JP2002313888A - 半導体用治具 - Google Patents
半導体用治具Info
- Publication number
- JP2002313888A JP2002313888A JP2001110066A JP2001110066A JP2002313888A JP 2002313888 A JP2002313888 A JP 2002313888A JP 2001110066 A JP2001110066 A JP 2001110066A JP 2001110066 A JP2001110066 A JP 2001110066A JP 2002313888 A JP2002313888 A JP 2002313888A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- jig
- semiconductor
- wafer
- cvd
- free carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの処理品質を高めることができる，半
導体用治具を提供すること。 【解決手段】 ウエハの熱処理に用いられ，頂面１２に
は，ウエハを載置する凹所となるウエハポケット１０が
設けてあり，半導体用治具は遊離炭素を含むＣＶＤ法に
より生成させた炭化珪素主体の材料より構成されてい
る。
導体用治具を提供すること。 【解決手段】 ウエハの熱処理に用いられ，頂面１２に
は，ウエハを載置する凹所となるウエハポケット１０が
設けてあり，半導体用治具は遊離炭素を含むＣＶＤ法に
より生成させた炭化珪素主体の材料より構成されてい
る。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，ＣＶＤ法により生成させた炭化
珪素（以降，ＣＶＤ−ＳｉＣと省略表記する）よりな
り，エピタキシャル成長工程をはじめとする，主として
半導体デバイスの製造プロセスにおいてウエハを熱処理
する際に用いられるサセプタ等の半導体用治具に関す
る。
珪素（以降，ＣＶＤ−ＳｉＣと省略表記する）よりな
り，エピタキシャル成長工程をはじめとする，主として
半導体デバイスの製造プロセスにおいてウエハを熱処理
する際に用いられるサセプタ等の半導体用治具に関す
る。
【０００２】
【従来技術】半導体デバイスの製造プロセス中におい
て，エピタキシャル成長工程，ＣＶＤ工程，アニール工
程等のウエハに熱処理を施す各種の熱処理工程がある。
エピタキシャル成長工程は，基材となるウエハ上に半導
体結晶を成長させるプロセスで，シリコン半導体よりな
るデバイス製造の場合には，ウエハ上にシリコン単結晶
膜を析出成長させる。上記エピタキシャル成長工程にお
いてウエハはサセプタ等の半導体用治具に載置される。
上記半導体用治具の構成材料としては，高純度黒鉛材の
表面を高純度の炭化珪素で被覆した材料が従来より広く
用いられていた。また，上記ＣＶＤ工程，アニール工程
等の各種熱処理工程においても同様の半導体用治具が用
いられていた。
て，エピタキシャル成長工程，ＣＶＤ工程，アニール工
程等のウエハに熱処理を施す各種の熱処理工程がある。
エピタキシャル成長工程は，基材となるウエハ上に半導
体結晶を成長させるプロセスで，シリコン半導体よりな
るデバイス製造の場合には，ウエハ上にシリコン単結晶
膜を析出成長させる。上記エピタキシャル成長工程にお
いてウエハはサセプタ等の半導体用治具に載置される。
上記半導体用治具の構成材料としては，高純度黒鉛材の
表面を高純度の炭化珪素で被覆した材料が従来より広く
用いられていた。また，上記ＣＶＤ工程，アニール工程
等の各種熱処理工程においても同様の半導体用治具が用
いられていた。
【０００３】ところが，黒鉛材の表面に炭化珪素を被覆
して構成した半導体用治具は，炭化珪素と黒鉛材との物
性値（熱膨張率）が異なるため，熱処理工程途中で熱応
力による炭化珪素膜の剥離やクラックが発生し，使用不
能となる場合があった。また，炭化珪素の被膜厚みは５
０〜２００μｍ程度と薄く，腐食性の強い雰囲気下で熱
処理工程を行なう場合は，炭化珪素被膜にピンホールが
発生し，そこから黒鉛材中の不純物が放出されてしまう
という問題があった。
して構成した半導体用治具は，炭化珪素と黒鉛材との物
性値（熱膨張率）が異なるため，熱処理工程途中で熱応
力による炭化珪素膜の剥離やクラックが発生し，使用不
能となる場合があった。また，炭化珪素の被膜厚みは５
０〜２００μｍ程度と薄く，腐食性の強い雰囲気下で熱
