JP2002312975A - 光ヘッド用受発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ発光点を受光素子表面に対して高くし
て受光素子上でのレーザ光のけられを防止した状態で、
精度良く、レーザダイオードチップを位置決め可能な光
ヘッド用受発光装置の製造方法を提案すること。 【解決手段】 本例の光ヘッド１の受発光装置４の製造
方法では、受光素子４５が作り込まれた受光素子基板４
１にウェハプロセスにてサブマウント基板４２を貼り合
わせた後に、第１および第２のレーザダイオードチップ
４３、４４をサブマウント基板４２に搭載している。こ
れらのチップ４３、４４を位置決めする位置決め部材４
８は、ウェハプロセスにおいて受光素子が作り込まれて
いる半導体基板ウェハのアライメントマーク４１０ａを
基準にして形成される。従って、レーザダイオードチッ
プと受光素子の位置精度を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ（コンパクト
ディスク）やＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）
などの光記録ディスクの再生に用いられる光ヘッドの受
発光装置の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、光ヘッド用受発光装置における光源の位置決め方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光記録ディスクの再生に用いられる光ヘ
ッドでは、レーザ光源から出射されるレーザ光を光記録
ディスクの記録面に収束させ、記録面で反射したレーザ
光の戻り光を受光素子で受光して情報の再生等を行う。

【０００３】このような光ヘッドに用いられる光源装置
としては、例えば、特開昭６３−１７７４９２号公報、
特開平２−１２８４８８号公報に記載されていように、
受光素子および信号処理回路が作り込まれた半導体基板
の表面にサブマウントを乗せ、この上にレーザ光源を搭
載した受発光装置が知られている。半導体基板とレーザ
光源の間にサブマウントを挟むことにより、レーザ光源
から所定の発散角で出射されるレーザ光が、半導体基板
表面で蹴られることを防止している。

【０００４】図１３には、従来の光ヘッド用受発光装置
の例を示してある。この図に示すように、受発光装置４
００は、第１のレーザ光源１０１および第２のレーザ光
源１０２と、半導体基板１０３と、これらの間に挟み込
んだサブマント基板１０４とを有し、基板厚さや記録密
度の異なる光記録ディスクに対して情報の記録や再生を
行なうものである。例えば、第１のレーザ光源１０１
は、ＤＶＤの再生用の６３５ｎｍあるいは６５０ｎｍ波
長域のレーザ光を出射するレーザダイオードチップであ
り、第２のレーザ光源１０２はＣＤ−Ｒの再生、記録用
の７８０ｎｍ波長域のレーザ光を出射するレーザダイオ
ードチップである。

【０００５】また、サブマウント基板１０４上面には、
レーザ光源１０１、１０２の後方出力レーザを受光する
レーザ光出力検出部１０５が形成されている。サブマウ
ント基板１０４が搭載される受光素子基板１０３には、
光記録ディスクからの戻り光を信号受信する受光素子１
０６と、受光素子１０６に戻り光を反射するミラー１０
７と、受光信号を演算する集積回路（図示せず）が形成
されている。

【０００６】サブマウント基板１０４および受光素子基
板１０３は、予め、半導体プロセスにより素子（チッ
プ）として形成されている。半導体プロセスでは、基板
であるウェハに複数のチップを連続して形成し、これを
切断して個々のチップを得るようにしている。サブマウ
ント基板１０４と受光素子基板１０３は、別々の半導体
プロセスより形成されている。また、サブマウント１０
３はレーザ光源の搭載部分と検出部１０５の形成部分が
あればよいので、チップサイズは半導体基板１０３に比
べて小さい。

【０００７】ここで、光ヘッドにおける第１および第２
のレーザ光源１０１、１０２を受光素子基板１０３に搭
載する手順を説明する。まず、第１および第２のレーザ
光源１０１、１０２でをサブマウント基板１０４にチッ
プ実装する。チップ実装された第１および第２のレーザ
光源１０１、１０２は、サブマウント基板１０４の上面
に形成された融着材をもつ電極に固定される。

