号を付し、その説明を省
略する。
【００３５】この実施の形態では、反射体７に、ヘッダ
ー部３を構成する金属よりも硬度の低い金属を用いてい
る。例えば、ヘッダー部３を構成する金属が主として鉄
である場合に、反射体７の材料としてインジウムを用い
ている。なお、反射体７に用いる金属材料はインジウム
に限るものではなく、例えば金、銀、アルミニウム等で
あってもよい。また、このような金属に限らず硬化前の
合成樹脂であってもよい。
ー部３を構成する金属よりも硬度の低い金属を用いてい
る。例えば、ヘッダー部３を構成する金属が主として鉄
である場合に、反射体７の材料としてインジウムを用い
ている。なお、反射体７に用いる金属材料はインジウム
に限るものではなく、例えば金、銀、アルミニウム等で
あってもよい。また、このような金属に限らず硬化前の
合成樹脂であってもよい。
【００３６】反射体７に上記したような材料を用いた場
合は、ヘッダー部３の先端面３２にインジウム等の反射
体の母材を融着させ、その母材を金型で所定形状に成形
し反射体７に加工する。このような方法を採用した場合
は、実施の形態１とは異なり、反射体７の取付に接着剤
が不要となるとともに、反射体７に用いる材料の量を必
要最小限に抑えることができる。
合は、ヘッダー部３の先端面３２にインジウム等の反射
体の母材を融着させ、その母材を金型で所定形状に成形
し反射体７に加工する。このような方法を採用した場合
は、実施の形態１とは異なり、反射体７の取付に接着剤
が不要となるとともに、反射体７に用いる材料の量を必
要最小限に抑えることができる。
【００３７】また、上記母材を反射体７に成形加工する
に際して、反射体７の形状を、実施の形態１で例示した
ような三角柱状とするに限らず、図３に示すように、断
面形状を鋸歯状とし、複数段の傾斜面７１ａ，７１ｂ，
７１ｃを有するものとしてもよい。反射体７をこのよう
な形状とすることで、反射体７の、ヘッダー部３の先端
面３２からの突出高さＨを抑制することができ、反射体
７が後工程で邪魔になるといったことがない。
に際して、反射体７の形状を、実施の形態１で例示した
ような三角柱状とするに限らず、図３に示すように、断
面形状を鋸歯状とし、複数段の傾斜面７１ａ，７１ｂ，
７１ｃを有するものとしてもよい。反射体７をこのよう
な形状とすることで、反射体７の、ヘッダー部３の先端
面３２からの突出高さＨを抑制することができ、反射体
７が後工程で邪魔になるといったことがない。
【００３８】＜実施の形態３＞次に、本発明に係る半導
体レーザ装置の実施の形態３について、図４を参照して
説明する。図４は、ヘッダー部の部分拡大概略断面図で
ある。なお、実施の形態１で示したものと同一の部材に
は同一の符号を付し、その説明を省略する。
体レーザ装置の実施の形態３について、図４を参照して
説明する。図４は、ヘッダー部の部分拡大概略断面図で
ある。なお、実施の形態１で示したものと同一の部材に
は同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３９】この実施の形態では、反射体７として、金
のボール７Ａを用いている。すなわち、ワイヤーボンド
装置であるボールボンダにより金線をヘッダー部３の先
端面３２におけるサイドビーム入射領域３５にボールボ
ンドし、金線を切断することで反射体７を形成してい
る。この場合、金線は一般にその直径が５０μｍ程度と
細く、またボールボンダの精度でボールボンド位置を決
定することができることから、ボール７Ａを精度よく形
成することができる。また、レーザチップにワイヤボン
ドを行う工程と同程度の作業時間で形成することができ
るので、反射体７のヘッダー部３への取付作業を高速化
できるといった利点がある。
のボール７Ａを用いている。すなわち、ワイヤーボンド
装置であるボールボンダにより金線をヘッダー部３の先
端面３２におけるサイドビーム入射領域３５にボールボ
ンドし、金線を切断することで反射体７を形成してい
る。この場合、金線は一般にその直径が５０μｍ程度と
細く、またボールボンダの精度でボールボンド位置を決
定することができることから、ボール７Ａを精度よく形
成することができる。また、レーザチップにワイヤボン
ドを行う工程と同程度の作業時間で形成することができ
るので、反射体７のヘッダー部３への取付作業を高速化
できるといった利点がある。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ヘッダー部におけるサイドビームの反射が光ピックアッ
プの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのない、しか
も生産性に優れた半導体レーザ装置を提供することがで
きる。
ヘッダー部におけるサイドビームの反射が光ピックアッ
プの諸特性に悪影響を及ぼすといったことのない、しか
も生産性に優れた半導体レーザ装置を提供することがで
きる。
【００４１】すなわち、ステム及びヘッダー部を金型で
プレス加工により成形したのち、ヘッダー部の先端面
に、ステムとは別体である反射体を取り付けるものであ
るので、従来の金型で発生していた傾斜面形成部の圧壊
や金型自体の破壊といった不具合が生じず、量産が極め
て簡単に行え、生産性に優れている。また、サイドビー
ムは反射体によって光学系外に向けて反射されるので、
光ピックアップの諸特性が損なわれるおそれもない。
プレス加工により成形したのち、ヘッダー部の先端面
に、ステムとは別体である反射体を取り付けるものであ
るので、従来の金型で発生していた傾斜面形成部の圧壊
や金型自体の破壊といった不具合が生じず、量産が極め
て簡単に行え、生産性に優れている。また、サイドビー
ムは反射体によって光学系外に向けて反射されるので、
光ピックアップの諸特性が損なわれるおそれもない。
【００４２】また、反射体の断面形状を鋸歯状とし、反
射体を複数段の傾斜面を備えたものとすれば、反射体
の、ヘッダー部の先端面からの突出高さを抑制すること
ができ、反射体が後工程で邪魔になるといったことがな
い。したがって、取扱性を向上させることができる。
射体を複数段の傾斜面を備えたものとすれば、反射体
の、ヘッダー部の先端面からの突出高さを抑制すること
ができ、反射体が後工程で邪魔になるといったことがな
い。したがって、取扱性を向上させることができる。
【００４３】また、反射体の材料として熱硬化性樹脂を
採用した場合は、反射体取付後の組立工程、或いは外部
回路との接続のための半田付け工程において加熱処理が
施されても、熱によって反射体がヘッダー部から剥離し
ない。したがって、生産性を損なうおそれがない。
採用した場合は、反射体取付後の組立工程、或いは外部
回路との接続のための半田付け工程において加熱処理が
施されても、熱によって反射体がヘッダー部から剥離し
ない。したがって、生産性を損なうおそれがない。
【図１】本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態１
を示し、キャップを取り外した状態の斜視図である。
を示し、キャップを取り外した状態の斜視図である。
【図２】実施の形態１におけるヘッダー部の部分拡大概
略断面図である。
略断面図である。
【図３】実施の形態２におけるヘッダー部の部分拡大概
略断面図である。
略断面図である。
