JP2002314144A - 半導体素子及び発光ダイオードランプ - Google Patents
半導体素子及び発光ダイオードランプInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームに半導体チップを装着するの
に接着剤を使用しているので、熱劣化による接着強度の
低下が生じていた。 【解決手段】 リードフレーム2に透孔3を形成し、透
孔3内に半導体チップ1を配置し、透孔3の周縁部をか
しめ4により半導体チップ1をリードフレーム2に固定
して、接着剤を使用しないようにした。
に接着剤を使用しているので、熱劣化による接着強度の
低下が生じていた。 【解決手段】 リードフレーム2に透孔3を形成し、透
孔3内に半導体チップ1を配置し、透孔3の周縁部をか
しめ4により半導体チップ1をリードフレーム2に固定
して、接着剤を使用しないようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子及び発光
ダイオードランプに関するものである。
ダイオードランプに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体チップを樹脂封止する半導
体素子において、リードフレームに半導体チップを装着
する(ダイスボンド)には、銀粉末を含有したエポキシ
樹脂の導電性接着剤やエポキシ樹脂の絶縁性透明接着剤
を使用している。
体素子において、リードフレームに半導体チップを装着
する(ダイスボンド)には、銀粉末を含有したエポキシ
樹脂の導電性接着剤やエポキシ樹脂の絶縁性透明接着剤
を使用している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このダイスボンド工程
の後に、給電用のワイヤを半導体チップに接続するワイ
ヤボンド工程があるが、半導体チップの電極とワイヤと
を溶着させて接続強度を保つためには、温度を上げる必
要がある。
の後に、給電用のワイヤを半導体チップに接続するワイ
ヤボンド工程があるが、半導体チップの電極とワイヤと
を溶着させて接続強度を保つためには、温度を上げる必
要がある。
【0004】しかしながら、温度が高すぎると接着剤中
のエポキシ樹脂が熱劣化してリードフレームと半導体チ
ップとの接着強度が低下し、透明接着剤を使用した発光
ダイオードの場合は、更にエポキシ樹脂の黄変によって
光出力が低下するという問題があった。
のエポキシ樹脂が熱劣化してリードフレームと半導体チ
ップとの接着強度が低下し、透明接着剤を使用した発光
ダイオードの場合は、更にエポキシ樹脂の黄変によって
光出力が低下するという問題があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明はリードフレームに透孔を形成し、透孔内に
半導体チップを配置し、透孔の周縁部をかしめることに
より半導体チップを固定するようにしたものである。
め、本発明はリードフレームに透孔を形成し、透孔内に
半導体チップを配置し、透孔の周縁部をかしめることに
より半導体チップを固定するようにしたものである。
【0006】
【発明の実施の形態】図1は本発明のかしめによる半導
体チップの固定を説明する斜視図である。
体チップの固定を説明する斜視図である。
【0007】半導体チップ1を搭載するリードフレーム
2に、半導体チップ1が収容できる大きさの貫通した穴
である透孔3を形成する。
2に、半導体チップ1が収容できる大きさの貫通した穴
である透孔3を形成する。
【0008】透孔3内に半導体チップ1を図示してない
治具により配置し、半導体チップ1の4つの側面に対
し、透孔3の周縁部をかしめる。このかしめ4によって
突出した周縁部の突出部5が半導体チップ1の側面に接
触して半導体チップ1を固定する。
治具により配置し、半導体チップ1の4つの側面に対
し、透孔3の周縁部をかしめる。このかしめ4によって
突出した周縁部の突出部5が半導体チップ1の側面に接
触して半導体チップ1を固定する。
【0009】次に半導体チップ1の電極6,7に、例え
ば金ボール8を使用して金線9をワイヤボンディング
し、リードフレーム2にもワイヤボンディングする。
ば金ボール8を使用して金線9をワイヤボンディング
し、リードフレーム2にもワイヤボンディングする。
【0010】上記したように、本発明は半導体チップ1
をかしめ4により固定して、接着剤を使用しないので、
接着剤に起因するリードフレーム2と半導体チップ1と
の熱劣化や紫外線による接着強度の低下が解消され、発
光ダイオードの場合に光出力が低下することもなくな
る。
をかしめ4により固定して、接着剤を使用しないので、
接着剤に起因するリードフレーム2と半導体チップ1と
の熱劣化や紫外線による接着強度の低下が解消され、発
光ダイオードの場合に光出力が低下することもなくな
る。
【0011】また、半導体チップ1としては硬い基板を
使用したチップが適当で、可視光及び紫外光のLEDチ
ップ、レーザチップ等に適用でき、特にサファイア基板
上に成長させたGaN(窒化ガリウム)を使用した場合
には、GaNは上面発光だけでなく、裏面発光による光
量が多いので、薄い透光性のサファイア基板及び透孔3
を通して裏面に光が多く放射される。
使用したチップが適当で、可視光及び紫外光のLEDチ
ップ、レーザチップ等に適用でき、特にサファイア基板
上に成長させたGaN(窒化ガリウム)を使用した場合
には、GaNは上面発光だけでなく、裏面発光による光
量が多いので、薄い透光性のサファイア基板及び透孔3
を通して裏面に光が多く放射される。
【0012】この裏面に放射される光を反射鏡によって
上方に反射させれば、LEDチップの上面及び裏面発光
の光を有効に取り出すことができる。
上方に反射させれば、LEDチップの上面及び裏面発光
の光を有効に取り出すことができる。
【0013】なお、サファイア基板は硬いので、サファ
イア基板を有する半導体チップ、LEDチップが特にか
しめ4による固定に適している。
イア基板を有する半導体チップ、LEDチップが特にか
しめ4による固定に適している。