【０００８】次に、第１および第２のレーザ光源１０
１、１０２を搭載したサブマウント基板１０４を受光素
子基板１０３にチップ実装する。

【０００９】このように構成された光ヘッドにおいて、
受発光装置４００は、第１および第２のレーザ光源がサ
ブマウント基板１０４により受光素子基板１０３の基板
表面より高い位置にあるので、発光点の位置も高くな
り、発散するレーザ光が基板表面で蹴られることを防止
できる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ここで、第１および第
２のレーザ光源１０１、１０２の発光点と、受光素子基
板１０５に作り込まれた受光素子１０６の位置精度は、
２回のチップ実装精度に影響される。すなわち、レーザ
光源１０１、１０２をサブマウント基板１０４に搭載す
る際の位置精度と、サブマウント基板１０４を受光素子
基板１０３に搭載する際の位置精度とにより決定され
る。このため、サブマウントおよび受光素子を精度良く
形成する必要がある。また、搭載時の精度を良くするた
め搭載作業を慎重に行なう必要がある。

【００１１】一方、サブマウント基板１０４は、第１お
よび第２のレーザ光源１０１、１０２と、レーザ光検出
用受光部１０５を配置可能な大きさであればよいが、こ
の程度の大きさでは、第１および第２のレーザ光源１０
１、１０２からの発熱を放出させるための放熱機能が充
分ではない。このため、高出力のレーザ光源、特に書き
込み型の光ディスク用のレーザ光源を用いた場合には、
別途、放熱板を取り付ける必要があり、その分、受発光
装置の構造が複雑になり、また、コスト高にもなってし
まう。

【００１２】このような問題点に鑑みて、本発明の課題
は、レーザ発光点を受光素子表面に対して高くして受光
素子上でのレーザ光のけられを防止した状態で、精度良
く、光源を位置決めできる光ヘッド用受発光装置の製造
方法、および光ヘッド用受発光装置を提案することにあ
る。

【００１３】また、本発明の課題は、構造の複雑化、コ
スト高を招くことなく、放熱性を高めることのできる光
ヘッド用受発光装置を提案することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、光源と、当該
光源が搭載されたサブマウントと、前記光源から出射さ
れたレーザ光を受光する受光素子が作り込まれた受光素
子基板とを有する光ヘッド用受発光装置の製造方法にお
いて、前記サブマウント基板を前記受光素子基板に貼り
合わせる基板貼り合わせ工程と、前記光源をサブマウン
ト基板に搭載する光源搭載工程とを含む。

【００１５】本発明の光ヘッドの製造方法では、サブマ
ウント基板を受光素子基板に貼り合わせた後に、ダイシ
ングによる切り出しを行い、受光素子とサブマウントを
一体に形成し、受光素子基板の側のアライメントマーク
等の位置決めマークを基準として光源を位置決めしてサ
ブマウント基板に搭載している。従って、光源と受光素
子との位置決めが直接に行われるので、サブマウント基
板と受光素子基板の位置決め精度に影響されることな
く、光源を精度良く受光素子に位置決めすることができ
る。

【００１６】ここで、前記サブマウント基板に受光素子
露出用の切り欠き部を形成しておき、前記基板貼り合わ
せ工程では、当該サブマウント基板を、前記受光素子基
板における前記受光素子の受光面が位置している表面に
貼り合わせ、前記切り欠き部を介して前記受光面を露出
させるようにすればよい。

【００１７】このようにすれば、サブマウント基板を受
光素子基板と同一の大きさの基板とすることができるの
で、その放熱性を高め、光源からの放熱を効率良く行な
うことができる。

【００１８】また、サブマウント基板の放熱性を高める
ためには、当該サブマウント基板を、シリコン、セラミ
ックス、あるいは金属から形成することが望ましい。

【００１９】次に、本発明は、光源と、当該光源が搭載
されるサブマウント基板と、前記光源から出射されたレ
ーザ光を受光する受光素子が作り込まれた受光素子基板
とを有する光ヘッド用受発光装置の製造方法において、
複数のサブマウント基板部分が作り込まれた第１のウエ
ハと、複数の前記受光素子基板部分が作り込まれた第２
のウエハとを作成し、前記第１および第２のウエハを貼
り合わせ、貼り合わせた第１および第２のウエハから個
々の受発光装置を切り出し、しかる後に、前記第１のウ
エハの各サブマウント基板部分のそれぞれに、前記第１
のウエハの側の所定部位を基準にして前記光源を搭載す
ることを特徴としている。