処理工程を行なう場合は，炭化珪素被膜にピンホールが
発生し，そこから黒鉛材中の不純物が放出されてしまう
という問題があった。
【０００４】更に，コストダウンを目的としたウエハの
処理サイクル向上のため，半導体用治具の熱容量を低減
することが考えられている。これについて，半導体用治
具の厚みを薄くすることが検討されているが，黒鉛材を
基材とする場合，強度面を鑑みて，厚みを所定の値より
薄くすることは困難であった。
処理サイクル向上のため，半導体用治具の熱容量を低減
することが考えられている。これについて，半導体用治
具の厚みを薄くすることが検討されているが，黒鉛材を
基材とする場合，強度面を鑑みて，厚みを所定の値より
薄くすることは困難であった。
【０００５】このため，ＣＶＤ−ＳｉＣより構成した半
導体用治具が提案されている。ＣＶＤ−ＳｉＣは，ＣＶ
Ｄプロセスを利用して製作した半導体用治具で，非常に
緻密な炭素組織をもっており，硬度が高い。そのため，
強度的に強く，単なる黒鉛材を用いた半導体用治具より
も，より厚みを薄く，熱容量を小さくすることができ
る。
導体用治具が提案されている。ＣＶＤ−ＳｉＣは，ＣＶ
Ｄプロセスを利用して製作した半導体用治具で，非常に
緻密な炭素組織をもっており，硬度が高い。そのため，
強度的に強く，単なる黒鉛材を用いた半導体用治具より
も，より厚みを薄く，熱容量を小さくすることができ
る。
【０００６】
【解決しようとする課題】しかしながら，ＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃよりなる半導体用治具には次のような問題がある。Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣ製の半導体用治具において，ＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃの性質上，熱処理の際に熱源として用いるキセノンラ
ンプの光が，半導体用治具を透過して，ウエハに到達す
るおそれがある。
Ｃよりなる半導体用治具には次のような問題がある。Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣ製の半導体用治具において，ＣＶＤ−Ｓｉ
Ｃの性質上，熱処理の際に熱源として用いるキセノンラ
ンプの光が，半導体用治具を透過して，ウエハに到達す
るおそれがある。
【０００７】また，半導体用治具のウエハポケットは機
械加工により形成するため，ウエハポケット内の載置面
にはカッターマークよりなる凹凸が多数存在する。従っ
て，上記凹凸によってキセノンランプの光の透過量にバ
ラツキが発生し，ウエハの処理品質が大きく低下した
り，処理の歩留率が低下することがあった。もちろん半
導体用治具を肉厚とすれば上記問題は回避できるが，半
導体用治具の熱容量が大となって，熱がウエハに届き難
くなるため，この方法は好ましくない。
械加工により形成するため，ウエハポケット内の載置面
にはカッターマークよりなる凹凸が多数存在する。従っ
て，上記凹凸によってキセノンランプの光の透過量にバ
ラツキが発生し，ウエハの処理品質が大きく低下した
り，処理の歩留率が低下することがあった。もちろん半
導体用治具を肉厚とすれば上記問題は回避できるが，半
導体用治具の熱容量が大となって，熱がウエハに届き難
くなるため，この方法は好ましくない。
【０００８】本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので，ウエハの処理品質及び処理効率を高める
ことができる，半導体用治具を提供しようとするもので
ある。
されたもので，ウエハの処理品質及び処理効率を高める
ことができる，半導体用治具を提供しようとするもので
ある。
【０００９】
【課題の解決手段】請求項１に記載の発明は，半導体プ
ロセスにおいて，ウエハの熱処理に用いられる半導体用
治具であって，上記半導体用治具の頂面には，ウエハを
載置する凹所となるウエハポケットが設けてあり，ま
た，上記半導体用治具の一部または全部は，遊離炭素を
含むＣＶＤ法により生成させた炭化珪素を主体とした材
料により構成されていることを特徴とする半導体用治具
にある。
ロセスにおいて，ウエハの熱処理に用いられる半導体用
治具であって，上記半導体用治具の頂面には，ウエハを
載置する凹所となるウエハポケットが設けてあり，ま
た，上記半導体用治具の一部または全部は，遊離炭素を
含むＣＶＤ法により生成させた炭化珪素を主体とした材