【0014】図2は本発明の第1の実施形態を示す断面
図で、LEDチップをリードフレームにかしめにより固
定して樹脂封止した発光ダイオードランプを示してい
る。
図で、LEDチップをリードフレームにかしめにより固
定して樹脂封止した発光ダイオードランプを示してい
る。
【0015】LEDチップ11はリードフレーム12に
形成された透孔13内に配置され、かしめ14によりリ
ードフレーム12に固定されている。
形成された透孔13内に配置され、かしめ14によりリ
ードフレーム12に固定されている。
【0016】また、LEDチップ11とリードフレーム
12は例えば金線15によりワイヤボンディングされて
電気的に接続されている。
12は例えば金線15によりワイヤボンディングされて
電気的に接続されている。
【0017】LEDチップ11を含めた全体は透光性樹
脂16例えばエポキシ樹脂によりモールドされ、透光性
樹脂16の凸状の底面に凹面の反射鏡17が形成されて
いる。
脂16例えばエポキシ樹脂によりモールドされ、透光性
樹脂16の凸状の底面に凹面の反射鏡17が形成されて
いる。
【0018】この反射鏡17は従来と同様に金属蒸着や
メッキにより形成される。
メッキにより形成される。
【0019】このように構成すると、LEDチップ11
の上面発光した光だけでなく、裏面発光した光を反射鏡
17により反射させて有効に利用することができる。
の上面発光した光だけでなく、裏面発光した光を反射鏡
17により反射させて有効に利用することができる。
【0020】従来の場合には、LEDチップの裏面がリ
ードフレームに接着されているので、裏面発光した光を
十分に利用することは困難であるが、第1の実施形態で
は透孔13内にLEDチップ11をかしめ14により固
定しているので、裏面発光した光を有効に取り出すこと
ができる。
ードフレームに接着されているので、裏面発光した光を
十分に利用することは困難であるが、第1の実施形態で
は透孔13内にLEDチップ11をかしめ14により固
定しているので、裏面発光した光を有効に取り出すこと
ができる。
【0021】図3は本発明の第2の実施形態を示す斜視
図、図4は第2の実施形態の断面図である。
図、図4は第2の実施形態の断面図である。
【0022】第1の実施形態とは反射鏡の構成が異なっ
ており、反射鏡はLEDチップを搭載したリードフレー
ムとは異なるリードフレームと一体に形成されている。
ており、反射鏡はLEDチップを搭載したリードフレー
ムとは異なるリードフレームと一体に形成されている。
【0023】図3及び図4において、LEDチップ21
はリードフレーム22に形成された透孔23内に配置さ
れ、かしめ24によりリードフレーム22に固定されて
いる。
はリードフレーム22に形成された透孔23内に配置さ
れ、かしめ24によりリードフレーム22に固定されて
いる。
【0024】また、LEDチップ21とリードフレーム
22は金線25によりワイヤボンディングされて電気的
に接続されている。
22は金線25によりワイヤボンディングされて電気的
に接続されている。
【0025】LEDチップ21を含めた全体は透光性樹
脂26によって封止されている。
脂26によって封止されている。
【0026】凹面に形成された反射鏡27はLEDチッ
プ21を搭載したリードフレーム22とは異なる別のリ
ードフレーム28と一体に形成され、LEDチップ21
の裏面発光した光を反射して有効に取り出すように構成
されている。
プ21を搭載したリードフレーム22とは異なる別のリ
ードフレーム28と一体に形成され、LEDチップ21
の裏面発光した光を反射して有効に取り出すように構成
されている。
【0027】このリードフレーム28はCuやCu合金
あるいはFe等を主材料に形成されるが、CuやCu合
金は加工し易く、Feは安価であるという特徴がある。
CuやCu合金の場合はNi,Agの2層メッキをし、
Feの場合はCu,Ni,Agの3層メッキをして表面
をAgにすると光の反射効果が高くなる。
あるいはFe等を主材料に形成されるが、CuやCu合
金は加工し易く、Feは安価であるという特徴がある。
CuやCu合金の場合はNi,Agの2層メッキをし、
Feの場合はCu,Ni,Agの3層メッキをして表面
をAgにすると光の反射効果が高くなる。
【0028】反射鏡27及びリードフレーム28は、例
えばCu板を打ち抜き、押し出し加工をして凹面を形成
し、打ち抜いたリードを曲げ加工して形成すれば良い。
えばCu板を打ち抜き、押し出し加工をして凹面を形成
し、打ち抜いたリードを曲げ加工して形成すれば良い。
【0029】なお、リードフレーム28はリードフレー
ム22と共に4本足を構成するので、一方に傾くことも
なく安定するが、リードフレーム28は必ずしも2本で
ある必要はない。
ム22と共に4本足を構成するので、一方に傾くことも
なく安定するが、リードフレーム28は必ずしも2本で
ある必要はない。
【0030】図2に示した第1の実施形態のように、従
来と同じ凹面の反射鏡17の場合には、透光性樹脂16
に金属を蒸着やメッキをして形成しているので、接着強
度が弱く、剥がれ等の変形により表示ムラや発光出力の
低下が生じるが、第2の実施形態では反射鏡27をリー
ドフレーム28と一体に形成したので、このような問題
は解決される。
来と同じ凹面の反射鏡17の場合には、透光性樹脂16
に金属を蒸着やメッキをして形成しているので、接着強
度が弱く、剥がれ等の変形により表示ムラや発光出力の
低下が生じるが、第2の実施形態では反射鏡27をリー
ドフレーム28と一体に形成したので、このような問題
は解決される。
【0031】以上のように、第2の実施形態によれば、
第1の実施形態の効果に加えて、反射鏡27をリードフ
レーム28と一体に形成したことにより、弱い接着強度
に基づく表示ムラや発光出力の低下を解消させることが
できる。
第1の実施形態の効果に加えて、反射鏡27をリードフ
レーム28と一体に形成したことにより、弱い接着強度
に基づく表示ムラや発光出力の低下を解消させることが
できる。
【0032】
【発明の効果】上記したように、本発明によれば、半導
体チップをかしめによりリードフレームに固定するの