【００２０】この製造方法を採用すれば、個別にサブマ
ウント基板を受光素子基板に搭載する手間を省くことが
でき、また、多数個の受発光装置を同時に製作すること
ができる。

【００２１】ここで、前記第１および第２のウエハを貼
り合わせた後に、前記第１のウエハにおける個々の前記
サブマウント基板部分に、前記光源を位置決めするため
の光源位置決め部を形成し、この光源位置決め部を基準
として前記光源を各サブマウント基板部分に搭載するこ
とが望ましい。

【００２２】この場合、前記第１のウエハの表面に感光
性樹脂を形成し、前記第２のウエハ上に形成されている
位置決め用マークを基準として、当該感光性樹脂に複数
の前記光源位置決め部をパターニングすれば、精度良
く、光源位置決め部を作ることができる。

【００２３】また、前記サブマウント基板部分のそれぞ
れに、受光素子露出用の切り欠き部を形成しておき、前
記基板貼り合わせ工程では、前記第１のウエハを、前記
第２のウエハにおける各受光素子の受光面が位置してい
る表面に貼り合わせ、各切り欠き部を介して各受光面を
露出させることが望ましい。

【００２４】さらに、前記サブマウント基板を、シリコ
ン、セラミックス、あるいは金属製とすることが望まし
い。

【００２５】なお、第１および第２のウエハを貼り合わ
せた後に、光源を搭載し、しかる後に切り出しを行なう
ようにしてもよい。

【００２６】一方、本発明は、光源と、当該光源が搭載
されたサブマウント基板と、前記光源から出射されたレ
ーザ光を受光する受光素子が作り込まれた受光素子基板
とを有する光ヘッドの受発光装置において、前記受光素
子基板に前記サブマウント基板が貼り合わされており、
このサブマウント基板は、前記受光素子基板と同一の大
きさの基板本体に複数の切り欠き部分が形成されたもの
であり、これらの切り欠き部分を介して露出している前
記受光素子基板の表面部分には、少なくとも、前記受光
素子の受光面、および当該受光素子基板の配線引き出し
部が含まれていることを特徴としている。

【００２７】ここで、前記サブマウント基板は、シリコ
ン、セラミックス、あるいは金属製であるとが望まし
い。

【００２８】本発明の光ヘッド用受発光装置ではサブマ
ウント基板が大きく、また、放熱性の良い素材から形成
されているので、光源からの発熱を効率良く放出可能な
受発光装置を実現できる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
を適用した受発光装置を備えた光ヘッドの例を説明す
る。

【００３０】（全体構成）図１は、本例の光ヘッドを示
す断面図である。図２は、図１に示す光ヘッドにおける
光学系を取り出して示す斜視図である。図３は、図１に
示す光ヘッドにおける基台に搭載される光学系の部品を
示す分解斜視図である。

【００３１】これらの図を参照して説明すると、本例の
光ヘッド１は、ＣＤあるいはＤＶＤなどの光記録媒体２
に対する情報記録、情報再生を行なうために、６５０ｎ
ｍ波長域のレーザ光と、７８０ｎｍ波長域のレーザ光と
を用いる２波長光ヘッドであり、配線基板３１と、金属
製のベースフレーム３２とを積層した構成の基台３に各
種部品が搭載されている。

【００３２】この基台３は、光記録媒体２の半径方向に
往復移動する主軸、副軸ガイド有する装置フレーム（図
示せず）に取付けられている。装置フレームには、出射
されたレーザ光を光記録媒体２に収束させる対物レンズ
５を保持しているレンズホルダ５１を駆動して、対物レ
ンズ５を光記録媒体２に対してトラッキング方向および
フォーカシング方向に駆動する対物レンズ駆動機構が取
付けられている。

【００３３】基台３の表面には、半導体レーザチップ、
受光部一体型の受発光装置４が搭載されている。この受
発光装置４については、詳しくは後述するが、金属製の
ベースフレーム３２の表面に銀ペースト等の固着剤で積
層接着した半導体基板からなる受光素子基板（ＰＤＩＣ
基板）４１と、この受光素子基板４１の表面に積層接着
されたサブマウント基板４２と、このサブマウント基板
４２の上面に同じく積層接着された第１および第２のレ
ーザダイオードチップ４３、４４を備えている。第１の
レーザダイオードチップ４３は、６５０ｎｍ波長域のレ
ーザ光を出射し、第２のレーザダイオードチップ４４
は、７８０ｎｍ波長域のレーザ光を出射するものであ
る。