料により構成されていることを特徴とする半導体用治具
にある。
【００１０】次に，本発明の作用効果につき説明する。
後述する図３に示すように半導体用治具にウエハを載置
して，半導体用治具の頂面及び頂面の反対の底面からラ
ンプ加熱した場合について考える。本発明にかかる半導
体用治具は遊離炭素を含むＣＶＤ−ＳｉＣを主体とした
材料により構成される。通常のＣＶＤ−ＳｉＣはランプ
加熱時のランプの光をある程度透過させるが，遊離炭素
が存在することで上記材料は遮光性を獲得する。
後述する図３に示すように半導体用治具にウエハを載置
して，半導体用治具の頂面及び頂面の反対の底面からラ
ンプ加熱した場合について考える。本発明にかかる半導
体用治具は遊離炭素を含むＣＶＤ−ＳｉＣを主体とした
材料により構成される。通常のＣＶＤ−ＳｉＣはランプ
加熱時のランプの光をある程度透過させるが，遊離炭素
が存在することで上記材料は遮光性を獲得する。
【００１１】そのため，本発明にかかる半導体用治具に
おいてランプ加熱時の光は遮断され，熱だけをウエハポ
ケットに伝導させることができる。よって，ウエハポケ
ットに形成された凹凸が光によってウエハに転写される
ことを防止でき，ウエハの処理品質を高めて，処理の歩
留率を高めることができる。更に，本発明によれば，急
速加熱可能なランプ加熱を利用できる半導体用治具を得
られるため，ウエハに対する処理効率を高めることもで
きる。また，ＣＶＤ−ＳｉＣは高強度なので耐久性に優
れ，また高熱伝導性であり，速やかにウエハを加熱する
ことができる。
おいてランプ加熱時の光は遮断され，熱だけをウエハポ
ケットに伝導させることができる。よって，ウエハポケ
ットに形成された凹凸が光によってウエハに転写される
ことを防止でき，ウエハの処理品質を高めて，処理の歩
留率を高めることができる。更に，本発明によれば，急
速加熱可能なランプ加熱を利用できる半導体用治具を得
られるため，ウエハに対する処理効率を高めることもで
きる。また，ＣＶＤ−ＳｉＣは高強度なので耐久性に優
れ，また高熱伝導性であり，速やかにウエハを加熱する
ことができる。
【００１２】以上，本発明によれば，ウエハの処理品質
及び処理効率を高めることができる，半導体用治具を提
供することができる。
及び処理効率を高めることができる，半導体用治具を提
供することができる。
【００１３】次に，請求項２記載の発明のように，少な
くともウエハポケットを覆う箇所は遊離炭素を含むＣＶ
Ｄ法により生成させた炭化珪素を主体とした材料により
構成されていることが好ましい。
くともウエハポケットを覆う箇所は遊離炭素を含むＣＶ
Ｄ法により生成させた炭化珪素を主体とした材料により
構成されていることが好ましい。
【００１４】少なくともウエハポケットを覆う箇所を遊
離炭素を含むＣＶＤ−ＳｉＣとした場合も，上述と同様
にランプ加熱時の光を遮断し，熱だけをウエハポケット
に伝導させることができる。よって，ウエハの処理品質
を高めて，処理の歩留まり率を高めることができる。ま
た，急速加熱可能なランプ加熱を利用できる半導体用治
具を得られるため，ウエハに対する処理効率を高めるこ
ともできる。また，ＣＶＤ−ＳｉＣは高強度なので耐久
性に優れ，また高熱伝導性であり，速やかにウエハを加
熱することができる。
離炭素を含むＣＶＤ−ＳｉＣとした場合も，上述と同様
にランプ加熱時の光を遮断し，熱だけをウエハポケット
に伝導させることができる。よって，ウエハの処理品質
を高めて，処理の歩留まり率を高めることができる。ま
た，急速加熱可能なランプ加熱を利用できる半導体用治
具を得られるため，ウエハに対する処理効率を高めるこ
ともできる。また，ＣＶＤ−ＳｉＣは高強度なので耐久
性に優れ，また高熱伝導性であり，速やかにウエハを加
熱することができる。
【００１５】本発明にかかる半導体用治具は，後述する
エピタキシャル成長（実施形態例参照）の他，ＣＶＤ工
程やアニール工程等のウエハの熱処理工程に用いること
ができる。
エピタキシャル成長（実施形態例参照）の他，ＣＶＤ工
程やアニール工程等のウエハの熱処理工程に用いること
ができる。
【００１６】次に，請求項３に記載の発明のように，上
記遊離炭素を含むＣＶＤ法により生成させた炭化珪素を
主体とした材料は，材料全体（１００ｗｔ％）における
遊離炭素の含有率が０．０１〜２０．００ｗｔ％である
ことが好ましい。これにより，遮光性に優れ，高強度で
耐久性に優れ，高熱伝導性で容易にウエハを加熱するこ
とが可能な優れた半導体用治具を手に入れることができ