【図４】実施の形態３におけるヘッダー部の部分拡大概
略断面図である。
略断面図である。
【図５】一般的な光ピックアップの構成を示す概略図で
ある。
ある。
【図６】従来の半導体レーザ装置のヘッダー部を示す部
分拡大概略断面図である。
分拡大概略断面図である。
【図７】従来の半導体レーザ装置におけるヘッダー部の
成形方法を示す概略図である。
成形方法を示す概略図である。
１ 半導体レーザ装置 ３ ヘッダー部 ３２ 先端面 ３５ サイドビーム入射領域 ４ レーザチップ ４２ 発光点 ７，７Ａ 反射体 ７１，７１ａ，７１ｂ，７１ｃ 反射面 Ｌ レーザビーム Ｅ 光学系 Ｇ 光学式記録媒体 L0 ０次ビーム L +1，L -1 ±１次ビーム L s1,Ls2 サイドビーム
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D118 AA06 AA22 BA01 CD03 CF16 CG04 CG33 CG44 5D119 AA20 AA38 BA01 BB01 FA05 FA30 NA04 5F073 AB27 AB29 BA04 EA26 FA17 FA21 FA27
Claims (8)
- 【請求項１】１つのレーザビームを光学系で０次ビーム
と±１次ビームの３つのビームに分けて光学式記録媒体
に向け照射し、該媒体から反射される反射０次ビーム及
び反射±１次ビームより該媒体に記録された情報の検出
や該検出時のトラッキングエラー情報の検出等を行う３
ビーム方式の光ピックアップに用いられる半導体レーザ
装置において、 前記レーザビームを出射するレーザチップが載置された
ヘッダー部の先端面であって、前記反射±１次ビームよ
り生じ前記光学系を経て帰還する２つのサイドビームの
うちヘッダー部に向かって帰還するサイドビームが入射
してくるサイドビーム入射領域に、該サイドビームを前
記光学系外に向けて反射する反射体が取り付けられたこ
とを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】前記反射体は、その反射面と前記レーザチ
ップの出射端面における発光点との距離が５０μｍ以上
１５０μｍ以下となるようヘッダー部の先端面に取り付
けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レー
ザ装置。 - 【請求項３】前記反射体は、その反射面が、前記０次ビ
ームより生じ前記光学系を経て帰還するメインビームに
対する垂直面に対して少なくとも１０度の角度を有する
傾斜面とされたことを特徴とする請求項１又は２に記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】前記反射体は、その断面形状が鋸歯状とさ
れ、複数段の傾斜面を有するものであることを特徴とす
る請求項１乃至３のいずれかひとつに記載の半導体レー
ザ装置。 - 【請求項５】前記反射体は、合成樹脂又は金属から形成
されたものであることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか一つに記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項６】前記合成樹脂は、熱硬化性樹脂であること
を特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】前記金属は、ヘッダー部を構成する金属よ
り硬度の低い金属であることを特徴とする請求項５に記
載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】前記ヘッダー部の先端面における反射サイ
ドビーム入射領域に、このヘッダー部を構成する金属よ
りも軟性の金属又は硬化前の合成樹脂からなる反射体の
母材を貼り付けたのち、この母材を所定の形状を有する
反射体に成形加工し、以て請求項１に記載の半導体レー
ザ装置を得ることを特徴とする半導体レーザ装置の製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001112770A JP3710720B2 (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US09/971,207 US6967979B2 (en) | 2000-10-06 | 2001-10-04 | Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device |
| US10/600,974 US20040004983A1 (en) | 2000-10-06 | 2003-06-20 | Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001112770A JP3710720B2 (ja) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002314185A true JP2002314185A (ja) | 2002-10-25 |
| JP3710720B2 JP3710720B2 (ja) | 2005-10-26 |
Family
ID=18964116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001112770A Expired - Fee Related JP3710720B2 (ja) | 2000-10-06 | 2001-04-11 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3710720B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567599B2 (en) | 2005-01-03 | 2009-07-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor laser diode device with thermal conductive encapsulating resin and method for manufacturing the same |
-
2001
- 2001-04-11 JP JP2001112770A patent/JP3710720B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7567599B2 (en) | 2005-01-03 | 2009-07-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor laser diode device with thermal conductive encapsulating resin and method for manufacturing the same |
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|---|---|
| JP3710720B2 (ja) | 2005-10-26 |
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