【００３４】受光素子基板４１には、光信号を検出する
ための受光部４５と、この受光部４５で得られる検出信
号を処理する信号演算回路（図示せず）と、上記レーザ
光の出力を検出する受光部４７とが作り込まれている。
また、受光部４５が作り込まれている表面部分には、戻
り光を下向きに反射して当該受光部４５に導くための全
反射ミラー４６が搭載されている。

【００３５】第１および第２のレーザダイオードチップ
４３、４４から対物レンズ５に至る光路上には、第１の
光学素子６１、第２の光学素子６２、コリメートレンズ
６３および立上げミラー６４が配置されている。第１の
光学素子６１は、第２のレーザダイオードチップ４４か
ら出射される７８０ｎｍ波長域のレーザ光のみを３ビー
ムに分割する波長選択性ホログラム素子である。第２の
光学素子６２は、往復の光路を変える波長選択性ホログ
ラム素子であり、光記録媒体２からの戻り光の光路を変
えて、受発光装置４の全反射ミラー４６に導くものであ
る。立上げミラー６４はコリメートレンズ６３により平
行光化された出射レーザ光を直角に反射して対物レンズ
５に導くためのものである。

【００３６】光学系を構成する光学部品のうち、受発光
装置４、第１の光学素子６１、第２の光学素子６２、コ
リメートレンズ６３および立上げミラー６４は、感光性
ガラスからなる部品ホルダ７に位置決めされた状態で取
付けられ、当該部品ホルダ７が基台３の表面に搭載され
ている。部品ホルダ７は、平板の内側を切り欠いた形状
をしており、その左右一対の腕枠部分における対向内側
側面には、受発光装置４、第１の光学素子６１、第２の
光学素子６２、コリメートレンズ６３および立上げミラ
ー６４を各々所定の位置に所定の姿勢で保持する位置決
め用端面が形成されている。部品ホルダ７に搭載される
光学部品は、光軸方向の位置調整が自動的に行なわれ
る。

【００３７】このように構成された光ヘッド１では、光
記録媒体２としてＤＶＤから情報を再生等するときは、
第１のレーザダイオードチップ４３から６５０ｎｍ波長
域のレーザ光が出射され、一方、光記録媒体２としてＣ
Ｄ−Ｒに情報を記録等するときは、第２のレーザダイオ
ードチップ４４から７８０ｎｍ波長域のレーザ光が出射
されることにより、異なる種類の光記録媒体２の情報再
生、情報記録等が行われる。

【００３８】（受発光装置）図４は、本例の受発光装置
４を示す斜視図である。

【００３９】この図に示すように、受発光装置４は、第
１および第２のレーザダイオードチップ４３、４４、サ
ブマウント基板基板４２、受光素子基板４１が順に積層
されている。半導体基板４１の表面には、受光素子４５
と、この受光素子４５で得られる検出信号を処理する信
号演算回路（図示せず）と、第１および第２のレーザダ
イオードチップのレーザ出力検出用受光部４７が作り込
まれ、受光素子４５上に全反射ミラー４６が配置されて
いる。

【００４０】サブマウント基板４２は、放熱性の良いシ
リコン、セラミックス、あるいは金属を材料から形成さ
れた平板状部材である。その形状は、半導体基板４１の
表面に形成された受光素子４５、レーザ出力検出用受光
部４７および周囲の電極部分が露出されるように切り欠
かれており、それ以外の部分は半導体基板４１を覆う大
きさとなっている。また、第１および第２のレーザダイ
オードチップ４３、４４が搭載されるサブマウント基板
４２の部分には、位置決め部材４８が形成されている。

【００４１】図５は、受発光装置４におけるサブマウン
ト基板４２に形成された位置決め部材４８の部分を示す
拡大斜視図である。位置決め部材４８は、第１および第
２のレーザダイオードチップ４３、４４の発光点が位置
する発光面と、発光面に垂直な面との２面を規制するＬ
型部材を２つ合わせて全体としてＴ字形をしている。発
光点の面を規制する部分は一部が断続し、その部分がレ
ーザ光通過部分となっている。第１および第２のレーザ
ダイオードチップ４３、４４は、位置決め部材４８で位
置決めされた状態で、サブマウント基板４２に形成され
た電極部分４９に金錫等の融着材で固定される。