る。上記遊離炭素の含有率が０．０１ｗｔ％未満である
場合，遮光性が低いことから，ランプ加熱における光の
遮断が困難となり，ウエハの処理品質が低下するおそれ
がある。また，２０．００ｗｔ％を越えた場合，ＣＶＤ
−ＳｉＣの強度が低下し，熱伝導率が低下するおそれが
ある。
記遊離炭素を含むＣＶＤ法により生成させた炭化珪素を
主体とした材料は，材料全体（１００ｗｔ％）における
遊離炭素の含有率が０．０１〜２０．００ｗｔ％である
ことが好ましい。これにより，遮光性に優れ，高強度で
耐久性に優れ，高熱伝導性で容易にウエハを加熱するこ
とが可能な優れた半導体用治具を手に入れることができ
る。上記遊離炭素の含有率が０．０１ｗｔ％未満である
場合，遮光性が低いことから，ランプ加熱における光の
遮断が困難となり，ウエハの処理品質が低下するおそれ
がある。また，２０．００ｗｔ％を越えた場合，ＣＶＤ
−ＳｉＣの強度が低下し，熱伝導率が低下するおそれが
ある。
【００１７】次に，請求項４記載の発明のように，上記
半導体用治具は，波長４００〜８００ｎｍの光に対して
５０％以上不透過であることが好ましい。急速加熱が可
能となる熱源は処理時間の短縮に多いに有効であり，こ
のような熱源としてキセノンランプがある。半導体用治
具そのものが上述の範囲の波長に対して５０％以上不透
過であるため，キセノンランプを熱源として用いた際
に，半導体用治具を介して該キセノンランプから発した
光がウエハポケットまで透過することを遮断することが
できる。
半導体用治具は，波長４００〜８００ｎｍの光に対して
５０％以上不透過であることが好ましい。急速加熱が可
能となる熱源は処理時間の短縮に多いに有効であり，こ
のような熱源としてキセノンランプがある。半導体用治
具そのものが上述の範囲の波長に対して５０％以上不透
過であるため，キセノンランプを熱源として用いた際
に，半導体用治具を介して該キセノンランプから発した
光がウエハポケットまで透過することを遮断することが
できる。
【００１８】なお，キセノンランプはキセノンの中での
放電発光を利用する放電灯の一種で，分光分布は連続ス
ペクトルの部分が多く，自然昼光に似たスペクトルを示
す光を放つ。更に，点光源に近い明るい光源であり，点
灯と同時に安定に発光する特性を持つ。このため，加熱
のオン／オフ制御が容易で，処理時間の短縮に多いに有
効である。
放電発光を利用する放電灯の一種で，分光分布は連続ス
ペクトルの部分が多く，自然昼光に似たスペクトルを示
す光を放つ。更に，点光源に近い明るい光源であり，点
灯と同時に安定に発光する特性を持つ。このため，加熱
のオン／オフ制御が容易で，処理時間の短縮に多いに有
効である。
【００１９】波長が４００〜８００ｎｍの光に対して５
０％未満不透過である場合，ウエハの処理品質が低下す
るおそれがある。もちろん１００％不透過，つまり半導
体用治具によって，キセノンランプの光が全く透過しな
いことが最も好ましい。ランプの光が全く透過しなくと
も，ランプにより半導体用治具が加熱され，熱が半導体
用治具を介してウエハに伝導するため，問題なく熱処理
を行なうことができる。
０％未満不透過である場合，ウエハの処理品質が低下す
るおそれがある。もちろん１００％不透過，つまり半導
体用治具によって，キセノンランプの光が全く透過しな
いことが最も好ましい。ランプの光が全く透過しなくと
も，ランプにより半導体用治具が加熱され，熱が半導体
用治具を介してウエハに伝導するため，問題なく熱処理
を行なうことができる。
【００２０】更に，上述したごとく，キセノンランプは
自然昼光に近い光を発するため，可視光線領域の波長が
遮断できれば，本発明にかかる遮光層として十分な効果
を得ることができる。
自然昼光に近い光を発するため，可視光線領域の波長が
遮断できれば，本発明にかかる遮光層として十分な効果
を得ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施形態例 本発明の実施形態例にかかる半導体用治具につき，図１
〜図４を用いて説明する。図１に示すように，本例は，
半導体プロセスにおいて，ウエハの熱処理に用いられる
半導体用治具１であって，上記半導体用治具１の頂面１
２には，ウエハを載置する凹所となるウエハポケット１
０が設けてある。そして，上記半導体用治具１は遊離炭
素を含むＣＶＤ法により生成させた炭化珪素を主体とす
る材料により構成されている。
〜図４を用いて説明する。図１に示すように，本例は，