で、接着剤の熱劣化による接着強度の低下が解消され、
また、発光ダイオードの場合における光出力の低下を防
止することができる。
体チップをかしめによりリードフレームに固定するの
で、接着剤の熱劣化による接着強度の低下が解消され、
また、発光ダイオードの場合における光出力の低下を防
止することができる。
【図1】本発明のかしめによる固定を説明する斜視図。
【図2】本発明の第1の実施形態を示す断面図。
【図3】本発明の第2の実施形態を示す斜視図。
【図4】第2の実施形態の断面図。
1 半導体チップ 11,21 LEDチップ 2,12,22,28 リードフレーム 3,13,23 透孔 4,14,24 かしめ 17,27 反射鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4M109 AA01 DB20 EA02 EC11 GA01 5F041 AA04 AA42 AA44 CA40 CA46 CA77 DA07 DA12 DA16 DA43 DB03 EE23
Claims (5)
- 【請求項1】 半導体チップを樹脂封止する半導体素子
において、 リードフレームに透孔を形成し、前記透孔内に前記半導
体チップを配置し、前記透孔の周縁部をかしめることに
より前記半導体チップを固定することを特徴とする半導
体素子。 - 【請求項2】 前記半導体チップがLEDチップである
ことを特徴とする請求項1記載の半導体素子。 - 【請求項3】 前記LEDチップがサファイア基板上に
成長させたGaNであることを特徴とする請求項2記載
の半導体素子。 - 【請求項4】 請求項2又は3記載の半導体素子と、前
記半導体素子の裏面側に配置され、前記半導体素子の裏
面側から放射する光を上面側に反射する反射鏡とを備え
たことを特徴とする発光ダイオードランプ。 - 【請求項5】 前記反射鏡が、前記LEDチップを搭載
したリードフレームと異なるリードフレームと一体に形
成された凹面反射鏡であることを特徴とする請求項4記
載の発光ダイオードランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001111219A JP3455191B2 (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | 半導体素子及び発光ダイオードランプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001111219A JP3455191B2 (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | 半導体素子及び発光ダイオードランプ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002314144A true JP2002314144A (ja) | 2002-10-25 |
JP3455191B2 JP3455191B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=18962857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001111219A Expired - Fee Related JP3455191B2 (ja) | 2001-04-10 | 2001-04-10 | 半導体素子及び発光ダイオードランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3455191B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014140072A (ja) * | 2014-04-16 | 2014-07-31 | Rohm Co Ltd | 発光素子モジュール |
US9312462B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-04-12 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
WO2018182350A1 (ko) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 주식회사 현대케피코 | 비접촉식 인히비터 스위치 |
-
2001
- 2001-04-10 JP JP2001111219A patent/JP3455191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9312462B2 (en) | 2010-04-30 | 2016-04-12 | Rohm Co., Ltd. | LED module |
JP2014140072A (ja) * | 2014-04-16 | 2014-07-31 | Rohm Co Ltd | 発光素子モジュール |
WO2018182350A1 (ko) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 주식회사 현대케피코 | 비접촉식 인히비터 스위치 |
CN109642658A (zh) * | 2017-03-31 | 2019-04-16 | 现代凯菲克株式会杜 | 非接触式抑制器开关 |
CN109642658B (zh) * | 2017-03-31 | 2021-01-22 | 现代凯菲克株式会杜 | 非接触式抑制器开关 |
US11339871B2 (en) | 2017-03-31 | 2022-05-24 | Hyundai Kefico Corporation | Contactless inhibitor switch |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3455191B2 (ja) | 2003-10-14 |
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