【００４２】（受発光装置の製造方法）受発光装置４の
製造方法について説明する。図６は、受発光装置４の製
造方法を説明する工程図である。図７は、図６に示す受
発光装置４の製造工程におけるウェハプロセスおよび貼
り合わせ工程である工程ＳＴ１、ＳＴ２を説明するため
の工程詳細図である。図８は、図６に示す受発光装置４
の製造工程におけるレジスト形成工程である工程ＳＴ３
を説明する工程詳細図である。

【００４３】図６に示すように、工程ＳＴ１において、
受光素子４５およびレーザ出力用検出用受光部が形成さ
れた受光素子基板４１と、レーザダイオードチップ搭載
用電極４８と、受光素子基板４１の受光素子４５等と重
なる部分に切り欠きが形成されたサブマウント基板４２
を用意し、工程ＳＴ２において貼り合わせる。

【００４４】工程ＳＴ３において、受光素子基板４１と
一体化したサブマウント基板４２に第１および第２のレ
ーザダイオードチップ４３、４４の位置決め部４８を形
成後、個々のサブマウント／受光素子用基板の所定の大
きさにダイシングカットされる。工程ＳＴ４において、
サブマウント基板４２に第１および第２のレーザダイオ
ードチップ４３、４４搭載し、受発光装置４が完成す
る。

【００４５】更に詳しく説明すると、この製造工程にお
ける工程ＳＴ１および工程ＳＴ２では、受光素子基板４
１およびサブマウント基板４２が複数形成された２枚の
半導体ウェハを用意し、これらを貼り合せる。すなわ
ち、図７に示すように、受光素子４５およびレーザ出力
用検出用受光部４７が形成された受光素子基板４１がウ
ェハプロセスにより複数連続形成された半導体基板ウェ
ハ４１０を用意する。また、レーザダイオードチップ搭
載用電極４９と、受光素子基板４１の受光素子４５等と
重なる部分に切り欠きが形成されたサブマウント基板４
２がウェハプロセスにより複数形成されたサブマウント
ウェハ４２０を用意する。これらのウエハ４１０、４２
０を位置合わせして、接着剤を用いて貼り合せる。サブ
マウント基板４２の切り欠き部は、エッチング、サンド
ブラストにより形成される。

【００４６】工程ＳＴ３で行われるサブマウント基板４
２に対する位置決め部４８の形成は、半導体基板ウェハ
４１０に貼り合せた状態のサブマウントウェハ４２０に
フォトリソグラフィ技術を用いて行われる。詳しく説明
すると、図８に示すように、まず、半導体基板ウェハ４
１０に貼り合せた状態のサブマウントウェハ４２０の表
面に、ポリイミドなどのフォトレジスト溶液を一定の厚
さで塗布する。この塗布は、高速で回転している状態の
ウェハ上に、フォトレジスト溶液をたらして薄く一様に
塗布するスピンコートにより行われる。

【００４７】次に、フォトマスク４８０を載せて露光す
る。フォトマスク４８０には、サブマウントウェハ４２
０における各サブマウント基板４２に対して、位置決め
部材４８を形成するマスクが複数形成されている。フォ
トマスクの４８０の位置合わせは、半導体基板のアライ
メントマーク４１０ａを基準にして行われる。

【００４８】感光した状態のフォトレジスト膜を現像液
により処理後、加熱硬化することにより、サブマウント
ウェハ４２０における各サブマウント基板４２に対し
て、位置決め部材４８が形成される。

【００４９】この位置決め部材４８を形成後、半導体基
板ウェハ４１０に貼り合せた状態のサブマウントウェハ
４２０をダイシングにより、受光素子基板４１とサブマ
ウント基板４２を貼り合せた構成の各チップに切断す
る。