半導体プロセスにおいて，ウエハの熱処理に用いられる
半導体用治具１であって，上記半導体用治具１の頂面１
２には，ウエハを載置する凹所となるウエハポケット１
０が設けてある。そして，上記半導体用治具１は遊離炭
素を含むＣＶＤ法により生成させた炭化珪素を主体とす
る材料により構成されている。
【００２２】本例の半導体用治具１について詳細に説明
する。図１に示すごとく，本例の半導体用治具１は円板
体である。頂面１２には円形のウエハポケット１０が設
けてある。ウエハポケット１０における載置面１０１と
は，ウエハ２をウエハポケット１０に載置した際にウエ
ハ１と接触する面をさしている。この載置面１０１は後
述するごとくウエハポケット１０が機械加工で作成され
ているため，平均として１〜１０μｍ程度の凹凸を持っ
ている。なお，同図における符号１１は底面である。
する。図１に示すごとく，本例の半導体用治具１は円板
体である。頂面１２には円形のウエハポケット１０が設
けてある。ウエハポケット１０における載置面１０１と
は，ウエハ２をウエハポケット１０に載置した際にウエ
ハ１と接触する面をさしている。この載置面１０１は後
述するごとくウエハポケット１０が機械加工で作成され
ているため，平均として１〜１０μｍ程度の凹凸を持っ
ている。なお，同図における符号１１は底面である。
【００２３】次に，上記半導体用治具１の製造方法につ
いて説明する。ＣＶＤ装置内に黒鉛材料を基材としてセ
ットして，温度１３５０℃，真空度２６６６４．４Ｐａ
（２００Ｔｏｒｒ）の条件下，反応ガスとしてメチルク
ロロシラン及びメタンガスを，キャリアガスとして水素
を供給した。なお，炭素源としてのメタンの混合割合は
１５％（体積）である。
いて説明する。ＣＶＤ装置内に黒鉛材料を基材としてセ
ットして，温度１３５０℃，真空度２６６６４．４Ｐａ
（２００Ｔｏｒｒ）の条件下，反応ガスとしてメチルク
ロロシラン及びメタンガスを，キャリアガスとして水素
を供給した。なお，炭素源としてのメタンの混合割合は
１５％（体積）である。
【００２４】この結果，メチルクロロシラン及びメタン
が分解して，よりＣリッチなＣＶＤ−ＳｉＣ層が基材に
積層し，その組成は，遊離炭素の含有率が１０ｗｔ％で
あるＣＶＤ−ＳｉＣ板を得た。最後にＣＶＤ−ＳｉＣ板
の頂面をダイヤモンド砥石を用いて機械加工し，ウエハ
２のウエハポケット１０を設けて，半導体用治具１を得
た。なお，機械加工により形成されたウエハポケット１
０の全表面にはカッターマーク（加工に用いた刃の跡）
が存在した。
が分解して，よりＣリッチなＣＶＤ−ＳｉＣ層が基材に
積層し，その組成は，遊離炭素の含有率が１０ｗｔ％で
あるＣＶＤ−ＳｉＣ板を得た。最後にＣＶＤ−ＳｉＣ板
の頂面をダイヤモンド砥石を用いて機械加工し，ウエハ
２のウエハポケット１０を設けて，半導体用治具１を得
た。なお，機械加工により形成されたウエハポケット１
０の全表面にはカッターマーク（加工に用いた刃の跡）
が存在した。
【００２５】次に，本例の半導体用治具１を使用する際
の加熱方法について説明する。図３に示すごとく，ウエ
ハ２を加熱するために半導体用治具１の上下には，円周
上に熱源であるキセノンランプ３１を配置する。
の加熱方法について説明する。図３に示すごとく，ウエ
ハ２を加熱するために半導体用治具１の上下には，円周
上に熱源であるキセノンランプ３１を配置する。
【００２６】そして，本例に示した半導体用治具１を上
記加熱方法により加熱して，実際に８インチ（２０．３
２ｃｍ）径のシリコンのウエハ２にエピタキシャル成長
処理を施したところ，ウエハ２の表面に形成された単結
晶のシリコン膜の厚みバラツキが１％以下となった。ま
た，比較のためにＳｉリッチなＣＶＤ−ＳｉＣ（遊離炭
素の含有率が２５ｗｔ％）よりなる半導体用治具（図示
略）を用いて，同様のエピタキシャル成長処理を行った
ところ，ウエハ２の表面に形成された単結晶シリコン膜
の厚みバラツキが８％となった。
記加熱方法により加熱して，実際に８インチ（２０．３
２ｃｍ）径のシリコンのウエハ２にエピタキシャル成長
処理を施したところ，ウエハ２の表面に形成された単結
晶のシリコン膜の厚みバラツキが１％以下となった。ま
た，比較のためにＳｉリッチなＣＶＤ−ＳｉＣ（遊離炭
素の含有率が２５ｗｔ％）よりなる半導体用治具（図示
略）を用いて，同様のエピタキシャル成長処理を行った
ところ，ウエハ２の表面に形成された単結晶シリコン膜
の厚みバラツキが８％となった。
【００２７】次に，本例の作用効果について説明する。
図３に示す加熱方法で半導体用治具１を用いてウエハ２