【００５０】この受光素子基板４１とサブマウント基板
４２を積層したチップに、工程ＳＴ４においてレーザダ
イオードチップが搭載される。次に、工程ＳＴ５では、
全反射ミラー４６を受発光装置４の受光部４５の上に被
せて接着固定する。なお、ダイシングに先立って、レー
ザダイオードチップを搭載するようにしてもよい。

【００５１】次に、図９を参照して、本例の光ヘッド１
の組み立て手順を説明する。なお、受発光装置４を製作
する組み立て手順の工程ＳＴ１からＳＴ５は、図６から
図８を参照して説明した工程と同じであるので説明を省
略する。

【００５２】まず、配線基板３１とベースフレーム３２
を積層した基台３に部品ホルダ７を固定する（工程ＳＴ
１１）。この部品ホルダ７に、工程ＳＴ１から工程ＳＴ
５を経て製作された受発光装置４を実装し固定する（工
程ＳＴ１２）。また、受発光装置４側の電極部分と配線
基板３１側に形成されている電極端子の間をボンディン
グワイヤーによって接続する（工程ＳＴ１３）。

【００５３】次に、部品ホルダ７に立上げミラー６４を
取付け（工程ＳＴ１４）、基台３に固定した部品ホルダ
７に対して、第１、第２の光学素子６１、６２およびコ
リメートレンズ６３を取り付け、これらの光学部品を部
品ホルダ７に接着固定する（工程ＳＴ１５、ＳＴ１６、
ＳＴ１７）。ここで、主軸、副軸ガイドを有する装置フ
レームに対物レンズ駆動機構（アクチュエータ）を搭載
する（工程ＳＴ１８）。次に、対物レンズ駆動機構が搭
載された装置フレーム５に、光学部品が搭載された基台
３を固定し、駆動コイル等への給電端子にフレキシブル
配線基板（ＦＰＣ）をはんだ付けで接続し、対物レンズ
５が固定されたレンズホルダ５１の傾角を調整する（工
程ＳＴ１９、工程ＳＴ２０）。最後に、特性検査、外観
検査を経て光ヘッド１が完成する。

【００５４】以上説明したように、本例の光ヘッド１で
は、受発光装置４における第１および第２のレーザダイ
オードチップ４３、４４が、受光素子４５が作り込まれ
た受光素子基板４１に貼り合わせた後のサブマウント基
板４２に搭載される。レーザ光源を位置決めする位置決
め部材４８は、ウェハプロセスにおいて半導体基板ウェ
ハのアライメントマーク４１０ａを基準に形成される。
従って、レーザダイオードチップと受光素子の位置精度
を向上させることができる。

【００５５】半導体基板ウェハ４１０とサブマウント基
板ウェハ４２０を貼り合せた後に、個々のチップを切り
出すことにより、従来のように個々に半導体基板ウェハ
４１０およびサブマウント基板ウェハ４２０を切断し、
受光素子基板４１とサブマウント基板４２を個別に貼り
合わせなくてもよいので、ダイシング工程を２回から１
回にでき、また、貼り合わせ（積層工程）も個々のチッ
プの状態ではなく、ウェハの状態でできる。従って、貼
り合わせ（積層工程）が簡素化される。

【００５６】また、サブマウント基板４１を受光素子基
板４２と同様な大きさとしたので、従来に比べ、サブマ
ウント基板４１の放熱性を高めることができる。

【００５７】（受発光装置４の変形例）図１０は、受発
光装置４の変更例を示す斜視図である。上記の受発光装
置４におけるサブマウント基板４１は、第１のレーザダ
イオード４３、４４を位置決め部４８により位置決めし
ているが、位置決め部４８を用いずに第１および第２の
レーザダイオードを位置決めしても良い。図１０に示す
ように、受発光装置４Ａにおいて、受光素子４５および
レーザ出力検出用受光部４７が作り込まれた受光素子基
板４１にウェハプロセスにより積層されたサブマウント
基板４２Ａは、第１および第２のレーザダイオード４
３、４４が搭載される面が平坦な面となっている。この
ため、第１および第２のレーザダイオード４３、４４を
サブマウント基板４２Ａに搭載するときは、画像認識に
より、受光素子４５を基準に載置位置を決定し搭載す
る。従って、レーザダイオードチップと受光素子の位置
を精度良く調整することができる。