に加熱処理を行なう際には，半導体用治具１の頂面１２
や底面１１からランプ加熱を施すが，この時，底面１１
から熱は通るが光は遊離炭素を含むＣＶＤ−ＳｉＣ主体
の材料を殆どを透過することができず，ウエハポケット
１０に対し光が達しない。
図３に示す加熱方法で半導体用治具１を用いてウエハ２
に加熱処理を行なう際には，半導体用治具１の頂面１２
や底面１１からランプ加熱を施すが，この時，底面１１
から熱は通るが光は遊離炭素を含むＣＶＤ−ＳｉＣ主体
の材料を殆どを透過することができず，ウエハポケット
１０に対し光が達しない。
【００２８】そのため，ランプ加熱時にウエハポケット
１０の，特に載置面１０１にある凹凸をウエハ２に転写
され難くすることができる。よって，ウエハ２の処理品
質を高くすることができる。更に，急速加熱可能なラン
プ加熱を利用できる半導体用治具１を得られるため，ウ
エハ２に対する処理効率を高めることもできる。
１０の，特に載置面１０１にある凹凸をウエハ２に転写
され難くすることができる。よって，ウエハ２の処理品
質を高くすることができる。更に，急速加熱可能なラン
プ加熱を利用できる半導体用治具１を得られるため，ウ
エハ２に対する処理効率を高めることもできる。
【００２９】以上，本例によれば，ウエハの処理品質及
び処理効率を高めることができる，半導体用治具を提供
することができる。
び処理効率を高めることができる，半導体用治具を提供
することができる。
【００３０】また，図４に示すごとく，半導体用治具１
のウエハポケット１０の下面側で，底面１１からウエハ
ポケット１０に至る箇所を遊離炭素含むＣＶＤ−ＳｉＣ
主体の材料で構成した場合も，上記と同様の効果を得る
ことができる。
のウエハポケット１０の下面側で，底面１１からウエハ
ポケット１０に至る箇所を遊離炭素含むＣＶＤ−ＳｉＣ
主体の材料で構成した場合も，上記と同様の効果を得る
ことができる。
【００３１】
【発明の効果】上述のごとく，本発明によれば，ウエハ
の処理品質を高めることができる，半導体用治具を提供
することができる。
の処理品質を高めることができる，半導体用治具を提供
することができる。
【図１】実施形態例における，半導体用治具の断面説明
図。
図。
【図２】実施形態例における，半導体用治具の斜視図。
【図３】実施形態例における，ＣＶＤ反応装置の説明
図。
図。
【図４】実施形態例における，ウエハポケットの下面側
がＣリッチなＣＶＤ−ＳｉＣで構成された半導体用治具
の断面説明図。
がＣリッチなＣＶＤ−ＳｉＣで構成された半導体用治具
の断面説明図。
１．．．半導体用治具， １０．．．ウエハポケット， １２．．．頂面， ２．．．ウエハ，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 HA02 HA03 HA12 MA28 5F045 AB02 AB06 AC01 AC08 AD17 AE25 AF02 AF03 BB02 EK12 EK14 EM02 EM09 GH08
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体プロセスにおいて，ウエハの熱処
理に用いられる半導体用治具であって，上記半導体用治
具の頂面には，ウエハを載置する凹所となるウエハポケ
ットが設けてあり，また，上記半導体用治具の一部また
は全部は，遊離炭素を含むＣＶＤ法により生成させた炭
化珪素を主体とした材料により構成されていることを特
徴とする半導体用治具。 - 【請求項２】 請求項１において，少なくともウエハポ
ケットを覆う箇所は遊離炭素を含むＣＶＤ法により生成
させた炭化珪素を主体とした材料により構成されている
ことを特徴とする半導体用治具。 - 【請求項３】 請求項１又は２において，上記遊離炭素
を含むＣＶＤ法により生成させた炭化珪素を主体とした
材料は，材料全体（１００ｗｔ％）における遊離炭素の
含有率が０．０１〜２０．００ｗｔ％であることを特徴
とする半導体用治具。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか一項において，
上記半導体用治具は，波長４００〜８００ｎｍの光に対
して５０％以上不透過であることを特徴とする半導体用
治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110066A JP2002313888A (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 半導体用治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001110066A JP2002313888A (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 半導体用治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002313888A true JP2002313888A (ja) | 2002-10-25 |
Family
ID=18961909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001110066A Pending JP2002313888A (ja) | 2001-04-09 | 2001-04-09 | 半導体用治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002313888A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153365B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-12-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Tray for substrate |
| CN102862396A (zh) * | 2012-08-04 | 2013-01-09 | 江苏吉星新材料有限公司 | 晶片打标定位模具 |
| JP2013180353A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Bridgestone Corp | 研削方法、及び、ウエハホルダの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298715A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-12-01 | Air Prod And Chem Inc | 低熱効果体のウエハー保持取付具とその製法 |
| JPH08213337A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-08-20 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体基板の熱処理方法 |
| JPH09129557A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JP2000109366A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-18 | Ngk Insulators Ltd | 光不透過性の高純度炭化珪素材、半導体処理装置用遮光材および半導体処理装置 |
-
2001
- 2001-04-09 JP JP2001110066A patent/JP2002313888A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298715A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-12-01 | Air Prod And Chem Inc | 低熱効果体のウエハー保持取付具とその製法 |
| JPH08213337A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-08-20 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体基板の熱処理方法 |
| JPH09129557A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
| JP2000109366A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-18 | Ngk Insulators Ltd | 光不透過性の高純度炭化珪素材、半導体処理装置用遮光材および半導体処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7153365B2 (en) | 2002-12-27 | 2006-12-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Tray for substrate |