【００５８】次に、上記の受発光装置４、４Ａでは、レ
ーザ出力検出用受光部４７を受光素子基板４１に形成
し、サブマウント基板４２の構造を簡略化しているが、
勿論、サブマウント基板４２の側にレーザ出力検出用受
光部４７を形成しても良い。図１１は、受発光装置の別
の変更例を示す斜視図である。この図に示すように、受
発光装置４Ｂは、受光素子４５が作り込まれた受光素子
基板４１Ｂに、サブマウント基板４２Ｂが積層されてい
る。サブマウント４２Ｂは、受光素子４５に重なる部分
が切り欠かれており、表面には、レーザダイオードの位
置決め部４８と、その後方にレーザ出力検出部４７が形
成されている。受発光装置４Ｂでは、位置決め部４８で
位置決めされたレーザダイオード４３、４４のレーザー
出力は、サブマウント基板４２Ｂに形成されたレーザ出
力検出部４７で検出する。

【００５９】また、レーザダイオード４３、４４を配置
する位置が端部から離れていると、出射されるレーザ光
がサブマウント基板の表面で蹴られてしまうことがあ
る。そのような場合は、レーザ光通過用溝を形成すれば
よい。図１２は、光源素子の更に別の変更例におけるサ
ブマウント基板の一部を示す拡大斜視図である。この図
に示す受発光装置４Ｃは、第１および第２のレーザダイ
オードチップ４３、４４を位置決めするための位置決め
部材４８と、レーザ検出用受光部が形成されたサブマウ
ント基板４１Ｃに、さらに、レーザ光通過用溝８が形成
されている。従って、第１および第２のレーザダイオー
ドチップから出射されたレーザ光がサブマウント基板の
表面で蹴られることを防止できる。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ヘッド
用受発光装置の製造方法では、受光素子基板にサブマウ
ント基板を貼り合わせた後に、光源をサブマウント基板
に搭載するようにしている。従って、光源と受光素子の
位置決めを、サブマウント基板と受光素子基板の位置決
め精度に関係なく精度良く行うことができる。

【００６１】また、本発明の光ヘッド用発受光装置の製
造方法では、多数個のサブマウント基板部分が形成され
たウエハと、多数個の受光素子部分が形成された半導体
ウエハとを貼り合わせた後に、個々の受発光装置を切り
出すようにしている。従って、各サブマウント基板を受
光素子基板に搭載するチップ搭載工程を省くことがで
き、多数の受発光装置を効率良く作ることができる。

【００６２】次に、本発明の光ヘッド用受発光装置で
は、サブマウント基板が、受光素子基板と同様な大きさ
とされ、部分的に切り欠きを形成して受光素子等を露出
させるようにしている。従って、サブマウント基板の放
熱性を良くすることができるので、高出力の光源を搭載
した場合でも、放熱板等を別途取り付ける必要がない等
の利点が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光ヘッドを示す断面図であ
る。