| JP2013180353A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Bridgestone Corp | 研削方法、及び、ウエハホルダの製造方法 |
| CN102862396A (zh) * | 2012-08-04 | 2013-01-09 | 江苏吉星新材料有限公司 | 晶片打标定位模具 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8021968B2 (en) | Susceptor and method for manufacturing silicon epitaxial wafer | |
| JP2010034476A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法及びそれに用いられるウェーハの保持具 | |
| TW201031773A (en) | Method for producing epitaxially coated silicon wafers | |
| EP1732111A1 (en) | Susceptor | |
| JP2017109900A (ja) | エピタキシャル成長装置、エピタキシャル成長方法及び半導体素子の製造方法 | |
| CN111996591B (zh) | 一种用于硅片的外延生长的基座、装置及方法 | |
| JP4003527B2 (ja) | サセプタおよび半導体ウェーハの製造方法 | |
| EP2657378A1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING SELF-SUPPORTING GALLIUM NITRIDE (GaN) SUBSTRATE | |
| WO2005013343A1 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
| US5913974A (en) | Heat treating method of a semiconductor single crystal substrate | |
| JPH07335572A (ja) | 半導体ウエハの熱処理用サセプタ及びその製造方法 | |
| JP2012134504A (ja) | 化学気相蒸着装置用サセプタ、化学気相蒸着装置及び化学気相蒸着装置を用いる基板の加熱方法 | |
| JP2002313888A (ja) | 半導体用治具 | |
| JP7163756B2 (ja) | 積層体、積層体の製造方法および炭化珪素多結晶基板の製造方法 | |
| JP2003142407A (ja) | 薄膜成長装置用のリフトピン、その形成方法およびリフトピン頭部 | |
| JP2002222768A (ja) | 半導体用治具 | |
| KR100976547B1 (ko) | 유도가열 서셉터 및 그 제조방법 | |
| TW202204254A (zh) | 碳化物被覆碳材料 | |
| JP7400337B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 | |
| JP2001257163A (ja) | 炭化珪素部材、耐プラズマ部材及び半導体製造用装置 | |
| JPH07183231A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
| JP4517363B2 (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| WO2023210656A1 (ja) | 加熱処理装置、及びその動作方法 | |
| Behner et al. | Surface composition of CVD-grown α-SiC layers—an XPS and LEED study | |
| JP7247819B2 (ja) | 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080311 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100601 |