【図２】図１に示す光ヘッドにおける光学系を取り出し
て示す斜視図である。

【図３】図１に示す光ヘッドにおける基台に搭載される
光学系の部品を示す分解斜視図である。

【図４】図１に示す光ヘッドの受発光装置を示す斜視図
である。

【図５】受発光装置におけるサブマウント基板に形成さ
れた位置決め部を示す拡大斜視図である。

【図６】受発光装置４の製造方法を説明する工程図であ
る。

【図７】図６に示す受発光装置４の製造工程におけるウ
ェハプロセスおよび貼り合わせ工程である工程ＳＴ１、
ＳＴ２を説明するための工程詳細図である。

【図８】図６に示す受発光装置４の製造工程におけるレ
ジスト形成工程である工程ＳＴ３を説明する工程詳細図
である。

【図９】図１に示す光ヘッドの組み立て手順を示す説明
図である。

【図１０】図１に示す光ヘッドにおける受発光装置の変
更例を示す斜視図である。

【図１１】図１に示す光ヘッドにおける受発光装置の別
の変更例を示す斜視図である。

【図１２】図１に示す光ヘッドにおける受発光装置の更
に別の変更例を示す斜視図である。

【図１３】従来の光ヘッドにおける受発光装置を示す斜
視図である。

【符号の説明】

１ 光ヘッド ２ 光記録媒体 ３ 基台 ４ 受発光装置 ５ 対物レンズ ７ 部品ホルダ（枠体） ３１ 配線基板 ３２ ベースフレーム ４１ 受光素子基板 ４２ サブマウント基板 ４３ 第１のレーザダイオードチップ ４４ 第２のレーザダイオードチップ ４５ 受光部 ４６ 全反射ミラー ４７ レーザ出力検出用受光部 ４８ 位置決め部材 ４９ 電極部分 ６１ 第１の光学素子 ６２ 第２の光学素子 ６３ コリメートレンズ ６４ 立上げミラー ４１０ 半導体基板ウェハ ４２０ サブマウントウェハ ４８０ フォトマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹村 政夫 長野県諏訪郡原村10801番地の２ 株式会 社三協精機製作所諏訪南工場内 Ｆターム(参考） 5D119 AA33 AA36 CA10 FA05 FA35 FA37 MA09 NA02 5F073 AB27 AB29 BA05 BA06 FA01 FA23 5F088 BA16 BA18 BB10 EA20 JA11 JA12 LA01 LA03

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源と、当該光源が搭載されるサブマウ
   ントと、前記光源から出射されたレーザ光を受光する受
   光素子が作り込まれた受光素子基板とを有する光ヘッド
   用受発光装置の製造方法において、 複数のサブマウント基板部分が作り込まれた第１のウエ
   ハと、複数の前記受光素子基板部分が作り込まれた第２
   のウエハとを作成し、 前記第１および第２のウエハを貼り合わせ、 貼り合わせた第１および第２のウエハから、個々のサブ
   マウント／受光素子を切り出し、 しかる後に、前記第１のウエハの各サブマウント基板部
   分のそれぞれに、前記第１のウエハの側の所定部位を基
   準にして前記光源を搭載することを特徴とする光ヘッド
   用受発光装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、 前記第１および第２のウエハを貼り合わせた後に、前記
   第１のウエハにおける個々の前記サブマウント基板部分
   に、前記光源を位置決めするための光源位置決め部を形
   成し、この光源位置決め部を基準として前記光源を各サ
   ブマウント基板部分に搭載することを特徴とする光ヘッ
   ド用受発光装置。
3. 【請求項３】 請求項２において、 前記第１のウエハの表面に感光性樹脂を形成し、前記第
   ２のウエハ上に形成されている位置決め用マークを基準
   として、当該感光性樹脂に複数の前記光源位置決め部を
   パターニングすることを特徴とする光ヘッド用受発光装
   置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１、２または３において前記サブ
   マウント基板部分のそれぞれに、受光素子露出用の切り
   欠き部を形成しておき、 前記基板貼り合わせ工程では、前記第１のウエハを、前
   記第２のウエハにおける各受光素子の受光面が位置して
   いる表面に貼り合わせ、各切り欠き部を介して各受光面
   を露出させることを特徴とする光ヘッド用受発光装置の
   製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかの項におい
   て前記サブマウント基板は、シリコン、セラミックス、
   あるいは金属製であることを特徴とする光ヘッド用受発
   光装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１において、 貼り合わせた第１および第２のウエハから個々のサブマ
   ウント／受光素子を切り出す工程に先立って、前記第１
   のウエハの各サブマウント基板部分のそれぞれに、前記
   第１のウエハの側の所定部位を基準にして前記光源を搭
   載することを特徴とする光ヘッド用受発光装置の製造方
   法。
7. 【請求項７】 光源と、当該光源が搭載されたサブマウ
   ント基板と、前記光源から出射されたレーザ光を受光す
   る受光素子が作り込まれた受光素子基板とを有する光ヘ
   ッドの受発光装置において、 前記受光素子基板に前記サブマウント基板が貼り合わさ
   れており、 このサブマウント基板は、前記受光素子基板と同一の大
   きさの基板本体に複数の切り欠き部分が形成されたもの
   であり、これらの切り欠き部分を介して露出している前
   記受光素子基板の表面部分には、少なくとも、前記受光
   素子の受光面、および当該受光素子基板の配線引き出し
   部が含まれていることを特徴とする光ヘッド用受発光装
   置。
8. 【請求項８】 請求項７において、 前記サブマウント基板は、シリコン、セラミックス、あ
   るいは金属製であるとを特徴とする光ヘッド用受発光装
   置。